KR100866249B1 - 씨모스 이미지 센서의 제조방법 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 26
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 12
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
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Abstract
본 발명에서는 씨모스 이미지 센서의 제조방법에 관해 개시된다.
본 발명에 따른 씨모스 이미지 센서의 제조방법은 센싱부 및 주변 회로부로 정의된 반도체 기판에 다수의 포토 다이오드 및 트랜지스터를 형성하는 단계; 상기 센싱부 및 주변 회로부에 다수의 층간 절연막 및 금속 배선을 형성하는 단계; 상기 반도체 기판 전면에 보호막을 형성하는 단계; 상기 센싱부의 보호막에 제1패턴을 형성하는 단계; 상기 제1패턴을 포함한 보호막 전면에 질화막을 형성하는 단계; 상기 센싱부에 형성된 질화막, 제1패턴, 보호막, 층간 절연막의 일부를 선택적으로 제거하고 평탄화하는 단계; 및 상기 평탄화된 층간 절연막 상에 컬러 필터층 및 마이크로 렌즈를 형성하는 단계가 포함되어 구성되는 것을 특징으로 한다.
씨모스, 이미지 센서
Description
도 1은 종래 기술의 1개의 포토다이오드(PD)와 4개의 MOS트랜지스터로 구성된 씨모스 이미지 센서의 단위 화소(Unit Pixel)의 등가 회로도.
도 2a 내지 도 2c는 종래의 씨모스 이미지 센서의 제조방법을 설명하는 도면.
도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 씨모스 이미지 센서의 제조방법을 설명하는 도면.
본 발명에서는 씨모스 이미지 센서의 제조방법에 관해 개시된다.
이미지 센서(Image sensor)라 함은 광학 영상(optic image)을 전기 신호로 변환시키는 반도체 소자로서, 전하 결합 소자(Charge Coupled Device; CCD)와 씨모스 이미지 센서(Complementary MOS image sensor)로 구분된다.
상기 전하 결합 소자는 빛의 신호를 전기적 신호로 변환하는 복수개의 포토 다이오드(Photo diode; PD)가 매트릭스 형태로 배열되고, 상기 매트릭스 형태로 배열된 각 수직 방향의 포토 다이오드 사이에 형성되어 상기 각 포토 다이오드에서 생성된 전하를 수직방향으로 전송하는 복수개의 수직 방향 전하 전송 영역(Vertical charge coupled device; VCCD)과, 상기 각 수직 방향 전하 전송 영역에 의해 전송된 전하를 수평방향으로 전송하는 수평방향 전하전송영역(Horizontal charge coupled device; HCCD) 및 상기 수평방향으로 전송된 전하를 센싱하여 전기적인 신호를 출력하는 센스 증폭기(Sense Amplifier)를 구비하여 구성된 것이다.
그러나, 이와 같은 전하 결합 소자는 구동 방식이 복잡하고, 전력 소비가 클 뿐만 아니라, 다단계의 포토 공정이 요구되므로 제조 공정이 복잡한 단점을 갖고 있다. 또한, 상기 전하 결합 소자는 제어회로, 신호처리회로, 아날로그/디지털 변환회로(A/D converter) 등을 전하 결합 소자 칩에 집적시키기가 어려워 제품의 소형화가 곤란한 단점을 갖는다.
최근에는 상기 전하 결합 소자의 단점을 극복하기 위한 차세대 이미지 센서로서 씨모스 이미지 센서가 주목을 받고 있다. 상기 씨모스 이미지 센서는 제어회로 및 신호처리회로 등을 주변회로로 사용하는 씨모스 기술을 이용하여 단위 화소의 수량에 해당하는 모스 트랜지스터들을 반도체 기판에 형성함으로써 상기 모스 트랜지스터들에 의해 각 단위 화소의 출력을 순차적으로 검출하는 스위칭 방식을 채용한 소자이다. 즉, 상기 씨모스 이미지 센서는 단위 화소 내에 포토 다이오드와 모스 트랜지스터를 형성시킴으로써 스위칭 방식으로 각 단위 화소의 전기적 신호를 순차적으로 검출하여 영상을 구현한다.
상기 씨모스 이미지 센서는 씨모스 제조 기술을 이용하므로 적은 전력 소모, 적은 포토공정 스텝에 따른 단순한 제조공정 등과 같은 장점을 갖는다. 또한, 상기 씨모스 이미지 센서는 제어회로, 신호처리회로, 아날로그/디지털 변환회로 등을 씨모스 이미지 센서 칩에 집적시킬 수가 있으므로 제품의 소형화가 용이하다는 장점을 갖고 있다. 따라서, 상기 씨모스 이미지 센서는 현재 디지털 정지 카메라(digital still camera), 디지털 비디오 카메라 등과 같은 다양한 응용 부분에 널리 사용되고 있다.
씨모스 이미지 센서를 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 1은 종래 기술의 1개의 포토다이오드(PD)와 4개의 MOS트랜지스터로 구성된 씨모스 이미지 센서의 단위 화소(Unit Pixel)의 등가 회로도이다.
씨모스 이미지 센서의 단위화소는, 빛을 받아 광전하를 생성하는 포토다이오드(Photo Diode : PD)와, 상기 포토다이오드(PD)에서 모아진 광전하를 플로팅 확산영역(Floating Diffusion : FD)으로 운송하기 위한 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)와, 원하는 값으로 플로팅 확산영역(FD)의 전위를 셋팅하고 전하를 배출하여 플로팅 확산영역(FD)을 리셋시키기 위한 리셋 트랜지스터(Rx)와, 소스 팔로워 버퍼 증폭기(Source Follow Buffer Amplifier) 역할을 하는 드라이브 트랜지스터(Dx) 및 스위칭(Switching) 역할로 어드레싱(Addressing)할 수 있도록 하는 셀렉트 트랜지스터(Sx)로 구성된다. 단위 화소 밖에는 출력신호(Output Signal)를 읽을 수 있도록 로드(load) 트랜지스터가 형성되어 있다.
도 2a 내지 도 2c는 종래의 씨모스 이미지 센서의 제조방법을 설명하는 도면으로서, 집광에 관련된 주요부분만 도시하였다.
도 2a에 도시된 바와 같이, 씨모스 이미지 센서는 센싱부와 주변 구동부로 정의된 반도체 기판(11)상에 액티브 영역을 정의하기 위한 필드 산화막(도시되지 않음)이 형성되어 있고, 상기 액티브 영역의 반도체 기판(11)내에 다수개의 포토다이오드(PD)(12)가 형성되고, 상기 액티브 영역의 반도체 기판(11)위에 복수개의 트랜지스터(13)들이 형성된다.
상기 포토다이오드(12)와 트랜지스터(13)를 포함하는 센싱부 및 주변 구동부를 포함한 기판 전면에 제 1 층간 절연막(14)이 형성되고, 상기 제 1 층간 절연막(14)상에는 제 1 금속 배선(M1)이 형성된다.
그리고, 상기 제 1 금속 배선(M1)위에 제 2 층간절연막(15), 제 2 금속 배선(M2), 상기 제 2 금속 배선(M2)위에 제 3 층간절연막(16), 제 3 금속 배선(M3), 상기 제 3 금속 배선(M3)위에 제 4 층간절연막(17), 제 4 금속 배선(M4) 및 보호막(18)이 차례로 형성된다.
여기서, 상기 제 3, 제 4 금속배선(M3,M4)은 주변 구동부에 형성되어 상기 포토다이오드(12)로 입사되는 빛에 영향을 주지 않도록 배치되어 있다.
한편, 상기 주변 구동부에는 제 3, 제 4 금속배선(M3,M4)이 형성되기 때문에 상기 보호막(18)은 상기 센싱부와 주변 구동부의 단차로 인하여 센싱부에서 함몰된 형태로 형성된다.
다음, 도 2b에 도시된 바와 같이, 센싱부에서 마이크로 렌즈와 포토 다이오드 사이의 거리를 최소화하여 광 효율을 증대시키기 위해 CMP 공정을 통해 센싱부및 주변 구동부를 평탄화하고, 상기 센싱부의 보호막(18)과 제 4 층간 절연막(17)의 일부를 패터닝하여 제거한다.
이때, 상기 센싱부에는 컬러 필터층과 마이크로 렌즈가 형성되어야 하기 때문에 평탄화되는 것이 중요하나, 상기 보호막(18)의 단차에 의해 CMP 공정을 거치면서 상기 센싱부의 제 4 층간 절연막(17)의 두께가 불균일하고 중심부분이 함몰된 형태로 형성되고, 패터닝하여 제거하는 공정을 거친 후에도 중심부분이 함몰된 형태로 남아있게 된다.
도 2c에 도시된 바와 같이, 상기 센싱부의 제 4 층간 절연막(17)상에 컬러 이미지(Color Image) 구현을 위한 R, G, B 컬러 필터층(19)을 형성하고, 상기 각 컬러 필터층(19)상에 마이크로 렌즈(micro-lens)(20)를 형성한다.
여기서, 상기 마이크로 렌즈(20)는 포토레지스트(photo resist)를 도포하고 상기 포토다이오드(12) 상부에 남도록 패터닝한 후에 베이킹(backing)을 통해 포토레지스트를 리플로우하여 원하는 곡률을 얻고 있다.
상기와 같은 마이크로 렌즈(20)는 입사광을 포토다이오드(12)까지 집약시켜 보내주는 중요한 역할을 하고 있다.
한편, 상기 컬러 필터층(19) 및 마이크로 렌즈(20)가 형성되는 제 4 층간 절연막(17)의 두께가 불균일하여 경사가 발생되기 때문에, 상기 마이크로 렌즈(20)의 두께, 곡률 반경 등을 정확하게 형성하는 것이 어려운 문제점이 있으며, 이로 인하여 씨모스 이미지 센서의 성능에 악영향을 미치고 있다.
본 발명은 마이크로 렌즈가 형성되는 영역의 층간 절연막 두께가 균일하도록 하여 마이크로 렌즈가 효과적으로 형성될 수 있도록 한 씨모스 이미지 센서의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
삭제
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 씨모스 이미지 센서의 제조방법에 관해 상세히 설명하도록 한다.
도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 씨모스 이미지 센서의 제조방법을 설명하는 도면이다.
도 3a에 도시된 바와 같이, 씨모스 이미지 센서는 센싱부와 주변 구동부로 정의된 반도체 기판(31)상에 액티브 영역을 정의하기 위한 필드 산화막(도시되지 않음)이 형성되어 있고, 상기 액티브 영역의 반도체 기판(31)내에 다수개의 포토다이오드(PD)(32)가 형성되고, 상기 액티브 영역의 반도체 기판(31)위에 복수개의 트랜지스터(33)들이 형성된다.
상기 포토다이오드(32)와 트랜지스터(33)를 포함하는 센싱부 및 주변 구동부를 포함한 기판 전면에 제 1 층간 절연막(34)이 형성되고, 상기 제 1 층간 절연 막(34)상에는 제 1 금속 배선(M1)이 형성된다.
그리고, 상기 제 1 금속 배선(M1)위에 제 2 층간절연막(35), 제 2 금속 배선(M2), 상기 제 2 금속 배선(M2)위에 제 3 층간절연막(36), 제 3 금속 배선(M3), 상기 제 3 금속 배선(M3)위에 제 4 층간절연막(37), 제 4 금속 배선(M4) 및 보호막(38)이 차례로 형성된다.
여기서, 상기 제 3, 제 4 금속배선(M3,M4)은 주변 구동부에 형성되어 상기 포토다이오드(32)로 입사되는 빛에 영향을 주지 않도록 배치되어 있다.
한편, 상기 주변 구동부에는 제 3, 제 4 금속배선(M3,M4)이 형성되기 때문에 상기 보호막(38)은 상기 센싱부와 주변 구동부의 단차로 인하여 센싱부에서 함몰된 형태로 형성된다. 상기 보호막(38)은 산화막으로 형성될 수 있다.
다음, 도 3b에 도시된 바와 같이, 상기 센싱부의 보호막(38)상에 제1패턴(41)을 형성한다. 상기 제1패턴(41)은 상기 보호막(38)과 마찬가지로 산화막으로 형성될 수 있으며, 상기 제1패턴(41)은 더미 패턴으로 사용된다. 상기 제1패턴(41)은 일정 간격으로 이격된 복수의 더미 패턴으로 형성된다.
도 3c에 도시된 바와 같이, 상기 제1패턴(41)이 형성된 보호막(38) 상에 질화막(42)을 형성한다.
상기 질화막(42)은 상기 제1패턴(41)에 의해 주변 구동부보다 센싱부에서 더 두껍게 형성된다.
도 3d에 도시된 바와 같이, 센싱부에서 마이크로 렌즈와 포토 다이오드 사이의 거리를 최소화하여 광 효율을 증대시키기 위해 CMP 공정을 통해 센싱부 및 주변 구동부를 평탄화하고, 상기 센싱부의 질화막(42), 보호막(38)과 제 4 층간 절연막(37)의 일부를 패터닝하여 에칭하여 제거한다.
본 발명에서는 상기 제1패턴(41)이 형성된 상태에서 CMP 공정 및 에칭 공정을 수행하기 때문에 상기 제 4 층간 절연막(37)의 두께가 균일하게 형성될 수 있다.
도 3e에 도시된 바와 같이, 상기 센싱부의 제 4 층간 절연막(37)상에 컬러 이미지(Color Image) 구현을 위한 R, G, B 컬러 필터층(39)을 형성하고, 상기 각 컬러 필터층(39)상에 마이크로 렌즈(micro-lens)(40)를 형성한다.
여기서, 상기 마이크로 렌즈(40)는 포토레지스트(photo resist)를 도포하고 상기 포토다이오드(32) 상부에 남도록 패터닝한 후에 베이킹(backing)을 통해 포토레지스트를 리플로우하여 원하는 곡률을 얻고 있다.
본 발명에서는 상기 제 4 층간 절연막(37)이 균일하게 형성되기 때문에 상기 컬러 필터층(39) 및 마이크로 렌즈(40)는 정확한 형상으로 형성될 수 있다.
본 발명은 마이크로 렌즈가 형성되는 영역의 층간 절연막 두께가 균일하도록 하여 마이크로 렌즈가 효과적으로 형성될 수 있도록 한 씨모스 이미지 센서의 제조방법을 제공한다.
Claims (4)
- 센싱부 및 주변 회로부로 정의된 반도체 기판에 다수의 포토 다이오드 및 트랜지스터를 형성하는 단계;상기 센싱부 및 주변 회로부에 다수의 층간 절연막 및 금속 배선을 형성하는 단계;상기 반도체 기판 전면에 보호막을 형성하는 단계;상기 센싱부의 보호막에 제1패턴을 형성하는 단계;상기 제1패턴을 포함한 보호막 전면에 질화막을 형성하는 단계;상기 센싱부 및 주변 회로부를 평탄화하고 상기 센싱부에 형성된 질화막, 제1패턴, 보호막, 층간 절연막의 일부를 선택적으로 제거하는 단계; 및상기 평탄화된 층간 절연막 상에 컬러 필터층 및 마이크로 렌즈를 형성하는 단계가 포함되어 구성되는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조방법.
- 제 1항에 있어서,상기 제1패턴은 상기 보호막의 함몰된 부분에 형성된 더미 패턴인 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조방법.
- 제 1항에 있어서,상기 제1패턴은 산화막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센 서의 제조방법.
- 제 1항에 있어서,상기 제1패턴은 일정한 간격으로 이격되어 형성되는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020060134851A KR100866249B1 (ko) | 2006-12-27 | 2006-12-27 | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020060134851A KR100866249B1 (ko) | 2006-12-27 | 2006-12-27 | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20080060573A KR20080060573A (ko) | 2008-07-02 |
| KR100866249B1 true KR100866249B1 (ko) | 2008-10-30 |
Family
ID=39813082
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020060134851A KR100866249B1 (ko) | 2006-12-27 | 2006-12-27 | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100866249B1 (ko) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20050020020A (ko) * | 2003-08-20 | 2005-03-04 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 이미지 센서 제조방법 |
| KR20060077526A (ko) * | 2004-12-30 | 2006-07-05 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 시모스 이미지 센서 및 그의 제조 방법 |
-
2006
- 2006-12-27 KR KR1020060134851A patent/KR100866249B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20050020020A (ko) * | 2003-08-20 | 2005-03-04 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 이미지 센서 제조방법 |
| KR20060077526A (ko) * | 2004-12-30 | 2006-07-05 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 시모스 이미지 센서 및 그의 제조 방법 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20080060573A (ko) | 2008-07-02 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
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|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120926 Year of fee payment: 5 |
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