KR100865555B1 - Precharge voltage supplying circuit - Google Patents
Precharge voltage supplying circuit Download PDFInfo
- Publication number
- KR100865555B1 KR100865555B1 KR1020070063927A KR20070063927A KR100865555B1 KR 100865555 B1 KR100865555 B1 KR 100865555B1 KR 1020070063927 A KR1020070063927 A KR 1020070063927A KR 20070063927 A KR20070063927 A KR 20070063927A KR 100865555 B1 KR100865555 B1 KR 100865555B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- signal
- precharge voltage
- response
- control signal
- power
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/12—Bit line control circuits, e.g. drivers, boosters, pull-up circuits, pull-down circuits, precharging circuits, equalising circuits, for bit lines
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
- G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
- G11C11/409—Read-write [R-W] circuits
- G11C11/4093—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. data buffers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
- G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
- G11C11/409—Read-write [R-W] circuits
- G11C11/4094—Bit-line management or control circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1048—Data bus control circuits, e.g. precharging, presetting, equalising
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C2207/00—Indexing scheme relating to arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C2207/22—Control and timing of internal memory operations
- G11C2207/2227—Standby or low power modes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Dram (AREA)
Abstract
Description
도 1 은 종래 기술에 의한 프리차지 전압 공급 회로의 블럭도이다.1 is a block diagram of a precharge voltage supply circuit according to the prior art.
도 2 는 본 발명의 일 실시예에 의한 프리차지 전압 공급 회로의 블럭도이다.2 is a block diagram of a precharge voltage supply circuit according to an embodiment of the present invention.
도 3 은 도 2 의 제어신호 생성부의 회로도이다.3 is a circuit diagram of a control signal generator of FIG. 2.
도 4 는 도 2 의 프리차지 전압 제어부의 회로도이다.4 is a circuit diagram of the precharge voltage controller of FIG. 2.
도 5 는 본 발명의 다른 실시예에 의한 프리차지 전압 공급 회로의 블럭도이다.5 is a block diagram of a precharge voltage supply circuit according to another embodiment of the present invention.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>
10 : 제어신호 생성부10: control signal generator
20 : 프리차지 전압 제어부20: precharge voltage control unit
30 : 균등화부30: equalization unit
40 : 프리차지 전압 공급부40: precharge voltage supply unit
본 발명은 반도체 메모리 장치에 관한 것으로, 더 상세하게는 프리차지 전압 공급 회로에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor memory device, and more particularly, to a precharge voltage supply circuit.
최근 반도체 소자의 고집적화가 진행됨에 따라 반도체 소자의 각 부위는 그 차지하는 면적이 점점 더 줄어들고 있다. 특히, 디램(DRAM) 반도체 장치의 경우, 반도체 장치를 구성하는 게이트의 피치(pitch) 사이즈가 감소함에 따라 반도체 메모리 장치의 제조공정 결과 워드라인과 비트라인 간에 브릿지(bridge) 현상이 발생할 가능성이 점점 더 높아지고 있다.Recently, as the integration of semiconductor devices is advanced, the area occupied by each portion of the semiconductor device is gradually decreasing. In particular, in the case of a DRAM semiconductor device, as the pitch size of the gate constituting the semiconductor device decreases, as a result of the manufacturing process of the semiconductor memory device, a bridge phenomenon between word lines and bit lines is more likely to occur. It's getting higher.
도 1 은 종래 기술에 의한 프리차지 전압 공급 회로의 블럭도이다.1 is a block diagram of a precharge voltage supply circuit according to the prior art.
도 1에 도시한 바와 같이, 종래 기술에 의한 프리차지 전압 공급 회로는 클럭 인에이블 신호(CKE)에 응답하여 프리차지 전압(VBLP)을 출력하는 프리차지 전압 공급부(100)로 구성한다.As shown in FIG. 1, the conventional precharge voltage supply circuit includes a precharge
이러한 프리차지 전압 공급 회로는 노멀 액티브 상태에서는 '하이'가 되고 파워 다운 모드(Power Down Mode)에서는 '로우'가 되는 클럭 인에이블 신호(CKE)에 응답하여 프리차지 전압(VBLP)을 출력한다.The precharge voltage supply circuit outputs the precharge voltage VBLP in response to the clock enable signal CKE which becomes 'high' in the normal active state and 'low' in the power down mode.
그러나, 이러한 프리차지 전압 공급 회로는 파워-업(Power-up) 시 클럭 인에이블 신호(CKE)가 '로우' 또는 '하이' 둘 중 하나가 될 수 있으므로, 프리차지 전압(VBLP)이 정상적으로 공급되지 않아 비트라인 및 비트바라인이 프리차지 되지 않 게 되어 디램이 오동작하는 문제점이 있다.However, since the clock enable signal CKE may be either 'low' or 'high' at power-up, the precharge voltage VBLP is normally supplied. Since the bit line and the bit bar line are not precharged, the DRAM malfunctions.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 파워-업 시 비트라인 및 비트바라인을 프리차지 전압 레벨로 정상적으로 프리차지 시키는 프리차지 전압 공급 회로를 제시한다.Accordingly, the technical problem to be achieved by the present invention is to provide a precharge voltage supply circuit that normally precharges the bit line and the bit bar line to the precharge voltage level during power-up.
또한, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 비트라인과 워드라인의 브리지로 인한 누설 전류를 감소시키는 프리차지 전압 공급 회로를 제시한다.In addition, the technical problem to be achieved by the present invention proposes a precharge voltage supply circuit for reducing the leakage current caused by the bridge of the bit line and word line.
상기 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 프리차지 전압 공급 회로는 파워-업 신호와 클럭 인에이블 신호에 응답하여 제어신호를 생성하되, 파워-업 구간에서 상기 제어신호를 인에이블시켜 출력하고, 파워-업 구간이 종료되면 상기 클럭 인에이블 신호에 따라 상기 제어신호를 인에이블시켜 출력하는 제어신호 생성부와; 블리더 회로를 포함하고, 상기 제어신호에 응답하여 블리더 회로를 구동시켜 프리차지 전압을 제어하는 프리차지 전압 제어부를 포함한다.According to an embodiment of the present invention, a precharge voltage supply circuit generates a control signal in response to a power-up signal and a clock enable signal, and enables the control signal in a power-up period. A control signal generation unit configured to output the control signal according to the clock enable signal when the power-up period ends; And a precharge voltage controller configured to control the precharge voltage by driving the bleeder circuit in response to the control signal.
본 발명에서, 상기 제어신호는 파워-업 신호가 인에이블되면 활성화되는 신호이다.In the present invention, the control signal is a signal that is activated when the power-up signal is enabled.
본 발명에서, 상기 제어신호 생성부는 파워-업 구간이 종료되면, 클럭 인에이블 신호에 따라 블리더 회로를 구동하는 제어신호를 인에이블시켜 출력한다.In the present invention, when the power-up period ends, the control signal generation unit enables and outputs a control signal for driving the bleeder circuit according to the clock enable signal.
그리고, 본 발명의 다른 실시예에 따른 프리차지 전압 공급 회로는 파워-업 신호 및 클럭 인에이블 신호에 응답하여 프리차지 전압을 공급하되, 파워-업 구간에서 상기 프리차지 전압을 공급하고, 파워-업 구간이 종료되면 상기 클럭 인에이블 신호에 따라 상기 프리차지 전압을 공급하는 프리차지 전압 공급부와; 상기 프리차지 전압을 이용하여 비트라인과 비트바라인을 프리차지 하는 균등화부를 포함한다.The precharge voltage supply circuit according to another embodiment of the present invention supplies a precharge voltage in response to a power-up signal and a clock enable signal, and supplies the precharge voltage in a power-up period. A precharge voltage supply unit configured to supply the precharge voltage according to the clock enable signal when an up period ends; An equalization unit precharges a bit line and a bit bar line by using the precharge voltage.
그리고, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 프리차지 전압 공급 회로는 파워-업 신호와 클럭 인에이블 신호에 응답하여 제어신호를 생성하되, 파워-업 구간에서 상기 제어신호를 인에이블시켜 출력하고, 파워-업 구간이 종료되면 상기 클럭 인에이블 신호에 따라 상기 제어신호를 인에이블시켜 출력하는 제어신호 생성부와; 상기 제어신호에 응답하여 프리차지 전압을 제어하는 프리차지 전압 제어부와; 상기 프리차지 전압을 이용하여 비트라인과 비트바라인을 프리차지 하는 균등화부를 포함한다.The precharge voltage supply circuit according to another embodiment of the present invention generates a control signal in response to a power-up signal and a clock enable signal, and enables and outputs the control signal in a power-up period. A control signal generator configured to enable and output the control signal according to the clock enable signal when a power-up period ends; A precharge voltage controller configured to control a precharge voltage in response to the control signal; An equalization unit precharges a bit line and a bit bar line by using the precharge voltage.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참고하여 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, preferred embodiments of the present invention will be described in detail.
도 2 는 본 발명의 일 실시예에 의한 프리차지 전압 공급 회로의 블럭도이고, 도 3 은 도 2 의 제어신호 생성부의 회로도이며, 도 4 는 도 2 의 프리차지 전압 제어부의 회로도이다.2 is a block diagram of a precharge voltage supply circuit according to an embodiment of the present invention, FIG. 3 is a circuit diagram of a control signal generator of FIG. 2, and FIG. 4 is a circuit diagram of a precharge voltage controller of FIG. 2.
도 2 에 도시한 바와 같이, 본 발명은 파워-업 신호(PWRUP)와 클럭 인에이블 신호(CKE) 및 모드 레지스터 셋팅 신호(MRSP8)에 응답하여 제어신호(BLEEDER_OFF, BLEEDER_OFFB)를 생성하는 제어신호 생성부(10)와, 상기 파워-업 신호(PWRUP) 인가시 활성되되는 상기 제어신호에 응답하여 프리차지 전압(VBLP)을 제어하는 프리차지 전압 제어부(20)와, 상기 프리차지 전압을 이용하여 비트라인과 비트바라인을 프리차지 하는 균등화부(30)를 포함한다.As shown in FIG. 2, the present invention generates a control signal for generating control signals BLEEDER_OFF and BLEEDER_OFFB in response to a power-up signal PWRUP, a clock enable signal CKE, and a mode register setting signal MRSP8. The
일반적으로 파워-업 신호(PWRUP)는 파워-업 구간에서 로우 레벨로 인에이블되는 신호이고, 모드 레지스터 셋팅 신호(MRSP8)는 파워-업 신호(PWRUP)가 인가된 후 일정 시간(200us)이 경과하면 활성화되는 신호이다.In general, the power-up signal PWRUP is a signal that is enabled at a low level in the power-up period, and the mode register setting signal MRSP8 is a predetermined time (200us) after the power-up signal PWRUP is applied. Signal is activated.
상기 제어신호 생성부(10)는 파워-업 신호(PWRUP) 및 모드 레지스터 셋팅 신 호(MRSP8)에 응답하여 구동하는 제어부(11)와, 상기 제어부(11)의 출력신호와 클럭 인에이블 신호(CKE)의 반전신호에 응답하여 부정 논리곱 연산하는 연산부(12)와, 상기 연산부(12)의 출력신호를 버퍼링하여 제어신호를 출력하는 신호생성부(13)를 포함한다. The
상기 제어부(11)는 파워-업 신호(PWRUP)에 응답하여 풀-업 구동하는 풀-업 구동부(P11)와, 모드 레지스터 셋팅 신호(MRSP8)에 응답하여 풀-다운 구동하는 풀-다운 구동부(N11)를 포함하고, 상기 풀-업 구동부(P11) 및 풀-다운 구동부(N11)의 출력신호를 래치하는 래치부(111)를 더 포함한다.The
상기 프리차지 전압 제어부(20)는 상기 제어신호(BLEEDER_OFF, BLEEDER_OFFB)에 응답하여 프리차지 전압(VBLP)을 상기 균등화부(30)로 인가하는 제1블리더 회로(21)와, 턴-온 전압 레벨이 각기 다른 복수의 제어신호(BLEEDER_S,BLEEDER_M, BLEEDER_L, BLEEDER_XL)에 응답하여 프리차지 전압(VBLP)을 상기 균등화부(30)로 인가하는 제2블리더 회로(22)를 포함한다.The
상기 제1블리더 회로(21)는 상기 제어신호(BLEEDER_OFF)에 응답하여 프리차지 전압(VBLP)을 상기 균등화부(30)로 인가하는 제1드라이버(N1)와, 상기 제어신호의 반전신호(BLEEDER_OFFB)에 응답하여 프리차지 전압(VBLP)을 상기 균등화부(30)로 인가하는 제2드라이버(P1)를 포함한다.The
상기 제2블리더 회로(22)는 턴-온 전압 레벨이 각기 다른 복수의 제어신호(BLEEDER_S,BLEEDER_M, BLEEDER_L, BLEEDER_XL)에 응답하여 프리차지 전압을 상기 균등화부(30)로 인가하는 턴-온 저항이 각기 다른 제3,4,5,6드라이 버(N2,N3,N4,N5)를 포함하여 구성한다.The
도 5 는 본 발명의 다른 실시예에 의한 프리차지 전압 공급 회로의 블럭도이다.5 is a block diagram of a precharge voltage supply circuit according to another embodiment of the present invention.
도 5 에 도시한 바와 같이, 본 발명은 파워-업 신호(PWRUP) 및 클럭 인에이블 신호(CKE)에 응답하여 프리차지 전압(VBLP)을 제어하는 프리차지 전압 공급부(40)와, 상기 프리차지 전압(VBLP)을 이용하여 비트라인과 비트바라인을 프리차지 하는 균등화부(30)를 포함하여 구성한다.As shown in FIG. 5, the present invention provides a precharge
상기 프리차지 전압 공급부(40)는 도 3과 도 4에 도시한 파워-업 신호(PWRUP)와 클럭 인에이블 신호(CKE) 및 모드 레지스터 셋팅 신호(MRSP8)에 응답하여 제어신호(BLEEDER_OFF, BLEEDER_OFFB)를 생성하는 제어신호 생성부(10)와, 상기 파워-업 신호(PWRUP) 인가시 활성되되는 상기 제어신호에 응답하여 프리차지 전압(VBLP)을 제어하는 프리차지 전압 제어부(20)를 포함한다.The precharge
이와 같이 구성된 본 발명의 동작을 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Referring to the drawings the operation of the present invention configured as described above is as follows.
도 2 내지 도 5를 참조하면, 제어신호 생성부(10)의 제어부(11)는 파워-업 신호(PWRUP) 및 모드 레지스터 셋팅 신호(MRSP8)에 응답하여 구동하고, 연산부(12)는 상기 제어부(11)의 출력신호와 클럭 인에이블 신호(CKE)의 반전신호에 응답하여 부정 논리곱 연산한다. 2 to 5, the
이어서, 신호생성부(13)는 상기 연산부(112)의 출력신호를 버퍼링하여 제어신호를 출력한다.Subsequently, the
즉, 제어신호 생성부(10)는 파워-업 신호(PWRUP)와 모드 레지스터 셋팅 신호(MRSP8)에 응답하여 출력단을 풀-업 또는 풀-다운 구동하는데, 파워-업 신호(PWRUP)가 로우 레벨로 인에이블되어 인가될 때 풀-업 구동부(P11)를 통해 B노드를 '로우' 신호로 유지시켜 클럭 인에이블 신호(CKE)가 '로우' 또는 '하이' 로 입력되든 간에 상기 제어신호(BLEEDER_OFF, BLEEDER_OFFB)를 활성화한다.That is, the
그러면, 프리차지 전압 제어부(20)는 상기 제어신호(BLEEDER_OFF, BLEEDER_OFFB)에 응답하여 제1블리더 회로(21)가 턴-온 상태로 유지되므로 프리차지 전압(VBLP)을 상기 균등화부(30)로 인가한다.Then, since the
즉, 파워-업 신호(PWRUP)가 로우 레벨로 인에이블되어 인가되면 클럭 인에이블(CKE) 신호에 상관없이 제1블리더 회로(21)의 제1드라이버(N1)와 제2드라이버(P1)를 턴-온 시켜 프리차지 전압(VBLP)을 균등화부(30)로 공급하여 비트라인(BL) 및 비트바라인(/BL)을 프리차지 한다.That is, when the power-up signal PWRUP is enabled and applied at a low level, the first driver N1 and the second driver P1 of the
이어서, 일정 시간이 경과하면 모드 레지스터 셋팅 신호(MRSP8)가 활성화되된다.Subsequently, after a predetermined time elapses, the mode register setting signal MRSP8 is activated.
그러면, 제어신호 생성부(10)의 풀-다운 구동부(N11)가 구동하여 B노드를 '하이' 신호로 유지시킨다.Then, the pull-down driver N11 of the
이때, 상기 제어신호(BLEEDER_OFF, BLEEDER_OFFB)는 클럭 인에이블 신호(CKE)에 동기하여 활성화되고, 제1블리더 회로(21)의 제1드라이버(N1)와 제2드라이버(P1)는 클럭 인에이블 신호(CKE)에 동기하여 턴-온 되어 동작한다.At this time, the control signals BLEEDER_OFF and BLEEDER_OFFB are activated in synchronization with the clock enable signal CKE, and the first driver N1 and the second driver P1 of the
이와 같이 본 실시예에 의한 프리차지 전압 공급 회로는 파워-업 구간에서는 클럭 인에에이블 신호(CKE)에 관계없이 제어신호(BLEEDER_OFF, BLEEDER_OFFB)를 활성화시켜 프리차지 전압 제어부(12)의 제1블리더 회로(21)를 구동시켜 균등화부(30)로 프리차지 전압(VBLP)을 공급한다.As described above, the precharge voltage supply circuit according to the present embodiment activates the control signals BLEEDER_OFF and BLEEDER_OFFB in the power-up period regardless of the clock enable signal CKE, thereby enabling the first block of the precharge
그리고, 본 실시예에 의한 프리차지 전압 공급 회로는 파워-업 구간이 종료되면 클럭 인에이블 신호(CKE)에 동기하여 제어신호(BLEEDER_OFF, BLEEDER_OFFB)를 활성화시켜 균등화부(30)로 프리차지 전압(VBLP)을 공급하여 동작한다.The precharge voltage supply circuit according to the present embodiment activates the control signals BLEEDER_OFF and BLEEDER_OFFB in synchronism with the clock enable signal CKE when the power-up period ends, and the precharge voltage is supplied to the
이러한 블리더 회로의 동작으로 본 발명은 파워-업 시 비트라인 및 비트바라인을 프리차지 전압 레벨로 프리차지 시키고, 비트라인과 워드라인의 브리지로 인한 누설 전류 또한 감소시킨다.With the operation of the bleeder circuit, the present invention precharges the bit line and the bit bar line to the precharge voltage level during power-up, and also reduces the leakage current caused by the bridge between the bit line and the word line.
상술한 바와 같이, 본 발명은 파워-업 시 비트라인과 비트바라인을 정상적인 프리차지 전압 레벨로 프리차지 시키고, 디램의 스탠바이 전류를 줄이기 위한 블리더 회로의 원활한 동작을 통해 비트라인과 워드라인의 브리지로 인한 누설 전류 또한 감소시킨다.As described above, the present invention precharges the bit line and the bit bar line to the normal precharge voltage level during power-up, and smoothly operates the bleeder circuit to reduce the standby current of the DRAM. It also reduces leakage current due to bridges.
Claims (26)
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070063927A KR100865555B1 (en) | 2007-06-27 | 2007-06-27 | Precharge voltage supplying circuit |
US12/005,706 US7986577B2 (en) | 2007-03-19 | 2007-12-28 | Precharge voltage supplying circuit |
US13/162,350 US20110242919A1 (en) | 2007-03-19 | 2011-06-16 | Precharge Voltage Supplying Circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070063927A KR100865555B1 (en) | 2007-06-27 | 2007-06-27 | Precharge voltage supplying circuit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR100865555B1 true KR100865555B1 (en) | 2008-10-28 |
Family
ID=40177655
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070063927A KR100865555B1 (en) | 2007-03-19 | 2007-06-27 | Precharge voltage supplying circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100865555B1 (en) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR960025777A (en) * | 1994-12-21 | 1996-07-20 | 가네꼬 히사시 | Semiconductor Memory Device With Precharge Circuit |
KR19980067036A (en) * | 1997-01-30 | 1998-10-15 | 김광호 | Bit line control circuit and method |
-
2007
- 2007-06-27 KR KR1020070063927A patent/KR100865555B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR960025777A (en) * | 1994-12-21 | 1996-07-20 | 가네꼬 히사시 | Semiconductor Memory Device With Precharge Circuit |
KR0172028B1 (en) * | 1994-12-21 | 1999-03-30 | 가네꼬 히사시 | Semiconductor memory device having precharge circuit |
KR19980067036A (en) * | 1997-01-30 | 1998-10-15 | 김광호 | Bit line control circuit and method |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20080019204A1 (en) | Apparatus and Method for Supplying Power in Semiconductor Device | |
KR20070001726A (en) | Internal voltage generating circuit of semiconductor device | |
KR100826649B1 (en) | Deep power down mode control circuit | |
US7567469B2 (en) | Over driving pulse generator | |
KR100790444B1 (en) | Memory device | |
KR101848776B1 (en) | Internal voltage generating circuit | |
KR20090088557A (en) | Semiconductor memory device and internal voltage generating method of the semiconductor memory device | |
KR100738959B1 (en) | Circuit and method for supplying voltage source of sense amplifier in semiconductor memory apparatus | |
KR100865555B1 (en) | Precharge voltage supplying circuit | |
US20080232182A1 (en) | Precharge voltage supplying circuit | |
KR100798764B1 (en) | Semiconductor memory device and internal voltage generating method of it | |
US20080279031A1 (en) | Semiconductor integrated circuit | |
KR100870424B1 (en) | Internal voltage generating circuit | |
US7834675B2 (en) | Clock control circuit and semiconductor memory device using the same | |
US7599240B2 (en) | Internal voltage generator of semiconductor memory device | |
US7652933B2 (en) | Voltage generating circuit of semiconductor memory apparatus capable of reducing power consumption | |
KR100701683B1 (en) | Sense amplifier power control circuit | |
KR20080051847A (en) | Circuit for generating sense amp control signal of semiconductor memory apparatus | |
KR100925391B1 (en) | Discharge Circuit of Semiconductor Memory Apparatus | |
KR100903388B1 (en) | Internal voltage control circuit and thereof control method | |
KR101909208B1 (en) | Circuit for generating precharge signal, semiconductor device including the same and method for generating precharge signal | |
KR100762240B1 (en) | Power control circuit | |
JP2009124704A (en) | Control circuit of signal line which transmits data and its control method | |
KR20050059790A (en) | Circuit for controlling over-driving of sense amplifier | |
KR101005139B1 (en) | Power up circuit of semiconductor device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |