KR100861361B1 - 포토마스크 및 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

포토마스크 및 제조 방법을 제시한다. 본 발명에 따르면, 투명한 기판 상에 형성된 웨이퍼 상으로 전사되게 하프톤(halftone)층 및 차광층을 포함하여 고립 패턴(isolated pattern)으로 형성된 주된 패턴(main pattern), 주된 패턴 주위에 주된 패턴에 이격되어 주된 패턴에 비해 작은 선폭으로 하프톤층 및 차광층을 포함하여 형성된 제1보조 패턴들, 제1보조 패턴들에 이격되게 형성된 제2보조 패턴들, 주된 패턴과 제1보조 패턴 사이에 형성된 제1위상 시프트 영역들, 제1보조 패턴과 제2보조 패턴 사이에 제1위상 시프트 영역과 상쇄 간섭을 일으키게 유도하는 제2위상 시프트 영역들, 및 주된 패턴에 이격되어 웨이퍼의 셀 영역 상으로 전사되게 하프톤층을 포함하여 형성된 밀집 패턴(dense pattern)들을 포함하는 포토마스크를 제시한다.
고립 패턴, 보조 형상, 상쇄 간섭

Description

포토마스크 및 제조 방법{Photomask and manufacturing method therefor}
도 1 및 도 2는 종래의 포토마스크를 설명하기 위해서 개략적으로 각각 도시한 평면도 및 단면도이다.
도 3 및 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 포토마스크 및 제조 방법을 설명하기 위해서 개략적으로 각각 도시한 평면도 및 단면도이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 포토마스크의 효과를 설명하기 위해서 도시한 초점 심도(DOF) 측정 그래프들이다.
본 발명은 포토리소그래피(photolithography) 공정에 관한 것으로, 특히, 초점 심도(DOF: Depth Of Focus)를 개선한 포토마스크(photomask) 구조 및 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 소자를 제조하기 위한 포토리소그래피 과정은 초점 심도를 개선하기 위해서 보조 패턴(assist pattern)을 적용한 포토마스크를 사용하고 있다. 포토리소그래피 과정에 의해 웨이퍼 상으로 전사되는 패턴의 선폭이 미세해짐에 따라, 특히, 100㎚ 이하의 미세 패턴의 형성이 요구됨에 따라, 포토리소그래피 과정의 해상 력(resolution) 감소를 개선하는 방법에 대해 관심이 집중되고 있다.
해상력은 k1 × (노광원의 파장/NA(Number of Aperture))로 표현되며, 초점 심도(DOF)는 k1 × (노광원의 파장/NA2)로 표현되고 있다. 그런데, 100㎚ 이하의 미세 패턴을 형성하기 위해서는 해상력의 향상이 요구되고, 이에 따라 보다 짧은 파장을 가지는 노광원의 사용 또는/ 및 보다 큰 NA를 가지는 장비, 특히, 렌즈의 사용이 요구되고 있다. 그런데, DOF는 파장이 짧을수록 또는 NA가 큰 경우 더욱 크게 감소하게 된다.
DOF는 특히 마스크 상에서 회절된 광의 0차 광과 1차 광을 이용하여 이미지 상(image)을 형성하게 되는 밀집된 패턴(dense pattern)들에 비해, 광이 실질적으로 회절되지 않아 0차 광의 세기가 매우 큰 고립된 패턴(isolated pattern)에서 보다 급격히 감소된다. 따라서, 고립된 패턴을 밀집된 패턴처럼 구성하기 위해서, 고립된 패턴인 주된 패턴(main pattern) 주위에 보조 패턴을 도 1 및 도 2에 제시된 바와 같이 삽입하고 있다.
도 1 및 도 2는 종래의 포토마스크를 설명하기 위해서 개략적으로 각각 도시한 평면도 및 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 종래의 포토마스크는 석영 등과 같은 실질적으로 투명한 기판(10) 상에 차광 패턴(21, 23)들이 형성된 구조를 가진다. 이때, 셀 영역(cell region)과 같은 밀집된 패턴들이 형성되는 영역 상에는 제1차광 패턴(21)들이 밀집된 상태로 형성되고, 주변 영역(peripheral region) 상에는 고립된 패턴 의 제2차광 패턴(23)이 형성된다. 제2차광 패턴(23)의 주위에는 보조 패턴(30)이 차광 패턴(21, 23)과 대등한 물질층으로 형성되고 있다.
보조 패턴(30) 또는 보조 형상(assist feature)은 마스크 상에는 존재하나, 웨이퍼 상에는 전사되지 않도록, 즉, 웨이퍼 상에는 패턴으로 형성되지 않도록 주된 패턴인 제2차광 패턴(23)의 선폭에 비해 매우 작은 선폭 크기로 형성되고 있다. 예컨대, 248㎚의 KrF 광원의 경우, 웨이퍼 상을 기준으로 50 내지 60㎚(마스크 상에는 4배 축소 노광의 경우 200 내지 240㎚) 선폭으로 보조 패턴(30)이 도입되고 있다. 193㎚의 ArF 광원의 경우 30 내지 40㎚의 선폭으로 보조 패턴(30)이 도입되고, 1.0 이상의 높은 개구수(hyper NA)를 사용하는 장비의 경우 30㎚ 이하(즉, 마스크 상에서는 120㎚)로 적용되고 있다.
그런데, 이러한 작은 선폭 크기의 보조 패턴(30)은, 전자빔 노광 장비와 같은 마스크 쓰기(mask writing) 장비의 해상력, 선폭 선형(CD linearity) 등의 한계에 의해, 실질적으로 마스크 기판(10) 상에 양질로 구현되기가 어렵다. 또한, 마스크 제작 후 마스크 결함 검사 시 정밀한 검사가 어려운 취약점이 대두되고, 이와 함께 패턴 붕괴(pattern collapse) 현상 등이 대두되고 있다. 또한, 여러 번의 제작 공정을 통해서 양질의 마스크를 얻을 수 있어도, 실제 포토리소그래피 과정에서 양호한 초점 심도가 얻어지기가 어렵다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 초점 심도(DOF)의 개선을 구현할 수 있는 포토마스크 및 제조 방법을 제시하는 데 있다.
상기의 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 관점은, 투명한 기판, 상기 투명한 기판 상에 형성된 웨이퍼 상으로 전사할 주된 패턴(main pattern), 상기 주된 패턴 주위에 상기 주된 패턴에 이격되어 상기 주된 패턴에 비해 작은 선폭으로 형성된 제1보조 패턴들, 상기 제1보조 패턴들에 이격되게 형성된 제2보조 패턴들, 상기 주된 패턴과 상기 제1보조 패턴 사이에 형성된 제1위상 시프트 영역들, 및 상기 제1보조 패턴과 상기 제2보조 패턴 사이에 상기 제1위상 시프트 영역과 상쇄 간섭을 일으키게 유도하는 제2위상 시프트 영역들을 포함하는 포토마스크를 제시한다.
상기 주된 패턴은 상기 웨이퍼의 주변 영역 상으로 전사되게 하프톤(halftone)층 및 차광층을 포함하여 고립 패턴(isolated pattern)으로 형성되고, 상기 제1 및 제2보조 패턴은 상기 하프톤층 및 상기 차광층을 포함하여 형성되고, 상기 주된 패턴에 이격되어 상기 웨이퍼의 셀 영역 상으로 전사되게 하프톤층을 포함하여 형성된 밀집 패턴(dense pattern)들을 더 포함할 수 있다.
상기 제1위상 시프트 영역은 상기 기판에 제1깊이로 식각된 제1트렌치(trench)를 포함하여 형성되고, 상기 제2위상 시프트 영역은 상기 제1깊이와 다른 제2깊이로 식각된 제2트렌치를 포함하여 형성된 것일 수 있다.
상기 제1위상 시프트 영역과 상기 제2위상 시프트 영역은 상쇄 간섭을 유도하기 위해 상호 간에 90°위상차를 가지게 형성된 것일 수 있다.
상기 제1 및 제2보조 패턴 및 상기 주된 패턴은 0° 위상 영역으로 형성되 고, 상기 제1위상 시프트 영역은 180° 위상 영역으로 형성되고, 상기 제2위상 시프트 영역은 상기 제1위상 시프트 영역과 상기 90°위상차를 가지게 90° 위상 영역으로 형성된 것일 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 일 관점은, 투명한 기판, 상기 투명한 기판 상에 형성된 웨이퍼 상으로 전사할 주된 패턴(main pattern), 상기 주된 패턴 주위에 상기 주된 패턴에 이격되어 상기 주된 패턴에 비해 작은 선폭으로 형성된 보조 패턴들, 및 상기 보조 패턴의 좌 우의 상기 기판 부분에 상호 간에 상쇄 간섭을 일으키게 상호 간에 서로 다른 위상 차를 가지게 형성된 제1 및 제2위상 시프트 영역들을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 일 관점은, 투명한 기판 상에 형성된 웨이퍼 상으로 전사할 주된 패턴(main pattern) 및 상기 주된 패턴 주위에 상기 주된 패턴에 이격되어 상기 주된 패턴에 비해 작은 선폭의 보조 패턴들을 형성하는 단계, 및 상기 보조 패턴의 좌 우의 상기 기판 부분에 상호 간에 상쇄 간섭을 일으키게 상호 간에 서로 다른 위상 차를 가지게 형성된 제1 및 제2위상 시프트 영역들을 형성하는 단계 포함하는 포토마스크 제조 방법을 제시한다.
상기 제1위상 시프트 영역의 상기 기판 부분을 제1깊이로 식각하여 제1트렌치(trench)를 형성하는 단계; 및 상기 제2위상 시프트 영역의 상기 기판 부분을 상기 제1위상 시프트 영역과 90° 위상 차를 가지게 상기 제1깊이와 다른 제2깊이로 식각하여 제2트렌치를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에 따르면, 초점 심도(DOF)의 개선을 구현할 수 있는 포토마스크 및 제조 방법을 제시할 수 있다.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 발명의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것으로 해석되는 것이 바람직하다.
본 발명의 실시예에서는, 포토마스크의 기판 상에 주된 패턴 주위에 적어도 이열 이상의 보조 패턴(또는 보조 형상)을 도입하되, 주된 패턴과 제1보조 패턴 사이의 이격 부분에 투과율이 실질적으로 100%이고 위상이 반전되도록 하는 제1위상 시프트 영역(phase shift region)을 도입하고, 제1보조 패턴 바깥에 위치하는 제2보조 패턴과의 사이의 이격 부분에 투과율이 실질적으로 100%이고 제1위상 시프트 영역과 상쇄 간섭을 일으킬 수 있는 제2위상 시프트 영역을 바람직하게 90° 위상차를 가지게 도입한다.
이에 따라, 보다 큰 선폭으로 보조 패턴을 도입할 수 있어, 초점 심도를 향상시킬 수 있다. 또한, 마스크 상에서의 작은 크기로 보조 패턴을 구현하는 어려움 또는/ 및 이에 따른 마스크 결함 검사 등의 어려움을 효과적으로 해결할 수 있다.
도 3 및 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 포토마스크 및 제조 방법을 설명하기 위해서 개략적으로 각각 도시한 평면도 및 단면도이다. 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 포토마스크의 효과를 설명하기 위해서 도시한 초점 심도(DOF) 측정 그래프들이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 포토마스크는, 석영과 같은 실질적으로 투과율이 100%로 이해될 수 있는 투명한 기판(100) 상에 형성된 주된 패턴(main pattern: 230) 및 보조 패턴들(assist pattern: 310, 330)을 포함할 수 있다.
투명한 기판(100) 상에 형성된 주된 패턴(230)은 웨이퍼 상의 주변 영역(peripheral region)으로 전사할 주된 고립 패턴(isolated pattern)으로 형성된다. 또한, 웨이퍼의 셀 영역(cell region) 상으로 전사되게 밀집 패턴(dense pattern: 210)들이 형성될 수 있다.
이러한 밀집 패턴(210)은 몰리브데늄(Mo)과 같이 광의 세기를 감쇠시키는 하프톤층(halftone layer)을 포함하여 형성될 수 있다. 이에 따라, 주된 패턴(230)은 크롬(Cr)과 같은 실질적으로 투과율이 0%로 이해될 수 있는 차광층 패턴(231)이 하프톤층 패턴(233) 상에 정렬 패터닝된 패턴으로 형성될 수 있다. 마찬가지로 보조 패턴들(310, 330)들 또한 각각 차광층 패턴(311, 331) 및 하프톤층 패턴(313, 333)의 이중층을 포함하여 형성될 수 있다.
이러한 밀집 패턴(210), 고립된 주된 패턴(230) 및 보조 패턴들(310, 330)은 먼저 하프톤층 및 차광층을 증착하고 패터닝하여 하프톤층으로만 구성되는 밀집 패턴(210)과, 하프톤층 패턴(233, 313, 333) 및 차광층 패턴(231, 311, 331)을 포함하여 구성되는 주된 패턴(230), 보조 패턴들(310, 330)을 형성할 수 있다. 이때, 이러한 패턴들은 라인(line) 패턴으로 형성될 수 있으며, 보조 패턴(310, 330)들 또한 라인 패턴이나 다른 형태의 패턴들로 형성될 수 있다.
이때, 보조 패턴들(310, 330)은 주된 패턴(230) 주위에 주된 패턴(230)에 일정 간격 이격되어 형성된다. 이때, 보조 패턴들(310, 330)은 주된 패턴(230)에 비해 작은 선폭으로 형성된다. 보조 패턴들(310, 330)은 마스크 상에는 존재하지만 실제 웨이퍼 상에는 그 이미지 상이 형성되지 않게 도입되어야 한다. 따라서, 보조 패턴들(310, 330)의 크기는 보다 작아야 한다. 예컨대, 주된 패턴(230)이 150㎚일 경우, 193㎚ 파장대의 노광원에서는 보조 패턴들(310, 330)은 많아야 40㎚ 크기의 선폭 한계를 가지게 된다.
이러한 선폭 한계를 극복하여 보조 패턴들(310, 330)을 보다 넓은 선폭의 패턴으로 형성하기 위해서, 보조 패턴(310, 330)의 좌 우의 기판(100) 부분에, 상호 간에 상쇄 간섭을 일으키게 유도하기 위해서, 상호 간에 서로 다른 위상 차를 가지게 형성된 제1 및 제2위상 시프트 영역들(410, 430)을 도입한다.
기판(100) 표면(101)에 대한 노광원의 위상이 0°라 가정할 때, 제1 및 제2보조 패턴(310, 330) 및 주된 패턴(230)은 0° 위상 영역이게 되며, 제1위상 시프트(phase shift) 영역(410)은 예컨대, 180° 위상 영역으로 형성된다. 이때, 제2위상 시프트 영역(430)은 제1위상 시프트 영역(410) 및 기판(100) 표면(101)과 바람직하게 상쇄 간섭하도록 90°위상차를 가지게 90° 위상 영역으로 형성된다.
예컨대, 이러한 제1위상 시프트 영역(410)은 주된 패턴(230)과 이에 인근하는 제1보조 패턴(310) 사이의 이격 부분의 기판(100) 부분에 형성된다. 이때, 제1위상 시프트 영역(410)은 기판(100)을 제1깊이로 식각하여 제1트렌치(trench: 411)를 형성함으로서 예컨대, 기판(100) 표면(101)에 대해 180° 위상 차이를 가지게 형성될 수 있다. 마찬가지로, 제2위상 시프트 영역(430)은 제1깊이와 다른 제2깊이로 제1보조 패턴(310)과 제2보조 패턴(330) 사이의 기판(100) 부분을 식각하여 제2트렌치(431)를 형성함으로써, 기판 표면(101)에 대해 90° 위상차를 가지게 형성될 수 있다.
이러한 트렌치(411, 431)들은 기판(100)의 선택적 식각에 의해서 형성되므로, 실질적으로 제1 및 제2위상 시프트 영역(410, 430)의 투과율은 기판(100)과 마찬가지로 대략 100% 투과율로 구현될 수 있다.
제1위상 시프트 영역(410)과 제2위상 시프트 영역(430)은 상호 간에 이러한 영역들(410, 430)의 경계에서 상쇄 간섭을 일으키므로, 이러한 경계에 위치한 제1보조 패턴(310) 상에서 상쇄 간섭이 유도된다. 이에 따라, 제1보조 패턴(310)의 선폭 크기를 더 크게, 예컨대, 대략 60㎚ 이상의 선폭을 가지게 형성할 수 있다. 즉, 상쇄 간섭이 유도되므로, 제1보조 패턴(310)이 더 큰 크기로 형성되어도 웨이퍼 상으로 전사되는 것을 방지할 수 있다.
그럼에도 불구하고, 제1보조 패턴(310)의 크기를 크게 가져갈 수 있어, 주된 패턴(230)과 제1보조 패턴(310)의 이격 간격을 보다 좁게 설정할 수 있다. 주된 패턴(230)에 제1보조 패턴(310)이 근접할수록 또한 제1보조 패턴(310)의 크기가 클수록 고립 패턴인 주된 패턴(230)의 초점 심도는 명백히 증가되게 된다. 또한, 제1보조 패턴(310)의 크기가 보다 크게 구현될 수 있어, 보조 패턴 구현 또는/ 및 마스크 결함 검사에서의 작은 크기에 따른 어려움을 해결할 수 있다.
제1보조 패턴(310)과 마찬가지로 제2보조 패턴(330) 또한 제2위상 시프트 영 역(430)과 기판 표면(101)에의 위상 차이가 위상 충돌(phase conflict)에 의한 상쇄 간섭을 일으키는 위상 차이, 예컨대, 90° 위상 차이를 가지므로, 상기한 설명과 마찬가지로 그 크기가 증대될 수 있다.
이러한 본원 발명의 실시예에 따른 포토마스크에 의해서 구현되는 초점 심도(DOF) 개선 효과는 도 5의 측정 결과에 의해 입증될 수 있다.
도 5를 참조하면, 도 5는 고립 패턴인 주된 패턴(230)을 150㎚ 선폭으로 구현하고자할 때, 보조 패턴을 도입하지 않은 경우(501), 도 1 및 도 2에 제시된 바와 같은 종래의 보조 패턴(30)을 도입한 경우(503), 도 3 및 도 4에 제시된 바와 같이 본 발명의 실시예에 따라 보조 패턴(310, 330)들을 대략 60㎚ 선폭으로 도입한 경우(505)에서, 디포커스(defocus)에 따른 웨이퍼 상에 구현된 패턴에 대해 측정된 선폭(CD) 결과들의 그래프들이다. 이때, 공정 상의 CD 용인한도(tolerance: 500)는 ±15㎚로 고려할 수 있다.
도 5에 제시된 선폭 측정 결과들을 고려하면, 본 발명의 실시예에 따른 경우(503)에 보다 넓은 디포커스 범위에서 CD 용인 범위 이내의 선폭들이 측정되고 있다. 즉, 초점 심도 개선이 구현되고 있음을 알 수 있다.
상술한 본 발명에 따르면, 반도체 포토리소그래피 제조 공정에서 고립 패턴에 대한 초점 심도를 개선시킬 수 있다. 종래의 보조 패턴에 비해 큰 선폭의 보조 패턴 형상을 도입하더라도, 보조 패턴의 형상이 웨이퍼 상으로 전사되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 마스크 제작 능력 및 결함 검사 등의 제약에 따른 보조 패턴 도입의 제약을 해소할 수 있다. 또한, 기존의 보조 패턴을 적용하는 경우에 비해 보다 개선된 웨이퍼 상에서의 초점 심도를 구현할 수 있다.
이상, 본 발명을 구체적인 실시예를 통하여 상세히 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함이 명백하다.

Claims (10)

  1. 투명한 기판;
    상기 투명한 기판 상에 웨이퍼의 주변 영역 상으로 전사되게 하프톤(halftone)층 및 차광층을 포함하여 고립 패턴(isolated pattern)으로 형성된 주된 패턴(main pattern);
    상기 주된 패턴에 이격되어 상기 웨이퍼의 셀 영역 상으로 전사되게 상기 하프톤층을 포함하여 형성된 밀집 패턴(dense pattern)들;
    상기 주된 패턴 주위에 상기 주된 패턴에 이격되어 상기 주된 패턴에 비해 작은 선폭으로 상기 하프톤층 및 차광층을 포함하여 상호 대칭되게 형성된 제1보조 패턴들;
    상기 제1보조 패턴들에 각각 이격되게 상기 하프톤층 및 차광층을 포함하여 형성된 제2보조 패턴들;
    상기 주된 패턴과 상기 제1보조 패턴 사이에 형성된 제1위상 시프트 영역들; 및
    상기 제1보조 패턴과 상기 제2보조 패턴 사이에 상기 제1위상 시프트 영역과 상쇄 간섭을 일으키게 유도하는 제2위상 시프트 영역들을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1위상 시프트 영역은 상기 기판에 제1깊이로 식각된 제1트렌치(trench)를 포함하여 형성되고,
    상기 제2위상 시프트 영역은 상기 제1깊이와 다른 제2깊이로 식각된 제2트렌치를 포함하여 형성된 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1위상 시프트 영역과 상기 제2위상 시프트 영역은 상쇄 간섭을 유도하기 위해 상호 간에 90°위상차를 가지게 형성된 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1 및 제2보조 패턴 및 상기 주된 패턴은 0° 위상 영역으로 형성되고,
    상기 제1위상 시프트 영역은 180° 위상 영역으로 형성되고,
    상기 제2위상 시프트 영역은 상기 제1위상 시프트 영역과 상기 90°위상차를 가지게 90° 위상 영역으로 형성된 것을 특징으로 하는 포토마스크.
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 투명한 기판 상에 웨이퍼 상으로 전사될 주된 패턴(main pattern)을 하프톤(halftone)층 및 차광층을 포함하여 고립 패턴(isolated pattern)으로 형성하며, 상기 주된 패턴 주위에 상기 주된 패턴에 이격되어 상기 주된 패턴에 비해 작은 선폭의 보조 패턴들을 상기 하프톤층 및 상기 차광층을 포함하여 형성하며, 상기 주된 패턴에 이격되어 상기 웨이퍼의 셀 영역 상으로 전사되게 상기 하프톤층을 포함하는 밀집 패턴(dense pattern)들을 형성하는 단계; 및
    상기 보조 패턴의 좌 우의 상기 기판 부분에 상호 간에 상쇄 간섭을 일으키게 상호 간에 서로 다른 위상 차를 가지게 형성된 제1 및 제2위상 시프트 영역들을 형성하는 단계 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 제조 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 위상 시프트 영역들을 형성하는 단계는
    상기 제1위상 시프트 영역의 상기 기판 부분을 제1깊이로 식각하여 제1트렌치(trench)를 형성하는 단계; 및
    상기 제2위상 시프트 영역의 상기 기판 부분을 상기 제1위상 시프트 영역과 90° 위상 차를 가지게 상기 제1깊이와 다른 제2깊이로 식각하여 제2트렌치를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 제조 방법.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 보조 패턴들은
    상기 주된 패턴 주위에 이격되게 배치되는 제1보조 패턴 및 상기 제1보조 패턴 외곽에 배치되는 제2보조 패턴을 포함하여 형성되고,
    상기 주된 패턴 및 상기 제1보조 패턴 사이의 상기 기판 부분에 상기 제1위상 시프트 영역이 180° 위상 영역으로 형성되고,
    상기 제1보조 패턴 및 상기 제2보조 패턴 사이의 상기 기판 부분에 상기 제2위상 시프트 영역이 90° 위상 영역으로 형성되는 것을 특징으로 하는 포토마스크 제조 방법.
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