KR100861010B1 - Insulated Conductive Particles for Anisotropic Conduction and Anisotropic Conductive Film Using Same - Google Patents

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KR100861010B1 KR1020060132488A KR20060132488A KR100861010B1 KR 100861010 B1 KR100861010 B1 KR 100861010B1 KR 1020060132488 A KR1020060132488 A KR 1020060132488A KR 20060132488 A KR20060132488 A KR 20060132488A KR 100861010 B1 KR100861010 B1 KR 100861010B1
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Abstract

본 발명에 따른 절연성 도전 입자는 기재 입자(11), 상기 기재 입자의 표면에 도금된 제1 금속층(12), 상기 제1 금속층의 표면에 불연속적으로 형성된 돌기부(13) 및 상기 돌기부가 형성된 제1 금속층의 표면에 형성된 제2 금속층(14)으로 이루어진 돌기형 도전 입자(10); 및 상기 돌기형 도전 입자의 표면에 불연속적으로 고정화된 절연 입자(2)로 이루어지고, 상기 절연 입자의 직경은 상기 제1 금속층의 표면에 형성된 돌기부(13)의 높이보다 크고 상기 돌기형 도전 입자(10)의 직경의 20 % 이하의 범위에 있으며, 상기 절연 입자(2)는 전극에 접속될 때, 원래의 위치로부터 이탈함으로써 돌기형 도전 입자와 전극이 전기적으로 접속되는 것을 특징으로 한다. 본 발명은 상기 절연성 도전 입자를 포함한 이방 도전성 접착 필름 및 전기적 접속 구조체를 포함한다.

Figure R1020060132488

이방 도전 접착 필름, 절연성 도전 입자. 절연 입자, 돌기형 입자

The insulating conductive particles according to the present invention may include a substrate particle 11, a first metal layer 12 plated on the surface of the substrate particle, a protrusion 13 formed discontinuously on the surface of the first metal layer, and the protrusion formed thereon. The protruding conductive particles 10 made of the second metal layer 14 formed on the surface of the first metal layer; And insulating particles 2 discontinuously fixed to the surface of the protruding conductive particles, wherein the diameter of the insulating particles is larger than the height of the protrusion 13 formed on the surface of the first metal layer. It is in the range of 20% or less of the diameter of (10), and when the said insulating particle 2 is connected to an electrode, it is characterized by the protrusion electrically conductive particle and an electrode being electrically connected by deviating from an original position. This invention contains the anisotropically conductive adhesive film and electrical connection structure containing the said insulating conductive particle.

Figure R1020060132488

Anisotropic conductive adhesive film, insulating conductive particles. Insulation Particle, Protruding Particle

Description

절연성 도전 입자 및 이를 이용한 이방 도전성 필름{Insulated Conductive Particles for Anisotropic Conduction and Anisotropic Conductive Film Using Same}Insulated Conductive Particles for Anisotropic Conduction and Anisotropic Conductive Film Using Same}

도 1은 본 발명에 따른 절연성 도전 입자가 제조되는 과정을 단계적으로 나타낸 개념도이다.1 is a conceptual diagram illustrating a process of manufacturing insulating conductive particles according to the present invention step by step.

도 2는 본 발명에 따른 절연성 도전 입자에 대한 개략적인 정면도(a) 및 단면도(b)이다.2 is a schematic front view (a) and sectional view (b) of insulating conductive particles according to the present invention.

도 3은 본 발명에 따른 절연성 도전 입자를 이용하여 제조된 이방 도전성 필름에 대한 개략적인 단면도이다.3 is a schematic cross-sectional view of an anisotropic conductive film prepared using insulating conductive particles according to the present invention.

도 4는 본 발명에 따른 이방 도전성 필름을 기판 사이에 압착하기 전의 모습을 나타낸 개략적인 단면도이다.4 is a schematic cross-sectional view showing a state before the anisotropic conductive film according to the present invention is pressed between substrates.

도 5는 본 발명에 따른 이방 도전성 필름을 기판 사이에 압착하여 전기적으로 접속된 모습을 나타낸 개략적인 단면도이다.5 is a schematic cross-sectional view showing a state in which the anisotropic conductive film according to the present invention is pressed and electrically connected between substrates.

도 6은 본 발명에 따른 절연성 도전 입자가 회로 기판의 범프 전극에 접속되는 모습을 나타낸 개략적인 단면도이다.6 is a schematic cross-sectional view showing a state in which insulating conductive particles according to the present invention are connected to a bump electrode of a circuit board.

*도면의 주요부호에 대한 간단한 설명** Brief description of the major symbols in the drawings *

1: 절연성 도전 입자 2: 절연 입자1: insulating conductive particle 2: insulating particle

3: 이방 도전성 접착 필름 4, 5: 회로 기판3: anisotropic conductive adhesive film 4, 5: circuit board

10: 돌기형 도전 입자 11: 기재 입자10: projection conductive particle 11: substrate particle

12: 제1 금속층 13: 돌기부12: first metal layer 13: protrusion

14: 제2 금속층 41, 51: 범프 전극14: second metal layer 41, 51: bump electrode

발명의 분야Field of invention

본 발명은 절연성 도전 입자에 관한 것이다. 보다 구체적으로 본 발명은 고분자 수지로 이루어진 기재 입자의 표면에 금속 도금을 한 후, 그 표면에 돌기입자를 이용해 돌기를 형성하고, 다시 금속 도금 및 절연성 미립자를 불연속으로 부착함으로써 전극 사이에서 압착될 경우 가압 방향으로만 도전성을 띠고 수평 방향으로는 절연성을 갖는 절연성 도전 입자에 관한 것이다. 본 발명은 상기 절연성 도전 입자를 이용한 이방 도전성 필름 및 전기적 접속 구조체를 포함한다.The present invention relates to insulating conductive particles. More specifically, the present invention, when the metal plating on the surface of the substrate particles made of a polymer resin, and then formed a projection using the projection particles on the surface, and when the metal plating and the insulating fine particles are discontinuously attached to each other when pressed between the electrodes It relates to insulating conductive particles which are conductive only in the pressing direction and have insulation in the horizontal direction. The present invention includes an anisotropic conductive film and an electrical connection structure using the above insulating conductive particles.

발명의 배경Background of the Invention

액정 디스플레이(Liquid Crystal Display, LCD)는 그 기술이 발달함에 따라, 표시 품질의 고해상도화가 진행되어 픽셀 피치(pixel pitch)가 감소되고 있으며, 그 결과 기판 상의 단위 면적당 인쇄된 리드(lead) 수가 증가하고 있는 추세이다. 이러한 기술적 요구에 따라, LCD 패널(panel)과 구동 집적회로(driver IC) 및 인쇄회로기판(printed circuit board, PCB)을 접속하는 회로의 실장 (packaging) 기술도 발전해 오고 있는데, 회로의 미세화, 파인-피치(fine-pitch)화에 따라 다양한 방법으로 발전하고 있다.As the technology of liquid crystal displays (LCDs) has been developed, the resolution of the display quality has been improved and the pixel pitch has been reduced. As a result, the number of printed leads per unit area on the substrate has been increased. There is a trend. In line with these technical requirements, circuit packaging technology for connecting LCD panels, driver ICs, and printed circuit boards (PCBs) has been developed. It is developing in various ways according to the fine pitch.

특히, LCD 실장 기술 중에서도 가장 많이 적용되고 있는 것으로는, COF (chip on film)법에 의한 액정 패널과 인쇄회로기판의 전기적 접속을 이방전도성 접착 필름(Anisotropic Conductive Film, ACF)을 이용하여 접속하는 방법이 있다. 이 방법에서, 인쇄회로기판과의 접속은 연성회로기판(Flexible Printed Circuit Board, FPC)를 이용하여 ACF로 접속시키는 실장법이 이용된다. 또한 차세대 LCD 실장법으로는, LCD 글래스 패널(Glass Panel) 상에 형성된 ITO 패턴(pattern) 위에 ACF를 이용하여 구동 IC 베어 칩(Driver IC Bare Chip)을 패턴과 직접 접속시키는 방법도 제안되고 있다.Particularly, among the LCD mounting technologies, a method of connecting an electrical connection between a liquid crystal panel and a printed circuit board by a COF (chip on film) method using an anisotropic conductive film (ACF) is used. There is this. In this method, a mounting method in which a connection with a printed circuit board is connected to an ACF using a flexible printed circuit board (FPC) is used. In addition, as a next generation LCD mounting method, a method of directly connecting a driver IC bare chip to a pattern using an ACF on an ITO pattern formed on an LCD glass panel has been proposed.

일반적인 이방 도전성 필름은 접속 부품 사이에 위치되어 가열되고 압착되는데, 기판과 평행한 방향(본 명세서에서는 'xy 평면 방향'이라고 한다)으로 인접한 단자들은 전기를 통하지 않지만, 수직 방향(본 명세서에서는 'z축 방향'이라고 한다)으로 인접한 단자들은 전도된다. 이러한 전도 기능은 필름내의 접착 물질에 분산되어 있는 도전성 입자가 해주고 이는 심재물질(core)에 금속물질을 코팅시켜 제 조된다. 이와 같은 도전성 입자의 제조방법은, 일본특허공개 소52-147797호, 소61-277104호, 평1-225776, 평1-247501호, 평4-147513호 등에 개시되어 있다.A general anisotropic conductive film is located between the connecting parts, heated and pressed, and the terminals adjacent in a direction parallel to the substrate (hereinafter referred to as the 'xy plane direction') are not electrically connected, but in a vertical direction (here 'z'). Adjacent terminals in the axial direction are conducted. This conductive function is achieved by conductive particles dispersed in the adhesive material in the film, which is made by coating a metal material on the core. The manufacturing method of such electroconductive particle is disclosed by Unexamined-Japanese-Patent No. 52-147797, 61-277104, 1-225776, 1-247501, 4-147513, etc.

이러한 심재물질(core)위에 도금층만으로 구성되어진 도전성 입자의 경우 정밀 회로 내에서 xy 평면 방향의 인접한 단자 사이에 단락의 위험성이 항상 노출되어 있는 단점이 있다. 이를 극복하기 위해 일본특허공개 평8-335407호, 소62-40183호, 평3-46774호, 평4-174980호, 평6-060712, 평7-105716, 평4-259766, 평3-112011 등에서는 도전성 입자의 외층에 얇은 열가소성 수지층이나 열경화성 수지층으로 이루어진 절연층을 생성하거나 미세절연 입자를 부착시켜 가열 가압 하에 있는 입자는 절연층 막이 용융 또는 부착 미세절연 입자의 분쇄 및 용융 등에 의해 얇아지며 통전하게 되고, 영향을 받지 않는 입자는 입자간 또는 전극간의 단락을 방지할 수 있도록 절연층을 유지하는 절연 도전성 입자를 제시하고 있다.In the case of the conductive particles composed only of the plating layer on the core material (core), there is a disadvantage that the risk of short circuit is always exposed between adjacent terminals in the xy plane direction in the precision circuit. To overcome this, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 8-335407, S62-2,183, 3-3-46774, 4-174980, 6-060712, 7-105716, 4-259766, 3-112011 For example, the insulating layer made of a thin thermoplastic resin layer or a thermosetting resin layer is attached to the outer layer of the conductive particles or the micro insulating particles are attached to each other. Particles that are made to be energized and not affected are suggested insulating conductive particles that maintain an insulating layer to prevent shorting between particles or between electrodes.

또한, 일본특허공개 평8-335407호, 소62-40183호, 평6-060712에서는 도전성 입자의 표면에 물리, 화학적 방법을 동원하여 고분자 수지층을 이용해 절연층을 생성함으로써 입자간 또는 전극간의 단락을 방지하는 기술을 제시하고 있으며, 최근까지 이러한 방식으로 절연 처리된 절연 도전성 입자가 주로 사용되고 있다.In addition, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 8-335407, S 6262183, and 6-060712 employ a physical and chemical method on the surface of conductive particles to form an insulating layer using a polymer resin layer, thereby shorting between particles or electrodes. It has been proposed a technique for preventing the, and until recently, insulating conductive particles insulated in this manner has been mainly used.

하지만 최근 들어, 구형의 도전성 입자 또는 절연 처리된 구형 도전성 입자가 필름 내의 접착물질 내에 분산된 후 가열 및 압착될 때, 입자가 상하부 응력에 의해 좌우로 이동되어 이웃한 전극과 전극 사이에 몰림으로써 상하 전극 간 잔류하는 도전입자의 양이 감소하게 되어 불안정한 접속 저항의 원인으로 작용할 수 있으며, 또한 압착 후에도 외부적 충격이나 온도에 의해 전극간 이격이 발생할 경우, 전기적 접촉 불량이 발생해 전기적 접속의 장기 신뢰성에 중대한 악영향을 미침에 따라 구형의 도전성 입자 대신 표면에 돌기가 돌출되어 있는 형태의 돌기형 도전성 입자의 사용이 증가하고 있다.Recently, however, when the spherical conductive particles or the insulated spherical conductive particles are dispersed in the adhesive material in the film and then heated and compressed, the particles are moved left and right by upper and lower stresses and are driven between the neighboring electrodes and the electrodes. The amount of conductive particles remaining between electrodes decreases, which may cause unstable connection resistance.In addition, if the distance between electrodes is caused by external shock or temperature after crimping, electrical contact failure occurs, resulting in long-term reliability of the electrical connection. As a significant adverse effect on the use of the projection-type conductive particles in the form of protrusions protruding on the surface instead of spherical conductive particles is increasing.

일반적인 돌기형 도전성 입자의 돌기는 도전입자의 종류에 따라 약간씩 차이는 있지만 보통, 도전성 입자 입경의 5∼10 %정도의 높이로 돌출되어 있고, 입자당 돌기의 평균 개수는 30∼50 개를 유지한다. 이러한 돌기형 도전성 입자는 고온,압착 시 응력에 의한 이동이 적어 상하 전극간 잔류량이 많아 안정적인 접속 저항값을 구현하고, 압착 후 충격에 의한 상하부 전극의 이격 시에도, 돌기에 의해 전류가 통전 됨에 따라 접촉 불량 가능성을 낮출 수 있다. 또한 접속 전극의 표면에 발생한 산화막에 의해 전기적 접속 저항 값이 올라가는 현상을 돌기가 산화막을 뚫어 제거함으로써, 접속 신뢰성을 높일 수 있다.The projections of the general projection-type conductive particles vary slightly depending on the type of the conductive particles, but usually protrude at a height of about 5 to 10% of the particle diameter of the conductive particles, and the average number of projections per particle is maintained at 30 to 50 pieces. do. Such protrusion-type conductive particles have a small amount of movement between stress at high temperature and pressure, and thus have a large amount of residual amount between the upper and lower electrodes to realize a stable connection resistance value, and even when the upper and lower electrodes are separated by an impact after compression, the current flows through the protrusion. The possibility of poor contact can be reduced. In addition, the connection reliability can be improved by removing the phenomenon that the electrical connection resistance value rises by the oxide film generated on the surface of the connection electrode through the oxide film.

이러한 이유로, 돌기형 도전성 입자의 사용은 급격히 증가하고 있지만, 표면에 돌기가 돌출되어 있는 형태의 돌기형 도전성 입자 상에 절연처리를 할 경우, 돌출된 돌기의 영향으로 절연층이 도전입자 표면에 과도하게 생성될 수 있으며, 반대의 경우, 돌기 부분이 절연층 외부에 노출되어 가열, 가압 시 입자간 돌출된 돌기간의 접촉으로 절연성을 상실하게 되어 단락의 문제점을 가지고 있다.For this reason, the use of protruding conductive particles is rapidly increasing. However, when the insulating treatment is performed on the protruding conductive particles in the form of protrusions protruding from the surface, the insulating layer is excessive on the surface of the conductive particles under the influence of the protruding protrusions. On the contrary, the protruding portion is exposed to the outside of the insulating layer, and loses insulation due to contact of protruding protrusions between particles during heating and pressing, thereby causing a short circuit problem.

따라서 상기의 문제점을 해결하기 위해서는 돌기형 도전성 입자 표면층에 대해 균일한 절연층 형성 돌기의 기능을 유지하며, 이웃한 입자 간에 전류의 단락을 방지 할 수 있는 절연개념을 고려해야 할 필요가 있다.Therefore, in order to solve the above problems, it is necessary to maintain the function of the uniform insulating layer forming projection for the protruding conductive particle surface layer, and to consider an insulation concept that can prevent a short circuit of current between neighboring particles.

이에 본 발명자들은 돌기형 도전성 입자에 절연 입자를 불연속으로 고정화하 고, 돌기의 높이를 적절하게 제안함으로써 상술한 문제점들을 해결할 수 있는 절연성 도전 입자, 이를 이용한 이방 도전성 접착 필름을 개발하기에 이른 것이다.Accordingly, the present inventors have come to develop insulating conductive particles, anisotropic conductive adhesive films using the same, which can solve the above-mentioned problems by immobilizing the insulating particles discontinuously on the projection-type conductive particles and suggesting the height of the projections appropriately.

본 발명의 목적은 돌기형 도전 입자를 제조하고 그 표면에 절연 입자를 불연속으로 고정화함으로써 전극에 접속할 때에 절연층의 제거가 용이하여 z축 방향의 도전성 및 xy 평면 방향의 절연성이 우수한 절연성 도전 입자를 제공하기 위한 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to prepare protruding conductive particles and to discontinuously fix the insulating particles on the surface thereof, thereby making it easy to remove the insulating layer when connecting to the electrode, thereby providing insulating conductive particles having excellent conductivity in the z-axis direction and insulating properties in the xy plane direction. It is to provide.

본 발명의 다른 목적은 돌기형 도전 입자의 적절한 크기 범위를 제안함으로써 전기적 접속시 절연 신뢰성, 통전 신뢰성 및 내용제성이 우수한 절연성 도전 입자를 제공하기 위한 것이다.Another object of the present invention is to provide insulating conductive particles having excellent insulation reliability, current carrying reliability and solvent resistance during electrical connection by proposing an appropriate size range of the projection conductive particles.

본 발명의 또 다른 목적은 배선 패턴의 파인-피치화 및 이방 전도성 접착 필름의 저온 속 경화에 적합한 절연성 도전 입자를 제공하기 위한 것이다.It is another object of the present invention to provide insulating conductive particles suitable for fine-pitching of wiring patterns and low temperature curing of anisotropic conductive adhesive films.

본 발명의 또 다른 목적은 상기 절연성 도전 입자를 이용한 이방 도전성 접착 필름을 제공하기 위한 것이다.Still another object of the present invention is to provide an anisotropic conductive adhesive film using the above insulating conductive particles.

본 발명의 또 다른 목적은 상기 이방 도전성 접착 필름을 이용한 전기적 접속 구조체를 제공하기 위한 것이다.Still another object of the present invention is to provide an electrical connection structure using the anisotropic conductive adhesive film.

본 발명의 상기 및 기타의 목적들은 하기 설명되는 본 발명에 의하여 모두 달성될 수 있다.The above and other objects of the present invention can be achieved by the present invention described below.

발명의 요약Summary of the Invention

본 발명에 따른 절연성 도전 입자는 기재 입자(11), 상기 기재 입자의 표면에 도금된 제1 금속층(12), 상기 제1 금속층의 표면에 불연속적으로 형성된 돌기부(13) 및 상기 돌기부가 형성된 제1 금속층의 표면에 형성된 제2 금속층(14)으로 이루어진 돌기형 도전 입자(10); 및 상기 돌기형 도전 입자의 표면에 불연속적으로 고정화된 절연 입자(2)로 이루어지고, 상기 절연 입자의 직경은 상기 제1 금속층의 표면에 형성된 돌기부(13)의 높이보다 크고 상기 돌기형 도전 입자(10)의 직경의 20 % 이하의 범위에 있으며, 상기 절연 입자(2)는 전극에 접속될 때, 원래의 위치로부터 이탈함으로써 돌기형 도전 입자와 전극이 전기적으로 접속되는 것을 특징으로 한다.The insulating conductive particles according to the present invention may include a substrate particle 11, a first metal layer 12 plated on the surface of the substrate particle, a protrusion 13 formed discontinuously on the surface of the first metal layer, and the protrusion formed thereon. The protruding conductive particles 10 made of the second metal layer 14 formed on the surface of the first metal layer; And insulating particles 2 discontinuously fixed to the surface of the protruding conductive particles, wherein the diameter of the insulating particles is larger than the height of the protrusion 13 formed on the surface of the first metal layer. It is in the range of 20% or less of the diameter of (10), and when the said insulating particle 2 is connected to an electrode, it is characterized by the protrusion electrically conductive particle and an electrode being electrically connected by deviating from an original position.

상기 제1 금속층은 니켈로 이루어지고, 상제 제2 금속층은 금으로 이루어지는 것이 바람직하다.Preferably, the first metal layer is made of nickel, and the upper second metal layer is made of gold.

상기 돌기부는 돌기 입자를 기계적/복합화 법에 의하여 상기 제1 금속층의 표면에 형성한다.The protruding portion forms protruding particles on the surface of the first metal layer by a mechanical / composite method.

상기 돌기 입자는 경질의 코어 영역과 연질의 쉘 영역으로 이루어진 코어-쉘 구조를 갖는 것이 바람직하다.The protruding particles preferably have a core-shell structure consisting of a hard core region and a soft shell region.

상기 돌기형 도전 입자(10)를 이루는 기재 입자의 평균 입경은 1∼20 ㎛이고, 접속 저항 100 Ω 이하인 것이 바람직하다. It is preferable that the average particle diameter of the substrate particle which comprises the said projection electroconductive particle 10 is 1-20 micrometers, and is 100 kPa or less of connection resistance.

상기 절연 입자(2)는 경질의 코어 영역과 연질의 쉘 영역으로 이루어진 코어-쉘 형태의 고분자 수지 입자인 것이 바람직하다.The insulating particles 2 are preferably core-shell polymer resin particles composed of a hard core region and a soft shell region.

상기 절연 입자(2)의 경질의 코어 영역은 디비닐벤젠, 1,4-디비닐옥시부탄, 디비닐술폰, 디알릴 프탈레이트, 디알릴아크릴아미드, 트리알릴 (이소)시아누레이트, 트리알리 트리멜리테이트 등의 알릴 화합물과 (폴리)에틸렌 글리콜 디(메타)아크릴레이트, (폴리)프로필렌 글리콜 디(메타)아크릴레이트, 펜타에릴트리톨 테트라(메타)아크릴레이트, 펜타에릴트리톨 트리(메타)아크릴레이트, 펜타에릴트리톨 디(데타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리(메타)아크릴레이트, 디펜타에릴트리톨 헥사(메타)아크릴레이트, 디펜타에릴트리톨 펜타(메타)아크릴레이트 및 글리세롤 트리(메타)아크릴레이트로 이루어진 군으로부터 선택된 아크릴 화합물의 단량체가 라디칼 중합된 가교 고분자 미립자이고, The hard core regions of the insulating particles 2 include divinylbenzene, 1,4-divinyloxybutane, divinyl sulfone, diallyl phthalate, diallyl acrylamide, triallyl (iso) cyanurate, and trially tree. Allyl compounds, such as melitate, (poly) ethylene glycol di (meth) acrylate, (poly) propylene glycol di (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, pentaerythritol tri ( Meth) acrylate, pentaaryl tritol di (de) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) Monomers of acrylic compounds selected from the group consisting of acrylates and glycerol tri (meth) acrylates are radically polymerized crosslinked polymer microparticles,

상기 연질의 쉘 영역은 (메타)아크릴산, 말레익산, 이타코닉산 등을 포함하는 불포화 카르복시산, 2-히드록시에틸 (메타)아크릴레이트, 히드록시프로필 (메타)아크릴레이트, 히드록시부틸 (메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜 (메타)아크릴레이트, 메톡시폴리에틸렌글리콜 (메타)아크릴레이트, 글리시딜 (메타)아크릴레이트, 디메틸아미노에틸 (메타)아크릴레이트, 알릴 글리시딜 에테르, 2-이소프로페닐-2-옥사졸린, 디에틸아미노에틸 (메타)아크릴레이트, 알킬(메타)아크릴아마이드, 4-비닐피리딘, N-메틸올 아크릴아마이드, 디메틸아미노프로필 (메타)아크릴아마이드, (메타)아크릴로일 클로라이드, (메타)아크릴로니트릴, 스티렌 술폰산, 소듐스티렌 술포네이트 및 그 술폰산 유도체로 이루어진 군으로부터 선택된 단량체의 중합체인 것이 바람직하다.The soft shell region includes unsaturated carboxylic acid, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, hydroxypropyl (meth) acrylate, hydroxybutyl (meth), including (meth) acrylic acid, maleic acid, itaconic acid, and the like. Acrylate, polyethylene glycol (meth) acrylate, methoxypolyethylene glycol (meth) acrylate, glycidyl (meth) acrylate, dimethylaminoethyl (meth) acrylate, allyl glycidyl ether, 2-isopropenyl 2-oxazoline, diethylaminoethyl (meth) acrylate, alkyl (meth) acrylamide, 4-vinylpyridine, N-methylol acrylamide, dimethylaminopropyl (meth) acrylamide, (meth) acryloyl Preference is given to polymers of monomers selected from the group consisting of chloride, (meth) acrylonitrile, styrene sulfonic acid, sodium styrene sulfonate and sulfonic acid derivatives thereof.

본 발명은 상기 절연성 도전 입자가 열경화성 수지상에 분산되어 있는 이방 도전성 접착 필름을 포함한다.The present invention includes an anisotropic conductive adhesive film in which the insulating conductive particles are dispersed on a thermosetting resin.

또한, 본 발명은 상기 이방 도전성 접착 필름이 마주보는 기판의 전극 사이에 압착되어 있는 전기적 접속 구조체를 포함한다.Moreover, this invention includes the electrical connection structure which crimped | bonded between the electrodes of the board | substrate which the said anisotropically conductive adhesive film opposes.

이하 본 발명의 내용을 첨부된 도면을 참조로 하여 하기에 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, the contents of the present invention will be described in detail.

발명의 구체예에 대한 상세한 설명Detailed Description of the Invention

도 1은 본 발명에 따른 절연성 도전 입자가 제조되는 과정을 단계적으로 나타낸 개념도이고, 도 2는 본 발명에 따른 절연성 도전 입자에 대한 개략적인 정면도(a) 및 단면도(b)이다.1 is a conceptual diagram illustrating a process of manufacturing insulating conductive particles according to the present invention step by step, Figure 2 is a schematic front view (a) and cross-sectional view (b) of the insulating conductive particles according to the present invention.

본 발명에 따른 절연성 도전 입자는 도 1의 과정을 거쳐 도 2에 도시된 바와 같은 형상을 갖는다. 즉, 본 발명의 절연성 도전 입자는 돌기형 도전 입자(10)의 표면에 절연 입자(2)를 불연속적으로 고정화하여 제조된다.The insulating conductive particles according to the present invention have a shape as shown in FIG. 2 through the process of FIG. 1. That is, the insulating conductive particles of the present invention are produced by discontinuously immobilizing the insulating particles 2 on the surface of the protruding conductive particles 10.

제조 과정을 살펴보면, 먼저 도 1의 (a)에 도시된 기재 입자(11)의 표면에 도 1의 (b)와 같이 제1 금속층(12)을 도금한다, 다음, 상기 제1 금속층의 표면에 도 1의 (c)와 같이 돌기부(13)를 불연속적으로 형성한다. 이 돌기부(13)가 형성된 제1 금속층(12)의 표면에 도 1의 (d)와 같이 제2 금속층(14)을 도금하여 전체적으로 도전성을 갖는 돌기형 도전 입자(10)를 제조한다. 이렇게 제조된 돌기형 도전 입자(10)의 표면에 절연 입자(2)를 불연속적으로 고정화함으로써 절연성 도전 입 자(1)를 제조한다. 이렇게 제조된 도전 입자(1)는 전극 사이에 가열 및 압착될 때, 표면에 불연속적으로 고정되어 있는 절연 입자(2)가 원위치에서 이탈함으로써 전극과 돌기형 도전 입자(10)가 전기적으로 접속하게 된다.Looking at the manufacturing process, first the first metal layer 12 is plated on the surface of the substrate particle 11 shown in Figure 1 (a) as shown in Figure 1 (b), and then on the surface of the first metal layer As shown in FIG. 1C, the protrusion 13 is discontinuously formed. The second metal layer 14 is plated on the surface of the first metal layer 12 on which the protrusions 13 are formed, as shown in FIG. The insulating conductive particles 1 are produced by discontinuously immobilizing the insulating particles 2 on the surface of the protruding conductive particles 10 thus prepared. When the conductive particles 1 thus produced are heated and pressed between the electrodes, the insulating particles 2 discontinuously fixed to the surface are separated from their original positions so that the electrodes and the protruding conductive particles 10 are electrically connected to each other. do.

상기 기재 입자(11)는 구형의 고분자 수지 입자이다. 기재 입자(11)로 사용할 수 있는 고분자 수지의 예로는 페놀 수지, 요소 수지, 멜라민 수지, 불소 수지, 폴리에스테르 수지, 에폭시 수지, 실리콘 수지, 폴리이미드 수지, 폴리우레탄 수지, 프로필렌 수지, 폴리올레핀 수지 등과 같은 열경화성 고분자 수지, 또는 폴리에틸렌 수지, 폴리프로필렌 수지, 폴리부틸렌 수지, 폴리메타크릴상 수지, 메틸렌 수지, 폴리스티렌 수지, 아크릴로니트릴-스티렌 수지, 아크릴로니트릴-스티렌-부타디엔 수지, 비닐 수지, 디비닐벤젠 수지, 폴리아미드 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리아세탈 수지, 피오노마 수지, 폴리에테르설폰 수지, 폴리페닐옥사이드 수지, 폴리페닐렌설파이드 수지, 폴리설폰 수지, 폴리우레탄 수지 중 어느 하나인 열가소성 또는 열경화성 수지가 바람직하다. 상기 기재 입자는 위와 같은 고분자 수지를 유화 중합법에 의하여 합성한 심재물질 미립자이다.The substrate particles 11 are spherical polymer resin particles. Examples of the polymer resin that can be used as the substrate particles 11 include phenol resins, urea resins, melamine resins, fluorine resins, polyester resins, epoxy resins, silicone resins, polyimide resins, polyurethane resins, propylene resins, polyolefin resins, and the like. Such as thermosetting polymer resins, or polyethylene resins, polypropylene resins, polybutylene resins, polymethacrylic resins, methylene resins, polystyrene resins, acrylonitrile-styrene resins, acrylonitrile-styrene-butadiene resins, vinyl resins, Any one of vinylbenzene resin, polyamide resin, polyester resin, polycarbonate resin, polyacetal resin, pioneoma resin, polyethersulfone resin, polyphenyloxide resin, polyphenylene sulfide resin, polysulfone resin, and polyurethane resin Phosphorus thermoplastic or thermosetting resins are preferred. The substrate particles are the core material fine particles synthesized by the emulsion polymerization method of the polymer resin as described above.

본 발명에서 기재 입자(11)의 크기는 1∼20 ㎛의 범위가 바람직하다. In the present invention, the size of the substrate particle 11 is preferably in the range of 1 to 20 µm.

제1 금속층(12)은 상기 기재 입자(11)의 표면에 니켈 등의 도전성 금속이 도금이 된 것이다. 니켈 등의 도금 방법은 무전해 도금법과 같은 잘 알려진 도금 방법을 사용한다. 제1 금속층의 두께는 상기 기재 입자(11)의 직경의 0.1∼20 %이며, 이 중 0.1∼20 % 범위가 바람직하다.In the first metal layer 12, a conductive metal such as nickel is plated on the surface of the substrate particle 11. Plating methods, such as nickel, use well-known plating methods, such as an electroless plating method. The thickness of the first metal layer is 0.1 to 20% of the diameter of the substrate particle 11, of which 0.1 to 20% range is preferred.

돌기부(13)는 제1 금속층(12)의 표면에 돌기 입자를 불연속적으로 고착시켜 제1 금속층의 표면에 돌기를 형성한 것이다.The protrusions 13 discontinuously fix the protrusion particles to the surface of the first metal layer 12 to form protrusions on the surface of the first metal layer.

상기 돌기 입자는 경질의 코어 영역과 접착력을 갖는 연질의 쉘 영역으로 이루어진 코어-쉘 형태의 미립자이다. 이 코어-쉘 형태의 돌기 입자(13)를 기계적/복합화 방법 등에 의하여 제1 금속층의 표면에 불연속적으로 부착시켜 돌기부(13)를 형성한다. 기계적-복합화 방법에 의해 연질의 쉘 영역은 그 형태의 변형이 일어나 제1 금속층(12)의 표면 쪽으로 흘러 내려 돌기부(13)를 형성하는 접착을 이루게 된다. 상기 경질 영역 및 연질 역영을 이루는 수지의 예는 아래에서 설명하는 절연 입자(2)의 경우와 동일하다.The protruding particles are core-shell type fine particles consisting of a hard core region and a soft shell region having adhesion. The core-shell shaped projection particles 13 are attached to the surface of the first metal layer discontinuously by a mechanical / composite method or the like to form the projections 13. By the mechanical-complexing method, the soft shell region is deformed in its form and flows toward the surface of the first metal layer 12 to form an adhesive forming the protrusions 13. Examples of the resin constituting the hard region and soft inversion are the same as in the case of the insulating particles 2 described below.

본 발명에서 돌기부(13)의 높이는 기재 입자의 직경에 대하여 1∼20 %의 범위이며, 이 중 5∼10 %의 범위가 바람직하다.In the present invention, the height of the protrusions 13 is in the range of 1 to 20% with respect to the diameter of the substrate particles, of which 5 to 10% is preferred.

제2 금속층(14)은 돌기부(13)가 형성되어 있는 제1 금속층(12)의 표면에 전도성이 높은 금속을 도금한 것이다. 전도성을 고려하면 제2 금속층은 도금하는 것이 바람직하나, 필요에 따라 니켈/금 등의 혼합층으로 구성해도 좋다. 제2 금속층의 두께는 상기 기재 입자(11)의 직경의 0.1∼20 %이며, 이 중 0.1∼20 % 범위가 바람직하다.The second metal layer 14 is formed by plating a highly conductive metal on the surface of the first metal layer 12 on which the protrusions 13 are formed. In consideration of conductivity, the second metal layer is preferably plated, but may be composed of a mixed layer such as nickel / gold as necessary. The thickness of the second metal layer is 0.1 to 20% of the diameter of the substrate particle 11, of which 0.1 to 20% range is preferred.

이와 같이 제2 금속층을 형성하면 전체적으로 도전성을 갖는 돌기형 도전 입자(10)가 완성된다. 이 돌기형 도전 입자(10)의 표면에 절연 입자(2)를 불연속적으로 고정화함으로써 절연성 도전 입자를 제조한다.In this way, when the second metal layer is formed, the protruding conductive particles 10 having overall conductivity are completed. The insulating conductive particles are produced by discontinuously fixing the insulating particles 2 on the surface of the protruding conductive particles 10.

절연 입자(2)는 이방 도전성 접착 필름의 제조에 사용되므로, 용매에 대하여 불용성을 가져야 한다. 이 절연 입자(2)의 직경은 제1 금속층 표면의 돌기부(13)의 높이보다는 크고, 돌기형 도전 입자(10)의 직경의 20 % 이내의 범위를 가진다. 만일 절연 입자(2)의 직경이 돌기부(13)의 높이보다 작을 경우에는 xy 평면 방향으로의 절연성을 확보하기가 어렵고, 돌기형 도전 입자(10) 직경의 20 %를 초과하는 경우에는 전극과의 접속 시에 z축 방향의 통전성을 확보하기가 어렵다.Since the insulating particle 2 is used for manufacture of an anisotropically conductive adhesive film, it must have insoluble with respect to a solvent. The diameter of this insulating particle 2 is larger than the height of the protrusion part 13 of the surface of a 1st metal layer, and has a range within 20% of the diameter of the protrusion conductive particle 10. If the diameter of the insulating particles 2 is smaller than the height of the protrusions 13, it is difficult to ensure insulation in the xy plane direction, and when the diameter of the insulating particles 2 exceeds 20% of the diameter of the protrusion-type conductive particles 10, It is difficult to ensure the electrical conductivity in the z-axis direction at the time of connection.

상기 절연 입자(2)는 경질의 코어 영역과 연질의 쉘 영역으로 이루어진 코어-쉘 형태의 고분자 수지 입자이다.The insulating particles 2 are core-shell polymer polymer particles composed of a hard core region and a soft shell region.

절연 입자(2)의 경질의 코어 영역은 디비닐벤젠, 1,4-디비닐옥시부탄, 디비닐술폰, 디알릴프탈레이트, 디알릴아크릴아미드, 트리알릴(이소)시아누레이트, 트리알리트리멜리테이트 등의 알릴 화합물과 (폴리)에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, (폴리)프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 펜타에릴트리톨테트라(메타)아크릴레이트, 펜타에릴트리톨트리(메타)아크릴레이트, 펜타에릴트리톨디(데타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 디펜타에릴트리톨헥사(메타)아크릴레이트, 디펜타에릴트리톨펜타(메타)아크릴레이트, 글리세롤트리(메타)아크릴레이트 등의 아크릴 화합물 중 어느 하나의 단량체가 라디칼 중합된 가교 고분자 미립자를 사용한다.The hard core regions of the insulating particles 2 are divinylbenzene, 1,4-divinyloxybutane, divinyl sulfone, diallyl phthalate, diallyl acrylamide, triallyl (iso) cyanurate, and trially trimelli Allyl compounds, such as a tate, (poly) ethylene glycol di (meth) acrylate, (poly) propylene glycol di (meth) acrylate, penta erythritol tetra (meth) acrylate, penta aryl tritol tri (meth) ) Acrylic acid, penta aryl tritol di (dec) acrylate, trimethylol propane tri (meth) acrylate, dipenta erythritol hexa (meth) acrylate, dipenta aryl tritol penta (meth) acrylate The crosslinked polymer microparticles | fine-particles which the monomer of any one of acrylic compounds, such as and glycerol tri (meth) acrylate, radically polymerized are used.

절연 입자(2)의 연질의 쉘 영역은 (메타)아크릴산, 말레익산, 이타코닉산 등을 포함하는 불포화 카르복시산, 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 히드록시프로필(메타)아크릴레이트, 히드록시부틸(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 메톡시폴리에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 글리시딜(메타)아크릴레이트, 디메틸아미노에틸(메타)아크릴레이트, 알릴글리시딜에테르, 2-이소프로페닐-2-옥사졸린, 디에틸아미노에틸(메타)아크릴레이트, 알킬(메타)아크릴아마이드, 4-비닐피리딘, N-메틸올아크릴아마이드, 디메틸아미노프로필(메타)아크릴아마이드, (메타)아크릴로일클로라이드, (메타)아크릴로니트릴, 스티렌술폰산, 소듐스티렌술포네이트 및 그 술폰산 유도체 중 어느 하나로 이루어진 군으로부터 선택된 단량체의 중합체이다.The soft shell region of the insulating particle 2 includes unsaturated carboxylic acid, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, hydroxypropyl (meth) acrylate, and hydride including (meth) acrylic acid, maleic acid, itaconic acid, and the like. Oxybutyl (meth) acrylate, polyethylene glycol (meth) acrylate, methoxy polyethylene glycol (meth) acrylate, glycidyl (meth) acrylate, dimethylaminoethyl (meth) acrylate, allyl glycidyl ether, 2-isopropenyl-2-oxazoline, diethylaminoethyl (meth) acrylate, alkyl (meth) acrylamide, 4-vinylpyridine, N-methylol acrylamide, dimethylaminopropyl (meth) acrylamide, ( Meta) acryloyl chloride, (meth) acrylonitrile, styrenesulfonic acid, sodium styrenesulfonate, and a sulfonic acid derivative thereof.

본 발명에서 절연 입자(2)를 돌기형 도전 입자(10)의 표면에 고정화하는 방법의 예로는 물리/기계적 마찰을 이용한 건식법, 또는 분무건조법(spray drying), 진공증착 피복법, 코어 쉘 패션(core shell fashion)법, 습식처리에 의한 고착 등을 들 수 있다. 또한, 일복 나라기계제작소(주)의 하이브리다이제이션 시스템(Hybridization System)을 이용하여 제조될 수도 있다. 이 때, 절연 입자(2)는 돌기형 도전 입자(10)에 대하여 5∼15 %의 비율로 혼합된다.In the present invention, an example of a method of immobilizing the insulating particles 2 on the surface of the protruding conductive particles 10 is a dry method using physical / mechanical friction, or spray drying, vacuum deposition coating, core shell fashion ( core shell fashion), wet fixing, and the like. It may also be manufactured using a hybridization system of Ilbok Nara Machinery Co., Ltd. At this time, the insulating particles 2 are mixed with the protruding conductive particles 10 at a ratio of 5 to 15%.

위 방법으로 고착된 절연 입자(2)는 경화성 에폭시 수지와의 조액 상에서 제2 금속층과의 이탈이 없어야 하며, 130∼200 ℃의 온도에서 형태가 유지되어야 한다. 또한, 절연 입자(2) 직경은 돌기(14)보다 크고, 돌기형 도전 입자(10)의 직경보다 20 % 이하로 제조되어, 금속층 표면의 절연입자가 z축 방향의 압력에 대해 xy 평면 방향으로의 이탈성을 나타내어야 한다. 또한, 고정화된 절연성 미립자(2)는 돌기형 도전 입자(10)의 표면적의 0.1∼99.9 %의 피복율로 고정되며, 60∼90 %의 피복율이 바람직하다. 더욱 바람직하게는 80∼99 %이다.The insulating particles 2 fixed by the above method should not be separated from the second metal layer in the crude liquid with the curable epoxy resin, and the shape should be maintained at a temperature of 130 to 200 ° C. In addition, the diameter of the insulating particles 2 is larger than the projections 14 and is made 20% or less than the diameter of the projection-type conductive particles 10, so that the insulating particles on the surface of the metal layer in the xy plane direction with respect to the pressure in the z-axis direction. Deviation of In addition, the fixed insulating fine particles 2 are fixed at a coverage of 0.1 to 99.9% of the surface area of the projection conductive particles 10, and a coverage of 60 to 90% is preferable. More preferably, it is 80 to 99%.

도 3은 본 발명에 따른 절연성 도전 입자를 이용하여 제조된 이방 도전성 필름에 대한 개략적인 단면도이다.3 is a schematic cross-sectional view of an anisotropic conductive film prepared using insulating conductive particles according to the present invention.

도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명은 절연성 도전 입자(1)를 열경화성 수지 상에 분산시켜 얻은 이방 도전성 접착 필름(3)을 제공한다.As shown in Fig. 3, the present invention provides an anisotropic conductive adhesive film 3 obtained by dispersing insulating conductive particles 1 on a thermosetting resin.

본 발명에 의해 제조된 절연성 도전 입자(1)는 접착성분 상에 분산되고, 필름(3)상에서 절연 입자(2)가 이탈되지 않고 돌기형 도전 입자(10)의 금속층 표면에 유지되고 있어야 한다. 또한 절연 입자가 용해되어 접착 성분 내에 용해되지 않아야 한다. 이렇게 필름(3) 내에 분산 되어 있는 절연성 도전 입자(1)는 그 표면이 돌기 형상을 갖는 전도성 금속층 상에 절연 입자(2)가 불연속적으로 고정화된 형태를 갖는다.The insulating conductive particles 1 produced by the present invention are dispersed on the adhesive component, and the insulating particles 2 must be held on the surface of the metal layer of the protruding conductive particles 10 without leaving the insulating particles 2 on the film 3. In addition, the insulating particles must not dissolve and dissolve in the adhesive component. Thus, the insulating conductive particles 1 dispersed in the film 3 have a form in which the insulating particles 2 are discontinuously immobilized on the conductive metal layer having a protrusion shape.

도 4는 본 발명에 따른 이방 도전성 필름을 기판 사이에 압착하기 전의 모습을 나타낸 개략적인 단면도이며, 도 5는 본 발명에 따른 이방 도전성 필름을 기판 사이에 압착하여 전기적으로 접속된 모습을 나타낸 개략적인 단면도이다.4 is a schematic cross-sectional view showing a state before the anisotropic conductive film according to the present invention is pressed between the substrate, Figure 5 is a schematic view showing an electrical connection by pressing the anisotropic conductive film according to the present invention between the substrate. It is a cross section.

도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 절연성 도전 입자(1)를 함유한 이방 도전성 접착 필름(3)은 기판(4, 5)의 전극(41, 51) 사이에 압착되며, 절연성 도전 입자(1)는 z축 방향으로는 도전성을 xy 평면 방향으로는 절연성을 나타낸다.As shown in Figs. 4 and 5, the anisotropic conductive adhesive film 3 containing the insulating conductive particles 1 according to the present invention is pressed between the electrodes 41, 51 of the substrates 4, 5, The insulating conductive particles 1 exhibit conductivity in the z-axis direction and insulation in the xy plane direction.

여기서, 기판(4, 5)은 LCD 패널의 구동용 집적회로 또는 액정 표시 기판이며, 전극(41, 51)은 상기 구동용 집적회로 또는 액정 표시 기판의 범프 전극 또는 배선 패턴(lead pattern)이다.Here, the substrates 4 and 5 are driving integrated circuits or liquid crystal display substrates of the LCD panel, and the electrodes 41 and 51 are bump electrodes or lead patterns of the driving integrated circuits or liquid crystal display substrates.

도 6은 본 발명에 따른 절연성 도전 입자가 회로 기판의 범프 전극에 접속되는 모습을 나타낸 개략적인 단면도로서, (a)는 전기적으로 접속되기 전의 상태를, (b)는 접속되어 있는 상태를 나타낸 것이다.Fig. 6 is a schematic cross-sectional view showing how the insulating conductive particles according to the present invention are connected to the bump electrode of the circuit board, where (a) shows a state before being electrically connected, and (b) shows a state where they are connected. .

도 6에 도시된 바와 같이, 기판 사이에 이방 전도성 접착 필름이 압축될 때 절연입자(2)는 파괴 또는 이동함으로써 원래의 위치를 벗어나게 되며, 전극(41)에 돌기형 도전 입자(10)의 표면과 돌기부(13)가 전극(41) 표면의 산화막으로 침투하여 전기적 접속을 이루기 때문에 전기적 통전 신뢰성이 높다. 본 발명의 돌기형 도전 입자(10)는 열 및 압력에 의해 변형이 일어나지 않는다.As shown in FIG. 6, when the anisotropic conductive adhesive film is compressed between the substrates, the insulating particles 2 are released from their original positions by breaking or moving, and the surface of the protruding conductive particles 10 on the electrode 41. And the projection 13 penetrates into the oxide film on the surface of the electrode 41 to make an electrical connection, so that the electrical conduction reliability is high. The protruding conductive particles 10 of the present invention are not deformed by heat and pressure.

본 발명은 하기의 실시예에 의하여 보다 구체화될 것이며, 하기 실시예는 본 발명의 구체적인 예시에 불과하며 본 발명의 보호범위를 한정하거나 제한하고자 하는 것은 아니다.The present invention will be further illustrated by the following examples, which are merely illustrative of the present invention and are not intended to limit or limit the scope of the present invention.

실시예 Example

실시예 1Example 1

돌기형 도전 입자(10)의 제조Fabrication of Projected Conductive Particles 10

(1) 기재 입자(11)의 제조 및 제1 금속층(12)의 형성(1) Preparation of Substrate Particles 11 and Formation of First Metal Layer 12

유화 중합법에 의하여 입경이 균일한 디비닐벤젠 수지로 이루어진 구형의 기재 입자를 합성하였다. 이 때, 고분자 수지입자의 입경은 4 ㎛이었다.Spherical substrate particles composed of divinylbenzene resin having a uniform particle size were synthesized by an emulsion polymerization method. At this time, the particle diameter of the polymer resin particles was 4 µm.

이 기재 입자의 표면에 무전해 도금법을 이용하여 NiSO4 0.5 M와 착화제(complexing agent) 0.45 M, NaH2PO2 1M의 조성으로 70 ℃, pH 6에서 30 분 동안 니켈 도금 처리하였다. 상기의 방식으로 제조된 제1 금속층은 니켈 도금층으로 형성되고, 이 때, 니켈의 막 두께는 80 ㎚였다.The surface of the substrate particles was subjected to nickel plating for 30 minutes at 70 ° C. and pH 6 using an electroless plating method with a composition of 0.5 M of NiSO 4 , 0.45 M of a complexing agent, and NaH 2 PO 2 1M. The first metal layer produced in the above manner was formed of a nickel plating layer, wherein the film thickness of nickel was 80 nm.

(2) 돌기형 도전 입자(10)의 제조(2) Fabrication of Projective Conductive Particles 10

위 (1)에서 제조된 니켈 도금된 기재 입자의 표면에 돌기부를 형성하기 위하여 돌기 입자를 제조하였다. 이 돌기 입자를 제조하기 위해 반응기에 스티렌 단량체 50 중량부와 디비닐벤젠(DVB) 50중량부를 수용성 개시제인 과황산칼륨(KPS) 1 중량부가 포함된 초순수에 분산시키고, 무유화 중합법으로 70 ℃에서 24 시간 중합하여 직경 120 ㎚의 미세 입자를 얻었다. 제조된 폴리(St-DVB) 입자를 원심분리기를 이용하여 미반응물과 기타 불순물을 제거시킨 후 48 시간 동안 동결 건조하여 분말 형태로 얻었다.Protruding particles were prepared to form protrusions on the surface of the nickel plated substrate particles prepared in (1) above. In order to prepare the protruded particles, 50 parts by weight of styrene monomer and 50 parts by weight of divinylbenzene (DVB) are dispersed in ultrapure water containing 1 part by weight of potassium persulfate (KPS), which is a water-soluble initiator, in a reactor at 70 ° C. It superposed | polymerized for 24 hours, and obtained the fine particle of 120 nm in diameter. The prepared poly (St-DVB) particles were freeze-dried for 48 hours after removal of unreacted materials and other impurities using a centrifugal separator to obtain a powder form.

이렇게 얻은 폴리(St-DVB) 입자 30 g를 0.2 5% 소디움 라우릴 설페이트(sodium lauryl sulfate: SLS) 수용액 150 g에 초음파를 10 분간 조사하여 유리 반응기에서 재분산시켜 분산체를 제조하였다. 상기 미립자가 완전히 분산된 후, 다시 초순수 100 g을 투입하여 72.5 ℃까지 질소 분위기 하에서 승온하였다. 여기에, 수용성 개시제인 포테지움 퍼설페이트(potassium persulfate: KPS) 0.35 g의 수용액 50 g을 투입하고, 30분 후에 스티렌(St), 디비닐벤젠(DVB), 아크릴산(Acrylic acid)을 각 25 g, 4 g, 4 g을 혼합한 단량체 혼합물을 3 시간에 걸쳐 서서히 드로핑(dropping)하여 중합을 행하였다. 단량체의 드로핑 후, 추가 3시간 동안 반응을 더 진행하였고, 제조된 폴리(St-DVB)/폴리(St-DVB-AA) 코어-쉘 형태의 미립자를, 원심분리기를 이용하여 미반응물과 유화제를 제거한 후, 48시간 동안 동결 건조시켜 210 nm 크기의 복합체인 돌기 입자를 분말 형태로 얻었다.30 g of the poly (St-DVB) particles thus obtained were irradiated with ultrasonic waves to 150 g of 0.2 5% aqueous solution of sodium lauryl sulfate (SLS) for 10 minutes to redispersed in a glass reactor to prepare a dispersion. After the fine particles were completely dispersed, 100 g of ultrapure water was added again, and the temperature was raised to 72.5 ° C. under a nitrogen atmosphere. To this, 50 g of an aqueous solution of 0.35 g of potassium persulfate (KPS), which is a water-soluble initiator, was added, and after 30 minutes, 25 g of styrene (St), divinylbenzene (DVB), and acrylic acid (Acrylic acid) were added. , 4 g, and 4 g of the monomer mixture was slowly dropped over 3 hours to polymerize. After dropping of the monomer, the reaction was further performed for an additional 3 hours, and fine particles of the poly (St-DVB) / poly (St-DVB-AA) core-shell type prepared were unreacted and an emulsifier using a centrifuge. After the removal, the sample was freeze-dried for 48 hours to obtain protruding particles, which were 210 nm in size, in powder form.

위 (1)에서 제조된 니켈이 도금된 기재 입자와 돌기 입자를 나라기계 제작소(주)의 하이브리다이제이션 시스템(Hybridization System)에 의해 복합화 하였다. 이 때의 투입 비는 기재 입자 100에 대한 돌기 형성 미립자 5 중량부로 하였고, 10,000 rpm의 일정 교반 속도에서, 15 분간 물리/화학적 마찰에 의해 돌기부가 불연속적으로 형성된 입자를 제조하였다.The nickel-plated substrate particles and the protuberant particles prepared in (1) above were composited by a hybridization system of Nara Machinery Co., Ltd. The injection ratio at this time was 5 parts by weight of the projection-forming microparticles with respect to the substrate particle 100, and particles having a projection portion discontinuously formed by physical / chemical friction for 15 minutes at a constant stirring speed of 10,000 rpm.

이렇게 제조된 돌기부가 불연속적으로 형성된 니켈 도금 기재 입자의 표면에 무전해 도금법을 이용하여 KAuCN 0.5 M과 착화제(complexing agent) 0.5 M의 조성으로 60 ℃, pH 5에서 30 분 동안 금도금 처리하였다. 금으로 도금 처리된 막의 두께는 40 nm 였다. 상기의 방식으로 제조된 돌기형 도전성 미립자의 최종 구성은 내부의 기재 입자, 니켈 도금층, 돌기부, 그리고 최외각에 금도금층으로 이루어졌다.The protrusions thus prepared were subjected to gold plating for 30 minutes at 60 ° C. and pH 5 with the composition of 0.5 M of KAuCN and 0.5 M of complexing agent using an electroless plating method on the surface of the nickel plated substrate particles formed discontinuously. The thickness of the film plated with gold was 40 nm. The final configuration of the protruding conductive fine particles prepared in the above manner consisted of an inner substrate particle, a nickel plating layer, a protrusion, and a gold plated layer on the outermost part.

절연 입자(2)의 제조Preparation of Insulation Particles 2

먼저 반응기에 메틸메타크릴레이트(MMA) 단량체와 디비닐벤젠(DVB)을, 지용성 개시제인 아조비스이소부티로니트릴 1.0 g, 분산 안정제로서 분자량 40,000인 폴리비닐피롤리돈 17.9 g, 용매로써 1:1 중량비로 혼합된 메탄올과 이온교환수 877.7 g를 혼합 교반하여 완전히 용해시켰다. 이 때, 단량체의 총량은 100.0 g가 되도록 조절하되, DVB를 MMA에 대하여 30.0 중량%로 부착하였다. 이어서 질소 분위기 하에서, 70 ℃에서 24 시간 220 rpm의 교반속도로 교반하면서 중합하였다. 제조 된 폴리(MMA-DVB) 입자는 원심분리기를 이용하여 미반응물과 분산 안정제를 제거시킨 후 진공 오븐에서 24 시간 건조시켜 280 nm 크기의 분말 형태의 경질 미립자를 얻었다. First, methyl methacrylate (MMA) monomer and divinylbenzene (DVB) were introduced into the reactor, 1.0 g of azobisisobutyronitrile as a fat-soluble initiator, 17.9 g of polyvinylpyrrolidone having a molecular weight of 40,000 as a dispersion stabilizer, and 1: as a solvent. Methanol and 877.7 g of ion-exchanged water mixed in 1 weight ratio were mixed and stirred for complete dissolution. At this time, the total amount of the monomer was adjusted to 100.0 g, but DVB was attached at 30.0% by weight based on the MMA. Subsequently, the polymerization was carried out under a nitrogen atmosphere at a stirring speed of 220 rpm for 24 hours at 70 ° C. The prepared poly (MMA-DVB) particles were removed using a centrifuge to remove unreacted materials and dispersion stabilizers, and then dried in a vacuum oven for 24 hours to obtain hard fine particles having a powder size of 280 nm.

이렇게 얻은 폴리(MMA-DVB) 입자 20.0 g를 0.25 % 소디움 라우릴 설페이트(sodium lauryl sulfate: SLS) 수용액 150.0 g에 초음파를 10 분간 조사하여 유리 반응기에서 재분산시켜 분산체를 제조하였다. 미립자가 완전히 분산된 후, 다시 초순수 100.0 g을 투입하여 72.5 ℃까지 질소 분위기 하에서 승온하였다. 여기에, 수용성 개시제인 포테지움 퍼설페이트(potassium persulfate: KPS) 0.2 g의 수용액 50.0 g을 투입하고, 30 분 후에 스티렌, 메틸메타크릴레이트 각 10.0 g을 혼합한 20.0 g의 단량체 혼합물을 3 시간에 걸쳐 서서히 드로핑(dropping)하여 중합을 행하였다. 단량체의 드로핑 후, 추가 3 시간 동안 반응을 더 진행하였고, 제조된 폴리(MMA-DVB)/폴리(St-MMA) 코어-쉘 형태의 미립자를 원심분리기를 이용하여 미반응물과 유화제를 제거한 후, 진공 오븐에서 24시간 동안 건조시켜 350 nm 크기의 복합체인 절연 입자를 분말 형태로 얻었다.20.0 g of the poly (MMA-DVB) particles thus obtained were irradiated with ultrasonic waves for 10 minutes to 150.0 g of an aqueous 0.25% sodium lauryl sulfate (SLS) solution for 10 minutes to prepare a dispersion. After the fine particles were completely dispersed, 100.0 g of ultrapure water was added again, and the temperature was raised to 72.5 ° C. under a nitrogen atmosphere. 50.0 g of an aqueous solution of 0.2 g of potassium persulfate (KPS), which is a water-soluble initiator, was added thereto, and 30 minutes later, a 20.0 g monomer mixture obtained by mixing 10.0 g of styrene and methyl methacrylate was added in 3 hours. The polymerization was carried out by slowly dropping over. After the dropping of the monomer, the reaction was further performed for an additional 3 hours, and the unreacted material and the emulsifier were removed from the prepared poly (MMA-DVB) / poly (St-MMA) core-shell type fine particles using a centrifuge. After drying for 24 hours in a vacuum oven, 350 nm-sized composite particles were obtained in powder form.

절연성 도전 입자(1)의 제조Preparation of the insulating conductive particle 1

상기의 방법으로 제조된 돌기형 도전 입자(10)와 절연 입자(2)를 나라기계제작소(주)의 하이브리다이제이션 시스템(Hybridization System)에 의해 복합화 하였다. 이때의 투입 비는 90 : 10로 하였고, 9,000 rpm의 일정 교반 속도에서, 12분간 물리/화학적 마찰에 의해 절연 전도성 미립자가 제조되었다. The protruding conductive particles 10 and the insulating particles 2 produced by the above method were combined by a hybridization system of Nara Machinery Co., Ltd. At this time, the injection ratio was 90:10, and the insulating conductive fine particles were produced by physical / chemical friction for 12 minutes at a constant stirring speed of 9,000 rpm.

실시예 2∼3Examples 2 to 3

실시예 2, 3에서는 절연 입자의 복합화 과정에서 돌기형 도전 입자와 절연 입자의 혼합비를 표 1에 기재된 바와 같이 수행한 것 이외에는 상기 실시예 1과 동일하게 절연성 도전 입자를 제조하였다.In Examples 2 and 3, insulating conductive particles were prepared in the same manner as in Example 1 except that the mixing ratio of the protruding conductive particles and the insulating particles was performed as described in Table 1 during the compounding of the insulating particles.

비교실시예 1∼3Comparative Examples 1 to 3

비교실시예 1∼3에서는 절연 입자의 제조 시에 지용성 개시제인 아조비스이소부티로니트릴과 분산 안정제인 폴리비닐피롤리돈의 투입량 변화를 통해 절연 입자의 크기를 120, 240 900 ㎚로 조절하여 합성한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 방법으로 절연성 도전 입자를 제조하였다.In Comparative Examples 1 to 3, the size of the insulating particles was adjusted to 120, 240 and 900 nm by changing the dosage of azobisisobutyronitrile, a fat-soluble initiator, and polyvinylpyrrolidone, a dispersion stabilizer, in preparation of the insulating particles. Insulating conductive particles were prepared in the same manner as in Example 1 except for the ones.

상기 실시예 1∼3 및 비교실시예 1∼3에서 제조된 절연성 도전 입자를 이용하여 이방도전성 필름을 제조하기 위해 NBR 고무 65 중량부, 에폭시 당량이 7000인 비스페놀 A형 에폭시수지 25 중량부 및 경화제로 2-메틸이미다졸 4 중량부를 톨루엔 및 메틸에틸케톤의 혼합용매에 용해시킨 후, 제조된 절연 도전성 미립자를 실란 커플링제와 함께 각각 잘 분산시킨 다음 이형 PET 필름위에 코팅하여 건조시킨 다음, 두께 25 ㎛의 이방 도전성 필름을 제조하였다. 단위 면적당의 필름 중에 함유된 도전성 미립자의 개수는 20,000 개/㎟ 였다. 이렇게 제조한 이방 도전성 접착 필름을 사용하여 다음과 같이 IC 칩의 접속 저항의 측정을 실시하였다.65 parts by weight of NBR rubber, 25 parts by weight of bisphenol A type epoxy resin having an epoxy equivalent of 7000, and a curing agent to prepare an anisotropic conductive film using the insulating conductive particles prepared in Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 3 After dissolving 4 parts by weight of 2-methylimidazole in a mixed solvent of toluene and methyl ethyl ketone, the prepared insulating conductive fine particles were dispersed together with the silane coupling agent, and then coated and dried on a release PET film, followed by thickness. An anisotropic conductive film of 25 µm was prepared. The number of electroconductive fine particles contained in the film per unit area was 20,000 piece / mm <2>. The connection resistance of an IC chip was measured as follows using the anisotropically conductive adhesive film manufactured in this way.

사용된 평가용 IC칩의 범프(bump) 전극 높이는 약 40 ㎛, IC칩의 크기는 6 ㎜×㎜ 였다. BT수지 0.8 ㎜ 두께의 기판 상에 8 ㎛ 두께의 구리 및 금도금으로 배선 패턴을 형성한 기판을 사용하였다. 상기 IC칩과 기판과의 사이(이 경우, 범프(bump) 전극 높이와 배선 패턴 높이와의 합계는 약 58 ㎛임)에 상기 이방도전성 접착용 필름을 기재시킨 상태에서 온도 180 ℃, 압력 1.5 MPa-bump의 조건으로 10초간 가압하고, 압착하여 접속시켰다. 이어서 상기 전기적 접속 구조체 샘플의 상하 전극간의 전기저항을 측정하는 경우, 20 개의 각각의 인접하는 상하 전극간 전기저항을 측정하고 그 평균치를 계산하여 접속저항으로 나타내었다.The bump electrode height of the evaluation IC chip used was about 40 µm, and the size of the IC chip was 6 mm x mm. The board | substrate which formed the wiring pattern by copper and gold plating of 8 micrometers thick on the board | substrate of 0.8 mm thick BT resin was used. A temperature of 180 ° C. and a pressure of 1.5 MPa in the state in which the anisotropic conductive adhesive film is described between the IC chip and the substrate (in this case, the sum of the bump electrode height and the wiring pattern height is about 58 μm). It pressurized for 10 second on condition of -bump, and crimped | bonded and connected. Subsequently, when the electrical resistance between the upper and lower electrodes of the sample of the electrical connection structure was measured, the electrical resistance between 20 adjacent upper and lower electrodes was measured, and the average value thereof was calculated and represented as the connection resistance.

또한, 범프 전극 규격 15 ㎛ × 70 ㎛, 범프 전극 높이 15 ㎛, 피치 45 ㎛인 IC 칩과 ITO로 배선 패턴을 형성한 투명기판을 상기와 동일한 접속방법으로 이방 전도성 접착필름으로 접속하고, 접속부에 1 kV의 높은 전압을 1 분간 인가하여 전기적 단락(short)의 발생 유무로 절연신뢰성을 평가하고 그 결과를 표 1에 나타내었다.In addition, an IC chip having a bump electrode size of 15 μm × 70 μm, a bump electrode height of 15 μm, and a pitch of 45 μm and a transparent substrate on which wiring patterns were formed by ITO were connected with an anisotropic conductive adhesive film by the same connection method as described above. Insulation reliability was evaluated by applying a high voltage of 1 kV for 1 minute and the presence or absence of an electrical short was shown in Table 1 below.

상기 실시예 1∼3 및 비교실시예 1∼3에서 제조된 절연성 도전 입자의 내용제성 평가는 이방 전도성 접착 필름을 제조하기 위한 수지 조성물과 비슷한 점도의 용제 혼합물을 이용하였다. 톨루엔/메틸에틸케톤 혼합용제에 NBR 고무가 40 중량% 용해되어 있는 고점도의 용제 혼합물에 절연성 도전 입자를 일정량 정량하여 분산시키고 5시간 동안 교반한 후 절연성 도전 입자만 따로 회수하고 건조하여, 용제 처리 전의 입자 중량 대비 용제 처리 후의 입자 중량비를 측정함으로써 내용제성을 평가하였다. 이와 같이 얻어진 절연성 도전 입자의 내용제성 평가 결과를 표1에 나 타내었다.To evaluate the solvent resistance of the insulating conductive particles prepared in Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 3, a solvent mixture having a viscosity similar to that of the resin composition for producing an anisotropic conductive adhesive film was used. After dissolving a certain amount of insulating conductive particles in a highly viscous solvent mixture in which 40% by weight of NBR rubber is dissolved in a toluene / methylethyl ketone mixed solvent, stirring for 5 hours, only the insulating conductive particles are separately collected and dried, and before solvent treatment. Solvent resistance was evaluated by measuring the particle weight ratio after solvent treatment with respect to particle weight. The solvent resistance evaluation results of the insulating conductive particles thus obtained are shown in Table 1.

Figure 112006095374064-pat00001
Figure 112006095374064-pat00001

상기 실시예 1∼3 및 비교실시예 1∼3 에서 알 수 있는 바와 같이, 본 발명에 따른 절연성 도전 입자 표면에 고정화된 절연 입자의 입경이 돌기부의 높이 보다 커 절연성을 구현하고, 돌기형 도전 입자 입경의 20% 이하의 입경을 유지함으로써, 작은 충격이나 압력에 의해 쉽게 이탈되지 않으며, 비교실시예 1, 2와 같이 절연 입자의 크기가 돌기부의 높이보다 작은 절연 입자로 절연처리 된 절연성 도전 입자의 경우와, 비교실시예 3과 같이 절연 입자의 크기가 돌기형 도전 입자의 입경보다 20% 이상의 입경을 갖는 절연 입자로 절연처리된 절연성 도전 입자에 비하여 우수한 절연 신뢰성 및 내용제성을 나타내고 있음을 알 수 있다.As can be seen in the above Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 3, the particle size of the insulating particles immobilized on the surface of the insulating conductive particles according to the present invention is larger than the height of the protrusions to realize insulation, and the projection conductive particles By maintaining the particle size of 20% or less of the particle size, it is not easily separated by small impact or pressure, and the insulating conductive particles insulated with the insulating particles whose size of the insulating particles are smaller than the height of the protrusions as in Comparative Examples 1 and 2, As shown in Comparative Example 3, it was found that the size of the insulating particles showed superior insulation reliability and solvent resistance as compared with the insulating conductive particles insulated with the insulating particles having a particle diameter of 20% or more than the particle diameter of the protruding conductive particles. have.

본 발명은 돌기형 도전 입자를 제조하고 그 표면에 절연 입자를 불연속으로 고정화함으로써 전극에 접속할 때에 절연층의 제거가 용이하며, 나아가 돌기형 도전 입자의 적절한 크기 범위를 제안함으로써 z축 방향의 도전성, xy 평면 방향의 절연성 및 내용제성이 우수한 절연성 도전 입자를 제공한다. 또한, 배선 패턴의 파인-피치화 및 이방 전도성 접착 필름의 저온 속 경화에 적합한 절연성 도전 입자, 절연성 도전 입자를 이용한 이방 도전성 접착 필름 및 전기적 접속 구조체를 제공하는 발명의 효과를 갖는다.The present invention facilitates the removal of the insulating layer when the electrode is connected to the electrode by producing the projection conductive particles and discontinuously immobilizing the insulating particles on the surface thereof, and furthermore suggests an appropriate size range of the projection conductive particles, thereby providing conductivity in the z-axis direction, Provided are insulating conductive particles excellent in insulation and solvent resistance in the xy plane direction. Moreover, it has the effect of providing the insulating conductive particle suitable for the fine-pitching of a wiring pattern, and the low temperature hardening of an anisotropically conductive adhesive film, an anisotropically conductive adhesive film using insulating conductive particle, and an electrical connection structure.

본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 이 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의하여 용이하게 이용될 수 있으며, 이러한 변형이나 변경은 모두 본 발명의 영역에 포함되는 것으로 볼 수 있다.Simple modifications and variations of the present invention can be readily used by those skilled in the art, and all such variations or modifications can be considered to be included within the scope of the present invention.

Claims (11)

기재 입자(11), 상기 기재 입자의 표면에 도금된 제1 금속층(12), 상기 제1 금속층의 표면에 불연속적으로 형성된 돌기부(13) 및 상기 돌기부가 형성된 제1 금속층의 표면에 형성된 제2 금속층(14)으로 이루어진 돌기형 도전 입자(10); 및Substrate particles 11, the first metal layer 12 plated on the surface of the substrate particles, the projections 13 formed discontinuously on the surface of the first metal layer and the second formed on the surface of the first metal layer formed with the projections Protruding conductive particles 10 made of a metal layer 14; And 상기 돌기형 도전 입자의 표면에 불연속적으로 고정화된 절연 입자(2);Insulating particles (2) fixedly discontinuously fixed on the surface of the protruding conductive particles; 로 이루어지고, 상기 절연 입자의 직경은 상기 제1 금속층의 표면에 형성된 돌기부(13)의 높이보다 크고 상기 돌기형 도전 입자(10)의 직경의 20 % 이하의 범위에 있으며,The diameter of the insulating particles is greater than the height of the protrusion 13 formed on the surface of the first metal layer is in the range of 20% or less of the diameter of the projecting conductive particles 10, 상기 절연 입자(2)는 전극에 접속될 때, 원래의 위치로부터 이탈함으로써 돌기형 도전 입자와 전극이 전기적으로 접속되는 것을 특징으로 하는 절연성 도전 입자.When the said insulating particle (2) is connected to an electrode, the protruding conductive particle and an electrode are electrically connected by deviating from an original position, The insulating conductive particle characterized by the above-mentioned. 제1항에 있어서, 상기 제1 금속층은 니켈로 이루어지고, 상제 제2 금속층은 금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 절연성 도전 입자.The insulating conductive particle according to claim 1, wherein the first metal layer is made of nickel, and the upper second metal layer is made of gold. 제1항에 있어서, 상기 돌기부는 돌기 입자를 기계적/복합화 법에 의하여 상기 제1 금속층의 표면에 형성한 것을 특징으로 하는 절연성 도전 입자.The insulating conductive particle according to claim 1, wherein the protruding portion is formed of the protruding particles on the surface of the first metal layer by a mechanical / composite method. 제3항에 있어서, 상기 돌기 입자는 경질의 코어 영역과 연질의 쉘 영역으로 이루어진 코어-쉘 구조인 것을 특징으로 하는 절연성 도전 입자.The insulating conductive particle according to claim 3, wherein the protruding particles have a core-shell structure composed of a hard core region and a soft shell region. 제1항에 있어서, 상기 기재 입자(11)의 평균 입경은 1∼20 ㎛이고, 접속 저항은 100 Ω 이하인 것을 특징으로 하는 절연성 도전 입자. The insulating conductive particle of Claim 1 whose average particle diameter of the said substrate particle (11) is 1-20 micrometers, and connection resistance is 100 GPa or less. 제1항에 있어서, 상기 절연 입자(2)는 경질의 코어 영역과 연질의 쉘 영역으로 이루어진 코어-쉘 형태의 고분자 수지 입자인 것을 특징으로 하는 절연성 도전 입자.The insulating conductive particles according to claim 1, wherein the insulating particles (2) are core-shell polymer polymer particles composed of a hard core region and a soft shell region. 제4항 또는 제6항에 있어서, 상기 경질의 코어 영역은 디비닐벤젠, 1,4-디비닐옥시부탄, 디비닐술폰, 디알릴 프탈레이트, 디알릴아크릴아미드, 트리알릴 (이소)시아누레이트, 트리알리 트리멜리테이트 등의 알릴 화합물과 (폴리)에틸렌 글리콜 디(메타)아크릴레이트, (폴리)프로필렌 글리콜 디(메타)아크릴레이트, 펜타에릴트리톨 테트라(메타)아크릴레이트, 펜타에릴트리톨 트리(메타)아크릴레이트, 펜타에릴트리톨 디(데타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리(메타)아크릴레이트, 디펜타에릴트리톨 헥사(메타)아크릴레이트, 디펜타에릴트리톨 펜타(메타)아크릴레이트 및 글리세롤 트리(메타)아크릴레이트로 이루어진 군으로부터 선택된 아크릴 화합물의 단량체가 라디칼 중합된 가교 고분자 미립자이고, The hard core region according to claim 4 or 6, wherein the hard core region is divinylbenzene, 1,4-divinyloxybutane, divinylsulphone, diallyl phthalate, diallyl acrylamide, triallyl (iso) cyanurate. , Allyl compounds such as trially trimellitate, (poly) ethylene glycol di (meth) acrylate, (poly) propylene glycol di (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, pentaerylyl Tritol tri (meth) acrylate, pentaaryl tritol di (de) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, dipentaerythritol Monomers of acrylic compounds selected from the group consisting of penta (meth) acrylate and glycerol tri (meth) acrylate are crosslinked polymer fine particles radically polymerized, 상기 연질의 쉘 영역은 (메타)아크릴산, 말레익산, 이타코닉산 등을 포함하는 불포화 카르복시산, 2-히드록시에틸 (메타)아크릴레이트, 히드록시프로필 (메타)아크릴레이트, 히드록시부틸 (메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜 (메타)아크릴레이트, 메톡시폴리에틸렌글리콜 (메타)아크릴레이트, 글리시딜 (메타)아크릴레이트, 디메틸아미노에틸 (메타)아크릴레이트, 알릴 글리시딜 에테르, 2-이소프로페닐-2-옥사졸린, 디에틸아미노에틸 (메타)아크릴레이트, 알킬(메타)아크릴아마이드, 4-비닐피리딘, N-메틸올 아크릴아마이드, 디메틸아미노프로필 (메타)아크릴아마이드, (메타)아크릴로일 클로라이드, (메타)아크릴로니트릴, 스티렌 술폰산, 소듐스티렌 술포네이트 및 그 술폰산 유도체로 이루어진 군으로부터 선택된 단량체의 중합체인 것을 특징으로 하는 절연성 도전 입자.The soft shell region includes unsaturated carboxylic acid, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, hydroxypropyl (meth) acrylate, hydroxybutyl (meth), including (meth) acrylic acid, maleic acid, itaconic acid, and the like. Acrylate, polyethylene glycol (meth) acrylate, methoxypolyethylene glycol (meth) acrylate, glycidyl (meth) acrylate, dimethylaminoethyl (meth) acrylate, allyl glycidyl ether, 2-isopropenyl 2-oxazoline, diethylaminoethyl (meth) acrylate, alkyl (meth) acrylamide, 4-vinylpyridine, N-methylol acrylamide, dimethylaminopropyl (meth) acrylamide, (meth) acryloyl Characterized in that it is a polymer of a monomer selected from the group consisting of chloride, (meth) acrylonitrile, styrene sulfonic acid, sodium styrene sulfonate and its sulfonic acid derivatives. Is an insulating conductive particle. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 따른 절연성 도전 입자가 열경화성 수지상에 분산되어 있는 이방 도전성 접착 필름.The anisotropically conductive adhesive film in which the insulating conductive particle in any one of Claims 1-6 is disperse | distributed on a thermosetting resin. 제8항의 이방 도전성 접착 필름이 마주보는 기판의 전극 사이에 압착되어 있는 것을 특징으로 하는 전기적 접속 구조체.The electrical connection structure of Claim 8 is crimped | bonded by the electrode of the board | substrate which opposes. 제7항에 따른 절연성 도전 입자가 열경화성 수지상에 분산되어 있는 이방 도전성 접착 필름.The anisotropically conductive adhesive film in which the insulating conductive particle of Claim 7 is disperse | distributed on a thermosetting resin. 제10항의 이방 도전성 접착 필름이 마주보는 기판의 전극 사이에 압착되어 있는 것을 특징으로 하는 전기적 접속 구조체.An anisotropically conductive adhesive film of claim 10 is pressed between the electrodes of the substrate facing each other, the electrical connection structure.
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