KR100845704B1 - 나노와이어의 제조방법 및 나노와이어가 성장된 기판 - Google Patents
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- 239000002070 nanowire Substances 0.000 title claims abstract description 84
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 69
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 75
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 75
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 claims abstract description 54
- 150000002738 metalloids Chemical class 0.000 claims abstract description 54
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 47
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 32
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims abstract description 25
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 20
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 18
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 15
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims description 14
- 150000002737 metalloid compounds Chemical class 0.000 claims description 14
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 12
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 8
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 7
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical group [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 4
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 3
- 238000010422 painting Methods 0.000 claims description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 3
- 229910052789 astatine Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 28
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 15
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 7
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 4
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 4
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VTLYFUHAOXGGBS-UHFFFAOYSA-N Fe3+ Chemical compound [Fe+3] VTLYFUHAOXGGBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SICLLPHPVFCNTJ-UHFFFAOYSA-N 1,1,1',1'-tetramethyl-3,3'-spirobi[2h-indene]-5,5'-diol Chemical compound C12=CC(O)=CC=C2C(C)(C)CC11C2=CC(O)=CC=C2C(C)(C)C1 SICLLPHPVFCNTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N Hydroxylamine Chemical compound ON AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000011949 solid catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02587—Structure
- H01L21/0259—Microstructure
- H01L21/02603—Nanowires
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- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
- H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
- H01L21/0231—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to electromagnetic radiation, e.g. UV light
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02636—Selective deposition, e.g. simultaneous growth of mono- and non-monocrystalline semiconductor materials
- H01L21/02639—Preparation of substrate for selective deposition
- H01L21/02645—Seed materials
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
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- Catalysts (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
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Abstract
본 발명은 금속 또는 준금속의 화합물 기판 상부에 촉매를 도입하는 단계; 상기 촉매를 전자기파 방사에 의해 선택적으로 가열하는 단계; 및 상기 촉매의 가열에 의해 상기 금속 또는 준금속의 화합물 기판으로부터 나노와이어가 성장하는 단계를 포함하는 나노와이어의 제조방법 및 이에 의해 나노와이어가 성장된 기판에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 기판 상부에 금속 또는 준금속의 화합물 막을 형성하는 단계; 상기 금속 또는 준금속의 화합물 막 상부에 촉매를 도입하는 단계; 상기 촉매를 전자기파 방사에 의해 선택적으로 가열하는 단계; 및 상기 촉매의 가열에 의해 상기 금속 또는 준금속의 화합물 막으로부터 나노와이어가 성장하는 단계를 포함하는 나노와이어의 제조방법 및 이에 의해 나노와이어가 성장된 기판에 관한 것이다.
나노와이어, 전자기파 방사, 촉매
Description
도 1은 본 발명에서 사용한 나노와이어 제조장치의 개략도이다.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 나노와이어의 제조 공정을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 일 실시예에 따라 전자기파를 흡수하지 않는 기판 상에서 나노와이어를 제조하는 공정을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 4는 본 실시예 1에 따라 실리콘 웨이퍼로부터 제조된 실리콘 나노와이어의 주사 전자 현미경 (SEM) 사진이다.
도 5는 본 실시예 2에 따라 전자기파를 흡수하지 않는 기판 위에 제조된 실리콘 나노와이어의 주사 전자 현미경 (SEM) 사진이다.
도 6 은 본 실시예 2에 따라 전자기파를 흡수하지 않는 기판 위에 제조된 실리콘 나노와이어의 고분해능 전자 현미경 (HR-TEM) 사진이다.
도 7은 본 실시예 3에 따라 전자기파를 흡수하지 않는 기판 위에 제조된 티타늄 나노와이어의 주사 전자 현미경(SEM) 사진이다.
도 8은 본 실시예 3에 따라 전자기파를 흡수하지 않는 기판 위에 제조된 티타늄 나노와이어의 X-선 회절분석 (XRD) 결과이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
10 : 탄소소스 공급기 11 : 가스 공급기
12 : 보조 가스 공급기 20 : 교반기
30 : 반응기 40 : 전자파 발생기
본 발명은 나노와이어의 제조방법 및 나노와이어가 성장된 기판에 관한 것으로, 구체적으로는 전자기파 방사와 촉매를 이용하여 금속 또는 준금속의 화합물 기판이나 막으로부터 나노와이어를 제조하는 방법 및 나노와이어가 성장된 기판에 관한 것이다.
최근 일차원 나노와이어를 이용한 전계방출소자(Field Effect Transistor), 광검출소자(Photodetector), 화학(chemical sensor) 및 바이오센서(biosensor), 나노레이저(Nanoscale laser), Light Emitting Diode(LED), logic gates 등 고기능성 나노 소자가 구현되기 시작하면서 나노와이어는 탄소나노튜브와 더불어 실용화에 가장 근접해 있는 나노 소재로 주목 받고 있다.
특히 반도체 나노와이어는 불순물의 첨가에 의해 전기 전도도와 밴드갭을 조절하기가 훨씬 용이할 뿐만 아니라, 빛을 내기 때문에 bottom-up 방식을 이용한 차세대 저전력, 고효율의 나노 전자소자, 발광소자의 핵심소재로 급부상하고 있다.
종래 기술은 실리콘을 가스 상태로 주입하여 높은 열로서 나노와이어를 형성 하거나, 실리콘 웨이퍼에서 소스를 주입하지 않고 직접적으로 열을 가하여 나노와이어를 성장시키는 방법을 사용되어 왔다. 후자의 경우, 간단한 실험 장치와 더불어 실리콘 기판에서 직접 성장하므로 나노와이어에 별도의 도핑이 필요 없다는 장점이 있다. 도핑된 실리콘 웨이퍼를 사용하므로서 이에 따라 나노와이어도 n형, p형 도판트 주입이 저절로 이루어지는 것이다. 또한 실험 환경 변화에 따라 SiC 나노와이어와 SiO2 나노와이어도 쉽게 얻을 수 있다는 장점도 있다.
그러나 종래의 기술인 일반적인 가열 방식은 반응기 전체를 가열하므로, 에너지 공급이 비효율적이다. 따라서 반응시간을 수십 분에서 수 시간까지 매우 긴 시간을 필요로 한다. 또한, 샘플 전체가 높은 온도의 환경에 놓여지게 되므로 유리(glass) 또는 플라스틱 기판 위에 실리콘 나노와이어를 형성하는데 어려움이 있다.
본 발명은 전자기파 방사를 이용하여 고체 소스로부터 나노와이어를 제조하는 방법을 제공하고자 한다. 전자기파 사용은 나노와이어 형성 물질과 촉매만을 가열하므로 에너지 공급이 효율적이고 신속한 가열이 가능하다. 따라서, 전자기파 방사를 이용하여 나노와이어를 신속하게 제조하고 전자기파를 흡수하지 않는 기판 위에서도 직접 나노와이어를 제조하는 방법을 제공하고자 한다.
본 발명은 금속 또는 준금속의 화합물 기판 상부에 촉매를 도입하는 단계; 상기 촉매를 전자기파 방사에 의해 선택적으로 가열하는 단계; 및 상기 촉매의 가 열에 의해 상기 금속 또는 준금속의 화합물 기판으로부터 나노와이어가 성장하는 단계를 포함하는 나노와이어의 제조방법을 제공한다. 또한, 기판 상부에 금속 또는 준금속의 화합물 막을 형성하는 단계; 상기 금속 또는 준금속의 화합물 막 상부에 촉매를 도입하는 단계; 상기 촉매를 전자기파 방사에 의해 선택적으로 가열하는 단계; 및 상기 촉매의 가열에 의해 상기 금속 또는 준금속의 화합물 막으로부터 나노와이어가 성장하는 단계를 포함하는 나노와이어의 제조방법을 제공한다.
그리고 본 발명은 금속 또는 준금속의 화합물 기판; 및 상기 금속 또는 준금속의 화합물 기판의 상부에 성장된 나노와이어를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노와이어가 성장된 기판을 제공한다. 또한, 기판; 상기 기판 상부에 형성된 금속 또는 준금속의 화합물 막; 및 상기 금속 또는 준금속의 화합물 막 상부에 성장된 나노와이어를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노와이어가 성장된 기판을 제공한다.
이하, 본 발명을 상세하게 설명하면 다음과 같다.
본 발명에서 전자기파 방사에 의해 나노와이어가 형성되는 원리는 다음과 같다. 전자기파를 특히 잘 흡수하는 촉매를 중심으로 국부적인 가열이 일어나고, 이에 따라서 촉매 주변의 나노와이어 형성 물질의 원자들이 충분한 에너지를 공급 받아서 움직이기 시작한다. 이에 촉매와 금속 또는 준금속의 화합물은 합금(alloy)을 형성하고, 촉매를 기준으로 금속 또는 준금속의 화합물은 농도차에 의해 확산(diffusion)되어 나노와이어가 석출, 성장하게 된다.
기판과 촉매를 외부로부터 가열하는 방식에 비해, 본 발명에서는 촉매 또는 나노와이어 형성 물질이 전자기파를 직접 흡수하여 가열하는 방식이 이용되므로 반 응시간 또한 수 초 내지 수 분으로 아주 짧다는 장점을 가진다.
또한, 본 발명에 의해 제조된 나노와이어는 사용되는 금속 또는 준금속의 화합물 기판 또는 금속 또는 준금속의 화합물 막의 성분과 동일한 성분의 나노와이어로서, 비정형 및/또는 결정성을 모두 가질 수 있다.
상기 전자기파 방사는 나노와이어 제조장치의 반응기 안에서 발생되는데, 도 1은 본 발명에 사용되는 나노와이어 제조장치의 개략도를 나타낸다.
본 발명에서 사용된 나노와이어 제조장치는 마이크로웨이브, RF(Radio Frequency) 중 어느 하나를 그의 출력값과 반응시간을 소정 크기별로 정량적으로 조절하여 전자파를 발생시키는 장치이다.
도 1에 도시된 나노와이어 제조장치는 전자파 중 전자기파, 즉 마이크로웨이브를 발생시켜 반응기 내에서 촉매와 금속이 전자기파를 흡수하여 나노와이어 제조를 수행하는 장치 구성을 갖는다.
즉, 나노와이어 제조장치는 반응의 분위기를 조절하기 위한 여러가지 개스 공급라인을 포함한다. 구체적으로는 나노와이어의 표면에 탄소층을 형성시키기 위한 경우에 사용할 수 있는 탄소소스 공급기(10), 불활성 및 환원성 분위기를 조절할 수 있는 탄소소스를 포함하지 않는 가스 공급기(11), 보조 가스 공급기(12)가 있으며, 여기에 각각 연결된 해당 배관을 통해 해당 가스를 공급받을 수 있도록 제작된 교반기(20)와, 상기 교반기(20)의 내용물을 공급받을 수 있도록 배관된 반응기(30)와, 상기 반응기(30)에 결합되어 소정 반응시간 동안 정량적으로 소정 크기의 출력값의 마이크로웨이브를 상기 반응기(30) 내에서 발생시키는 전자파 발생기 (40)를 포함한다.
같은 방식으로, 해당 온/오프 밸브, 체크밸브, 유량 제어기(MFC), 필터는 가스 공급기(11)에 결합되어 아르곤(Ar), 수소(H2), 질소(N2) 또는 아르곤(Ar)과 수소(H2)의 혼합물 등과 같이 탄소소스가 섞여 있지 않은 가스를 반응기(30)의 내부로 정량적으로 유입(또는 주입)시키도록 되어 있다.
물론, 보조 가스 공급기(12)도 앞서의 대등한 내부 구성(on/off valve, check valve, MFC, filter)을 구비하여 암모니아(NH3), 황화수소(H2S) 등과 같은 보조 가스를 반응기(20) 내부에 정량적으로 공급시키도록 되어 있다.
여기서, 전자파 발생기(40)는 기본적으로 오토 튜너(auto tuner), 출력량 미터(power meter), 아이솔레이터 및 더미 로드(isolator & dummy load), 마그네트론 및 런쳐(magnetron & launcher), 출력값 및 시간 조절 기능을 갖는 외부 신호 박스(external signal box), 전원공급기(power supply)를 구비하여 정량적으로 마이크로웨이브를 반응기(20) 내부에서 발생시킬 수 있도록 제작되어 있는 것이 바람직하다.
전술한 전자파 가열장치는 물질에 따라 반응기(30) 내부측으로 가할 출력값(power)을 조절하여 전자파를 방사하도록 되어 있으며, 이러한 전자파 장치에 의해서 나노와이어가 반응기(30) 내부에서 합성된다.
이때, 아르곤(Ar), 수소(H2), 질소(N2) 또는 아르곤(Ar)과 수소(H2)의 혼합물 등 탄소소스가 섞여 있지 않은 가스가 적어도 가스 공급기(11), 교반기(20), 교반 기(20)의 출력측 배관에 개재된 체크밸브와 필터를 통해 반응기(30) 내부로 흘려 보내짐에 따라, 나노와이어 합성시 불순물을 제거하는 수단으로 사용된다.
이때 물질에 따라 출력값(power)을 조절하여 전자기파를 방사하면 수 초 내지 수 분의 매우 짧은 시간 안에 나노와이어가 제조된다
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 일 실시예에 따라 제조되는 실리콘 나노와이어의 제조 공정도를 나타낸 것으로, 실리콘 웨이퍼(1) 상부에 촉매(2)를 스퍼터링법을 통해 도입한 후, 불활성(inert) 가스 분위기에서 전자기파 방사를 통해 실리콘 나노와이어(3)가 실리콘 웨이퍼(1) 위에 직접 제조되는 것을 보여준다. 실리콘 웨이퍼 1은 n형 또는 p형을 모두 사용할 수 있다.
도 3a 내지 도 3d는 전자기파를 흡수하지 않는 유리(glass) 또는 플라스틱 기판(4) 상부에 금속 또는 준금속의 화합물 막(5)을 형성하고, 그 위에 촉매(2)를 얹은 후, 불활성(inert) 가스 분위기에서 전자기파 방사를 통해 나노와이어(6)가 기판(4) 위에 직접적으로 제조되는 공정도를 보여준다.
본 발명의 금속 또는 준금속의 화합물 막이 형성된 기판에서의 상기 기판은 전자기파를 흡수하지 않는 기판이거나, 금속 또는 준금속의 화합물 기판일 수 있다. 이때 전자기파를 흡수하지 않는 기판으로는 유리(glass) 기판 또는 플라스틱 기판이 바람직하다.
또한, 본 발명의 상기 금속 또는 준금속의 화합물 기판은 Si, Ge, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ta, W, Pt, Au, Ag, Pd, Al, Ga, In, As, Sb, Sn, Pb, Bi, 및 Tl 로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 금속 또는 준금속, 상기 금속 또는 준금속의 합금, 상기 금속 또는 준금속의 황화물, 상기 금속 또는 준금속의 탄화물, 상기 금속 또는 준금속의 산화물, 또는 상기 금속 또는 준금속의 질화물로 이루어질 수 있다.
따라서, 상기 금속 또는 준금속의 화합물 기판에는 실리콘 웨이퍼, SiO2 웨이퍼, 실리콘 카바이드 웨이퍼, Ge 웨이퍼 등의 반도체 웨이퍼도 포함된다.
본 발명의 상기 금속 또는 준금속의 화합물 막은 Si, Ge, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ta, W, Pt, Au, Ag, Pd, Al, Ga, In, As, Sb, Sn, Pb, Bi, 및 Tl 로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 금속 또는 준금속, 상기 금속 또는 준금속의 합금, 상기 금속 또는 준금속의 황화물, 상기 금속 또는 준금속의 탄화물, 상기 금속 또는 준금속의 산화물, 또는 상기 금속 또는 준금속의 질화물로 이루어진 단일층 또는 복수층의 막일 수 있으며, 그 형성방법으로는 증착, 스퍼터링, 페인팅, 분사, 함침 등 일반적으로 사용되는 방법이 가능하다.
또한, 본 발명에서의 촉매는 금, 철, 니켈, 또는 코발트가 사용될 수 있다.
상기 촉매는 금속 또는 준금속의 화합물 기판 또는 금속 또는 준금속의 화합물 막 상부의 전부 또는 일부에 막(film) 또는 입자 형태로 도입될 수 있다. 촉매를 도입하는 방법의 예로는 증착, 스퍼터링, 페인팅, 분사, 함침 등의 방법이 있다.
그리고 본 발명에서, 상기 촉매가 전자기파 방사에 의해 선택적으로 가열되는 단계는 질소, 헬륨, 네온, 아르곤과 같은 불활성 가스 및/또는 수소 가스 하에서 이루어진다. 반응성 없는 불활성 가스 하에서 전자기파 방사에 의한 촉매의 가열도 가능하지만, 수소 가스가 촉매의 산화 방지 및 촉매의 활성화를 증대하는 역할을 하기 때문에 수소 가스 하에서 전자기파 방사에 의한 촉매의 가열도 가능하며 효과적일 수 있다.
본 발명에 따라 나노와이어가 성장된 기판은, 금속 또는 준금속의 화합물 기판; 및 상기 금속 또는 준금속의 화합물 기판의 상부에 성장된 나노와이어를 포함한 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따라 나노와이어가 성장된 기판은, 기판; 상기 기판 상부에 형성된 금속 또는 준금속의 화합물 막; 및 상기 금속 또는 준금속의 화합물 막 상부에 성장된 나노와이어를 포함한 것을 특징으로 한다.
상기 나노와이어는 촉매와 전자기파 방사에 의해 성장된 것, 즉 본 발명의 제조방법에 의해 상기 금속 또는 준금속의 화합물 기판으로부터 직접 성장된 것이거나, 상기 금속 또는 준금속의 화합물 막으로부터 직접 성장된 것일 수 있다.
이하 본 발명을 실시예를 통하여 상세히 설명하면 다음과 같다. 단, 하기 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명이 하기 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
(실시예 1)
p형 실리콘 웨이퍼 위에 스퍼터링법을 사용하여 촉매로서 금을 40nm 두께의 막(필름) 형태로 도입한 후, 도 1에 도시된 전자기파 방사 장치의 반응기 속에 넣고, 아르곤 180sccm과 수소 20sccm의 가스 분위기에서 forward power 700W와 reflected power 100W에서 20초 동안 반응하여 실리콘 웨이퍼로부터 실리콘 나노와이어를 제조하였다.
도 4는 실리콘 웨이퍼의 표면에 직접 합성된 실리콘 나노와이어를 10,000배와 50,000배로 확대한 주사 전자 현미경(SEM) 사진으로, 이에 의해 실리콘 나노와이어가 제조 되었음을 확인할 수 있었다. 또한 나노와이어의 직경은 수 ~ 수십 nm임을 확인할 수 있었다.
(실시예 2)
유리(glass)를 기판으로 사용하고 그 위에 스퍼터링법을 사용하여 실리콘과 촉매로 금을 각각 2㎛, 40nm 두께의 막 형태로 차례로 도입한 후, 실시예 1과 동일한 전자기파 방사 장치의 반응기 속에 넣고, 아르곤 180sccm과 수소 20sccm의 가스 분위기 하에서 60초 동안 forward power 800W와 reflected power 400W의 조건에서 반응시켜 유리(glass) 기판 위에 실리콘 나노와이어를 제조하였다.
도 5는 유리(glass) 기판 위에 직접 제조된 실리콘 나노와이어를 10,000배와 50,000배로 확대한 주사 전자 현미경 사진(SEM)이다. 이를 통해 전자기파 방사를 이용하여 유리(glass) 기판 위에 실리콘 나노와이어가 제조 되었음을 확인하였다.
도 6은 유리(glass) 기판 위에 직접 제조된 실리콘 나노와이어의 고분해능 전자 현미경 (HR-TEM) 사진이다. 제조된 나노와이어는 비정질임을 확인하였다.
(실시예 3)
유리(glass)를 기판으로 사용하고 그 위에 스퍼터링법을 사용하여 금속 막인 티타늄 막을 500nm 두께로 도입하였다. 촉매는 Fe(III)를 사용하였는데, 고체 촉매가 고르게 분산될 수 있도록 Fe(III)에 물을 넣고 10μM 농도의 용액을 만들고, 별도로 hydroxylamine에 물을 넣고 400μM 농도의 용액을 만들어 각각 준비한 후, 티타늄 막이 형성된 유리(glass) 기판을 상기 두 용액에 차례로 넣어 주었다. 이어서, 실시예 1과 동일한 전자기파 방사 장치의 반응기 안에 넣고, 아르곤 100sccm과 수소 200sccm의 가스 분위기에서 10초 동안 forward power 600W와 reflected power 250W의 조건에서 티타늄 나노와이어를 제조하였다.
도 7은 유리(glass) 기판 위에 직접 제조된 티타늄 나노와이어 표면을 10,000배 및 50,000배로 확대한 주사 전자 현미경(SEM) 사진이다. 상기 사진을 통해 티타늄 나노와이어가 제조되었음을 확인하였다. 또한, 제조된 나노와이어는 비정질임을 확인하였다.
도 8은 유리(glass) 기판 위에 직접 제조된 티타늄 나노와이어의 X-선 회절분석 (XRD) 결과이다. 제조된 나노와이어는 여러 가지 결정구조를 가짐을 확인할 수 있었다.
본 발명의 전자기파 방사와 촉매를 이용하면 수 초 내지 수 분 내의 단시간에 신속하게 실온에서 나노와이어를 제조할 수 있으며, 실리콘 웨이퍼와 같은 금속 또는 준금속의 화합물 기판뿐만 아니라 전자기파를 흡수하지 않는 유리(glass) 또는 플라스틱 기판 위에서도 나노와이어의 제조가 가능하다.
Claims (14)
- 금속 또는 준금속의 화합물 기판 상부에 촉매를 도입하는 단계;상기 촉매를 전자기파 방사에 의해 선택적으로 가열하는 단계; 및상기 촉매의 가열에 의해 상기 금속 또는 준금속의 화합물 기판으로부터 나노와이어가 성장하는 단계를 포함하는 나노와이어의 제조방법.
- 기판 상부에 금속 또는 준금속의 화합물 막을 형성하는 단계;상기 금속 또는 준금속의 화합물 막 상부에 촉매를 도입하는 단계;상기 촉매를 전자기파 방사에 의해 선택적으로 가열하는 단계; 및상기 촉매의 가열에 의해 상기 금속 또는 준금속의 화합물 막으로부터 나노와이어가 성장하는 단계를 포함하는 나노와이어의 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기 기판은 전자기파를 흡수하지 않는 기판이거나, 금속 또는 준금속의 화합물 기판인 것을 특징으로 하는 나노와이어의 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기 기판은 유리(glass) 기판 또는 플라스틱 기판인 것을 특징으로 하는 나노와이어의 제조방법.
- 제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 금속 또는 준금속의 화합물 기판은 Si, Ge, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ta, W, Pt, Au, Ag, Pd, Al, Ga, In, As, Sb, Sn, Pb, Bi, 및 Tl 로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 금속 또는 준금속, 상기 금속 또는 준금속의 합금, 상기 금속 또는 준금속의 황화물, 상기 금속 또는 준금속의 탄화물, 상기 금속 또는 준금속의 산화물, 또는 상기 금속 또는 준금속의 질화물로 이루어진 기판인 것을 특징으로 하는 나노와이어의 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기 금속 또는 준금속의 화합물 막은 Si, Ge, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ta, W, Pt, Au, Ag, Pd, Al, Ga, In, As, Sb, Sn, Pb, Bi, 및 Tl 로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 금속 또는 준금속이거나, 상기 금속 또는 준금속의 합금, 상기 금속 또는 준금속의 황화물, 상기 금속 또는 준금속의 탄화물, 상기 금속 또는 준금속의 산화물, 또는 상기 금속 또는 준금속의 질화물로 이루어진 단일층 또는 복수층의 막인 것을 특징으로 하는 나노와이어의 제조방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 촉매는 금, 철, 니켈, 또는 코발트인 것을 특징으로 하는 나노와이어의 제조방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 촉매는 증착, 스퍼터링, 페인팅, 분사, 또 는 함침 방법에 의해서 금속 또는 준금속의 화합물 기판 또는 금속 또는 준금속의 화합물 막 상부에 도입된 것을 특징으로 하는 나노와이어의 제조방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 촉매는 금속 또는 준금속의 화합물 기판 또는 금속 또는 준금속의 화합물 막 상부의 전부 또는 일부에 막(film) 또는 입자 형태로 도입된 것을 특징으로 하는 나노와이어의 제조방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 촉매를 전자기파 방사에 의해 선택적으로 가열하는 단계는 불활성 가스 하에서 또는 불활성 가스와 수소 가스의 혼합 가스 하에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노와이어의 제조방법.
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|---|---|---|---|---|
| KR101102143B1 (ko) * | 2010-02-24 | 2012-01-02 | 연세대학교 산학협력단 | 금속산화물 나노와이어를 이용한 나노활성화 물질과 박막트랜지스터의 제조방법 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030043938A (ko) * | 2000-08-22 | 2003-06-02 | 프레지던트 앤드 펠로우즈 오브 하버드 칼리지 | 도핑된 봉형 반도체, 그 반도체의 성장, 그 반도체를포함하는 디바이스 및 그 디바이스 제조 |
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