KR100840236B1 - Exposure apparatus for preventing halation - Google Patents
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Abstract
헐레이션을 방지할 수 있는 노광 장치가 개시되어 있다. 상기 장치는 피노광물의 노광 영역을 한정하기 위한 패턴이 형성되어 있는 마스크, 및 상기 피노광물을 진공 흡착하기 위한 다수의 진공 홀을 갖고 상기 피노광물을 지지하는 기판 스테이지를 구비하며, 상기 진공 홀은 그 모서리 부분이 라운딩된 것을 특징으로 한다. 네거티브 유기 절연막의 노광시 진공 홀로부터 발생되는 산란광이 네거티브 유기 절연막의 비노광 영역으로 조사되지 않으므로, 헐레이션을 방지하여 원하는 노광 패턴을 얻을 수 있다.An exposure apparatus that can prevent halation is disclosed. The apparatus includes a mask having a pattern for defining an exposure area of an object to be exposed, and a substrate stage for supporting the object, with a plurality of vacuum holes for vacuum adsorption of the object. It is characterized in that the corner portion is rounded. Since the scattered light generated from the vacuum hole during the exposure of the negative organic insulating film is not irradiated to the non-exposed area of the negative organic insulating film, halation can be prevented and a desired exposure pattern can be obtained.
Description
도 1a 및 도 1b는 네거티브 유기 절연막의 노광시 주변 패턴에 의한 산란광 발생을 나타낸 단면도들이다.1A and 1B are cross-sectional views illustrating generation of scattered light due to a peripheral pattern during exposure of a negative organic insulating layer.
도 2a 및 도 2b는 네거티브 유기 절연막의 노광시 기판 스테이지의 진공 홀에 의한 산란광 발생을 나타낸 단면도들이다.2A and 2B are cross-sectional views illustrating generation of scattered light by vacuum holes of a substrate stage when the negative organic insulating layer is exposed.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 의한 노광 장치의 개략도이다.3 is a schematic view of an exposure apparatus according to a first embodiment of the present invention.
도 4a 및 도 4b는 도 3의 노광 장치를 이용한 네거티브 유기 절연막의 노광 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.4A and 4B are cross-sectional views illustrating a method of exposing a negative organic insulating layer using the exposure apparatus of FIG. 3.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 의한 기판 스테이지를 이용한 네거티브 유기 절연막의 노광 방법을 설명하기 위한 단면도이다.5 is a cross-sectional view for describing a method of exposing a negative organic insulating layer using a substrate stage according to a second exemplary embodiment of the present invention.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉<Explanation of symbols for main parts of the drawings>
100 : 기판 105 : 네거티브 유기 절연막100: substrate 105: negative organic insulating film
200 : 기판 스테이지 210, 220 : 진공 홀200:
300 : 마스크 350 : 광원300: mask 350: light source
360 : 조명 광학계 375 : 축소투영 광학계360: illumination optical system 375: reduction projection optical system
365 : 조명광 370, 380 : 노광광365:
본 발명은 노광 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 네거티브 유기 절연막을 노광할 때 헐레이션(halation)을 방지할 수 있는 노광 장치에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to an exposure apparatus, and more particularly, to an exposure apparatus capable of preventing halation when exposing a negative organic insulating film.
오늘날과 같은 정보화 사회에 있어서 전자 디스플레이 장치(electronic display device)의 역할은 갈수록 중요해지며, 각종 전자 디스플레이 장치가 다양한 산업 분야에 광범위하게 사용되고 있다.In today's information society, the role of electronic display devices becomes more and more important, and various electronic display devices are widely used in various industrial fields.
일반적으로 전자 디스플레이 장치란 다양한 정보를 시각을 통해 인간에게 전달하는 장치를 말한다. 즉, 전자 디스플레이 장치란 각종 전가 기기로부터 출력되는 전기적 정보 신호를 인간의 시각으로 인식 가능한 광 정보 신호로 변환하는 전자 장치라고 정의할 수 있으며, 인간과 전자 기기를 연결하는 가교적 역할을 담당하는 장치로 정의될 수도 있다.In general, an electronic display device refers to a device that transmits various information to a human through vision. In other words, an electronic display device may be defined as an electronic device that converts electrical information signals output from various electronic devices into optical information signals that can be recognized by human eyes, and serves as a bridge that connects humans and electronic devices. It may be defined as.
이러한 전자 디스플레이 장치에 있어서, 액정표시장치는 다른 디스플레이 장치에 비해 얇고 가벼우며 낮은 소비 전력 및 낮은 구동 전압을 갖추고 있을 뿐만 아니라, 음극선관에 가까운 화상 표시가 가능하기 때문에 다양한 전자 장치에 광범위하게 사용되고 있다.In such electronic display devices, liquid crystal displays are thinner, lighter than other display devices, have low power consumption and low driving voltage, and are widely used in various electronic devices because they can display images close to cathode ray tubes. .
액정표시장치 중에서 현재 주로 사용되는 것은 두 장의 기판에 각각 전극이 형성되어 있고 각 전극에 인가되는 전압을 스위칭하는 박막 트랜지스터(thin film transistor; TFT)를 구비하는 장치이며, 상기 박막 트랜지스터는 두 장의 기판 중 하나에 형성되는 것이 일반적이다.Currently, the liquid crystal display device is mainly provided with thin film transistors (TFTs) for forming electrodes on two substrates and switching voltages applied to the respective electrodes, and the thin film transistors have two substrates. It is usually formed in one of them.
화소부에 박막 트랜지스터를 이용하는 액정표시장치는 노트북 PC에서 모니터 및 중소형 제품까지 그 영역이 확대되고 있다. 이에 따라, 고휘도 저소비전력의 박막 트랜지스터-액정표시장치(TFT-LCD)를 제작하기 위하여 현재 60∼70% 수준의 개구율을 더 크게 확대할 필요가 있으며, 이를 위해 낮은 유전율을 갖는 유기 절연막을 이용하여 고품위의 박막 트랜지스터-액정표시장치를 제조하는 방법들이 개발되고 있다.BACKGROUND ART Liquid crystal display devices using thin film transistors in the pixel portion are expanding their range from notebook PCs to monitors and small and medium products. Accordingly, in order to fabricate a thin film transistor-liquid crystal display device (TFT-LCD) having high brightness and low power consumption, an aperture ratio of about 60 to 70% needs to be enlarged. To this end, an organic insulating layer having a low dielectric constant is used. Methods of manufacturing high quality thin film transistor-liquid crystal display devices have been developed.
유기 절연막은 무기 절연막에 비해 낮은 유전율을 갖고 있기 때문에, 화소 전극과 그 하부의 금속층(예를 들어, 데이터 배선) 사이에서 기생 캐패시턴스의 생성이 억제되어 화소 전극을 데이터 라인과 게이트 라인에 각각 중첩하도록 형성할 수 있다. 따라서, 유기 절연막을 사용할 경우 화소의 개구율을 향상시킬 수 있다는 장점이 있다.Since the organic insulating film has a lower dielectric constant than the inorganic insulating film, generation of parasitic capacitance between the pixel electrode and the lower metal layer (for example, data wiring) is suppressed so that the pixel electrode overlaps the data line and the gate line, respectively. Can be formed. Therefore, when the organic insulating layer is used, the aperture ratio of the pixel can be improved.
유기 절연막은 크게 두 가지의 형태로 구분될 수 있는데, 하나는 감광성 유기 절연막(photo definable organic insulating layer)이고 또 하나는 비감광성 유기 절연막(non-photo definable organic insulating layer)이다.The organic insulating layer can be classified into two types, one is a photo definable organic insulating layer and the other is a non-photo definable organic insulating layer.
대표적인 감광성 유기 절연막인 포토레지스트는 반도체 칩이나 액정표시장치를 제조하기 위한 포토리소그라피 공정에 사용되는데, 먼저 소정의 패턴들이 형성되어 있는 실리콘 기판이나 유리 기판 상에 포토레지스트를 도포한 후, 마스크에 자외선이나 X선을 조사하여 상기 포토레지스트의 소정 부분을 노광한다. 이어서, 현상에 의해 포토레지스트막 중 용해도가 큰 부분을 제거하여 포토레지스트로 이루 어진 식각 마스크 패턴 또는 이온주입 마스크 패턴을 형성하거나, 포토레지스트가 층간 절연막으로 적용되는 경우 그 하지층의 일부분을 노출시키는 개구부, 콘택홀 또는 비어홀을 형성한다.Photoresist, a typical photosensitive organic insulating layer, is used in a photolithography process for manufacturing a semiconductor chip or a liquid crystal display device. First, a photoresist is applied onto a silicon substrate or a glass substrate on which predetermined patterns are formed, and then ultraviolet rays are applied to a mask. Or X-rays are exposed to expose a predetermined portion of the photoresist. Subsequently, a portion of the photoresist film having high solubility is removed by development to form an etching mask pattern or an ion implantation mask pattern made of photoresist, or to expose a portion of the underlying layer when the photoresist is applied as an interlayer insulating film Openings, contact holes or via holes are formed.
일반적으로 포토레지스트는 수지(resin), 감광제(photo-active compound; PAC), 용매 및 미량의 첨가제로 구성되는데, 노보락 수지(novolac resin)계가 그 주종을 이루고 있다. 포토레지스트와 같은 감광성 유기 절연막은 노광에 의해 생기는 용해 특성의 변화에 따라 포지티브형과 네거티브형으로 구분되는데, 포지티브 포토레지스트는 노광된 영역이 용해되어 마스크의 포지티브 이미지가 전사되는 반면, 네거티브 포토레지스트는 비노광 영역이 현상액에 의해 용해되어 마스크의 네거티브 이미지가 전사된다.In general, a photoresist is composed of a resin, a photo-active compound (PAC), a solvent, and a small amount of additives, and a novolac resin system is mainly used. Photoresist such as photoresist is divided into positive type and negative type according to the change of dissolution characteristics caused by exposure. In positive photoresist, the exposed area is dissolved so that the positive image of the mask is transferred. The non-exposed areas are dissolved by the developer to transfer the negative image of the mask.
네거티브 포토레지스트는 가교 등에 의해 분자량이 크게 증가하면서 용해성이 떨어지고 열적 특성 및 내화학성 등이 탁월하게 좋아지는 경향이 있다. 이러한 네거티브 포토레지스트는 크게 래디컬 반응형 포토레지스트와 화학 증폭형 포토레지스트(chemical amplified photoresist)로 구분할 수 있는데, 전자의 경우는 노광 후에 포토 노광 베이크(photo expose bake; PEB) 공정을 생략하는데 반하여 후자의 경우는 상기 PEB 공정을 적용한다. 최근에 액정표시장치의 층간 절연막으로 적용되는 네거티브 포토레지스트는 주로 아크릴계 수지의 래디컬 반응형으로 만들어 PEB 공정을 생략하고 있다.Negative photoresist tends to have excellent solubility and poor thermal properties and chemical resistance while increasing molecular weight by crosslinking or the like. These negative photoresists can be classified into radically reactive photoresists and chemically amplified photoresists. In the former case, the photoexposure bake (PEB) process is omitted after exposure. In this case, the PEB process is applied. Recently, a negative photoresist applied as an interlayer insulating film of a liquid crystal display device is mainly made of a radical reaction type of an acrylic resin, and thus the PEB process is omitted.
이러한 네거티브 유기 절연막은 포토리소그라피 공정을 진행하는 과정에서 팽윤(swelling)과 헐레이션(halation)이 발생하는 단점이 있다. 팽윤은 고분자 사 이로 현상액이 침투하여 막이 부풀어오르는 현상으로 최근의 기술 발전으로 어느 정도 해결이 가능해지고 있다. 헐레이션은 감광막에 강한 빛이 입사하면 그 일부가 감광막을 빠져나가 그 하부 기판에 도달하고 상기 기판의 뒷면에서 반사되어 다시 감광막에 도달하여 상기 감광막을 노광시키는 현상으로, 네거티브 유기 절연막의 광학 특성상 필연적으로 발생한다.Such a negative organic insulating layer has a disadvantage in that swelling and halation occur during a photolithography process. Swelling is a phenomenon in which a developer penetrates into a polymer and a film swells, and it is being solved to some extent by recent technological developments. Halation is a phenomenon in which a strong light is incident on the photoresist film, a part of which exits the photoresist film, reaches the lower substrate, is reflected from the backside of the substrate, and reaches the photoresist film again to expose the photoresist film. Occurs as
도 1a 및 도 1b는 네거티브 유기 절연막의 노광시 주변 패턴에 의한 산란광 발생을 나타낸 단면도들이다.1A and 1B are cross-sectional views illustrating generation of scattered light due to a peripheral pattern during exposure of a negative organic insulating layer.
도 1a 및 도 1b를 참조하면, 금속 배선(12)이 형성되어 있는 실리콘 또는 유리로 이루어진 기판(10) 상에 네거티브 유기 절연막(14)을 스핀-코팅 방식으로 도포한다. 이어서, 네거티브 유기 절연막(14)의 노광 영역을 한정하기 위한 패턴이 형성되어 있는 마스크(50)를 이용하여 상기 네거티브 유기 절연막(14)을 노광한다. 이때, 네거티브 유기 절연막(14)이 빛을 받는 일정 영역에 있어서 반사광이 불균일할 경우, 반사 표면으로부터 산란광(A)이 발생하게 되고 이것이 불특정 방향으로 조사되어 헐레이션을 유발한다.Referring to FIGS. 1A and 1B, a negative
예를 들어, 금속 배선(12)의 측면으로부터 산란광이 발생하여 이 산란광(A)이 네거티브 유기 절연막(14)의 비노광 영역(14a)으로 조사되면, 상기 비노광 영역(14a)의 일부분이 상기 산란광(A)에 의해 노광되게 된다. 네거티브 유기 절연막은 비노광된 영역이 현상액에 의해 제거되기 때문에 이상적인 노광 및 현상 공정이 진행된 후에는 상기 비노광 영역(14a)의 네거티브 유기 절연막이 완전히 제거되어야 한다. 그러나, 비노광 영역(14a)으로 조사된 산란광(A)에 의해 현상 후 상기 비노광 영역(14a)에서 원하지 않는 유기 절연막이 잔류하는 문제가 발생한다(도 1b의 C 참조).For example, when scattered light is generated from the side surface of the
또한, 상기 마스크(50)로부터 조사된 입사광에 의해 네거티브 유기 절연막(14)이 1차 노광된 영역이 상기 금속 배선(12)의 표면으로부터 반사된 반사광에 의하여 2차 노광됨으로써, 현상 후 남아있는 금속 배선(12) 상부의 유기 절연막(14)과 나머지 영역의 유기 절연막(14) 사이에 단차(B)가 발생하게 된다. 그러나, 이러한 단차 문제는 기판(10)의 전면에 네거티브 유기 절연막(14)을 일정 두께 이상으로 균일하게 도포하여 해결할 수 있다.In addition, the region where the negative
도 2a 및 도 2b는 네거티브 유기 절연막의 노광시 기판 스테이지의 진공 홀에 의한 산란광 발생을 나타낸 단면도들이다.2A and 2B are cross-sectional views illustrating generation of scattered light by vacuum holes of a substrate stage when the negative organic insulating layer is exposed.
도 2a 및 도 2b를 참조하면, 실리콘 또는 유리로 이루어진 기판(20) 상에 네거티브 유기 절연막(24)을 스핀-코팅 방식으로 도포한다. 이어서, 상기 기판(20)을 노광 장치에 로딩한 후, 다수의 진공 홀(65)을 갖는 기판 스테이지(60) 상에 상기 기판(20)을 진공 흡착시킨다. 그런 다음, 네거티브 유기 절연막(24)의 노광 영역을 한정하기 위한 패턴이 형성되어 있는 마스크(60)를 이용하여 상기 네거티브 유기 절연막(24)을 노광한다.Referring to FIGS. 2A and 2B, a negative
이때, 상기 기판 스테이지(60)의 진공 홀(65)로부터 불특정 방향으로 산란광(D)이 발생하게 되고, 이러한 산란광(D)은 비노광 영역(24a)에서 네거티브 유기 절연막(24)의 일부분을 노광시킨다. 그러면, 비노광 영역(24a)으로 조사된 산란광(D)에 의해 현상 후 상기 비노광 영역(24a)에서 원하지 않는 유기 절연막이 잔 류하는 헐레이션 현상이 발생한다(도 2b의 E 참조).In this case, scattered light D is generated from the
따라서, 본 발명의 목적은 네거티브 유기 절연막의 노광시 헐레이션을 방지할 수 있는 노광 장치를 제공하는데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide an exposure apparatus that can prevent halation during exposure of a negative organic insulating film.
상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 피노광물의 노광 영역을 한정하기 위한 패턴이 형성되어 있는 마스크; 및 상기 피노광물을 진공 흡착하기 위한 다수의 진공 홀을 갖고 상기 피노광물을 지지하는 기판 스테이지를 구비하며, 상기 진공 홀은 그 모서리 부분이 라운딩된 것을 특징으로 하는 노광 장치를 제공한다.In order to achieve the above object of the present invention, the present invention is a mask that is formed with a pattern for defining the exposure area of the object to be exposed; And a substrate stage having a plurality of vacuum holes for vacuum-adsorbing the exposed object and supporting the exposed object, wherein the vacuum hole is rounded at a corner thereof.
또한, 본 발명의 상술한 목적은 피노광물의 노광 영역을 한정하기 위한 패턴이 형성되어 있는 마스크; 및 상기 피노광물을 진공 흡착하기 위한 다수의 진공 홀을 갖고 상기 피노광물을 지지하는 기판 스테이지를 구비하며, 상기 진공 홀은 상기 피노광물의 두께보다 작은 폭으로 형성된 것을 특징으로 하는 노광 장치에 의해 달성될 수 있다.In addition, the above object of the present invention is a mask in which a pattern for defining an exposure area of an object to be exposed is formed; And a substrate stage having a plurality of vacuum holes for vacuum-adsorbing the exposed object and supporting the exposed object, wherein the vacuum hole is formed in a width smaller than the thickness of the exposed object. Can be.
본 발명에 의하면, 반도체 장치 또는 액정표시장치에 네거티브 유기 절연막을 마스크 패턴이나 층간 절연막으로 적용하기 위해 포토리소그라피 공정으로 상기 네거티브 유기 절연막을 패터닝할 때, 실리콘 기판 또는 유리 기판 상에 도포된 감광성 네거티브 유기 절연막을 노광하기 위한 노광 장치에 구비된 기판 스테이지의 진공 홀의 모서리 부분을 라운딩 처리하거나 상기 진공 홀을 미세하게 가공한다. According to the present invention, when the negative organic insulating layer is patterned by a photolithography process in order to apply the negative organic insulating layer to a semiconductor device or a liquid crystal display as a mask pattern or an interlayer insulating layer, a photosensitive negative organic layer coated on a silicon substrate or a glass substrate The corner portion of the vacuum hole of the substrate stage provided in the exposure apparatus for exposing the insulating film is rounded or the vacuum hole is finely processed.
따라서, 상기 네거티브 유기 절연막의 노광시 진공 홀로부터 발생되는 산란광이 네거티브 유기 절연막의 비노광 영역으로 조사되지 않으므로, 헐레이션 현상을 방지하여 원하는 노광 패턴을 얻을 수 있다.
Therefore, since the scattered light generated from the vacuum hole during the exposure of the negative organic insulating layer is not irradiated to the non-exposed region of the negative organic insulating layer, the halation phenomenon can be prevented to obtain a desired exposure pattern.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하고자 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 의한 노광 장치의 개략도이다.3 is a schematic view of an exposure apparatus according to a first embodiment of the present invention.
도 3을 참조하면, 본 발명의 노광 장치는 광원(350), 조명 광학계(360), 피노광물의 노광 영역을 한정하기 위한 패턴이 형성되어 있는 마스크(300), 축소투명 광학계(375) 및 피노광물, 즉 네거티브 유기 절연막(105)이 도포되어 있는 실리콘 또는 유리 기판(100)을 지지하는 기판 스테이지(200)를 구비한다.Referring to FIG. 3, the exposure apparatus of the present invention includes a
광원(350)으로부터 방출된 광선(355)은 지향성 광학계(도시하지 않음)에 의해 조명 광학계(360)로 향함으로써, 예를 들면, 소정의 광 강도 분포, 배향 분포 및 개구수(NA)를 지닌 조명광(365)으로 변형된다.
이렇게 형성된 조명광(365)은 마스크(300)를 조명하고, 상기 마스크(300)는 예를 들면, 석영 기판 상에 형성된 크롬으로 이루어진 패턴들을 갖는다. 상기 패턴은 기판(100) 상에 형성하고자 하는 패턴의 크기에 대해서 축소투영 광학계(375)의 투영배율의 역에 상당하는 크기를 갖는다.The
상기 조명광(365)은 마스크(300)를 통과하여 회절됨으로써, 물체측상의 노광광(370)을 형성한다.
The
상기 축소투영 광학계(375)는 물체측 노광광(370)을 이미지측 노광광(380)으로 변형시켜 마스크(300)의 패턴을 상기 투영배율로 기판(100) 상에 결상시킨다. 즉, 이미지측 노광광(380)은 소정의 개구수 NA로 기판(100) 상에 집광됨으로써, 패턴의 이미지를 기판(100) 상에 형성한다.The reduced projection
상기 기판 스테이지(200)는 축소투영 광학계(375)의 상면을 따라 단계적으로 이동하므로 기판(100) 위의 상이한 영역 위에 패턴들이 순차적으로 형성된다. 따라서, 기판 스테이지(200)는 상기 축소투영 광학계(375)에 대해서 그 위치를 변위시킨다.Since the
상기 기판 스테이지(200)에는 기판(100)을 진공 흡착시키기 위한 다수의 진공 홀(210)들이 형성된다. 본 실시예에 의하면, 상기 진공 홀(210)은 그 모서리가 라운딩 처리된다. 상기 기판(100)으로 입사되는 이미지측 노광광(380)의 일부분이 기판(100)을 빠져나가 그 하부의 기판 스테이지(200)로 도달하여 상기 기판 스테이지(200)로부터 반사될 때, 진공 홀(210)의 라운딩된 모서리로부터 반사된 산란광들은 상방으로 향하지 않고 하방으로 조사된다. 따라서, 노광시 반사광이 기판(100) 상의 네거티브 유기 절연막(105)으로 도달하여 상기 네거티브 유기 절연막(105)을 노광시키는 헐레이션 현상이 발생되지 않는다.In the
도 4a 및 도 4b는 도 3의 노광 장치를 이용한 네거티브 유기 절연막의 노광 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.4A and 4B are cross-sectional views illustrating a method of exposing a negative organic insulating layer using the exposure apparatus of FIG. 3.
도 4a를 참조하면, 반도체 장치의 실리콘 기판 또는 액정표시장치의 유리 기판과 같은 기판(100) 상에 네거티브 유기 절연막(105)을 스핀-코팅 방식으로 소정 두께로 균일하게 도포한다. 이어서, 상기 기판(100)을 도 3의 노광 장치에 로딩한 후, 다수의 진공 홀(210)을 갖는 기판 스테이지(200) 상에 상기 기판(100)을 진공 흡착시킨다.Referring to FIG. 4A, a negative organic
이어서, 상기 노광 장치의 광원으로부터 발생된 광선이 네거티브 유기 절연막(105)의 노광 영역을 한정하기 위한 패턴이 형성되어 있는 마스크(300)를 통해 상기 네거티브 유기 절연막(105)을 노광한다.Subsequently, the negative organic
이때, 상기 기판 스테이지(200)의 진공 홀(210)은 그 모서리가 라운딩되어 있으므로, 이 부분으로부터 반사되는 산란광(F)들은 상방으로 향하지 않고 대부분 하방으로 조사되어 기판 스테이지(200) 위의 네거티브 유기 절연막(105)에 도달되지 못한다.At this time, since the corners of the
도 4b를 참조하면, 이와 같이 기판 스테이지(200)의 진공 홀(210)로부터 반사된 산란광(F)들이 네거티브 유기 절연막(105)에 도달하지 못하므로, 노광 시의 반사광에 의해 상기 비노광 영역(105a)에 있는 네거티브 유기 절연막(105)의 일부분이 노광되는 헐레이션 현상이 발생하지 않는다.Referring to FIG. 4B, since the scattered light F reflected from the
따라서, 현상 공정을 통해 네거티브 유기 절연막(105)의 비노광 영역(105a)을 제거하면, 상기 비노광 영역(105a)의 네거티브 유기 절연막이 완전히 제거되어 원하는 노광 패턴을 얻을 수 있다.Therefore, when the
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 의한 기판 스테이지를 이용한 네거티브 유기 절연막의 노광 방법을 설명하기 위한 단면도이다.5 is a cross-sectional view for describing a method of exposing a negative organic insulating layer using a substrate stage according to a second exemplary embodiment of the present invention.
도 5를 참조하면, 본 실시예에 의한 기판 스테이지(200)의 진공 홀(220)은 반도체 장치의 실리콘 기판이나 액정표시장치의 유리 기판과 같은 기판(100)의 두께(t)보다 작은 폭(w)으로 형성된다.Referring to FIG. 5, the
상기 기판(100) 상에 네거티브 유기 절연막(105)을 스핀-코팅 방식에 의해 소정 두께로 균일하게 도포한 후, 기판(100)을 노광 장치에 로딩하고 미세 홀(micro hole) 형태의 진공 홀(220)들을 갖는 기판 스테이지(200) 상에 상기 기판(100)을 진공 흡착시킨다.After the negative organic
이어서, 상기 네거티브 유기 절연막(105)의 노광 영역을 한정하기 위한 패턴이 형성된 마스크(300)를 이용하여 노광 공정을 실시하면, 상기 네거티브 유기 절연막(105)으로 입사되는 빛이 그 하부의 기판(100) 및 기판 스테이지(200)로부터 균일하게 반사된다.Subsequently, when the exposure process is performed using the
또한, 입사광이 기판 스테이지(200)의 진공 홀(220)로 조사되더라도, 상기 진공 홀(200)의 크기가 매우 미세하기 때문에 진공 홀(200)로부터 반사된 산란광들이 상방, 즉 네거티브 유기 절연막(105)으로 조사되지 못한다.In addition, even though incident light is irradiated to the
따라서, 현상 공정에 의해 상기 비노광 영역(105a)의 네거티브 유기 절연막이 완전히 제거되므로 원하는 노광 패턴을 얻을 수 있다.Therefore, since the negative organic insulating film of the
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 반도체 장치 또는 액정표시장치에 네거티브 유기 절연막을 마스크 패턴이나 층간 절연막으로 적용하기 위해 포토리소그라피 공정으로 상기 네거티브 유기 절연막을 패터닝할 때, 실리콘 기판 또는 유리 기판 상에 도포된 감광성 네거티브 유기 절연막을 노광하기 위한 노광 장치에 구비된 기판 스테이지의 진공 홀의 모서리 부분을 라운딩 처리하거나 상기 진공 홀을 미세하게 가공한다. 따라서, 상기 네거티브 유기 절연막의 노광시 진공 홀로부터 발생되는 산란광이 네거티브 유기 절연막의 비노광 영역으로 조사되지 않으므로, 헐레이션 현상을 방지하여 원하는 노광 패턴을 얻을 수 있다.As described above, according to the present invention, when the negative organic insulating film is patterned by a photolithography process in order to apply the negative organic insulating film to a semiconductor device or a liquid crystal display as a mask pattern or an interlayer insulating film, it is applied on a silicon substrate or a glass substrate. The corner portion of the vacuum hole of the substrate stage provided in the exposure apparatus for exposing the exposed photosensitive negative organic insulating film is rounded or the vacuum hole is finely processed. Therefore, since the scattered light generated from the vacuum hole during the exposure of the negative organic insulating layer is not irradiated to the non-exposed region of the negative organic insulating layer, the halation phenomenon can be prevented to obtain a desired exposure pattern.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.As described above, although described with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be variously modified and modified within the scope of the present invention without departing from the spirit and scope of the present invention described in the claims below. It will be appreciated that it can be changed.
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2001
- 2001-12-14 KR KR1020010079148A patent/KR100840236B1/en not_active IP Right Cessation
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