KR100837397B1 - 탄소나노튜브를 이용한 개스 센서 및 그 측정방법 - Google Patents

탄소나노튜브를 이용한 개스 센서 및 그 측정방법 Download PDF

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Abstract

탄소나노튜브를 이용한 개스 센서 및 그 측정방법에 관해 개시한다. 개시된 탄소나노튜브를 이용한 개스 센서는 기판 상의 제1 및 제2전극을 연결하는 탄소나노튜브와, 상기 탄소나노튜브 상방에 설치된 광원과, 상기 제1 및 제2전극 사이의 전류를 측정하는 전류계를 구비한다. 이 개스센서를 사용하면, 다수의 미지의 개스 중 검출된 개스의 종류 및 농도를 함께 측정할 수 있다.

Description

탄소나노튜브를 이용한 개스 센서 및 그 측정방법{Gas sensor using carbon nanotube and method of measuring using the same}
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 탄소나노튜브를 이용한 개스 센서의 개략적인 구성도이다.
도 2는 본 발명의 개스센서를 사용하여 수소 개스에 대해서 탄소나노튜브에 흐르는 전류를 플로팅한 그래프이다.
도 3은 개스 압력에 따른 노멀 I_dark 전류를 플로팅한 그래프이다.
도 4는 개스압력에 따른 I_peak/I_dark를 플로팅한 그래프이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 개스의 종류 및 농도를 측정하는 방법을 설명하는 플로우차트이다.
도 6a 및 도 6b는 본 발명의 개스센서로 미지의 개스의 종류 및 농도를 측정하는 방법을 설명하는 그래프이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호설명*
10: 진공챔버 11; 인입구
12: 배출구 20: 개스센서
21: 기판 22: 절연층
23: 전극 24: 탄소나노튜브
30: 전류계 40: 광원
본 발명은 탄소나노튜브를 이용한 개스 센서 및 그 측정방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 탄소나노튜브에 광을 조사하여 탄소나노튜브에 흐르는 전류를 측정함으로써 소정의 공간에 인입된 개스의 종류 및 농도를 함께 검출하는 개스 센서와, 이 센서를 사용하여 미지의 개스의 종류 및 농도를 측정하는 방법에 관한 것이다.
탄소 나노튜브(carbon nanotube)는 전기도전성과 열적 안정성이 양호하며, 수 나노미터 또는 수십 나노미터의 직경에서 마이크로미터 단위로 길게 형성시킬 수 있으며, 미세 구조의 NEMS(Nano Electro Mechanical System) 소자로서의 응용성이 매우 뛰어나다. 탄소 나노튜브를 다양한 소자에 응용하기 위한 연구가 활발히 진행중이며, 현재 전계 방출 소자, 광통신 분야의 광스위치 또는 바이오 소자에도 적용되고 있다.
한편, Jing Kong 등의 논문 "Nanotube molecular wires as chemical sensors", Science Vol. 287, 622 (January 2000)에는 탄소나노튜브를 이용한 개스 센서가 개시되어 있다. 이 논문에서의 센서는 게이트 전압을 인가하여 특정한 기체의 유무를 검출한다.
종래의 개스 센서는 하나의 센서로 하나의 종류의 기체를 검출하는 데 사용 되므로, 기체가 바뀌면 다른 센서를 필요로 한다. 또한, 상기 기체의 농도를 검출하기 위한 별도의 압력 센서를 필요로 할 수 있다
본 발명의 목적은 상술한 종래 기술의 문제점을 개선하기 위한 것으로서, 기체의 종류 및 농도를 동시에 측정할 수 있는 탄소나노튜브를 이용한 개스 센서를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은, 상기 개스 센서로 미지의 개스의 종류 및 농도를 함께 측정하는 방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 탄소나노튜브를 이용한 개스 센서는:
기판 상에 이격되게 형성된 제1 및 제2전극;
상기 기판 상에서 상기 제1 및 제2전극을 연결하는 탄소나노튜브;
상기 탄소나노튜브 상방에 설치된 광원; 및
상기 제1 및 제2전극 사이의 전류를 측정하는 전류계:를 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 상기 탄소나노튜브는 상기 기판 상에 형성된 촉매로부터 성장되어서 상기 제1 및 제2전극을 전기적으로 연결한다.
본 발명의 개스 센서는 상기 기판이 그 바닥에 착탈되는 진공챔버를 더 구비하며, 상기 광원은 상기 진공챔버의 상부에 설치되며,
상기 진공챔버의 일측에 개스 인입구가 형성된다.
상기 개스센서는 미지의 개스의 종류 및 농도를 함께 측정한다.
상기 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 탄소나노튜브를 이용한 개스 센서로 미지의 개스를 측정하는 방법은:
상기 전극에 소정의 전압을 인가하여, 상기 탄소나노튜브에 흐르는 전류(I_dark)를 측정하는 제1 단계;
미리 작성한 데이터 베이스에 조회하여 상기 전류(I_dark) 가 나오는 개스의 종류 및 압력을 구하는 제2단계;
상기 광원에 소정시간 전압을 인가하면서 상기 탄소나노튜브를 흐르는 전류(I_photo)를 측정하는 제3 단계; 및
상기 데이터 베이스를 조회하여 상기 전류(I_photo) 값이 나오는 개스의 종류 및 압력을 구하는 제4 단계;
상기 제2 단계에서 구한 개스와, 상기 제4 단계에서 구한 개스를 비교하여 일치하는 개스의 종류 및 압력으로부터 상기 미지의 개스의 종류 및 농도로 결정하는 제5 단계;를 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 제1 단계는, 상기 개스센서가 탑재된 진공챔버 내에 상기 미지의 개스를 채우는 단계를 더 구비할 수 있다.
상기 제2 단계는, 상기 전류(I_photo) 의 피크값(I_peak)을 구하는 단계를 더 포함하며, 상기 제4 단계는, 노멀 I_peak/I-dark를 계산하고, 상기 I_peak/I_dark에 해당되는 개스를 상기 데이터 베이스에 조회하는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 상기 데이터 베이스는 복수의 개스에 대해서 각각의 개스의 농도에따른 상기 전류(I_dark 및 I_photo)를 측정한 데이터 베이스이다.
이하, 본 발명의 실시예에 의한 탄소나노튜브를 이용한 개스 센서 및 측정방법을 첨부된 도면들을 참조하여 상세하게 설명한다. 이 과정에서 도면에 도시된 층이나 영역들의 두께는 명세서의 명확성을 위해 과장되게 도시된 것이다.
먼저, 본 발명의 실시예에 의한 탄소나노튜브를 이용한 개스 센서에 대해 설명한다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 탄소나노튜브를 이용한 개스 센서의 개략적인 구성도이다.
도 1을 참조하면, 진공챔버(10) 내에 본 발명에 따른 개스 센서(20)가 고정되게 설치되어 있다. 진공챔버(10)의 바닥에는 실리콘 기판(21)이 고정되게 설치되어 있다. 상기 실리콘 기판(21) 상에 절연층(22), 예컨대 실리콘 산화물이 형성되어 있다. 상기 절연층(22) 상에는 서로 이격된 두 개의 전극(23)이 형성되어 있다. 상기 전극들(23) 사이에는 탄소나노튜브(24)가 연결되어 있다. 탄소나노튜브(24)는 절연층(22) 상에 형성된 촉매금속(미도시)으로부터 불규칙하게 성장되어서 전극(23)을 통전시키는 네트워크 탄소나노튜브(24)일 수 있다. 상기 개스센서(20)는 상기 진공챔버(10)의 바닥에 착탈이 가능하다.
상기 진공챔버(10)에서 상기 탄소나노튜브(24) 상방에는 광원(40), 예컨대 전구, 다이오드 등이 설치된다. 이 광원(40)은 탄소나노튜브(24)의 전자를 여기하 여 탄소나노튜브(24)로부터 전자 홀 쌍이 생성되어 방출되게 하여 상기 탄소나노튜브(24)를 흐르는 전류를 변화시킨다. 상기 전극(23)에는 전류계(30)가 연결되어서 탄소나노튜브(24)를 흐르는 전류를 측정한다.
상기 진공챔버(10)에는 개스의 인입구(11), 배출구(12)가 설치되어 있다. 상기 진공챔버(10)는 미지의 개스가 차있는 공간에 넣으면, 상기 인입구(11)를 통해서 상기 개스가 진공챔버(10)로 들어가서 상기 배출구(12)를 통해서 진공챔버(10)로부터 배출된다. 이에 따라서 상기 진공챔버(10) 내에는 미지의 개스가 평형을 이루게 되며, 개스 센서(20)는 이때의 개스의 종류 및 농도를 함께 측정한다.
도 2 내지 도 4는 본 발명의 개스 센서(20)를 사용하여 진공챔버(10) 내에 인입된 개스의 종류 및 농도를 측정하기 위한 데이터 베이스를 만드는 방법을 설명하는 도면이다.
먼저 도 2를 참조하면, 양 전극(23)에 소정의 전압, 예컨대 5 V 전압을 인가한 상태에서, 진공챔버(10) 내의 압력을 진공, 10 mTorr, 100 mTorr, 500 mTorr, 1 Torr, 10 Torr 되게 수소 개스를 인입구(11)로 주입한다. 인입된 수소 개스의 양(진공챔버(10) 내의 압력)에 따라서, 전류계(30)로 측정된 탄소나노튜브(24)를 통해 흐르는 전류의 크기가 달라진다. 즉, 수소 농도의 증가에 따라서 측정된 전류(이때의 전류값을 I_dark 라 칭한다)의 값이 높아진다.
한편, 기판(21)으로부터 15 cm 떨어진 광원(40), 예컨대 할로겐 램프를 사용하여 기판(21)에 7 mW/mm2 광을 210 초 동안 조사시키는 동안 전류(이때의 전류값을 I_photo 라 칭한다)는 상승하며, 이어서 광원(40)을 오프하면 I_photo 는 감소한다. I_Photo는 수소 농도가 낮을 수록(개스압력이 낮을수록) 높아지는 것을 알 수 있다.
도 3은 수소(H2), 산소(O2), 암모니아(NH3) 개스의 양(개스 압력)에 따른 노멀 I_dark(normalized I_dark)를 플로팅한 그래프이다. 노멀 I_dark는 I_dark를 진공에서 측정한 I_dark로 나눈 값이다. 따라서, 진공에서의 노멀 I_dark는 1이 된다.
도 3을 참조하면, 수소 및 산소의 경우, 진공상태로부터 개스 압력이 증가함에 따라서 노멀 I_dark 가 증가한다. 반면에 암모니아 개스는 진공상태로부터 개스 압력이 증가함에 따라서 노멀 I_dark 가 감소하는 것을 알 수 있다.
도 4는 수소(H2), 산소(O2), 암모니아(NH3) 개스의 농도(개스 압력)에 따른 I_peak/I_dark를 플로팅한 그래프이다. 여기서 I_peak는 I-photo의 피크 값을 가리킨다.
도 4를 참조하면, 개스의 종류에 따라 I_peak/I_dark 값이 다른 것을 알 수 있다.
상기 도 2~도 4의 방법을 사용하면, 적어도 3개 이상의 개스에 대해서 노멀 I_dark 및 I_peak/I_dark 데이터 베이스를 작성할 수 있다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 개스의 종류 및 농도를 측정하는 방법을 설명하는 플로우차트이다.
도 5를 참조하면, 먼저 미지의 개스가 있는 챔버(미도시)에 본 발명의 개스 센서(20)가 탑재된 진공챔버(10)의 인입구(11)를 열어서, 진공챔버(10) 내에 상기 개스를 채운다(제101 단계).
이어서, 전극(23)에 소정의 전압을 인가하여, I_dark를 측정한다(제102 단계).
이어서, 도 2 내지 도 4와 함께 설명한 방법에 따른 데이터 베이스에 근거하여 제102 단계에서 측정한 I_dark 에 해당되는 개스를 조회한다(제103 단계). 도 6a는 수소(H2), 산소(O2), 암모니아(NH3) 개스의 노멀 I_dark 값을 보여준다. 도 6a에 따르면, 측정된 노멀 I_dark 값이 1.4 인 경우, 화살표 A와 만나는 개스는 수소 및 산소이며, 미지의 개스가 수소개스인 경우 압력은 1 x 10-1 Torr 이며, 산소개스인 경우 1 x 10-2 Torr 이다.
이어서, 광원(40)에 소정시간 전압을 인가하여 광원(40)으로 탄소나노튜브(24)가 형성된 기판(21)을 조사하면서, I_photo를 측정한다(제104 단계).
이어서, 노멀 I_peak/I-dark를 계산하고, 이에 해당되는 개스를 상기 데이터 베이스로부터 조회한다(제105 단계). 도 6b는 노멀 I_peak/I-dark을 보여준다. 도 6b에 따르면, 계산된 노멀 I_peak/I-dark 값이 2.1 인 경우, 화살표 B와 만나는 개스는 수소 및 암모니아이며, 미지의 개스가 수소개스인 경우 압력은 1 x 10-1 Torr 이며, 암모니아 개스인 경우 8 x 10-2 Torr 이다.
제103 단계에서 선정된 개스 및 압력과, 제105 단계에서 선정된 개스 및 압력을 비교하여 일치하는 개스의 종류 및 압력을 상기 미지의 개스의 종류 및 농도 로 결정한다(제106 단계). 이번 예에서는 상기 개스는 수소 개스이며, 그 압력은 1 Torr 이다. 상기 압력을 환산하면 진공챔버(10) 내의 수소개스의 농도를 알 수 있다.
본 발명의 탄소나노튜브를 이용한 개스 센서에 따르면, 하나의 개스 센서로 다수의 미지의 개스 중 검출된 개스의 종류 및 농도를 함께 측정할 수 있다.
본 발명은 도면을 참조하여 실시예를 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위에 한해서 정해져야 할 것이다.

Claims (8)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 기판 상에 이격되게 형성된 제1 및 제2전극과, 상기 전극들을 연결하는 탄소나노튜브와, 상기 탄소나노튜브의 상방에 설치된 광원과, 상기 탄소나노튜브에 흐르는 전류를 측정하는 전류계를 구비하는 개스 센서를 이용하여 미지의 개스의 종류 및 농도를 측정하는 방법에 있어서,
    상기 전극에 소정의 전압을 인가하여, 상기 탄소나노튜브에 흐르는 전류(I_dark)를 측정하는 제1 단계;
    미리 작성한 데이터 베이스에 조회하여 상기 전류(I_dark) 가 나오는 개스의 종류 및 압력을 구하는 제2단계;
    상기 광원에 소정시간 전압을 인가하면서 상기 탄소나노튜브를 흐르는 전류(I_photo)를 측정하는 제3 단계;
    상기 데이터 베이스를 조회하여 상기 전류(I_photo) 값이 나오는 개스의 종류 및 압력을 구하는 제4 단계;
    상기 제2 단계에서 구한 개스와, 상기 제4 단계에서 구한 개스를 비교하여 일치하는 개스의 종류 및 압력으로부터 상기 미지의 개스의 종류 및 농도로 결정하는 제5 단계;를 구비하며,
    상기 데이터 베이스는 복수의 개스에 대해서 각각의 개스의 농도에 따른 상기 전류(I_dark 및 I_photo)를 측정한 데이터 베이스인 것을 특징으로 하는 측정방법.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 제1 단계는,
    상기 개스센서가 탑재된 진공챔버 내에 상기 미지의 개스를 채우는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 측정방법.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 제3 단계는, 상기 전류(I_photo) 의 피크값(I_peak)을 구하는 단계; 및
    I_peak/I-dark를 계산하는 단계;를 더 구비하며,
    상기 제4 단계는, 상기 I_peak/I_dark에 해당되는 개스를 상기 데이터 베이스에 조회하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 측정방법.
  8. 삭제
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010086450A2 (en) 2009-02-02 2010-08-05 Universitat De Barcelona Gas sensor, equipped with threadlike nanostructures, network of sensors and measurement method using said sensor
KR20110007676A (ko) * 2009-07-17 2011-01-25 (주)와이즈산전 가스 센서
US9060765B2 (en) 2010-11-08 2015-06-23 Bovie Medical Corporation Electrosurgical apparatus with retractable blade
US9770285B2 (en) 2010-11-08 2017-09-26 Bovie Medical Corporation System and method for identifying and controlling an electrosurgical apparatus
US9144453B2 (en) 2010-11-08 2015-09-29 Bovie Medical Corporation Multi-mode electrosurgical apparatus
US9095333B2 (en) * 2012-07-02 2015-08-04 Bovie Medical Corporation Systems and methods of discriminating between argon and helium gases for enhanced safety of medical devices
CN103975237A (zh) * 2011-09-19 2014-08-06 犹他大学研究基金会 用于化合物探测的多模平台
US8551310B2 (en) * 2011-12-16 2013-10-08 Chung-Shan Institute of Science and Technology, Armaments Bureau, Dept. of National Defense Method for making a nano-composite gas sensor
US9759688B2 (en) * 2012-03-01 2017-09-12 Georgia Tech Research Corporation Highly sensitive standoff gas sensing using carbon nanotubes and integrated wireless devices
US11272973B2 (en) 2015-01-28 2022-03-15 Apyx Medical Corporation Cold plasma electrosurgical apparatus with bent tip applicator
WO2018140944A1 (en) 2017-01-30 2018-08-02 Bovie Medical Corporation Electrosurgical apparatus with flexible shaft
KR102101072B1 (ko) * 2017-02-23 2020-04-16 한국산업기술대학교산학협력단 광 융합형 가스센서, 이의 제조방법 및 가스 감지방법
EP3629968A4 (en) 2017-05-30 2021-02-17 Apyx Medical Corporation ELECTROSURGICAL DEVICE WITH ROBOTIZED TIP
KR102059240B1 (ko) 2017-08-29 2019-12-26 신라대학교 산학협력단 탄소 나노튜브를 이용한 진공도 측정 센서

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040147037A1 (en) 2001-04-18 2004-07-29 Hongjie Dai Photodesorption in carbon nanotubes

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4495793A (en) * 1982-08-30 1985-01-29 Washington Research Foundation Sensing device for detecting the presence of a gas contained in a mixture thereof
US20020031602A1 (en) * 2000-06-20 2002-03-14 Chi Zhang Thermal treatment of solution-processed organic electroactive layer in organic electronic device
US7081368B2 (en) * 2000-09-01 2006-07-25 Japan Science And Technology Corporation Method for detecting gas with the use of photocurrent amplification and the like and gas sensor
JP2003032444A (ja) * 2001-07-16 2003-01-31 Minebea Co Ltd イメージ入力装置
US6894359B2 (en) * 2002-09-04 2005-05-17 Nanomix, Inc. Sensitivity control for nanotube sensors
US6905655B2 (en) * 2002-03-15 2005-06-14 Nanomix, Inc. Modification of selectivity for sensing for nanostructure device arrays
US7750285B2 (en) * 2003-07-18 2010-07-06 Japan Science And Technology Agency Optical sensor including photoconductive material and carbon nanotube
US20050244811A1 (en) * 2003-12-15 2005-11-03 Nano-Proprietary, Inc. Matrix array nanobiosensor
WO2006088477A2 (en) * 2004-05-17 2006-08-24 Massachusetts Institute Of Technology Photo-induced sensitivity and selectivity of semiconductor gas sensors

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040147037A1 (en) 2001-04-18 2004-07-29 Hongjie Dai Photodesorption in carbon nanotubes

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