KR100835588B1 - Heater for chamber - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 챔버용 히터에 관한 것이다.The present invention relates to a heater for a chamber.
잘 알려져 있는 바와 같이, 반도체 소자는 기판상에 사진, 식각, 확산, 화학기상증착, 이온주입 등의 공정을 선택적으로 반복 수행하여 만들어진다.As is well known, semiconductor devices are made by selectively repeating a process such as photographing, etching, diffusion, chemical vapor deposition, ion implantation, and the like on a substrate.
상술한 공정 중 빈번히 수행되는 공정의 하나인 확산공정은 고온 분위기하에서 기판 내에 원하는 도전형의 불순물을 확산시키는 공정을 수행한다. 그리고 확산공정이 이루어지는 확산로는 대략 500~1250℃ 범위에서 기판 표면에 상에 증착(Deposition) 또는 산화(Oxide)막을 형성하는 공정 등을 수행하기 위하여 이용되고 있다.The diffusion process, which is one of the above-mentioned processes, is performed to diffuse impurities of a desired conductivity type into a substrate in a high temperature atmosphere. In addition, a diffusion furnace in which a diffusion process is performed is used to perform a process of forming a deposition or an oxide film on a surface of a substrate in a range of approximately 500 to 1250 ° C.
기존의 확산로 장비는 확산로의 온도를 공정처리를 위한 조건상태(대략 500~1250℃)로 가열하는데 걸리는 시간에 비하여, 확산로의 온도를 대기 상태로 냉각하는데 걸리는 시간이 상대적으로 길다.Conventional diffusion furnace equipment has a relatively long time to cool the diffusion furnace temperature to the atmosphere compared to the time it takes to heat the temperature of the diffusion furnace in the condition (approximately 500 ~ 1250 ℃) for processing.
반도체장치의 제조공정 가운데 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition; 이하 'CVD'라 칭함) 공정은 기판의 표면에 요구되는 막질을 형성시키기 위한 공정으로, 진공 상태의 공정챔버 내부에 막질의 재료가 되는 여러 가지 반응성 가스를 공급하여 기판의 표면에서 막으로 형성되도록 한 열처리 공정이다.Chemical Vapor Deposition (CVD) is one of the semiconductor device manufacturing processes to form the required film on the surface of the substrate. It is a heat treatment process to supply the branched reactive gas to form a film on the surface of the substrate.
이러한 열처리장치에는 공정챔버의 내부를 진공상태로 하기 위해 공정튜브로 된 공정챔버에 피처리판(예를 들면, 박형 웨이퍼 또는 글라스 기판 등)의 제작시 확산층을 형성하거나 실리콘 산화막 또는 질화막을 형성하는데 있어서 가열 및 냉각, 등온 유지 등 각종 열처리 공정이 요구된다.In such a heat treatment apparatus, a diffusion layer or a silicon oxide film or a nitride film is formed in the process chamber made of a process tube (for example, a thin wafer or a glass substrate) in a process chamber made of a process tube so as to vacuum the inside of the process chamber. Therefore, various heat treatment processes such as heating and cooling, isothermal holding are required.
이러한 열처리 공정을 위해 사용되는 일반적인 열처리장치는, 내부에 피처리판이 선적되는 공정튜브와, 상기 공정튜브의 외부에 배치되어 공정튜브에 열을 가하는 히터(또는 발열 저항체)와, 상기 히터를 포위하여 배치되는 단열블럭들을 구비한다.A general heat treatment apparatus used for such a heat treatment process includes a process tube in which an object to be processed is shipped, a heater (or heat generating resistor) disposed outside the process tube to heat the process tube, and surrounding the heater. Insulating blocks are disposed.
이러한 열처리 장치는, 반도체 기판에 대한 처리 속도 및 성능을 향상시키기 위하여, 공정튜브 내의 온도를 500~1250℃ 정도의 온도까지 균일하게 가열시킬 수 있어야 하며, 또한, 반복적으로 이뤄지는 열처리 공정에 있어 각 Batch간의 처리온도를 일정하게 유지할 필요가 있다.In order to improve the processing speed and performance of the semiconductor substrate, such a heat treatment apparatus should be able to uniformly heat the temperature in the process tube to a temperature of about 500 to 1250 ° C, and in addition, each batch in a repeatedly heat treatment process. The treatment temperature of the liver needs to be kept constant.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 열처리 공정 등 반도체 제조에 사용되는 히터에 있어서, 상기 챔버용 히터 내부에 위치되는 내부 인슐레이터를 다단 조립이 가능한 구조로 형성하여 상기 다수개의 내부 인슐레이터 내벽에 형성된 공간부에 열선을 설착함으로써, 상기 열선이 내부 인슐레이터와 함께 다단으로 고정되는 구조를 가지도록 하고, 상기 챔버용 히터 내부에서 발열하는 상기 열선이 단면적 증대로 인한 발열량 증가의 효과를 얻어 발열 온도에 따른 열선의 변형을 지연시키도록, 상기 열선을 일정한 패턴의 형상으로 (연속 절곡 혹은 가공하여) 제작하고 너비 및 높이를 변형시키되, 온도의 상승 또는 하강으로 인한 열선의 변형이 다른부위보다 더 많이 발생되는 특정존에서는 다른존에서보다 더 많은 열선이 구비되어 단이 증가된 구조를 가지도록 함과 동시에, 열선의 턴 수를 조절하여 가열공간 형성이 보다 조밀한 형태를 취하도록 하며, 온도 하강시 흡기 및 배기로 인한 열선의 변형을 최소화하기 위해, 공기 유입량에 맞추어 내부 인슐레이터의 길이방향을 향해 일정한 패턴으로 흡입공을 배분 천공하여 공냉의 균일화가 이루어지도록 한 챔버용 히터를 제공하는데 있다.The present invention has been made to solve the above problems, an object of the present invention in the heater used in the semiconductor manufacturing, such as heat treatment process, forming an internal insulator located inside the heater for the chamber in a multi-stage assembly structure By installing a heating wire in the space formed on the inner wall of the plurality of internal insulator, the heating wire has a structure in which the heating wire is fixed in multiple stages together with the internal insulator, the heat generation heat generated by the internal heating of the chamber for the cross-sectional area is increased In order to delay the deformation of the heating wire according to the exothermic temperature to increase the effect of the increase, the heating wire is manufactured in a constant pattern shape (continuously bent or processed) and the width and height are deformed, but the heating wire is reduced due to the rise or fall of temperature. In certain zones where more deformation occurs than other zones, More heating wires are provided so that the stage has an increased structure, and the number of turns of the heating wires is adjusted so that the heating space is formed more densely, and the deformation of the heating wires due to intake and exhaust when the temperature falls is reduced. In order to minimize, it is to provide a chamber heater for uniformly cooling the air by perforating the suction holes in a predetermined pattern in the longitudinal direction of the internal insulator in accordance with the air inflow amount.
본 발명의 다른 목적 및 장점들은 하기에 설명될 것이며, 본 발명의 실시예에 의해 알게 될 것이다. 또한, 본 발명의 목적 및 장점들은 특허청구범위에 나타낸 수단 및 조합에 의해 실현될 수 있다.Other objects and advantages of the invention will be described below and will be appreciated by the embodiments of the invention. Furthermore, the objects and advantages of the present invention can be realized by means and combinations indicated in the claims.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 수단으로서, The present invention as a means for solving the above problems,
반도체를 제조하기 위해 열처리 공정 등이 시행되는 히터에 있어서, 하우징과; 상기 하우징 내부에서 이중관 형상을 가지도록, 다단조립이 가능한 다층으로 이루어지며 각각의 층마다 내벽에 공간부를 형성하는 내부 인슐레이터와 상기 내부 인슐레이터 내부에 삽입하고 있는 외부 인슐레이터로 이루어지는 열선 발열부와; 상기 다수개의 공간부에 입설되어 내부 인슐레이터와 함께 다단으로 고정되는 다수개의 열선과; 상기 하우징의 상, 하측에 각각 결합되는 상단 단열부 및 하단 단열부; 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.A heater in which a heat treatment step or the like is performed to manufacture a semiconductor, the heater comprising: a housing; A heat ray heating part comprising an inner insulator having a multi-stage assembly and having an inner insulator for forming a space portion on an inner wall of each layer, and an outer insulator inserted into the inner insulator so as to have a double tube shape in the housing; A plurality of hot wires installed in the plurality of spaces and fixed in multiple stages together with an internal insulator; An upper heat insulating part and a lower heat insulating part respectively coupled to upper and lower sides of the housing; Characterized in that comprises a.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명은 열처리 공정 등 반도체 제조에 사용되는 히터에 있어서, 상기 챔버용 히터 내부에 위치되는 내부 인슐레이터를 다단 조립이 가능한 구조로 형성하여 상기 다수개의 내부 인슐레이터 내벽에 형성된 공간부에 열선을 설착함으로써, 상기 열선이 내부 인슐레이터와 함께 다단으로 고정되는 구조를 가지도록 하고, 상기 챔버용 히터 내부에서 발열하는 상기 열선이 단면적 증대로 인한 발열량 증가의 효과를 얻어 발열 온도에 따른 열선의 변형을 지연시키도록, 열선의 너비 및 높이를 변화시키고 일정한 패턴으로 연속 절곡되도록 제작하여 결과적으로 수명이 연장되며, 또한, 온도의 상승 또는 하강으로 인한 열선의 변형이 다른부위보다 더 많이 발생되는 특정존에서는 다른존에서보다 더 많은 열선을 구비하여 단이 증가된 구조를 가지도록 함과 동시에, 열선의 턴 수를 조절하여 가열공간 형성이 보다 조밀한 형태를 취하도록 함으로써, 열선 뒤틀림이 최소 화되는 효과가 있다.As described above, the present invention is a heater used in semiconductor manufacturing, such as heat treatment process, by forming an internal insulator located inside the chamber heater in a multi-stage assembly structure formed on the inner wall of the plurality of internal insulators By installing the heating wire in the heating wire, the heating wire has a structure in which the heating wire is fixed in multiple stages together with the internal insulator, and the heating wire generated inside the chamber heater obtains the effect of increasing the amount of heat generated by the increase in the cross-sectional area. In order to delay the deformation, the width and height of the heating wire are changed and it is designed to be continuously bent in a constant pattern, resulting in the extension of the service life, and also the deformation of the heating wire due to the rise or fall of the temperature is more specific than other parts. Zones have more heating wires than other zones In addition to increasing the structure, by adjusting the number of turns of the heating wire to form a more compact heating space, there is an effect that the heating wire distortion is minimized.
또한, 외기를 챔버 내부로 유입하는 흡입공을 내부 인슐레이터의 다단 각각에 다수개 천공하되 외기가 유입되는 위치에 따라 천공개수를 상기 내부 인슐레이터의 길이방향을 향해 공기 유입량에 따라 일정한 패턴으로 배분하여 공냉의 균일화가 이루어지는 효과가 있다.In addition, a plurality of suction holes for introducing the outside air into the chamber are drilled in a plurality of stages of the internal insulator, and the number of perforations is distributed in a predetermined pattern according to the air inflow toward the longitudinal direction of the internal insulator according to the position of the outside air inlet. There is an effect that the uniformity of is achieved.
본 발명의 여러 실시예들을 상세히 설명하기 전에, 다음의 상세한 설명에 기재되거나 도면에 도시된 구성요소들의 구성 및 배열들의 상세로 그 응용이 제한되는 것이 아니라는 것을 알 수 있을 것이다. 본 발명은 다른 실시예들로 구현되고 실시될 수 있고 다양한 방법으로 수행될 수 있다. 또, 장치 또는 요소 방향(예컨대, 예를 들어 "전(front)", "후(back)", "위(up)", "아래(down)", "상(top)", "하(bottom)", "좌(left)", "우(right)", "횡(lateral)" 등과 같은 용어들에 관하여 본원에 사용된 표현 및 술어는 단지 본 발명의 설명을 단순화하기 위해 사용되고, 관련된 장치 또는 요소가 단순히 특정 방향을 가져야 하는 것을 나타내거나 의미하지 않는다는 것을 알 수 있을 것이다. 또한, "제 1(first)", "제 2(second)"와 같은 용어는 설명을 위해 본원 및 첨부 청구항들에 사용되고 상대적인 중요성 또는 취지를 나타내거나 의미하는 것으로 의도되지 않는다. Before describing the various embodiments of the present invention in detail, it will be appreciated that the application is not limited to the details of construction and arrangement of components described in the following detailed description or illustrated in the drawings. The invention can be implemented and carried out in other embodiments and can be carried out in various ways. In addition, the device or element orientation (e.g., "front", "back", "up", "down", "top", "down" expressions and predicates used herein with respect to terms such as " bottom ", " left ", " right ", " lateral " It will be appreciated that the device or element does not simply indicate or mean that it should have a particular orientation, and terms such as “first” and “second” are used herein for purposes of explanation and the appended claims. It is not intended to be used in or in any way to indicate or mean a relative significance or purpose.
본 발명은 상기의 목적을 달성하기 위해 아래의 특징을 갖는다.The present invention has the following features to achieve the above object.
본 발명에 따른 일 실시예는 반도체를 제조하기 위해 열처리 공정 등이 시행 되는 히터에 있어서, 하우징과; 상기 하우징 내부에서 이중관 형상을 가지도록, 다단조립이 가능한 다층으로 이루어지며 각각의 층마다 내벽에 공간부를 형성하는 내부 인슐레이터와 상기 내부 인슐레이터 내부에 삽입하고 있는 외부 인슐레이터로 이루어지는 열선 발열부와; 상기 다수개의 공간부에 입설되어 내부 인슐레이터와 함께 다단으로 고정되는 다수개의 열선과; 상기 하우징의 상, 하측에 각각 결합되는 상단 단열부 및 하단 단열부; 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.One embodiment according to the present invention is a heater in which a heat treatment process or the like is performed to manufacture a semiconductor, comprising: a housing; A heat ray heating part comprising an inner insulator having a multi-stage assembly and having an inner insulator for forming a space portion on an inner wall of each layer, and an outer insulator inserted into the inner insulator so as to have a double tube shape in the housing; A plurality of hot wires installed in the plurality of spaces and fixed in multiple stages together with an internal insulator; An upper heat insulating part and a lower heat insulating part respectively coupled to upper and lower sides of the housing; Characterized in that comprises a.
또한, 상기 열선은 발열로 인해 인장되어도 단선이 되지않아 수명이 연장될 수 있도록 판형상의 열선을 일정한 패턴으로 연속 절곡가공한 후, 띠 모양의 원형으로 롤링하여 사용하되, 상기 내부 인슐레이터에 고정되도록 양단부의 일정길이는 절곡되지 않은 비발열부로 형성하여 내부 인슐레이터의 내벽에 상기 비발열부를 삽입고정시키는 것을 특징으로 한다.In addition, the hot wire is used by rolling the plate-shaped hot wire in a constant pattern in a constant pattern so that the life is extended even if the wire is tensioned due to heat generation, and then rolled in a band-shaped circle, both ends to be fixed to the internal insulator The predetermined length of the non-bent portion is formed by the non-heating portion is characterized in that the insertion of the non-heating portion to the inner wall of the inner insulator.
또한, 상기 열선은 너비(W) 또는 높이(H)의 값을 증대시켜 단면적을 넓힘으로써 발열 온도에 따른 열선의 변형을 지연시켜 단선이 되는 경우를 최소화시키는 것을 특징으로 한다.In addition, the hot wire is characterized by minimizing the case of disconnection by delaying the deformation of the hot wire according to the heating temperature by increasing the value of the width (W) or height (H) to increase the cross-sectional area.
또한, 상기 열선은 단면적을 넓혀 발열량을 증가시킴으로써 단선이 되지않도록 1.0T 내지 1.5T의 너비(W)값을 가지되, 상기 공간부에 입설되는 각각의 열선마다 절곡 형태 및 너비가 상이한 것을 특징으로 한다.In addition, the heating wire has a width (W) value of 1.0T to 1.5T so as not to be disconnected by widening the cross-sectional area to increase the amount of heat generated, each bent form and width is different for each hot wire placed in the space portion do.
또한, 상기 열선은 열선의 절곡부에 양단이 끼워지는 다수개의 고정핀으로 내부 인슐레이터의 내벽에 고정되는 것을 특징으로 한다.In addition, the heating wire is fixed to the inner wall of the inner insulator by a plurality of fixing pins which are fitted at both ends of the bent portion of the heating wire.
또한, 상기 열선은 발열시 팽창될 여유공간을 위해, 열선이 위치되는 공간부 의 측면, 하면, 상면에 일정간격 이격되어 설치되는 것을 특징으로 한다.In addition, the hot wire is characterized in that spaced at a predetermined interval on the side, the bottom, the upper surface of the space portion where the hot wire is located, for the free space to be expanded during heating.
또한, 상기 내부 인슐레이터는 챔버용 히터 외벽 상측에서 유입되는 공기를 내부로 유동시키기 위해, 다단마다 공기 흡입을 위한 흡입공을 일정간격 이격하며 다수개 천공 형성하되, 상기 흡입공은 내부 인슐레이터의 상단에서 하단으로 갈수록 각 다단마다 천공된 개수가 공기 유입량에 따라 일정한 패턴으로 배분되도록 하여 공냉의 균일화를 이루도록 하는 것을 특징으로 한다.In addition, the inner insulator is formed by a plurality of perforations spaced apart at regular intervals inlet holes for air suction in order to flow the air flowing from the upper side of the outer wall of the heater for the chamber, the suction hole is formed at the top of the inner insulator Towards the lower end, the perforated number in each stage is distributed in a predetermined pattern according to the air inflow rate, so as to achieve uniform air cooling.
또한, 상기 챔버용 히터는 열선의 변형이 다른부위보다 더 많이 발생되는 특정존에의 단 구조를 제한된 높이 안에서 다른 존보다 더 많은 열선을 구비하는 단의 구조로 구성하고, 상기 열선의 턴 수를 조절함으로써, 가열공간 형성이 보다 더 조밀해 지도록 하여 상기 특정존에서 온도가 상승 또는 하강시에 열선의 변형이 지연되도록 하는 것을 특징으로 한다. In addition, the chamber heater has a stage structure in a particular zone in which deformation of the heating wire occurs more than other portions in a stage structure having more heating wires than other zones within a limited height, and the number of turns of the heating wire By adjusting, the heating space is made more compact, so that deformation of the hot wire is delayed when the temperature rises or falls in the specific zone.
이하 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하도록 한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Prior to this, terms or words used in the specification and claims should not be construed as having a conventional or dictionary meaning, and the inventors should properly explain the concept of terms in order to best explain their own invention. Based on the principle that can be defined, it should be interpreted as meaning and concept corresponding to the technical idea of the present invention.
따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형 예 들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.Therefore, the embodiments described in the specification and the drawings shown in the drawings are only the most preferred embodiment of the present invention and do not represent all of the technical idea of the present invention, various modifications that can be replaced at the time of the present application It should be understood that there may be equivalents and variations.
이하 도 1 내지 도 13을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 챔버용 히터를 상세히 설명하도록 한다.Hereinafter, a chamber heater according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 13.
도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 챔버용 히터는 기존 히터에서의 열선(50) 변형에 따른 히터의 수명 저하를 방지하기 위한 것으로, 상기 히터 내부에서 발열하는 열선(50)의 단면적을 증가시켜 단선을 방지하기 위해, 종래의 열선의 너비 및 높이를 변화시키고 일정패턴으로 연속 절곡되는 형태를 가지도록 제작한 챔버용 히터이며, 하우징(13), 열선 발열부(10), 열선(50), 상단 단열부(20), 하단 단열부(30)를 포함한다.As shown, the chamber heater according to the present invention is to prevent the deterioration of the life of the heater due to the deformation of the
도 1은 본 발명에 따른 히터를 나타낸 단면도이고, 도 2는 본 발명에 따른 히터를 나타낸 측면도이고, 도 3은 도 1의 A 확대도이고, 도 4는 본 발명에 따른 열선을 나타낸 정면도이고, 도 5는 본 발명에 따른 히터 내부에 열선이 다수개 설치됨을 나타낸 정면도이고, 도 6a는 도 5의 B 확대도이고, 도 6b는 본 발명에 따른 열선의 너비와 높이를 나타낸 상세도이고, 도 7은 본 발명에 따른 열선의 고정부분을 나타낸 상세도이고, 도 8은 본 발명에 따른 열선이 설치된 히터를 나타낸 단면도이고, 도 9는 도 8의 A 확대도이고, 도 10은 도 8의 C 확대도이고, 도 11은 본 발명에 따른 히터의 내부사시도이고, 도 12는 본 발명에 따른 흡입공이 일정패턴으로 천공됨을 나타낸 단면도이고, 도 13은 본 발명에 따른 열선을 특정존에서 패턴 수와 단 구조를 변화시켜 적용한 실시예의 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a heater according to the present invention, Figure 2 is a side view showing a heater according to the present invention, Figure 3 is an enlarged view of Figure 1, Figure 4 is a front view showing a heating wire according to the present invention, 5 is a front view showing a plurality of heating wires installed in the heater according to the present invention, Figure 6a is an enlarged view of B of Figure 5, Figure 6b is a detailed view showing the width and height of the heating wire according to the present invention, Figure 7 is a detailed view showing a fixing portion of the heating wire according to the present invention, Figure 8 is a sectional view showing a heater with a heating wire according to the present invention, Figure 9 is an enlarged view of Figure 8, Figure 10 is a C of Figure 8 11 is an enlarged view of an internal perspective view of a heater according to the present invention, FIG. 12 is a cross-sectional view showing a suction hole is drilled in a predetermined pattern according to the present invention, and FIG. Implementation by changing the structure A cross-sectional view of.
본 발명에 따른 챔버용 히터는 원통형의 하우징(13) 내부에 열선 발열부(10)가 위치되어 있으며, 열선 발열부(10)는 내부 인슐레이터(11)가 외부 인슐레이터(12) 내부에 끼워지는 이중관 형상을 가지도록 하고, 상기 하우징(13)의 상, 하단에 상단 단열부(20)와 하단 단열부(30)를 각각 결합하여 밀폐시킨다.In the heater for a chamber according to the present invention, the heating
상기 상단 단열부(20)에는 외부로 공기가 배출될 수 있도록 배기홀(21)을 형성하고 있으며, 상기 배기홀(21)은 내부 인슐레이터(11)의 내부와 연통되어야 함은 당연할 것이다.An
상기 내부 인슐레이터(11)의 외주면과 외부 인슐레이터(12)의 내주면 사이, 즉 내부 인슐레이터(11)와 외부 인슐레이터(12) 사이에 공기가 유동될 수 있도록 일정간격 이격되도록 한다.In order to allow the air to flow between the outer circumferential surface of the
상기 내부 인슐레이터(11)는 다수개가 적층되는 다층구조를 가지도록 하여 다단조립 가능하도록 한다. 상기 각각의 내부 인슐레이터(11)의 단면은 상기 도 3에서 보는 바와 같이 두 번 다단이 지는 형태를 가지는데, 첫 번째 단(段)을 제 1턱(41), 두 번째 단을 분리턱(40)이라 명명하겠다.The
상기 도 3에와 같이 α부분의 분리턱(40)이 β부분의 제 1턱(41)에 맞춤결합되는 구조를 가지도록 하며, 상기 분리턱(40)은 상, 하층을 구분짓는 경계가 된다. 그로 인해 다수개로 이루어지는 내부 인슐레이터(11)의 내벽에는 다수개의 층이 존재하게 되고, 각 층마다 비어있는 공간부(43)를 형성하게 된다.As shown in FIG. 3, the
상기 내부 인슐레이터(11)의 다단에는 공기의 흡입을 위한 흡입공(60)이 형 성되어 있는데, 이는 챔버 외벽에 형성된 유입공(14)에 의해 내부 인슐레이터(11)와 외부 인슐레이터(12) 사이의 공기 유입부(15)로 공기가 흡입된 후, 상기 흡입공(60)을 통해 내부 인슐레이터(11) 내부로 유동되는 배기구조를 형성하도록 하기 위함이고, 이는 본 발명에 따른 챔버용 히터의 빠른 냉각을 돕는다.The multi-stage of the
다시 말해, 상기 유입공(14)은 본 발명에 따른 챔버용 히터 외벽에 다수개를 형성하여 다량의 공기 흡입이 가능하도록 하며, 히터 내부로 유입된 공기는 내부 인슐레이터(11) 측면에 임의의 패턴으로 천공된 흡입공(60)을 통해 히터 내부의 발열부(53)로 흡입되게 되는 것이다.In other words, the
더불어, 상기 도 11에서 보는 바와 같이 상기 흡입공(60)은 히터 외벽의 상단측에 다수개가 형성되어 있기에, 상기 내부 인슐레이터(11) 내부 전체에 유입되는 외기는 상단에 비해 하단의 공급이 적을수 밖에 없다. 이를 해결하기 위해, 외기가 유입되는 상단측에서부터 하단측으로 향할수록 상기 내부 인슐레이터(11) 다단에 일정간격으로 이격되며 천공된 흡입공(60)의 개수를 일정한 패턴으로 점차 증가시켜 히터 전반에 걸쳐 균일한 공냉의 효과를 가지도록 하는데, 즉, 온도 하강(Ramping Down)시 히터 전체에 걸쳐 동일한 밸런스가 유지되도록 배치해야 한다는 것이다. 이는 상기 도 12에 도시되어 있다. 상기 도 11에서는 상기 흡입공(60)이 히터 상단에 천공되도록 도시하였지만, 상기 히터(60) 하단에 흡입공(60)이 천공되어 있다면 상기 흡입공(60)의 개수는 히터 하단으로 갈수록 점차 감소해야 함은 당연할 것이며, 이는 사용자에 의해 변경가능할 것이다.In addition, as shown in FIG. 11, since the
상기 공간부(43)에는 열선(50)이 위치되도록 하는데, 상기 열선(50)은 판형 의 열선(50)을 일정한 패턴으로 연속절곡시켜 상기 도 4와 같은 형상을 가지도록 하는데, 일정하게 연속 절곡되는 부분이 발열하는 발열부가 되고, 양단의 일정길이부분인 비발열부(52)는 연속 절곡가공되지 않은 채 상기 도 10에 도시된 것처럼 내부 인슐레이터(11) 자체에 박혀 고정된다.The
상기 열선(50)이 결합되는 내부 인슐레이터(11)의 형상이 원통형이기에, 상기 열선(50) 또한 일정한 패턴으로 연속 절곡한 띠 모양의 열선(50)을 원형으로 롤링한 후 사용하도록 한다.Since the shape of the
즉, 기존 나선형의 와인딩이 되던 열선을 본 발명에서는 판형 열선의 형태를 취함으로써 열선과 열선 사이의 피치(P)를 가지는 다단의 적층구조를 취하게 되는 것이다.That is, in the present invention, the hot wire, which has been a conventional spiral winding, takes a form of a plate-shaped hot wire, thereby taking a multi-layered stack structure having a pitch P between the hot wire and the hot wire.
더불어, 상기 열선(50)은 너비(W) 또는 높이(H)를 종래의 열선보다 일정크기로 변화시켜 제작함으로써 단면적 증대로 인한 단선방지를 꾀하되, 상기 너비(W)는 1.0T 내지 1.5T의 너비(W)값을 가지도록 하며, 다층으로 이루어지는 내부 인슐레이터(11)의 공간부(43)에 각각 설치된 상기 다수개의 열선(50)들은 층별로 다른 너비와 절곡패턴을 가질 수 있다.In addition, the
상기와 같이 열선(50)의 너비를 종래보다 두껍게 하고, 일정한 패턴의 연속 절곡형상을 가지도록 하는 것은 발열하는 상기 열선(50)의 단면적을 변화시킴으로써 단선이 쉽게 되지 않아 수명이 연장되도록 하기 위함이다. 물론 상기 열선(50)의 단면적은 너비 값의 변화뿐만 아닌 높이값의 변경으로도 변화가 가능하지만, 본 발명에서의 히터가 상, 하 방향으로의 적층 구조임을 감안하면 높이값 보다는 너비 값을 키우는 것이 올바를 것이다. (보통 챔버용 히터는 장비에 부착되는 부속품으로 장착 높이가 한정되어 있고 그렇기에 다단으로 조립되는 열선(50)의 높이를 증가시키게 되면 전체 히터 높이에 영향을 주게 된다.) As described above, the width of the
상기 열선(50)은 일정한 패턴으로 연속 절곡하면서 다수개의 절곡부(51)를 형성하게 되고, 상기 절곡부(51)와 절곡부(51) 사이에 양단이 끼워진 후 내부 인슐레이터(11)에 박힘으로써 상기 열선(50)을 내부 인슐레이터(11)에 고정시키는 다수개의 고정핀(54)을 더 구비한다.The
또한, 상기 열선(50)은 발열되면서 팽창하기 때문에 팽창 여유공간을 구비해야 한다. 그로 인해, 공간부(43)에 위치되는 열선(50)의 측면, 하면, 상면에 일정간격(D1, D2, D3) 공간을 구비하며 설치되도록 한다.In addition, since the
상기에서 설명한 열선의 패턴 형상의 변화에 대해 더 자세히 설명하면,In more detail about the change in the pattern shape of the hot wire described above,
상기 판형 열선(50)의 패턴 형상과 개수를 변화시키는 것은 존(Zone)별 발열량에 맞추어 결정되는 것이나, 발열에 대한 상기 열선의 상(형태, 狀) 변화가 주요한 요인이다.The change in the pattern shape and the number of the plate-shaped
(상기에서 거론된 존(Zone)이란 보다 확실한 설명을 위해, 히터의 길이방향 일정구간을 임의로 명명한 것으로, 히터의 중단부위 일정구역을 센터존(Center Zone)이라 칭할때, 상기 센터존의 하단부위를 순차적으로 센터로우존(Center Low Zone), 로우존(Low Zone)이라 칭하고, 상단부위로 갈수록 센터어퍼존(Center Upper Zone), 어퍼존(Upper Zone)이라 칭할 수 있다.)(Zone, discussed above, is to arbitrarily name a certain lengthwise direction of the heater for a more clear explanation. When a certain area of the middle of the heater is called a center zone, the lower end of the center zone The area may be sequentially called a center low zone and a low zone, and may be referred to as a center upper zone and an upper zone as the upper portion goes upward.)
상기 열선(50)을 일정한 단면의 흐름으로 패턴을 형성한 것은, 상기 열선(50)의 상 변화 방향을 일방향이 아닌 다방향으로 분산시켜 줌으로써 특정 방향으로만 열선(50)이 변형되는 문제가 해결하고자 한 것이고, 상기 패턴의 반복되는 구조를 가지도록 한 것은 히터 내부의 존과 존 사이의 안정적인 분위기(Heating Area, 발열공간) 형성을 돕고 제작상의 용이함을 취하기 위해서이다.Forming the pattern with the flow of the
본 발명에 따른 챔버용 히터를 포함하여 대부분의 히터들은 내부의 온도하강(Ramping Down)을 위하여 하부에서 외기를 흡입하여 상부에서 배출하는 것이 일반적인데, 흡입 및 배기 압으로 공냉시 외기가 유입되는 하단 열선(50)에 대한 변형은 타 존에 비하여 상대적으로 빠르게 진행될 수밖에 없음은 당연할 것이다. Most of the heaters, including the chamber heater according to the present invention, are generally discharged from the upper by inhaling the outside air from the bottom to reduce the temperature inside (Ramping Down), the lower air inlet air flow in the inlet and exhaust pressure It will be obvious that the deformation of the
상기와 같이 열선(50)의 변형이 타 존보다 상대적으로 빠르게 발생되거나, 제작자가 임의로 선택하는 등의 특정존(70)의 열선(50)들을 상기에서와 같이 너비(W)값을 변화시키거나, 패턴을 타 존과는 상이한 패턴으로 형성하는것 외에, 상기 열선(50)의 턴 수를 조절하거나 동일한 높이에서 더 많은 열선(50)이 구비되어 단 수가 늘어나는 구조로도 적용가능하다.As described above, the deformation of the
더 자세히 설명하면, 도 13에서 보는 바와 같이 (A)에서 특정존(70)을 4단의 구조를 가지도록 하였다면, 도 13의 (B)는 상기 (A)와 동일한 높이 안에서 5단 또는 6단의 구조를 취하게 함으로써 발열에 대한 가열공간 형성을 보다 더 조밀하게 한다.In more detail, as shown in FIG. 13, if the
이때, 상기 (B)의 열선(50) 턴 수를 상기 (A)보다 상대적으로 많거나 또는 적도록 변경하여 적용시킬 수 있다.In this case, the number of turns of the
(상기의 특정존(70)은 열선(50)의 변형이 심한 구간을 비롯하여 사용자가 히터의 구간 어느곳이든 임의로 지정할 수 있음은 당연하기에, 상기 특정존(70)을 상기의 도 에서 도시한 구간만으로 한정하여 해석되어서는 안될 것이다.)(The
이상과 같이, 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술 사상과 아래에 기재될 특허청구범위의 균등범위 내에서 다양한 수정 및 변경이 가능함은 물론이다.As mentioned above, although this invention was demonstrated by the limited embodiment and drawing, this invention is not limited by this, The person of ordinary skill in the art to which this invention belongs, Various modifications and changes may be made without departing from the scope of the appended claims.
도 1은 본 발명에 따른 히터를 나타낸 단면도.1 is a cross-sectional view showing a heater according to the present invention.
도 2는 본 발명에 따른 히터를 나타낸 측면도.2 is a side view showing a heater according to the present invention.
도 3은 도 1의 A 확대도.3 is an enlarged view of A of FIG. 1;
도 4는 본 발명에 따른 열선을 나타낸 정면도.Figure 4 is a front view showing a heating wire according to the present invention.
도 5는 본 발명에 따른 히터 내부에 열선이 다수개 설치됨을 나타낸 정면도.Figure 5 is a front view showing a plurality of heating wires are installed inside the heater according to the present invention.
도 6a는 도 5의 B 확대도.FIG. 6A is an enlarged view of B of FIG. 5; FIG.
도 6b는 본 발명에 따른 열선의 너비와 높이를 나타낸 상세도.Figure 6b is a detailed view showing the width and height of the heating wire according to the present invention.
도 7은 본 발명에 따른 열선의 고정부분을 나타낸 상세도.7 is a detailed view showing a fixing portion of the heating wire according to the present invention.
도 8은 본 발명에 따른 열선이 설치된 히터를 나타낸 단면도.8 is a cross-sectional view showing a heater provided with a heating wire according to the present invention.
도 9는 도 8의 A 확대도.9 is an enlarged view of A of FIG. 8;
도 10은 도 8의 C 확대도.10 is an enlarged view of FIG. 8C;
도 11은 본 발명에 따른 히터의 내부사시도.11 is an internal perspective view of a heater according to the present invention.
도 12는 본 발명에 따른 흡입공이 일정패턴으로 천공됨을 나타낸 단면도.12 is a cross-sectional view showing that the suction hole in accordance with the present invention in a predetermined pattern.
도 13은 본 발명에 따른 열선을 특정존에서 패턴 수와 단 구조를 변화시켜 적용한 실시예의 단면도.13 is a cross-sectional view of an embodiment in which the heating wire according to the present invention is applied by changing the number of patterns and the stage structure in a specific zone.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 표시><Indication of symbols for main parts of drawing>
10: 열선 발열부 11: 내부 인슐레이터10: heating element 11: internal insulator
12: 외부 인슐레이터 13: 하우징12: external insulator 13: housing
14: 유입공 15: 공기 유입부14: inlet hole 15: air inlet
20: 상단 단열부 21: 배기홀20: upper insulation 21: exhaust hole
30: 하단 단열부 40: 분리턱30: lower insulation 40: separation jaw
41: 제 1턱 43: 공간부41: first jaw 43: space part
50: 열선 51: 절곡부50: hot wire 51: bend
52: 비발열부 53: 발열부52: non-heating unit 53: heating unit
54: 고정핀 60: 흡입공54: fixing pin 60: suction hole
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CN109480447A (en) * | 2019-01-04 | 2019-03-19 | 深圳市奋达科技股份有限公司 | A kind of assembly method of air duct fever frame and air duct fever frame |
KR102251676B1 (en) | 2020-07-07 | 2021-05-13 | 주식회사 한화 | Substrate Treatment Heater Apparatus |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100539386B1 (en) * | 2004-06-25 | 2005-12-27 | 조정희 | Furnace apparatus |
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- 2007-12-05 KR KR1020070125743A patent/KR100835588B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100539386B1 (en) * | 2004-06-25 | 2005-12-27 | 조정희 | Furnace apparatus |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109480447A (en) * | 2019-01-04 | 2019-03-19 | 深圳市奋达科技股份有限公司 | A kind of assembly method of air duct fever frame and air duct fever frame |
CN109480447B (en) * | 2019-01-04 | 2024-04-02 | 深圳市奋达科技股份有限公司 | Air duct heating frame and assembling method thereof |
KR102251676B1 (en) | 2020-07-07 | 2021-05-13 | 주식회사 한화 | Substrate Treatment Heater Apparatus |
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