KR100834392B1 - Semiconductor device - Google Patents
Semiconductor device Download PDFInfo
- Publication number
- KR100834392B1 KR100834392B1 KR1020060105456A KR20060105456A KR100834392B1 KR 100834392 B1 KR100834392 B1 KR 100834392B1 KR 1020060105456 A KR1020060105456 A KR 1020060105456A KR 20060105456 A KR20060105456 A KR 20060105456A KR 100834392 B1 KR100834392 B1 KR 100834392B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- dll
- clock
- error detection
- dll clock
- signal
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 17
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 41
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims description 3
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 claims description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 10
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 5
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 3
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 3
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
- G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
- G11C11/4076—Timing circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/22—Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management
- G11C7/222—Clock generating, synchronizing or distributing circuits within memory device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K5/00—Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
- H03K5/153—Arrangements in which a pulse is delivered at the instant when a predetermined characteristic of an input signal is present or at a fixed time interval after this instant
- H03K5/1534—Transition or edge detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
- H03L7/00—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
- H03L7/06—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop
- H03L7/08—Details of the phase-locked loop
- H03L7/081—Details of the phase-locked loop provided with an additional controlled phase shifter
- H03L7/0812—Details of the phase-locked loop provided with an additional controlled phase shifter and where no voltage or current controlled oscillator is used
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
- H03L7/00—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
- H03L7/06—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop
- H03L7/08—Details of the phase-locked loop
- H03L7/085—Details of the phase-locked loop concerning mainly the frequency- or phase-detection arrangement including the filtering or amplification of its output signal
- H03L7/089—Details of the phase-locked loop concerning mainly the frequency- or phase-detection arrangement including the filtering or amplification of its output signal the phase or frequency detector generating up-down pulses
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
- Pulse Circuits (AREA)
- Dram (AREA)
Abstract
본 발명은 외부클럭을 입력받아 서로 상보적인 제1 및 제2 DLL 클럭을 생성하는 지연고정루프, 및 상기 제1 DLL 클럭의 에지(edge)에 근거해서 상기 제2 DLL 클럭의 논리값을 검출하여, 상기 제1 및 제2 DLL 클럭의 에러검출신호를 생성하는 에러검출수단을 구비하는 반도체 장치를 제공한다.The present invention detects a logic value of the second DLL clock based on a delay locked loop for receiving first external clocks and generating complementary first and second DLL clocks, and an edge of the first DLL clock. And an error detection means for generating error detection signals of the first and second DLL clocks.
고정지연루프, 에러검출부, DLL 클럭 Fixed Delay Loop, Error Detector, DLL Clock
Description
도 1은 종래에 지연고정루프를 테스트하는 회로를 설명하기 위한 블록도.1 is a block diagram illustrating a circuit for testing a delay locked loop in the related art.
도 2는 본 발명에 따라 지연고정루프를 테스트하는 회로를 설명하기 위한 블록도.2 is a block diagram illustrating a circuit for testing a delay locked loop in accordance with the present invention.
도 3은 도 2의 각 신호를 설명하기 위한 타이밍도.FIG. 3 is a timing diagram for describing each signal of FIG. 2. FIG.
도 4는 도 2의 에러검출부의 일실시예를 설명하기 위한 회로도.4 is a circuit diagram illustrating an example of an error detection unit of FIG. 2.
도 5는 도 4의 각 신호를 설명하기 위한 타이밍도.FIG. 5 is a timing diagram for describing each signal of FIG. 4. FIG.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for the main parts of the drawings
100 : 반도체 장치 200 : 버퍼부100
300 : 지연고정루프 410 : 제1 패드300: delayed fixed loop 410: first pad
420 : 제2 패드 430 : 제3 패드420: second pad 430: third pad
500 : 에러검출부 600 : 리셋부500: error detection unit 600: reset unit
본 발명은 반도체 설계 기술에 관한 것으로, 특히 지연고정루프(DLL : Delay Locked Loop)에서 생성되는 신호의 에러(errer)를 검출하는 반도체 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to semiconductor design techniques, and more particularly, to a semiconductor device that detects an error (errer) of a signal generated in a delay locked loop (DLL).
DDR SDRAM(Double Data Rate Synchronous DRAM)과 같은 동기식 반도체 장치는 외부 컨트롤러(controller)로부터 입력되는 외부클럭(이하, "EXT_CLK")에 동기되는 내부클럭를 이용하여, 외부 장치들과 데이터(data) 전송을 수행한다. 이렇게, 내부클럭를 이용하는 것은 외부 장치와 동기식 반도체 장치 간의 안정적인 데이터 전송을 위한 것으로, 외부클럭(EXT_CLK)과 데이터간의 시간적 동기는 매우 중요하다.Synchronous semiconductor devices such as DDR SDRAM (Double Data Rate Synchronous DRAM) use an internal clock synchronized with an external clock (hereinafter, referred to as "EXT_CLK") input from an external controller to perform data transfer with external devices. Perform. In this way, the use of the internal clock is for stable data transmission between the external device and the synchronous semiconductor device, and the time synchronization between the external clock EXT_CLK and the data is very important.
일반적으로, 이러한 역할을 수행하기 위하여 동기식 반도체 장치는 클럭 동기회로를 포함하고 있다. 이러한, 클럭 동기회로에는 대표적으로 위상고정루프(PLL: Phase Locked Loop)와 지연고정루프(DLL)가 있으며, 외부클럭(EXT_CLK)의 주파수와 내부클럭의 주파수가 서로 다른 경우에는 주파수 채배 기능이 있는 위상고정루프(PLL)를 주로 사용하고, 외부클럭(EXT_CLK)과 내부클럭의 주파수가 동일한 경우에는 대부분 지연고정루프(DLL)를 사용한다.In general, the synchronous semiconductor device includes a clock synchronizing circuit to perform this role. Such clock synchronizing circuits typically include a phase locked loop (PLL) and a delay locked loop (DLL). When the frequency of the external clock EXT_CLK and the internal clock are different from each other, the clock synchronous circuit has a frequency multiplier function. The phase locked loop (PLL) is mainly used, and when the frequency of the external clock (EXT_CLK) and the internal clock is the same, most of the delay locked loop (DLL) is used.
여기서, 지연고정루프(DLL)는 위상고정루프(PLL)에 비해 잡음이 적고, 작은 면적으로 구현할 수 있는 장점이 있어 동기식 반도체 장치에서는 동기회로로서 지연고정루프회로(DLL)를 사용하는 것이 일반적이다. 그 중에서도 가장 최근의 기술로는 고정 지연 값을 저장할 수 있는 레지스터를 구비하여 전원차단시, 레지스터에 고정 지연 값을 저장하였다가 다시 전원이 인가되면 레지스터에 저장되어 있던 고정 지연 값을 로딩하여 클럭 고정에 사용함으로써 최초 클럭 고정에 소요되는 시간을 줄일 수 있는 레지스터 제어형 지연고정루프(Register Controlled DLL)회로가 가장 널리 사용되고 있다.Here, the delay locked loop DLL has less noise than the phase locked loop PLL and can be implemented with a small area. Therefore, in the synchronous semiconductor device, the delay locked loop DLL is generally used as the synchronization circuit. . Among them, the most recent technology includes a register that can store a fixed delay value, and when the power is turned off, the fixed delay value is stored in the register when the power is turned off. Register-controlled DLL loops, which can reduce the time required for initial clock lock, are most widely used.
또한, 지연고정루프(DLL)는 입력된 외부클럭(EXT_CLK)이 반도체 장치 내부의 데이터 출력단까지 전달되는 과정에서 발생하는 지연 성분을 보상하여 내부클럭를 생성함으로써, 최종적으로 입출력되는 데이터를 클럭의 에지(edge), 혹은 중심(center)에 정확하게 위치시켜 준다.In addition, the delay locked loop DLL compensates for the delay component that occurs when the input external clock EXT_CLK is transferred to the data output terminal of the semiconductor device, thereby generating an internal clock, and finally outputs the input / output data to the edge of the clock. Position it exactly at the edge or center.
한편, 반도체 장치의 동작 속도가 점점 빨라짐에 따라 입력되는 외부클럭(EXT_CLK) 자체에 왜곡이 발생하여 클럭의 듀티 사이클(duty cycle)이 어긋나는 현상이 빈번해지고 있다. 이처럼 클럭의 듀티 사이클이 어긋난 상태에서의 지연고정루프(DLL)는 오동작을 일으킬 가능성이 높아지며, 지연고정루프(DLL)에서 생성되는 내부클럭 역시 듀티 사이클이 왜곡될 소지가 있다. 이러한 상황에서 요즈음에는 지연고정루프(DLL)에서 생성되는 내부클럭의 신뢰성을 위한 테스트가 중요한 이슈로 대두되고 있다.On the other hand, as the operation speed of the semiconductor device becomes faster, distortion occurs in the external clock EXT_CLK itself, which frequently causes a shift in the duty cycle of the clock. As such, the delay locked loop DLL in a state in which the duty cycle of the clock is shifted is more likely to cause a malfunction, and the internal clock generated in the delay locked loop DLL may also distort the duty cycle. In this situation, a test for reliability of an internal clock generated from a delay locked loop (DLL) has emerged as an important issue these days.
도 1은 종래에 지연고정루프(30)를 테스트하는 회로를 설명하기 위한 블록도이다.1 is a block diagram illustrating a circuit for testing a
도 1의 반도체 장치(10)에는 외부클럭(EXT_CLK)을 입력받아 버퍼링(buffering)하는 버퍼부(20)와, 버퍼부(20)의 출력신호를 입력받아 라이징 DLL 클럭(이하, "RCLKDLL") 및 폴링 DLL 클럭(이하, "FCLKDLL")을 생성하는 지연고정루 프(30)와, 라이징 DLL 클럭(RCLKDLL)을 출력하기 위한 제1 패드(41), 및 폴링 DLL 클럭(FCLKDLL)을 출력하기 위한 제2 패드(42)가 도시되어 있다.The
여기서, 버퍼부(20)와 지연고정루프(30)에 대한 구체적인 회로 구성은 이미 널리 공지된 것이기에 여기서 구체적으로 설명은 생략하기로 한다.Here, since the specific circuit configuration of the
참고적으로, 라이징 DLL 클럭(RCLKDLL) 및 폴링 DLL 클럭(FCLKDLL)은 지연고정루프(30)에 의해 생성되는 내부클럭으로써, 외부클럭(EXT_CLK)의 에지(edge)에 데이터가 동기 될 수 있도록 내부장치의 지연을 고려하여 생성된 클럭이다. 다시 말하면, 외부클럭(EXT_CLK)의 라이징 에지(rising edge) 및 폴링 에지(falling edge)에 데이터를 내보내기 위해, 지연고정루프(30)는 외부클럭(EXT_CLK)과 같은 위상를 갖는 라이징 DLL 클럭(RCLKDLL)과, 반대되는 위상를 갖는 폴링 DLL 클럭(FCLKDLL)을 생성한다. 이 라이징 DLL 클럭(RCLKDLL)과 폴링 DLL 클럭(FCLKDLL)은 서로 반대 위상을 가져야 하며, 정확한 듀티를 갖아야 한다.For reference, the rising DLL clock RCLKDLL and the falling DLL clock FCLKDLL are internal clocks generated by the delay locked
이러한, 라이징 DLL 클럭(RCLKDLL)과 폴링 DLL 클럭(FCLKDLL)의 신뢰성을 확보하기 위한 모니터링(monitoring)하기 위해서는, 별도의 테스트 모드(test mode)를 사용해서 라이징 DLL 클럭(RCLKDLL)과 폴링 DLL 클럭(FCLKDLL)을 제1 패드(41)와 제2 패드(42)로 각각 출력하고, 오실로스코프(oscilloscope) 장비를 이용하여 클럭을 분석한다. In order to monitor to ensure the reliability of the rising DLL clock RCLKDLL and the falling DLL clock FCLKDLL, a separate test mode is used for the rising DLL clock RCLKDLL and the falling DLL clock. FCLKDLL) is output to the first pad 41 and the second pad 42, respectively, and the clock is analyzed using an oscilloscope device.
하지만, 이때 시간축으로 수 'ns'단위로 계속하여 출력되고 있는 라이징 DLL 클럭(RCLKDLL)과 폴링 DLL 클럭(FCLKDLL)을 모니터링 하는 것에는 한계가 있다. 또한, 오실로스코프 자체의 해상도(resolution)에도 한계가 있어서, 수 'ns'단위의 파형을 실시간으로 계속하여 표시(display)하는 것도 불가능하다. 더욱이, 수없이 많은 라이징 DLL 클럭(RCLKDLL)과 폴링 DLL 클럭(FCLKDLL) 중에 한 시점(point) 또는 두 시점에서 파형이 왜곡되었을 때는 더욱 모니터링하기 힘든 문제점이 있다.However, there is a limit in monitoring the rising DLL clock (RCLKDLL) and the falling DLL clock (FCLKDLL) that are continuously output in units of 'ns' on the time axis. In addition, since the resolution of the oscilloscope itself is limited, it is impossible to continuously display a waveform of several 'ns' units in real time. Furthermore, when the waveform is distorted at one point or two points among the numerous rising DLL clocks RCLKDLL and the falling DLL clock FCLKDLL, it is more difficult to monitor.
다시 말하면, 종래에는 지연고정루프(30)의 정상동작 유무판단을 할 때, 오실로스코프 자체의 해상도 문제와, 실시간으로 표시되기 불가능한 문제로 인한 모니터링 미스(monitoring miss) 등으로 테스트 결과에 신뢰성이 떨어지게 되었다.In other words, when determining whether the delayed fixed
본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로, 지연고정루프(DLL)의 출력신호인 라이징 DLL 클럭(RCLKDLL)과 폴링 DLL 클럭(FCLKDLL)의 에러(errer)를 신뢰성 있게 검출할 수 있는 반도체 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been proposed to solve the above-mentioned problems of the prior art, and it is possible to reliably detect the error (errer) of the rising DLL clock RCLKDLL and the falling DLL clock FCLKDLL, which are output signals of the delay locked loop DLL. The object is to provide a semiconductor device that can be.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따르면, 외부클럭을 입력받아 서로 상보적인 제1 및 제2 DLL 클럭을 생성하는 지연고정루프; 및 상기 제1 DLL 클럭의 에지(edge)에 근거해서 상기 제2 DLL 클럭의 논리값을 검출하여, 상기 제1 및 제2 DLL 클럭의 에러검출신호를 생성하는 에러검출수단을 구비하는 반도체 장치를 제공한다.According to the present invention for achieving the above object, a delay locked loop for receiving the external clock to generate the first and second DLL clock complementary to each other; And error detection means for detecting a logic value of the second DLL clock based on an edge of the first DLL clock, and generating error detection signals of the first and second DLL clocks. to provide.
이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 설명하기로 한다.Hereinafter, the most preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily implement the technical idea of the present invention. .
도 2는 본 발명에 따라 지연고정루프(300)를 테스트하는 회로를 설명하기 위한 블록도이다.2 is a block diagram illustrating a circuit for testing the delay locked
도 2의 반도체 장치(100)에는 외부클럭(EXT_CLK)을 입력받아 버퍼링(buffering)하는 버퍼부(200)와, 버퍼부(200)의 출력신호를 입력받아 라이징 DLL 클럭(RCLKDLL) 및 폴링 DLL 클럭(FCLKDLL)을 생성하는 지연고정루프(300)와, 라이징 DLL 클럭(RCLKDLL)의 에지에 근거해서 폴링 DLL 클럭(FCLKDLL)의 논리값을 검출하여 에러검출신호(DLL_ERR1)를 생성하는 에러검출부(500)와, 에러검출부(500)를 리셋(reset)시키기 위한 리셋부(600)와, 라이징 DLL 클럭(RCLKDLL)이 출력되는 제1 패드(410)와, 폴링 DLL 클럭(FCLKDLL)이 출력되는 제2 패드 (420), 및 에러검출신호(DLL_ERR1)가 출력되는 제3 패드(430)가 도시되어 있다.The
여기서, 제1 내지 제3 패드(410, 420, 430)에서는 지연고정루프(300)의 출력신호(RCLKDLL, FCLKDLL) 및 에러검출신호(DLL_ERR1)가 출력되며, 테스트 목적에 따라 연결을 달리할 수 있다. 예컨데, 라이징 DLL 클럭(RCLKDLL)과 폴링 DLL 클럭(FCLKDLL)의 에러만을 테스트하기 위해서는 에러검출신호(DLL_ERR1)만 제1 내지 제3 패드(410, 420, 430) 중 어느 하나의 패드로 출력하기만 하면 된다. 때문에, 나머지 패드에 대해서는 다른 테스트를 하기 위한 연결이 가능하다.Herein, the output signals RCLKDLL and FCLKDLL and the error detection signal DLL_ERR1 of the delay locked
한편, 버퍼부(200)와 지연고정루프(300)에 대한 구체적인 회로 구성은 이미 널리 공지된 것이기에 여기서 구체적으로 설명은 생략하기로 한다. 다만, 본 발명(도 2)에서는 공개기술(도 1 참조)과 비교하여 에러검출부(500)를 추가하였으며, 이에 따라 에러검출신호(DLL_ERR1)를 생성할 수 있다.Meanwhile, since a detailed circuit configuration of the
또한, 본 발명에 따른 리셋부(600)를 더 구비할 수 있으며, 리셋부(600)의 동작은 이하, 도 3에서 설명하기로 한다.In addition, a
도 3은 도 2의 각 신호를 설명하기 위한 타이밍도이다.FIG. 3 is a timing diagram for describing each signal of FIG. 2.
도 3을 참조하면, 라이징 DLL 클럭(RCLKDLL)은 외부클럭(EXT_CLK)의 라이징 에지에 동기되는 클럭으로 토글링(toggling)하는 신호이다. 폴링 DLL 클럭(FCLKDLL)은 외부클럭(EXT_CLK)의 폴링 에지에 동기되는 클럭으로 역시 토글링하는 신호이다. 때문에, 이 두 신호(RCLKDLL, FCLKDLL)는 서로 상보적인 관계, 즉, 서로 위상이 반대인 신호(RCLKDLL, FCLKDLL)이다. 이 두 신호(RCLKDLL, FCLKDLL)가 정상적으로 토글링하는 경우, 에러검출신호(DLL_ERR1)는 논리'로우'(low)를 유지한다. 한편, 라이징 DLL 클럭(RCLKDLL)과 폴링 DLL 클럭(FCLKDLL)이 서로 상보적이지 않을 경우, 즉, 서로 위상이 정확하게 반전되어 있지 않을 경우, 에러검출신호(DLL_ERR1)는 논리'하이'(high)로 활성화(enable)된다. 여기서, 활성화는 지연고정루프(300)에서 잘못된 라이징 DLL 클럭(RCLKDLL) 또는/및 폴링 DLL 클럭(RCLKDLL)이 생성됐음을 의미한다. 즉, 테스트를 수행하는 테스터(tester)는 이 에러검출신호(DLL_ERR1)를 근거로 지연고정루프(300)의 오작동에 기인한 불량을 판단할 수 있다.Referring to FIG. 3, the rising DLL clock RCLKDLL is a signal that toggles to a clock synchronized with the rising edge of the external clock EXT_CLK. The polling DLL clock FCLKDLL is a signal that also toggles to a clock synchronized with the polling edge of the external clock EXT_CLK. Therefore, these two signals RCLKDLL and FCLKDLL are complementary relations to each other, i.e., signals RCLKDLL and FCLKDLL that are out of phase with each other. When these two signals RCLKDLL and FCLKDLL are normally toggled, the error detection signal DLL_ERR1 maintains a logic 'low'. On the other hand, when the rising DLL clock RCLKDLL and the falling DLL clock FCLKDLL are not complementary to each other, that is, when the phases are not inverted correctly with each other, the error detection signal DLL_ERR1 is set to logic 'high'. It is enabled. In this case, the activation means that an incorrect rising DLL clock RCLKDLL or / and a falling DLL clock RCLKDLL has been generated in the
이하, 도 2의 리셋부(600)를 설명하기로 한다.Hereinafter, the
예컨데, 지연고정루프(300)의 오동작으로 인해 에러검출신호(DLL_ERR1)가 계속 논리'하이'를 유지하게 되면, 지연고정루프(300)에 오동작이 얼마나 많이 발생하는지 판단이 불가능하다. 때문에, 리셋부(600)는 에러검출신호(DLL_ERR1)가 논리'하이'로 활성화된 다음 예정된 시간 이후에 에러검출부(500)를 리셋(reset)시키는 역할을 한다. 즉, 리셋부(600)는 도 3의 리셋신호(ERR_RST)와 같이, 에러검출신호(DLL_ERR1)의 활성화 시점으로부터 예정된 시간 이후에 펄스신호를 생성한다. 그리고, 에러검출부(500)는 그 리셋신호(ERR_RST)에 응답하여 리셋된다. 때문에, 에러검출신호(DLL_ERR1)는 에러 검출시 논리'하이'가 되고 리셋신호(ERR_RST)에 응답하여 논리'로우'로 리셋 되어, 이후 발생할지도 모르는 에러를 대비할 수 있다.For example, if the error detection signal DLL_ERR1 remains logic 'high' due to a malfunction of the delay locked
이 같은, 리셋부(600)는 칩(chip) 외부에서 입력되는 컨트롤신호(controll signal, 이하, "EXT_CTR")를 입력받아 리셋신호(ERR_RST)를 생성하며, 이때, 컨트롤신호(EXT_CTR)는 에러 검출 정보를 포함할 수 있고, 또한, 테스터(tester)가 원하는 시간에 리셋하기 위한 정보를 포함할 수 있다.As such, the
도 4는 도 2의 에러검출부(500)의 일실시예를 설명하기 위한 회로도이다.4 is a circuit diagram illustrating an example of the
도 4를 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 에러검출부(500)는 라이징 DLL 클럭(RCLKDLL)과 폴링 DLL 클럭(FCLKDLL)의 에러 검출 마진을 설정하기 위해 폴링 DLL 클럭(FCLKDLL)을 입력받아 테스터(tester)가 설정할 수 있는 시간 동안(도 5의 D) 지연시키는 마진설정부(510), 및 라이징 DLL 클럭(RCLKDLL)과 마진설정부(510)의 출력신호(D_FCLKDLL)를 입력받아 에러검출신호(DLL_ERR2)를 생성하는 에러검출신호생성부(520)를 구비한다.Referring to FIG. 4, the
본 발명의 일실시예에서는 도 2의 리셋부(600)를 추가하지 않아도 에러검출부(500)의 리셋이 가능하며, 도 5를 통해 자세한 설명을 하도록 한다.In one embodiment of the present invention, it is possible to reset the
한편, 마진설정부(510)는 지연시간(D)에 따라 복수의 지연소자, 예컨데, 적어도 하나 이상의 인버터를 구비한다. 특히, 홀수개의 인버터를 사용하여, 폴링 DLL 클럭(FCLKDLL)을 반전지연시킨 신호(D_FCLKDLL)를 출력한다.The
에러검출신호생성부(520)는 에지트리거드(edge triggerde) 플립플롭(flip-flop)으로 특히, 포지티브 에지 트리거드 디 플립플롭(positive edge triggered D flip flop)을 구비한다. 그래서, 라이징 DLL 클럭(RCLKDLL)이 논리'로우'에서 논리'하이'로 천이하는 시점에 입력되는 마진설정부(510)의 출력신호(D_FCLKDLL), 즉, 폴링 DLL클럭(FCLKDLL)을 반전지연시킨 신호(D_FCLKDLL)의 논리값을 에러검출신호(DLL_ERR2)로써 출력한다.The error
도 5는 도 4의 각 신호를 설명하기 위한 타이밍도이다.5 is a timing diagram for describing each signal of FIG. 4.
도 5를 참조하면, 에러검출신호(DLL_ERR2)는 라이징 DLL 클럭(RCLKDLL)과 폴링 DLL 클럭(FCLKDLL)이 정상 상태일 경우 논리'로우'가 되고, 에러 검출시 논리'하이'로 천이한다. 또한, 도 2의 리셋부(600)가 없더라도 다시 정상 상태일 경우 논리'로우'가 된다.Referring to FIG. 5, the error detection signal DLL_ERR2 becomes a logic low when the rising DLL clock RCLKDLL and the falling DLL clock FCLKDLL are in a normal state, and transitions to a logic high when an error is detected. In addition, even if the
여기서, 도 4의 마진설정부(510)의 인버터가 하나인 경우, 한개의 인버터에 의한 지연값(D) 만큼의 마진을 두고 반전지연된 폴링 DLL 클럭(D_FCLKDLL)의 논리값을 검출하게 된다. 바람직하게, 지연값(D)이 커지게 되면 에러검출신호(DLL_ERR2)는 에러에 대해서 둔감하게 반응하고, 지연값이(D)이 작아지게 되면 에러에 대해서 민감하게 반응하게 된다.Here, when there is only one inverter of the
상술한 바와 같이, 본 발명은 지연고정루프(300)의 출력단에 에러검출부(500)를 구비하여, 수 'ns'단위의 파형에서 발생하는 에러를 검출할 수 있다. 때문에, 지연고정루프의 오동작인지, 오실로스코프 자체의 해상도 문제인지, 실시간으로 표시되기 불가능한 문제로 인하여 모니터링 미스인지를 쉽게 판별할 수 있다. 그리고, 에러 발생 시점을 알 수 있기 때문에, 문제를 해결하는데 있어서 더 빠르게 접근할 수 있다.As described above, the present invention includes an
또한, 본 발명은 지연고정루프(DLL)를 포함하는 반도체 장치뿐만 아니라 주기적으로 반복되는 클럭을 가지는 모든 반도체 장치에 적용가능하며, 점점 고속화되는 장치에 있어서 더욱 유용하게 사용될 것이다.In addition, the present invention is applicable not only to a semiconductor device including a delay locked loop (DLL) but also to any semiconductor device having a clock that is periodically repeated, and will be more useful in an increasingly faster device.
본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.Although the technical idea of the present invention has been described in detail according to the above preferred embodiment, it should be noted that the above-described embodiment is for the purpose of description and not of limitation. In addition, those skilled in the art will understand that various embodiments are possible within the scope of the technical idea of the present invention.
상술한 본 발명은 지연고정루프의 오동작 여부를 빠르고 정확하게 테스트가 가능하여, 불량분석의 기간을 현저하게 단축시 킬 수 있는 효과를 얻을 수 있다.The present invention described above can quickly and accurately test whether a delayed fixed loop is malfunctioning, and thus, an effect of remarkably shortening the period of failure analysis can be obtained.
Claims (9)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060105456A KR100834392B1 (en) | 2006-10-30 | 2006-10-30 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060105456A KR100834392B1 (en) | 2006-10-30 | 2006-10-30 | Semiconductor device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20080038502A KR20080038502A (en) | 2008-05-07 |
KR100834392B1 true KR100834392B1 (en) | 2008-06-04 |
Family
ID=39646955
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020060105456A KR100834392B1 (en) | 2006-10-30 | 2006-10-30 | Semiconductor device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100834392B1 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101605459B1 (en) | 2009-02-02 | 2016-03-23 | 삼성전자 주식회사 | Delay locked loop and semiconductor memory device having the same |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20010095537A (en) * | 2000-04-10 | 2001-11-07 | 윤종용 | Circuit and method for duty cycle correction |
KR20020037525A (en) * | 2000-11-14 | 2002-05-22 | 윤종용 | Semiconductor memory device with a delay locked loop circuit |
KR20030086144A (en) * | 2002-05-03 | 2003-11-07 | 삼성전자주식회사 | Test circuit for delay-locked loop |
KR20040095956A (en) * | 2003-04-29 | 2004-11-16 | 주식회사 하이닉스반도체 | Apparatus for controlling dll |
JP2006287641A (en) | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Texas Instr Japan Ltd | Delay synchronous loop circuit |
-
2006
- 2006-10-30 KR KR1020060105456A patent/KR100834392B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20010095537A (en) * | 2000-04-10 | 2001-11-07 | 윤종용 | Circuit and method for duty cycle correction |
KR20020037525A (en) * | 2000-11-14 | 2002-05-22 | 윤종용 | Semiconductor memory device with a delay locked loop circuit |
KR20030086144A (en) * | 2002-05-03 | 2003-11-07 | 삼성전자주식회사 | Test circuit for delay-locked loop |
KR20040095956A (en) * | 2003-04-29 | 2004-11-16 | 주식회사 하이닉스반도체 | Apparatus for controlling dll |
JP2006287641A (en) | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Texas Instr Japan Ltd | Delay synchronous loop circuit |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20080038502A (en) | 2008-05-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7328383B2 (en) | Circuit and method for testing embedded phase-locked loop circuit | |
US7612593B2 (en) | Duty detection circuit | |
US9602112B2 (en) | Clock delay detecting circuit and semiconductor apparatus using the same | |
JP5532724B2 (en) | Interface circuit and semiconductor device having the same | |
JP2950370B2 (en) | PLL jitter measuring method and integrated circuit | |
US8687457B2 (en) | Semiconductor memory device and operating method thereof | |
US8754656B2 (en) | High speed test circuit and method | |
US7945404B2 (en) | Clock jitter measurement circuit and integrated circuit having the same | |
KR101605459B1 (en) | Delay locked loop and semiconductor memory device having the same | |
CN110349606B (en) | Semiconductor memory device and method of operating the same | |
KR101062856B1 (en) | Skew Detection Circuit and Semiconductor Memory Device Using the Same | |
US20090115486A1 (en) | Apparatus and method for generating multi-phase clocks | |
US9171596B2 (en) | Short asynchronous glitch | |
KR101551774B1 (en) | Delay lock loop circuit for preventing coarse locking fail | |
US20110158005A1 (en) | Data Access Apparatus and Associated Method for Accessing Data Using Internally Generated Clocks | |
KR100834392B1 (en) | Semiconductor device | |
US9196327B2 (en) | Data storage device, storage media controller and storage media control method | |
US8824225B2 (en) | Output enable signal generation circuit | |
US7061224B2 (en) | Test circuit for delay lock loops | |
TWI401697B (en) | Method of dynamically adjusting a timing value of a circuit system and circuit system | |
US6604203B1 (en) | Arrangement and method for self-synchronization data to a local clock | |
JP2001319494A (en) | Built-in self-test device for memory circuit | |
US20240313748A1 (en) | Sampling signals | |
US7091764B2 (en) | Duty distortion detector | |
US20240295602A1 (en) | System and method for controlling at-speed testing of integrated circuits |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20110429 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |