KR100833879B1 - Method and apparatus of transferring a substrate, and apparatus of collecting carbon nano tube having the same - Google Patents
Method and apparatus of transferring a substrate, and apparatus of collecting carbon nano tube having the same Download PDFInfo
- Publication number
- KR100833879B1 KR100833879B1 KR1020060135305A KR20060135305A KR100833879B1 KR 100833879 B1 KR100833879 B1 KR 100833879B1 KR 1020060135305 A KR1020060135305 A KR 1020060135305A KR 20060135305 A KR20060135305 A KR 20060135305A KR 100833879 B1 KR100833879 B1 KR 100833879B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- gas
- unit
- transfer
- reaction chamber
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67766—Mechanical parts of transfer devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67784—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations using air tracks
- H01L21/6779—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations using air tracks the workpieces being stored in a carrier, involving loading and unloading
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S414/00—Material or article handling
- Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
- Y10S414/141—Associated with semiconductor wafer handling includes means for gripping wafer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Robotics (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
Description
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판의 이송 장치를 나타내는 개략적인 구성도이다.1 is a schematic configuration diagram showing a substrate transfer apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 2는 도 1의 기판의 이송 장치를 사용한 기판의 이송 방법을 나타내는 공정 흐름도이다.FIG. 2 is a process flowchart showing a substrate transfer method using the substrate transfer apparatus of FIG. 1.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 탄소나노튜브의 합성 장치를 나타내는 개략적인 구성도이다.3 is a schematic configuration diagram showing a device for synthesizing carbon nanotubes according to an embodiment of the present invention.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>
10 : 이송부 12 : 분사부10: transfer unit 12: injection unit
14 : 집진부 16 : 카세트14: dust collector 16: cassette
18 : 센서부 20 : 제어부18: sensor unit 20: control unit
본 발명은 기판의 이송 방법 및 장치 그리고 이를 포함하는 탄소나노튜브의 합성 장치에 관한 것으로써, 보다 상세하게는 탄소나노튜브의 합성이 이루어진 기판을 이송하는 방법 및 장치 그리고 이를 포함하는 탄소나노튜브의 합성 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a method and apparatus for transferring a substrate and a device for synthesizing carbon nanotubes including the same, and more particularly, to a method and apparatus for transferring a substrate on which carbon nanotubes are synthesized and a carbon nanotube including the same. It relates to a synthesis apparatus.
탄소동소체인 탄소나노튜브는 하나의 탄소 원자가 다른 탄소 원자와 육각형의 벌집 무늬로 결합되어 튜브 형태를 이루고 있는 물질로써, 수 나노미터(nm)의 직경을 갖는다. 특히, 탄소나노튜브는 우수한 기계적 특성, 전기적 선택성, 전계방출 특성, 고효율의 수소저장매체 특성 등을 갖는다. 그러므로, 탄소나노튜브는 항공우주, 생명공학, 환경에너지, 재료산업, 의약의료, 전자컴퓨터, 보안안전 등의 폭넓은 기술 분야에 그 적용이 가능하다.A carbon allotrope, carbon nanotubes, is a material in which one carbon atom is combined with another carbon atom in a hexagonal honeycomb pattern to form a tube, and has a diameter of several nanometers (nm). In particular, carbon nanotubes have excellent mechanical properties, electrical selectivity, field emission characteristics, high efficiency hydrogen storage medium characteristics and the like. Therefore, carbon nanotubes can be applied to a wide range of technical fields such as aerospace, biotechnology, environmental energy, materials industry, medicine, electronic computer, security and safety.
그리고, 탄소나노튜브를 합성하기 위한 방법의 예로서는 전기방전, 레이저 증착, 플라즈마 화학기상증착, 열 화학기상증착, 열분해 등을 들 수 있고, 이들 방법 중에서도 열 화학기상증착, 열분해가 상용적이다.Examples of methods for synthesizing carbon nanotubes include electric discharge, laser deposition, plasma chemical vapor deposition, thermal chemical vapor deposition, and thermal decomposition. Among these methods, thermal chemical vapor deposition and thermal decomposition are common.
여기서, 상기 열 화학기상증착 또는 열분해에 의해 합성한 탄소나노뷰트의 경우에는 주로 분말 형태를 갖는다. 즉, 기판 상에 분말 형태로 탄소나노튜브의 합성이 이루어지는 것이다.Here, in the case of the carbon nanobute synthesized by the thermal chemical vapor deposition or pyrolysis mainly has a powder form. That is, the synthesis of the carbon nanotubes in powder form on the substrate.
그러나, 상기 분말 형태로 합성이 이루어진 탄소나노튜브의 경우에는 반응 챔버로부터 카세트로 이송할 때 탄소나노튜브 분말이 흩날리는 상황이 빈번하게 발생한다. 구체적으로, 상기 분말 형태의 탄소나노튜브는 밀도가 낮기 때문에 미세한 진동에도 쉽게 탄소나노튜브 분말이 흩날린다. 아울러, 탄소나노튜브는 기판 상에 부풀어오르는 형태로 합성이 이루어지기 때문에 이송 경로 주변에 위치하는 부재들 과도 쉽게 부딪히고, 그 결과 탄소나노튜브 분말 또한 쉽게 흩날린다.However, in the case of the carbon nanotubes synthesized in the form of powder, a situation where the carbon nanotube powder is scattered frequently occurs when transferring from the reaction chamber to the cassette. Specifically, the carbon nanotubes in the powder form have a low density, so that the carbon nanotube powders are easily scattered even in the minute vibration. In addition, since the carbon nanotubes are synthesized in a swelling form on the substrate, the carbon nanotubes easily collide with the members located around the transfer path, and as a result, the carbon nanotube powders also easily scatter.
언급한 바와 같이, 종래에는 탄소나노튜브의 합성이 이루어진 기판을 이송할 때 탄소나노튜브 분말이 쉽게 흩날리기 때문에 탄소나노튜브의 회수율이 저하되고, 또한 기판으로부터 흩날린 탄소나노튜브 분말이 주변에 위치하는 부재들을 오염시켜 오작동을 초래하는 결과를 가져오고 있다.As mentioned, in the related art, since carbon nanotube powder is easily scattered when transporting a substrate on which carbon nanotubes are synthesized, the recovery rate of carbon nanotubes is reduced, and carbon nanotube powders scattered from the substrate are located around. This results in contamination of the members, leading to malfunction.
본 발명의 일 목적은 탄소나노튜브의 합성이 이루어진 기판을 이송할 때 흩날리는 탄소나노튜브 분말을 용이하게 회수할 수 있는 이송 방법을 제공하는데 있다.An object of the present invention is to provide a transfer method that can easily recover the carbon nanotube powder scattered when transferring the substrate on which the synthesis of carbon nanotubes are made.
본 발명의 다른 목적은 탄소나노튜브의 합성이 이루어진 기판을 이송할 때 흩날리는 탄소나노튜브 분말을 용이하게 회수할 수 있는 이송 장치를 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to provide a transfer apparatus that can easily recover the carbon nanotube powder scattered when transferring the substrate on which the synthesis of carbon nanotubes are made.
본 발명이 또 다른 목적은 언급한 이송 장치를 부재로 포함하는 탄소나노튜브의 합성 장치를 제공하는데 있다.It is another object of the present invention to provide a device for synthesizing carbon nanotubes comprising the aforementioned transport device as a member.
상기 일 목적을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 탄소나노튜브의 합성이 이루어진 기판의 이송 방법은 탄소나노튜브의 합성이 이루어진 기판을 반응 챔버 외부로 이송시킨다. 그리고, 상기 반응 챔버 외부로 기판을 이송할 때 상기 기판을 제외한 영역에 상기 기판의 이송 경로를 기준으로 그 상부로부터 하부로 가스를 분사하여 상기 기판으로부터 흩날리는 탄소나노튜브 분말을 집진한 다.According to a preferred embodiment of the present invention for achieving the above object, a method of transferring a substrate on which carbon nanotubes are synthesized transfers a substrate on which carbon nanotubes are synthesized to the outside of the reaction chamber. When the substrate is transferred to the outside of the reaction chamber, the carbon nanotube powder scattered from the substrate is collected by injecting a gas from an upper portion to a lower portion based on the transfer path of the substrate in a region other than the substrate.
본 발명의 일 실시예에 따른 탄소나노튜브의 합성이 이루어진 기판의 이송 방법에 의하면, 상기 가스는 비활성 가스를 포함하고, 상기 기판의 이송 경로를 기준으로 상기 기판이 지나간 후단에 상기 기판이 지나가자마자 분사하거나 또는 상기 기판의 이송 경로를 기준으로 상기 기판이 지나간 후단과 상기 기판이 지나갈 전단에 분사할 수 있다. 아울러, 상기 반응 챔버 외부로 이송이 이루어진 기판을 카세트에 적재시키는 단계를 더 포함할 수 있다.According to a method of transferring a substrate on which carbon nanotubes are synthesized according to an embodiment of the present invention, the gas includes an inert gas, and as soon as the substrate passes through the rear end of the substrate, the inert gas is passed. The substrate may be sprayed or sprayed at the rear end of the substrate and the front end of the substrate, based on the transfer path of the substrate. In addition, the method may further include the step of loading the substrate, which has been transferred to the outside of the reaction chamber, in a cassette.
상기 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 탄소나노튜부의 합성이 이루어지는 기판의 이송 장치는 이송부, 분사부 및 집진부를 포함한다. 여기서, 상기 이송부는 탄소나노튜브의 합성이 이루어진 기판을 반응 챔버 외부로 이송시키고, 상기 분사부는 상기 반응 챔버와 연결되면서 상기 기판이 이송되는 경로에 설치되고, 상기 반응 챔버 외부로 기판을 이송할 때 상기 기판을 제외하는 영역에 상기 기판의 이송 경로를 기준으로 그 상부로부터 하부로 가스를 분사하고, 상기 집진부는 상기 분사부 아래에 설치되고, 상기 분사부를 이용하여 가스를 분사함에 따라 상기 기판으로부터 흩날리는 탄소나노튜브를 집진한다.According to a preferred embodiment of the present invention for achieving the above object, a substrate transfer apparatus in which a carbon nanotube unit is synthesized includes a transfer unit, an injection unit, and a dust collecting unit. Here, the transfer unit transfers a substrate on which carbon nanotubes are synthesized to the outside of the reaction chamber, and the injection unit is installed in a path through which the substrate is transferred while being connected to the reaction chamber, and transfers the substrate to the outside of the reaction chamber. Injects gas from the top to the bottom of the substrate in a region excluding the substrate, and the dust collecting unit is installed below the spraying unit, and scatters gas from the substrate as the gas is sprayed using the spraying unit. It collects blowing carbon nanotubes.
본 발명의 일 실시예에 따른 탄소나노튜브의 합성이 이루어진 기판의 이송 장치에 의하면, 상기 분사부에 의해 분사되는 가스는 비활성 가스를 포함할 수 있다.According to the transfer apparatus of the substrate, the synthesis of the carbon nanotubes according to an embodiment of the present invention, the gas injected by the injection unit may include an inert gas.
본 발명의 다른 실시예에 따른 탄소나노튜브의 합성이 이루어진 기판의 이송 장치에 의하면, 상기 반응 챔버 외부로 기판을 이송할 때 상기 기판의 이송 위치를 센싱하는 센서부와, 상기 센서부의 센싱 결과에 의해 상기 분사부의 가스 분사를 제어하는 제어부를 더 포함할 수 있다. 여기서, 상기 기판의 이송 경로를 기준으로 상기 기판이 지나간 후단에 상기 기판이 지나가자마자 가스를 분사하도록 상기 분사부를 제어하거나 또는 상기 기판의 이송 경로를 기준으로 상기 기판이 지나간 후단과 상기 기판이 지나갈 전단에 가스를 분사하도록 상기 분사부를 제어한다.According to another embodiment of the present invention, there is provided a substrate transfer apparatus in which carbon nanotubes are synthesized, the sensor unit sensing a transfer position of the substrate when transferring the substrate to the outside of the reaction chamber, and a sensing result of the sensor unit. It may further include a control unit for controlling the gas injection by the injection unit. Here, the sprayer controls the jetting unit to inject gas as soon as the substrate passes the rear end of the substrate, based on the transfer path of the substrate, or the rear end of the substrate and the front end of the substrate that passes by the substrate. The injection unit is controlled to inject gas into the gas.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 탄소나노튜브의 합성이 이루어진 기판의 이송 장치에 의하면, 상기 분사부에 의해 분사되는 가스는 비활성 가스를 포함할 수 있다.상기 반응 챔버 외부로 이송이 이루어진 기판을 다수매로 적재시킬 수 있는 카세트를 더 포함할 수 있다.According to another embodiment of the present invention, there is provided a substrate transfer apparatus for synthesizing carbon nanotubes, and the gas injected by the injection unit may include an inert gas. It may further include a cassette that can be stacked in multiple sheets.
상기 또 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 탄소나노튜브의 합성 장치는 반응 챔버, 이송부, 분사부, 집진부, 센서부, 제어부 및 카세트를 포함한다. 여기서, 상기 반응 챔버는 그 내부에 수용된 기판 상에 탄소나노튜브를 합성하기 위한 공간을 제공하고, 상기 이송부는 상기 탄소나노튜브의 합성이 이루어진 기판을 반응 챔버 외부로 이송시키고, 상기 분사부는 상기 반응 챔버와 연결되면서 상기 기판이 이송되는 경로에 설치되고, 상기 반응 챔버 외부로 기판을 이송할 때 상기 기판을 제외하는 영역에 상기 기판의 이송 경로를 기준으로 그 상부로부터 하부로 가스를 분사하고, 상기 집진부는 상기 분사부 아래에 설치되고, 상기 분사부를 이용하여 가스를 분사함에 따라 상기 기판으로부터 흩날리는 탄소나노튜브를 집진하고, 상기 센서부는 상기 반응 챔버 외부로 기판을 이송할 때 상기 기판의 이송 위치를 센싱하고, 상기 제어부는 상기 센서부의 센싱 결과에 의해 상기 분사부의 가스 분사를 제어하고, 상기 카세트는 상기 반응 챔버 외부로 이송이 이루어진 기판을 다수매로 적재시킨다.The apparatus for synthesizing carbon nanotubes according to a preferred embodiment of the present invention for achieving the above another object includes a reaction chamber, a transfer unit, an injection unit, a dust collector, a sensor unit, a control unit and a cassette. Here, the reaction chamber provides a space for synthesizing carbon nanotubes on the substrate accommodated therein, the transfer unit transfers the substrate on which the carbon nanotubes are synthesized to the outside of the reaction chamber, and the injection unit is the reaction Is connected to the chamber is installed in the path to transfer the substrate, when transporting the substrate to the outside of the reaction chamber injecting gas from the top to the bottom based on the transfer path of the substrate to the region excluding the substrate, The dust collecting unit is installed under the spraying unit, and collects carbon nanotubes scattered from the substrate as the gas is injected using the spraying unit, and the sensor unit transfers the substrate when transferring the substrate to the outside of the reaction chamber. And the control unit controls the gas injection of the injection unit based on the sensing result of the sensor unit. And wherein the cassette is then loaded with a substrate of the transfer to the outside of the reaction chamber into a plurality pieces.
본 발명의 일 실시예에 따른 탄소나노튜브의 합성 장치에 의하면, 상기 제어부는 상기 기판의 이송 경로를 기준으로 상기 기판이 지나간 후단에 상기 기판이 지나가자마자 가스를 분사하도록 상기 분사부를 제어하거나 또는 상기 기판의 이송 경로를 기준으로 상기 기판이 지나간 후단과 상기 기판이 지나갈 전단에 가스를 분사하도록 상기 분사부를 제어한다.According to an apparatus for synthesizing carbon nanotubes according to an embodiment of the present invention, the control unit controls the injection unit to inject gas as soon as the substrate passes at the rear end of the substrate, based on the transfer path of the substrate, or The injection unit is controlled to inject gas into the rear end of the substrate and the front end of the substrate, based on the transfer path of the substrate.
언급한 바와 같이, 본 발명의 탄소나노튜브의 합성이 이루어진 기판의 이송 방법 및 장치 그리고 이를 포함하는 탄소나노튜브의 합성 장치에서는 탄소나노튜브의 합성이 이루어진 기판을 제외한 영역에 가스를 분사하여 기판으로부터 흩날리는 탄소나노튜브 분말을 용이하게 집진한다. 이에, 이송 중에 흩날리는 탄소나노튜브 분말도 회수가 가능하기 때문에 탄소나노튜브의 합성에 따른 회수율이 향상되는 이점을 기대할 수 있다. 아울러, 탄소나노튜브 분말로 인한 주변 부재들의 오염을 충분하게 감소시킬 수 있기 때문에 장치적 안정성까지도 도모할 수 있다.As mentioned, in the method and apparatus for transporting a substrate on which carbon nanotubes are synthesized, and a carbon nanotube synthesis device including the same, a gas is injected from a substrate other than the substrate on which carbon nanotubes are synthesized. Easily collect the scattering carbon nanotube powder. As a result, the carbon nanotube powders scattered during the transfer can be recovered, so that the recovery rate according to the synthesis of the carbon nanotubes can be expected to be improved. In addition, since the contamination of the peripheral members due to the carbon nanotube powder can be sufficiently reduced, it is possible to improve the mechanical stability.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소 들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 될 것이다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다. 그리고, 도면들에 있어서 반응 챔버, 이송부, 분사부, 집진부, 센서, 제어부, 카세트 등은 그 명확성을 기하기 위하여 다소 과장되어진 것이다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein but may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided to ensure that the disclosed subject matter is thorough and complete, and that the spirit of the present invention to those skilled in the art will fully convey. Terms such as first and second may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as the second component, and similarly, the second component may also be referred to as the first component. When a component is referred to as being "connected" or "connected" to another component, it may be directly connected to or connected to that other component, but it may be understood that other components may be present in between. Should be. On the other hand, when a component is said to be "directly connected" or "directly connected" to another component, it should be understood that there is no other component in between. Other expressions describing the relationship between components, such as "between" and "immediately between," or "neighboring to," and "directly neighboring to" should be interpreted as well. In the drawings, the reaction chamber, the transfer unit, the injection unit, the dust collector, the sensor, the controller, the cassette, and the like are somewhat exaggerated for clarity.
탄소나노튜브의 합성이 이루어진 기판의 이송 방법 및 장치Method and apparatus for transferring substrates on which carbon nanotubes are synthesized
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판의 이송 장치를 나타내는 개략적인 구성도이다.1 is a schematic configuration diagram showing a substrate transfer apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 이송 장치(100)는 이송부(10), 분사부(12), 집진부(14), 센서부(18), 제어부(20), 카세트(16) 등을 포함한다. 그리고, 이하에서 언급하는 기판(11)은 그 상부에 탄소나노튜브의 합성이 이루어진 것이다.Referring to FIG. 1, the
구체적으로, 이송부(10)는 탄소나노뷰브의 합성이 이루어진 기판(11)을 반응 챔버 외부로 이송시킨다. 여기서, 이송부(10)의 예로서는 도 1에서와 같이 기판(11)을 집적 지지하는 블레이드(10a), 블레이드(10a)와 연결되는 아암(10b), 아암(10b)의 수평 이동 경로와 수직 이동 경로를 제공하는 레일(10c) 등을 포함하는 직교 좌표 구조를 갖는 로봇 등을 들 수 있다.Specifically, the
또한, 다른 예로서, 도시하지는 않았지만 기판을 직접 지지하는 블레이드와 블레이트와 연결되면서 다관절을 갖는 아암을 포함하는 로봇 등을 들 수 있다.In addition, as another example, a robot including an arm having an articulated joint while being connected to a blade and a blade that directly supports a substrate may be mentioned.
특히, 언급한 이송부(10)가 언급한 도 1의 직교 좌표 구조를 갖는 로봇일 경우에는 후술하는 카세트(16)에 기판(11)을 적재할 때 이송부(10) 자체가 기판(11)의 적재에 따른 높이 조절이 가능한 구성을 갖는다.In particular, when the
그러나, 언급한 다른 실시예에서와 같이 이송부가 다관절을 갖는 아암을 포함하는 로봇일 경우에는 후술하는 카세트 자체가 기판의 적재에 따른 높이 조절이 가능한 구성을 갖는다.However, in the case of the robot including the arm having the articulated joint as in the other embodiments mentioned, the cassette itself, which will be described later, has a configuration capable of height adjustment according to the loading of the substrate.
그리고, 분사부(12)는 이송부(10)를 이용하여 기판(11)을 반응 챔버 외부로 이송할 때 이송 경로를 기준으로 그 상부에서 하부로 가스를 분사한다. 따라서, 분사부(12)는 그 상부에 가스의 분사가 가능한 노즐(12a)이 설치되는 것이 바람직하고, 이 경우 다수개가 설치되는 것이 보다 바람직하다. 아울러, 분사부(12)는 노즐(12a)의 설치 관계, 후술하는 집진부(14)와 설치 관계 그리고 기판(11)의 이송 관계를 고려하여 그 구조를 결정하는 것이 바람직하다. 이에, 분사부(12)는 기 판(11)의 이송이 직접 이루어지는 부분은 개방되고, 그 상부는 노즐(12a)의 설치가 가능하면서 개방되고, 그 하부는 집진부(14)의 집진이 가능하게 메쉬(mesh) 타입의 구조를 갖고, 나머지 부분은 밀폐된 구조를 갖는 박스 타입으로 이루어질 수 있다.In addition, the
또한, 분사부(12)를 사용하여 기판(11)에 직접적으로 가스를 분사할 경우에는 그 상부에 합성이 이루어진 탄소나노튜브 분말이 모두 흩날릴 수 있기 때문에 바람직하지 않다. 그러므로, 분사부(12)는 기판(11)을 제외한 영역에 가스를 분사하는 것이 바람직하다. 이에, 분사부(12)를 사용한 가스는 기판(11)의 이송 경로를 기준으로 기판(11)이 지나간 후단과 기판(11)이 지나날 전단에서 분사되고, 기판(11)이 지나간 후단에서 분사가 이루어질 경우에는 기판(11)이 지나가자마자 분사하는 것이 적절하다.In addition, when the gas is injected directly to the
아울러, 분사부(12)를 사용하여 분사할 수 있는 가스는 기판(11) 상에 합성이 이루어진 타소나노튜브 분말과 반응하지 않고, 단순한 분사를 통하여 이송 중에 기판(11)으로부터 흩날리는 탄소나노튜브 분말의 집진이 가능케 하면 된다. 이에 사용할 수 있는 가스의 예로서는 비활성 가스를 들 수 있다. 즉, 질소 가스, 아르곤 가스가 이용 가능한 것이다. 이들은 단독으로 사용할 수도 있고, 둘을 혼합하여 사용할 수도 있다.In addition, the gas which can be injected by using the
그리고, 집진부(14)는 분사부(12)의 가스 분사에 의해 이송 중에 기판(11)으로부터 흩날리는 탄소나노튜브 분말을 집진하다. 이때, 분사부(12)의 가스가 기판(11)의 경로를 기준으로 그 상부에서 하부로 분사되기 때문에 집진부(14)는 분사부(12)의 아래에 위치시키는 것이 바람직하다. 또한, 집진부(14)는 이송 중에 기 판(11)으로부터 흩날리는 탄소나노튜브 분말을 집진하기 때문에 언급한 탄노나노튜브 분말 뿐만 아니라 가스가 분사되는 영역에 부유하는 오염원 등도 함께 집진될 수 있다. 그러므로, 집진부(14)는 언급한 오염원 등의 제거가 가능한 필터를 포함하는 것이 바람직하다. 더불어, 집진부(14)는 이송 중에 기판(11)으로부터 흩날리는 탄소나노튜브 분말을 정제할 수 있는 부재를 더 포함할 수도 있다. 이는, 집진부(14)를 통하여 집진이 이루어지는 탄소나노튜브 분말의 순도를 향상시키기 위함이다.The
또한, 분사부(12)를 이용한 가스의 분사는 언급한 바와 같이 기판(11)의 이송 관계를 고려해야 하기 때문에 이송 장치(100)는 기판(11)의 이송 위치를 센싱하는 센서부(18)와 센서부(18)에 의한 센싱 결과에 따라 분사부(12)의 가스 분사를 제어하는 제어부(20)를 포함할 수 있다. 여기서, 센서부(18)는 기판(11)의 이송 위치를 센싱할 수 있는 부분에 적절하게 설치할 수 있다. 그리고, 사용할 수 있는 센서부(18)의 예로서는 수,발광에 의한 거리 차이를 센싱할 수 있는 부재 등을 들 수 있다. 아울러, 제어부(20)는 분사부(12)의 구동을 제어하도록 연결된다. 즉, 제어부(20)는 센서부(18)의 센싱 결과에 의해 기판(11)이 지나가자마자 기판(11)이 지나간 후단에 가스를 분사하도록 분사부(12)를 제어하거나 또는 기판(11)이 지나간 후단과 기판(11)이 지나갈 전단에 가스를 분사하도록 분사부(12)를 제어하는 것이다.In addition, since the injection of the gas using the
아울러, 카세트(16)는 반응 챔버로부터 이송되는 기판(11)을 적재한다. 이때, 카세트(16)는 주로 양측벽에 슬릿이 마주하는 구조를 갖는다. 그러므로, 하나 의 카세트(16)에는 다수매의 기판(11)이 적재된다. 또한, 카세트(16)는 반응 챔버로부터 이송이 이루어지는 기판(11)을 적재하기 때문에 이송부(10) 후단에 설치되는 것이 바람직하다. 더불어, 카세트(16)에 다수매의 기판(11)을 적재할 경우에는 기판(11)이 적재되는 높이를 고려해야 한다. 그러므로, 언급한 바와 같이 이송부(10)가 직교 좌표 구조를 갖는 로봇을 포함할 경우에는 이송부(10) 자체가 높이를 조절하기 때문에 카세트(16)는 고정된 구성을 갖는다. 그러나, 이송부(10)가 다관절을 갖는 아암을 갖는 로봇을 포함할 경우에는 카세트(16) 자체가 높이를 조절해야 하기 때문에 카세트(16)의 높이 조절이 가능한 부재를 더 설치하는 것이 바람직하다.In addition, the
언급한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 이송 장치(100)는 이송부(10), 분사부(12), 집진부(14), 센서부(18), 제어부(20), 카세트(16) 등을 포함하고, 이에 기판(11)을 이송할 때 기판(11)으로부터 흩날리는 탄소나노튜브 분말을 용이하게 집진할 수 있다.As mentioned, the
이하, 언급한 이송 장치를 사용하여 탄소나노튜브의 합성이 이루어진 기판을 이송하는 방법에 대하여 설명하기로 한다. 아울러, 이하에서는 도 1에서의 동일 부재에 대해서는 동일 부호를 사용한다.Hereinafter, a method of transferring the substrate on which the carbon nanotubes are synthesized using the above-mentioned transfer device will be described. In addition, below, the same code | symbol is used about the same member in FIG.
도 2는 도 1의 기판의 이송 장치를 사용한 기판의 이송 방법을 나타내는 공정 흐름도이다.FIG. 2 is a process flowchart showing a substrate transfer method using the substrate transfer apparatus of FIG. 1.
도 2를 참조하면, 반응 챔버에서 탄소나노튜브의 합성을 위한 공정을 수행한다. 이에, 기판(11) 상에 탄소나노튜브의 합성이 이루어진다.Referring to FIG. 2, a process for synthesizing carbon nanotubes in a reaction chamber is performed. Thus, the synthesis of carbon nanotubes is performed on the
이어서, 탄소나노튜브의 합성이 이루어진 기판(11)의 이송을 수행한다.(S20) 이에, 이송부(10)의 블레이드(10a)에 기판(11)을 적재시킨다. 여기서, 이송부(10)는 반응 챔버의 내부에 위치하고, 블레이드(10a)에 기판(11)을 적재시킨다. 이와 같이, 블레이드(10a)에 적재가 이루어진 탄소나노튜브의 합성이 이루어진 기판(11)을 이송한다. 그리고, 이송부(10)의 아암(10b)과 레일(10c) 등의 구동에 의해 이송이 이루어지는 것이다. 그러므로, 이송부(10)에 의해 탄소나노튜브의 합성이 이루어진 기판(11)은 반응 챔버 외부로 이송이 이루어진다.Subsequently, transfer of the
언급한 바와 같이, 반응 챔버 외부로 이송이 이루어지는 기판(11)은 분사부(12)를 경유한다. 그러면, 센서부(18)는 이송이 이루어지는 기판(11)의 위치를 센싱하고,(S22) 그 센싱 결과를 제어부(20)로 출력한다.As mentioned, the
그리고, 제어부(20)는 센서부(18)의 센싱 결과를 입력받고, 이송부(10)에 의해 이송 중에 있는 기판(11)의 위치에 따라 가스를 분사할 수 있도록 분사부(12)를 제어한다. 즉, 제어부(20)는 이송 중에 있는 기판(11)이 위치하지 않는 영역으로 가스를 분사할 수 있도록 분사부(12)를 제어하는 것이다. 구체적으로, 제어부(20)는 기판(11)이 지나간 후단에 가스를 분사하도록 분사부(12)를 제어하거나 또는 기판(11)이 지나갈 전단에 가스를 분사하도록 분사부(12)를 제어한다. 아울러, 이송 중에 있는 기판(11)이 분사부(12)에서 잠시 머물 경우에는 기판(11)의 전단과 후단에서 가스를 분사하도록 분사부(12)를 제어한다.The
이와 같이, 제어부(20)의 제어에 의해 분사부(12)는 기판(11)을 제외한 영역에 가스를 분사하고, 이에 이송 중에 기판(11)으로부터 흩날리는 탄소나노튜브 분 말이 집진부(14)에 집진된다.(S24 및 S26)As described above, under the control of the
그리고, 계속해서 탄소나노튜브의 합성이 이루어진 기판(11)을 이송하여 카세트(16)에 적재시킨다.(S28)Subsequently, the
그러므로, 언급한 이송 장치(100)를 사용한 탄소나노튜브의 합성이 이루어진 기판(11)의 이송에서는 기판(11)으로부터 흩날리는 탄소나노튜브 분말을 용이하게 집진할 수 있다. 이에, 탄소나노튜브의 합성이 이루어진 기판(11)의 이송에 따른 탄소나노튜브 분말의 회수율을 향상시킬 수 있고, 더불어 탄소나노튜브 분말로 인한 주변 부재의 오염을 감소시킬 수 있다.Therefore, in the transfer of the
탄소나노튜브의 합성 장치 및 이를 이용한 합성 방법Synthesis device of carbon nanotube and synthesis method using same
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 탄소나노튜브의 합성 장치를 나타내는 개략적인 구성도이다. 그리고, 도 3의 탄소나노튜브의 합성 장치는 언급한 도 1의 기판의 이송 장치를 부재로 포함하기 때문에 동일 부재에 대해서는 동일 부호를 사용하고, 그 구체적인 설명은 생략하기로 한다.3 is a schematic configuration diagram showing a device for synthesizing carbon nanotubes according to an embodiment of the present invention. In addition, since the apparatus for synthesizing the carbon nanotubes of FIG. 3 includes the aforementioned transfer device of the substrate of FIG. 1 as a member, the same reference numerals are used for the same members, and a detailed description thereof will be omitted.
도 3을 참조하면, 탄소나노튜브의 합성 장치(300)는 반응 챔버(200), 이송부(10), 분사부(12), 집진부(14), 센서부(18), 제어부(20), 카세트(16) 등을 포함한다.Referring to FIG. 3, the carbon
먼저, 이송부(10), 분사부(12), 집진부(14), 센서부(18), 제어부(20), 카세트(16)는 언급한 도 1에서와 동일한 것들이기 때문에 언급한 바와 같이 그 구체적인 설명은 생략하기로 한다. 다만, 카세트(16)의 경우에는 이송이 이루어진 기 판(11)을 회수하기 위한 것으로써, 탄소나노튜브의 합성 장치(300)가 회수를 위한 부재를 별도로 마련하면 그 생략이 가능하다. 즉, 탄소나노튜브의 합성 장치(300)가 이송부(10)와 연결되는 그 일단에 탄소나노튜브의 합성이 이루어진 기판(11)을 회수할 수 있는 공간을 포함할 경우에는 카세트(16)를 생략할 수 있는 것이다.First, the
그리고, 반응 챔버(200)는 그 내부에 기판(11)을 수용하기 위한 공간을 제공하는 반응로, 반응로를 가열하기 위한 가열부, 반응로 내부로 소스 가스를 제공하기 위한 소스 가스 제공부, 반응로 내부의 소스 가스를 반응로 외부로 배출하기 위한 소스 가스 배출부 등을 포함한다.In addition, the
구체적으로, 반응로는 언급한 바와 같이 그 내부에 수용되는 기판(11) 상에 탄소나노튜브를 합성하기 위한 공간을 제공한다. 아울러, 반응로는 탄소나노튜브를 합성할 때 공정 온도인 약 500 내지 1,100℃의 분위기에서도 견고해야 하기 때문에 충분한 내열성을 갖는 재질을 사용하여 형성하는 것이 바람직하다. 그러므로, 반응로는 주로 석영, 그라파이트 등을 사용하여 형성할 수 있다. 특히, 이들을 단독으로 사용하여 반응로를 형성하거나 이들을 혼합한 혼합물을 사용하여 반응로를 형성할 수 있다.Specifically, the reactor provides a space for synthesizing carbon nanotubes on the
그리고, 가열부는 반응로를 가열하기 위한 것으로써, 다양하게 구비될 수 있으나, 일반적으로는 반응로를 둘러싸는 히팅 코일을 포함한다. 이에, 히팅 코일을 구비하는 가열부는 반응로 내부가 약 500 내지 1,100℃의 공정 온도를 갖도록 가열한다.The heating unit is for heating the reactor, but may be provided in various ways, and generally includes a heating coil surrounding the reactor. Thus, the heating unit having a heating coil is heated so that the inside of the reactor has a process temperature of about 500 to 1,100 ℃.
또한, 소스 가스 제공부는 언급한 바와 같이 반응로 내부에 소스 가스를 제 공한다. 즉, 소스 가스 제공부는 반응로 내부에 수용된 기판(11) 상에 탄소나노튜브의 합성을 위한 소스 가스를 제공하는 것이다. 여기서, 소스 가스 제공부는 주로 반응로 일측에 연결되어 소스 가스를 플로우시키는 유로를 제공하는 라인, 라인에 설치되어 소스 가스의 플로우를 개폐시키는 밸브 그리고 소스 가스를 저장하고, 라인과 연결되는 소스 가스 저장부 등을 포함한다.In addition, the source gas providing unit provides a source gas inside the reactor as mentioned. That is, the source gas providing unit provides a source gas for synthesizing carbon nanotubes on the
아울러, 탄소나토튜브의 합성에서 반응로 내부에 수용되는 기판(11)은 주로 반응로 내부에 위치하는 보트에 놓여지는 구성을 갖는다. 특히, 보트는 반응로 내부에 다수매의 기판(11)의 수용이 가능하게 다층 구조를 갖는 것이 일반적이다.In addition, in the synthesis of carbon nanotubes, the
그리고, 소스 가스 배출부는 언급한 바와 같이 반응로 내부로 제공되는 소스 가스를 반응로 외부로 배출시킨다. 아울러, 소스 가스 배출부가 단순한 소스 가스의 배출이 아니라 강제 배출을 수행할 경우 소스 가스 배출부는 소스 가스의 배출을 위한 튜브 구조를 갖는 라인과 이와 연결되어 강제 배출이 가능한 펌핑을 수행하는 펌프 등을 포함하는 것이 바람직하다.And, as mentioned above, the source gas discharge unit discharges the source gas provided into the reactor to the outside of the reactor. In addition, when the source gas discharge unit performs a forced discharge instead of simply discharging the source gas, the source gas discharge unit includes a line having a tube structure for discharge of the source gas and a pump connected to the pump to perform forced discharge. It is desirable to.
더불어, 상압이 아닌 진공 상태의 공정 조건에서 탄소나노튜브의 합성을 수행할 경우에는 반응로에 진공 상태의 감압을 조정하는 부재가 더 연결될 수도 있다.In addition, when synthesizing the carbon nanotubes under the vacuum process conditions other than atmospheric pressure, a member for adjusting the vacuum pressure reduction may be further connected to the reactor.
여기서, 본 발명의 일 실시예에 따른 탄소나노튜브의 합성 장치를 사용할 경우에도 탄소나노튜브의 합성이 이루어진 기판(11)의 이송 중에 기판(11)으로부터 흩날리는 탄소나노튜브 분말을 용이하게 집진할 수 있다. 이에, 탄소나노튜브의 합성이 이루어진 기판(11)의 이송에 따른 탄소나노튜브 분말의 회수율을 향상시킬 수 있고, 더불어 탄소나노튜브 분말로 인한 주변 부재의 오염을 감소시킬 수 있다.Here, in the case of using the carbon nanotube synthesis apparatus according to an embodiment of the present invention, the carbon nanotube powder scattered from the
아울러, 본 발명의 일 실시예에서는 탄소나노튜브의 합성 장치(300)에 대해서만 설명하고 있지만, 탄소나노튜브를 수득하기 위해서는 언급한 합성 장치(300)를 포함하는 탄소나노튜브의 합성 시스템을 사용해야 한다. 즉, 탄소나노튜브 합성 시스템은 언급한 합성 장치(300) 이외에도 세정 장치, 촉매박막 형성 장치, 촉매박막 식각 장치, 후처리 장치 등을 포함한다.In addition, in an embodiment of the present invention, only the carbon
언급한 구성을 갖는 시스템을 이용한 탄소나노튜브의 합성 방법은 다음과 같다.The synthesis method of carbon nanotubes using the system having the above-mentioned configuration is as follows.
먼저, 탄소나노튜브의 합성을 위한 기재인 기판(11)을 준비한다. 여기서, 기판(11)의 예로서는 실리콘 기판, 아이티오(ITO : induim tin oxide) 기판, 아이티오 코팅 유리(ITO-coated glass), 소다라임 유리 등을 들 수 있다. 아울러, 탄소나노튜브가 합성될 때 충분한 강성을 가진다면 언급한 예들 이외에도 다양한 종류의 기판을 사용하는 것도 가능하다.First, a
언급한 바와 같이, 기판(11)을 마련한 후, 기판(11)을 세정 장치로 로딩시킨다. 그리고, 세정 가스 등을 사용하여 기판(11)에 잔류하는 이물질을 충분하게 제거한다. 이때, 세정 가스는 주로 불활성 가스를 사용한다.As mentioned, after preparing the
이어서, 기판(11)을 세정 장치로부터 언로딩시킨 후, 촉매박막 형성 장치로 로딩시킨다. 그리고, 기판(11) 상에 촉매박막을 형성한다. 여기서, 촉매 박막의 형성은 스퍼터링 방식, 화학기상증착 방식 등을 적용한다. 그러므로, 촉매박막 형성 장치는 그 구조가 스퍼터링 장치, 화학기상증착 장치 등과 유사하다. 아울러, 기 판(11) 상에 형성하는 촉매 박막은 주로 철, 니켈, 코발트 등을 포함한다. 이들은 단독으로 사용하거나 둘 이상을 혼합하여 사용한다.Subsequently, the
계속해서, 기판(11)을 촉매박막 형성 장치로부터 언로딩시킨 후, 촉매박막 식각 장치로 로딩시킨다. 그리고, 촉매 박막의 식각에서는 주로 물에 희석시킨 HF 또는 NH3 가스를 사용한다. 이와 같이, 촉매 박막을 식각함에 의해 기판(11) 상에는 요철 형태의 불균일한 표면을 갖는 촉매 박막이 형성된다.Subsequently, the
이어서, 기판(11)을 촉매박막 식각 장치로부터 언로딩시킨 후, 탄소나노튜브 합성 장치(300)로 로딩시킨다. 그리고, 합성 장치(300)의 가열부를 사용하여 반응로 내부를 약 500 내지 1,100℃를 갖도록 가열하고, 소스 가스 제공부를 사용하여 반응로 내부로 탄소나노튜브의 합성을 위한 소스 가스를 제공한다. 여기서, 소스 가스의 예로서는 아세틸렌, 에틸렌, 메탄, 벤젠, 크실렌, 일산화탄소, 이산화탄소 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용하거나 또는 둘 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 이와 같이, 반응로 내부의 온도와 압력 등을 조건에 부합되게 조정하고, 소스 가스를 제공함으로써 식각이 이루어진 촉매박막을 갖는 기판(11) 상에는 탄소나노튜브의 합성이 이루어진다. 특히, 언급한 소스 가스 제공부를 사용하여 소스 가스를 제공함으로서 보다 균일하게 탄소나노튜브를 합성할 수 있다.Subsequently, the
그리고, 소스 가스 배출부를 사용하여 소스 가스를 반응로 외부로 배출시킨다. 여기서, 탄소나노튜브의 합성이 이루어진 기판을 반응로 외부로 이송시키는 방법은 도 2에서 설명한 바와 같이 동일하기 때문에 그 구체적인 설명은 생략하기로 한다.Then, the source gas is discharged to the outside of the reactor using the source gas discharge unit. Here, the method of transferring the substrate on which the carbon nanotubes are synthesized to the outside of the reactor is the same as described with reference to FIG. 2, so a detailed description thereof will be omitted.
이어서, 후처리 장치를 사용하여 합성이 이루어진 탄소나노튜브로부터 촉매박막을 제거하고, 탄소나노튜브를 회수한다. 그러면, 탄소나노튜브의 합성을 위한 일련의 공정이 종료된다.Subsequently, the catalyst thin film is removed from the synthesized carbon nanotubes using a post-treatment apparatus, and carbon nanotubes are recovered. Then, a series of processes for the synthesis of carbon nanotubes is completed.
언급한 바와 같이, 본 발명의 탄소나노튜브의 합성이 이루어진 기판의 이송 장치 및 방법 그리고 이를 포함하는 탄소나노튜브의 합성 장치를 사용하면 탄소나노튜브의 합성이 이루어진 기판의 이송 중에 기판으로부터 흩날리는 탄소나노튜브 분말을 용이하게 집진할 수 있다.As mentioned, using the apparatus and method for transporting a substrate on which the carbon nanotubes are synthesized according to the present invention, and the carbon nanotube synthesis apparatus including the same, carbon scattered from the substrate during transport of the substrate on which the carbon nanotubes are synthesized Nanotube powder can be easily collected.
그러므로, 본 발명은 탄소나노튜브 분말의 회수율을 향상시킬 수 있고, 더불어 탄소나노튜브 분말로 인한 주변 부재의 오염을 감소시킬 수 있다. 따라서, 본 발명은 탄소나노튜브의 제조에 따른 신뢰성 및 생산성을 향상시킬 수 있는 이점을 기대할 수 있다.Therefore, the present invention can improve the recovery rate of the carbon nanotube powder, and can also reduce the contamination of the peripheral member due to the carbon nanotube powder. Therefore, the present invention can be expected to improve the reliability and productivity according to the production of carbon nanotubes.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the above has been described with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be able to variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below. It will be appreciated.
Claims (12)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060135305A KR100833879B1 (en) | 2006-12-27 | 2006-12-27 | Method and apparatus of transferring a substrate, and apparatus of collecting carbon nano tube having the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060135305A KR100833879B1 (en) | 2006-12-27 | 2006-12-27 | Method and apparatus of transferring a substrate, and apparatus of collecting carbon nano tube having the same |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR100833879B1 true KR100833879B1 (en) | 2008-06-02 |
Family
ID=39769664
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020060135305A KR100833879B1 (en) | 2006-12-27 | 2006-12-27 | Method and apparatus of transferring a substrate, and apparatus of collecting carbon nano tube having the same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100833879B1 (en) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05299313A (en) * | 1992-04-17 | 1993-11-12 | Sony Corp | Method and device for preventing dust scattering in semiconductor wafer treating process |
KR20000026442A (en) * | 1998-10-20 | 2000-05-15 | 윤종용 | Semiconductor equipment having dust unit and method for collecting dust |
JP2004006283A (en) | 2003-03-27 | 2004-01-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Plasma generation device |
KR20050028446A (en) * | 2003-09-18 | 2005-03-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | Dust collector |
-
2006
- 2006-12-27 KR KR1020060135305A patent/KR100833879B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05299313A (en) * | 1992-04-17 | 1993-11-12 | Sony Corp | Method and device for preventing dust scattering in semiconductor wafer treating process |
KR20000026442A (en) * | 1998-10-20 | 2000-05-15 | 윤종용 | Semiconductor equipment having dust unit and method for collecting dust |
JP2004006283A (en) | 2003-03-27 | 2004-01-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Plasma generation device |
KR20050028446A (en) * | 2003-09-18 | 2005-03-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | Dust collector |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100824301B1 (en) | Reaction chamber, and apparatus and system of collecting carbon nano tube having the same | |
KR101460398B1 (en) | Equipment and method for producing orientated carbon nano-tube aggregates | |
US9206050B2 (en) | Continuous process for producing carbon nanotubes | |
KR100574114B1 (en) | Manufacturing method for a carbon nanomaterial, manufacturing apparatus for a carbon nanomaterial, and manufacturing facility for a carbon nanomaterial | |
US6887291B2 (en) | Filter devices and methods for carbon nanomaterial collection | |
KR101621581B1 (en) | Device for manufacturing aligned carbon nanotube assembly | |
JP5574265B2 (en) | Equipment for producing aligned carbon nanotubes | |
JP4550040B2 (en) | Carbon nanotube synthesis apparatus and method | |
JP2006511437A (en) | Method for producing single-walled carbon nanotubes using supported catalyst | |
JP2007045637A (en) | Apparatus and method for producing nanocarbon material | |
JP2009046387A (en) | Method and apparatus for synthesizing carbon nanotube | |
CN101270470B (en) | Method for synthesizing non-metal catalyst self-organizing growth carbon nano-tube with chemical vapor deposition | |
KR19990073593A (en) | Chemical vapor deposition system for massive synthesis of carbon nanotubes | |
JP4608863B2 (en) | Carbon nanotube production apparatus and method, and gas decomposer used therefor | |
KR100833879B1 (en) | Method and apparatus of transferring a substrate, and apparatus of collecting carbon nano tube having the same | |
CN1955111A (en) | Preparation device of carbon nano-tube | |
KR20020009875A (en) | Apparatus of vapor phase synthesis for synthesizing carbon nanotubes or carbon nanofibers and synthesizing method of using the same | |
KR20090073346A (en) | Fluidizing bed apparatus and method for prosucting carbon nano tube | |
KR20140059756A (en) | Apparatus and method for producing oriented carbon nanotube aggregate | |
JP5700819B2 (en) | Method for producing aligned carbon nanotube assembly | |
KR100968257B1 (en) | Apparatus and method for collection carbon nano tube | |
KR100828117B1 (en) | Apparatus of collecting carbon nano tube having the same | |
Yardimci et al. | Synthesis methods of carbon nanotubes | |
JP2008273812A (en) | Carbon nano-tube synthesizing apparatus and method | |
KR100905259B1 (en) | Method and apparatus of collecting carbon nano tube |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120517 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |