KR100833773B1 - Organic light emitting display and manufacturing thereof - Google Patents

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KR100833773B1
KR100833773B1 KR1020070060722A KR20070060722A KR100833773B1 KR 100833773 B1 KR100833773 B1 KR 100833773B1 KR 1020070060722 A KR1020070060722 A KR 1020070060722A KR 20070060722 A KR20070060722 A KR 20070060722A KR 100833773 B1 KR100833773 B1 KR 100833773B1
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light emitting
polyimide
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윤주원
전희철
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삼성에스디아이 주식회사
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Abstract

An organic light emitting display and a method for manufacturing the same are provided to form a PDL(Pixel Definition Layer) and a spacer with one step and one mask. An organic light emitting display(100) includes a substrate(111), an active layer(113), a planarizing film(119), an anode electrode(120), a PDL(Pixel Definition Layer)(130), and a spacer(140). The active layer is formed on the substrate. The planarizing film is formed on the active layer. The anode electrode is formed on the planraizing film. The PDL is formed on the substrate and the anode electrode. The spacer is formed on the pixel definition layer. The spacer is formed on the PDL to be continuously connected to the PDL.

Description

유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법{Organic Light Emitting Display And Manufacturing Thereof}Organic electroluminescent display and manufacturing method therefor {Organic Light Emitting Display And Manufacturing Thereof}

도 1은 레이저에 의한 열전사법(LITI) 공정을 설명하기 위한 개략도이다.1 is a schematic diagram for explaining a thermal transfer method (LITI) process using a laser.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치를 도시한 단면도이다.2 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치에서 화소 정의층 및 스페이서가 몰드에 의해서 형성되는 것을 설명하기 위한 단면도이다.3 is a cross-sectional view illustrating a pixel defining layer and a spacer formed by a mold in an organic light emitting display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 장치에서 유기 박막층이 형성된 구조를 도시한 단면도이다.4 is a cross-sectional view illustrating a structure in which an organic thin film layer is formed in an organic light emitting display device according to the present invention.

도 5는 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 장치를 제조하는 공정을 설명하기 위한 플로우 챠트이다.5 is a flowchart illustrating a process of manufacturing an organic light emitting display device according to the present invention.

도 6a 내지 도 6h는 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 공정을 도시한 단면도이다.6A to 6H are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of an organic light emitting display device according to the present invention.

<도면 부호의 간단한 설명><Short description of drawing symbols>

100; 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 장치100; Organic electroluminescent display device according to the present invention

110; 하부 기판 111; 기판110; Lower substrate 111; Board

112; 버퍼층 113; 액티브층112; Buffer layer 113; Active layer

114; 게이트 절연막 115; 게이트 전극114; A gate insulating film 115; Gate electrode

116; 층간 절연막 117; 소스 드레인 전극116; Interlayer insulating film 117; Source drain electrode

118; 보호막 119; 평탄화막118; Protective film 119; Planarization film

120; 애노드 전극 130; 화소 정의층120; Anode electrode 130; Pixel definition layer

131; 잔막 132; 경사면131; Residual film 132; incline

140; 스페이서 150; 몰드140; Spacer 150; Mold

160; 유기 박막층 161; 정공 주입층160; The organic thin film layer 161; Hole injection layer

162; 정공 수송층 163; 발광층162; Hole transport layer 163; Light emitting layer

164; 전자 수송층 165; 전자 주입층164; Electron transport layer 165; Electron injection layer

본 발명은 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 원하는 두께 및 테이퍼(taper)를 갖는 화소 정의층(Pixel Definition Layer, PDL)의 형성이 가능하며, 레이저에 의한 열전사법(Laser In duced Thermal Imaging, LITI) 전사시에 오픈 엣지(open edge)가 발생하지 않는 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same. More specifically, a pixel definition layer (PDL) having a desired thickness and taper can be formed, and a thermal transfer method using a laser is provided. (Laser Induced Thermal Imaging, LITI) The present invention relates to an organic light emitting display device in which no open edge occurs during transfer, and a method of manufacturing the same.

또한, 2단계 및 2 마스크(mask)로 진행되던 화소 정의층(PDL)과 스페이서(spacer) 형성을 1단계 및 1마스크로 줄일 수 있는 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention also relates to an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same, which can reduce the formation of a pixel definition layer (PDL) and a spacer, which have been performed in two steps and two masks, in one step and one mask.

일반적으로 유기 전계 발광 소자는 애노드 전극과 캐소드 전극 그리고 상기 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 개재된 유기 박막층을 포함한다. 상기 유기 박막층은 적어도 발광층을 포함한다. 이러한 유기 전계 발광 소자는 상기 발광층을 이루는 물질에 따라서 고분자 유기 전계 발광 소자와 저분자 유기 전계 발광 소자로 나뉘어 진다.In general, the organic EL device includes an anode electrode and a cathode electrode, and an organic thin film layer interposed between the anode electrode and the cathode electrode. The organic thin film layer includes at least a light emitting layer. The organic EL device is classified into a polymer organic EL device and a low molecular organic EL device according to the material of the light emitting layer.

이러한 유기 전계 발광 소자에 있어 풀칼라화를 구현하기 위해서는 R,G 및 B의 삼원색을 나타내는 각각의 발광층을 패터닝해야 한다. 여기서, 상기 발광층을 패터닝하기 위한 방법으로, 저분자 유기 전계 발광 소자의 경우 섀도우 마스크(shadow mask)를 사용하는 방법이 있고, 고분자 유기 전계 발광 소자의 경우 잉크젯 프린팅(ink-jet printing) 또는 레이저에 의한 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging, 이하 LITI라고 한다.)이 있다. 이 중에서 상기 레이저에 의한 열전사법(LITI)은 상기 유기막층을 미세하게 패터닝할 수 있고, 대면적에 사용할 수 있으며 고해상도에 유리하다는 장점이 있을 뿐만 아니라, 상기 잉크젯 프린팅이 습식 공정인데 반해 이는 건식 공정이라는 장점이 있다.In order to realize full colorization in such an organic electroluminescent device, each of the light emitting layers showing the three primary colors of R, G, and B must be patterned. Here, as a method for patterning the light emitting layer, there is a method using a shadow mask in the case of a low molecular organic EL device, and in the case of a polymer organic EL device by ink-jet printing or laser There is a thermal transfer method (hereinafter referred to as LITI). Among them, the laser thermal transfer method (LITI) has the advantage of being able to finely pattern the organic film layer, to be used for a large area, and to be advantageous in high resolution, whereas the inkjet printing is a wet process, whereas this is a dry process. There is an advantage.

도 1은 레이저에 의한 열전사법(LITI)를 설명하기 위한 개략도이다. 도 1을 참조하면, 먼저, 소정의 소자가 형성된 기판(10)을 제공한 후 상기 기판(10)상에 유기막층(21)이 형성된 도너 기판(20)을 라미네이션(lamination)한다. 상기 레이저 조사 장치(30)를 통하여 상기 도너 기판(20)의 소정 부분에 레이저를 조사한다. 이 때, 상기 레이저 조사 장치(30)는 광원 장치(31), 패터닝되어 있는 마스크(32) 및 프로젝션 렌즈(33)를 포함한다.1 is a schematic diagram for explaining a thermal transfer method (LITI) by a laser. Referring to FIG. 1, first, a substrate 10 having a predetermined element is provided, and then a donor substrate 20 having an organic layer 21 formed on the substrate 10 is laminated. A laser is irradiated to a predetermined portion of the donor substrate 20 through the laser irradiation device 30. In this case, the laser irradiation device 30 includes a light source device 31, a patterned mask 32, and a projection lens 33.

여기서, 상기 광원 장치(30)로부터 발생한 레이저가 상기 패터닝되어 있는 마스크(32)를 통하여 프로젝션 렌즈(33)로 레이저가 조사된다. 이 때, 상기 마스크(32)에 형성된 패턴에 따라 상기 프로젝션 렌즈(33)로 레이저가 조사된다. 이후에 상기 프로젝션 렌즈(33)를 통해 레이저가 굴절되어 상기 도너 기판(20) 상에 상기 마스크(32)의 패턴의 형태로 레이저가 조사됨으로써 상기 기판(10)상에 유기막층 패턴을 형성할 수 있다.Here, the laser is emitted from the light source device 30 to the projection lens 33 through the patterned mask 32. At this time, the laser is irradiated onto the projection lens 33 according to the pattern formed on the mask 32. Thereafter, the laser is refracted through the projection lens 33 to irradiate the laser in the form of the pattern of the mask 32 on the donor substrate 20 to form an organic layer pattern on the substrate 10. have.

여기서, 레이저가 조사된 부분(a)의 도너 기판(20)에 붙어 있던 유기막층(21)이 레이저의 작용으로 상기 도너 기판(20)으로부터 떨어져 나와 기판(10)으로 전사되고, 레이저를 받지 않은 부분(b, b')의 유기막층은 상기 도너 기판(20)에 남게 되어 기판(10)상에 유기막층 패턴의 간섭을 형성할 수 있다. 즉, 상기 레이저가 조사된 부분(a)의 유기막층과 상기 레이저가 조사되지 않은 부분(b, b')의 유기막층간의 결합이 끊어짐에 따라 유기막층 패턴을 형성할 수 있다.Here, the organic layer 21 adhered to the donor substrate 20 of the portion (a) to which the laser is irradiated is separated from the donor substrate 20 by the action of the laser, and transferred to the substrate 10, and receives no laser. The organic layer of portions b and b 'may remain on the donor substrate 20 to form interference of the organic layer pattern on the substrate 10. That is, the organic film layer pattern may be formed as the bond between the organic film layer of the portion (a) irradiated with the laser and the organic film layer of the portions (b, b ') not irradiated with the laser is broken.

종래에는 이러한 레이저를 이용한 열전사법(LITI)을 이용하여 유기막층의 패턴을 기판(10)에 형성할 때, 기판(10)에 형성되어 있는 화소 정의층(PLD, 11)의 두께 및 높은 테이퍼(taper) 각도로 인하여 상기 발광층의 패턴이 형성되는 데 어려움이 있었다. 즉, 화소 정의층(PDL, 11)의 두께 및 높은 테이퍼(taper)로 인하여 오픈 엣지(open edge)가 발생하는 문제점이 있었다.Conventionally, when the pattern of the organic film layer is formed on the substrate 10 by using the thermal transfer method (LITI) using the laser, the thickness and the high taper of the pixel defining layer (PLD) 11 formed on the substrate 10 ( It was difficult to form the pattern of the light emitting layer due to the taper angle. That is, an open edge occurs due to the thickness and high taper of the pixel defining layer PDL 11.

또한, 종래에는 상기 화소 정의층(11)을 우선 형성하고, 그 이후에 마스크(mask)를 사용하여 패터닝을 한 후에, 다시 스페이서를 형성하고, 마스크를 사용하여 패터닝을 하는 2단계 2마스크 공정이 사용되었다. 기존의 공정은 마스크를 사용하는데 마스크의 제작 비용이 많이 들기 때문에 공정 단가가 많이 들고, 공정이 복잡하다는 문제점이 있었다.In the related art, the pixel defining layer 11 is first formed, after which patterning is performed using a mask, and then a spacer is formed again, and patterning is performed using a mask. Was used. Existing processes use a mask, but the manufacturing cost of the mask is high, the process cost is high, there is a problem that the process is complicated.

본 발명은 상술한 종래의 문제점을 극복하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 원하는 두께 및 테이퍼(taper)를 갖는 화소 정의층(Pixel Definition Layer, PDL)의 형성이 가능하며, 레이저에 의한 열전사법(Laser In duced Thermal Imaging, LITI) 전사시에 오픈 엣지(open edge)가 발생하지 않는 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공함에 있다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is to overcome the above-mentioned conventional problems, and an object of the present invention is to form a pixel definition layer (PDL) having a desired thickness and taper, and a thermal transfer method using a laser ( The present invention provides an organic electroluminescent display device in which no open edge is generated during laser induced thermal imaging (LITI) transfer, and a method of manufacturing the same.

또한, 본 발명의 다른 목적은 2단계 및 2 마스크(mask)로 진행되던 화소 정의층(PDL)과 스페이서(spacer) 형성을 1단계 및 1마스크로 줄일 수 있는 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공함에도 있다.In addition, another object of the present invention is to provide an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same, which can reduce the formation of a pixel defining layer (PDL) and a spacer in two steps and two masks in one step and one mask. Also in providing.

상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 장치는 기판, 기판 상에 형성되는 액티브층, 액티브층 상에 형성되는 평탄화막, 평탄화막 상에 형성되는 애노드 전극, 평탄화막 및 애노드 전극 상에 형성되는 화소 정의층 및 화소 정의층 상에 형성되는 스페이서를 포함하고, 상기 화소 정의층 및 스페이서는 일체로 형성될 수 있다.In order to achieve the above object, the organic light emitting display device according to the present invention includes a substrate, an active layer formed on the substrate, a planarization film formed on the active layer, an anode electrode formed on the planarization film, a planarization film, and an anode electrode. A pixel defining layer formed on and a spacer formed on the pixel defining layer may be included. The pixel defining layer and the spacer may be integrally formed.

여기서, 화소 정의층은 평탄화막 및 애노드 전극의 상부에 형성되고, 애노드 전극에 비스듬하게 형성되는 경사면을 포함할 수 있다.The pixel defining layer may include an inclined surface formed on the planarization layer and the anode electrode and obliquely formed on the anode electrode.

또한, 화소 정의층의 경사면은 애노드 전극과 이루는 테이퍼(taper) 각도가 10도 내지 20도일 수 있다.In addition, the tapered angle of the inclined surface of the pixel defining layer may be 10 degrees to 20 degrees.

또한, 화소 정의층은 두께가 150nm 내지 200nm일 수 있다.In addition, the pixel defining layer may have a thickness of about 150 nm to about 200 nm.

또한, 스페이서는 화소 정의층의 상부에 돌출되어 형성될 수 있다.In addition, the spacer may be formed to protrude above the pixel defining layer.

또한, 애노드 전극, 화소 정의층 및 스페이서의 상부에 형성되는 정공 주입층 및 정공 주입층의 상부에 형성되는 정공 수송층을 더 포함할 수 있다.The semiconductor device may further include a hole injection layer formed on the anode electrode, the pixel defining layer, and the spacer, and a hole transport layer formed on the hole injection layer.

또한, 정공 수송층의 상부에는 발광층이 더 형성될 수 있다.In addition, an emission layer may be further formed on the hole transport layer.

또한, 발광층의 상부에 형성되는 전자 수송층 및 전자 수송층의 상부에 형성 되는 전자 주입층을 포함할 수 있다.In addition, the light emitting layer may include an electron transport layer formed on the upper portion and the electron injection layer formed on the electron transport layer.

더불어, 상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시장치의 제조 방법은 기판을 준비하는 기판 준비 단계, 상기 기판 상에 애노드 전극을 형성하는 애노드 전극 형성 단계, 기판과 애노드 전극 상에 폴리이미드를 코팅하여 폴리이미드층을 형성하는 폴리이미드층 형성 단계, 폴리이미드층 상에 몰드를 이용하여 패턴을 형성하는 몰드 임프린팅 단계 및 상기 패턴 중에서 상기 애노드 전극 상에 형성된 잔막을 제거하는 잔막 제거 단계를 포함할 수 있다.In addition, in order to achieve the above object, a method of manufacturing an organic light emitting display device according to the present invention includes a substrate preparation step of preparing a substrate, an anode electrode forming step of forming an anode electrode on the substrate, and a substrate and an anode electrode. A polyimide layer forming step of coating a polyimide to form a polyimide layer, a mold imprinting step of forming a pattern using a mold on the polyimide layer, and removing the residual film removing the residual film formed on the anode electrode among the patterns It may include a step.

또한, 폴리이미드층 형성 단계는 스핀 코팅 방법에 의해 폴리이미드를 코팅하는 단계를 포함할 수 있다.In addition, the polyimide layer forming step may include coating the polyimide by a spin coating method.

또한, 폴리이미드층 형성 단계의 폴리이미드층은 두께가 1μm 내지 1.5μm 로 형성되는 단계를 포함할 수 있다.In addition, the polyimide layer of the polyimide layer forming step may include a step of forming a thickness of 1μm to 1.5μm.

또한, 몰드 임프린팅 단계는 패턴이 형성된 몰드를 이용하여 균일한 힘으로 임프린팅하는 단계를 포함할 수 있다.In addition, the mold imprinting step may include imprinting with a uniform force using a mold on which the pattern is formed.

또한, 몰드 임프린팅 단계는 폴리이미드에 열을 가해 굳게 하는 단계를 포함할 수 있다.In addition, the mold imprinting step may include a step of applying heat to the polyimide to solidify.

또한, 폴리이미드에 가해지는 열은 온도가 240도(℃) 내지 260도(℃) 일 수 있다.In addition, the heat applied to the polyimide may have a temperature of 240 degrees (° C.) to 260 degrees (° C.).

또한, 잔막 제거 단계는 현상(develop)하는 방법을 이용하여 잔막을 제거하는 단계를 포함할 수 있다.In addition, the removing of the residual film may include removing the residual film by using a development method.

또한, 잔막 제거 단계 이후에는 애노드 전극, 화소 정의층 및 스페이서의 상부에 유기 박막층이 더 형성되는 유기 박막층 형성 단계가 더 포함될 수 있다.In addition, after the remaining film removing step, an organic thin film layer forming step of forming an organic thin film layer on the anode electrode, the pixel defining layer and the spacer may be further included.

또한, 유기 박막층 형성 단계는 애노드 전극, 화소 정의층 및 스페이서의 상부에 정공 주입층을 형성하는 정공 주입층 형성 단계와 정공 주입층 상부에 정공 수송층을 형성하는 정공 수송층 형성 단계를 더 포함할 수 있다.The organic thin film layer forming step may further include a hole injection layer forming step of forming a hole injection layer on the anode electrode, a pixel defining layer and a spacer, and a hole transport layer forming step of forming a hole transport layer on the hole injection layer. .

또한, 유기 박막층 형성 단계는 정공 수송층 형성 단계 이후에 정공 수송층 상부에 발광층을 더 형성하는 발광층 형성 단계를 더 포함할 수 있다.The organic thin film layer forming step may further include a light emitting layer forming step of further forming a light emitting layer on the hole transport layer after the hole transport layer forming step.

또한, 발광층 형성 단계는 레이저에 의한 열전사법(Laser Indused Thermal Imaging, LITI)에 의해 발광층을 형성할 수 있다.In the light emitting layer forming step, the light emitting layer may be formed by laser indused thermal imaging (LITI).

또한, 유기 박막층 형성 단계는 발광층 형성 단계 이후에 발광층 상부에 전자 수송층을 형성하는 전자 수송층 형성 단계와 전자 수송층 상부에 전자 주입층을 형성하는 전자 주입층 형성 단계를 포함할 수 있다.The organic thin film layer forming step may include an electron transport layer forming step of forming an electron transporting layer on the light emitting layer after the light emitting layer forming step and an electron injection layer forming step of forming an electron injection layer on the electron transporting layer.

상기와 같이 하여 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 장치는 원하는 두께 및 테이퍼(taper)를 갖는 화소 정의층(Pixel Definition Layer, PDL)의 형성이 가능하며, 레이저에 의한 열전사법(Laser In duced Thermal Imaging, LITI) 전사시에 오픈 엣지(open edge)가 발생하지 않는 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공하게 된다. As described above, the organic light emitting display device according to the present invention can form a pixel definition layer (PDL) having a desired thickness and taper, and is laser induced thermal imaging (Laser Induced Thermal Imaging). The present invention provides an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same, in which no open edge is generated during LITI transfer.

또한, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 장치는 2단계 및 2마스크(mask) 로 진행되던 화소 정의층(PDL)과 스페이서(spacer) 형성을 1단계 및 1마스크로 줄일 수 있는 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공하게 된다.In addition, the organic light emitting display device according to the present invention can reduce the formation of the pixel defining layer (PDL) and the spacer which are performed in two steps and two masks to one step and one mask. And a method for producing the same.

이하 본 발명이 속하는 기술분야에 있어서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있을 정도로 본 발명의 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily practice the present invention.

이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치의 구조에 대한 설명을 하도록 한다.Hereinafter, the structure of the organic light emitting display device according to an exemplary embodiment will be described.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치의 단면도를 도시한 것이다.2 is a cross-sectional view of an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2에서 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치는 하부 기판(110), 애노드 전극(120), 화소 정의층(130) 및 스페이서(140)를 포함할 수 있다.As illustrated in FIG. 2, an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment may include a lower substrate 110, an anode electrode 120, a pixel defining layer 130, and a spacer 140. .

상기 하부 기판(110)은 기판(111), 상기 기판(111)에 형성되는 버퍼층(112), 상기 버퍼층(112)에 형성되는 액티브층(113), 상기 액티브층(113)에 형성되는 게이트 절연막(114), 상기 게이트 절연막(114)에 형성되는 게이트 전극(115), 상기 게이트 절연막(114) 및 게이트 전극(115) 상부에 형성되는 층간 절연막(116), 상기 층간 절연막(116) 상부에 형성되는 소스 드레인 전극(117), 상기 층간 절연막(116) 및 소스 드레인 전극(117) 상부에 형성되는 보호막(118) 및 상기 보호막(118) 상부에 형성되는 평탄화막(119)를 포함할 수 있다.The lower substrate 110 may include a substrate 111, a buffer layer 112 formed on the substrate 111, an active layer 113 formed on the buffer layer 112, and a gate insulating layer formed on the active layer 113. (114), the gate electrode 115 formed on the gate insulating film 114, the interlayer insulating film 116 formed on the gate insulating film 114 and the gate electrode 115, and formed on the interlayer insulating film 116 The source drain electrode 117, the interlayer insulating layer 116, the passivation layer 118 formed on the source drain electrode 117, and the planarization layer 119 formed on the passivation layer 118 may be included.

상기 기판(111)은 상면과 하면이 평행하게 형성되며, 상면과 하면 사이의 두께는 대략 0.05~1mm 정도로 형성될 수 있다. 상기 기판(111)의 두께가 대략 0.05mm 이하인 경우에는 제조 공정 중 세정, 식각 및 열처리 공정 등에 의해 손상되기 쉽고 또한 외력에 약한 단점이 있다. 또한, 상기 기판(111)의 두께가 대략 1mm 이상인 경우에는 최근의 슬림화 추세에 있는 각종 표시 장치에 적용하기 곤란하다. 또한, 상기 기판(111)은 통상의 유리 기판, 플라스틱 기판, 메탈 기판, 폴리머 기판 및 그 등가물 중 선택된 어느 하나로 형성될 수 있으나, 이러한 기판 재질로 본 발명을 한정하는 것은 아니다.An upper surface and a lower surface of the substrate 111 may be formed in parallel, and a thickness between the upper surface and the lower surface may be approximately 0.05 to 1 mm. When the thickness of the substrate 111 is about 0.05 mm or less, it is easy to be damaged by cleaning, etching, and heat treatment processes during the manufacturing process, and also has a weakness in external force. In addition, when the thickness of the substrate 111 is about 1 mm or more, it is difficult to apply to various display devices having a recent slimming trend. In addition, the substrate 111 may be formed of any one selected from a common glass substrate, a plastic substrate, a metal substrate, a polymer substrate, and equivalents thereof, but the present invention is not limited thereto.

상기 버퍼층(112)은 상기 기판(111)의 상면에 형성될 수 있다. 이러한 버퍼층(112)은 액티브층(113)이나 유기 전계 발광 소자(OLED) 쪽으로 수분(H2O), 수소(H2) 또는 산소(O2) 등이 상기 기판(111)을 관통하여 침투하지 않도록 하는 역할을 한다. 이를 위해, 상기 버퍼층(112)은 반도체 공정 중 쉽게 형성할 수 있는 실리콘 산화막(SiO2), 실리콘 질화막(Si3N4), 무기막 및 그 등가물 중 선택된 적어도 어느 하나로 형성할 수 있으나, 이러한 재질로 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 또한, 이러한 버퍼층(112)은 기판(111) 또는 액티브층(113)의 구조에 따라 생략될 수 있다.The buffer layer 112 may be formed on an upper surface of the substrate 111. The buffer layer 112 does not penetrate through the substrate 111 by moisture (H 2 O), hydrogen (H 2 ), or oxygen (O 2 ) toward the active layer 113 or the organic light emitting diode (OLED). It plays a role of preventing. To this end, the buffer layer 112 may be formed of at least one selected from a silicon oxide film (SiO 2 ), a silicon nitride film (Si 3 N 4 ), an inorganic film, and an equivalent thereof, which can be easily formed during a semiconductor process. It does not limit this invention. In addition, the buffer layer 112 may be omitted depending on the structure of the substrate 111 or the active layer 113.

상기 액티브층(113)은 상기 버퍼층(112)의 상면에 형성될 수 있다. 이러한 액티브층(113)은 상호 대향 되는 양측에 형성된 소스 드레인 영역과, 상기 소스 드레인 영역 사이에 형성된 채널 영역으로 이루어질 수 있다.The active layer 113 may be formed on an upper surface of the buffer layer 112. The active layer 113 may include a source drain region formed at opposite sides of the active layer 113 and a channel region formed between the source drain region.

이러한 액티브층(113)은 비정질 실리콘(amorphous Si), 다결정 실리콘(poly Si), 유기 박막, 마이크로 실리콘(micro Si, 비정질 실리콘과 다결정 실리콘 사이의 그레인 사이즈를 갖는 실리콘) 및 그 등가물 중 선택된 적어도 어느 하나로 형성될 수 있으나 본 발명에서 상기 액티브층(113)의 종류를 한정하는 것은 아니다.The active layer 113 may include at least one selected from amorphous silicon, poly Si, an organic thin film, micro silicon (micro Si, silicon having a grain size between amorphous silicon and polycrystalline silicon), and an equivalent thereof. Although it may be formed as one, the type of the active layer 113 is not limited in the present invention.

또한, 상기 액티브층(113)이 다결정 실리콘으로 형성되는 경우, 상기 액티브층(113)은 저온에서 레이저를 이용하여 결정화는 방법, 금속 촉매를 이용하여 결정화하는 방법 및 그 등가 방법 중 선택된 어느 하나의 방법일 수 있으나, 본 발명에서 상기 다결정 실리콘의 결정화 방법을 한정하는 것은 아니다.In addition, when the active layer 113 is formed of polycrystalline silicon, the active layer 113 is any one selected from crystallization using a laser at a low temperature, crystallization using a metal catalyst, and an equivalent method thereof. It may be a method, but the present invention is not limited to the method of crystallizing the polycrystalline silicon.

상기 게이트 절연막(114)은 상기 액티브층(113) 상부에 형성될 수 있다. 물론, 이러한 게이트 절연막(114)은 상기 액티브층(113)의 외주연인 버퍼층(112) 위에도 형성될 수 있다. 또한, 상기 게이트 절연막(114)은 반도체 공정 중 쉽게 얻을 수 있는 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 무기막 또는 그 등가물 중 선택된 적어도 어느 하나로 형성될 수 있으며, 여기서 그 재질을 한정하는 것은 아니다.The gate insulating layer 114 may be formed on the active layer 113. Of course, the gate insulating layer 114 may also be formed on the buffer layer 112 that is the outer circumference of the active layer 113. In addition, the gate insulating layer 114 may be formed of at least one selected from a silicon oxide film, a silicon nitride film, an inorganic film, or an equivalent thereof which can be easily obtained during a semiconductor process, and the material is not limited thereto.

상기 게이트 전극(115)은 상기 게이트 절연막(114)의 상면에 형성될 수 있다. 좀더 구체적으로, 상기 게이트 전극(115)은 상기 액티브층(113) 중 채널 영역과 대응되는 게이트 절연막(114) 위에 형성될 수 있다. 이러한 게이트 전극(115)은 상기 게이트 절연막(114) 하부의 채널 영역에 전계를 인가함으로써, 상기 채널 영역에 정공 또는 전자의 채널이 형성되도록 하며 이러한 구조를 FET(Field Effect Transistor)로 명명하며 본 발명의 구조를 보다 상세하게 언급하면 MOSFET(Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor)이라고 한다. 또한, 상기 게이트 전극(115)은 금속(Mo, MoW, Ti, Cu, Al, AlNd, Cr, Mo 합금, Cu 합금, Al 합금 등), 도핑된 다결정 실리콘 및 그 등가물 중 선택된 적어도 어느 하나로 형성될 수 있으나, 여기서 그 재질을 한정하는 것은 아니다.The gate electrode 115 may be formed on an upper surface of the gate insulating layer 114. More specifically, the gate electrode 115 may be formed on the gate insulating layer 114 corresponding to the channel region of the active layer 113. The gate electrode 115 applies an electric field to the channel region under the gate insulating layer 114, so that a channel of holes or electrons is formed in the channel region, and this structure is referred to as a field effect transistor (FET). In more detail, the structure of is called MOSFET (Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor). In addition, the gate electrode 115 may be formed of at least one selected from a metal (Mo, MoW, Ti, Cu, Al, AlNd, Cr, Mo alloy, Cu alloy, Al alloy, etc.), doped polycrystalline silicon, and an equivalent thereof. However, the material is not limited thereto.

상기 층간 절연막(116)은 상기 게이트 절연막(114) 및 게이트 전극(115)의 상면에 형성될 수 있다. 상기 층간 절연막(116)은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 폴리머, 플라스틱, 유리 또는 그 등가물 중 선택된 어느 하나로 형성될 수 있으나 여기서 상기 층간 절연막(116)의 재질을 한정하는 것은 아니다.The interlayer insulating layer 116 may be formed on upper surfaces of the gate insulating layer 114 and the gate electrode 115. The interlayer insulating layer 116 may be formed of any one selected from a silicon oxide film, a silicon nitride film, a polymer, a plastic, glass, or an equivalent thereof, but the material of the interlayer insulating film 116 is not limited thereto.

상기 층간 절연막(116) 상에 상기 액티브층(113)과 소스 드레인 전극(117)을 접촉시키기 위해 식각 공정이 진행하는데 이를 컨택홀 공정이라고 하며, 이러한 식각 공정후 노출된 영역을 통상 컨택홀이라 하며, 이러한 컨택홀에는 도전성 컨택(conduntive contact)이 형성된다.An etching process is performed to contact the active layer 113 and the source drain electrode 117 on the interlayer insulating layer 116. This is called a contact hole process. The exposed area after the etching process is generally referred to as a contact hole. In this contact hole, a conductive contact is formed.

상기 소스 드레인 전극(117)은 상기 층간 절연막(116)의 상면에 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition), LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition), 스퍼터링 및 그 등가 방법 중 선택된 어느 하나의 방법으로 형성된다. 물론, 상기와 같은 공정 이후에는 포토 레지스트 도포, 노광, 현상, 식각 및 포토 레지스트 박리 등의 공정을 통해 원하는 위치에 소스 드레인 전극(117)을 형성한다. 상기 소스 드레인 전극(117)과 액티브층(113)의 소스 드레인 영역 사이에는 상기 층간 절연막(116)을 관통하는 도전성 컨택(Conductive contact)을 형성한다. 물론, 상기 도전성 컨택은 상술한 바와 같이 미리 형성된 컨택홀을 통하여 형성된다.The source drain electrode 117 is formed on the upper surface of the interlayer insulating layer 116 by any one method selected from Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD), Low Pressure Chemical Vapor Deposition (LPCVD), sputtering, and the like. Of course, after the above process, the source drain electrode 117 is formed at a desired position through a process such as photoresist coating, exposure, development, etching, and photoresist stripping. A conductive contact penetrating the interlayer insulating layer 116 is formed between the source drain electrode 117 and the source drain region of the active layer 113. Of course, the conductive contact is formed through the contact hole formed in advance as described above.

상기 보호막(118)은 상기 소스 드레인 전극(117) 및 층간 절연막(116)을 덮으며, 상기 소스 드레인 전극(117) 등을 보호하는 역할을 한다. 이러한 보호막(118)은 통상의 무기막 및 그 등가물 중 선택된 어느 하나로 형성될 수 있으나, 본 발명에서 상기 보호막(118)의 재질을 한정하는 것은 아니다. The passivation layer 118 covers the source drain electrode 117 and the interlayer insulating layer 116 and protects the source drain electrode 117 and the like. The protective film 118 may be formed of any one selected from a general inorganic film and its equivalent, but the material of the protective film 118 is not limited in the present invention.

상기 평탄화막(119)은 상기 보호막(118)상에 형성된다. 이러한 평탄화막(119)은 유기 전계 발광 소자(OLED) 및 그의 캐소드 전극이 단차로 인해 단락되거나 단선되는 것을 방지해주는 역할을 하는 것으로 BCB(Benzo Cyclo Butene), 아크릴(Acrylic) 및 그 등가물 중 선택된 적어도 어느 하나로 형성될 수 있으나, 여 기서 그 재질을 한정하는 것은 아니다.The planarization layer 119 is formed on the passivation layer 118. The planarization layer 119 serves to prevent the OLED and the cathode of the OLED from being short-circuited or disconnected due to a step, and selected from at least one of Benzo Cyclo Butene (BCB), Acrylic (Acrylic), and equivalents thereof. It may be formed of any one, but the material is not limited thereto.

물론, 상기 보호막(118) 및 평탄화막(119)에는 상기 소스 드레인 전극(117)과 대응되는 영역을 식각하여 비아홀을 미리 형성해 둔다. 이러한 비아홀에는 차후 도전성 비아를 형성한다. 이러한 도전성 비아는 상기 애노드 전극(120)과 상기 액티브층(113)의 소스 드레인 영역을 전기적으로 연결하는 역할을 한다Of course, via holes are formed in the passivation layer 118 and the planarization layer 119 by etching regions corresponding to the source and drain electrodes 117. These via holes are subsequently formed with conductive vias. The conductive via serves to electrically connect the anode electrode 120 and the source drain region of the active layer 113.

상기 애노드 전극(120)은 ITO(Induim Tin Oxide), ITO/Ag, ITO/Ag/ITO, ITO/Ag/IZO(Indium Zinc Oxide), 은합금(ITO/Ag 합금/ITO) 및 그 등가물 중 선택된 적어도 어느 하나로 형성될 수 있으나, 본 발명에서 상기 애노드 전극(120)의 재질을 한정하는 것은 아니다. 상기 ITO는 일함수가 균일하여 유기 전계 발광 박막에 대한 정공 주입 장벽이 작은 투명 도전막이고, 상기 Ag는 전면 발광 방식에서 특히 유기 전계 발광 박막으로부터의 빛을 상면으로 반사시키는 막이다.The anode electrode 120 is selected from indium tin oxide (ITO), ITO / Ag, ITO / Ag / ITO, ITO / Ag / IZO (Indium Zinc Oxide), silver alloy (ITO / Ag alloy / ITO) and equivalents thereof It may be formed of at least one, but the material of the anode electrode 120 is not limited in the present invention. The ITO is a transparent conductive film having a uniform work function and a small hole injection barrier for the organic electroluminescent thin film, and the Ag is a film that reflects light from the organic electroluminescent thin film to the top surface in the top emission method.

또한, 상기 애노드 전극(120)은 개구율을 최대로 하기 위하여 트랜지스터 구조에 상응하는 부분(113,114,115,117)의 상부 이외의 영역에 형성될 수 있다.In addition, the anode electrode 120 may be formed in a region other than the top of the portions 113, 114, 115, and 117 corresponding to the transistor structure in order to maximize the aperture ratio.

상기 화소 정의층(130)은 상기 평탄화막(119) 및 애노드 전극(120)의 상면에 형성될 수 있다. 또한, 도 2를 참조하면 화소 정의층(130)은 화소의 개구율을 높이기 위해서 트랜지스터 구조에 상응하는 부분(113, 114, 115, 117)에 형성된다. 이러한 화소 정의층(130)은 적색 유기 전계 발광 소자, 녹색 유기 전계 발광 소자, 청색 유기 전계 발광 소자 사이의 경계를 명확히 구별되게 해서 화소 사이의 발광 경계 영역이 명확해지도록 한다. The pixel defining layer 130 may be formed on the top surface of the planarization layer 119 and the anode electrode 120. In addition, referring to FIG. 2, the pixel defining layer 130 is formed in portions 113, 114, 115, and 117 corresponding to the transistor structure in order to increase the aperture ratio of the pixel. The pixel defining layer 130 makes the boundary between the red organic electroluminescent device, the green organic electroluminescent device, and the blue organic electroluminescent device clear, so that the emission boundary area between the pixels becomes clear.

상기 화소 정의층(130)은, 도 2를 참조하면, 상기 애노드 전극(120)에 비스듬하게 형성되는 경사면(132)을 포함한다. 상기 경사면(132)은 상기 애노드 전극(120)과 이루는 각도 즉, 테이퍼(taper) 각도가 10도 내지 20도(degree) 일 수 있다. Referring to FIG. 2, the pixel defining layer 130 includes an inclined surface 132 that is formed obliquely on the anode electrode 120. The inclined surface 132 may have an angle formed with the anode electrode 120, that is, a taper angle of 10 degrees to 20 degrees.

상기 경사면(132)이 애노드 전극(120)과 이루는 각도의 하한을 10도로 결정하는 이유는 상기 화소 정의층(130) 자체의 두께가 있기 때문이다. 또한, 상기 각도가 10도 이하로 낮아져서 상기 화소 정의층(130)이 얇아지면 상기 애노드 전극에서의 터널링(tunneling) 현상이 발생할 수 있고, 그 결과 절연 기능의 손상이 생길 수 있기 때문이다.The lower limit of the angle between the inclined surface 132 and the anode electrode 120 is determined by 10 degrees because the pixel defining layer 130 itself has a thickness. In addition, when the angle is lowered to 10 degrees or less and the pixel defining layer 130 is thinned, a tunneling phenomenon may occur at the anode, and as a result, an insulation function may be damaged.

또한, 상기 경사면(132)이 애노드 전극(120)과 이루는 각도의 상한을 20도로 결정하는 이유는 상기 각도가 20도 이상이면 레이저에 의한 열전사법(LITI)를 이용하여 발광층을 형성하는 경우에 상기 발광층이 원하는 위치에 제대로 형성되는 것이 어려워서 오픈 엣지(open edge)가 발생할 수 있기 때문이다.In addition, the reason for determining the upper limit of the angle formed by the inclined surface 132 with the anode electrode 120 is 20 degrees when the light emitting layer is formed using a laser thermal transfer method (LITI) when the angle is 20 degrees or more. This is because it is difficult for the light emitting layer to be properly formed at a desired position, so that an open edge may occur.

또한, 상기 화소 정의층(130)은, 도 2를 참조하면, 자체의 두께를 갖는다. 상기 화소 정의층(130)의 두께는 상기 평탄화막(119) 상부에 형성된 화소 정의층(130)에서의 두께로 정의를 할 수 있다. 즉, 상기 화소 정의층(130)의 부분 중에 서 가장 두꺼운 부분이라 할 수 있다.In addition, referring to FIG. 2, the pixel defining layer 130 has its own thickness. The thickness of the pixel defining layer 130 may be defined as the thickness of the pixel defining layer 130 formed on the planarization layer 119. That is, it may be referred to as the thickest part of the pixel defining layer 130.

본 발명의 일 실시예에 따른 상기 화소 정의층(130)의 두께는 150nm 내지 200nm일 수 있다.The pixel defining layer 130 may have a thickness of about 150 nm to about 200 nm.

상기 화소 정의층(130) 두께의 상한을 200nm 로 결정하는 이유는 200nm 이상인 경우 상기 테이퍼 각도가 커지게 되어 오픈 엣지(open edge)가 발생할 염려가 있기 때문이다.The upper limit of the thickness of the pixel defining layer 130 is set to 200 nm because the taper angle is increased when the thickness is 200 nm or more, which may cause an open edge.

또한, 상기 화소 정의층(130) 두께의 하한을 150nm로 결정하는 이유는 후술할 몰드를 이용하여 상기 화소 정의층을 형성하는 경우 몰드로 형성할 수 있는 최소 두께가 100nm이고, 이후의 현상(develop) 공정을 염두에 두어 50nm의 마진을 고려하였기 때문이다. In addition, the reason for determining the lower limit of the thickness of the pixel defining layer 130 as 150 nm is that when the pixel defining layer is formed by using a mold to be described later, the minimum thickness that can be formed by a mold is 100 nm, and the following development (develop) 50 nm margin was taken into account.

상기 스페이서(140)은 상기 화소 정의층(130)의 상부에 형성될 수 있다. 더 상세히 설명하자면, 도 2를 참조하면 상기 스페이서(140)는 상기 화소 정의층(130)의 상부에 돌출되어 있는 형상으로 형성되어 있다. 상기 스페이서는 유기 전계 발광 표시 장치의 패널이 외부의 압력으로부터 손상되는 것을 막기 위해서 필요하다. 즉, 상기 스페이서(140)의 형성으로 인해 유기 전계 발광 표시 패널은 상부에 여유 공간을 갖게 되어, 외부의 압력으로부터 상기 유기 전계 발광 표시 패널이 손상되는 것을 막게 된다. The spacer 140 may be formed on the pixel defining layer 130. In more detail, referring to FIG. 2, the spacer 140 is formed to protrude on the pixel defining layer 130. The spacer is necessary to prevent the panel of the organic light emitting display device from being damaged by external pressure. That is, due to the formation of the spacer 140, the organic light emitting display panel has a free space thereon, thereby preventing the organic electroluminescent display panel from being damaged by external pressure.

도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치(100)는 상기 스페이서(140)가 상기 화소 정의층(130)과 일체로 형성되는 특징을 갖는다. 그 이유는 후술할 몰드를 이용한 공정을 통하면, 상기 화소 정의층(130)과 스페이서(140)는 한번의 임프린팅(imprinting)을 통해서 동시에 형성될 수 있기 때문이다. Referring to FIG. 2, the organic light emitting display device 100 according to an exemplary embodiment of the present invention has the feature that the spacer 140 is integrally formed with the pixel defining layer 130. This is because the pixel defining layer 130 and the spacer 140 may be simultaneously formed through one imprinting through a process using a mold to be described later.

기존에는 상기 화소 정의층(130)을 우선 형성하고, 그 이후에 마스크(mask)를 사용하여 패터닝을 한 후에, 다시 스페이서(140)를 형성하고, 마스크를 사용하여 패터닝을 하는 2단계 2마스크 공정이 사용되었다. 그런데 마스크를 사용하면 마스크의 제작 비용이 많이 들기 때문에 공정 단가가 많이 들고, 공정이 복잡하다는 단점이 있다.Conventionally, the pixel defining layer 130 is formed first, after which patterning is performed using a mask, a spacer 140 is formed again, and patterning is performed using a mask. This was used. However, when using a mask, the manufacturing cost of the mask is high, the process cost is high, and the process is complicated.

본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 장치는 몰드를 사용하여 임프린팅을 하여 한번의 공정으로 상기 화소 정의층(130) 및 스페이서(140)을 동시에 형성하게 되므로 공정의 단가와 복잡도를 낮출 수 있다는 장점이 있다.The organic electroluminescent display device according to the present invention has the advantage that the cost and complexity of the process can be reduced since the pixel defining layer 130 and the spacer 140 are simultaneously formed by imprinting using a mold. have.

또한, 이러한 화소 정의층(130) 및 스페이서(140)는 폴리이미드(polyimide) 및 그 등가물 중 선택된 적어도 어느 하나로 형성될 수 있으나, 여기서 상기 화소 정의막(130) 및 스페이서(140)의 재질을 한정하는 것은 아니다.In addition, the pixel defining layer 130 and the spacer 140 may be formed of at least one selected from polyimide and its equivalents, and here, materials of the pixel defining layer 130 and the spacer 140 are limited. It is not.

이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치(100)의 제조 공정에 사용되는 몰드에 대해 설명하기로 한다.Hereinafter, a mold used in a manufacturing process of the organic light emitting display device 100 according to an exemplary embodiment will be described.

도 3에는 화소 정의층(130) 및 스페이서(140)가 몰드(150)를 사용하여 형성되는 것을 설명하기 위한 단면도가 도시되어 있다.3 is a cross-sectional view illustrating that the pixel defining layer 130 and the spacer 140 are formed using the mold 150.

도 3을 참조하면, 몰드(150)에는 상기 화소 정의층(130) 및 스페이서(140)의 형상이 음각으로 형성되어 있다. 즉, 상기 화소 정의층(130) 및 스페이서(140)의 재료인 폴리이미드(polyimide)가 굳지 않은 상태로 상기 평탄화막(119)을 구비한 하부 기판(110)에 코팅(coating)되고, 상기 몰드(150)를 통해서 임프린팅(imprinting)을 하게 되면, 상기 몰드(150)의 형상대로 상기 화소 정의층(130) 및 스페이서(140)가 형성된다.Referring to FIG. 3, in the mold 150, shapes of the pixel defining layer 130 and the spacer 140 are intaglio. That is, the polyimide, which is a material of the pixel defining layer 130 and the spacer 140, is coated on the lower substrate 110 provided with the planarization layer 119 and the mold is not hardened. When imprinting is performed through the 150, the pixel defining layer 130 and the spacer 140 are formed in the shape of the mold 150.

다만, 상기 몰드(150)를 이용한 방법은 폴리이미드(polyimide)가 상기 애노드 전극(120) 상부에 형성되는 것을 막을 수가 없으므로, 도 3에 도시되어 있듯이 잔막(131)이 형성되게 된다. 상기 잔막(131)을 제거하는 방법은 이후에서 설명을 하도록 하며, 상기 잔막(131)이 제거되면 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치(100)가 된다.However, the method using the mold 150 may not prevent the polyimide from being formed on the anode electrode 120, so that the residual film 131 is formed as shown in FIG. 3. A method of removing the residual layer 131 will be described later. When the residual layer 131 is removed, the organic light emitting display device 100 according to an exemplary embodiment of the present invention is formed.

이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치(100)에 유기 박막층이 형성되는 것을 설명하도록 한다.Hereinafter, an organic thin film layer is formed in the organic light emitting display device 100 according to an exemplary embodiment.

도 4에는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치(100)에 유기 박막층(160)이 더 형성되어 있는 구조의 단면도가 도시되어 있다.4 is a cross-sectional view of a structure in which the organic thin film layer 160 is further formed in the organic light emitting display device 100 according to the exemplary embodiment of the present invention.

도 4에서 보듯이, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치(100)의 상부에 유기 박막층(160)이 더 형성된다. 상기 유기 박막층(160)은 정공 주입층(161), 정공 수송층(162), 발광층(163), 전자 수송층(164) 및 전자 주입 층(165)을 포함한다.As shown in FIG. 4, the organic thin film layer 160 is further formed on the organic light emitting display device 100 according to the exemplary embodiment. The organic thin film layer 160 includes a hole injection layer 161, a hole transport layer 162, a light emitting layer 163, an electron transport layer 164, and an electron injection layer 165.

상기 발광층(163)을 제외한 나머지 유기 박막층(161, 162, 164, 165)은 유기 전계 발광 표시 장치의 하부 기판(110) 전면에 걸쳐서 형성된다. 그리고 발광층(163)은 상기 애노드 전극(120)이 형성된 상부에 대응하여 형성된다.The remaining organic thin film layers 161, 162, 164, and 165 except the emission layer 163 are formed over the entire lower substrate 110 of the organic light emitting display device. The emission layer 163 is formed to correspond to the upper portion where the anode electrode 120 is formed.

상기 발광층(163)은 레이저에 의한 열전사법(LITI)을 이용하여 형성될 수 있다. 다만, 저분자 유기 전계 발광 소자의 경우 섀도우 마스크(shadow mask)를 사용하는 방법이 있고, 고분자 유기 전계 발광 소자의 경우 잉크젯 프린팅(ink-jet printing) 등도 가능하며, 상기 레이저에 의한 열전사법(LITI)으로 본 발명에서 발광층(163)의 제조 방법을 한정하는 것은 아니다. The emission layer 163 may be formed using a thermal transfer method (LITI) by a laser. However, there is a method of using a shadow mask in the case of a low molecular organic EL device, ink-jet printing is also possible in the case of a polymer organic EL device, the thermal transfer method (LITI) by the laser In the present invention, the method of manufacturing the light emitting layer 163 is not limited.

이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치(100)의 제조 공정에 대해서 설명을 하도록 한다. Hereinafter, a manufacturing process of the organic light emitting display device 100 according to an exemplary embodiment will be described.

도 5에는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치(100)의 제조 공정을 나타내는 플로우 챠트가 도시되어 있다.5 is a flowchart illustrating a manufacturing process of the organic light emitting display device 100 according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치(100)의 제조 방법은 기판 준비 단계(S1), 애노드 전극 형성 단계(S2), 폴리이미드층 형성 단계(S3), 몰드 임프린팅 단계(S4), 잔막 제거 단계(S5), 유기 박막층 형성 단계(S6)를 포함하여 구성된다. Referring to FIG. 5, a method of manufacturing an organic light emitting display device 100 according to an exemplary embodiment of the present invention may include a substrate preparation step S1, an anode electrode forming step S2, a polyimide layer forming step S3, It comprises a mold imprinting step (S4), residual film removal step (S5), organic thin film layer forming step (S6).

상기 기판 준비 단계(S1)는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치의 하부 기판(110, 도 2 참조)을 구비하는 단계이다. 상기 하부 기판(110)은 기판(111), 버퍼층(112), 액티브층(113), 게이트 절연막(114), 게이트 전극(115), 층간 절연막(116), 소스 드레인 전극(117), 보호막(118), 평탄화막(119)을 구비하는 단계이다. 또한, 경우에 따라서는 상기 버퍼층(112)은 상기 액티브층(113)의 형태에 따라서 생략될 수도 있다.The substrate preparing step S1 is a step of providing a lower substrate 110 (see FIG. 2) of the organic light emitting display device according to an exemplary embodiment. The lower substrate 110 may include a substrate 111, a buffer layer 112, an active layer 113, a gate insulating layer 114, a gate electrode 115, an interlayer insulating layer 116, a source drain electrode 117, and a protective layer ( 118), and the planarization film 119 is provided. In some cases, the buffer layer 112 may be omitted depending on the shape of the active layer 113.

상기 애노드 전극 형성 단계(S2)는 상기 기판 준비 단계(S1)에서 구비된 하부 기판(110)에 애노드 전극(120, 도 2 참조)를 더 형성하는 단계이다. 상기 애노드 전극은 빛이 상술한 바와 같이 투과할 수 있는 재질인 ITO(Induim Tin Oxide), ITO/Ag, ITO/Ag/ITO, ITO/Ag/IZO(Indium Zinc Oxide), 은합금(ITO/Ag 합금/ITO) 및 그 등가물 중 선택된 적어도 어느 하나로 형성되며, 상기 하부 기판(110)에 전면적으로 도포된 이후에 마스크를 이용하여 패터닝이 되게 된다.The anode electrode forming step S2 is a step of further forming an anode electrode 120 (see FIG. 2) on the lower substrate 110 provided in the substrate preparing step S1. The anode electrode is ITO (Induim Tin Oxide), ITO / Ag, ITO / Ag / ITO, ITO / Ag / IZO (Indium Zinc Oxide), silver alloy (ITO / Ag) which can transmit light as described above An alloy / ITO) and an equivalent thereof, and formed on at least one selected from the group consisting of an alloy / ITO and an equivalent thereof.

상기 폴리이미드 형성 단계(S3)는 상기 애노드 전극(120)이 구비된 하부 기판(110)에 폴리이미드(polyimide) 물질을 코팅하는 단계이다. 상기 폴리이미드는 상기 화소 정의층(130, 도 2 참조) 및 스페이서(140, 도 2 참조)를 형성하기 위한 물질이다. 다만, 상기 폴리이미드 뿐만 아니라 그 등가물도 가능하며, 본 발명의 화소 정의층(130) 및 스페이서(140)의 재질을 한정하는 것은 아니다.The polyimide forming step (S3) is a step of coating a polyimide material on the lower substrate 110 provided with the anode electrode 120. The polyimide is a material for forming the pixel defining layer 130 (see FIG. 2) and the spacer 140 (see FIG. 2). However, the polyimide may be equivalent to the polyimide, and the material of the pixel defining layer 130 and the spacer 140 of the present invention is not limited.

상기 폴리이미드는 스핀 코팅(spin coating)의 방법으로 코팅될 수 있다. 상기 스핀 코팅이란 코팅을 시킬 피코팅물을 회전시키면서 그 회전판의 가운데 면에 고분자 물질을 떨어뜨리면 피코팅물의 회전하는 원심력으로 인해 고분자 물질이 표면 전체로 얇게 퍼져나가서 코팅되는 방법이다. 즉, 상기 애노드 전극(120)이 구비되어 있는 하부 기판(110)을 소정의 속도로 회전을 시키면서, 상기 폴리이미드를 떨어뜨리면, 원심력에 의해 상기 폴리이미드가 상기 하부 기판(110)의 표면에 균일한 두께로 코팅이 된다.The polyimide may be coated by the method of spin coating. The spin coating is a method in which a polymer material is spread out thinly on the entire surface by rotating centrifugal force of the coated object when the polymer material is dropped on the center surface of the rotating plate while rotating the coated object to be coated. That is, when the polyimide is dropped while rotating the lower substrate 110 provided with the anode electrode 120 at a predetermined speed, the polyimide is uniform on the surface of the lower substrate 110 by centrifugal force. It is coated in one thickness.

여기서, 상기 폴리이미드는 상기 애노드 전극(120)이 구비된 하부 기판(110)에 1μm 내지 1.5μm의 두께 이하로 코팅될 수 있다.Here, the polyimide may be coated on the lower substrate 110 provided with the anode electrode 120 to a thickness of 1μm to 1.5μm or less.

상기 폴리이미드 두께의 상한을 1.5μm로 결정하는 것은 몰드의 형상에 따라 달라지는 것이지만, 폴리이미드 두께가 1.5μm를 초과하는 경우, 이후에 수행하게 될 몰드에 의한 임프린팅 공정에서 상기 화소 정의층(130)과 잔막(131, 도 3 참조)의 두께가 넓어지게 되기 때문이다. 상기 화소 정의층(130)의 두께가 넓어지면, 발광층(163, 도 4참조)을 레이저에 의한 열전사법(LITI)으로 전사시에 오픈 엣지(open edge)가 발생할 수 있음은 앞서 설명한 바 있다. 또한, 상기 잔막(131)은 상기 애노드층(12)의 상부에 형성되는 것으로서, 빛이 투과하기 위해서는 제거되어야 하므로 가능한 한 얇은 것이 공정에 유리하기 때문에 상기 폴리이미드는 1.5μm이하로 코팅되는 것이 바람직하다.Determining the upper limit of the thickness of the polyimide to 1.5μm depends on the shape of the mold, but when the polyimide thickness exceeds 1.5μm, the pixel defining layer 130 in the imprinting process by the mold to be performed later And the remaining film 131 (see FIG. 3) become wider. As described above, when the thickness of the pixel defining layer 130 increases, an open edge may occur when the light emitting layer 163 (see FIG. 4) is transferred by a laser thermal transfer method (LITI). In addition, the residual film 131 is formed on the anode layer 12, and in order to transmit light, the polyimide is preferably coated to 1.5 μm or less because it is advantageous to process as thin as possible. Do.

상기 폴리이미드 두께의 하한을 1μm로 결정하는 것은 이후의 몰드에 의한 임프린팅 공정에서 원하는 형상 및 두께를 갖는 화소 정의막(130) 및 스페이서(140)를 구비하기 위함이다. 물론, 몰드의 형상에 따라 달라지는 것이지만, 상기 폴리이미드의 두께가 1μm 미만인 경우에는 화소간의 구별을 용이하게 해주는 화소 정의막(130)과 외부의 압력으로부터 유기 전계 발광 표시 패널을 보호하는 스페이서(140)의 두께가 충분히 구비되지 않을 수 있다. 따라서, 상기 폴리이미드는 1μm이상의 두께로 코팅되는 것이 바람직하다.The lower limit of the thickness of the polyimide is set to 1 μm in order to include the pixel defining layer 130 and the spacer 140 having a desired shape and thickness in an imprinting process by a mold. Of course, depending on the shape of the mold, if the thickness of the polyimide is less than 1μm, the pixel defining layer 130 to facilitate the distinction between the pixels and the spacer 140 to protect the organic electroluminescent display panel from external pressure. May not be sufficiently provided. Therefore, the polyimide is preferably coated with a thickness of 1 μm or more.

상기 몰드 임프린팅 단계(S4)는 상기 폴리이미드가 형성되어 있는 하부 기판(110)을 몰드(150, 도 3 참조)를 이용하여 임프린팅하는 단계이다. 상기 단계(S4)를 통하여 상기 화소 정의막(130)과 스페이서(140)가 형성된다. 상기 몰드(150)에는 원하는 형상의 화소 정의막(130)과 스페이서(140)가 음각으로 형성되어 있음은 앞서 설명한 것과 같다.The mold imprinting step (S4) is a step of imprinting the lower substrate 110 on which the polyimide is formed using the mold 150 (see FIG. 3). The pixel defining layer 130 and the spacer 140 are formed through the step S4. As described above, the pixel defining layer 130 and the spacer 140 having a desired shape are formed in an intaglio in the mold 150.

상기 몰드 임프린팅 단계(S4)는 상기 몰드로 임프린팅을 한 이후에 상기 폴리이미드를 굳게 하기 위하여 열을 가하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 폴리이미드에 가하는 열의 온도는 240도(℃) 내지 260도(℃)일 수 있다.The mold imprinting step S4 may include applying heat to harden the polyimide after imprinting into the mold. The temperature of the heat applied to the polyimide may be 240 degrees (° C.) to 260 degrees (° C.).

상기 온도의 하한을 240도(℃)로 결정하는 것은 상기 폴리이미드에 온도가 240도(℃) 이하의 열을 가하게 되면, 상기 폴리이미드가 굳어지기 어려운 특성을 갖기 때문이다. 또한,상기 온도의 상한을 260도(℃)로 결정하는 것은 상기 폴리이미드에 온도가 260도(℃) 이상의 열을 가하게 되면 상기 하부 기판(110)이 변형될 우려가 있기 때문이다.The lower limit of the temperature is determined to be 240 degrees (° C.) because the polyimide has a property that is hard to harden when a temperature of 240 degrees C or less is applied to the polyimide. In addition, the upper limit of the temperature is determined to be 260 degrees (° C.) because the lower substrate 110 may be deformed when a temperature of 260 degrees (° C.) or more is applied to the polyimide.

상기 잔막 제거 단계(S5)는 상기 애노드 전극(120) 상부에 형성된 잔막(131, 도 3 참조)을 제거하는 단계이다. 상기 폴리이미드에 몰드(150)를 이용하여 임프린팅하는 방법은 공정의 특성상 상기 애노드 전극(120) 상부에 상기 잔막(131)이 필수적으로 형성되게 된다. 또한 상기 애노드 전극(120)으로 빛이 투과하기 위해서는 상기 잔막(131)이 제거되어야 한다.The remaining film removing step S5 is a step of removing the remaining film 131 (see FIG. 3) formed on the anode electrode 120. In the imprinting method using the mold 150 on the polyimide, the residual film 131 is essentially formed on the anode electrode 120 due to the characteristics of the process. In addition, in order for light to pass through the anode electrode 120, the residual film 131 must be removed.

상기 잔막 제거 단계(S5)는 폴리이미드가 현상(develop)액에 녹는 성질을 이용한다. 상기 화소 정의층(130), 스페이서(140) 및 잔막(131)이 형성되어 있는 상기 하부 기판(110)을 상기 현상액과 반응시키면 이들(130, 140, 131)은 폴리이미드의 특성상 모두 상기 현상액에 녹게 된다. 다만, 상기 잔막(131)은 상기 화소 정의층(130) 및 스페이서(140)에 비해서 매우 얇기 때문에 상기 현상액과의 반응 시간을 조절하면 상기 잔막(131)만을 효율적으로 제거하는 것이 가능하다.The residual film removing step (S5) uses a property that the polyimide is dissolved in the developer (develop). When the lower substrate 110, on which the pixel defining layer 130, the spacer 140, and the residual film 131 are formed, is reacted with the developer, these 130, 140, and 131 are all formed on the developer due to the characteristics of the polyimide. Will melt. However, since the residual layer 131 is much thinner than the pixel defining layer 130 and the spacer 140, only the residual layer 131 may be efficiently removed by adjusting the reaction time with the developer.

상기 유기 박막층 형성 단계(S6)는 상기 화소 정의층(130) 및 스페이서(140)가 구비된 하부 기판(110)에 유기 박막층(160, 도 4 참조)을 더 형성하는 단계이다. 상기 유기 박막층(160)은 정공 주입층(161), 정공 수송층(162), 발광층(163), 전자 수송층(164), 전자 주입층(165)을 포함할 수 있음은 앞서 설명한 바와 같다.In the forming of the organic thin film layer S6, an organic thin film layer 160 (see FIG. 4) is further formed on the lower substrate 110 provided with the pixel defining layer 130 and the spacer 140. The organic thin film layer 160 may include a hole injection layer 161, a hole transport layer 162, a light emitting layer 163, an electron transport layer 164, and an electron injection layer 165 as described above.

상기 정공 주입층(161) 및 정공 수송층(162)은 상기 하부 기판(110)의 전면에 증착된다. 경우에 따라서는 상기 정공 수송층(162)은 상기 정공 주입층(161)에 포함되어 생략되는 경우가 있다.The hole injection layer 161 and the hole transport layer 162 are deposited on the entire surface of the lower substrate 110. In some cases, the hole transport layer 162 may be included in the hole injection layer 161 and omitted.

상기 발광층(163)은 물질에 따라 저분자 유기 전계 발광 소자의 경우 섀도우 마스크(shadow mask)를 사용하는 방법이 있고, 고분자 유기 전계 발광 소자의 경우 잉크젯 프린팅(ink-jet printing) 또는 레이저에 의한 열전사법(LITI)이 있음은 앞서 설명한 바와 같다.The light emitting layer 163 may have a method of using a shadow mask in the case of a low molecular organic EL device according to a material, and a thermal transfer method using ink-jet printing or laser in the case of a polymer organic EL device. (LITI) is as described above.

다만, 상기 레이저에 의한 열전사법(LITI)의 경우 상기 화소 정의층(130)의 두께 및 테이퍼 각도에 따라 오픈 엣지(open edge)가 발생할 수 있으며, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치(100)는 상기 화소 정의층(130)의 두께 및 테이퍼 각도를 원하는 대로 조절이 가능하도록 하기 때문에, 상기 레이저에 의한 열전사법(LITI)의 문제점을 해결할 수 있다는 장점이 있다.However, in the case of the thermal transfer method (LITI) by the laser, an open edge may occur according to the thickness and the taper angle of the pixel defining layer 130, and the organic light emitting display according to an embodiment of the present invention. Since the device 100 may adjust the thickness and the taper angle of the pixel defining layer 130 as desired, the device 100 may solve the problem of the thermal transfer method (LITI) by the laser.

상기 전자 수송층(164) 및 전자 주입층(165)은 상기 발광층(163) 상부에 전면적으로 증착된다. 다만 경우에 따라서, 상기 전자 수송층(164)은 상기 전자 주입층(165)에 포함되어 생략되는 경우가 있다.The electron transport layer 164 and the electron injection layer 165 are entirely deposited on the emission layer 163. However, in some cases, the electron transport layer 164 may be included in the electron injection layer 165 and omitted.

이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치(100)의 제조 방법을 공정별로 단면도를 참조하여 더 상세하게 설명을 하도록 한다.Hereinafter, a method of manufacturing the organic light emitting display device 100 according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in more detail with reference to a cross-sectional view.

도 6a 및 도 6h에는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치(100)의 제조 공정이 도시되어 있다.6A and 6H illustrate a manufacturing process of the organic light emitting display device 100 according to an exemplary embodiment of the present invention.

상기 도 6a는 상기 하부 기판(110)을 구비한 유기 전계 발광 표시 패널의 단 면도를 도시한 것이다. 상기 하부 기판(110)은 기판(111), 버퍼층(112), 액티브층(113), 게이트 절연막(114), 게이트 전극(115), 층간 절연막(116), 소스 드레인 전극(117), 보호막(118) 및 평탄화막(119)을 포함하여 구성된다. 다만, 상기 버퍼층(112)는 상기 액티브층(113)의 구조에 따라 생략되는 경우가 있음은 상술한 바와 같다.FIG. 6A illustrates a stage of an organic light emitting display panel having the lower substrate 110. The lower substrate 110 may include a substrate 111, a buffer layer 112, an active layer 113, a gate insulating layer 114, a gate electrode 115, an interlayer insulating layer 116, a source drain electrode 117, and a protective layer ( 118 and the planarization film 119. However, as described above, the buffer layer 112 may be omitted depending on the structure of the active layer 113.

상기 도 6b는 상기 하부 전극(110)에 애노드 전극(120)이 형성된 유기 전계 발광 표시 패널의 단면도를 도시한 것이다. 상기 애노드 전극(120)은 개구율을 최대로 하기 위하여 상기 트랜지스터 구조에 상응하는 부분(113,114,115,117)의 상부 이외의 영역에 형성되어 있음은 상술한 바와 같다.6B illustrates a cross-sectional view of an organic light emitting display panel in which an anode electrode 120 is formed on the lower electrode 110. As described above, the anode electrode 120 is formed in a region other than the upper portion of the portions 113, 114, 115, and 117 corresponding to the transistor structure in order to maximize the aperture ratio.

상기 도 6c는 상기 애노드 전극(120)이 구비된 하부 기판(110)에 폴리이미드가 형성된 것을 도시한 단면도이다. 상기 폴리이미드는 스핀 코팅의 방법으로 형성될 수 있음은 앞서 설명한 바와 같고, 상기 하부 기판(110)의 전면에 형성됨을 알 수 있다.6C is a cross-sectional view illustrating a polyimide formed on the lower substrate 110 provided with the anode electrode 120. The polyimide may be formed by a spin coating method, as described above, and the polyimide may be formed on the entire surface of the lower substrate 110.

상기 도 6d는 상기 폴리이미드가 형성된 하부 기판(110)을 몰드(150)를 이용하여 임프린팅하는 공정을 도시한 단면도이다. 상기 몰드(150)에는 화소 정의층(130) 및 스페이서(140)의 형상이 음각되어 있다. 또한, 상기 임프린팅 공정 이후에는 상기 화소 정의층(130) 및 스페이서(140)의 형상으로 형성되어진 폴리이미 드를 굳게 하기 위해 열을 가하는 공정이 더 부가됨은 앞서 설명하였다. 그리고, 상기 애노드 전극(120)의 상부에는 잔막(131)이 형성되게 되고, 상기 잔막(131)을 제거하기 위하여 현상(develop)액에 녹이는 공정이 더 필요하게 된다.6D is a cross-sectional view illustrating a process of imprinting the lower substrate 110 on which the polyimide is formed using the mold 150. Shapes of the pixel defining layer 130 and the spacer 140 are engraved in the mold 150. In addition, after the imprinting process, a process of applying heat to harden the polyimide formed in the shape of the pixel defining layer 130 and the spacer 140 is further described. In addition, a residual film 131 is formed on the anode electrode 120, and a process of dissolving in a developer solution is further required to remove the residual film 131.

상기 몰드(150)를 이용한 임프린팅 단계를 통한 유기 전계 발광 표시 장치 제조 공정은 마스크를 사용할 필요가 없다. 종래의 기술은 상기 화소 정의층(130)을 형성한 이후에 패터닝을 하기 위하여 마스크를 사용하고, 또한 스페이서(140)를 형성한 이후에 다시 패터닝하기 위하여 마스크를 사용하였기 때문에 2단계 및 2마스크 공정이었다. 그러나 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 장치는 몰드를 제작할 때에 마스크를 한 번 사용할 뿐, 상기 화소 정의층(130) 및 스페이서(140)는 마스크 없이 일체로 동시에 형성되는 특징이 있으므로, 1단계 및 1마스크 공정이라는 장점을 갖는다. 이 점이 종래 기술과 차별되는 점이다.The organic electroluminescent display manufacturing process through the imprinting step using the mold 150 does not need to use a mask. Since the conventional technology uses a mask for patterning after the pixel defining layer 130 is formed, and a mask for patterning again after the spacer 140 is formed, a two-step and two-mask process It was. However, the organic electroluminescent display according to the present invention has only one use of a mask when manufacturing a mold, and the pixel defining layer 130 and the spacer 140 are formed simultaneously simultaneously without a mask. It has the advantage of a mask process. This point is different from the prior art.

상기 도 6e는 상기 몰드를 이용한 임프린팅 공정 이후에 상기 잔막(131)까지 제거한 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치(100)에서 패널의 단면도를 도시한 것이다. 상기 유기 전계 발광 표시 장치(100)는 원하는 두께 및 테이퍼 각도를 갖는 화소 정의층(130) 및 스페이서(140)를 구비하고 있음은 앞서 설명한 바와 같고, 이것이 종래의 기술과 차별되는 점이다.FIG. 6E illustrates a cross-sectional view of a panel in the organic light emitting display device 100 according to an exemplary embodiment of the present invention, wherein the residual film 131 is removed after the imprinting process using the mold. The organic light emitting display device 100 has the pixel defining layer 130 and the spacer 140 having a desired thickness and taper angle, as described above, which is different from the related art.

상기 도 6f는 상기 화소 정의층(130) 및 스페이서(140)가 구비된 하부 기판(110) 상부에 상기 정공 주입층(161) 및 정공 수송층(162)이 형성된 유기 전계 발광 표시 장치에서 채널의 단면도를 도시한 것이다. 경우에 따라서는 상기 정공 수송층(162)은 상기 정공 주입층(161)에 포함되어 생략될 수 있음을 상술한 바와 같다.6F is a cross-sectional view of a channel in an organic light emitting display device in which the hole injection layer 161 and the hole transport layer 162 are formed on the lower substrate 110 provided with the pixel defining layer 130 and the spacer 140. It is shown. In some cases, the hole transport layer 162 may be included in the hole injection layer 161 and may be omitted.

상기 도 6g는 상기 정공 주입층(161) 및 정공 수송층(162)을 구비한 하부 기판(110) 상부에 발광층(163)이 형성된 유기 전계 발광 표시 장치에서 패널의 단면도를 도시한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치(100)에서는 상기 화소 정의층(130)의 두께 및 테이퍼 각도를 원하는 대로 형성 가능하기 때문에, 상기 발광층(163)을 형성하는 방법 중 레이저에 의한 열전사법(LITI)을 사용하는 경우 오픈 엣지(open edge)가 발생하였던 문제를 해결할 수 있음은 앞서 설명하였다.FIG. 6G illustrates a cross-sectional view of the panel in the organic light emitting display device in which the emission layer 163 is formed on the lower substrate 110 including the hole injection layer 161 and the hole transport layer 162. In the organic light emitting display device 100 according to an exemplary embodiment, since the thickness and the taper angle of the pixel defining layer 130 may be formed as desired, the method of forming the light emitting layer 163 may be performed by a laser. When the thermal transfer method (LITI) is used, the problem that an open edge has occurred can be solved.

상기 도 6h는 상기 발광층(163)을 구비한 하부 기판(110) 상부에 전자 수송층(164) 및 전자 주입층(165)가 형성된 유기 전계 발광 표시 장치에서 패널의 단면을 도시한 것이다. 상기 전자 수송층(164)은 경우에 따라 상기 전자 주입층(165)에 포함되어 생략될 수도 있음은 앞서 설명한 바와 같다. 또한, 도면에는 별도로 도시하지는 않았지만 이후에는 캐소드 전극이 하부 기판(110) 전면에 더 형성되는 공정이 부가된다.6H is a cross-sectional view of a panel in an organic light emitting display device in which an electron transport layer 164 and an electron injection layer 165 are formed on a lower substrate 110 including the emission layer 163. As described above, the electron transport layer 164 may be included in the electron injection layer 165 and may be omitted in some cases. In addition, although not separately illustrated in the drawings, a process of further forming a cathode electrode on the entire lower substrate 110 is added.

상기와 같이 하여 본 발명에 의한 유기 전계 발광 표시 장치 및 제조 방법은 원하는 두께 및 테이퍼(taper)를 갖는 화소 정의층(Pixel Definition Layer, PDL)의 형성이 가능하며, 레이저에 의한 열전사법(Laser In duced Thermal Imaging, LITI) 전사시에 오픈 엣지(open edge)가 발생하던 문제를 해결할 수 있다. As described above, the organic light emitting display device and the manufacturing method according to the present invention can form a pixel definition layer (PDL) having a desired thickness and taper, and a laser thermal transfer method (Laser In). It is possible to solve the problem of open edge during duced thermal imaging (LITI) transfer.

또한, 상기와 같이 하여 본 발명에 의한 유기 전계 발광 표시 장치 및 제조 방법은 2단계 및 2 마스크(mask)로 진행되던 화소 정의층(PDL)과 스페이서(spacer) 형성 공정을 1단계 및 1마스크로 줄일 수 있다.In addition, the organic light emitting display device and the manufacturing method according to the present invention as described above, the process of forming the pixel defining layer (PDL) and the spacer, which was performed in two steps and two masks, is performed in one step and one mask. Can be reduced.

이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 장치 및 제조 방법을 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허 청구 범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.What has been described above is only one embodiment for implementing the organic light emitting display device and the manufacturing method according to the present invention, the present invention is not limited to the above embodiment, as claimed in the following claims Without departing from the gist of the present invention, anyone of ordinary skill in the art will have the technical spirit of the present invention to the extent that various modifications can be made.

Claims (13)

기판;Board; 상기 기판 상에 형성되는 액티브층;An active layer formed on the substrate; 상기 액티브층 상에 형성되는 평탄화막;A planarization film formed on the active layer; 상기 평탄화막 상에 형성되는 애노드 전극;An anode formed on the planarization film; 상기 기판 및 애노드 전극 상에 형성되는 화소 정의층;및A pixel defining layer formed on the substrate and the anode electrode; and 상기 화소 정의층 상에 형성되는 스페이서를 포함하고, A spacer formed on the pixel defining layer, 상기 스페이서는 상기 화소 정의층 자체에 형성되어 서로 끊어지지 않고 연결된 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.And the spacers are formed on the pixel defining layer itself and connected to each other without disconnection. 청구항 1항에 있어서, 상기 화소 정의층은 상기 평탄화막 및 애노드 전극의 상부에 형성되고, 상기 애노드 전극에 비스듬하게 형성되는 경사면을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.The organic light emitting display device as claimed in claim 1, wherein the pixel defining layer includes an inclined surface formed on the planarization layer and an anode electrode and formed obliquely on the anode electrode. 청구항 2항에 있어서, 상기 화소 정의층의 경사면은 상기 애노드 전극과 이루는 각도가 10도 내지 20도인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.The organic light emitting display device of claim 2, wherein an angle between the inclined surface of the pixel defining layer and the anode electrode is in a range of 10 degrees to 20 degrees. 청구항 1항에 있어서, 상기 화소 정의층은 두께가 150nm 내지 200nm인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.The organic light emitting display device of claim 1, wherein the pixel defining layer has a thickness of about 150 nm to about 200 nm. 청구항 1항에 있어서, 상기 스페이서는 상기 화소 정의층의 상부에 돌출되어 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.The organic light emitting display device of claim 1, wherein the spacer protrudes from the pixel defining layer. 기판을 준비하는 기판 준비 단계;A substrate preparation step of preparing a substrate; 상기 기판 상에 애노드 전극을 형성하는 애노드 전극 형성 단계;An anode electrode forming step of forming an anode electrode on the substrate; 상기 기판과 애노드 전극 상에 폴리이미드를 코팅하여 폴리이미드층을 형성하는 폴리이미드층 형성 단계;A polyimide layer forming step of forming a polyimide layer by coating polyimide on the substrate and the anode electrode; 상기 폴리이미드층 상에 몰드를 이용하여 패턴을 형성하는 몰드 임프린팅 단계; 및A mold imprinting step of forming a pattern on the polyimide layer using a mold; And 상기 패턴 중에서 상기 애노드 전극 상에 형성된 잔막을 제거하는 잔막 제거 단계를 포함하는 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법.And removing a residual film formed on the anode in the pattern. 청구항 6항에 있어서, 상기 폴리이미드층 형성 단계는 스핀 코팅 방법에 의해 폴리이미드를 코팅하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법.The method of claim 6, wherein the forming of the polyimide layer comprises coating the polyimide by a spin coating method. 청구항 6항에 있어서, 상기 폴리이미드층 형성 단계는 상기 폴리이미드층의 두께가 1μm 내지 1.5μm로 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법.The method of claim 6, wherein, in the forming of the polyimide layer, the polyimide layer has a thickness of 1 μm to 1.5 μm. 청구항 6항에 있어서, 상기 몰드 임프린팅 단계는 패턴이 형성된 몰드를 이용하여 균일한 힘으로 임프린팅하는 단계를 포함하는 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법.The method of claim 6, wherein the mold imprinting comprises imprinting with a uniform force using a mold having a pattern. 청구항 6항에 있어서, 상기 몰드 임프린팅 단계는 상기 폴리이미드에 열을 가해 굳게 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법.The method of claim 6, wherein the mold imprinting comprises applying heat to the polyimide to harden the polyimide. 청구항 10항에 있어서, 상기 몰드 임프린팅 단계는 상기 폴리이미드에 가해지는 열의 온도가 240도(℃) 내지 260도(℃)인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법.The method of claim 10, wherein in the mold imprinting, the temperature of the heat applied to the polyimide is 240 ° C. to 260 ° C. 12. 청구항 6항에 있어서, 상기 잔막 제거 단계는 현상(develop)하는 방법을 이용하여 상기 잔막을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법.The method of claim 6, wherein the removing of the remaining film comprises removing the remaining film by using a developing method. 청구항 6항에 있어서, 상기 잔막 제거 단계 이후에 발광층이 레이저에 의한 열전사법(Laser Indused Thermal Imaging, LITI)에 의해 상기 애노드 전극 및 화소 정의층의 일부에 형성되는 단계가 포함되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표 시 장치의 제조 방법.The method of claim 6, wherein after the removing of the residual film, the light emitting layer is formed on a part of the anode electrode and the pixel defining layer by laser indused thermal imaging (LITI). Method of manufacturing an electroluminescent display device.
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