KR100825899B1 - 결합 벌크음향파 공진기에 기반한 송수 전환기 - Google Patents
결합 벌크음향파 공진기에 기반한 송수 전환기 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100825899B1 KR100825899B1 KR1020067019201A KR20067019201A KR100825899B1 KR 100825899 B1 KR100825899 B1 KR 100825899B1 KR 1020067019201 A KR1020067019201 A KR 1020067019201A KR 20067019201 A KR20067019201 A KR 20067019201A KR 100825899 B1 KR100825899 B1 KR 100825899B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- resonator
- acoustic wave
- signal
- wave signal
- handset
- Prior art date
Links
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 claims abstract description 33
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 23
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 19
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 27
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 20
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 6
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 5
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 4
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 46
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 229940096118 ella Drugs 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- OOLLAFOLCSJHRE-ZHAKMVSLSA-N ulipristal acetate Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1[C@@H]1C2=C3CCC(=O)C=C3CC[C@H]2[C@H](CC[C@]2(OC(C)=O)C(C)=O)[C@]2(C)C1 OOLLAFOLCSJHRE-ZHAKMVSLSA-N 0.000 description 7
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910012463 LiTaO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000005404 monopole Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/58—Multiple crystal filters
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/42—Networks for transforming balanced signals into unbalanced signals and vice versa, e.g. baluns
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/58—Multiple crystal filters
- H03H9/582—Multiple crystal filters implemented with thin-film techniques
- H03H9/583—Multiple crystal filters implemented with thin-film techniques comprising a plurality of piezoelectric layers acoustically coupled
- H03H9/584—Coupled Resonator Filters [CFR]
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/58—Multiple crystal filters
- H03H9/582—Multiple crystal filters implemented with thin-film techniques
- H03H9/586—Means for mounting to a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
- H03H9/589—Acoustic mirrors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/58—Multiple crystal filters
- H03H9/60—Electric coupling means therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
- H03H9/703—Networks using bulk acoustic wave devices
- H03H9/706—Duplexers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
- Transceivers (AREA)
Abstract
송신과 수신 신호의 여과를 위한 송신 공진기 디바이스와 수신 공진기 디바이스로 구성된 송수 전환기. 공진기 디바이스는 입력 전기 신호로 부터 음향파 신호를 발생시키기 위한 첫 번째 BAW 공진기, 음향파 신호를 딜레이하기 위한 첫 번째 음향 딜레이, 딜레이된 음향파 신호를 한쪽 단에서 받고 딜레이된 음향파 신호를 전기적 신호로 바꾸어 주는 중간 BAW 공진기를 갖고 있다. 다른 단에서 추가 음향파 신호를 발생시키기 위하여 전기적인 결합을 통하여, 전기적인 신호는 또한 중간 BAW 공진기의 다른 말단에 나타난다. 공진기는 추가 음향파 신호를 딜레이하기 위한 두 번째 딜레이와, 딜레이된 추가 음향파 신호로 부터 출력된 전기적 신호를 발생시키기 위한 두 번째 BAW 공진기를 포함한다. 송수 전환기는 휴대폰의 송수신기에 이용될 수 있다.
Description
본 발명은 일반적으로 BAW(bulk acoustic-wave)공진기와 필터 그리고 특별히 필터와 송수 전환기에 사용되는 대량 BAW 밸룬(bulk acoustic wave baluns)에 대한 것이다.
일반적으로, 벌크 음향파 디바이스는 전극으로 작용하는 두 개의 전자적으로 전도된 층 사이에 끼워진 압전층으로 구성된다. 무선 주파수 신호가 디바이스에 적용될 때에, 압전층에서는 기계적인 파가 발생한다. 기계적인 파의 파장이 압전층의 두께의 약 2배가 되는 때에 기본적인 공진이 발생한다. BAW 디바이스의 공진 주파수 역시 다른 요소에 영향을 받지만, 압전층의 두께가 공진 주파수를 결정하는 주요한 요소이다. 압전층의 두께가 감소하면, 공진 주파수는 증가한다. BAW 디바이스는 전통적으로 석영 크리스탈판으로 제조된다. 일반적으로 이러한 제조방법으로는 높은 공진 주파수를 갖는 디바이스를 얻는 것이 어렵다. 수동 기판의 물질에 얇은 필름 층을 두어 BAW 디바이스를 제조하는 경우 공진 주파수를 0.5- 10 GHz 범위로 확장할 수 있다. BAW 디바이스의 이러한 유형들은 보통 박막 벌크 음향 공진기나 FBARs로 언급된다. FBARs에는 주요한 두가지 종류가 있다. 이른바 BAW 공진기와 SCF(stacked cristal filters)가 그것이다. SCF 는 보통 두 개 이상의 압전층과 세 개 이상의 전극을 가지고 있다. 이 경우 몇몇 전극들은 접지되었다. 이러한 두 가지 종류의 디바이스 사이의 차이점은 주로 구조에 있다. FBARs 는 보통 패스밴드 필터나 스톱밴드 필터를 제조하는 조합에 사용된다. 하나의 직렬 FBARs 과 하나의 병렬 혹은 션트(shunt) FBARs의 조합은 소위 사다리형 필터(ladder filter)의 한 부분을 구성한다. 사다리형 필터의 설명은 예를 들면, Ella(미국 특허 번호 6081171, 이하에서는 Ella' 171이라 한다.)에서 발견할 수 있다. Ella' 171에서 공개된 바와 같이 FBAR 에 기반한 디바이스는 패시베이션 층이라고 불리우는 하나 이상의 보호층을 갖을 수 있다. 전형적인 FBAR에 기반한 디바이스는 도 1a 에서 부터 도 1d 에 나타난다. 도 1a 에서 부터 도 1d 에 보이는 바와 같이 FBAR 디바이스는 기판(501), 하부 전극(507), 압전층(509), 그리고 상부 전극(511)으로 구성된다. 전극과 압전층은 음향 공진기를 형성한다. FBAR 디바이스는 추가적으로 얇은 막층(505)을 포함한다. 도 1a 에서 볼 수 있듯이 식각(蝕刻)된 홀(503)은 기판( 501) 으로 부터 공진기를 분리하는 공기 인터페이스를 형성하기 위하여 기판(501)에 만들어 진다. 택일적으로, 도 1b에서 보는 바와 같이 식각(蝕刻)된 구멍(502) 은 기판(501)상에 제공된다. 도 1c에서 보이는 바와 같이 공진기와 기판을 분리하는 희생 층(506)을 제공하는 것도 가능하다. 도 1d에서 보이는 바와 같이 음향파를 공진기에 반사시키기 위하여 하부의 전극(507)과 기판(501) 사이에 음향적 미러(521)를 형성하는 것도 역시 가능하다. 기판은 실리콘(Si), 이산화 실리콘(SiO2), 비화 갈 륨(GaAs), 유리나 세라믹 물질로 만들 수 있다. 하부의 전극과 상부의 전극은 금(Au), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 구리(Cu), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 니오브(Nb), 은(Ag), 탄탈(Ta), 코발트(Co), 알루미늄(Al) 혹은 텅스텐이나 알루미늄과 같은 이들 금속의 조합으로 만들어질 수 있다. 압전층(130)은 산화 아연(ZnO), 아연 황화물(ZnS), 알루미늄 질화물(ALN), 리튬탄탈레이트(LiTaO3),혹은 소위 납, 란탄, 지르코네이트, 티탄산염 계열의 다른 것으로 만들어질 수 있다. 게다가, 전형적으로 SiO2, Si3N4나 폴리이미드(polyimide) 와 같은 유전체 재료로 만들어지는 패시베이션 층은 전기적인 절연체로 사용되고 압전층을 보호하는데 사용된다. 도 1c에서 볼 수 있듯이 브리지형 BAW 디바이스의 희생 층(506)은 일반적으로 디바이스 아래에 공기 인터페이스를 형성하는 마지막 제조 단계에서 식각(蝕刻)되어진다는 것을 주목해야 한다. 도 1d에서 볼 수 있듯이 미러형 BAW 디바이스에서는 음향적 미러(521)은 보통 4분의 1파 두께인 여러층의 높고 낮은 음향적 임피던스 물질의 쌍으로 구성된다. 브리지형과 미러형 BAW 디바이스는 널리 알려졌다.
FBARs는 입력과 출력 포트가 불균형적인 사다리형 필터 형태나 포트가 균형적인 격자 필터 형태에서 임피던스 요소 필터를 형성하는데 사용될 수 있다는 것도 역시 알려졌다. 어떤 응용예에는 필터내에서 불균형적인 입력을 균형적인 출력으로(혹은 그 반대로) 변형하는 것이 도움이 된다. 그러한 필터는 음향적으로 결합 표면 음향 파(SAW : surface acoustic wave)공진기를 이용하여 만들어질 수 있다. 기본적으로 이러한 구조들은 도 2에서 볼 수 있듯이 한 쌍의 공진기에 기반을 두고 있다. 첫 번째 공진기(620)는 음향 파를 생성하고 두 번째 공진기(630)는 수신기로 작용하게 된다. 공진기들은 전기적으로 연결되지 않았기 때문에 그들 중의 하나는 불균형적인 디바이스로서 연결될 수 있고 다른 것은 균형적이나 불균형적인 디바이스로 이용될 수 있다. 도 2에서 볼 수 있듯이, 두 번째 공진기(630)가 균형적인 신호 출력에 대하여 두 개의 포트(632, 634)를 제공함에 반하여 첫 번째 공진기(620)는 신호 입력에 대하여 불균형적인 포트(622)를 제공한다. 도면에서 볼 수 있다시피, 참조번호(610과 640)는 표면 음향 파(SAW : surface acoustic wave)디바이스에 대한 반사체나 음향적 미러를 나타낸다. 이와 같은 원리는 하나가 다른 하나의 위에 있는 두개의 압전층을 가지고 있는 BAW 디바이스에 이용될 수 있다. 그러한 구조를 이용하는 경우, 불균형에서 균형으로의 변환을 수행하는 것은 가능하다. 이러한 구조는 필터의 부분으로 사용될 수 있고 혹은 심지어 송수 전환기로 사용될 수 있다. 그러한 구조를 구현하는 한가지 가능한 방법은 "High Performance Stacked Crystal Filters for GPS and Wide Bandwidth Applications", K.M. Lakin , J. belsick, J.F. McDonald , K.T. McCarron , IEEE 2001 Ultrasonics Symposium Paper 3E-6, 2001년 10월 9일(이하에서는 Lakin이라 한다.)에 설명되고 있다. 도 3은 Lakin에 공개된 결합 공진기 필터(CRF : coupled resonator filter)이다. 도 3에서 볼 수 있듯이 CRF는 하부 전극(507), 하부 압전층(508), 크로스 오버 전극(511), 복수의 결합층(512), 접지 전극(513), 상부 압전층(509), 그리고 두개의 분리된 상부의 전극(531, 532)에 의하여 형성된다. 그 자체로, CRF는 공진기의 첫번째의 수직 쌍(541) 과 공진기의 두번째의 수직 쌍(542)을 가지고 있다. 수직쌍의 각각은 단극 필터로서 작용한다. 연속하여, 두 개의 수직 쌍은 이극 필터로서 작용한다. CRF는 음향적 미러(521)에 의하여 분리된 기판(501)상에 만들어 진다.
Ella et al.(미국 특허 번호 6670866 B2 이하에서는 Ella'866이라 한다.)는 두 개의 공진기와 그들 사이에 하나의 유전층을 가지고 있는 BAW 디바이스 공개하고 있다. 도 4에서 볼 수 있듯이 상기 BAW 디바이스(20)는 기판(30)상에 형성되고 첫 번째 전극(40), 첫 번째 압전층(42), 디바이스 접지점(12)와 연결된 두 번째 전극(44), 세 번째 전극(60), 두 번째 전극(44)과 세번째 전극(60)사이의 유전층(50), 두 번째 압전층(62) 그리고 네 번째 전극(64)으로 구성되어 있다. 첫 번째 전극(40), 첫 번째 압전층(42) 그리고 두 번째 전극(44)은 첫 번째 공진기(92)를 형성하는데 중복되는 부분을 갖는다. 세 번째 전극(60), 두 번째 압전층(62) 그리고 네 번째 전극(64) 은 두 번째 공진기(94)를 형성하는데 중복되는 부분을 갖는다. BAW 디바이스(20)는 공진 주파수, 공진 주파수의 특징인 음향 파장를 갖는다. 첫 번째와 두 번째 압전 층(42, 62) 의 두께는 실질적으로 /2 와 같다. 게다가, 디바이스(20)는 음향파를 첫 번째 공진기(92)에 반사시키기 위하여 첫 번째 전극(40)과 기판(30) 사이에 형성된 음향적 미러(34) 를 가지고 있다. 도 4에서 볼 수 있듯이 첫 번째 전극(40)의 부분은 밸룬(10)의 신호 입력단(14) 과의 연결점으로서 사용하도록 노출된다(도 5 참고). 유사하게, 두 번째 전극(44)의 부분은 디바이스 접지점(12)에 대한 연결점으로 사용되도록 노출된다. BAW 디바이스(20)의 엑티브 에어리어(active area)를 정의하는 경우 첫 번째 공진기(92)와 두 번째 공 진기(94)는 중복되는 부분(70)을 갖는다. 디바이스(20)는 첫 번째 신호 출력단(16) 과 두 번째 신호 출력단(18)을 갖는다.
Ella' 886 은 더 낮은 대역폭 요구를 갖는 응용예에 사용을 위한 밸룬을 나타내고 있다. 도 5에서 볼 수 있듯이, 밸룬(10)은 도 4의 BAW 디바이스(20)와 유사하게 두 개의 동일한 스택(21, 21')을 갖고 있다. 그러나, 레이어 스택(21')의 첫 번째 전극(40')과 세 번째 전극(60') 그리고 스택(20)의 두 번째 전극(44)과 세 번째 전극(60)은 접지점(12)과 연결되어 있다. 게다가, 레이어 스택(21')의 두 번째 전극(44')은 레이어 스택(21)의 첫 번째 전극(40)과 연결되었고 신호 입력단(14)으로서 사용된다. 레이어 스택(21')의 상부 전극(64')이 번째 신호 출력단(18)으로서 이용되는데 반하여 레이어 스택(21)의 상부 전극(64)은 첫 번째 신호 출력단(16)으로 사용된다. 이중 구조임에도 불구하고 상부 압전층(62,62') 아래에 전극(60, 60')이 접지되었기 때문에 보상 커패시턴스는 필요하지 않다. 이러한 전기적 차폐 효과는 첫 번째와 두 번째 신호 출력단(16, 18)에 대하여 대칭의 임피던스라는 결과를 낳는다. 유전층(50, 50')의 기생 커패시턴스는 신호 입력단(14)과 병렬을 이룬다. 이러한 기생 커패시턴스는 다소 디바이스의 대역폭의 등급을 낮추지만 그것의 대칭을 해치지는 않는다. 교차 연결된 입력 전극(40, 44')는 스택(21)과 스택(21') 사이의 음향파 사이 위상을 완벽한 180도로 만든다.
Ella' 886 은 밸룬(10)이 하나의 불균형적인 포트와 두 개의 균형적인 포트를 갖는 필터의 부분으로서 사용될 수 있다는 것을 역시 나타내고 있다. 두 개의 밸룬(10)은 도 6에서 볼 수 있듯이 송수 전환기(201)를 형성하기 위하여 격자 필 터(150)에 결합될 수 있다. 도 6에서, 위상 이동 장치(242)는 필터를 일치시키는데 사용된다. 유사하게, 두 개의 밸룬(10)은 도 7에서 볼 수 있듯이, 송수 전환기(203)를 형성하기 위하여 하나의 격자 필터(150)와 하나의 사다리형 필터(250)에 결합될 수 있다.
도 8에서 볼 수 있듯이, 두개의 단일 종단 사다리형 필터와 위상 이동 장치를 이용하여 단순한 송수 전환기를 만드는 것이 가능하다. 도면에서 볼 수 있듯이 단일 종단 브리지 필터(260)은 송신 Tx에 사용되고 다른 단일 종단 사다리형 필터(262) 는 수신 Rx에 사용된다. 그러나 보통 코일과 같은 인덕턴스 성분들이 Tx 필터를 Rx주파수와 일치하는 자연 노치(natural notch)로 변환시키기 위하여 션트(shunt) 공진기와 직렬로 연결될 것을 요구한다. 이러한 코일은 송수 전환기에서 추가적인 손실을 발생할 뿐 아니라, 다른 더 높은 공진 주파수를 발생한다. 게다가, 단일 종단 필터의 전체적인 대역 외 감쇄 능력을 떨어뜨린다. Rx 경로에서 대역 외 감쇄를 줄이기 위해서는 도 9에서 볼 수 있듯이 완전히 균형적인 Rx 필터와 단일 종단 Tx 필터를 결합하는 것이 가능하다. 도 9에서 볼 수 있듯이, 완전히 균형적인 Rx 필터(270)는 직렬로 연결된 한 쌍의 밸룬과 연결된다. 이러한 접근에 대한 문제는 안테나 포트의 밸룬과 관련된 어떠한 손실이 Tx 경로에서의 손실을 야기하는데 있다. Tx 경로는 또한 인덕턴스 때문에 감소된 대역 외 부분이 문제가 된다.
따라서 상기 언급한 문제점을 갖지 않는 단순한 송수 전환기를 만드는 것이 유리하고 바람직할 것이다.
본 발명은 송수 전환기의 송신 경로에서 결합 공진기 필터를 이용하고 수신 경로에서 또 다른 결합 공진기 필터를 사용한다. 송신 경로에서의 결합 공진기 필터는 단일 종단 입력 포트와 단일 종단 출력 포트를 갖는다. 반면에 수신 경로에서의 결합 공진기 필터는 싱글 투 밸런스드(single-to-balanced) 변환을 갖는다.
따라서, 본 발명의 첫 번째 모습은 통신 디바이스에서의 이용하기 위한 송수 전환기에 있어서 상기 통신 디바이스는
통신 신호를 전송하기 위한 안테나;
신호를 전송하기 위한 안테나와 기능적으로 연결된 송신 경로; 및
신호를 수신하기 위한 안테나와 기능적으로 연결된 수신 경로를 포함하고,
송수 전환기는 전송 경로에서의 신호를 여과하기 위하여 전송 경로에 배열된 첫 번째 결합 공진기 디바이스;
수신 경로에서의 신호를 여과하기 위하여 수신 경로에 배열된 두 번째 결합 공진기 디바이스; 및
수신 경로에 배열되고 기능적으로 두 번째 결합 공진기 디바이스와 연결된 위상 이동장치를 포함하며,
상기 첫 번째와 두 번째 결합 공진기 디바이스의 각각은 대응하는 경로에서 신호를 수신하기 위한 입력단, 그리고 대응하는 경로에서 여과된 신호를 송신 위한 출력단;
수신된 신호의 표시인 음향파 신호를 제공하기 위하여 입력단과 기능적으로 연결된 첫 번째 공진기;
딜레이된 음향파 신호를 제공하기 위하여 음향파 신호에 반응하는 첫 번째 딜레이 부분;
첫 번째 단에서는 딜레이된 음향파 신호에 반응하고, 두 번째 말단에서 추가 음향파 신호를 발생시키기 위하여 첫 번째와 두 번째 단에서 딜레이된 음향파 신호를 나타내는 전기 신호를 생산하기 위하여 첫 번째 단과 두 번째 단을 갖는 중간 공진기;
추가 딜레이된 음향파 신호에 응답하여, 음향파 신호를 추가 입증하는 두 번째 딜레이 부분; 및
여과된 신호를 추가 딜레이된 음향파 신호에 반응하는 출력단에 제공하기 위하여 출력단과 기능적으로 연결된 두 번째 공진기를 포함한다.
본 발명에 의하면, 위상 이동 장치는 두 번째 결합 공진기 디바이스와 안테나 사이에 배열된다.
본 발명에 의하면, 통신 디바이스는 전송 경로에 배열되고 첫 번째 결합 공진기 디바이스와 기능적으로 연결된 추가 위상 이동 장치를 포함한다. 그 중에 추가 위상 이동 장치는 첫 번째 결합 공진기와 안테나 사이에 배열된다.
택일적으로, 첫 번째 결합 공진기 디바이스는 추가 위상 이동 장치와 안테나 사이에 배열된다.
본 발명에 의하면, 첫 번째 결합 공진기 디바이스의 입력단은 두개의 입력 단자를 포함하고 첫 번째 결합 공진기 디바이스의 출력단은 두개의 출력 단자를 포함한다. 그중 두 개의 입력 단자의 하나와 두 개의 출력 단자의 하나는 기능적으로 접지되어 있다.
본 발명에 의하면, 두 번째 결합 공진기의 입력단은 두 개의 입력 단자를 포함한다. 그리고 그중 두 개의 입력 단자 중 하나는 싱글 투 밸런스드(single-to-balanced) 변환을 하기 위하여 기능적으로 접지되어 있다.
본 발명에 의하면, 첫 번째와 두 번째 공진기는 BAW 디바이스이다. 첫 번째와 두 번째 딜레이 각각은 전송선이나 하나 이상의 집합체 요소를 포함한다. 이러한 음향적이지 않은 딜레이는 결합 공진기 디바이스에 통합될 수 있다.
본 발명의 두 번째 모습은 결합 공진기 디바이스를 제공하며,
대응하는 경로에서 신호를 수신하는 입력단과 대응하는 경로에서 여과된 신호를 송신하는 출력단;
수신된 신호를 나타내는 음향파를 제공하기 위하여 입력단과 기능적으로 연결되는 첫 번째 공진기;
딜레이된 음향파 신호를 제공하기 위하여, 음향파 신호에 반응하는 첫 번째 딜레이 부분;
첫 번째 단에서 딜레이된 음향파 신호에 반응하고, 두 번째 단에서 추가 음향파를 발생시키기 위하여 첫 번째와 두 번째 단에서 딜레이된 음향파 신호를 나타내는 전기 신호를 생산하기 위하여 첫 번째 단과 두 번째 단을 갖는 중간 공진기;
추가 딜레이된 음향파 신호를 입증하기 위하여 추가 음향파 신호에 반응하는 두 번째 딜레이 부분; 및
여과된 신호를 추가 딜레이된 음향파 신호에 반응하는 출력단에 제공하기 위하여, 기능적으로 출력단과 연결된 두 번째 딜레이 부분을 포함한다.
본 발명에 의하면, 공진기 디바이스는 기판을 가지고 있고, 중간의 공진기는 기판에 배열된 첫 번째 전극;
첫 번째 전극에 배열된 압전층; 및
압전층에 배열되고, 첫 번째 단과 두 번째 단을 갖는 두 번째 전극을 포함하고 첫 번째 딜레이 부분은 두 번째 전극의 첫 번째 말단에 배열되고, 두 번째 딜레이 부분은 두 번째 전극의 두 번째 단에 배열되고, 첫 번째 공진기는 첫 번째 딜레이 부분에 배열되고, 두 번째 공진기는 두 번째 딜레이 부분에 배열된다.
본 발명에 의하면, 첫 번째와 두 번째 공진기의 각각은 한 쌍의 전극과 그 전극 사이에 배열된 추가 압전층을 포함한다.
본 발명에 의하면, 공진기 디바이스는 첫 번째 전극과 기판 사이에, 중간 공진기에 인접하게 배열된 음향 미러를 갖는다.
첫 번째와 두 번째 딜레이 부분 각각은 복수의 유전 물질을 포함하거나, 이산화 실리콘과 텅스텐 층으로 구성된 구조를 포함한다.
본 발명에 의하면, 입력단은 두 개의 입력 단자를 포함한다. 그 중 두 개의 입력 단자 중 하나는 기능적으로 접지되어있고, 다른 입력 단자는 선택적으로 위상 이동 장치 성분과 연결된다.
본 발명에 의하면, 첫 번째 공진기는 첫 번째 공진 주파수를 갖고, 두 번째 공진기는 첫 번째 공진 주파수와 약간 다른 두 번째 공진 주파수를 갖는다.
본 발명의 세 번째 모습은 다음의 요소를 포함하는 통신 디바이스를 제공하며,
통신 신호를 전달하는 안테나 포트;
송신 포트와 수신 포트를 갖는 송수신기; 및
송수 전환기를 포함하며, 상기 송순 전환기는
안테나 포트와 전송 경로에서 신호를 여과하기 위한 전송 포트 사이의 전송 경로에 배열되는 첫 번째 결합 공진기 디바이스;
안테나 포트와 수신 경로에서 신호를 여과하기 위한 수신 포트 사이의 수신 경로에 배열되는 두 번째 결합 공진기 디바이스; 및
수신 경로에 배열되고 두 번째 결합 공진기 디바이스와 기능적으로 연결된 위상 이동 장치를 포함하며 상기 첫 번째와 두 번째 결합 공진기 디바이스 각각은
대응하는 경로에서 신호를 수신하는 입력단; 및
대응하는 경로에서 여과된 신호를 공급하는 출력단;
기능적으로 입력 말단과 연결되어 있고, 수신된 신호를 나타내는 음향파 신호를 공급하기 위한 첫 번째 공진기;
음향파 신호에 반응하고, 딜레이된 음향파 신호를 공급하기 위한 첫 번째 딜레이 부분;
첫 번째 말단에서 딜레이된 음향파 신호에 반응하고, 두 번째 말단에서 음향파 신호를 발생시키기 위하여 첫 번째와 두 번째 단의 딜레이된 음향파 신호를 나타내는 전기적 신호를 생성하기 위하여 첫 번째와 두 번째 단을 가지고 있는 중간 공진기;
추가 음향파에 반응하고 추가 딜레이된 음향파 신호를 입증하기 위한 두 번째 딜레이 부분; 및
추가 딜레이된 음향파 신호에 반응하는 출력단에 여과된 신호를 제공하기 위하여 기능적으로 출력단과 연결된 두 번째 공진기.
본 발명에 의하면, 첫 번째 결합 공진기 디바이스는 일대일 구성을 갖고, 두 번째 결합 공진기 디바이스는 싱글 투 밸런스드(single-to-balanced) 변환을 갖는다.
본 발명에 의하면, 송수 전환기는 전송 경로에 배열되고 첫 번째 결합 공진기 디바이스와 기능적으로 연결된 추가 위상 이동 장치를 포함할 수도 있다.
본 발명에 의하면, 각각의 위상 이동 장치와 추가 위상 이동 장치는 아마도 공진기 디바이스로 통합되는 전송 선로나 집합체 요소를 포함한다.
통신 장치는 이동 단말기, 통신 장치나 이외 같은 것이 될 수 있다.
본 발명은 도 10-13과 함께 설명을 읽으면 명백해 질 것이다.
도 1a는 공진기와 기판에 형성된 막을 가지고 있는 전형적인 벌크 음향파 디바이스를 표현하고 있는 단면도로, 그 중 기판은 막에 공기 인터페이스를 제공하기 위한 관통공을 가지고 있다.
도 1b는 공진기와 기판에 형성된 막을 가지고 있는 전형적인 벌크 음향파 디 바이스를 표현하고 있는 단면도로, 그 중 기판은 막에 공기 인터페이스를 제공하기 위한 식각(蝕刻)된 부분을 가지고 있다.
도 1c는 공진기와 기판에 형성된 막을 가지고 있는 전형적인 벌크 음향파 디바이스를 표현하고 있는 단면도로, 그 중 희생층은 막과 기판 사이에 형성되어있다.
도 1d는 기판에 형성된 공진기를 가지고 있는 전형적인 벌크 음향파 디바이스를 표현하고 있는 단면도로 그 중 음향 미러는 기판과 공진기의 하부 전극 사이에 형성되어있다.
도 2는 선행기술의 구성을 나타내는 도식적인 모습으로, 그 중 두 개의 공진기는 불균형 신호를 균형적인 신호로 변환하는데 이용된다.
도 3은 결합 공진기 필터의 선행기술의 구성을 나타내는 단면도로, 그 중 두 개의 크리스탈 필터 공진기는 수평으로 이격된다.
도 4는 하나의 신호 입력 포트와 두 개의 출력 포트를 가진 선행 기술 밸룬을 보여주는 도식적인 모습이다.
도 6은 선행기술 송수 전환기를 보여주는 블록도로, 그 중 각 송수신기 필터는 밸룬과 격자 필터 부분을 가지고 있다.
도 7은 선행기술 송수 전환기를 보여주는 블록도로, 그 중 하나의 송수신기 필터는 격자 필터 부분과 결합 밸룬을 가지고 있고, 다른 송수신기 필터는 사다리형 필터와 결합된 밸룬을 가지고 있다.
도 8은 두 개의 단일 종단 필터를 가진 선행기술 송수 전환기를 보여주는 블 록도이다.
도 9는 단일 종단 필터와 완전히 균형적인 필터가 있는 선행기술 송수 전환기를 보여주는 블록도이다.
도 10은 본 발명에 의하면, 결합 BAW 공진기를 보여주는 도식적인 모습이다.
도 11은 결합 BAW 공진기에서 음향적이고 전기적인 결합을 보여주는 블록도이다.
도 12a는 본 발명의 실시예에 따르면, 송수 전환기를 보여주는 블록도이다.
도 12b는 본 발명의 실시예에 따르면, 송수 전환기를 보여주는 블록도이다.
도 12c는 본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 송수 전환기를 보여주는 블록도이다.
도 13은 본 발명에 따르면, 송수 전환기를 가진 통신 디바이스를 보여주는 도식적인 모습이다.
본 발명에 의하면 송수 전환기는 결합 BAW 공진기 디바이스에 기반하고 있다. 결합 공진기 디바이스는 도 10에서 볼 수 있다. 결합 공진기 디바이스(700)은 또 다른 결합 공진기 필터(CRF : coupled resonator filter)(720)와 결합된 CRF(710)를 포함한다. 도 10에서 볼 수 있듯이, 공진기 디바이스(700)는 기판(730), 하부의 공진기(740), 첫 번째 딜레이(752), 두 번째 딜레이(754), 첫 번째 상부의 공진기(760) 그리고 두 번째 상부의 공진기(770)를 포함한다. 하부의 공진기(740)는 하부의 전극(742), 상부의 전극(746) 그리고 전극(742와 746) 사이에 배열된 압전층(744)을 포함한다. 하부 공진기(740)의 상부에 분리되어 배열된 첫 번째 딜레이(752)와 두 번째 딜레이(754)는 복수의 다른 유전 물질의 층으로 구성된다. 예를 들면, 첫 번째 딜레이(752)와 두 번째 딜레이(754)의 구조는 SiO2/W/SiO2 일 수 있다. 첫 번째 딜레이(752)의 윗쪽에 배열된 첫 번째 상부 공진기(760)는 하부의 전극(762), 상부 전극(766) 그리고 그들 사이에 압전층(764)을 포함한다. 첫 번째 딜레이(754)의 상부에 배열된 두 번째 상부 공진기(770)는 하부 전극(772), 상부 전극(776) 그리고 그들 사이에 압전층(774)을 포함한다. 공진기 디바이스(700)를 음향적으로 반사하는 구멍이 있는 막(도 1a를 참고), 희생층(도 1c를 참고), 혹은 하부 공진기(740) 아래에 있는 음향 미러(734)를 포함할 수도 있다. 상부 공진기의 하나는 신호 입력 포트로 사용되고, 다른 것은 신호 출력 포트로 사용된다. 도 10에서 볼 수 있듯이 전극(766,762)은 단자(72와 74)에 연결되어 있다. 그리고 전극(776,772)은 단자(76과 78)에 연결되어 있다. 만약 첫 번째 상부의 공진기(760)가 단자(72, 74)를 통하는 전기적인 신호에 의하여 음향파를 여기시키는데 사용된다면, 음향파는 첫 번째 딜레이(752)를 통하여 하부 공진기(740)로 전달된다. 하부 공진기(740)에서, 압전층(744)에서의 음향파는 전기적인 신호로 전환된다. 전극(742, 746)에 있는 전기적인 신호는 다시 음향파로 전환된다. 그리고 그러한 음향파는 두 번째 딜레이(754)를 통하여 두 번째 상부 공진기(770)로 전달된다. 공진기(770)의 단자(76, 78)에서 음향파는 다시 전기적인 신호로 변환된다. CRF(710)과 CRF(720)내에서의 음향적인 여기, 그리고 그것들 사이의 전기적 결합은 도 11에 나타난다. 첫 번째 상부 공진기(760)와 두 번째 상부의 공진기(770)는 패스밴드 응답을 형성하기 위하여 약간 다른 공진기 주파수를 전형적으로 나타낸다.
본 발명에 의하면 도 12a 에서 볼 수 있듯이 공진기 디바이스(700)는 송수 전환기에 사용될 수 있다. 보이는 바와 같이, 송수 전환기(800)는 Tx 포트, Rx 포트와 각각 연결된 Tx 부분과 Rx 부분을 포함한다. Rx 부분에서는 공진기 디바이스(700)는 접지된 단자(74)가 접지되어 있기 때문에 싱글 투 밸런스드(single-to-balanced) 필터로 사용된다. 공진기 디바이스(700)는 위상 이동 장치(810)를 통과하여 공통의 안테나 포트와 연결된다. Tx 부분에서는, 공진기 디바이스(700')는 단자(74'와 78')가 모두 접지되어 있으므로 일대일 필터로 사용된다. 공진기(700')는 위상 이동 장치(810')를 통과하여 공통된 안테나 포트와 연결된다. 위상 이동 장치(810과 810')는 전송선, 인덕터와 코일과 같은 집합체 요소, 혹은 이와 유사한 것으로 만들어진다. 위상 이동 장치(810과 810')는 용인될 수 있다면, 대응하는 공진기 디바이스(700, 700')로 통합될 수 있다. 게다가 위상 이동 장치(810')는 도 12b에서 볼 수 있듯이 공진기 디바이스(700')와 Tx 포트 사이에 배열될 수 있다. 도 12c에서 볼 수 있듯이, Tx부분에서 위상 이동 장치(810')를 생략하는 것은 가능하다. Tx 부분과 Rx 부분 사이의 가드 대역폭(guard bandwidth) 에 의존하는 경우, 송수 전환기(800)는 W-CDMA 나 CDMA 송수신기에서 사용될 수 있다.
본 발명에 의하면, 송수 전환기(800)는 도 13에서 볼 수 있듯이 이동 단말기와 같은 통신 디바이스에서 사용될 수 있다. 도면에서 볼 수 있듯이, 송수 전환 기(800)는 통신 디바이스(1)에서 송수신기(900)의 Rx 와 Tx 포트에 기능적으로 연결된다.
도 10에서 볼 수 있듯이, 공진기 디바이스(700)는 두 개의 CRF 단계를 갖지만 두 개 이상의 CRF 단계를 가질 수 있다는 것을 주목해야 한다. 유사하게, Rx 부분에 있는 공진기 디바이스(700)와 공진기 디바이스(700')은 송수신기의 주파수 선택도 요구사항에 의존하는 경우 다른 CRF 단계나 다른 유사한 공진기 디바이스와 결합될 수 있다. 가능하다면, 도 6과 도 7에서의 위상 이동 장치(242)와 유사한 하나 이상의 위상 이동장치는 정합용으로 이용될 수 있다. 위상 이동 장치는 집합체 요소(인덕터나 코일과 같은), 혹은 송수 전환기의 기판에 있는 마이크로스트립 선로에 기반한다. 마이크로스트립 선로는 예를 들면, 유기 라미네이트나 LTCC(low-temperature cofire ceramic)일 수 있다.
본 발명에 따르면, 송수 전환기의 장점은 패스밴드로 부터 멀리 떨어진 대역 외 감쇄가 통상의 송수 전환기를 통하여 많이 개선된다는 점과, 완전히 균형적인 Rx 부분을 위하여 자기적인 밸룬이 필요하지 않기 때문에 Rx와 Tx 경로에서 보이는 손실이 줄어든다는 점이다. 본 발명에 의하면, 송수 전환기에서는 임피던스 레벨 변환이 가능하다는 점을 주의해야 한다.
비록 본 발명이 그것에 대하여 언급된 실시예의 측면에서 설명되었지만, 당업자는 형태와 구체화에 있어서의 앞에서 설명하였고 여러가지 생략과 변화가 본 발명의 영역으로부터 벗어나지 않고 만들어질 수 있다는 것을 이해할 것이다.
Claims (26)
- 통신 디바이스에 사용하기 위한 송수 전환기에 있어서, 상기 통신 디바이스는통신 신호를 전달하기 위한 안테나;신호를 전달하기 위한 안테나와 기능적으로 연결된 송신 경로; 및신호를 수신하기 위한 안테나와 기능적으로 연결된 수신 경로를 포함하고,상기 송수 전환기는송신 경로에서의 신호의 여과를 위한 송신 경로에 배열된 첫 번째 결합 공진기 디바이스;수신 경로에서의 신호의 여과를 위한 수신 경로에 배열된 두 번째 결합 공진기 디바이스; 및수신 경로에 배열되고 두 번째 결합 공진기 디바이스와 기능적으로 연결된 위상 이동 장치를 포함하며,상기 첫 번째 및 두 번째 결합 공진기 디바이스 중의 각각은대응하는 경로에서 신호를 수신하는 입력단과, 대응하는 경로에서 여과된 신호를 공급하는 출력단;수신된 신호로 표현되는 음향파 신호를 공급하기 위하여 입력단과 기능적으로 연결된 첫 번째 공진기;딜레이된 음향파 신호를 공급하기 위하여, 음향파 신호에 응답하는 첫 번째 딜레이 부분;첫 번째 단에서 딜레이된 음향파 신호에 반응하고, 두 번째 말단에서 추가 음향파를 발생시키기 위하여 딜레이된 음향파 신호로 나타나는 전기적인 신호를 첫 번째와 두 번째 말단에서 발생시키는 첫 번째 단과 두 번째 단을 갖는 중간 공진기;추가 딜레이된 음향파 신호를 제공하기 위하여 추가 음향파 신호에 반응하고, 첫 번째 딜레이 부분과 이격된 두 번째 딜레이 부분; 및여과된 신호를 추가 딜레이된 음향파 신호에 반응하는 출력 단에 공급하기 위하여, 출력 말단과 기능적으로 연결된 두 번째 공진기를 포함하는 것을 특징으로 하는 송수 전환기.
- 제1항에 있어서, 두 번째 결합 공진기와 안테나 사이에 위상 이동 장치가 배열된 것을 특징으로 하는 송수 전환기.
- 제2항에 있어서, 전송 경로에 배열되고 첫 번째 결합 공진기 디바이스와 기능적으로 연결된 추가 위상 이동 장치를 더 포함함을 특징으로 하는 송수 전환기.
- 제3항에 있어서, 첫 번째 결합 공진기 디바이스와 안테나 사이에 추가 위상 이동 장치가 배열되는 것을 특징으로 하는 송수 전환기.
- 제3항에 있어서, 상기 추가 위상 이동 장치와 안테나 사이에 첫 번째 결합 공진기 디바이스가 배열되는 것을 특징으로 하는 송수 전환기.
- 제1항에 있어서, 두 개의 입력 단자를 포함하는 첫 번째 결합 공진기 디바이스의 입력단 및두 개의 출력 단자를 포함하는 첫 번째 결합 공진기 디바이스의 출력단, 그리고 두 개의 입력 단자 중의 하나와 두 개의 출력 단자 중의 하나가 기능적으로 접지된 것을 특징으로 하는 송수 전환기.
- 제1항에 있어서, 두 개의 입력 단자를 포함하는 두 번째 결합 공진기 디바이스의 입력단, 그리고 그중에 두개의 입력 단자 중의 하나가 싱글 투 밸런스드(single-to-balanced) 변환을 위해 기능적으로 접지되어 있는 것을 특징으로 하는 송수 전환기.
- 제7항에 있어서, 두 개의 입력 단자를 포함하는 첫 번째 결합 공진기의 입력 말단, 및두 개의 출력 단자를 포함하는 첫 번째 결합 공진기의 출력단, 그리고두 개의 입력 단자 중의 하나, 두 개의 출력 단자 중의 하나가 기능적으로 접지된 것을 특징으로 하는 송수 전환기.
- 제1항에 있어서, 첫 번째와 두 번째 공진기가 벌크 음향파 디바이스인 것을 특징으로 하는 송수 전환기.
- 제3항에 있어서, 상기 위상 이동 장치와 추가 위상 이동 장치 각각이 전송선을 포함하는 것을 특징으로 하는 송수 전환기.
- 제3항에 있어서, 상기 위상 이동 장치와 추가 위상 이동 장치 각각이 하나 이상의 집합체 요소를 포함하는 것을 특징으로 하는 송수 전환기
- 제3항에 있어서, 상기 추가 위상 이동 장치가 첫 번째 결합 공진기 디바이스와 통합된 하나 이상의 집합체 요소를 포함하는 것을 특징으로 하는 송수 전환기
- 대응하는 경로에서 신호를 수신하기 위한 입력단, 대응하는 경로에서 여과된 신호를 제공하기 위한 출력단;수신된 신호로 나타나는 음향파 신호를 제공하기 위하여 입력단과 기능적으로 연결된 첫 번째 공진기;딜레이된 음향파 신호를 제공하기 위하여 음향파 신호에 반응하는 첫 번째 딜레이 부분;첫 번째 단에서 딜레이된 음향파 신호에 반응하고, 두 번째 단에서 추가 음향파 신호를 발생시키기 위하여 첫 번째와 두 번째 말단에서 딜레이된 음향파 신호를 나타내는 전기적 신호를 발생시키기 위하여, 첫 번째와 두 번째 말단을 갖는 중간 공진기;추가 딜레이된 음향파 신호를 제공하기 위하여, 추가 음향파 신호에 반응하고, 첫 번째 딜레이 부분으로 부터 이격된 두 번째 딜레이 부분; 및여과된 신호를 추가 딜레이된 음향파 신호에 반응하는 출력단에 제공하기 위하여 출력단과 기능적으로 연결된 두 번째 공진기를 특징으로 하는 결합 공진기 디바이스.
- 제13항에 있어서, 기판을 추가로 포함하며, 상기 중간 공진기는기판에 배열된 첫 번째 전극;첫 번째 전극에 배열된 압전층; 및압전층에 배열되고 첫 번째 단과 두 번째 단을 가진 두 번째 전극, 그리고 첫 번째 딜레이 부분은 두 번째 전극의 첫 번째 단에 배열되고;두 번째 딜레이 부분은 두 번째 전극의 두 번째 단에 배열되고 ;첫 번째 공진기는 첫 번째 딜레이 부분에 배열되고; 및두 번째 공진기는 두 번째 딜레이 부분에 배열되는 것을 특징으로 하는 공진기 디바이스.
- 제13항에 있어서 상기 첫 번째와 두 번째 공진기 각각이 한 쌍의 전극과 이들 전극 사이에 배열된 추가 압전층을 포함하는 것을 특징으로 하는 공진기 디바이 스.
- 제14항에 있어서 상기 첫 번째 전극과 기판 사이의 중간 공진기에 인접하게 배열된 음향 미러를 추가로 포함함을 특징으로 하는 공진기 디바이스.
- 제13항에 있어서 상기 첫 번째와 두 번째 딜레이 부분의 각각이 복수의 유전 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 공진기 디바이스.
- 제13항에 있어서 상기 첫 번째와 두 번째 딜레이 부분의 각각이 이산화 실리콘과 텅스텐층으로 구성된 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 공진기 디바이스.
- 제13항에 있어서 입력단은 두 개의 입력 단자를 포함하고 두 개의 입력 단자 중의 하나가 비(非)음향 위상 이동 성분과 기능적으로 연결된 것을 특징으로 하는 공진기 디바이스.
- 제19항에 있어서 두 개의 입력 단자 중의 다른 하나가 기능적으로 접지된 것을 특징으로 하는 공진기 디바이스.
- 제13항에 있어서 상기 첫 번째 공진기가 첫 번째 공진 주파수를 갖고 두 번째 공진기가 첫 번째 공진 주파수와 약간 다른 두 번째 공진 주파수를 갖는 것을 특징으로 하는 공진기 디바이스.
- 통신 디바이스에 있어서,통신 신호를 전달하는 안테나 포트;송신 포트와 수신 포트를 갖는 송수신기; 및송수 전환기를 포함하며상기 송수 전환기는안테나 포트와 전송 경로에서 신호를 여과하기 위한 전송 포트사이의 전송 경로에 배열된 첫 번째 결합 공진기 다바이스;안테나 포트와 수신 경로에서 신호를 여과하기 위한 수신 포트 사이의 수신 경로에 배열된 두 번째 결합 공진기 디바이스; 및수신 경로에 배열되고 두 번째 결합 공진기 디바이스와 기능적으로 연결된 위상 이동 장치를 포함하고상기 첫 번째와 두 번째 결합 공진기 디바이스 각각은대응하는 경로에서 신호를 수신하는 입력단; 그리고 대응하는 경로에서 여과된 신호를 제공하는 출력단;수신되는 신호로 나타나는 음향파 신호를 제공하기 위하여 입력단과 기능적으로 연결된 첫 번째 공진기;딜레이된 음향파 신호를 제공하기 위하여 음향파 신호에 반응하는 첫 번째 딜레이 부분;첫 번째 단에서 딜레이된 음향파에 반응하고, 두 번째 단에서 추가 음향파 신호를 발생시키기 위해 첫 번째 단과 두번째 단에서 딜레이된 음향파 신호로 나타나는 전기적 신호를 생성하기 위한 첫 번째 단과 두 번째 단을 갖는 중간 공진기;추가 딜레이된 음향파 신호를 제공하기 위하여 추가 음향파 신호에 반응하고, 첫 번째 딜레이 부분과 이격된 두 번째 딜레이 부분; 및여과된 신호를 추가 딜레이된 음향파 신호에 반응하는 출력단에 제공하기 위하여 출력단과 기능적으로 연결된 두 번째 공진기를 포함하는 통신 디바이스.
- 제22항에 있어서, 상기 송수 전환기는 전송 경로에 배열되고 기능적으로 첫 번째 결합 공진기 디바이스 기능적으로 연결된 추가 포함함을 위상 이동 장치를 추가 특징으로 하는 통신 디바이스
- 제22항에 있어서, 이동 단말기를 포함하는 통신 디바이스.
- 제22항에 있어서, 상기 첫 번째와 두 번째 결합 디바이스에서 첫 번째와 두 번째 딜레이 부분의 각각이 이산화 실리콘과 텅스텐 층으로 구성된 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 통신 디바이스.
- 제22항에 있어서, 상기 첫 번째 결합 공진기 디바이스가 일대일 구성을 갖고 두 번째 결합 공진기 디바이스가 싱글 투 밸런스드(single-to-balanced) 변환을 갖는 것을 특징으로 하는 통신 디바이스.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/804,830 | 2004-03-19 | ||
US10/804,830 US6963257B2 (en) | 2004-03-19 | 2004-03-19 | Coupled BAW resonator based duplexers |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060132734A KR20060132734A (ko) | 2006-12-21 |
KR100825899B1 true KR100825899B1 (ko) | 2008-04-28 |
Family
ID=34985652
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020067019201A KR100825899B1 (ko) | 2004-03-19 | 2005-03-11 | 결합 벌크음향파 공진기에 기반한 송수 전환기 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6963257B2 (ko) |
EP (1) | EP1726093B1 (ko) |
JP (1) | JP4523637B2 (ko) |
KR (1) | KR100825899B1 (ko) |
CN (1) | CN100511998C (ko) |
WO (1) | WO2005091501A1 (ko) |
Families Citing this family (87)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7275292B2 (en) | 2003-03-07 | 2007-10-02 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Method for fabricating an acoustical resonator on a substrate |
DE602004000851T2 (de) * | 2003-10-30 | 2007-05-16 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Akustisch gekoppelter Dünnschicht-Transformator mit zwei piezoelektrischen Elementen, welche entgegengesetzte C-Axen Orientierung besitzten |
US7400217B2 (en) * | 2003-10-30 | 2008-07-15 | Avago Technologies Wireless Ip Pte Ltd | Decoupled stacked bulk acoustic resonator band-pass filter with controllable pass bandwith |
US7242270B2 (en) * | 2003-10-30 | 2007-07-10 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Decoupled stacked bulk acoustic resonator-based band-pass filter |
DE102004037819B4 (de) * | 2004-08-04 | 2021-12-16 | Snaptrack, Inc. | Elektroakustisches Bauelement mit geringen Verlusten |
US7388454B2 (en) | 2004-10-01 | 2008-06-17 | Avago Technologies Wireless Ip Pte Ltd | Acoustic resonator performance enhancement using alternating frame structure |
US8981876B2 (en) | 2004-11-15 | 2015-03-17 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Piezoelectric resonator structures and electrical filters having frame elements |
US7202560B2 (en) | 2004-12-15 | 2007-04-10 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Wafer bonding of micro-electro mechanical systems to active circuitry |
US7791434B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-09-07 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator performance enhancement using selective metal etch and having a trench in the piezoelectric |
FR2882205B1 (fr) * | 2005-02-16 | 2007-06-22 | Centre Nat Rech Scient | Dispositif a ondes acoustiques haute frequence |
US7138889B2 (en) * | 2005-03-22 | 2006-11-21 | Triquint Semiconductor, Inc. | Single-port multi-resonator acoustic resonator device |
US7369013B2 (en) | 2005-04-06 | 2008-05-06 | Avago Technologies Wireless Ip Pte Ltd | Acoustic resonator performance enhancement using filled recessed region |
US20060274476A1 (en) * | 2005-04-13 | 2006-12-07 | Andrew Cervin-Lawry | Low loss thin film capacitor and methods of manufacturing the same |
US7436269B2 (en) * | 2005-04-18 | 2008-10-14 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustically coupled resonators and method of making the same |
US7701117B2 (en) * | 2005-06-30 | 2010-04-20 | Panasonic Corporation | Acoustic resonator and filter |
US7443269B2 (en) | 2005-07-27 | 2008-10-28 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Method and apparatus for selectively blocking radio frequency (RF) signals in a radio frequency (RF) switching circuit |
US20070063777A1 (en) * | 2005-08-26 | 2007-03-22 | Mircea Capanu | Electrostrictive devices |
FR2890490A1 (fr) * | 2005-09-05 | 2007-03-09 | St Microelectronics Sa | Support de resonateur acoustique et circuit integre correspondant |
US7868522B2 (en) | 2005-09-09 | 2011-01-11 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Adjusted frequency temperature coefficient resonator |
US7675390B2 (en) | 2005-10-18 | 2010-03-09 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic galvanic isolator incorporating single decoupled stacked bulk acoustic resonator |
US7737807B2 (en) | 2005-10-18 | 2010-06-15 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic galvanic isolator incorporating series-connected decoupled stacked bulk acoustic resonators |
US7463499B2 (en) | 2005-10-31 | 2008-12-09 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte Ltd. | AC-DC power converter |
US7746677B2 (en) | 2006-03-09 | 2010-06-29 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | AC-DC converter circuit and power supply |
US7479685B2 (en) | 2006-03-10 | 2009-01-20 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Electronic device on substrate with cavity and mitigated parasitic leakage path |
DE602006016234D1 (de) * | 2006-04-25 | 2010-09-30 | Delphi Tech Holding Sarl | Schutzverkapselung |
JP4255959B2 (ja) * | 2006-05-22 | 2009-04-22 | 富士通メディアデバイス株式会社 | バランスフィルタおよび分波器 |
JP4968900B2 (ja) * | 2006-10-17 | 2012-07-04 | 太陽誘電株式会社 | ラダー型フィルタの製造方法 |
US7786825B2 (en) * | 2007-05-31 | 2010-08-31 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic wave device with coupled resonators |
KR100931856B1 (ko) * | 2007-08-24 | 2009-12-15 | 세메스 주식회사 | 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법 |
US7791435B2 (en) | 2007-09-28 | 2010-09-07 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Single stack coupled resonators having differential output |
US7786826B2 (en) * | 2007-10-12 | 2010-08-31 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Apparatus with acoustically coupled BAW resonators and a method for matching impedances |
FR2926417B1 (fr) * | 2008-01-15 | 2010-01-08 | Commissariat Energie Atomique | Filtre d'amplification de puissance de signaux radiofrequence |
FR2927743B1 (fr) | 2008-02-15 | 2011-06-03 | St Microelectronics Sa | Circuit de filtrage comportant des resonateurs acoustiques couples |
US7732977B2 (en) | 2008-04-30 | 2010-06-08 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) | Transceiver circuit for film bulk acoustic resonator (FBAR) transducers |
US7855618B2 (en) | 2008-04-30 | 2010-12-21 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic resonator electrical impedance transformers |
US7554244B1 (en) * | 2008-05-23 | 2009-06-30 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Agile tunable piezoelectric solidly-mounted resonator |
DE102009014068B4 (de) * | 2009-03-20 | 2011-01-13 | Epcos Ag | Kompaktes, hochintegriertes elektrisches Modul mit Verschaltung aus BAW-Filter und Symmetrierschaltung und Herstellungsverfahren |
EP2237416A1 (en) * | 2009-03-30 | 2010-10-06 | Nxp B.V. | Device comprising an electroacoustic balun |
JP5234182B2 (ja) | 2009-06-19 | 2013-07-10 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール |
US8902023B2 (en) | 2009-06-24 | 2014-12-02 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator structure having an electrode with a cantilevered portion |
US8248185B2 (en) | 2009-06-24 | 2012-08-21 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator structure comprising a bridge |
US8193877B2 (en) | 2009-11-30 | 2012-06-05 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Duplexer with negative phase shifting circuit |
FR2954626B1 (fr) | 2009-12-23 | 2013-12-06 | Commissariat Energie Atomique | Resonateur acoustique comprenant un electret, et procede de fabrication de ce resonateur, application aux filtres commutables a resonateurs couples |
US8796904B2 (en) | 2011-10-31 | 2014-08-05 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic resonator comprising piezoelectric layer and inverse piezoelectric layer |
US9243316B2 (en) | 2010-01-22 | 2016-01-26 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Method of fabricating piezoelectric material with selected c-axis orientation |
US8576024B2 (en) * | 2010-02-11 | 2013-11-05 | Hollinworth Fund, L.L.C. | Electro-acoustic filter |
US8508315B2 (en) * | 2010-02-23 | 2013-08-13 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustically coupled resonator filter with impedance transformation ratio controlled by resonant frequency difference between two coupled resonators |
JP5519326B2 (ja) * | 2010-02-25 | 2014-06-11 | 太陽誘電株式会社 | フィルタ、デュープレクサ、通信モジュール、通信装置 |
JP5187597B2 (ja) * | 2010-07-05 | 2013-04-24 | 株式会社村田製作所 | 弾性波素子 |
DE102010034914A1 (de) | 2010-08-20 | 2012-02-23 | Epcos Ag | Duplexer mit Balun |
US8962443B2 (en) | 2011-01-31 | 2015-02-24 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Semiconductor device having an airbridge and method of fabricating the same |
US9425764B2 (en) | 2012-10-25 | 2016-08-23 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Accoustic resonator having composite electrodes with integrated lateral features |
US9148117B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-09-29 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Coupled resonator filter comprising a bridge and frame elements |
US9203374B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-12-01 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Film bulk acoustic resonator comprising a bridge |
US9048812B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-06-02 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic wave resonator comprising bridge formed within piezoelectric layer |
US9083302B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-07-14 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Stacked bulk acoustic resonator comprising a bridge and an acoustic reflector along a perimeter of the resonator |
US9154112B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-10-06 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Coupled resonator filter comprising a bridge |
US9136818B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-09-15 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Stacked acoustic resonator comprising a bridge |
US9444426B2 (en) | 2012-10-25 | 2016-09-13 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Accoustic resonator having integrated lateral feature and temperature compensation feature |
US8575820B2 (en) | 2011-03-29 | 2013-11-05 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Stacked bulk acoustic resonator |
US8350445B1 (en) | 2011-06-16 | 2013-01-08 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic resonator comprising non-piezoelectric layer and bridge |
US9473106B2 (en) * | 2011-06-21 | 2016-10-18 | Georgia Tech Research Corporation | Thin-film bulk acoustic wave delay line |
US8922302B2 (en) | 2011-08-24 | 2014-12-30 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator formed on a pedestal |
FR2988538B1 (fr) * | 2012-03-20 | 2017-06-02 | Commissariat Energie Atomique | Resonateur hbar comportant une structure d'amplification de l'amplitude d'au moins une resonance dudit resonateur et procedes de realisation de ce resonateur |
US9088265B2 (en) * | 2013-05-17 | 2015-07-21 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic wave resonator comprising a boron nitride piezoelectric layer |
US9337802B2 (en) * | 2014-03-09 | 2016-05-10 | United Microelectronics Corp. | Resonator filter having a recess in insulating material of a multi-layered coupling structure |
CN104362998A (zh) * | 2014-12-02 | 2015-02-18 | 王少夫 | 一种移相器 |
US9698756B2 (en) | 2014-12-24 | 2017-07-04 | Qorvo Us, Inc. | Acoustic RF resonator parallel capacitance compensation |
US10581156B2 (en) | 2016-05-04 | 2020-03-03 | Qorvo Us, Inc. | Compensation circuit to mitigate antenna-to-antenna coupling |
US10581403B2 (en) | 2016-07-11 | 2020-03-03 | Qorvo Us, Inc. | Device having a titanium-alloyed surface |
US11050412B2 (en) * | 2016-09-09 | 2021-06-29 | Qorvo Us, Inc. | Acoustic filter using acoustic coupling |
US10367470B2 (en) | 2016-10-19 | 2019-07-30 | Qorvo Us, Inc. | Wafer-level-packaged BAW devices with surface mount connection structures |
US11165412B2 (en) | 2017-01-30 | 2021-11-02 | Qorvo Us, Inc. | Zero-output coupled resonator filter and related radio frequency filter circuit |
US11165413B2 (en) | 2017-01-30 | 2021-11-02 | Qorvo Us, Inc. | Coupled resonator structure |
US10873318B2 (en) | 2017-06-08 | 2020-12-22 | Qorvo Us, Inc. | Filter circuits having acoustic wave resonators in a transversal configuration |
US10361676B2 (en) | 2017-09-29 | 2019-07-23 | Qorvo Us, Inc. | Baw filter structure with internal electrostatic shielding |
CN108233891B (zh) * | 2018-01-31 | 2023-10-27 | 湖北宙讯科技有限公司 | 双工器 |
US11152913B2 (en) | 2018-03-28 | 2021-10-19 | Qorvo Us, Inc. | Bulk acoustic wave (BAW) resonator |
US10637527B2 (en) * | 2018-06-21 | 2020-04-28 | Qorvo Us, Inc. | Sequentially switched bulk acoustic wave (BAW) delay line circulator |
US11146247B2 (en) | 2019-07-25 | 2021-10-12 | Qorvo Us, Inc. | Stacked crystal filter structures |
US11621689B2 (en) | 2019-10-18 | 2023-04-04 | The Board of Trustees of the University of llllinois | Low-loss and wide-band acoustic delay lines using Z-cut lithium niobate piezoelectric thin films |
US11757430B2 (en) | 2020-01-07 | 2023-09-12 | Qorvo Us, Inc. | Acoustic filter circuit for noise suppression outside resonance frequency |
US11146246B2 (en) | 2020-01-13 | 2021-10-12 | Qorvo Us, Inc. | Phase shift structures for acoustic resonators |
US11146245B2 (en) | 2020-01-13 | 2021-10-12 | Qorvo Us, Inc. | Mode suppression in acoustic resonators |
US11632097B2 (en) | 2020-11-04 | 2023-04-18 | Qorvo Us, Inc. | Coupled resonator filter device |
US11575363B2 (en) | 2021-01-19 | 2023-02-07 | Qorvo Us, Inc. | Hybrid bulk acoustic wave filter |
US11581853B2 (en) * | 2021-01-27 | 2023-02-14 | Avago Technologies International Sales Pte. Limited | Wideband filter for direct connection to differential power amplifier |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1292026A2 (en) * | 2001-08-21 | 2003-03-12 | Nokia Corporation | Filter structure comprising piezoelectric resonators |
US6670866B2 (en) | 2002-01-09 | 2003-12-30 | Nokia Corporation | Bulk acoustic wave resonator with two piezoelectric layers as balun in filters and duplexers |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5382930A (en) * | 1992-12-21 | 1995-01-17 | Trw Inc. | Monolithic multipole filters made of thin film stacked crystal filters |
US5864261A (en) * | 1994-05-23 | 1999-01-26 | Iowa State University Research Foundation | Multiple layer acoustical structures for thin-film resonator based circuits and systems |
JP2905094B2 (ja) * | 1994-07-01 | 1999-06-14 | 富士通株式会社 | 分波器パッケージ |
JPH08148968A (ja) * | 1994-11-24 | 1996-06-07 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜圧電素子 |
US5910756A (en) * | 1997-05-21 | 1999-06-08 | Nokia Mobile Phones Limited | Filters and duplexers utilizing thin film stacked crystal filter structures and thin film bulk acoustic wave resonators |
US6081171A (en) * | 1998-04-08 | 2000-06-27 | Nokia Mobile Phones Limited | Monolithic filters utilizing thin film bulk acoustic wave devices and minimum passive components for controlling the shape and width of a passband response |
JP4253741B2 (ja) * | 1998-12-01 | 2009-04-15 | Okiセミコンダクタ株式会社 | 分波器 |
US6262637B1 (en) * | 1999-06-02 | 2001-07-17 | Agilent Technologies, Inc. | Duplexer incorporating thin-film bulk acoustic resonators (FBARs) |
DE19931297A1 (de) * | 1999-07-07 | 2001-01-11 | Philips Corp Intellectual Pty | Volumenwellen-Filter |
JP3973915B2 (ja) * | 2001-03-30 | 2007-09-12 | 株式会社日立メディアエレクトロニクス | 高周波フィルタ、高周波回路、アンテナ共用器及び無線端末 |
JP3937302B2 (ja) * | 2001-12-10 | 2007-06-27 | 宇部興産株式会社 | 薄膜圧電共振器を用いたフィルタ及び送受切換器 |
US6720844B1 (en) * | 2001-11-16 | 2004-04-13 | Tfr Technologies, Inc. | Coupled resonator bulk acoustic wave filter |
JP3932962B2 (ja) * | 2002-04-17 | 2007-06-20 | 株式会社村田製作所 | バンドパスフィルタ及び通信機 |
DE10319554B4 (de) * | 2003-04-30 | 2018-05-09 | Snaptrack, Inc. | Mit akustischen Volumenwellen arbeitendes Bauelement mit gekoppelten Resonatoren |
-
2004
- 2004-03-19 US US10/804,830 patent/US6963257B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-03-11 JP JP2007503436A patent/JP4523637B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-03-11 KR KR1020067019201A patent/KR100825899B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2005-03-11 EP EP05708723.1A patent/EP1726093B1/en active Active
- 2005-03-11 WO PCT/IB2005/000629 patent/WO2005091501A1/en not_active Application Discontinuation
- 2005-03-11 CN CNB2005800087131A patent/CN100511998C/zh active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1292026A2 (en) * | 2001-08-21 | 2003-03-12 | Nokia Corporation | Filter structure comprising piezoelectric resonators |
US6670866B2 (en) | 2002-01-09 | 2003-12-30 | Nokia Corporation | Bulk acoustic wave resonator with two piezoelectric layers as balun in filters and duplexers |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1957529A (zh) | 2007-05-02 |
EP1726093A1 (en) | 2006-11-29 |
CN100511998C (zh) | 2009-07-08 |
WO2005091501A1 (en) | 2005-09-29 |
US6963257B2 (en) | 2005-11-08 |
JP2007529940A (ja) | 2007-10-25 |
JP4523637B2 (ja) | 2010-08-11 |
KR20060132734A (ko) | 2006-12-21 |
US20050206476A1 (en) | 2005-09-22 |
EP1726093B1 (en) | 2013-07-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100825899B1 (ko) | 결합 벌크음향파 공진기에 기반한 송수 전환기 | |
KR100901954B1 (ko) | 필터들 및 듀플렉서들에서 밸룬으로서 두개의 압전층들을갖는 벌크 음향파 공진기 | |
KR100743555B1 (ko) | 다중 대역 이동 전화용 송신기 필터 장치 | |
EP1371135B1 (en) | Filter device | |
US6995631B2 (en) | Ladder filter, branching filter, and communication apparatus | |
US7106148B2 (en) | Branching filter and communication device | |
US7194247B2 (en) | Dual-channel passband filtering system using acoustic resonators in lattice topology | |
US6741146B2 (en) | Filter structure comprising piezoelectric resonators | |
JPH1188111A (ja) | 結晶フィルター構造および薄膜バルク弾性波共振器を利用したフィルター | |
JP2006094457A (ja) | 不平衡−平衡入出力構造のfbarフィルター | |
EP1588487A2 (en) | Resonator filter structure having equal resonance frequencies | |
WO2004066495A1 (en) | Circuit arrangement providing impedance transformation |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120409 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130403 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |