KR100824187B1 - 저장탱크와 이에 마련되는 바닥구조 및 저장탱크바닥구조의 보수방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 불순물이 섞이지 않은 샌드를 사용하여 방식전위가 정상적으로 운영되도록 하는 저장탱크와 이에 마련되는 바닥구조에 관한 것으로서, 특히, 음극 전위가 인가되는 바닥플레이트와, 상기 바닥플레이트에 소정거리 이격 설치되어 양극 전위가 인가되는 애너드 그리드와, 상기 애너드 그리드를 수용하는 크린 샌드를 포함하는 구성으로, 방식 전류가 크린 샌드를 통해 효과적으로 저장탱크 바닥플레이트에 전달되고, 크린 샌드의 통기성 효과로 인해 혐기성 미생물의 번식을 근본적으로 제한하므로, 부식 방지를 통한 저장탱크의 안정적인 사용이 가능하고, 저장탱크의 유지 및 보수시 오염 물질의 발생을 방지하는 특징이 있다.

방식 전류, 애너드 그리드, 크린 샌드

Description

저장탱크와 이에 마련되는 바닥구조 및 저장탱크 바닥구조의 보수방법 {STORAGE TANK AND STORAGE TANK BOTTOM STRUCTURE AND REPAIR METHOD OF TANK BOTTOM STRUCTURE }

도 1a 및 도 1b는 종래기술에 따른 저장탱크를 도시한 측면도 및 저면도.

도 2a 및 도 2b는 다른 형태의 종래기술에 따른 저장탱크를 도시한 측면도 및 저면도.

도 3a 및 도 3b는 종래 기술에 따른 저장탱크에 부식이 발생되는 상태를 도시한 상태도.

도 4a는 본 발명에 따른 저장탱크를 도시한 부분 측단면도.

도 4b는 본 발명에 따른 저장탱크의 바닥구조를 부분 확대한 측단면도.

도 5는 본 발명에 따른 저장탱크의 애너드 그리드를 부분 확대한 평면도.

<도면의 주요 부분에 대한 부호설명>

100 : 저장탱크의 바닥구조 110 : 바닥플레이트

120 : 애너드 그리드 130 : 크린 샌드

140 : 보호시트 150 : 지지체

200 : 측벽

본 발명은 저장탱크와 이에 마련되는 바닥구조 및 저장탱크 바닥구조의 보수방법에 관한 것으로서, 불순물이 섞이지 않은 순수한 샌드를 통해 애너드 그리드로부터 바닥플레이트로 방식전류가 흐르게 됨에 따라 바닥플레이트에서 발생되는 부식을 효과적으로 방지할 수 있는 저장탱크와 이에 마련되는 바닥구조 및 저장탱크 바닥구조의 보수방법에 관한 것이다.

일반적으로, 금속구조물의 부식은 토양이나 물 내에 존재하는 전해질의 부식메카니즘에 의한 양극반응과 음극반응에 의해 발생하는 것이므로, 이를 방지하기 위한 방법으로는 금속구조물의 표면을 전해질로부터 차단하거나, 양극반응의 진행을 억제하고, 양극부와 음극부를 분리하는 방식법을 고려할 수 있다. 이 중에서 가장 널리 채택되고 있는 방식법은 양극반응의 진행을 억제하는 것으로, 이를 음극방식법이라고 한다. 예컨대, 금속의 부식은 금속 표면에서 전해질을 통해 전류가 유출될 때 발생되는 바, 이러한 금속 표면에서의 유출전류를 소멸시키기 위해 외부로부터의 전류 유입을 통한 음극반응으로 부식의 발생을 방지할 수 있다.

이하, 이러한 원리를 이용한 종래 저장탱크에 대하여 설명하기로 한다.

도 1a 및 도 1b는 종래기술에 따른 저장탱크의 측면도 및 저면도를 나타낸 도면이다.

도 1a 또는 도 1b에 도시된 바와 같이, 원유, 석유류 및 화학약품이 저장되는 종래 저장탱크(10)는 딥 웰 애너드 베드(deep well anode bed)방식에 의해 외부로부터 전원이 공급되고, 저장탱크의 바닥판(11) 하부에는 오일드 샌드(oiled snad)(12)가 형성되어 충격 흡수 및 방수가 이루어지도록 구성된다. 즉, 저장탱크를 중심으로 일정 거리 이격된 원주방향에는 양극 전류가 인가되는 애너드 파이프(anode pipe)(13)가 일정 간격으로 배치되고, 저장탱크의 바닥판(11)에는 음극이 연결되어, 정류기(14)를 통한 직류전류의 인가시, 저장탱크(10)의 부식 발생을 방지한다.

그러나, 이러한 구성의 종래 저장탱크(10)는 해당 바닥판(11)에서의 전위분포가 애너드 파이프(13)와의 거리에 따라 불균일하게 분포하게 되고, 특히 애너드 파이프(13)와 상대적으로 먼 거리에 위치한 바닥판(11)의 중심부에서는 전위의 영향이 미미하여 효과적으로 부식을 방지할 수 없다는 단점이 있다.

도 2a 및 도 2b는 다른 형태의 종래기술에 따른 저장탱크의 측면도 및 저면도를 나타낸 도면이다.

도 2a 및 도 2b에 도시된 바와 같이, 다른 형태의 종래 저장탱크(10')는 쉘로우 애너드 베드(shallow anode bed)방식에 의해 외부로부터 전원이 공급되는데, 이때, 저장탱크 바닥판(11')의 하부에는 수분의 유입을 방지하는 오일드 샌드(12': oiled sand)가 수용되고, 저장탱크 바닥판(11')에 균일한 전위가 유지되도록 복수개의 에너드 파이프(13')가 해당 수평방향으로 연장 설치된다.

그러나, 이와 같은 종래 저장탱크(10),(10')는 해당 바닥판(11),(11')과 에너드 파이프(13),(13') 사이에 오일드 샌드(12)(12')가 수용되는 구조로, 에너드 파이프(13),(13')에서 유출되는 방식 전류가 충분하게 바닥판(11),(11')에 미치지 못하는 단점이 있다. 이는 방식 전류가 오일드 샌드(12)(12')의 절연 효과에 의해 저장탱크의 바닥판(11),(11')까지 적절하게 도달하지 못하기 때문이다. 결국 저장탱크내 수분이나 저장탱크 바닥에 쌓이는 침전물에 의해 저장탱크에 국부 부식이 발생되어 바닥판이 손상되는 경우 바닥판(11),(11')을 수리하거나, 새로운 바닥판으로 교체하여야 하는 경제적 손실이 발생되는 문제가 있었다.

도 3a 및 도 3b는 종래 기술에 따른 저장탱크에 부식이 발생되는 상태를 나타낸 도면이다.

또한, 도 3a에 도시된 바와 같이, 오일드 샌드(12)(12')의 특성상, 저장탱크 바닥에서 응축되는 수분은 외부로 적절하게 배수될 수 없는데, 그로 인해 저장탱크 바닥판에는 응축물이 국부적으로 생성되고, 이러한 응축물에 의해 부식이 발생되는 문제가 있었다.

더하여, 도 3b에 도시된 바와 같이, 오일드 샌드(12)(12')와 저장탱크 바닥판(11),(11')은 밀착이 상호 어려움에 따라 국부적인 산소농담 전지가 형성되어 부식환경에 노출되고, 오일드 샌드층에 미생물이 존재하는 경우 그로 인한 직접적인 부식으로 저장탱크 바닥판(11),(11')이 손상되는 문제가 있었다.

또한, 저장탱크를 유지 및 보수함에 있어서, 특정 산업 폐기물로 구분되는 오일드 샌드(12)(12')는 환경을 오염시키는 원인을 제공하며, 이로 인한 환경오염 발생시 이를 제거하기 위해 많은 처리비용과 시간이 소요되는 문제가 있었다.

본 발명의 목적은 전술된 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 저장탱크의 바닥판에 효과적으로 방식 전류가 전달 및 분배되어 바닥판의 부식을 방지할 수 있는 저장탱크와 이에 마련되는 바닥구조 및 저장탱크 바닥구조의 보수방법을 제공하는 것이다.

또한, 본 발명은 오일드 샌드 사용에 따른 환경 오염을 줄이고, 저렴한 비용으로 저장탱크를 유지, 관리할 수 있는 저장탱크와 이에 마련되는 바닥구조 및 저장탱크 바닥구조의 보수방법을 제공하는 것이다.

상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은, 저장탱크의 바닥구조에 있어서, 음극 전위가 인가되는 바닥플레이트와, 상기 바닥플레이트에 소정거리 이격 설치되어 양극 전위가 인가되는 애너드 그리드와, 상기 애너드 그리드를 수용하는 크린 샌드를 포함한다.

이때, 상기 크린 샌드는 수분 함유량이 3 ~ 7중량%이고, 비저항이 5,000 ~ 10,000 Ωㆍcm이며, 염소이온 농도가 5 ~ 20 ppm인 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 애너드 그리드는 복수개가 격자 형태로 설치되되 상기 바닥플레 이트의 하부면과 대응되는 형상으로 형성되고, 상기 애너드 그리드는 MMO(mixed metal oxide)가 코팅된 Ti 재질로 구성되고, 상기 바닥플레이트는 저장탱크의 측벽에 수직 연결되는 1바닥플레이트와, 상기 제1바닥플레이트와 소정 높이 이격되어 상기 측벽의 밑단에 수직 연결되는 제2바닥플레이트를 포함하고, 상기 1바닥플레이트 제2바닥플레이트 사이 공간에 크린 샌드가 수용되고, 상기 바닥플레이트에는 수분의 입출을 방지하는 보호시트가 설치될 수 있다.

본 발명에 의한 저장탱크는 상술한 구성에 따른 바닥구조와, 상기 바닥구조의 가장자리를 따라 링 형상으로 형성되는 측벽을 포함하고, 상기 바닥구조와 측벽의 연결부위는 실링되는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 의한 저장탱크의 보수방법은 기존에 설치된 저장탱크로부터 손상된 바닥플레이트와 오일드 샌드를 제거하는 단계; 오일드 샌드가 제거된 저장탱크 공간에 크린 샌드와 애너드 그리드를 수용하는 단계; 크린 샌드와 애너드 그리드가 설치된 저장탱크에 음극전위가 인가되는 바닥플레이트를 설치하는 단계를 포함하고, 상기 크린 샌드와 애너드 그리드를 설치하는 단계는, 오일드 샌드가 제거된 공간에 크린 샌드를 형성하고, 형성된 크린 샌드층에 애너드 그리드의 수용을 위한 골을 시공하여 애너드 그리드를 설치되는 것을 특징으로 한다.

첨부된 도면에 의거하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다.

도 4a는 본 발명에 따른 저장탱크의 부분 측단면도를 나타낸 도면이고, 도 4b는 본 발명의 변형예에 따른 저장탱크의 바닥구조의 측단면도를 부분 확대한 도 면이며, 도 5는 본 발명에 따른 저장탱크의 애너드 그리드를 부분 확대한 평면도를 나타낸 도면이다.

도 4a 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명에 의한 저장탱크는 바닥플레이트와 상기 바닥플레이트의 가장자리를 따라 링 형상으로 형성되는 측벽과, 상기 바닥플레이트와 측벽에 의해 형성되는 수용공간에 포설되는 크린 샌드와, 상기 바닥플레이트에 소정거리 이격 설치되어 양극 전위가 인가되는 애너드 그리드를 포함하도록 구성되어 깨끗한 모래인 크린샌드와 음극방식 구조를 통해 바닥플레이트의 부식을 방지하므로 저장탱크의 안정적인 사용과 유지 및, 보수가 용이하도록 한다.

구체적으로 상기 바닥플레이트(110)는 원유, 석유류 및 화학약품 등을 저장하는 저장탱크의 바닥을 지지하기 위한 것으로, 저장되는 수용물의 산화 및 부식 등의 화학적 반응에 강한 내식성 물질로 구성되는 것이 바람직하다. 이에 따라, 본 실시예에 따른 바닥플레이트(110)는 내식성이 강한 철판이 사용되는데, 철판보다 갈바닉(galvanic)적으로 활성화된 알루미늄 판이 사용될 수도 있다.

이러한 바닥플레이트(110)는 저장탱크의 측벽 바닥에 설치되는 제2바닥플레이트(110b)와, 상기 제2바닥플레이트(110b)의 상부에 소정 거리 이격되어 겹쳐지게 설치되는 제1바닥플레이트(110a)를 포함하여 구성되는데, 이들 사이에는 크린 샌드(130) 또는 애너드 그리드(120)를 수용하는 수용공간이 형성된다.

상기 바닥플레이트(110)에 형성되는 수용공간에는 일정 높이의 크린 샌드(130)가 채워진다. 이때, 상기 수용공간에 채워지는 크린 샌드(130)의 타설 높이는 특정 제한 깊이로 제한되지는 아니하지만, 해당 높이가 낮아 질수록 애너드 그 리드(Anode Grid)의 시공물량이 증가될 수 있으므로 크린 샌드의 깊이는 30cm정도가 바람직하다. 만일 크린 샌드(130)의 타설 높이가 10cm이하가 되면 애너드 그리드(120)의 비용 부담이 커질 수 있다.

이때, 제2바닥플레이트(110b) 상에는 잡석층(170)이 형성될 수 있으며(도 4a 참고), 수분의 입출을 방지하기 위한 보호시트(140)가 설치될 수도 있다(도 4b 참고). 상기 보호시트(140)는 상기 제2바닥플레이트(110b)와 대응되는 형상으로 형성되고, 폴리우레탄 등의 방수용 합성수지가 사용된다.

또한, 기존에 설치되어 운전되는 저장탱크 바닥판의 부식 손상이 발생하여 유지 보수를 고려할 경우에는 기존 바닥판 위에 추가적으로 새로운 바닥판을 설치하여 이중 바닥구조를 적용할 수도 있다.

더하여 상기 바닥플레이트(110)에는 이를 지면으로부터 지지하는 지지체(150)가 설치될 수 있다. 상기 지지체(150)는 지면으로부터 상기 바닥플레이트(110)를 지지하기 위한 것으로, 바닥플레이트(110)의 외주연과 대응되는 링 형상으로 형성된다.

이상에서 언급되는 크린 샌드(clean sand)(130)는 불순물이 섞이지 않은 순수한 샌드로 정의되며, 이러한 크린 샌드(130)를 특정화하기 위해 본 실시예에서 사용되는 크린 샌드(130)는 수분 함유량이 3 ~ 7중량%이고, 비저항이 5,000 ~ 10,000 Ωㆍcm이고, 수소이온농도가 8 ~ 10pH이며, 염소이온 농도가 5∼20 ppm인 것을 특징으로 한다. 그러나 상기의 관리 기준은 상호 복합적인 면들이 있기 때문에 어느 하나의 수치만으로 평가하고 제한되어서는 안된다.

예컨대, 본 발명에 따른 크린 샌드(130)에 있어서, 해당 수분 함유량이 3중량% 이하인 경우에는 전기전도도의 확보가 이루어지지 않게 되어 효과적인 방식전류의 흐름이 이루어지지 않게 되고, 수분 함유량이 7중량% 이상인 경우에는 국부적인 수분의 응집으로 인해 국부적인 부식이 유발될 수 있다. 또한, 크린 샌드(130)의 비저항이 5,000 Ωㆍcm 이하인 경우에는 방식을 위한 전위가 잘 공급될 수 있는 이점은 있지만, 반대로 양극 및 음극이 단락될 수 있어 음극방식에 의한 바닥플레이트(110)의 부식 억제가 이루어지기 어렵고, 비저항이 11,000 Ωㆍcm이상인 경우에는 이온의 전도도가 낮아 음극방식을 통한 효과적인 부식 억제가 수행될 수 없다. 더하여, 수소이온농도가 8pH이하인 경우에는 토양의 산성도가 너무 강해서 직접적인 부식이 유발될 수 있다. 일반적인 환경 조건에서 염기성 분위기는 강재의 부식을 지연시키는 효과를 가지지만 저장탱크의 하부에서와 같이 제한된 영역에서의 과다한 염기성은 국부적인 부식이 유발될 수 있다.

본 발명에서와 같이 크린 샌드(clean sand)(130)를 저장탱크의 하부에 수용하는 경우 이를 통과하는 방식 전류는 저장탱크의 바닥플레이트(110)에 효과적으로 전달 및 분배되어, 저장탱크에 부식이 발생되지 아니하도록 할 수 있다. 이로써 종래 바닥플레이트의 하부에 오일드 샌드(oiled snad)가 수용되는 경우 이를 통과하는 방식 전류가 오일드 샌드의 절연 효과에 의해 저장탱크의 바닥플레이트까지 적절하게 도달하지 못함에 따른 저장탱크의 국부 부식 발생의 문제점을 해결할 수 있다. 또한, 본 발명에 사용되는 크린 샌드(130)의 경우 전해질이 포함되어 있지 않으므로 저장탱크에는 미생물 또는 전해질에 의한 부식 발생을 방지할 수 있다는 장점이 있다.

한편, 상기 저장탱크 하부에 채워지는 크린 샌드(130)에는 격자 형태의 골이 형성되어 형성된 골 내측으로 방식 전류가 인가되는 애너드 그리드(120)가 설치된다. 즉, 상기 애너드 그리드(anode grid)(120)는 외부로부터 인가되는 직류 전류를 상기 저장탱크 바닥플레이트(110)로 유출시켜 저장탱크의 부식을 방지하기 위한 것으로, 상기 바닥플레이트(110)의 하방향으로 소정 거리 이격되어 설치된다.

본 실시예에 따른 애너드 그리드(120)는 격자 형상으로 형성되나 이에 한정되지 아니하고 다양한 방법 및 구조로 변경되어 적용될 수 있다. 예를 들어 상기 애너드 그리드(120)는 매트리스 형태 이외에 미로, 또는 빗살 형태로 형성될 수 있다. 이때, 상기 애너드 그리드(120)의 두께는 최소 0.6mm 이상으로 설계하고, 폭은 12.7mm 이상이 되도록 설계하는 것이 바람직하다.

특히, 상기 애너드 그리드(120)는 컨덕팅 바(160)에 의해 정류기와 전기적으로 연결되어 이로부터 직류전류를 공급받고, 상기 바닥플레이트(110) 간의 전기적인 흐름을 통해 음극방식(cathodic protection)이 이루어지도록 한다. 이러한 음극방식을 위해 상기 애너드 그리드(120)는 MMO(mixed metal oxide)가 코팅된 Ti 재질의 그리드가 사용되는 것이 바람직하다. 물론 이에 한정되는 것은 아니며, 본 발명에서는 상기 바닥플레이트(110)에 인가되는 음극전류에 대해 유효한 전위차를 가지며 단위 중량당 발생전기량이 크고 용해가 균일한 금속 또한 합금 등이 사용될 수 있다.

이러한 애너드 그리드(120)는 바닥플레이트(110)로부터 일정 거리 이격 설치 되는 것이 바람직하다. 이는 애너드 그리드와 바닥플레이트(110) 사이의 전기적 접촉을 방지할 뿐만 아니라, 애너드 그리드(120)가 바닥플레이트에 근접함으로 인해 발생될 수 있는 전해 단락을 방지할 수 있기 때문이다. 또한, 애너드의 배치는 인접한 다른 애너드 간의 간섭을 방지하기 위해 적절하게 배치되어야 하는데, 이는 인접한 애너드 간에 간섭으로 애너드에서 방사되는 전류 밀도에 유해한 영향을 미칠 수 있기 때문이다.

이하, 바닥구조를 보수하는 방법에 대해 설명하기로 한다.

먼저, 일반적인 종래 저장탱크에는 바닥플레이트와 측벽을 결합한 용기 형태의 하부 구조물에 잡석층이 형성되고 그 상부에 오일드 샌드(Oiled Sand)를 형성되며, 이러한 바닥플레이트 구조 위에 철판이 겹쳐지게 용접된다. 그러나 이렇게 제작된 종래 저장탱크는 오랜 기간 사용하는 경우, 토양측에 노출된 바닥플레이트에 부식이 발생하고, 부식에 의해 손상된 바닥플레이트를 통해 저장탱크 내 수용된 내용물이 누설되는 문제가 발생한다. 이러한 문제점을 해결하기 위해 저장탱크 바닥플레이트에서 부식이 전면적으로 발생하게 되면 바닥플레이트 전체를 교체하는 보수작업을 시행한다.

바닥판 교체 작업은 기존의 바닥철판을 제거하고 새로운 바닥판을 설치하는 방법과 앞서 설명한 바와 같이 기존의 바닥판 위에 신규 바닥판을 추가로 설치하는 이중 구조의 바닥판을 적용하는 두가지로 구분될 수 있다. 이하에서는 이 두가지 방법 중에 기존의 바닥판을 완전히 제거하고 새롭게 신규 바닥판을 설치하는 과정을 기준으로 본 발명의 기술적인 현장 적용 내용을 설명한다.

예컨대, 종래 바닥플레이트를 교체하기 위해서는 먼저, 저장탱크의 측벽과 연결된 바닥플레이트의 용접부를 절개하고 내부에서 손상된 바닥플레이트를 해체한다. 이때 측벽은 쐬기 등을 이용하여 바닥플레이트로부터 일정 거리 만큼 이격시켜 배치한다.

특히, 바닥플레이트를 교체하는 경우 기존의 오일드 샌드를 제거하고 여기에 크린 샌드와 애너드 그리드를 시공하여 바닥플레이트에 방식전위가 정상적으로 운영되도록 한다. 이때, 형성된 크린 샌드층에 애너드 그리드의 수용을 위한 골을 시공하고 형성된 골을 통해 애너드 그리드를 설치한다.

이와 같이 바닥플레이트를 새로 깔고 크린 샌드와 애너드 그리드가 설치되면 절개된 측면 벽체를 다시 용접하고 완성된 용접부 전체를 비파괴검사하여 저장탱크의 건전성을 확인한다.

본 발명은 특정한 실시예에 관련하여 도시하고 설명하였지만, 이하의 특허청구범위에 의해 제공되는 본 발명의 정신이나 분야를 벗어나지 않는 한도 내에서 본 발명이 다양하게 개량 및 변화될 수 있다는 것을 당업계에서 통상의 지식을 가진자에게 있어서 자명할 것이다.

이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명에 의하면, 크린 샌드를 통해 방식 전류가 효과적으로 바닥플레이트에 전달되므로, 부식에 의한 바닥플레이트의 손상을 방지할 수 있다는 이점이 있다.

또한, 본 발명은 크린 샌드의 통기성 효과로 인해 혐기성 미생물의 번식을 근본적으로 제한하므로 미생물에 의한 부식 발생 가능성을 미연에 차단할 수 있다는 이점이 있다.

더하여, 본 발명은 MMO 코팅된 티타늄 재질의 그리드를 바닥플레이트 하부에 설치하므로, 방식 전류가 효과적으로 전달 및 분배가 이루어지는 이점이 있다.

더 나아가, 본 발명은 종래 오일드 샌드 사용시 발생되는 환경 오염 문제를 근본적으로 해결하고, 저장탱크의 유지 및 보수시에도 오염 물질의 발생을 최소화하므로, 부식 방지를 통한 저장탱크의 안정적인 사용이 가능한 이점이 있다.

Claims (12)

1. 저장탱크의 바닥구조에 있어서,

   음극 전위가 인가되는 바닥플레이트와,

   상기 바닥플레이트에 소정거리 이격 설치되어 양극 전위가 인가되는 애너드 그리드와,

   상기 애너드 그리드를 수용하는 크린 샌드를 포함하며,

   상기 애너드 그리드는, MMO(mixed metal oxide)가 코팅된 Ti 재질로 구성되며,

   상기 크린 샌드는, 수분 함유량이 3 ~ 7중량%이고, 비저항이 5,000 ~ 10,000 Ωㆍcm이고, 수소이온농도가 8 ~ 10pH이며, 염소이온 농도가 5∼20 ppm인 것을 특징으로 하는 저장탱크의 바닥구조.
2. 삭제
3. 삭제
4. 삭제
5. 삭제
6. 제 1항에 있어서,

   상기 애너드 그리드는

   복수개가 격자 형태로 설치되되 상기 바닥플레이트의 하부면과 대응되는 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 저장탱크의 바닥구조.
7. 삭제
8. 제 1항에 있어서,

   상기 바닥플레이트는

   저장탱크의 측벽에 수직 연결되는 1바닥플레이트와,

   상기 제1바닥플레이트와 소정 높이 이격되어 상기 측벽의 밑단에 수직 연결되는 제2바닥플레이트를 포함하고,

   상기 1바닥플레이트 제2바닥플레이트 사이 공간에 상기 크린 샌드와 MMO(mixed metal oxide)가 코팅된 Ti 재질로 구성된 애너드 그리드가 수용되는 것을 특징으로 하는 저장탱크의 바닥구조.
9. 제 8항에 있어서,

   상기 바닥플레이트에는

   수분의 입출을 방지하는 보호시트가 설치되는 것을 특징으로 하는 저장탱크의 바닥구조.
10. 삭제
11. 기존에 설치된 저장탱크로부터 손상된 바닥플레이트와 오일드 샌드를 제거하는 단계;

    오일드 샌드가 제거된 저장탱크 공간에, 수분 함유량이 3 ~ 7중량%이고, 비저항이 5,000 ~ 10,000 Ωㆍcm이고, 수소이온농도가 8 ~ 10pH이며, 염소이온 농도가 5∼20 ppm인 크린 샌드와, MMO(mixed metal oxide)가 코팅된 Ti 재질로 구성된 애너드 그리드를 수용하는 단계;

    크린 샌드와 애너드 그리드가 설치된 저장탱크에 음극전위가 인가되는 바닥플레이트를 설치하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 저장탱크 바닥구조의 보수방법.
12. 제 11항에 있어서,

    상기 크린 샌드와 애너드 그리드를 설치하는 단계는,

    오일드 샌드가 제거된 공간에 크린 샌드를 형성하고, 형성된 크린 샌드층에 애너드 그리드의 수용을 위한 골을 시공하여 애너드 그리드를 설치하는 것을 특징으로 하는 저장탱크 바닥구조의 보수방법.

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