KR100822677B1 - Device for generating haze on photo mask - Google Patents
Device for generating haze on photo mask Download PDFInfo
- Publication number
- KR100822677B1 KR100822677B1 KR1020060129250A KR20060129250A KR100822677B1 KR 100822677 B1 KR100822677 B1 KR 100822677B1 KR 1020060129250 A KR1020060129250 A KR 1020060129250A KR 20060129250 A KR20060129250 A KR 20060129250A KR 100822677 B1 KR100822677 B1 KR 100822677B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- laser beam
- process chamber
- gas
- space
- energy
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/70525—Controlling normal operating mode, e.g. matching different apparatus, remote control or prediction of failure
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/70533—Controlling abnormal operating mode, e.g. taking account of waiting time, decision to rework or rework flow
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
Description
도 1은 종래의 일례에 따른 포토 마스크의 헤이즈 발생장치의 개략적인 구성도이다. 1 is a schematic configuration diagram of a haze generating device of a photo mask according to a conventional example.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 포토 마스크의 헤이즈 발생장치의 개략적인 구성도이다. 2 is a schematic configuration diagram of a haze generating device of a photo mask according to an embodiment of the present invention.
도 3은 도 2에 도시된 환경조절유닛의 상세도이다. Figure 3 is a detailed view of the environmental control unit shown in FIG.
도 4는 도 3에 도시된 환경조절유닛을 제어하는 환경 제어부의 개략적인 블록도이다. 4 is a schematic block diagram of an environmental controller for controlling the environmental control unit shown in FIG.
도 5는 도 2에 도시된 포토 마스크에 조사되는 레이저 빔의 세기를 제어하는 과정을 설명하기 위한 개략적인 블록도이다. FIG. 5 is a schematic block diagram illustrating a process of controlling the intensity of a laser beam radiated to the photo mask shown in FIG. 2.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명> <Description of the symbols for the main parts of the drawings>
10...레이저 방출부 20...어테뉴에이터10
30...광학계 40...공정챔버30 ...
41,42...윈도우 43...습도 센서41,42 ... Windows 43 ... humidity sensor
44...온도 센서 45...가스 센서44
49...모니터링부 50,51...에너지 측정부 49
60...환경조절유닛 61...가스공급부60.Environmental control unit 61.Gas supply unit
62...가열부 63...수분공급부62
70...환경 제어부 71...가스 제어부70 ...
72...온도 제어부 73...습도 제어부72
81...저장부 82...연산부81
83...어테뉴에이터 제어부 84...산출부83.Attenuator control unit 84.Calculation unit
85...판단부 86...레이저 방출부 제어부85.Decision 86.Laser Emission Control
100...포토 마스크의 헤이즈 발생장치100.Haze generator of photo mask
501,511...빔 스플리터 511,512...에너지 미터501,511 ... beam splitter 511,512 ... energy meter
611...가스라인 611a,614a,633a...유량조절기611
612...혼합탱크 613...연결라인612
621...가열탱크 622...히터621
631...수분탱크 632...수분발생기631 ... Moisture Tank 632 ... Moisture Generator
633...수분라인633 ... moisture line
본 발명은 포토 마스크의 헤이즈 발생장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 포토 마스크의 표면에 성장성 결함인 헤이즈를 인위적으로 형성시켜 헤이즈 발생 원인을 찾기 위한 포토 마스크의 헤이즈 발생장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
최근들어 반도체의 집적도가 증가하면서, 포토리소그래피 공정시에는 200nm이하 파장의 레이저 빔을 방출하는 광원이 사용되고 있다. 예를 들어, 193nm 파장의 레이저 빔을 방출하는 ArF 엑시머 레이저가 널리 사용된다. 그러나, 200 nm 이하 파장의 레이저 빔을 포토 마스크에 조사하면, 포토 마스크의 표면에 성장성 결함인 헤이즈(haze)가 발생되어 포토 마스크의 성능 저하 및 포토 마스크의 수명 단축을 초래한다. 따라서, 헤이즈 발생 원인의 규명 및 헤이즈 발생 방지 방안에 대한 연구를 위해서, 포토 마스크에 헤이즈를 인위적으로 발생시키는 헤이즈 발생장치에 대한 필요성이 증가하고 있다. In recent years, as the degree of integration of semiconductors increases, a light source that emits a laser beam having a wavelength of 200 nm or less is used in a photolithography process. For example, ArF excimer lasers that emit laser beams of 193 nm wavelength are widely used. However, when a laser beam having a wavelength of 200 nm or less is irradiated to the photomask, haze, which is a growth defect, is generated on the surface of the photomask, resulting in deterioration of the performance of the photomask and shortening of the photomask life. Therefore, in order to identify the cause of the haze generation and to study how to prevent the haze generation, there is an increasing need for a haze generating device that artificially generates haze in the photo mask.
도 1에는 종래의 일례에 따른 포토 마스크의 헤이즈 발생장치(100')가 도시되어 있다. 도 1을 참조하면, 헤이즈 발생장치(100')는 193nm 파장의 엑시머 레이저를 방출하는 레이저 방출부(10')와, 레이저 빔이 미리 설정된 형상 및 에너지 분포를 가지도록 레이저 빔을 가공하는 광학계와, 포토 마스크(1)가 내부에 배치되는 공정챔버(40')를 구비한다. 광학계는 복수의 미러(mirror)(31',32',33')와, 레이저 빔의 형상을 가공하는 텔레스코프(34')와, 레이저 빔의 에너지를 균일하게 가공하는 호모지나이저(35')와, 레이저 빔의 초점을 조절하고 레이저 빔의 크기를 조절하는 초점렌즈(36')를 구비한다. 공정챔버(40')의 상측 및 하측에는 레이저 빔을 투과하는 윈도우(41',42')가 설치되어 있다. 공정챔버(40')의 상방 및 하방에는 각각 빔 스플리터(501',511') 및 빔 스플리터에서 반사된 레이저 빔의 에너지를 측정하는 에너지 미터(502',512')가 설치되어 있다. 그리고, 공정챔버(40')의 상측에는 포토 마스크의 표면에 헤이즈 발생 여부를 모니터링하는 전하결합소자 카메 라(charge-coupled device camera)(49')가 설치되어 있다. 또한, 공정챔버(40')는 가스를 공급하는 가스공급부(45')와, 습도를 공급하는 습도공급부(60')와 연결되어 있다. 1 illustrates a haze generating
또한, 포토 마스크에 조사되는 레이저 빔의 순수 에너지는 상측 에너지 미터(502')에 의해 측정된 레이저 빔의 에너지 및 빔 스플리터(501')의 투과율에 의해 결정되며, 헤이즈 발생시까지 포토 마스크에 조사되는 레이저 빔의 축적 에너지는 헤이즈 발생시까지 조사되는 레이저 빔의 순수 에너지를 합산하여 얻어진다. In addition, the pure energy of the laser beam irradiated to the photomask is determined by the energy of the laser beam measured by the upper energy meter 502 'and the transmittance of the beam splitter 501', which is irradiated to the photomask until the haze occurs. The accumulated energy of the laser beam is obtained by summing the pure energy of the laser beam which is irradiated until haze generation.
한편, 헤이즈 발생에 영향을 미치는 변수로는 헤이즈 발생시까지 포토 마스크에 축적되는 레이저 빔의 에너지 양 및 공정챔버 내부의 온도, 습도 등의 환경 조건 등이 알려져 있으므로, 이러한 변수는 연구자가 원하는 대로 제어되어야 한다. On the other hand, the variables affecting the haze generation are known as the amount of energy of the laser beam accumulated in the photomask until the haze generation and environmental conditions such as temperature and humidity inside the process chamber, so these variables should be controlled as desired by the researcher. do.
그러나, 상술한 헤이즈 발생장치에 있어서는, 연구자가 의도한 에너지 세기의 레이저 빔을 헤이즈 발생시까지 포토 마스크에 조사할 수 없게 된다. 즉, 레이저 빔이 산소와 반응하면 그 레이저 빔의 에너지가 감소하게 되나, 종래에는 공정챔버 내부의 산소에 의한 레이저 빔의 에너지 손실이 고려되지 않은 상태에서 레이저 빔의 순수 에너지 및 헤이즈 발생시까지의 레이저 빔의 축적 에너지가 결정되므로, 레이저 빔의 순수 에너지 및 축적 에너지에 오차가 발생한다.However, in the haze generator described above, the photomask cannot be irradiated with the laser beam of the energy intensity intended by the researcher until the haze is generated. That is, when the laser beam reacts with oxygen, the energy of the laser beam decreases, but conventionally, the energy until the pure energy of the laser beam and the haze is generated without considering the energy loss of the laser beam by oxygen in the process chamber. Since the stored energy of the beam is determined, an error occurs in the pure energy and stored energy of the laser beam.
그리고, 헤이즈 발생시까지 포토 마스크(1)에 일정 에너지 세기를 가지는 레이저 빔이 연속적으로 조사되어야 하나, 종래에는 레이저 방출부(10')에서 방출된 레이저 빔이 광학계에서 가공되어 공정챔버(40')로 조사되도록 구성되어 있을 뿐 레이저 빔의 에너지 세기가 조절되도록 구성되어 있지 않아, 광학계의 효율 변화 등에 의해 포토 마스크에 입사되는 레이저 빔의 에너지가 시간에 따라 변동되더라도 그 레이저 빔의 에너지 변동을 제어할 방법이 없었다. Then, the laser beam having a constant energy intensity should be continuously irradiated to the
또한, 공정챔버 내부의 환경 인자, 예를 들어 공정 챔버 내부의 습도, 온도 및 가스 조성에 따라 레이저 빔에 에너지 손실이 발생하게 되나. 종래에는 이러한 공정챔버 내부의 환경 인자를 고려하지 않아 레이저 빔의 순수 에너지 및 축적 에너지를 정확하게 결정할 수 없었다. 나아가, 공정챔버(40') 내부의 환경 인자를 헤이즈 발생시까지 연구자가 원하는 대로 제어할 수 없었다. In addition, energy loss occurs in the laser beam depending on environmental factors inside the process chamber, for example, humidity, temperature, and gas composition inside the process chamber. Conventionally, the pure energy and the accumulated energy of the laser beam cannot be accurately determined without considering the environmental factors inside the process chamber. Furthermore, the environmental factors inside the process chamber 40 'could not be controlled as desired by the researcher until haze occurred.
그리고, 공기중에 노출되어 있는 광학계, 윈도우(41',42') 및 빔 스플리터(501',511')에 레이저 빔이 조사되면, 레이저 빔이 광학계, 윈도우 및 빔 스플리터와 각각 반응하여 광학계, 윈도우 및 빔 스플리터가 오염되며 오염된 광학계, 윈도우 및 빔 스플리터를 투과하는 레이저 빔의 에너지가 감소한다. 따라서, 레이저 빔의 순수 에너지 및 축적 에너지를 정확하게 측정할 수 없으며 나아가 레이저 빔의 에너지 세기를 일정하게 유지할 수도 없게 된다.When the laser beam is irradiated to the optical system, the windows 41 ', 42' and the beam splitters 501 ', 511' that are exposed to the air, the laser beam reacts with the optical system, the window, and the beam splitter, respectively. And the beam splitter is contaminated and the energy of the laser beam passing through the contaminated optics, window and beam splitter is reduced. Therefore, the pure energy and the accumulated energy of the laser beam cannot be measured accurately and furthermore, the energy intensity of the laser beam cannot be kept constant.
본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위해서 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은, 헤이즈 발생시까지 포토 마스크에 일정 에너지 세기의 레이저 빔을 조사할 수 있으며, 포토 마스크에 축적되는 레이저 빔의 에너지 양을 정확하게 얻을 수 있을 뿐만 아니라 공정챔버 내부의 환경을 제어할 수 있도록 구조가 개선된 포토 마스크의 헤이즈 발생장치를 제공하는 것이다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to irradiate a laser beam with a constant energy intensity to a photo mask until a haze occurs, and accurately measure the amount of energy of the laser beam accumulated in the photo mask. It is possible to provide a haze generating device for a photo mask which can be obtained and whose structure is improved to control the environment inside the process chamber.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 포토 마스크의 헤이즈 발생장치는 레이저 방출부; 상기 레이저 방출부에서 방출된 레이저 빔이 미리 설정된 형상 및 에너지 분포를 가지도록 상기 레이저 빔을 가공하는 광학계; 레이저 빔이 투과하는 광 투과성 소재로 이루어진 윈도우가 상측에 구비되며, 포토 마스크가 배치되는 공간이 외부와 격리되도록 내부에 형성되는 공정챔버; 상기 광학계를 통과한 레이저 빔이 상기 윈도우를 투과하여 상기 공간에 배치된 포토 마스크로 조사되는 동안, 상기 포토 마스크에 헤이즈 발생 여부를 관찰하는 모니터링부; 상기 공정챔버의 공간에 수분을 공급하는 수분공급부; 상기 공정챔버의 공간에 1종 이상의 가스가 혼합된 혼합가스를 공급하는 가스공급부; 상기 공정챔버의 공간의 온도를 상승시키는 가열부; 및 상기 공정챔버의 공간의 습도, 온도 및 가스 조성비를 기초로 상기 공정챔버의 공간에 미리 설정된 기준 습도, 기준 온도 및 기준 가스 조성비를 가지는 기준 환경이 형성되도록 상기 수분공급부, 가스공급부 및 가열부를 각각 제어하는 제어부;를 구비하는 것을 특징으로 한다. In order to achieve the above object, the haze generating apparatus of the photomask according to the present invention comprises a laser emitting unit; An optical system for processing the laser beam such that the laser beam emitted from the laser emission unit has a predetermined shape and an energy distribution; A process chamber having a window made of a light-transmitting material through which the laser beam passes, and formed inside so that the space where the photo mask is disposed is isolated from the outside; A monitoring unit for observing whether or not haze has occurred in the photo mask while the laser beam passing through the optical system is radiated through the window and irradiated with the photo mask disposed in the space; A water supply unit supplying water to the space of the process chamber; A gas supply unit supplying a mixed gas of at least one gas mixed into a space of the process chamber; A heating unit for raising a temperature of the space of the process chamber; And the water supply unit, the gas supply unit, and the heating unit, respectively, to form a reference environment having a predetermined reference humidity, reference temperature, and reference gas composition ratio in the space of the process chamber based on the humidity, temperature, and gas composition ratio of the space of the process chamber. And a control unit for controlling.
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면들을 참조하여 상세히 설명한다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 포토 마스크의 헤이즈 발생장치의 개략적인 구성도이고, 도 3은 도 2에 도시된 환경조절유닛의 상세도이며, 도 4는 도 3에 도시된 환경조절유닛을 제어하는 환경 제어부의 개략적인 블록도이며, 도 5는 도 2에 도시된 포토 마스크에 조사되는 레이저 빔의 세기를 제어하는 과정을 설명 하기 위한 개략적인 블록도이다. 2 is a schematic configuration diagram of a haze generating device of a photo mask according to an embodiment of the present invention, FIG. 3 is a detailed view of the environmental control unit shown in FIG. 2, and FIG. 4 is an environmental control shown in FIG. 3. FIG. 5 is a schematic block diagram of an environment control unit for controlling a unit, and FIG. 5 is a schematic block diagram for describing a process of controlling the intensity of a laser beam irradiated on the photo mask shown in FIG.
도 2 내지 도 5를 참조하면, 본 실시예의 포토 마스크의 헤이즈 발생장치(100)는 레이저 방출부(10)와, 어테뉴에이터(20)와, 광학계(30)와, 공정챔버(40)와, 모니터링부(49)와, 에너지 측정부(50,51)와, 환경조절유닛(60)과, 환경 제어부(70)를 구비한다. 2 to 5, the
레이저 방출부(10)는 레이저 빔을 발생시켜 방출한다. 레이저 방출부(10)는 특히 200nm 이하 파장의 레이저, 예를 들어 193nm 파장의 엑시머 레이저를 발생시켜 방출한다. The
어테뉴에이터(attenuator)(20)는 레이저 방출부(10)에서 방출된 레이저 빔의 에너지 세기를 감쇠시켜 조절한다. 레이저 빔의 에너지 세기 조절은 어테뉴에이터(20)의 각도를 조절함으로써 이루어진다. The
광학계(30)는 레이저 빔을 가공하여 레이저 빔이 미리 설정된 형상 및 에너지 분포를 가지도록 한다. 광학계(30)는 레이저 빔을 반사시키는 미러(31)와, 레이저 빔의 형상을 가공하는 텔레스코프(32)와, 레이저 빔의 에너지를 균일하게 가공하는 호모지나이저(33)와, 필드 렌즈(field lens)(34)와, 레이저 빔의 초점을 조절하는 프로젝션 렌즈(35)를 포함한다. 본 실시예에 있어서, 어테뉴에이터(20)에서 에너지 세기가 조절된 레이저 빔이 광학계(30)로 입사되어 가공된 후 공정챔버(40) 쪽으로 출사된다. The
공정챔버(40)의 내부에는 외부와 격리된 공간이 형성되어 있다. 공정챔버(40)의 내부공간에는 포토 마스크(1)가 안착되는 스테이지(미도시)가 설치되어 있다. 공정챔버(40)의 상측 및 하측에는 각각 윈도우(41,42)가 설치되어 있다. 각 윈도우(41,42)는 레이저 빔이 투과하는 광 투과성 소재, 예를 들어 유리로 이루어져 있다. 따라서, 광학계(30)에서 가공된 레이저 빔은 상측 윈도우(41)를 투과하여 포토 마스크(1)에 조사된다. Inside the
공정챔버(40)에는, 공정챔버 내부의 습도를 측정하는 습도 센서(43), 공정챔버 내부의 온도를 측정하는 온도 센서(44) 및 공정챔버 내부의 가스 조성비를 측정하는 가스 센서(45)가 설치되어 있다. 특히, 습도 센서(43), 온도 센서(44) 및 가스 센서(45)가 포토 마스크(1) 주변에 배치되도록 구성하여, 레이저 빔의 조사시 포토 마스크(1)가 노출되는 환경, 즉 습도, 온도 및 가스 조성비를 정확하게 측정하도록 하는 것이 바람직하다. In the
또한, 공정챔버(40)는 공정챔버의 공간에 가스를 공급하는 가스공급기(46)와 연결되어 있다. 공정챔버(40)의 일측은 가스공급기(46)와 연결된 가스공급관(47)에 연결되며, 공정챔버(40)의 타측은 공정챔버 내의 가스가 배출되는 가스배출관(48)과 연결되어 있다. 가스공급관(47)에는 밸브(471)가 설치되어 있으며, 가스배출관(48)에는 공정챔버(40)의 공간의 압력이 일정하게 유지되도록 배출 가스의 부피를 제어하기 위한 자동압력제어기(Auto Pressure controller)(481)가 설치되어 있다. In addition, the
모니터링부(49)는 공정챔버(40)의 상측에 설치된다. 모니터링부(49)는 포토 마스크(1)의 표면에 헤이즈 발생 여부를 모니터링한다. 본 실시예에 있어서는 모니터링부(49)로는 전하결합소자 카메라(charge-coupled device camera)가 사용된 다. The
에너지 측정부(50,51)는 공정챔버(40)의 상방 및 하방에 각각 설치되어 있다. 각 에너지 측정부(50,51)는 빔 스플리터(501,511) 및 빔 스플리터로부터 반사된 레이저 빔의 에너지를 측정하는 에너지 미터(502,512)를 포함한다. 공정챔버(40)의 상방에 배치된 에너지 미터(502)는 상측 윈도우(41)로 입사되는 레이저 빔의 에너지를 측정하며, 공정챔버의 하방에 배치된 에너지 미터(512)는 하측 윈도우(42)로부터 출사되는 레이저 빔의 에너지를 측정한다. The
어테뉴에이터(20), 광학계(30) 및 상측 빔 스플리터(501)는 케이스(36)에 수납되어 있으며, 케이스(36)에는 유입포트(361) 및 유출포트(362)가 형성되어 있다. 불활성 가스, 예를 들어 질소 가스가 유입포트(361)를 통해 유입되어 유출포트(362)를 통해 유출되면, 어테뉴에이터(20), 광학계(30) 및 상측 빔 스플리터(501)가 각각 불활성 가스 분위기에 노출되게 되므로, 레이저 빔에 의해 어테뉴에이터(20), 광학계(30) 및 상측 빔 스플리터(501)가 오염되는 현상을 방지할 수 있게 된다. 따라서, 종래와 달리 레이저 빔의 에너지가 감소되는 현상을 방지할 수 있게 된다. 또한, 하측 빔 스플리터(511)도 유입포트(514) 및 유출포트(515)가 형성된 별도의 케이스(513)에 수납되어 있다. 따라서, 불활성 가스, 예를 들어 질소 가스가 유입포트(514)를 통해 유입되어 유출포트(515)를 통해 유출되면, 하측 빔 스플리터(511)가 각각 불활성 가스 분위기에 노출되게 되므로, 하측 빔 스플리터(511)가 레이저 빔에 의해 오염되는 현상을 방지할 수 있게 된다. 그리고, 상측 윈도우(41) 및 하측 윈도우(42) 부근에는 각 윈도우(41,42)를 향해 불활성 가스를 방출하는 가스방출부(11)가 각각 설치되어 있어서, 레이저 빔의 조사시 레이저 빔에 의한 각 윈도우(41,42)의 오염을 방지할 수 있게 된다. The
환경조절유닛(60)은 공정챔버(40)의 공간의 환경을 조절하기 위한 것으로서, 가스공급부(61)와, 가열부(62)와, 수분공급부(63)를 구비한다. The
가스공급부(61)는 공정챔버의 공간에 1종 이상의 가스가 혼합된 혼합가스를 공급하여 공정챔버 내의 가스 조성을 조절한다. 가스공급부(61)는 복수의 가스라인(611)과, 혼합탱크(612)를 가진다. 복수의 가스라인(611) 각각을 통해서 서로 다른 종류의 가스가 공급된다. 각 가스라인(611)에는 가스의 양을 제어하기 위한 유량조절기(611a), 예를 들어 질량유량계(mass flow controller)가 설치되어 있다. 각 가스라인(611)에 공급되는 가스로는 NH3, O2, N2, SO2 등이 사용된다. 혼합탱크(612)는 각 가스라인(611)과 연결되어 있어, 각 가스라인(611)을 통해 공급되는 가스는 혼합탱크(612)에서 서로 혼합된다. 혼합탱크(612)와 공정챔버(40)는 연결라인(613)에 의해 연결되어 있다. 혼합탱크(612)에 저장된 혼합가스는 연결라인(613)을 통해 공정챔버(40)로 공급되며, 공급되는 혼합가스의 양은 연결라인(613)에 설치된 유량조절기(613a)에 의해 조절된다. The
가열부(62)는 공정챔버(40)의 공간의 온도를 상승시키기 위한 것으로, 가스공급부(61)에서 공급되는 가스를 가열함으로써 공정챔버(40)의 공간의 온도를 조절한다. 가열부(62)는 가열탱크(621)와, 히터(622)를 구비한다. 가열탱크(621)는 연결라인(613) 상에 설치되어 있어, 가스공급부(61)에서 공급된 혼합가스가 가열탱크(621)로 유입된다. 히터(622)는 전원 인가시 발열하는 것으로서, 가열탱크(621)의 외측면에 설치되어 있다. 히터(622)의 발열에 의해 가열탱크(621)로 유입된 혼 합가스는 가열되어 혼합가스의 온도가 상승한 후에 공정챔버(40)로 유입된다. The
수분공급부(63)는 공정챔버의 공간에 수분을 공급하기 위한 것으로, 가열탱크(621)에서 가열된 혼합가스에 수분을 공급한다. 수분공급부(63)는 수분탱크(631)와, 수분발생기(632)를 구비한다. 수분탱크(631)는 도 3에 도시되어 있는 바와 같이 연결라인(613) 상에 설치되어 있어, 히터(622)에 의해 가열된 혼합가스가 수분탱크(631)로 유입된다. 수분발생기(632)는 수분을 발생시키는 것으로서, 수분탱크(631)와 수분라인(633)을 통해 연결되어 있다. 수분발생기(632)에서 발생된 수분은 수분탱크(631)로 유입되어 혼합가스와 혼합된다. 수분라인(633)에는 수분의 양을 조절하기 위한 유량조절기(633a)가 설치되어 있다. The
환경 제어부(70)는 공정챔버의 공간에 기준 환경이 형성되도록 한다. 기준 환경은 미리 설정된 기준 습도, 기준 온도 및 기준 가스 조성비로 이루어진다. 그리고, 기준 가스 조성비는 공정챔버 내의 혼합가스에 있어서 각 가스의 비율을 의미한다. 환경 제어부(70)는 공정챔버(40)의 공간의 습도, 온도 및 가스 조성비를 기초로 가스공급부(61), 가열부(62) 및 수분공급부(63)를 각각 제어한다. 환경 제어부(70)는 가스 제어부(71)와, 온도 제어부(72)와, 습도 제어부(73)를 구비한다. The
가스 제어부(71)는 가스 센서(45)에서 측정된 가스 조성비를 입력받아 각 가스라인(611)에 설치된 유량조절기(611a)를 제어한다. 즉, 가스 제어부(71)는, 혼합탱크(612)로 유입되는 특정 가스의 양을 조절하여 혼합탱크 내의 혼합가스의 조성을 조절한다. 이와 같이 혼합가스가 그 조성이 조절된 후 연결라인(613)을 통해 공정챔버(40)로 유입되면, 공정챔버(40) 내의 혼합가스의 조성을 조절할 수 있게 되어 공정챔버 내의 가스 조성비를 기준 가스 조성비로 유지시킬 수 있게 된다. 예를 들어, 공정챔버 내의 질소 농도를 증감시키고자 하는 경우에는, 질소가 공급되는 가스라인(611)에 설치된 유량조절기(611a)를 제어하여 공정챔버로 공급되는 질소의 양을 증감시키면 된다. 그리고, 레이저 빔의 에너지 손실을 유발하는 산소 농도도 적절하게 제어할 수 있다. The
온도 제어부(72)는 온도 센서(44)에서 측정된 온도를 입력받아 히터(622)를 제어한다. 즉, 온도 제어부(72)는 히터(622)에 인가되는 전원, 예를 들어 전압을 증감시켜 히터(622)의 발열량을 제어하며, 이에 따라 가열탱크(621) 내의 혼합가스의 온도가 조절된다. 이와 같이, 혼합가스의 온도가 조절된 후 공정챔버(40)로 유입되면, 공정챔버 공간의 온도도 증감되므로, 공정챔버 공간의 온도를 기준 온도로 유지시킬 수 있게 된다. The
습도 제어부(73)는, 습도 센서(43)에서 측정된 습도를 입력받아 수분라인(633)에 설치된 유량조절기(633a) 및 수분발생기(632) 중 적어도 하나를 제어한다. 즉, 습도 제어부(73)는 수분발생기(632)에서 발생된 수분의 양이 증감되도록 수분발생기(632)를 제어하며, 이에 따라 수분탱크(631)로 공급되는 수분의 양이 증감된다. 그리고, 수분탱크(631)로 유입되는 수분이 혼합가스와 함께 공정챔버(40)로 공급되면, 공정챔버의 습도도 증감되므로, 공정챔버 공간의 습도를 기준 습도로 유지시킬 수 있게 된다. 한편, 수분발생기(632)가 일정량의 수분을 발생시키는 경우, 습도 제어부(73)는 유량조절기(633a)를 제어하여 수분탱크(631)로 공급되는 수분의 양을 조절함으로써, 공정챔버 공간의 습도를 제어할 수도 있다. 그리고, 습 도 제어부(73)가 유량조절기(633a) 및 수분발생기(632) 모두를 제어하여 공정챔버 공간의 습도를 제어할 수도 있다.The
또한, 본 실시예의 포토 마스크의 헤이즈 발생장치(100)는 저장부(81)와, 연산부(82)와, 어테뉴에이터 제어부(83)를 더 구비한다. In addition, the
저장부(81)에는 산소 농도 각각에 대응되는 레이저 빔의 에너지 손실율이 저장되어 있다. 여기서, 레이저 빔의 에너지 손실율은, 레이저 빔이 산소와 반응하여 그 레이저 빔의 에너지가 줄어드는 경우, 레이저 빔의 에너지 감소 정도를 나타내는 수치이다. 레이저 빔의 에너지 손실율은 실험을 통해 경험적으로 얻어지는 것이 바람직하다. The
연산부(82)는 에너지 미터(502)에 의해 측정된 레이저 빔의 입사 에너지 세기 및 저장부(81)로부터 독출된 레이저 빔의 에너지 손실율을 입력받아 포토 마스크(1)에 조사되는 레이저 빔의 순수 에너지 세기를 연산한다. 여기서, 독출된 레이저 빔의 에너지 손실율은 가스 센서(45)에 의해 측정된 공정챔버(40) 내의 산소 농도에 대응되는 레이저 빔의 에너지 손실율이며, 특히 본 실시예에서는 연산부(82)가 레이저 빔의 에너지 손실율을 독출한다. 그리고, 연산부(82)는 하기 수학식 1에 의해 레이저 빔의 순수 에너지 세기를 연산한다. The calculating
여기서, Ep은 포토 마스크(1)에 조사되는 레이저 빔의 순수 에너지 세기이며, E1은 에너지 미터(502)에 의해 측정된 레이저 빔의 입사 에너지 세기이며, T1은 빔 스플리터(501)의 투과율이며, T2는 상측 윈도우(41)의 투과율이며, α는 연산된 레이저 빔의 에너지 손실율이다. Where E p is the pure energy intensity of the laser beam irradiated to the
이와 같이, 연산부(82)는 공정챔버(40) 내의 산소에 의한 레이저 빔의 에너지 감소를 반영하여 레이저 빔의 순수 에너지를 연산하게 되므로, 종래에 비해 더욱 정확한 레이저 빔의 순수 에너지를 얻을 수 있게 된다. As described above, the
어테뉴에이터 제어부(83)는 에너지 미터(502)에 의해 측정된 레이저 빔의 입사 에너지 세기를 기초로 어테뉴에이터(20)를 제어한다. 특히, 본 실시예에 있어서, 어테뉴에이터 제어부(83)는 연산된 레이저 빔의 순수 에너지 세기를 기초로 어테뉴에이터(20)를 제어한다. 즉, 어테뉴에이터 제어부(83)는, 레이저 빔의 순수에너지 세기가 미리 설정된 기준 에너지 세기와 비교한 후 어테뉴에이터(20)의 각도를 적절하게 조절함으로써 레이저 빔의 순수 에너지 세기가 기준 에너지 세기와 동일해지도록 제어한다. 따라서, 헤이즈 발생시까지 기준 에너지 세기의 레이저 빔이 포토 마스크(1)에 조사되게 된다. 그리고, 헤이즈 발생시까지 포토 마스크(1)에 조사되는 레이저 빔의 축적 에너지도 정확하게 알 수 있게 된다. The
그리고, 본 실시예의 포토 마스크의 헤이즈 발생장치(100)는 산출부(84)와, 판단부(85)와, 레이저 방출부 제어부(86)를 더 구비한다. The
산출부(84)는 연산부(82)에서 연산된 레이저 빔의 순수 에너지 세기를 입력 받아 레이저 빔이 조사되는 동안 포토 마스크(1)에 조사되는 레이저 빔의 누적 에너지 세기를 산출한다. 즉, 산출부(84)는 레이저 빔의 순수 에너지 세기를 시간이 경과함에 따라 누적적으로 합산하여 레이저 빔의 누적 에너지 세기를 실시간으로 산출한다. The
판단부(85)는 산출부(84)에서 산출된 레이저 빔의 누적 에너지 세기를 입력받아 누적 에너지 세기가 미리 설정된 기준치에 도달하는지를 판단하여, 누적 에너지 세기가 기준치와 동일한 경우, 판단신호를 출력한다. 여기서, 기준치는 헤이즈 발생시까지 포토 마스크(1)에 조사된 레이저 빔의 누적 에너지이다. 그리고, 기준치는 공정 조건, 예를 들어 공정 챔버 내의 산소 농도, 습도, 온도 및 레이저 빔의 순수 에너지 세기에 의해 변화될 수 있으며, 다양한 공정 조건에 대한 실험을 통해서 얻어진다. The
레이저 방출부 제어부(86)는 판단부(85)로부터 판단신호를 입력받아 레이저 방출부(10)를 제어한다. 즉, 레이저 방출부 제어부(86)는 레이저 방출부(10)의 작동을 정지시키는 제어신호를 레이저 방출부(10)로 출력한다. 따라서, 포토 마스크에 헤이즈가 발생하는 순간, 레이저 방출부(10)의 작동이 정지되어 포토 마스크(1)에 더 이상 레이저 빔이 조사되지 않게 된다. The
상술한 바와 같이, 본 실시예에 있어서는 공정챔버 내의 습도, 온도 및 가스 조성비를 연구자의 의도대로 제어할 수 있게 되므로, 헤이즈 발생과 공정챔버 내의 환경 조건과의 상관관계를 효과적으로 분석할 수 있게 된다. As described above, in the present embodiment, since the humidity, temperature and gas composition ratio in the process chamber can be controlled as the researcher intended, it is possible to effectively analyze the correlation between haze generation and environmental conditions in the process chamber.
그리고, 산소에 의한 레이저 빔의 에너지 손실이 반영되어 레이저 빔의 순수 에너지가 연산되므로, 종래에 비해 포토 마스크에 조사되는 레이저 빔의 순수 에너지 및 헤이즈 발생시까지 포토 마스크에 조사되는 레이저 빔의 축적 에너지를 정확하게 얻을 수 있게 된다. In addition, since the energy loss of the laser beam due to oxygen is reflected and the pure energy of the laser beam is calculated, the pure energy of the laser beam irradiated to the photomask and the accumulated energy of the laser beam irradiated to the photomask until haze is generated. You can get it correctly.
또한, 종래와 달리 어테뉴에이터의 각도를 제어함으로써 헤이즈 발생시까지 포토 마스크에 기준 에너지 세기의 레이저 빔을 연속적으로 조사할 수 있게 된다. In addition, unlike the related art, by controlling the angle of the attenuator, the laser beam of the reference energy intensity can be continuously irradiated to the photomask until the haze occurs.
그리고, 광학계, 윈도우, 어테뉴에이터 및 빔 스플리터가 불활성 가스 분위기에 노출되도록 구성되어, 레이저 빔에 의한 광학계, 윈도우 및 빔 스플리터 각각의 오염을 방지할 수 있게 되므로, 레이저 빔의 에너지 감쇠를 최소화할 수 있게 된다. In addition, since the optical system, the window, the attenuator, and the beam splitter are configured to be exposed to an inert gas atmosphere, contamination of each of the optical system, the window, and the beam splitter by the laser beam can be prevented, thereby minimizing energy attenuation of the laser beam. Will be.
이상, 본 발명을 바람직한 실시예들을 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 많은 변형이 가능함은 명백하다. As mentioned above, the present invention has been described in detail with reference to preferred embodiments, but the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications may be made by those skilled in the art within the technical idea of the present invention. It is obvious.
상기한 구성의 본 발명에 따르면, 공정챔버의 공간의 습도, 온도 및 가스 조성비를 원하는 대로 제어할 수 있게 된다. According to the present invention of the above configuration, it is possible to control the humidity, temperature and gas composition ratio of the space of the process chamber as desired.
또한, 포토 마스크로 조사되는 레이저 빔의 순수 에너지 세기 및 헤이즈 발생시까지 포토 마스크에 조사되는 레이저 빔의 축적 에너지를 정확하게 얻을 수 있게 된다. In addition, it is possible to accurately obtain the pure energy intensity of the laser beam irradiated with the photomask and the accumulated energy of the laser beam irradiated with the photomask until the haze is generated.
그리고, 포토 마스크에 일정 에너지 세기의 레이저 빔을 연속적으로 조사할 수 있게 된다. Then, the laser beam of a constant energy intensity can be irradiated continuously to the photo mask.
Claims (8)
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060129250A KR100822677B1 (en) | 2006-12-18 | 2006-12-18 | Device for generating haze on photo mask |
TW096145174A TWI372949B (en) | 2006-12-18 | 2007-11-28 | Device for generating haze on a photomask |
PCT/KR2007/006143 WO2008075840A1 (en) | 2006-12-18 | 2007-11-30 | Device for generating haze on a photomask |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060129250A KR100822677B1 (en) | 2006-12-18 | 2006-12-18 | Device for generating haze on photo mask |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR100822677B1 true KR100822677B1 (en) | 2008-04-17 |
Family
ID=39536433
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020060129250A KR100822677B1 (en) | 2006-12-18 | 2006-12-18 | Device for generating haze on photo mask |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100822677B1 (en) |
TW (1) | TWI372949B (en) |
WO (1) | WO2008075840A1 (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100888933B1 (en) | 2007-10-18 | 2009-03-16 | 나노전광 주식회사 | Apparatus and method for measuring hazes of photomask surface using euv |
WO2009154388A2 (en) * | 2008-06-17 | 2009-12-23 | 에이피시스템 주식회사 | Photomask baking apparatus |
CN101614814B (en) * | 2009-07-29 | 2012-02-01 | 武汉大学 | Intelligent data acquisition method and system used for space-based laser altimetry |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100572509B1 (en) * | 2005-12-14 | 2006-04-24 | 나노전광 주식회사 | Apparatus for detecting hazes of photomask surface and method for detecting thereof |
KR20060071956A (en) * | 2004-12-22 | 2006-06-27 | 주식회사 피케이엘 | Apparatus for measuring hazes of photomask surface and methode of thereof |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63143830A (en) * | 1986-12-08 | 1988-06-16 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | Haze-defect detecting method |
JP2657860B2 (en) * | 1991-08-12 | 1997-09-30 | 日立電子エンジニアリング株式会社 | 3D map display method for wafer foreign matter |
KR20040107950A (en) * | 2003-06-16 | 2004-12-23 | 삼성전자주식회사 | Method for measuring wafer warpage |
-
2006
- 2006-12-18 KR KR1020060129250A patent/KR100822677B1/en not_active IP Right Cessation
-
2007
- 2007-11-28 TW TW096145174A patent/TWI372949B/en not_active IP Right Cessation
- 2007-11-30 WO PCT/KR2007/006143 patent/WO2008075840A1/en active Application Filing
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20060071956A (en) * | 2004-12-22 | 2006-06-27 | 주식회사 피케이엘 | Apparatus for measuring hazes of photomask surface and methode of thereof |
KR100572509B1 (en) * | 2005-12-14 | 2006-04-24 | 나노전광 주식회사 | Apparatus for detecting hazes of photomask surface and method for detecting thereof |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100888933B1 (en) | 2007-10-18 | 2009-03-16 | 나노전광 주식회사 | Apparatus and method for measuring hazes of photomask surface using euv |
WO2009154388A2 (en) * | 2008-06-17 | 2009-12-23 | 에이피시스템 주식회사 | Photomask baking apparatus |
WO2009154388A3 (en) * | 2008-06-17 | 2010-03-11 | 에이피시스템 주식회사 | Photomask baking apparatus |
CN101614814B (en) * | 2009-07-29 | 2012-02-01 | 武汉大学 | Intelligent data acquisition method and system used for space-based laser altimetry |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2008075840A1 (en) | 2008-06-26 |
TW200832082A (en) | 2008-08-01 |
TWI372949B (en) | 2012-09-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5715173A (en) | Concentration controlling method and a substate treating apparatus utilizing same | |
US10892594B2 (en) | Gas optimization in a gas discharge light source | |
US9350133B2 (en) | Method of controlling laser apparatus and laser apparatus | |
KR101172622B1 (en) | Stabilized euv generation device using the plasma | |
KR100822677B1 (en) | Device for generating haze on photo mask | |
KR20180012828A (en) | Control of pulsed light beam spectrum characteristics | |
KR20140085320A (en) | Exposure apparatus and device fabrication method | |
CN102253602A (en) | Lighting dose real-time controlling apparatus in photolithography system | |
KR100793085B1 (en) | Device for generating haze on photo mask | |
JP2016200425A (en) | Ultraviolet illuminance measuring device and ultraviolet radiation device | |
JP7030998B2 (en) | Gas management system | |
EP1335460B1 (en) | Laser apparatus, exposure apparatus and method | |
KR100719941B1 (en) | Apparatus for measuring hazes of photomask surface and methode of thereof | |
JP2003214949A (en) | Monitoring device and ultraviolet laser device | |
KR20220020922A (en) | Pressure control within the cavity of the light source | |
US20240291226A1 (en) | Gas control apparatus for gas discharge stage | |
US6865212B2 (en) | Method for energy control of pulsed driven, gas discharged-coupled beam sources | |
JP5611913B2 (en) | Energy measuring apparatus for laser device and aging method of light diffusion plate used therefor | |
KR102054372B1 (en) | Gas Ingredient Monitoring Equipment for Gas Laser | |
JP2001332793A (en) | Laser | |
JP3769629B2 (en) | Excimer laser equipment | |
JP2001235430A (en) | Optical inspection instrument and optical surface inspection instrument | |
JP3739877B2 (en) | Excimer laser equipment | |
JP7549111B1 (en) | Gas concentration measuring device and method | |
JP7432612B2 (en) | Laser system and electronic device manufacturing method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20110407 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |