KR100819820B1

KR100819820B1 - R, G, B LED module

Info

Publication number: KR100819820B1
Application number: KR1020060062488A
Authority: KR
Inventors: 김재남; 최태현
Original assignee: 김재남; 최태현
Priority date: 2006-07-04
Filing date: 2006-07-04
Publication date: 2008-04-07
Also published as: KR20080004037A

Abstract

The present invention relates to an egg, a mouse, a rain (R, G, B) light emitting diode module, and detects a power supply voltage and according to the detected voltage, the egg, mouse, rain (R, G, B) driving unit (17, 18) , 19, respectively, to control the current path of the egg, mouse, and non-R, G, B light emitting diode modules 11, 12, and 13, to control the egg, mouse, and non-R, G, B light emitting diode modules. Turn on or off (11, 12, 13). Therefore, different power supplies can be used for each egg, mouse, and non-R, G, B light emitting diode module, and power can be provided by two wires, so that the light emitting diode module can be easily mounted and easily installed. The reduced power line reduces the overall weight of the module, making the module thinner and simpler.

Light Emitting Diode Module, Egg, Mouse, Rain (R, G, B), Current, Voltage, Switching Element

Description

Egg, mouse, non-light emitting diode module {R, G, B LED module}

도 1은 종래의 알, 쥐, 비(R, G, B) 발광다이오드 모듈의 회로도,1 is a circuit diagram of a conventional egg, mouse, non (R, G, B) light emitting diode module,

도 2는 종래의 5선식 알, 쥐, 비(R, G, B) 발광다이오드(LED) 모듈의 회로도,2 is a circuit diagram of a conventional 5-wire R, G, B light emitting diode (LED) module;

도 3은 종래의 3선식 알, 쥐, 비(R, G, B) 발광다이오드 모듈의 회로도,3 is a circuit diagram of a conventional 3-wire R, G, B (R, G, B) light emitting diode module,

도 4는 본 발명에 의한 알, 쥐, 비(R, G, B) 발광다이오드 모듈의 구성을 나타내는 블록도,Figure 4 is a block diagram showing the configuration of an egg, mouse, non (R, G, B) light emitting diode module according to the present invention,

도 5는 본 발명에 의한 2선식 알, 쥐, 비(R, G, B) 발광다이오드 모듈의 일실시예를 보여주는 회로도,Figure 5 is a circuit diagram showing an embodiment of a two-wire egg, rat, non (R, G, B) light emitting diode module according to the present invention,

도 6은 본 발명에 의한 2선식 알, 쥐, 비(R, G, B) 발광다이오드 모듈의 다른 실시예를 보여주는 회로도이다.Figure 6 is a circuit diagram showing another embodiment of a two-wire egg, rat, non (R, G, B) light emitting diode module according to the present invention.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

10: 전류원 11: R 발광다이오드 모듈10: current source 11: R light emitting diode module

12: G 발광다이오드 모듈 13: B 발광다이오드 모듈12: G light emitting diode module 13: B light emitting diode module

14: R 전류센서 15: G 전류센서14: R current sensor 15: G current sensor

16: B 전류센서 17: R 스위칭소자16: B current sensor 17: R switching element

18: G 스위칭소자 19: B 스위칭소자18: G switching element 19: B switching element

본 발명은 알, 쥐, 비(R, G, B; Red, Green, Blue를 의미하는 것으로 이하 R, G, B로 통칭함)발광다이오드 모듈에 관한 것으로, 특히 전원전압을 감지하여 그 감지된 전압에 따라 R, G, B 구동부를 각각 스위칭하여 R, G, B 발광다이오드 모듈의 전류 통로를 제어하여 2선으로 전원을 공급할 수 있는 R, G, B 발광다이오드 모듈에 관한 것이다. The present invention relates to an egg, mouse, rain (R, G, B; Red, Green, Blue, hereinafter referred to as R, G, B) light emitting diode module, in particular by sensing the power supply voltage The present invention relates to R, G, and B light emitting diode modules capable of supplying power to two wires by controlling the current paths of R, G, and B light emitting diode modules by switching the R, G, and B driving units according to voltages, respectively.

발광다이오드(LED: light-emitting diode)는 계기류의 표시소자, 광통신용광원 등 각종 전자기기의 표시용 램프, 숫자표시 장치나 계산기의 카드 판독기 등에 쓰이고 있다. 또, 주입형 반도체 레이저는 주입 밀도가 매우 높은 발광 다이오드의 일종이며, 반전분포(反轉分布)가 발생하여 간섭성(干涉性) 빛을 생기게 할 수 있다. Light-emitting diodes (LEDs) are used in display devices for instruments, display lamps for various electronic devices such as optical communication light sources, numeric display devices, and card readers for calculators. In addition, the implantable semiconductor laser is a kind of light emitting diode having a very high implantation density, and an inverted distribution can be generated to generate coherent light.

적색(RED), 녹색(GREEN), 청색(BLUE)의 발광다이오드를 하나의 픽셀로 함께 구성하여 RGB LED 모듈의 회로를 구성하고, 각 R, G, B LED의 밝기를 제어하여 이론적으로 1600만여 가지의 색을 표시할 수 있다.Red, green, and blue light emitting diodes are composed together as a single pixel to form the circuit of the RGB LED module, and theoretically 16 million are controlled by controlling the brightness of each R, G, and B LED. The color of the branches can be displayed.

도 1에 종래의 R, G, B 발광다이오드 모듈의 회로도가 도시된다.1 is a circuit diagram of a conventional R, G, B light emitting diode module.

적색 발광다이오드 D1의 애노드 단자를 저항 R1을 통해 + 공통선에 연결하고, 적색 발광다이오드 D1의 캐소드 단자를 R 제어선에 연결하고, 녹색 발광다이오드 D2의 애노드 단자를 저항 R2을 통해 + 공통선에 연결하고, 녹색 발광다이오드 D1의 캐소드 단자를 G 제어선에 연결하고, 청색 발광다이오드 D3의 애노드 단자를 저항 R3을 통해 + 공통선에 연결하고, 청색 발광다이오드 D3의 캐소드 단자를 B 제어선에 연결한다.Connect the anode terminal of the red light emitting diode D1 to the + common line through the resistor R1, the cathode terminal of the red light emitting diode D1 to the R control line, and connect the anode terminal of the green light emitting diode D2 to the + common line through the resistor R2. Connect the cathode terminal of the green light emitting diode D1 to the G control line, connect the anode terminal of the blue light emitting diode D3 to the + common line via a resistor R3, and connect the cathode terminal of the blue light emitting diode D3 to the B control line. do.

이 종래의 R, G, B 발광다이오드 모듈은 가장 많이 쓰이는 방식으로 회로가 간단하지만, LED 구동전류가 전부 부하가 되므로 제어선은 LED 구동전류에 상응하도록 굵어져야 한다.This conventional R, G, B light emitting diode module is the simplest circuit in the most common way, but since the LED driving current is fully loaded, the control line should be thickened to correspond to the LED driving current.

도 2에 종래의 5선식 R, G, B 발광다이오드 모듈의 회로도가 도시된다.2 is a circuit diagram of a conventional 5-wire R, G, B light emitting diode module.

5선식 R, G, B 발광다이오드 모듈은 적색 발광다이오드 D4의 애노드 단자를 저항 R4을 통해 V+ 전원선에 연결하고, 적색 발광다이오드(D1)의 캐소드 단자는 트랜지스터 Q1의 콜렉터와 에미터를 통해 V- 전원선에 연결되고, 상기 트랜지스터 Q1의 베이스는 R 제어선에 연결된다.The 5-wire R, G, B light emitting diode module connects the anode terminal of the red light emitting diode D4 to the V + power line through the resistor R4, and the cathode terminal of the red light emitting diode (D1) is connected to V through the collector and emitter of the transistor Q1. Is connected to a power supply line, and the base of the transistor Q1 is connected to an R control line.

따라서, R 제어선에서 출력되는 신호에 의해 트랜지스터 Q1이 턴 온(turn on) 상태로 스위칭하여 적색 발광다이오드(D1)를 통해 전류가 흐름으로써 적색 발광다이오드(D1)가 발광하게 된다.Therefore, the transistor Q1 is turned on by the signal output from the R control line, and a current flows through the red light emitting diode D1, thereby causing the red light emitting diode D1 to emit light.

마찬가지로, 녹색 발광다이오드(D5)와 청색 발광다이오드(D6)도 동일하게 구성되어 각각 G 및 B 제어선에서 출력되는 신호에 의해 트랜지스터 Q2 와 Q3이 턴 온(turn on) 상태로 스위칭하여 녹색 발광다이오드(D5)와 청색 발광다이오드(D6)를 통해 전류가 흐름으로써 녹색 발광다이오드(D5)와 청색 발광다이오드(D6)가 각각 발광하게 된다.Similarly, the green light emitting diode D5 and the blue light emitting diode D6 are configured in the same manner, and the transistors Q2 and Q3 are turned on by the signals output from the G and B control lines, respectively, so that the green light emitting diodes are turned on. As current flows through the D5 and the blue light emitting diode D6, the green light emitting diode D5 and the blue light emitting diode D6 emit light.

이 5선식 R, G, B 발광다이오드 모듈은 LED 전원용 V+ 전원선과 V- 전원선을 제공함으로써 R, G, B 제어선은 상대적으로 가늘어도 구현은 가능하나 전체적으로 선의 가닥수가 많아 취급에 불편한 점이 있는 반면에 모듈내부에 장착되는 콘트롤러없이 R, G, B 발광다이오드를 구동할 수 있다.This 5-wire R, G, B light emitting diode module provides V + power line and V- power line for LED power supply, so it is possible to implement R, G, B control line even though it is relatively thin, but it is inconvenient to handle due to the large number of strands. On the other hand, R, G, B LEDs can be driven without a controller mounted inside the module.

도 3에 종래의 3선식 R, G, B 발광다이오드 모듈의 회로도가 도시된다.3 is a circuit diagram of a conventional three-wire R, G, B light emitting diode module.

3선식 R, G, B 발광다이오드 모듈은 적색 발광다이오드 D7의 애노드 단자를 저항 R15를 통해 V+ 전원선에 연결하고, 적색 발광다이오드(D1)의 캐소드 단자는 트랜지스터 Q1의 콜렉터와 에미터를 통해 V- 전원선에 연결하고, 상기 트랜지스터 Q4의 베이스는 저항 R14를 통해 콘트롤러 U1의 데이터 출력단자 D1에 연결된다. 또한, 콘트롤러 U1는 데이터 입력단자 Din 를 통해 데이터 출력단자 D1으로 신호가 출력되도록 하는 시리얼 데이터가 입력된다. The three-wire R, G, B LED module connects the anode terminal of the red LED D7 to the V + power line through a resistor R15, and the cathode terminal of the red LED D1 is connected via the collector and emitter of transistor Q1 to V. A base of the transistor Q4 is connected to the data output terminal D1 of the controller U1 via a resistor R14. In addition, the controller U1 receives serial data for outputting a signal to the data output terminal D1 through the data input terminal Din.

따라서, 콘트롤러 U1의 데이터 단자 D1에서 출력되는 신호에 의해 트랜지스터 Q4 가 턴 온(turn on) 상태로 스위칭하여 적색 발광다이오드 D7를 통해 전류가 흐름으로써 적색 발광다이오드 D7가 발광하게 된다.Therefore, the transistor Q4 is turned on by the signal output from the data terminal D1 of the controller U1, and a current flows through the red light emitting diode D7, thereby causing the red light emitting diode D7 to emit light.

마찬가지로, 녹색 발광다이오드 D8 과 청색 발광다이오드 D9도 동일하게 구성되어 콘트롤러 U1의 데이터 단자 D2 및 D3에서 출력되는 신호에 의해 각각 트랜지스터 Q5 와 Q6이 턴 온(turn on) 상태로 스위칭하여 녹색 발광다이오드 D8과 청 색 발광다이오드 D9를 통해 전류가 흐름으로써 녹색 발광다이오드 D8과 청색 발광다이오드 D9가 각각 발광하게 된다.Similarly, the green light emitting diode D8 and the blue light emitting diode D9 are configured in the same manner, and the transistors Q5 and Q6 are turned on by the signals output from the data terminals D2 and D3 of the controller U1, respectively, so that the green light emitting diode D8 is turned on. The current flows through the light emitting diode D9 and the green light emitting diode D8 and the blue light emitting diode D9 emit light.

이 종래의 R, G, B 발광다이오드 모듈은 데이터 처리를 위한 콘트롤러가 개재되어야 하고 LED 구동용 전원전과 콘트롤러 구동용 전원전압이 서로 다르므로 콘트롤러 구동전원및 안정화전원을 제공하는 전압 레귤레이터(Voltage Regulator)가 추가로 장착되어야 한다. 따라서, 제작부품 및 단가가 상승하는 단점이 있다.This conventional R, G, B LED module has a controller for data processing and has a voltage regulator that provides a controller driving power supply and a stabilizing power supply because the power supply voltage for LED driving and the power supply voltage for controller driving are different from each other. Should be fitted additionally. Therefore, there is a disadvantage that the manufacturing parts and the unit price increases.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 2선의 전원선으로 전원을 공급하는 2선식 R, G, B 발광다이오드 모듈을 제공하는 것이다.The present invention has been made to solve the above problems, an object of the present invention is to provide a two-wire R, G, B LED module for supplying power to a two-wire power line.

본 발명의 다른 목적은 전압센서로 전압을 감지하여 그 감지된 전압에 따라 적색(RED), 녹색(GREEN), 청색(BLUE)의 발광다이오드를 선택적으로 구동하는 2선식 R, G, B 발광다이오드 모듈을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is a two-wire R, G, B light emitting diode that senses the voltage with a voltage sensor and selectively drives the light emitting diodes of red, green, and blue according to the detected voltage. To provide a module.

본 발명에 의한 R, G, B 발광다이오드 모듈은 전류원과; 상기 전류원에 애노드가 접속되고 캐소드가 스위치의 일단자에 연결되는 R, G, B 발광다이오드와; 상기 R, G, B 발광다이오드에 일단자가 연결되고 타단자가 -전원선에 연결되는 R, G, B 스위치들과; 전압을 감지하여 그 감지된 전압에 따라 상기 R, G, B 스위치들을 스위칭하여 R, G, B 발광다이오드를 턴 온(turn on)시키는 R, G, B 전압센서들로 구성된다.R, G, B light emitting diode module according to the present invention and a current source; An R, G and B light emitting diode having an anode connected to the current source and a cathode connected to one end of the switch; R, G and B switches having one end connected to the R, G and B light emitting diodes and the other end connected to a power supply line; R, G, B voltage sensors for sensing a voltage and switching the R, G, B switches according to the detected voltage to turn on the R, G, B light emitting diodes.

본 발명에 의한 R, G, B 발광다이오드 모듈의 하나의 실시예는 기준전압을 제공하는 기준 전압부와; 전원전압 V+를 분압하는 분압저항과, 상기 분압저항 에 의해 분압된 전압을 연산증폭기에 입력하는 입력저항과 제너다이오드 및 상기 전원전압 V+를 정합하기 위한 연산증폭기로 구성되는 이미터 폴로워(Emitter Follower)와; 상기 기준전압과 각 R, G, B 맵핑 전압을 비교하는 3개의 비교기로 구성되는 R, G, B 맵핑 전압 비교부와; 상기 R, G, B 맵핑 전압 비교부의 출력사이에 우선순위를 정하는 우선순위 결정부와; 상기 우선순위 결정부의 출력신호를 저항을 통해 입력받아 그 입력신호에 의해 턴 온 상태로 스위칭하는 트랜지스터 및 다수의 B 발광다이오드로 구성되는 B 발광다이오드 모듈과; 상기 우선순위 결정부의 출력신호를 저항을 통해 입력받아 그 입력신호에 의해 턴 온 상태로 스위칭하는 트랜지스터및 다수의 G 발광다이오드로 구성되는 G 발광다이오드 모듈과; 상기 우선순위 결정부의 출력신호를 저항을 통해 입력받아 그 입력신호에 의해 턴 온 상태로 스위칭하는 트랜지스터및 다수의 R 발광다이오드로 구성되는 R 발광다이오드 모듈로 구성된다.One embodiment of the R, G, B light emitting diode module according to the present invention comprises a reference voltage section for providing a reference voltage; An emitter follower comprising a voltage divider for dividing the power supply voltage V +, an input resistor for inputting the voltage divided by the voltage divider resistor to the operational amplifier, a zener diode, and an operational amplifier for matching the power supply voltage V +. )Wow; An R, G and B mapping voltage comparator comprising three comparators for comparing the reference voltage with each of the R, G and B mapping voltages; A priority deciding unit for setting priorities between the outputs of the R, G, and B mapping voltage comparison units; A B light emitting diode module comprising a plurality of B light emitting diodes and a transistor configured to receive an output signal of the priority determiner through a resistor and to turn on by the input signal; A G light emitting diode module comprising a plurality of G light emitting diodes and a transistor which receives the output signal of the priority determiner through a resistor and switches the signal to a turn on state by the input signal; An R light emitting diode module comprising a plurality of R light emitting diodes and a transistor configured to receive an output signal of the priority determiner through a resistor and to be turned on by the input signal.

본 발명에 의한 상기 우선순위 결정부 상기 B 맵핑 전압 비교부의 출력을 반전시키는 낸드게이트들과; 상기 G 맵핑 전압 비교부의 출력과 상기 낸드게이트의 출력을 낸드 연산하는 낸드게이트와; 상기 G 맵핑 전압비교부의 출력을 낸드연산하는 낸드게이트 출력, 상기 낸드게이트의 출력과 R 맵핑 전압 비교부의 출력을 낸드 연산하는 낸드게이트로 구성되는 것을 특징으로 한다.NAND gates for inverting the output of the B-mapping voltage comparator according to the present invention; A NAND gate NAND operation of an output of the G mapping voltage comparator and an output of the NAND gate; And a NAND gate output NAND operation of the output of the G mapping voltage comparator, and a NAND gate NAND operation of the output of the NAND gate and the output of the R mapping voltage comparator.

본 발명에 의한 R, G, B 발광다이오드 모듈의 또 다른 실시예는 정전류를 제공하는 정전류부와; 다수의 R, G, B 발광다이오드로 구성되는 R, G, B 발광다이오드 모듈과; 상기 R 발광다이오드 모듈을 구동하는 R 맵핑 전압을 발생시키는 R 맵핑 전압부와; 상기 R 맵핑 전압에 의해 턴 온 상태로 스위칭하여 상기 R 발광다이오드 모듈을 구동하는 R 구동부와; 상기 G 발광다이오드 모듈을 구동하는 G 맵핑 전압을 발생시키는 G 맵핑 전압부와; 상기 G 맵핑 전압에 의해 턴 온 상태로 스위칭하여 상기 G 발광다이오드 모듈을 구동하는 G 구동부와; 상기 B 발광다이오드 모듈을 구동하는 B 맵핑 전압을 발생시키는 B 맵핑 전압부와; 상기 B 맵핑 전압에 의해 턴 온 상태로 스위칭하여 상기 B 발광다이오드 모듈을 구동하는 B 구동부로 구성되는 것을 특징으로 한다.Another embodiment of the R, G, B LED module according to the present invention includes a constant current unit for providing a constant current; R, G, B light emitting diode module consisting of a plurality of R, G, B light emitting diodes; An R mapping voltage unit configured to generate an R mapping voltage for driving the R LED module; An R driver which is turned on by the R mapping voltage to drive the R LED module; A G mapping voltage unit configured to generate a G mapping voltage for driving the G light emitting diode module; A G driver configured to drive the G light emitting diode module by switching to a turn-on state by the G mapping voltage; A B mapping voltage unit configured to generate a B mapping voltage for driving the B LED module; And a B driver for driving the B LED module by switching to a turn-on state by the B mapping voltage.

본 발명에 의한 상기 R, G, B 발광다이오드 모듈은 각각 다수의 R, G, B 발광다이오드들이 직렬로 연결되어 구성되고, 그 일단자는 상기 정전류부에 연결되어 전류를 공급받고, 그 타단자는 각각 R 구동부, G 구동부 및 B 구동부의 각 R, G, B 스위칭소자의 캐소드 단자에 연결되는 것을 특징으로 한다.The R, G, B LED module according to the present invention is configured by connecting a plurality of R, G, B LEDs in series, respectively, one end of which is connected to the constant current unit to receive a current, and the other terminal thereof. Each of the R driving unit, the G driving unit, and the B driving unit is characterized in that it is connected to the cathode terminals of the R, G, B switching elements.

본 발명에 의한 상기 각 R, G, B 스위칭소자는 사이리스터, 트랜지스터, 션트레귤레이터인 것을 특징으로 한다.Each of the R, G, B switching elements according to the present invention is characterized in that the thyristors, transistors, shunt regulators.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, preferred embodiments of the present invention will be described in detail.

도 4에 본 발명에 의한 R, G, B 발광다이오드 모듈 모듈의 구성을 나타내는 블록도가 도시된다.4 is a block diagram showing the configuration of the R, G, B light emitting diode module module according to the present invention.

본 발명에 의한 R, G, B 발광다이오드 모듈은 전류원(10)과; 상기 전류원(10)에 애노드가 접속되고 캐소드가 스위치(17, 18,19)의 일단자에 연결되는 적색(RED), 녹색(GREEN), 청색(BLUE)의 R, G, B 발광다이오드(11, 12, 13)와; 상기 적색(RED), 녹색(GREEN), 청색(BLUE)의 발광다이오드(11, 12, 13)에 일단자가 연결되고 타단자가 -전원선에 연결되는 R, G, B 스위치(17, 18, 19)들과; 전압을 감지하여 그 감지된 전압에 따라 상기 R, G, B 스위치(17, 18, 19)들을 스위칭하여 적색(RED), 녹색(GREEN), 청색(BLUE)의 R, G, B 발광다이오드(11, 12, 13)를 턴 온(turn on)시키는 R, G, B 전압센서(14, 15, 16)들로 구성된다.R, G, B light emitting diode module according to the present invention comprises a current source (10); Red, green, and blue R, G, and B light emitting diodes 11 having an anode connected to the current source 10 and a cathode connected to one end of the switches 17, 18, and 19. , 12, 13); R, G, B switches 17, 18, one end of which is connected to the red, green, and blue light emitting diodes 11, 12, and 13, and the other terminal of which is connected to the power supply line. 19); Sensing a voltage and switching the R, G, B switches 17, 18, and 19 according to the sensed voltage, the red, green, and blue R, G, B light emitting diodes ( It consists of R, G, B voltage sensors 14, 15, 16 which turn on 11, 12, 13.

R, G, B 전압센서(14, 15, 16)들은 R, G, B 발광다이오드(11, 12, 13)에 기 설정한 전압이 인가될 때, R, G, B 발광다이오드(11, 12, 13)에 해당하는 전압을 감지하여 독립적으로 R, G, B 스위치(17, 18, 19)들을 턴온 상태로 스위칭하여 R, G, B 발광다이오드(11, 12, 13)를 구동한다. The R, G, B voltage sensors 14, 15, and 16 are R, G, B light emitting diodes 11, 12 when a predetermined voltage is applied to the R, G, B light emitting diodes 11, 12, 13. , And sense the voltage corresponding to 13, and independently switch the R, G, B switches 17, 18, 19 to turn on to drive the R, G, B light emitting diodes 11, 12, 13.

R 발광다이오드는 순방향으로 약 10mA, 1.9V일 때 발광하고, G 발광다이오드는 순방향으로 약 10mA, 3.2V일 때 발광하고, B 발광다이오드는 순방향으로 약 10mA, 3.6V일 때 발광한다.The R light emitting diode emits light at about 10 mA and 1.9 V in the forward direction, the G light emitting diode emits light at about 10 mA and 3.2 V in the forward direction, and the B light emitting diode emits light at about 10 mA and 3.6 V in the forward direction.

따라서, 각 5개의 직렬연결된 R, G, B 발광다이오드의 순방향 전압은 9.5V, 16V, 18V로 맵핑되므로, V+의 전압에 따라 R, G, B 발광다이오드 모듈의 점등이 종속되게 되어 2선에 의한 R, G, B 발광다이오드 모듈의 제어가 가능하다.Therefore, the forward voltage of each of the five series-connected R, G, and B LEDs is mapped to 9.5V, 16V, and 18V, so that the lighting of the R, G, and B LED modules depends on the voltage of V +. It is possible to control the R, G, B light emitting diode module.

도 5에 본 발명에 의한 2선식 R, G, B 발광다이오드 모듈의 일실시예를 보여주는 회로도가 도시된다.5 is a circuit diagram showing an embodiment of a two-wire R, G, B light emitting diode module according to the present invention.

본 발명에 의한 2선식 R, G, B 발광다이오드 모듈은 기준전압을 제공하는 기준 전압부(20)와; 전원전압 V+를 분압하는 분압저항(R20, R21)과, 상기 분압저항 (R21)에 의해 분압된 전압을 연산증폭기(U2)에 입력하는 입력저항(R22)과 제너다이오드(D10) 및 상기 전원전압 V+를 정합하기 위한 연산증폭기(U2)로 구성되는 에미터 폴로워(Emitter Follower;21)와; 상기 기준전압과 각 R, G, B 맵핑 전압을 비교하는 3개의 비교기(U3, U4, U5)로 구성되는 R, G, B 맵핑 전압 비교부(22, 23, 24)와; 상기 R, G, B 맵핑 전압 비교부(22, 23, 24)의 출력사이에 우선순위를 정하는 우선순위 결정부(25)와; 상기 우선순위 결정부(25)의 출력신호를 저항(R26)을 통해 입력받아 그 입력신호에 의해 턴 온 상태로 스위칭하는 트랜지스터(Q7)및 다수의 B 발광다이오드(D11-D14)로 구성되는 B 발광다이오드 모듈(26)과; 상기 우선순위 결정부(25)의 출력신호를 저항(R27)을 통해 입력받아 그 입력신호에 의해 턴 온 상태로 스위칭하는 트랜지스터(Q8)및 다수의 G 발광다이오드(D15-D18)로 구성되는 G 발광다이오드 모듈(27)과; 상기 우선순위 결정부(25)의 출력신호를 저항(R28)을 통해 입력받아 그 입력신호에 의해 턴 온 상태로 스위칭하는 트랜지스터(Q9)및 다수의 R 발광다이오드(D19-D22)로 구성되는 R 발광다이오드 모듈(28)로 구성된다.Two-wire R, G, B LED module according to the present invention includes a reference voltage section 20 for providing a reference voltage; Voltage divider resistors R20 and R21 for dividing the power supply voltage V +, input resistor R22 for inputting the voltage divided by the voltage divider resistor R21 to the operational amplifier U2, the zener diode D10, and the power supply voltage. An emitter follower (21) comprising an operational amplifier (U2) for matching V +; R, G, B mapping voltage comparison units (22, 23, 24) comprising three comparators (U3, U4, U5) for comparing the reference voltage with each of the R, G, and B mapping voltages; A priority determining unit (25) for setting priorities between the outputs of the R, G, and B mapping voltage comparison units (22, 23, 24); B consisting of a plurality of B light emitting diodes D11-D14 and a transistor Q7 which receives the output signal of the priority determiner 25 through a resistor R26 and switches it on by the input signal. A light emitting diode module 26; G which is composed of a plurality of light emitting diodes D15-D18 and a transistor Q8 which receives the output signal of the priority determining unit 25 through a resistor R27 and switches it on by the input signal. A light emitting diode module 27; R consisting of a plurality of R light emitting diodes D19-D22 and a transistor Q9 for receiving the output signal of the priority determiner 25 through a resistor R28 and switching on by the input signal. It consists of a light emitting diode module 28.

기준 전압부(20)는 예를 들면, 정전압 레귤레이터로 구성되어 정전압을 발생 시킨다.The reference voltage unit 20 is composed of, for example, a constant voltage regulator to generate a constant voltage.

에미터 폴로워(Emitter Follower;21)는 전원전압 V+를 분압하는 분압저항(R20, R21)과, 상기 분압저항 (R21)에 의해 분압된 전압을 연산증폭기(U2)에 입력하는 입력저항(R22)과 제너다이오드(D10) 및 상기 전원전압 V+를 정합하기 위한 연산증폭기(U2)로 구성된다.The emitter follower 21 divides the voltage divider resistors R20 and R21 for dividing the power supply voltage V + and the input resistor R22 for inputting the voltage divided by the voltage divider resistor R21 to the operational amplifier U2. ) And a Zener diode D10 and an operational amplifier U2 for matching the power supply voltage V +.

R, G, B 맵핑 전압 비교부(22, 23, 24)는 상기 기준전압을 각 R, G, B 맵핑 전압으로 분할하는 맵핑 저항(R23, R24, R25)과 상기 기준전압과 각 R, G, B 맵핑 전압을 비교하는 3개의 비교기(U3, U4, U5)로 구성된다.The R, G, and B mapping voltage comparators 22, 23, and 24 are mapping resistors R23, R24, and R25 for dividing the reference voltage into R, G, and B mapping voltages, and the reference voltage and each of the R and G mapping voltages. And three comparators U3, U4 and U5 for comparing the B mapping voltages.

우선순위 결정부(25)는 상기 B 맵핑 전압 비교부(22)의 출력을 반전시키는 낸드게이트(U7, U8)들과; 상기 G 맵핑 전압 비교부(23)의 출력과 상기 낸드게이트(U7)의 출력을 낸드 연산하는 낸드게이트(U9)와 상기 G 맵핑 전압비교부(23)의 출력을 낸드연산하는 낸드게이트(U6)의 출력, 상기 낸드게이트(U7)의 출력과 R 맵핑 전압 비교부(24)의 출력을 낸드 연산하는 낸드게이트(U10)으로 구성된다.The priority determiner 25 includes NAND gates U7 and U8 for inverting the output of the B mapping voltage comparator 22; NAND gate U9 performing a NAND operation on the output of the G mapping voltage comparator 23 and the output of the NAND gate U7 and an output of the G mapping voltage comparator 23. NAND gate U10 which performs an NAND operation on the output, the output of the NAND gate U7 and the output of the R mapping voltage comparator 24.

B 발광다이오드 모듈(26)은 상기 우선순위 결정부(25)의 낸드 게이트(U8)의 출력신호를 저항(R26)을 통해 입력받아 그 입력신호에 의해 턴 온 상태로 스위칭하는 트랜지스터(Q7)및 다수의 B 발광다이오드(D11-D14)로 구성되고,The B LED module 26 receives the output signal of the NAND gate U8 of the priority determiner 25 through the resistor R26 and switches the transistor Q7 to be turned on by the input signal. It consists of a plurality of B light emitting diodes (D11-D14),

G 발광다이오드 모듈(27)은 상기 우선순위 결정부(25)의 낸드 게이트(U9)의 출력신호를 저항(R27)을 통해 입력받아 그 입력신호에 의해 턴 온 상태로 스위칭하는 트랜지스터(Q8)및 다수의 G 발광다이오드(D15-D18)로 구성되고,The G LED module 27 receives the output signal of the NAND gate U9 of the priority determiner 25 through the resistor R27 and switches the transistor Q8 to be turned on by the input signal. It consists of a plurality of G light emitting diodes (D15-D18),

R 발광다이오드 모듈(28)은 상기 우선순위 결정부(25)의 낸드 게이트(U10)의 출력신호를 저항(R28)을 통해 입력받아 그 입력신호에 의해 턴 온 상태로 스위칭하는 트랜지스터(Q9)및 다수의 R 발광다이오드(D19-D22)로 구성된다.The R LED module 28 receives the output signal of the NAND gate U10 of the priority determiner 25 through the resistor R28 and switches the transistor Q9 to be turned on by the input signal. It consists of a plurality of R light emitting diodes D19-D22.

따라서, 기준 전압부(20)에서 출력되는 기준전압은 저항 (R23, R24, R25)에 의하여 R, G, B 맵핑 전압으로 분할되고, 연산증폭기(U2)의 출력전압은 3개의 B, G, R 비교기(U3, U4, U5)에서 비교되어 해당 맵핑전압에 해당하는 신호가 출력된다.Accordingly, the reference voltage output from the reference voltage unit 20 is divided into R, G, and B mapping voltages by the resistors R23, R24, and R25, and the output voltages of the operational amplifier U2 are three B, G, The R comparators U3, U4, and U5 are compared to output a signal corresponding to the corresponding mapping voltage.

예를 들면, V+ 전원전압이 R 맵핑전압(예를 들면, R 맵핑 전압 12V, G 맵핑 전압 16V, B 맵핑 전압 20V로 기준전압을 가정)이라면, V+ 전원전압은 기준전압부(20)에서 기준전압으로 출력되고, 이 기준전압은 맵핑전압 저항 (R23, R24, R25)에 의하여 R, G, B 맵핑 전압으로 분할되어 B, G, R 비교기 (U3, U4, U5)의 반전단자(-)에 입력된다.For example, if the V + power supply voltage is an R mapping voltage (for example, the reference voltage is assumed as the R mapping voltage 12V, the G mapping voltage 16V, and the B mapping voltage 20V), the V + power supply voltage is referenced in the reference voltage unit 20. The reference voltage is divided into R, G, and B mapping voltages by the mapping voltage resistors R23, R24, and R25, and the inverting terminals (-) of the B, G, and R comparators (U3, U4, and U5) are output. Is entered.

한편, V+ 전원전압(12V)은 분압저항(R20),(R21)에 의해 분압되어 이미터 폴로워를 구성하는 연산증폭기(U2)를 통해 출력되고, B, G, R 비교기(U3, U4, U5)의 비반전단자(+)에 입력되어 상기 기준전압과 비교된다.On the other hand, the V + power supply voltage 12V is divided by the divided resistors R20 and R21 and output through the operational amplifier U2 constituting the emitter follower, and the B, G, and R comparators U3, U4, It is input to the non-inverting terminal (+) of U5) and compared with the reference voltage.

따라서, B 비교기(U3)는 반전단자(-)에 입력되는 B 맵핑된 기준전압과 비반전단자(+)로 입력되는 R 맵핑전압의 V+ 전원전압(12V)이 비교되어, 반전단자(-)에 입력되는 B 맵핑된 기준전압(상기 예, 20V)이 비반전단자(+)로 입력되는 전압보다 크므로, “0”의 신호가 출력되고,Accordingly, the B comparator U3 compares the B-mapped reference voltage input to the inverting terminal (-) with the V + power supply voltage 12V of the R mapping voltage input to the non-inverting terminal (+), thereby inverting the terminal (-). Since the B-mapped reference voltage (for example, 20V) input to the signal is greater than the voltage input to the non-inverting terminal (+), a signal of “0” is output.

G 비교기(U4)는 반전단자(-)에 입력되는 B 맵핑된 기준전압과 비반전단자(+) 로 입력되는 R 맵핑전압의 V+ 전원전압(12V)이 비교되어, 반전단자(-)에 입력되는 G 맵핑된 기준전압(상기 예,16V)이 비반전단자(+)로 입력되는 전압보다 크므로, “0”의 신호가 출력되고,The G comparator U4 compares the B mapped reference voltage input to the inverting terminal (-) with the V + power supply voltage (12V) of the R mapping voltage input to the non-inverting terminal (+) and inputs the inverting terminal (-). Since the G-mapped reference voltage (eg, 16V) is greater than the voltage input to the non-inverting terminal (+), a signal of “0” is output.

R 비교기(U5)는 반전단자(-)에 입력되는 R 맵핑된 기준전압과 비반전단자(+)로 입력되는 R 맵핑전압의 V+ 전원전압(12V)이 비교되어, 반전단자(-)에 입력되는 R 맵핑된 기준전압(상기예, 12V)이 비반전단자(+)로 입력되는 전압보다 같거나 작으므로, “1”의 신호가 출력된다.The R comparator U5 compares the V-mapped reference voltage input to the inverting terminal (-) with the V + power supply voltage (12V) of the R mapping voltage input to the non-inverting terminal (+) and inputs the inverting terminal (-). Since the R-mapped reference voltage (eg, 12V) is equal to or smaller than the voltage input to the non-inverting terminal (+), a signal of “1” is output.

우선순위 결정부(25)의 낸드게이트(U8)는 B 비교부(22)의 출력을 반전시켜 B 발광다이오드 모듈(26)로 출력하고, 우선순위 결정부(22)의 낸드게이트(U9)는 상기 G 비교부(23)의 출력과 상기 낸드게이트(U7)의 출력을 낸드 연산하여 G 발광다이오드 모듈(26)로 출력하고, 우선순위 결정부(22)의 낸드게이트(U10)는 상기 낸드게이트(U6, U7)의 출력과 R 맵핑 전압 비교부(24)의 출력을 낸드 연산하여 R 발광다이오드 모듈(27)로 출력한다.The NAND gate U8 of the priority determiner 25 inverts the output of the B comparator 22 to be output to the B light emitting diode module 26, and the NAND gate U9 of the priority determiner 22 is NAND operation of the output of the G comparing unit 23 and the output of the NAND gate U7 is performed to the G light emitting diode module 26, and the NAND gate U10 of the priority determining unit 22 is the NAND gate. A NAND operation of the outputs of U6 and U7 and the output of the R mapping voltage comparison unit 24 is performed to NAND output to the R LED module 27.

B 발광다이오드 모듈(26)은 B 비교부(22)의 출력을 반전시키는 낸드 게이트(U8)의 출력신호를 저항(R26)을 통해 입력받아 그 입력신호에 따라 트랜지스터(Q7)를 턴 온 상태로 스위칭하여 다수의 B 발광다이오드(D11-D14)를 점등시킨다.The B LED module 26 receives an output signal of the NAND gate U8 that inverts the output of the B comparator 22 through the resistor R26 and turns on the transistor Q7 according to the input signal. A plurality of B light emitting diodes D11-D14 are turned on by switching.

G 발광다이오드 모듈(27)은 G 비교부(23)의 출력과 반전된 B 비교부(22)의 출력을 낸드연산하는 낸드게이트(U9)의 출력신호를 저항(R27)을 통해 입력받아 그 입력신호에 의해 트랜지스터(Q8)를 턴 온 상태로 스위칭하여 다수의 G 발광다이오드(D15-D18)를 점등시킨다.The G LED module 27 receives an output signal of the NAND gate U9 for NAND operation of the output of the G comparator 23 and the inverted output of the B comparator 22 through the resistor R27. The transistors Q8 are turned on by the signal to light up the plurality of G light emitting diodes D15-D18.

R 발광다이오드 모듈(28)은 R 비교부(24)의 출력과 반전시킨 B 비교부(22) 및 G 비교부(23)의 출력을 낸드연산하는 낸드게이트(U10)의 출력신호를 저항(R28)을 통해 입력받아 그 입력신호에 의해 트랜지스터(Q9)를 턴 온 상태로 스위칭하여 다수의 R 발광다이오드(D19-D22)를 점등시킨다.The R light emitting diode module 28 resistors an output signal of the NAND gate U10 that NAND-operates the outputs of the B comparator 22 and the G comparator 23 inverted from the output of the R comparator 24. And the transistor Q9 is turned on by the input signal to turn on the plurality of R LEDs D19-D22.

전원전압이 상기예에서 처럼 12V인 경우에 발광다이오드 모듈(26, 27, 28)의 점등상태를 살펴본다.When the power supply voltage is 12V as in the above example, the lighting state of the light emitting diode modules 26, 27, 28 will be described.

B 발광다이오드 모듈(26)은 B 비교부(22)의 출력 “0”을 반전시키는 낸드게이트(U8)의 출력 “1”을 저항(R26)을 통해 입력받아 PNP형 트랜지스터(Q7)를 턴 오프 상태로 하므로 다수의 B 발광다이오드(D11-D14)를 소등시킨다. The B LED module 26 receives the output “1” of the NAND gate U8 that inverts the output “0” of the B comparator 22 through the resistor R26 and turns off the PNP transistor Q7. In this state, many of the B LEDs D11-D14 are turned off.

G 발광다이오드 모듈(27)은 G 비교부(23)의 출력 “0”과 낸드게이트(U7)를 통해 반전된 B 비교부(22)의 출력 “1”과 낸드 연산하는 낸드게이트(U9)의 출력 신호 “1”을 저항(R27)을 통해 입력받아 PNP형 트랜지스터(Q8)를 턴 오프 상태로 하므로, 다수의 G 발광다이오드(D15-D18)를 소등시킨다. The G light emitting diode module 27 is configured to perform NAND operation on the output “0” of the G comparator 23 and the output “1” of the B comparator 22 inverted through the NAND gate U7. Since the output signal “1” is input through the resistor R27 to turn off the PNP type transistor Q8, the plurality of G light emitting diodes D15-D18 are turned off.

R 발광다이오드 모듈(28)은 R 비교부(24)의 출력 “1”과 반전시킨 B 비교부(22) 출력 “1”과 반전시킨 G 비교부(23)의 출력 “1”을 와이어드 앤드시킨 출력 “1”과 낸드 연산하는 낸드게이트(U10)의 출력 신호 “0”을 저항(R28)을 통해 입력받아 PNP형 트랜지스터(Q9)을 턴 온 상태로 하므로, 다수의 R 발광다이오드(D19-22)를 점등시킨다.The R light emitting diode module 28 wires the output “1” of the R comparator 24 and the output “1” of the B comparator 22 inverted and the output “1” of the G comparator 23 inverted. Since the PNP transistor Q9 is turned on by receiving the output signal “0” of the output “1” and the NAND gate U10 that performs NAND operation through the resistor R28, the plurality of R LEDs D19-22 ) Lights up.

이와 같이 전원 전압이 R 맵핑 기준 전압으로 입력되면, R 발광다이오드(D19-D22)만 점등시키고 G 및 B 발광다이오드(D11-D18)는 소등시키게 되는 것이다. When the power supply voltage is input as the R mapping reference voltage, only the R light emitting diodes D19-D22 are turned on and the G and B light emitting diodes D11-D18 are turned off.

계속하여 전원 전압이 G 맵핑 기준 전압 즉 16V로 입력되면 같은 원리로 B 비교부(22) 출력은 “0”, G 비교부(23) 및 R 비교부(24)의 출력은 공히 “1”의 상태가 된다. Subsequently, when the power supply voltage is input as the G mapping reference voltage, that is, 16V, the B comparator 22 output is “0” and the outputs of the G comparator 23 and the R comparator 24 are both “1”. It becomes a state.

따라서, B 발광다이오드(D11-D14)는 소등상태가 되고, G 발광다이오드(D15-D18)는 점등상태가 되나, R 발광다이오드(D18-D22)는 R 비교부(24)의 출력이 “1”이라 하더라도 낸드게이트(U6)를 통해 반전된 출력 “0”으로 인해 낸드게이트(U10)의 출력은 “1”로 되므로 소등되게 된다. Accordingly, the B light emitting diodes D11-D14 are turned off and the G light emitting diodes D15-D18 are turned on, but the R light emitting diodes D18-D22 have the output of the R comparator 24 being "1." ”, The output of the NAND gate U10 becomes“ 1 ”because of the output“ 0 ”inverted through the NAND gate U6.

즉, G 발광다이오드(D15-D18)가 점등되게 되면 R 발광다이오드(D19-D22)는 소등되게 되어 G 발광다이오드 모듈(27)이 R 발광다이오드 모듈(28)을 우선하게 된다. That is, when the G light emitting diodes D15-D18 are turned on, the R light emitting diodes D19-D22 are turned off so that the G light emitting diode module 27 takes precedence over the R light emitting diode module 28.

계속하여 전원 전압이 B 맵핑 기준전압 즉 20V로 입력되면 상기와 같은 원리로 B 발광다이오드(D11-D14)는 점등하고, G 발광다이오드(D15-D18) 및 R 발광다이오드(D19-D22)는 소등되게 되어, B 발광다이오드 모듈(26)이 G 발광다이오드 모듈(27) 및 R 발광다이오드 모듈(28)을 우선하게 된다.Subsequently, when the power supply voltage is input to the B mapping reference voltage, that is, 20V, the B light emitting diodes D11-D14 light up, and the G light emitting diodes D15-D18 and the R light emitting diodes D19-D22 turn off. The B light emitting diode module 26 takes precedence over the G light emitting diode module 27 and the R light emitting diode module 28.

그러므로 전원 전압을 변동시켜 각각의 발광다이오드 모듈을 선택적으로 구동할 수가 있다. Therefore, it is possible to selectively drive each light emitting diode module by varying the power supply voltage.

도 6에 본 발명에 의한 2선식 R, G, B 발광다이오드 모듈의 다른 실시예를 보여주는 회로도가 도시된다.6 is a circuit diagram showing another embodiment of a two-wire R, G, B light emitting diode module according to the present invention.

정전류를 제공하는 정전류부(29)와; 다수의 R, G, B 발광다이오드로 구성되는 R, G, B 발광다이오드 모듈(30, 31, 32)과; 상기 R 발광다이오드 모듈(30)을 구동하는 R 맵핑 전압을 발생시키는 R 맵핑 전압부(34)와; 상기 R 맵핑 전압에 의해 턴 온 상태로 스위칭하여 상기 R 발광다이오드 모듈(30)을 구동하는 R 구동부(33)와; 상기 G 발광다이오드 모듈(31)을 구동하는 G 맵핑 전압을 발생시키는 G 맵핑 전압부(36)와; 상기 G 맵핑 전압에 의해 턴 온 상태로 스위칭하여 상기 G 발광다이오드 모듈(31)을 구동하는 G 구동부(35)와; 상기 B 발광다이오드 모듈(32)을 구동하는 B 맵핑 전압을 발생시키는 B 맵핑 전압부(38)와; 상기 B 맵핑 전압에 의해 턴 온 상태로 스위칭하여 상기 B 발광다이오드 모듈(32)을 구동하는 B 구동부(37)로 구성된다.A constant current unit 29 for providing a constant current; R, G, B light emitting diode modules 30, 31, 32 composed of a plurality of R, G, B light emitting diodes; An R mapping voltage unit 34 for generating an R mapping voltage for driving the R LED module 30; An R driver 33 for driving the R light emitting diode module 30 by switching to a turn-on state by the R mapping voltage; A G mapping voltage unit 36 for generating a G mapping voltage for driving the G light emitting diode module 31; A G driver 35 driving the G light emitting diode module 31 by switching to a turn-on state by the G mapping voltage; A B mapping voltage unit 38 for generating a B mapping voltage for driving the B light emitting diode module 32; The B driving unit 37 is configured to switch to the turn-on state by the B mapping voltage to drive the B LED module 32.

R, G, B 발광다이오드 모듈(30, 31, 32)은 각각 다수의(예를 들면, 4개) R, G, B 발광다이오드(D22-D25, D26-D29, D30-D33)들이 직렬로 연결되어 구성되고, 그 일단자는 상기 정전류부(29)에 연결되어 전류를 공급받고, 그 타단자는 각각 R 구동부(33), G 구동부(35) 및 B 구동부(37)의 각 R, G, B 스위칭소자(SR1, SR3, SR5)의 캐소드 단자에 연결된다. 여기서, R, G, B 스위칭소자(SR1, SR3, SR5)는 사이리스터, 트랜지스터, 션트레귤레이터 등으로 구성할 수 있다. The R, G, and B light emitting diode modules 30, 31, and 32 each have a plurality of (for example, four) R, G, and B light emitting diodes D22-D25, D26-D29, and D30-D33 in series. And one end thereof is connected to the constant current unit 29 to receive a current, and the other terminal thereof is respectively R, G, and R of the R driver 33, the G driver 35, and the B driver 37. It is connected to the cathode terminal of the B switching elements SR1, SR3, SR5. Here, the R, G, and B switching elements SR1, SR3, SR5 may be constituted by thyristors, transistors, shunt regulators, and the like.

R 구동부(33)는 서로 직렬로 연결된 저항(R29)과 제1 R 스위칭소자(SR1)로 구성되고, 저항(R29)과 제1 R 스위칭소자(SR1)의 연결점은 R 발광다이오드 모듈(30)에 연결되어 제1 R 스위칭소자(SR1)의 도통에 의해 전류경로를 제공하여 R 발광다이오드(D22-D25)들이 점등되게 한다.The R driver 33 includes a resistor R29 and a first R switching element SR1 connected in series with each other, and a connection point between the resistor R29 and the first R switching element SR1 is an R LED module 30. The light emitting diodes D22 to D25 are turned on to provide a current path through the conduction of the first R switching element SR1.

R 맵핑 전압부(34)는 전원전압 V+를 분할하여 상기 제1 R 스위칭소자(SR1)의 게이트에 스위칭전압을 제공하는 제1 스위칭 분할저항(R30, R31)과; 상기 제1 스위칭 분할저항(R30, R31)의 접점에 그 캐소드가 연결되어 분할을 제어하는 제2 R 스위칭소자(SR2)와; 상기 제2 R 스위칭소자(SR2)의 게이트에 스위칭전압을 제공하는 제2 스위칭 분할저항(R32, R33)으로 구성된다.The R mapping voltage unit 34 may include: first switching division resistors R30 and R31 for dividing the power supply voltage V + to provide a switching voltage to the gate of the first R switching element SR1; A second R switching element SR2 connected to a cathode of the first switching division resistors R30 and R31 to control division; The second switching split resistors R32 and R33 provide a switching voltage to the gate of the second R switching element SR2.

G 구동부(35)는 서로 직렬로 연결된 저항(R34)과 제1 G 스위칭소자(SR3)로 구성되고, 저항(R34)과 제1 G 스위칭소자(SR3)의 연결점은 G 발광다이오드 모듈(31)에 연결되어 제1 G 스위칭소자(SR3)의 도통에 의해 전류경로를 제공하여 G 발광다이오드(D26-D29)들이 점등되게 한다.The G driver 35 includes a resistor R34 and a first G switching element SR3 connected in series with each other, and a connection point between the resistor R34 and the first G switching element SR3 is the G LED module 31. Is connected to the first G switching element SR3 to provide a current path so that the G light emitting diodes D26 to D29 are turned on.

G 맵핑 전압부(36)는 전원전압 V+를 분할하여 상기 제1 G 스위칭소자(SR3)의 게이트에 스위칭전압을 제공하는 제3 스위칭 분할저항(R35, R36)과; 상기 제3 스위칭 분할저항(R35, R36)의 접점에 그 캐소드가 연결되어 분할을 제어하는 제2 G 스위칭소자(SR4)와; 상기 제2 G 스위칭소자(SR4)의 게이트에 스위칭전압을 제공하는 제4 스위칭 분할저항(R37, R38)으로 구성된다.The G mapping voltage unit 36 includes third switching division resistors R35 and R36 for dividing the power supply voltage V + to provide a switching voltage to the gate of the first G switching element SR3; A second G switching element SR4 connected to a cathode of the third switching split resistors R35 and R36 to control splitting; The fourth switching split resistors R37 and R38 provide a switching voltage to the gate of the second G switching element SR4.

B 구동부(37)는 서로 직렬로 연결된 저항(R39)과 제1 B 스위칭소자(SR5)로 구성되고, 저항(R39)과 제1 B 스위칭소자(SR5)의 연결점은 B 발광다이오드 모듈(32)에 연결되어 제1 B 스위칭소자(SR5)의 도통에 의해 전류경로를 제공하여 B 발광다이오드(D30-D33)들이 점등되게 한다.The B driver 37 includes a resistor R39 and a first B switching element SR5 connected in series with each other, and a connection point between the resistor R39 and the first B switching element SR5 is the B LED module 32. The light emitting diodes D30 to D33 are turned on by providing a current path by the conduction of the first B switching element SR5.

B 맵핑 전압부(38)는 전원전압 V+를 분할하여 상기 제1 B 스위칭소자(SR5)의 게이트에 스위칭전압을 제공하는 제5 스위칭 분할저항(R40, R41)과; 상기 제5 스위칭 분할저항(R40, R41)의 접점에 그 캐소드가 연결되어 분할을 제어하는 제2 B 스위칭소자(SR6)와; 상기 제2 B 스위칭소자(SR6)의 게이트에 스위칭전압을 제공하는 제6 스위칭 분할저항(R42, R43)으로 구성된다.The B mapping voltage unit 38 includes: fifth switching split resistors R40 and R41 for dividing the power supply voltage V + to provide a switching voltage to the gate of the first B switching element SR5; A second B switching element SR6 connected to a cathode of the fifth switching split resistors R40 and R41 to control splitting; The sixth switching split resistors R42 and R43 provide a switching voltage to the gate of the second B switching element SR6.

R 맵핑 전압부(34)의 제1 스위칭 분할저항(R30, R31)은 V+ 전압을 분할하여 저항(R31)에 분할되는 스위칭전압이 제1 R 스위칭소자(SR1)의 게이트에 인가되어 제1 R 스위칭소자(SR1)가 도통상태가 되어 R 발광다이오드 모듈(30)에 전류 경로를 제공하게 되어 R 발광다이오드 모듈(30)은 점등하게 된다.The first switching split resistors R30 and R31 of the R mapping voltage unit 34 divide the V + voltage and a switching voltage divided by the resistor R31 is applied to the gate of the first R switching element SR1, thereby providing the first R split voltage. The switching element SR1 is in a conductive state to provide a current path to the R LED module 30 so that the R LED module 30 is turned on.

V+ 전압이 상승하여 R 맵핑 전압(예를 들면, 7.6 V)을 초과하여 G 맵핑 전압(예를 들면, 12.8 V)에 이르게 되면, 제2 스위칭 분할저항(R32, R33)의 저항(R33)이 제공하는 제2스위칭 전압이 제2 R 스위칭소자(SR2)의 게이트에 인가되어 제2 R 스위칭소자(SR2)가 도통상태가 되어 제1 R 스위칭소자(SR1)의 게이트 전압은 "로우(LOW)" 상태로 되어 제1 R 스위칭소자(SR1)가 차단상태가 된다.When the V + voltage rises and exceeds the R mapping voltage (for example, 7.6 V) to reach the G mapping voltage (for example, 12.8 V), the resistance R33 of the second switching split resistors R32 and R33 is increased. The provided second switching voltage is applied to the gate of the second R switching element SR2 so that the second R switching element SR2 is in a conductive state, so that the gate voltage of the first R switching element SR1 is “LOW”. "State, and the first R switching element SR1 is turned off.

따라서, R 발광다이오드 모듈(30)의 전류 경로는 차단되어 전류가 흐르지 몫하게 되어 R 발광다이오드 모듈(30)은 소등된다.Therefore, the current path of the R light emitting diode module 30 is cut off and the current flows to share, so that the R light emitting diode module 30 is turned off.

마찬가지로, G 맵핑 전압부(36)의 제3 스위칭 분할저항(R35, R36)은 V+ 전압을 분할하여 저항(R36)에 분할되는 스위칭전압이 제1 G 스위칭소자(SR3)의 게이트에 인가되어 제1 G 스위칭소자(SR3)가 도통상태가 되어 G 발광다이오드 모듈(31)에 전류 경로를 제공하게 되어 G 발광다이오드 모듈(31)은 점등하게 된다.Similarly, the third switching split resistors R35 and R36 of the G mapping voltage unit 36 divide a V + voltage and a switching voltage divided by the resistor R36 is applied to the gate of the first G switching element SR3 to generate the third switching split resistors R35 and R36. The 1 G switching element SR3 is in a conductive state to provide a current path to the G light emitting diode module 31 so that the G light emitting diode module 31 is turned on.

V+ 전압이 상승하여 G 맵핑 전압(예를 들면, 12.8 V)을 초과하여 B 맵핑 전압(예를 들면, 14.4 V)에 이르게 되면, 제4 스위칭 분할저항(R37, R38)의 저항(R38)이 제공하는 제2스위칭 전압이 제2 G 스위칭소자(SR4)의 게이트에 인가되어 제2 G 스위칭소자(SR4)가 도통상태가 되어 제1 G 스위칭소자(SR3)의 게이트 전압은 "로우(LOW)" 상태로 되어 제1 G 스위칭소자(SR3)가 차단상태가 된다.When the V + voltage rises and exceeds the G mapping voltage (for example, 12.8 V) to reach the B mapping voltage (for example, 14.4 V), the resistance R38 of the fourth switching split resistors R37 and R38 is increased. The provided second switching voltage is applied to the gate of the second G switching element SR4 so that the second G switching element SR4 is in a conductive state so that the gate voltage of the first G switching element SR3 is "LOW." "State, the first G switching element SR3 is turned off.

따라서, G 발광다이오드 모듈(31)의 전류 경로는 차단되어 전류가 흐르지 몫하게 되어 G 발광다이오드 모듈(31)은 소등된다.Therefore, the current path of the G light emitting diode module 31 is cut off and the current flows to be shared, so that the G light emitting diode module 31 is turned off.

상기 설명은 B 발광다이오드 모듈(32), B 구동부(37) 및 B 맵핑 전압부(38)에 대해서도 동일하게 설명될 수 있으므로, 설명을 생략한다.Since the above description may be similarly described with respect to the B LED module 32, the B driver 37 and the B mapping voltage unit 38, the description thereof will be omitted.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면 R, G, B 발광다이오드 모듈 각각에 서로 다른 전원을 사용할 수 있고, 2선으로 전원을 제공하 할 수 있어서, 발광다이오드 모듈으 장착이 간편하고 용이하게 설치할 수 있고, 전원선이 줄어들어 모듈의 전체 무게를 줄일 수 있으며, 모듈을 보다 얇고 간단하게 구성할 수 있다.As described above, according to the present invention, different power supplies can be used for each of the R, G, and B light emitting diode modules, and power can be provided by two wires, so that the light emitting diode module can be easily and easily installed. The reduced power line reduces the overall weight of the module, making the module thinner and simpler.

Claims

A current source 10;

R, G, B light emitting diodes (11, 12, 13) having an anode connected to the current source (10) and a cathode connected to one end of a switch (17, 18, 19);

R, G, B switches (17, 18, 19) having one end connected to the R, G, B light emitting diodes (11, 12, 13) and the other terminal connected to a power supply line;

R which senses a voltage and switches the R, G, B switches 17, 18, 19 according to the sensed voltage to turn on the R, G, B light emitting diodes 11, 12, 13 R, G, B LED module, characterized in that consisting of, G, B voltage sensors (14, 15, 16).

A reference voltage unit 20 for providing a reference voltage;

Voltage divider resistors R20 and R21 for dividing the power supply voltage V +, input resistor R22 for inputting the voltage divided by the voltage divider resistor R21 to the operational amplifier U2, the zener diode D10, and the power supply voltage. An emitter follower (21) comprising an operational amplifier (U2) for matching V +;

R, G, B mapping voltage comparison units (22, 23, 24) comprising three comparators (U3, U4, U5) for comparing the reference voltage with each of the R, G, and B mapping voltages;

A priority determining unit (25) for setting priorities between the outputs of the R, G, and B mapping voltage comparison units (22, 23, 24);

B consisting of a plurality of B light emitting diodes D11-D14 and a transistor Q7 which receives the output signal of the priority determiner 25 through a resistor R26 and switches it on by the input signal. A light emitting diode module 26;

G which is composed of a plurality of light emitting diodes D15-D18 and a transistor Q8 which receives the output signal of the priority determining unit 25 through a resistor R27 and switches it on by the input signal. A light emitting diode module 27;

R consisting of a plurality of R light emitting diodes D19-D22 and a transistor Q9 for receiving the output signal of the priority determiner 25 through a resistor R28 and switching on by the input signal. R, G, B light emitting diode module, characterized in that consisting of a light emitting diode module (28).

3. The method of claim 2, wherein the priority determiner (25) comprises: NAND gates (U7, U8) for inverting the output of the B mapping voltage comparator (22); A NAND gate U9 for NAND calculating an output of the G mapping voltage comparing unit 23 and an output of the NAND gate U7; NAND gate U10 for NAND operation of the output of the NAND gate U6 for NAND operation of the output of the G mapping voltage comparison unit 23, the output of the NAND gate U7, and the output of the R mapping voltage comparison unit 24. R, G, B LED module, characterized in that consisting of.

A constant current unit 29 for providing a constant current;

R, G, B light emitting diode modules 30, 31, 32 composed of a plurality of R, G, B light emitting diodes;

An R mapping voltage unit 34 for generating an R mapping voltage for driving the R LED module 30;

An R driver 33 for driving the R light emitting diode module 30 by switching to a turn-on state by the R mapping voltage;

A G mapping voltage unit 36 for generating a G mapping voltage for driving the G light emitting diode module 31;

A G driver 35 driving the G light emitting diode module 31 by switching to a turn-on state by the G mapping voltage;

A B mapping voltage unit 38 for generating a B mapping voltage for driving the B light emitting diode module 32;

R, G, B light emitting diode module, characterized in that composed of a B driver (37) for driving the B light emitting diode module (32) by switching to the turn-on state by the B mapping voltage.

The R, G, and B light emitting diode modules 30, 31, and 32 of the R, G, and B light emitting diodes D22 to D25, D26 to D29, and D30 to D33 are connected in series. One end thereof is connected to the constant current unit 29 to receive a current, and the other terminal thereof switches each of the R, G, and B switches of the R driver 33, the G driver 35, and the B driver 37, respectively. R, G, B light emitting diode module, characterized in that connected to the cathode terminal of the element (SR1, SR3, SR5).