KR100814322B1 - Active switching mixer having improved linearity - Google Patents

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KR100814322B1
KR100814322B1 KR1020060132928A KR20060132928A KR100814322B1 KR 100814322 B1 KR100814322 B1 KR 100814322B1 KR 1020060132928 A KR1020060132928 A KR 1020060132928A KR 20060132928 A KR20060132928 A KR 20060132928A KR 100814322 B1 KR100814322 B1 KR 100814322B1
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김병성
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성균관대학교산학협력단
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Abstract

An active switching frequency mixer having an improved linearity is provided to realize the high linearity by cancelling out a third order intermodulation current component generated in a switching stage and a third order intermodulation current component generated in a transconductance stage, mutually. An active switching frequency mixer having an improved linearity comprises a transconductance stage(110) and a switching stage(120). The transconductance stage has a plurality of active elements, and at least one main signal is inputted to the transconductance stage. The switching stage is coupled with the transconductance stage, and has a plurality of active elements. At least one LO(Local Oscillator) signal is inputted to the switching stage, and at least one IF(Intermediate Frequency) signal is outputted from the switching stage. A resonance inductor(111) is connected to a common source node of at least one active element pair or more among the plurality of active elements in the switching stage.

Description

선형성이 개선된 능동 스위칭 주파수 혼합기{ACTIVE SWITCHING MIXER HAVING IMPROVED LINEARITY}ACTIVE SWITCHING MIXER HAVING IMPROVED LINEARITY

도 1은 종래기술의 단평형 능동 스위칭 주파수 혼합기를 도시한 회로도이다.1 is a circuit diagram illustrating a prior art monolithic active switching frequency mixer.

도 2는 종래기술의 단평형 능동 스위칭 주파수 혼합기에서 혼변조 전류의 발생 경로를 설명하기 위한 도면이다.2 is a view for explaining the generation path of the intermodulation current in the prior art mono-balanced active switching frequency mixer.

도 3은 스위칭 쌍의 주기성 1차 및 3차 전류 전달 계수를 스위칭 쌍의 구동 전력의 크기에 대한 함수로 도시한 결과이다.3 shows the periodicity primary and tertiary current transfer coefficients of the switching pair as a function of the magnitude of the drive power of the switching pair.

도 4는 능동 스위칭 주파수 혼합기의 스위칭 단에서 기생 캐패시턴스 Cp가 존재할 때 스위칭 단에 의해 발생하는 3차 혼변조 전류와 주신호 전류의 위상차(Phase difference)를 인덕터 값(Lt)의 변화에 따라 도시한 그래프로 인덕터 값에 따라 혼변조 전류와 주 신호 전류의 위상차가 조절됨을 알 수 있다. 4 illustrates the phase difference between the third-order intermodulation current and the main signal current generated by the switching stage when the parasitic capacitance Cp is present in the switching stage of the active switching frequency mixer according to the change of the inductor value Lt. The graph shows that the phase difference between the intermodulation current and the main signal current is adjusted according to the inductor value.

도 5는 본 발명의 제1 실시예로서, 선형성이 향상된 단평형 능동 스위칭 주파수 혼합기를 예시하는 회로도이다.FIG. 5 is a circuit diagram illustrating a monolithic active switching frequency mixer with improved linearity as a first embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 제1 실시예인, 선형성이 향상된 단평형 능동 스위칭 주파수 혼합기에서 혼변조 전류가 상쇄되는 과정을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 6 is a diagram for describing a process of canceling intermodulation current in a monolithic active switching frequency mixer having improved linearity, which is a first embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 제2 실시예로서, 선형성이 개선된 이중 평형 능동 스위칭 주파수 혼합기를 예시하는 회로도이다.7 is a circuit diagram illustrating a dual balanced active switching frequency mixer with improved linearity as a second embodiment of the present invention.

도 8은 본 발명의 제2 실시예인 이중 평형 능동 스위칭 주파수 혼합기에서 공진 인덕터가 있는 경우와 없는 경우의, 3차 혼변조 전류 특성의 차이를 보인 그래프이다.FIG. 8 is a graph showing a difference between third-order intermodulation current characteristics with and without a resonant inductor in the dual balanced active switching frequency mixer according to the second embodiment of the present invention.

도 9는 본 발명의 제3 실시예로서, 선형성이 개선된 이중 평형 능동 스위칭 주파수 혼합기를 예시하는 또 다른 회로도이며, 특히, 트랜스컨덕턴스 단에서 3차 혼변조 전류의 위상을 미세 조절하여 더 높은 선형성을 확보하기 위해 보조 회로의 구성을 달리한 회로도이다.FIG. 9 is another circuit diagram illustrating a dual balanced active switching frequency mixer with improved linearity as a third embodiment of the present invention. In particular, the linearity of the third-order intermodulation current in the transconductance stage is finely adjusted for higher linearity. This is a circuit diagram of the configuration of the auxiliary circuit in order to secure.

본 발명은 FET를 사용한 능동 스위칭 주파수 혼합기에 관한 것으로서, 보다 상세히는, 능동 스위칭 주파수 혼합기의 선형성 개선을 위한 것이다.The present invention relates to an active switching frequency mixer using a FET, and more particularly, to improving the linearity of an active switching frequency mixer.

휴대용 무선 송, 수신기는 제한된 전력 소모 조건에서 혼변조에 의한 수신기 감도의 저하를 막기 위해 고선형성을 갖는 주파수 혼합기(mixer)를 필요로 한다. 주파수 혼합기는 일반적으로 입력 RF신호와 로컬 오실레이터(local oscillator: 이하 " LO" 라고 함)의 신호의 차[이것을 IF(Intermediate frequency: 중간주파수)라고 함]를 얻기 위한 장치이다.Portable wireless transmitters and receivers require frequency mixers with high linearity to prevent degradation of receiver sensitivity due to intermodulation under limited power consumption conditions. A frequency mixer is a device for obtaining the difference between an input RF signal and a signal of a local oscillator (hereinafter referred to as "LO"), which is called an intermediate frequency (IF).

주파수 혼합기의 선형화를 달성하기 위한 방안으로서 RF신호를 증폭하는 트랜스컨덕턴스(transconductance) 단의 선형성을 증가시키기 위하여 RF 증폭용 트랜지스터의 소스단을 축퇴(degeneration) 또는 입력전압에 따라 대칭되게 전류 미 러(current mirror)의 형태로 만드는 것이 많이 알려져 있는데, 가장 널리 사용되고 있는 주파수 혼합기는 길버트 셀 구조의 주파수 혼합기이다.In order to achieve the linearization of the frequency mixer, in order to increase the linearity of the transconductance stage for amplifying the RF signal, the source stage of the RF amplification transistor is symmetrically with the degeneration or the input voltage. It is widely known to form a current mirror, and the most widely used frequency mixer is a Gilbert cell structured frequency mixer.

도 1은 종래기술의 단평형 능동 스위칭 주파수 혼합기를 도시한 회로도이다. 도시된 종래기술의 단평형 능동 스위칭 주파수 혼합기는, 트랜스컨덕턴스 단(10) 및 스위칭 단(20)으로 이루어진다.1 is a circuit diagram illustrating a prior art monolithic active switching frequency mixer. The prior art monolithic active switching frequency mixer shown consists of a transconductance stage 10 and a switching stage 20.

여기서, 트랜스컨덕턴스 단(10)은, RF신호인 주신호(RFIN+) 에 응답하여 입력 RF 전압을 전류로 전환하여 주신호를 증폭한다. 또한, 스위칭 단(20)은, LO신호에 응답하여 스위칭되며, 제1 IF(IF+) 및 제2 IF(IF-)를 출력한다. Here, the transconductance stage 10 amplifies the main signal by converting the input RF voltage into a current in response to the main signal RFIN + which is an RF signal. The switching stage 20 is switched in response to the LO signal and outputs a first IF (IF +) and a second IF (IF−).

여기서, 트랜스컨덕턴스 단(10)을 구성하는 제1 트랜지스터(6)의 게이트 단에는 커패시터(4)가 연결되어, 이를 통하여 주신호(RFIN+)가 공급된다. 스위칭 단(20)에는 부하를 구성하는 저항 및 커패시터(28, 32, 34, 36)가 구비된다. 스위칭 단(20)에 구비된 제2 트랜지스터(14) 및 제3 트랜지스터(16)에는 소정의 위상차(180ㅀ)를 갖는 LO신호(LO+, LO-)가 차동적으로 인가된다.Here, the capacitor 4 is connected to the gate terminal of the first transistor 6 constituting the transconductance terminal 10, and the main signal RFIN + is supplied thereto. The switching stage 20 is provided with resistors and capacitors 28, 32, 34, 36 constituting the load. LO signals LO + and LO- having a predetermined phase difference 180 (are differentially applied to the second transistor 14 and the third transistor 16 provided in the switching stage 20.

이상과 같은 회로 구성을 갖는, 종래기술의 능동 스위칭 주파수 혼합기는, 입력된 주신호(RFIN+)에 의해 트랜스컨덕턴스 단(10)에서 전류가 발생되면, 차동 쌍인 제2 트랜지스터(14) 및 제3 트랜지스터(16)에 의해 LO신호와 주신호가 혼합되어 그 차인 IF신호들(RF-LO 또는 LO-RF)이 생성된다. 이때, 제1 트랜지스터(14)와 제2 트랜지스터(16) 각각의 드레인에 걸리는 IF 신호는 소정 위상차(180ㅀ)를 갖는다. The active switching frequency mixer of the related art having the above-described circuit configuration has a differential pair of second transistor 14 and third transistor when a current is generated in the transconductance stage 10 by the input main signal RFIN +. By 16, the LO signal and the main signal are mixed to generate IF signals (RF-LO or LO-RF) which are the differences. At this time, the IF signal applied to the drain of each of the first transistor 14 and the second transistor 16 has a predetermined phase difference (180 ㅀ).

이러한 종래기술의 능동 스위칭 주파수 혼합기는 트랜스컨덕턴스 단(10)의 제1 트랜지스터(6) 내의 비선형 성분(게이트단과 소스단의 커패시턴스 등)에 의해 RF신호의 밴드 내에 혼변조성분이 발생하게 된다. 이 혼변조성분은 결국, RF 주신호에 영향을 미쳐 스위칭 단(20)의 출력단(드레인)에 걸리는 RF 주신호의 밴드 내에 3차 혼변조 전류 성분이 생성된다. In the prior art active switching frequency mixer, intermodulation components are generated in a band of an RF signal by nonlinear components (eg, capacitance between gate and source terminals) in the first transistor 6 of the transconductance stage 10. This intermodulation component eventually affects the RF main signal to generate a third order intermodulation current component in the band of the RF main signal across the output stage (drain) of the switching stage 20.

따라서 종래에도 이와 같은 비선형성을 감소시키기 위한 회로 구성들이 제안된 바 있으나, 더 나아가서 본 발명자는 이러한 트랜스컨덕턴스 단(10)의 비선형성에 의해 유발되는 혼변조 전류 성분만을 고려하여서는 우수한 선형성을 달성하는 데에 한계가 있음을 관측하였다. 이는, 아래에서 상세히 살펴볼 바와 같이, 스위칭 단(20)에서 발생하는 혼변조 전류 성분 및 위상을 고려하지 않았기 때문이다.Therefore, although circuit configurations for reducing such nonlinearity have been proposed in the related art, the present inventors further consider that the intermodulation current component caused by the nonlinearity of the transconductance stage 10 achieves excellent linearity. It is observed that there is a limit to. This is because the intermodulation current component and the phase occurring in the switching stage 20 are not considered as will be described in detail below.

본 발명은 위와 같은 한계를 극복하기 위한 것으로, 능동 스위칭 주파수 혼합기에서 트랜스컨덕턴스 단에서 발생하는 3차 혼변조전류와 스위칭 단에서 발생하는 3차 혼변조 전류를 서로 서로 상쇄시켜 부하에 전달되는 전류성분이 주신호 전류성분만을 갖도록 하여 주파수 혼합기의 선형성을 개선하는 것을 목적으로 한다.The present invention is to overcome the above limitation, the current component delivered to the load by canceling the third intermodulation current generated in the transconductance stage and the third intermodulation current generated in the switching stage mutually in an active switching frequency mixer It is an object to improve the linearity of the frequency mixer by having only this main signal current component.

보다 상세히는, 본 발명은 두 개의 능동 소자로 구성된 스위칭 단의 회로에서 발생하는 혼변조 전류 성분의 위상을 조절하고, 트랜스컨덕턴스 단에서 발생하는 혼변조 전류의 부호와 크기를 조절하여 이들이 서로 상쇄되도록 함으로써, 선형성을 개선하고자 하는 것이다.More specifically, the present invention adjusts the phase of the intermodulation current component generated in the circuit of the switching stage consisting of two active elements, and adjusts the sign and magnitude of the intermodulation current generated in the transconductance stage so that they cancel each other out. This is to improve linearity.

또한, 본 발명은 능동 스위칭 주파수 혼합기에서 스위칭 단의 비선형성에 의 해 발생하는 3차 혼변조 전류의 위상이 주신호와 역 위상 관계(허용 오차범위: ±30°)를 유지하고, 트랜스컨덕턴스 단에서 발생하는 3차 혼변조 전류는 주신호와 동 위상의 관계(허용 오차범위: ±30°)를 유지할 수 있도록 하는 보조회로를 구현하는 것을 목적으로 한다.In addition, in the present invention, the phase of the third-order intermodulation current generated by the nonlinearity of the switching stage in the active switching frequency mixer maintains the inverse phase relationship (permissible error range: ± 30 °) with the main signal, and in the transconductance stage. The generated third-order intermodulation current aims to implement an auxiliary circuit to maintain the relationship between the main signal and the same phase (permissible error range: ± 30 °).

위와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제1 측면에 따른 능동 스위칭 주파수 혼합기는, 복수개의 능동 소자를 구비하고 하나 이상의 주 신호가 입력되는 트랜스컨덕턴스 단과, 상기 트랜스컨덕턴스 단에 결합되고 복수개의 능동 소자를 구비하고 하나 이상의 LO 신호가 입력되고 하나 이상의 IF 신호가 출력되는 스위칭 단을 포함하는 능동 스위칭 주파수 혼합기이며,The active switching frequency mixer according to the first aspect of the present invention for achieving the above object, a transconductance stage having a plurality of active elements and one or more main signals are input, coupled to the transconductance stage and a plurality of active elements An active switching frequency mixer comprising: a switching stage having one or more LO signals input thereto and one or more IF signals outputted;

상기 스위칭 단의 상기 복수개의 능동 소자 중 하나 이상의 능동 소자 쌍의 공통 소스 노드에 연결되는 공진 인덕터를 포함하는 것을 특징으로 한다.And a resonant inductor coupled to a common source node of at least one active element pair of the plurality of active elements of the switching stage.

바람직하게는, 상기 공진 인덕터는, 상기 스위칭 단에서 발생하는 제2 혼변조 전류가 상기 주신호 전류와 역 위상 관계(일반적인 허용 오차범위: ±30°)를 갖도록 설정되는 것이다.Preferably, the resonant inductor is set such that the second intermodulation current generated in the switching stage has a reverse phase relationship (general tolerance range: ± 30 °) with the main signal current.

또한, 상기 트랜스컨덕턴스 단은, 상기 주 신호 전류와 동 위상(허용 오차범위: ±30°)의 제1 혼변조 전류를 발생시켜 상기 스위칭 단으로 출력하기 위한 보 조 회로를 구비하는 것일 수 있다.The transconductance stage may include an auxiliary circuit for generating a first intermodulation current having the same phase as the main signal current (permissible error range: ± 30 °) and outputting the first intermodulation current to the switching stage.

나아가서, 상기 트랜스컨덕턴스 단은, 상기 주 신호 전류와 동 위상(허용 오차범위: ±30°)의 제1 혼변조 전류를 발생시켜 상기 스위칭 단으로 출력하기 위한 보조 회로를 구비하며, 상기 공진 인덕터는, 상기 스위칭 단에서 발생하는 제2 혼변조 전류가 상기 주신호 전류와 역 위상 관계(허용 오차범위: ±30°)를 갖도록 설정되어, 상기 제1 혼변조 전류와 상기 제2 혼변조 전류가 상쇄되도록 한 것일 수 있다.Furthermore, the transconductance stage includes an auxiliary circuit for generating a first intermodulation current having an in phase with the main signal current (permissible error range: ± 30 °) and outputting it to the switching stage. The second intermodulation current generated in the switching stage is set to have a reverse phase relationship (permissible error range: ± 30 °) with the main signal current, such that the first intermodulation current and the second intermodulation current cancel each other. It may be as possible.

구체적 응용에 따라, 상기 능동 스위칭 주파수 혼합기는 단 평형(single balanced) 혼합기일 수 있으며, 상기 트랜스컨덕턴스 단은 상기 주 신호 전류와 동 위상(허용 오차범위: ±30°)의 제1 혼변조 전류를 발생시켜 상기 스위칭 단으로 출력하기 위한 제1 능동 소자 및 제1' 능동 소자를 구비하고, 상기 제1 능동 소자 및 상기 제1' 능동 소자의 게이트에는 각각 독립된 바이어스 전압 및 주 신호 전압이 인가되는 것일 수 있다.According to a specific application, the active switching frequency mixer may be a single balanced mixer, and the transconductance stage may share a first intermodulation current in phase (tolerance range: ± 30 °) with the main signal current. And a first active element and a first 'active element for generating and outputting the switching stages, wherein independent bias voltages and main signal voltages are applied to gates of the first active element and the first' active element, respectively. Can be.

또한, 상기 제1 능동 소자 및 제1' 능동 소자의 게이트에 각각 인가되는 바이어스 전압은, 상기 제1 능동 소자를 강 반전 영역에서 동작시키고, 상기 제1' 능동 소자를 문턱 전압 영역에서 동작시키도록 설정되는 것일 수 있다.In addition, a bias voltage applied to the gates of the first active element and the first 'active element, respectively, may operate the first active element in a strong inversion region and operate the first' active element in a threshold voltage region. It may be set.

또한, 상기 스위칭 단은, 공통 소스 단자를 형성하는 제2 능동 소자와 제3 능동 소자를 구비하며, 상기 공진 인덕터는, 한쪽 단이 상기 공통 소스 단자에 연결되고, 다른 한쪽은 접지에 연결된 것일 수 있다.The switching stage may include a second active element and a third active element forming a common source terminal, and the resonant inductor may have one end connected to the common source terminal and the other connected to ground. have.

한편, 다른 응용을 위해, 상기 능동 스위칭 주파수 혼합기는, 이중 평형(double balanced) 혼합기일 수 있으며, 상기 스위칭 단은, 제1 공통 소스 단자를 형성하는 제3 능동 소자 및 제4 능동 소자, 제2 공통 소스 단자를 형성하는 제5 능동 소자 및 제6 능동 소자를 포함하고, 상기 공진 인덕터는 상기 제1 공통 소스 단자와 상기 제2 공통 소스 단자 사이에 결합되는 것일 수 있다.On the other hand, for other applications, the active switching frequency mixer may be a double balanced mixer, wherein the switching stage comprises: a third active element and a fourth active element, a second active element forming a first common source terminal; And a fifth active element and a sixth active element forming a common source terminal, wherein the resonant inductor may be coupled between the first common source terminal and the second common source terminal.

여기서, 상기 트랜스컨덕턴스 단은, 상기 제1 공통 소스 단자에 연결된 제1 능동 소자 및 제1' 능동 소자와, 상기 제2 공통 소스 단자에 연결된 제2 능동 소자 및 제2' 능동 소자를 구비하고, 상기 제1 능동 소자 및 상기 제2 능동 소자의 게이트에는, 상기 제1 능동 소자 및 상기 제2 능동 소자를 강 반전 영역에서 동작시키기 위한 바이어스 전압이 입력되고, 상기 제1' 능동 소자 및 상기 제2' 능동 소자의 게이트에는, 상기 제1' 능동 소자 및 상기 제2' 능동 소자를 문턱 전압 영역에서 동작시키기 위한 바이어스 전압이 입력되는 것일 수 있다.The transconductance stage may include a first active element and a first 'active element connected to the first common source terminal, a second active element and a second' active element connected to the second common source terminal, A bias voltage for operating the first active element and the second active element in the strong inversion region is input to the gates of the first active element and the second active element, and the first 'active element and the second active element are input. A bias voltage for operating the first active element and the second active element in a threshold voltage region may be input to a gate of an active element.

또 다른 예로는, 상기 트랜스컨덕턴스 단은, 상기 제1 공통 소스 단자에 연결된 제1 능동 소자 및 제2' 능동 소자와, 상기 제2 공통 소스 단자에 연결된 제1' 능동 소자 및 제2 능동 소자를 구비하고, 상기 제1 능동 소자 및 상기 제2 능동 소자의 게이트에는, 상기 제1 능동 소자 및 상기 제2 능동 소자를 강 반전 영역에서 동작시키기 위한 바이어스 전압과, 제1 주신호 및 제2 주신호가 각각 인가되고, 상기 제1' 능동 소자 및 상기 제2' 능동 소자의 게이트에는, 상기 제1' 능동 소자 및 상기 제2' 능동 소자를 문턱 전압 영역에서 동작시키기 위한 바이어스 전압 및 상기 제1 능동 소자 및 제2 능동 소자의 출력 전압이 각각 인가되는 것일 수 있다.In another example, the transconductance stage may include a first active element and a second 'active element connected to the first common source terminal, a first' active element and a second active element connected to the second common source terminal. And a bias voltage for operating the first active element and the second active element in a strong inversion region, a first main signal, and a second main signal at gates of the first active element and the second active element. Respectively applied to the gates of the first active element and the second active element; a bias voltage and the first active element for operating the first active element and the second active element in a threshold voltage region; And an output voltage of the second active element may be applied respectively.

본 발명의 제2 측면에 따른, 능동 스위칭 주파수 혼합기는, 트랜스컨덕턴스 단 및 스위칭 단을 포함하는 능동 스위칭 주파수 혼합기이며, 상기 트랜스컨덕턴스 단에 구비되고, 주 신호 전류와 동 위상(허용 오차범위: ±30°)의 제1 혼변조 전류를 발생시키는 회로 수단; 및 상기 스위칭 단에 구비되고, 상기 스위칭 단에서 발생한 제2 혼변조 전류가 상기 제1 혼변조 전류를 상쇄하도록 조정하는 회로 수단을 포함하는 것일 수 있다.According to a second aspect of the present invention, an active switching frequency mixer is an active switching frequency mixer including a transconductance stage and a switching stage, and is provided in the transconductance stage, and has a main signal current and a phase (permissible error range: ± Circuit means for generating a first intermodulation current of 30 [deg.]); And circuit means provided in the switching stage, and configured to adjust the second intermodulation current generated in the switching stage to cancel the first intermodulation current.

여기서 상기 제1 혼변조 전류를 상쇄하도록 조정하는 회로 수단은, 상기 제2 혼변조 전류가 상기 주신호 전류와 역 위상의 관계(허용 오차범위: ±30°)를 갖도록 하는 회로 수단을 포함하는 것일 수 있다.Wherein the circuit means for adjusting to cancel the first intermodulation current comprises circuit means for causing the second intermodulation current to have a relationship between the main signal current and an inverse phase (permissible error range: ± 30 °). Can be.

여기서, 상기 역 위상의 관계로 조정하는 회로 수단은, 상기 스위칭 단에 포함된 능동 소자 쌍의 공통 소스 단자에 연결되는 공진 인덕터일 수 있다.Here, the circuit means for adjusting in the reverse phase relationship may be a resonant inductor connected to the common source terminal of the active element pair included in the switching stage.

또한, 상기 제1혼변조 전류 발생용 회로 수단은, 주 신호 전류와 동 위상(허용 오차범위: ±30°)의 제1 혼변조 전류를 발생시켜 상기 스위칭 단으로 출력하기 위한 제1 능동 소자 및 제1' 능동 소자를 포함하는 것일 수 있으며, 이때, 상기 제1 능동 소자가 강 반전 영역에서 동작하고, 상기 제1' 능동 소자가 문턱 전압 영역에서 동작하도록, 각각의 게이트에 바이어스를 인가하기 위한 회로 수단을 더 포함할 수 있다.In addition, the first intermodulation current generation circuit means may include a first active element for generating a first intermodulation current having the same phase as a main signal current and an allowable error range of ± 30 ° and outputting the first intermodulation current to the switching stage; And a first 'active element, wherein the first active element operates in a strong inversion region and the first' active element operates in a threshold voltage region. It may further comprise a circuit means.

본 발명의 제3 측면에 따른 능동 스위칭 주파수 혼합기는, 복수개의 능동 소자를 구비하고 하나 이상의 주 신호가 입력되는 트랜스컨덕턴스 단과, 상기 트랜스컨덕턴스 단에 결합되고 복수개의 능동 소자를 구비하고 하나 이상의 LO 신호가 입력되고 하나 이상의 IF 신호가 출력되는 스위칭 단을 포함하며, 상기 트랜스컨덕턴스 단은, 상기 주 신호 전류와 동 위상(허용 오차범위: ±30°)의 제1 혼변조 전류를 발생시켜 상기 스위칭 단으로 출력하기 위한 보조 회로를 구비하는 것을 특징으로 한다.According to a third aspect of the present invention, an active switching frequency mixer includes a transconductance stage having a plurality of active elements and to which one or more main signals are input, and a plurality of active elements coupled to the transconductance stage and having at least one LO signal. And a switching stage to which one or more IF signals are output, wherein the transconductance stage generates a first intermodulation current having an in phase (tolerance range: ± 30 °) with the main signal current. It characterized in that it comprises an auxiliary circuit for outputting.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 관해 상세히 설명한다. 첨부된 도면 및 이하의 실시예는, 당업자의 용이한 이해를 도모하기 위해 구체적 회로 구성의 사례를 설명하고자 하는 것일 뿐, 본 발명의 기술 사상의 범위를 그에 한정하기 위한 것은 아니다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a preferred embodiment of the present invention. The accompanying drawings and the following embodiments are merely intended to describe examples of specific circuit configurations for easy understanding by those skilled in the art, and are not intended to limit the scope of the technical idea of the present invention.

도 2에 도시된 바와 같이, 트랜스컨덕턴스 단(10) 뿐만 아니라, 스위칭 단(20)에 의해서도 혼변조 성분이 발생할 수 있고, 최종적으로, 부하에는 두 성분이 합해져 전달된다. 트랜스컨덕턴스 단(10)에서 발생하는 3차 혼변조 전류(도 2, B 하단의 전류)는 제1 트랜지스터(6)의 3차 비선형 전압-전류 특성에 의해 발생하며, 이 제1 트랜지스터(6)는 주로 강한 반전 영역에서 동작하기 때문에 혼변조 전류는 도시된 바와 같이 음의 부호를 갖게 된다. 따라서 3차 혼변조 전류는 주신호 전류에 대해 역 위상을 갖는다.As shown in FIG. 2, the intermodulation component may be generated not only by the transconductance stage 10 but also by the switching stage 20, and finally, the two components are delivered to the load together. The third intermodulation current generated in the transconductance stage 10 (the current at the bottom of FIG. 2, B) is generated by the third order nonlinear voltage-current characteristic of the first transistor 6, and the first transistor 6 The intermodulation current has a negative sign as shown because it operates mainly in the strong inversion region. Thus, the third intermodulation current has a reverse phase with respect to the main signal current.

스위칭 단(20)에서 발생하는 3차 혼변조 전류(도 2, C 하단의 전류)는 저주파에서는 주신호 전류와 역위상 관계를 가지나, 주파수가 올라가면 스위칭 단의 트랜지스터(14, 16)의 소스 노드에 있는 기생 커패시턴스에 의해 위상이 주신호 전류와 역 위상의 관계로부터 어긋나게 되며 그 크기도 증가하게 된다.The third intermodulation current generated in the switching stage 20 (the current at the bottom of FIG. 2, C) has a reverse phase relationship with the main signal current at low frequencies, but as the frequency increases, the source node of the transistors 14 and 16 of the switching stage is increased. The parasitic capacitance at deviates the phase from the relationship between the main signal current and the reverse phase and increases its magnitude.

그러므로 스위칭 단(20)에서는 트랜스컨덕턴스 단(10)에서 발생되어 전달된 혼변조 전류(도 2, C의 중간)와 스위칭 단(20) 자체에서 발생한 혼변조 전류가 서로 상쇄되지 않는 문제점이 있게 된다.Therefore, in the switching stage 20, there is a problem that the intermodulation current generated in the transconductance stage 10 and transmitted (middle of FIGS. 2 and C) and the intermodulation current generated in the switching stage 20 do not cancel each other. .

도 3은 스위칭 쌍에서 발생하는 주기성 3차 비선형 계수의 값을 스위칭 쌍의 구동 전력의 크기에 대한 함수로 도시한 것이다. 도 3의 결과를 얻기까지 본 발명자는 다음과 같이 능동 스위칭 주파수 혼합기를 분석하였다.3 shows the value of the periodic third order nonlinear coefficients occurring in the switching pair as a function of the magnitude of the driving power of the switching pair. To obtain the result of FIG. 3, the inventor analyzed the active switching frequency mixer as follows.

능동 스위칭 주파수 혼합기에서 기생 캐패시턴스가 없다고 가정할 경우에, 최종 부하로 전달되는 혼변조 전류는 트랜스컨덕턴스 단(10)의 3차 비선형성에 의해 발생하는 3차 혼변조 전류항과, 스위칭 단(20)의 주기성 3차 비선형성에 의해 발생하는 혼변조 전류항의 합으로 주어지며, 따라서 혼변조 왜곡 량은 수식적으로는 다음 식으로 근사될 수 있다.Assuming no parasitic capacitance in the active switching frequency mixer, the intermodulation current delivered to the final load is the third intermodulation current term generated by the third order nonlinearity of the transconductance stage 10 and the switching stage 20. It is given by the sum of intermodulation current terms generated by the periodic third order nonlinearity of. Therefore, the amount of intermodulation distortion can be approximated by the following equation.

Figure 112006095636379-pat00001
Figure 112006095636379-pat00001

위 식에서

Figure 112006095636379-pat00002
는 각각 트랜스컨덕턴스 단의 선형 이득(트랜스컨덕턴스:
Figure 112006095636379-pat00003
)과
Figure 112006095636379-pat00004
의 2계 도함수인 3차 비선형 특성
Figure 112006095636379-pat00005
에 해당한다.
Figure 112006095636379-pat00006
는 각각 스위칭 단 내의 능동 소자 쌍의 1차 선형 전류 전달 특성과 3차 비선형 전류 전달 특성이다. 이때 트랜스컨덕턴스 단에 보조 소자를 이용하여
Figure 112006095636379-pat00007
의 값을 0으로 만드는 방법을 사용하더라도 전체 혼변조 전류를 어느 정도 줄일 수는 있을 것이나, 후단의 스위칭 쌍에서 발생하는 비선형 왜곡이 상존하기 때문에 주파수 혼합기의 선형성을 개선하는데 한계가 있다.From the stomach
Figure 112006095636379-pat00002
Are the linear gains of the transconductance stage, respectively.
Figure 112006095636379-pat00003
)and
Figure 112006095636379-pat00004
Third-order Nonlinear Characteristics of Second-order Derivatives of
Figure 112006095636379-pat00005
Corresponds to
Figure 112006095636379-pat00006
Are the primary linear current transfer characteristics and the tertiary nonlinear current transfer characteristics of the active element pair in the switching stage, respectively. In this case, by using an auxiliary element in the transconductance stage
Figure 112006095636379-pat00007
Even if the value of is set to 0, the overall intermodulation current can be reduced to some extent, but there is a limit to improving the linearity of the frequency mixer because nonlinear distortions occurring in the later switching pairs exist.

일반적으로 MOS 스위칭 쌍에 인가되는 바이어스 전류와 스위칭 쌍 구동신호의 전압 크기에 따라

Figure 112006095636379-pat00008
의 부호 및 크기가 변화함이 알려져 있는데, 도 3의 결과를 보면 통상의 구동 파라미터 영역에서
Figure 112006095636379-pat00009
(45)의 부호는 음(-)이 됨을 확인할 수 있다. 그러므로 능동 스위칭 주파수 혼합기의 일반적인 설계에서, 능동소자의 기 생 커패시턴스를 무시할 경우, 스위칭 쌍에 의해 발생하는 3차 혼변조 전류성분은 음이 되어, 원래의 기본 주파수 전류성분과 역위상의 관계를 갖게 된다.Generally, the bias current applied to the MOS switching pair and the voltage magnitude of the switching pair driving signal
Figure 112006095636379-pat00008
It is known that the sign and the size of are changed. Referring to the result of FIG.
Figure 112006095636379-pat00009
It can be seen that the sign of (45) becomes negative (-). Therefore, in the general design of an active switching frequency mixer, when neglecting the parasitic capacitance of an active element, the third-order intermodulation current generated by the switching pair becomes negative, which has an inverse relationship with the original fundamental frequency current component. do.

따라서, 기생 커패시턴스를 무시할 경우, 이러한 음의 3차 비선형 특성을 갖는 스위칭 쌍에서 발생하는 3차 혼변조 전류 성분을 트랜스컨덕턴스 단에서 발생하는 3차 혼변조 전류 성분으로 상쇄시키는 것이 가능하게 되고, 부하에 전달되는 3차 혼변조 왜곡 전류 성분을 0으로 만들어 최종 부하에는 선형 전류 성분만 전달할 수 있게 된다. Therefore, when the parasitic capacitance is ignored, it is possible to cancel the third-order intermodulation current component generated in the switching pair having such negative tertiary nonlinearity by the third-order intermodulation current component generated in the transconductance stage, and the load By setting the third-order intermodulation distortion current component to be zero, only the linear current component can be delivered to the final load.

즉, 기본적으로 스위칭 쌍의 바이어스 전류와 국부 발진기의 출력을 조절하면

Figure 112006095636379-pat00010
의 값을 변화시킬 수 있는데, 특히 통상의 구동 영역에서는
Figure 112006095636379-pat00011
는 음의 값을 갖는다. 또한,
Figure 112006095636379-pat00012
은 양의 값을 갖기 때문에
Figure 112006095636379-pat00013
의 크기를 조절하고,
Figure 112006095636379-pat00014
가 양의 값을 갖도록 조절하면 위의 수학식에서 IM3의 값을 상쇄시킬 수 있는 것이다.
Figure 112006095636379-pat00015
Figure 112006095636379-pat00016
의 비는 소자의 크기가 결정되면 고정되기 때문에, 위 수학식 1의 값을 0으로 만들기 위해서는
Figure 112006095636379-pat00017
의 값을 일정하게 한 상태에서
Figure 112006095636379-pat00018
의 값을 독립적으로 부호와 크기를 조절하는 방법이 필요하다.In other words, basically adjusting the bias current of the switching pair and the output of the local oscillator
Figure 112006095636379-pat00010
Can be changed, especially in the normal driving range.
Figure 112006095636379-pat00011
Has a negative value. Also,
Figure 112006095636379-pat00012
Has a positive value
Figure 112006095636379-pat00013
To resize,
Figure 112006095636379-pat00014
Is adjusted to have a positive value, it is possible to cancel the value of IM3 in the above equation.
Figure 112006095636379-pat00015
and
Figure 112006095636379-pat00016
Since the ratio of is fixed when the size of the device is determined, to make the value of Equation 1 above 0
Figure 112006095636379-pat00017
With the value of constant
Figure 112006095636379-pat00018
We need a way to control the sign and scale independently of the value of.

또한, 실제 MOS 소자에서는 기생 커패시턴스 성분이 0이 아니므로, 혼변조 전류에 위상 차이가 발생하게 되고, 그에 따라 더욱 선형화 성능을 개선하기 위해서는 이를 해결할 수 있는 방안이 필요하고, 이러한 위상 차이가 나타나는 고주파 영역에서도 스위칭 단에서 발생하는 혼변조 전류의 위상을 역 위상으로 유지할 수 있는 방법이 더 요구된다.In addition, since the parasitic capacitance component is not zero in an actual MOS device, a phase difference occurs in the intermodulation current, and accordingly, a method to solve this problem is required to further improve the linearization performance. There is a further need for a method capable of maintaining the phase of the intermodulation current generated in the switching stage in the reverse phase even in the region.

도 4는 스위칭 쌍의 공통 소스 노드의 기생 커패시턴스 Cp가 존재할 경우, 그 노드에 접지로 인덕터를 달 경우 혼변조전류와 주신호 전류의 위상 차이를 인덕턴스 값의 변화에 대해 도시한 것이다. 인덕턴스가 무한히 큰 경우가 인덕터가 없는 경우와 동일하므로 인덕터가 없는 경우 혼변조 전류 성분이 주 신호 전류 성분에 대해 더 이상 180도 위상관계를 유지하지 않음을 확인할 수 있다.FIG. 4 illustrates the phase difference between the intermodulation current and the main signal current when the parasitic capacitance Cp of the common source node of the switching pair is present, and when the inductor is connected to ground, for a change in inductance value. The infinitely large inductance is the same as the absence of the inductor, so it can be seen that the intermodulation current component no longer maintains a 180 degree phase relationship with the main signal current component without the inductor.

따라서, 상술한 트랜스컨덕턴스 단과 스위칭 단의 비선형 계수 조절과 함께, 이러한 위상차의 문제까지도 극복하면, 보다 능동 스위칭 주파수 혼합기의 선형화 정도를 높일 수 있다.Accordingly, in addition to the above-described nonlinear coefficient adjustment of the transconductance stage and the switching stage, the degree of linearization of the active switching frequency mixer can be increased.

이상과 같은 능동 스위칭 주파수 혼합기의 특성에 관한 관측을 통하여, 본 발명자는 다음과 같은 실시예의 회로 구성을 제안한다.By observing the characteristics of the active switching frequency mixer as described above, the present inventor proposes the circuit configuration of the following embodiment.

도 5는 본 발명의 제1 실시예로서, 선형성이 향상된 단평형 능동 스위칭 주파수 혼합기를 예시하는 회로도이다.FIG. 5 is a circuit diagram illustrating a monolithic active switching frequency mixer with improved linearity as a first embodiment of the present invention.

도 1의 종래기술의 단평형 능동 스위칭 주파수 혼합기와 대비하면서 차이점을 설명하면, 실시예의 회로 구성은, 트랜스컨덕턴스 단(110)에 제1' 트랜지스터(105)가 병렬 연결되어 있고, 원 신호(RFIN)가 제1 트랜지스터(6) 및 제1' 트랜지스터(105)의 게이트에 공통 입력된다. 제1 트랜지스터(6) 및 제1' 트랜지스터(105)는 각각 바이어스가 독립적으로 조절되며, 이를 위한 바이어스 공급부(107, 108)가 구비된다.In contrast to the prior art monolithic active switching frequency mixer of FIG. 1, the difference is described. In the circuit configuration of the embodiment, the first 'transistor 105 is connected in parallel to the transconductance stage 110, and the original signal RFIN ) Is commonly input to the gates of the first transistor 6 and the first 'transistor 105. The bias of the first transistor 6 and the first 'transistor 105 is independently adjusted, and bias supplies 107 and 108 are provided for this purpose.

바이어스 공급부(107, 108)에서는 제1 트랜지스터(6)는 강 반전 영역에서 동작하고, 제1' 트랜지스터(105)는 문턱 전압 부근의 영역에서 동작하도록 제어하기 위한 바이어스 전압을 공급한다. 여기서 도 1의 종래 기술에 비하여 추가된 회로 구성(103, 105, 108)은 트랜스컨덕턴스 단(110)의 혼변조 전류가 양의 부호를 갖도록 하기 위한 '보조 회로'를 구성한다.In the bias supply units 107 and 108, the first transistor 6 operates in the strong inversion region, and the first 'transistor 105 supplies a bias voltage for controlling to operate in the region near the threshold voltage. Here, the circuit arrangements 103, 105, and 108 added in comparison with the prior art of FIG. 1 constitute an 'auxiliary circuit' so that the intermodulation current of the transconductance stage 110 has a positive sign.

또한, 본 실시예의 스위칭 단(120)에는 제2 트랜지스터(14) 및 제2 트랜지스터(16)의 공통 소스 단자에 공진 인덕터(111)가 부가된다. 상기 공진 인덕터(111)의 한 쪽 단은 교류 접지 노드에 연결되어 있다. 이러한 공진 인덕터(111)는 이미 상술한 바와 같이, 스위칭 단(120)의 기생 커패시턴스까지도 고려하여 스위칭 단(120)에서 발생하는 혼변조 전류의 위상차를 보상하기 위한 것이다.In addition, a resonant inductor 111 is added to the common source terminal of the second transistor 14 and the second transistor 16 in the switching stage 120 of the present embodiment. One end of the resonant inductor 111 is connected to an AC ground node. As described above, the resonant inductor 111 compensates for the phase difference of the intermodulation current generated in the switching stage 120 in consideration of the parasitic capacitance of the switching stage 120.

도 6은 이와 같은 본 발명의 제1 실시예인, 선형성이 향상된 단평형 능동 스위칭 주파수 혼합기에서 혼변조 전류가 상쇄되는 과정을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 6 is a diagram for describing a process of canceling intermodulation current in a linear active switching frequency mixer having improved linearity, which is a first embodiment of the present invention.

입력된 원 신호(A')는 트랜스컨덕턴스 단(110)의 제1 트랜지스터(6) 및 제1' 트랜지스터(105)를 경유하고, 출력 전류에는 각각 양의 혼변조 성분과 음의 혼변조 성분이 나타나게 된다(B', C'). 이때, 도 6에 도시된 바와 같이 양의 혼변조 성분이 우세할 경우, 트랜스컨덕턴스 단(110)의 최종 출력에는 주 신호 전류 성분과 함께, 그와 동 위상의 양의 혼변조 전류 성분이 나타나게 된다(D').The input original signal A 'passes through the first transistor 6 and the first' transistor 105 of the transconductance stage 110, and the output current has positive intermodulation components and negative intermodulation components, respectively. (B ', C'). In this case, as shown in FIG. 6, when the positive intermodulation component prevails, the positive output of the transconductance stage 110 together with the main signal current component, and the positive intermodulation current component of the same phase appear. (D ').

이러한 전류 성분들은 스위칭 단(120)을 거치면, LO 주파수가 혼합되는데, 스위칭 단(120)에서 발생하는 혼변조 전류 성분은 인덕터에 의하여 위상이 보정되어 주 신호 전류 성분과 180도의 위상차를 갖게 되고, 트랜스컨덕턴스 단(110)에서 발생하여 전달된 혼변조 전류 성분과도 180도의 위상차를 가지므로 양자가 정확하게 상쇄될 수 있는 것이다(F').These current components pass through the switching stage 120, the LO frequency is mixed, the intermodulation current component generated in the switching stage 120 is phase-corrected by the inductor to have a phase difference of 180 degrees with the main signal current component, Since the phase difference of the intermodulation current generated and transmitted from the transconductance stage 110 has a 180 degree, the two can be accurately canceled (F ').

이는 회로를 구성하는 능동 소자인 FET가 약한 반전영역에서는 양의 3차 비선형성을 갖고 있기 때문에 가능하다. 이를 통해 트랜스컨덕턴스 단(110)에서 발생하는 총 3차 혼변조 전류 성분이 양의 부호를 갖도록 조절할 수 있다.This is possible because the active element constituting the circuit has a positive third order nonlinearity in the weak inversion region. Through this, the total third-order intermodulation current components generated in the transconductance stage 110 may be adjusted to have a positive sign.

이상 설명한 바와 같이, 스위칭 단(120)에는 인덕터를 달고, 트랜스컨덕턴스 단(110)에는 보조 회로(FET 등)를 추가하면 스위칭 단에서 발생하는 3차 혼변조 전류의 위상은 주신호 전류와 역 위상으로, 트랜스컨덕턴스 단에서 발생하는 3차 혼변조 전류는 주신호 전류와 동 위상으로 조절할 수 있게 된다. 아울러, 보조 회로 내의 FET의 크기 등을 조정하여 이 역 위상 관계를 갖는 두 혼변조 성분의 크기가 서로 동일하도록 설계함으로써, 최종적으로 주파수 혼합기의 부하에 전달되는 전류 성분에서 3차 혼변조 전류 성분을 상쇄시켜 주파수 혼합기의 높은 선형 특성을 달성할 수 있게 되는 것이다. As described above, when an inductor is attached to the switching stage 120, and an auxiliary circuit (FET, etc.) is added to the transconductance stage 110, the phase of the tertiary intermodulation current generated in the switching stage is inverse to that of the main signal current. As a result, the third intermodulation current generated in the transconductance stage can be adjusted in phase with the main signal current. In addition, by adjusting the size of the FET in the auxiliary circuit and the like so that the sizes of the two intermodulation components having the reverse phase relationship are the same, the third intermodulation current component is finally reduced from the current component delivered to the load of the frequency mixer. This can be achieved by achieving high linearity characteristics of the frequency mixer.

이러한 본 발명의 기술적 사상은, 다양한 응용에 따라 변형 적용될 수 있다. 도 7은 본 발명의 제2 실시예로서, 선형성이 개선된 이중 평형 능동 스위칭 주파수 혼합기를 예시하는 회로도이다.The technical idea of the present invention can be modified and applied according to various applications. 7 is a circuit diagram illustrating a dual balanced active switching frequency mixer with improved linearity as a second embodiment of the present invention.

실시예의 이중 평형 능동 스위칭 주파수 혼합기는, 트랜스컨덕턴스 단(210)으로 차동 입력되는 주 신호(RFIN+, RFIN-)가 각각 커패시터(203, 204, 213, 214)를 거쳐, 제1 트랜지스터(206), 제1' 트랜지스터(205), 제2 트랜지스터(216), 제2' 트랜지스터(215)의 게이트 단자로 입력된다.In the dual balanced active switching frequency mixer of the embodiment, the main signals RFIN + and RFIN-, which are differentially input to the transconductance stage 210, are respectively passed through the capacitors 203, 204, 213, and 214, and thus the first transistor 206, It is input to the gate terminals of the first 'transistor 205, the second transistor 216, and the second' transistor 215.

제1 트랜지스터(206) 및 제2 트랜지스터(216)는 각각 강 반전 영역에서 동작하도록 바이어스 공급부(207, 218)에 의해 바이어스가 인가되며, 제1' 트랜지스터(205) 및 제2' 트랜지스터(215)는 각각 문턱 전압 부근의 영역에서 동작하도록 바이어스 공급부(208, 217)에 의해 바이어스가 인가된다.The first transistor 206 and the second transistor 216 are biased by the bias supplies 207 and 218 so as to operate in the strong inversion region, respectively, and the first 'transistor 205 and the second' transistor 215 are applied. The bias is applied by the bias supplies 208 and 217 to operate in the region near the threshold voltage, respectively.

이러한 트랜스컨덕턴스 단(210)에 구비된 보조 회로의 기본적인 작동 원리는 위에 설명한 제1 실시예와 동일하며, 트랜스컨덕턴스 단(210)에서 출력되는 혼변조 신호가 양의 부호를 갖도록 하기 위한 것이다.The basic operation principle of the auxiliary circuit provided in the transconductance stage 210 is the same as that of the first embodiment described above, and is intended to make the intermodulation signal output from the transconductance stage 210 have a positive sign.

한편, 제1 실시예와는 달리 공진 인덕터(221)는, 제3 트랜지스터(226) 및 제4 트랜지스터(228)의 공통 소스 단자와, 제5 트랜지스터(232) 및 제6 트랜지스터(234)의 공통 소스 단자 사이에 연결된다. 이 경우에도 역시, 공진 인덕터(221)는 스위칭 단(220)의 기생 커패시턴스에 의한 혼변조 전류 성분의 위상차를 보정하기 위한 것이고, 그 결과, 트랜스컨덕턴스 단(210)에서 출력되는 혼변조 전류 성분과, 스위칭 단(220)에서 출력되는 혼변조 성분은 상쇄될 수 있게 된다.On the other hand, unlike the first embodiment, the resonant inductor 221 has the common source terminal of the third transistor 226 and the fourth transistor 228, and the common of the fifth transistor 232 and the sixth transistor 234. It is connected between the source terminals. Also in this case, the resonant inductor 221 is for correcting the phase difference of the intermodulation current component due to the parasitic capacitance of the switching stage 220. As a result, the resonant inductor 221 and the intermodulation current component output from the transconductance stage 210 are used. The intermodulation component output from the switching stage 220 may be canceled out.

기타 회로의 동작은 일반적인 이중 평형 능동 스위칭 주파수 혼합기의 작동과 큰 차이가 없으므로 상세한 설명은 생략한다.The operation of the other circuits is not significantly different from the operation of a general double balanced active switching frequency mixer, and thus the detailed description is omitted.

도 8은 상술한 본 발명의 제2 실시예인 이중 평형 능동 스위칭 주파수 혼합기에서 공진 인덕터가 있는 경우와 없는 경우의, 3차 혼변조 전류 특성의 차이를 보인 그래프이다. 도시된 바와 같이, 공진 인덕터(221)를 부가한 경우와 그렇지 않은 경우에, 주 신호의 출력은 큰 차이를 보이지 않은 반면(a: 공진 인덕터를 부가한 경우의 주 신호 출력, b: 공진 인덕터가 없는 경우의 주 신호 출력), 혼변조 전류 성분의 출력은 매우 현저한 차이를 보임이 관측되었다(c: 공진 인덕터를 부가한 경우의 혼변조 성분의 출력, d: 공진 인덕터가 없는 경우의 혼변조 성분의 출력). 이와 같이, 공진 인덕터를 부가함으로써, 트랜스컨덕턴스 단에서 발생한 혼변조 전류 성분과 스위칭 단에서 발생한 혼변조 전류 성분이 상쇄되어 더욱 높은 선형성을 얻을 수 있었다.FIG. 8 is a graph showing a difference between third-order intermodulation current characteristics with and without a resonant inductor in the dual balanced active switching frequency mixer according to the second embodiment of the present invention. As shown, when the resonant inductor 221 is added or not, the output of the main signal does not show a big difference (a: the main signal output when the resonant inductor is added, and b: the resonant inductor is It is observed that the output of the intermodulation current component shows no significant difference (c: the output of the intermodulation component when a resonant inductor is added, and d: the intermodulation component without a resonant inductor). Output). In this way, by adding the resonant inductor, the intermodulation current component generated in the transconductance stage and the intermodulation current component generated in the switching stage are canceled to obtain higher linearity.

도 9는 본 발명의 제3 실시예로서, 위와 같이 보조 트랜지스터를 사용하여 혼변조 전류를 주신호 전류와 동위상으로 만든다고 하더라도, 고주파에서는 트랜스컨덕턴스 단에서 발생하는 혼변조 전류와 주신호 전류가 대체로 동위상에 가까운 관계를 유지하지만, 능동소자의 캐패시턴스에 의한 피드백에 의해 동위상 관계에서 다소 벗어나게 되는 현상이 발생한다.FIG. 9 is a third embodiment of the present invention. Even when the intermodulation current is in phase with the main signal current using the auxiliary transistor as described above, the intermodulation current and the main signal current generated in the transconductance stage are generally high frequency. Although the in-phase relationship is maintained, a phenomenon arises that the in-phase relationship is somewhat deviated by the feedback of the capacitance of the active element.

종국적으로는 트랜스컨덕턴스 단에서 발생하는 혼변조 전류와 스위칭 단에서 발생하는 혼변조전류가 역상관계를 유지하는 것이 최종적인 목적인 바 이를 위해 트랜스컨덕턴스단의 혼변조 전류의 위상을 미세 조정하여 스위칭 단에서 발생하는 혼변조 전류와 보다 정확히 역상을 맞추기 위한 수단이 강구될 수 있다.Ultimately, the final purpose is to maintain the reverse phase relationship between the intermodulation current generated in the transconductance stage and the intermodulation current generated in the switching stage. For this purpose, the phase of the intermodulation current of the transconductance stage is finely adjusted. Means can be taken to more accurately reverse the phase with the intermodulation currents that occur.

이를 위하여 도 9에 나타낸 바와 같이 인덕터(Lg)가 게이트 입력단에 부가될 수 있으며, 필요에 따라서는 제2 인덕터(Ls)가 부가되어 사용될 수도 있다. 또한, 입력단 및 트랜스단의 공통소스 단에 붙은 인덕터들의 인덕턴스는 그 값을 작은 값 을 유지하되 적절히 값을 조절하여 상기 위상차의 미세 조정이 가능하도록 사용될 수 있다(예를 들어 도 4 참조).For this purpose, as shown in FIG. 9, an inductor Lg may be added to the gate input terminal, and a second inductor Ls may be added and used as necessary. Inductances of the inductors attached to the common source terminal of the input terminal and the transformer terminal may be used to maintain the small value but to adjust the value appropriately so as to finely adjust the phase difference (see, for example, FIG. 4).

도 9에서 인덕터(Lg)와 제2 인덕터(Ls)를 제외하고는 나머지 회로 구성은 도 7의 제2 실시예의 회로 구성과 차이가 없으므로 다른 부분의 상세한 설명은 생략한다.In FIG. 9, except for the inductor Lg and the second inductor Ls, the remaining circuit configuration is not different from the circuit configuration of the second embodiment of FIG. 7, and thus detailed descriptions of other parts will be omitted.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 청구범위 기재의 범위 내에 있게 된다.Although the preferred embodiments of the present invention have been shown and described above, the present invention is not limited to the above-described specific embodiments, and the present invention is not usually limited to the scope of the present invention as claimed in the claims. Anyone skilled in the art can make various modifications, as well as such modifications are within the scope of the claims.

본 발명에 의하여, 능동 스위칭 주파수 혼합기에서 트랜스컨덕턴스 단의 3차 비선형성을 양의 값으로 조절하고, 스위칭 단의 비선형성을 음으로 조절하여 혼변조 전류 성분을 상쇄시킴으로써 주파수 혼합기에서 발생하는 선형성을 개선하는 효과를 얻을 수 있다.According to the present invention, the linearity generated in the frequency mixer by canceling the intermodulation current component by adjusting the third order nonlinearity of the transconductance stage to a positive value in the active switching frequency mixer, and negatively adjusting the nonlinearity of the switching stage. The effect of improving can be obtained.

또한, 본 발명에 의하여, 스위칭 단의 공통 소스 노드에 인덕터를 사용하여 기생 커패시턴스에 의해 발생하는 혼변조 전류의 위상 변환을 최소화함으로써, 스위칭 단에서 발생하는 혼변조전류의 위상이 고주파에서도 주 신호 전류와 역상을 유지하도록 하는 효과를 얻을 수 있다. 특히, 이를 통해 주파수 혼합기의 선형성을 10dB 이상 개선할 수 있다는 사실이 확인되었다.In addition, the present invention minimizes the phase shift of the intermodulation current generated by the parasitic capacitance by using an inductor at the common source node of the switching stage, so that the phase of the intermodulation current generated in the switching stage is high even at a high frequency. The effect is to maintain the reverse phase with. In particular, it was found that the linearity of the frequency mixer can be improved by more than 10dB.

Claims (16)

복수개의 능동 소자를 구비하고 하나 이상의 주 신호가 입력되는 트랜스컨덕턴스 단과, 상기 트랜스컨덕턴스 단에 결합되고 복수개의 능동 소자를 구비하고 하나 이상의 LO 신호가 입력되고 하나 이상의 IF 신호가 출력되는 스위칭 단을 포함하는 능동 스위칭 주파수 혼합기에 있어서,A transconductance stage having a plurality of active elements and having at least one main signal input thereto, and a switching stage coupled to the transconductance stage, having a plurality of active elements, having at least one LO signal input and at least one IF signal being outputted; Active switching frequency mixer, 상기 스위칭 단의 상기 복수개의 능동 소자 중 하나 이상의 능동 소자 쌍의 공통 소스 노드에 연결되는 공진 인덕터를 포함하는 것을 특징으로 하는 능동 스위칭 주파수 혼합기.And a resonant inductor coupled to a common source node of at least one pair of active elements of said plurality of active elements of said switching stage. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 공진 인덕터는, The resonant inductor, 상기 스위칭 단에서 발생하는 제2 혼변조 전류가 상기 주신호 전류와 역 위상 관계를 갖도록 설정되는 것을 특징으로 하는 능동 스위칭 주파수 혼합기.And the second intermodulation current generated in the switching stage is set to have a reverse phase relationship with the main signal current. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 트랜스컨덕턴스 단은,The transconductance stage, 상기 주 신호 전류와 동 위상의 제1 혼변조 전류를 발생시켜 상기 스위칭 단으로 출력하기 위한 보조 회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 능동 스위칭 주파수 혼합기.And an auxiliary circuit for generating a first intermodulation current in phase with said main signal current and outputting it to said switching stage. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 트랜스컨덕턴스 단은,The transconductance stage, 상기 주 신호 전류와 동 위상의 제1 혼변조 전류를 발생시켜 상기 스위칭 단으로 출력하기 위한 보조 회로를 구비하며,An auxiliary circuit for generating a first intermodulation current co-phase with the main signal current and outputting the same to the switching stage; 상기 공진 인덕터는,The resonant inductor, 상기 스위칭 단에서 발생하는 제2 혼변조 전류가 상기 주신호 전류와 역 위상 관계를 갖도록 설정되어,The second intermodulation current generated in the switching stage is set to have a reverse phase relationship with the main signal current, 상기 제1 혼변조 전류와 상기 제2 혼변조 전류가 상쇄되도록 한 것을 특징으로 하는 능동 스위칭 주파수 혼합기.And the first intermodulation current and the second intermodulation current cancel each other. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 능동 스위칭 주파수 혼합기는 단 평형(single balanced) 혼합기이며, The active switching frequency mixer is a single balanced mixer, 상기 트랜스컨덕턴스 단은 상기 주 신호 전류와 동 위상의 제1 혼변조 전류를 발생시켜 상기 스위칭 단으로 출력하기 위한 제1 능동 소자 및 제1' 능동 소자를 구비하고, 상기 제1 능동 소자 및 상기 제1' 능동 소자의 게이트에는 각각 독립된 바이어스 전압 및 주 신호 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 능동 스위칭 주파수 혼합기.The transconductance stage includes a first active element and a first 'active element for generating a first intermodulation current in phase with the main signal current and outputting the same to the switching stage. An active switching frequency mixer, characterized in that the independent bias voltage and the main signal voltage is applied to the gate of the 1 'active element. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 제1 능동 소자 및 제1' 능동 소자의 게이트에 각각 인가되는 바이어스 전압은, 상기 제1 능동 소자를 강 반전 영역에서 동작시키고, 상기 제1' 능동 소자를 문턱 전압 영역에서 동작시키도록 설정되는 것을 특징으로 하는 능동 스위칭 주파수 혼합기.A bias voltage applied to the gates of the first active element and the first 'active element, respectively, is set to operate the first active element in a strong inversion region and to operate the first' active element in a threshold voltage region. Active switching frequency mixer. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 스위칭 단은, 공통 소스 단자를 형성하는 제2 능동 소자와 제3 능동 소자를 구비하며, The switching stage includes a second active element and a third active element forming a common source terminal, 상기 공진 인덕터는, 한쪽 단이 상기 공통 소스 단자에 연결되고, 다른 한쪽은 접지에 연결된 것을 특징으로 하는 능동 스위칭 주파수 혼합기.And wherein the resonant inductor has one end connected to the common source terminal and the other end connected to ground. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 능동 스위칭 주파수 혼합기는 이중 평형(double balanced) 혼합기이며, The active switching frequency mixer is a double balanced mixer, 상기 스위칭 단은, 제1 공통 소스 단자를 형성하는 제3 능동 소자 및 제4 능동 소자, 제2 공통 소스 단자를 형성하는 제5 능동 소자 및 제6 능동 소자를 포함하고,The switching stage includes a third active element and a fourth active element forming a first common source terminal, a fifth active element and a sixth active element forming a second common source terminal, 상기 공진 인덕터는 상기 제1 공통 소스 단자와 상기 제2 공통 소스 단자 사이에 결합되는 것을 특징으로 하는 능동 스위칭 주파수 혼합기.The resonant inductor is coupled between the first common source terminal and the second common source terminal. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 트랜스컨덕턴스 단은, 상기 제1 공통 소스 단자에 연결된 제1 능동 소자 및 제1' 능동 소자와, 상기 제2 공통 소스 단자에 연결된 제2 능동 소자 및 제2' 능동 소자를 구비하고, The transconductance stage includes a first active element and a first 'active element connected to the first common source terminal, a second active element and a second' active element connected to the second common source terminal, 상기 제1 능동 소자 및 상기 제2 능동 소자의 게이트에는, 상기 제1 능동 소자 및 상기 제2 능동 소자를 강 반전 영역에서 동작시키기 위한 바이어스 전압이 입력되고, A bias voltage for operating the first active element and the second active element in the strong inversion region is input to the gates of the first active element and the second active element, 상기 제1' 능동 소자 및 상기 제2' 능동 소자의 게이트에는, 상기 제1' 능동 소자 및 상기 제2' 능동 소자를 문턱 전압 영역에서 동작시키기 위한 바이어스 전압이 입력되는 것을 특징으로 하는 능동 스위칭 주파수 혼합기.An active switching frequency input to a gate of the first active element and the second active element, a bias voltage for operating the first active element and the second active element in a threshold voltage region; Mixer. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 트랜스컨덕턴스 단은, 상기 제1 공통 소스 단자에 연결된 제1 능동 소자 및 제2' 능동 소자와, 상기 제2 공통 소스 단자에 연결된 제1' 능동 소자 및 제2 능동 소자를 구비하고, The transconductance stage includes a first active element and a second 'active element connected to the first common source terminal, a first' active element and a second active element connected to the second common source terminal, 상기 제1 능동 소자 및 상기 제2 능동 소자의 게이트에는, 상기 제1 능동 소자 및 상기 제2 능동 소자를 강 반전 영역에서 동작시키기 위한 바이어스 전압과, 제1 주신호 및 제2 주신호가 각각 인가되고,To the gates of the first active element and the second active element, a bias voltage, a first main signal and a second main signal for operating the first active element and the second active element in the strong inversion region are applied, respectively. , 상기 제1' 능동 소자 및 상기 제2' 능동 소자의 게이트에는, 상기 제1' 능동 소자 및 상기 제2' 능동 소자를 문턱 전압 영역에서 동작시키기 위한 바이어스 전압 및 상기 제1 능동 소자 및 제2 능동 소자의 출력 전압이 각각 인가되는 것을 특 징으로 하는 능동 스위칭 주파수 혼합기.A gate of the first active element and the second active element may include a bias voltage for operating the first active element and the second active element in a threshold voltage region, and the first active element and the second active element. Active switching frequency mixer, characterized in that the output voltage of the device is applied respectively. 트랜스컨덕턴스 단 및 스위칭 단을 포함하는 능동 스위칭 주파수 혼합기에 있어서,In an active switching frequency mixer comprising a transconductance stage and a switching stage, 상기 트랜스컨덕턴스 단에 구비되고, 주 신호 전류와 동 위상의 제1 혼변조 전류를 발생시키는 회로 수단; 및Circuit means provided at the transconductance stage, the circuit means for generating a first intermodulation current in phase with a main signal current; And 상기 스위칭 단에 구비되고, 상기 스위칭 단에서 발생한 제2 혼변조 전류가 상기 제1 혼변조 전류를 상쇄하도록 조정하는 회로 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 능동 스위칭 주파수 혼합기.And circuit means provided in said switching stage, said circuit means for adjusting a second intermodulation current generated in said switching stage to cancel said first intermodulation current. 제11항에 있어서,The method of claim 11, 상기 제1 혼변조 전류를 상쇄하도록 조정하는 회로 수단은, 상기 제2 혼변조 전류가 상기 주신호 전류와 역 위상의 관계를 갖도록 하는 회로 수단을 포함하는 것임을 특징으로 하는 능동 스위칭 주파수 혼합기. And circuit means for adjusting the first intermodulation current to cancel, comprising circuit means for causing the second intermodulation current to have a reverse phase relationship with the main signal current. 제12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 역 위상의 관계로 조정하는 회로 수단은, 상기 스위칭 단에 포함된 능동 소자 쌍의 공통 소스 단자에 연결되는 공진 인덕터인 것을 특징으로 하는 능동 스위칭 주파수 혼합기.And circuit means for adjusting in relation to the reverse phase is a resonant inductor connected to a common source terminal of an active element pair included in the switching stage. 제11항에 있어서,The method of claim 11, 상기 제1혼변조 전류 발생용 회로 수단은, 주 신호 전류와 동 위상의 제1 혼변조 전류를 발생시켜 상기 스위칭 단으로 출력하기 위한 제1 능동 소자 및 제1' 능동 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 능동 스위칭 주파수 혼합기.The circuit means for generating a first intermodulation current includes a first active element and a first 'active element for generating a first intermodulation current in phase with a main signal current and outputting the same to the switching stage. Active switching frequency mixer. 제14항에 있어서,The method of claim 14, 상기 제1 능동 소자가 강 반전 영역에서 동작하고, 상기 제1' 능동 소자가 문턱 전압 영역에서 동작하도록, 각각의 게이트에 바이어스를 인가하기 위한 회로 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 능동 스위칭 주파수 혼합기.Active circuitry further comprising circuit means for applying a bias to each gate such that the first active element operates in a strong inversion region and the first 'active element operates in a threshold voltage region. . 복수개의 능동 소자를 구비하고 하나 이상의 주 신호가 입력되는 트랜스컨덕턴스 단과, 상기 트랜스컨덕턴스 단에 결합되고 복수개의 능동 소자를 구비하고 하나 이상의 LO 신호가 입력되고 하나 이상의 IF 신호가 출력되는 스위칭 단을 포함하는 능동 스위칭 주파수 혼합기에 있어서,A transconductance stage having a plurality of active elements and having at least one main signal input thereto, and a switching stage coupled to the transconductance stage, having a plurality of active elements, having at least one LO signal input and at least one IF signal being outputted; Active switching frequency mixer, 상기 트랜스컨덕턴스 단은,The transconductance stage, 상기 주 신호 전류와 동 위상의 제1 혼변조 전류를 발생시켜 상기 스위칭 단으로 출력하기 위한 보조 회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 능동 스위칭 주파수 혼합기.And an auxiliary circuit for generating a first intermodulation current in phase with said main signal current and outputting it to said switching stage.
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