KR100813564B1 - 전압가변형 박막증착 방법 및 장치 - Google Patents

전압가변형 박막증착 방법 및 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100813564B1
KR100813564B1 KR1020060087634A KR20060087634A KR100813564B1 KR 100813564 B1 KR100813564 B1 KR 100813564B1 KR 1020060087634 A KR1020060087634 A KR 1020060087634A KR 20060087634 A KR20060087634 A KR 20060087634A KR 100813564 B1 KR100813564 B1 KR 100813564B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
voltage
thin film
bias voltage
film deposition
variable
Prior art date
Application number
KR1020060087634A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20080023583A (ko
Inventor
최시영
배상열
Original Assignee
배상열
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 배상열 filed Critical 배상열
Priority to KR1020060087634A priority Critical patent/KR100813564B1/ko
Publication of KR20080023583A publication Critical patent/KR20080023583A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100813564B1 publication Critical patent/KR100813564B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3485—Sputtering using pulsed power to the target

Abstract

본 발명은 반도체의 제조 및 각종 조형물의 표면 코팅에 사용되는 전압가변형 박막증착 장치 및 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 바이어스 전압을 연속적으로 가변시킴은 물론, 그 용도에 따라 시작 바이어스 전압을 선택하여 박막을 증착시킴에 따라 증착된 박막의 특성을 향상시킬 수 있고, 나아가 설비를 단순화 할 수 있는 전압가변형 박막증착 장치 및 방법에 관한 것이다.
이를 위해 본 발명에 따른 전압가변형 박막증착 방법은 박막물질이 목적물로 유도 및 증착되도록 하는 바이어스 전압의 크기 또는 주파수를, 사용자에 의해 설정된 시간동안 연속적으로 가변하여 인가할 수 있도록 하고, 본 발명에 따른 전압가변형 박막증착 장치는 박막물질을 목적물로 유도 및 증착시키기 위한 바이어스 전압을 출력하는 전압공급부와, 상기 출력되는 바이어스 전압의 크기 또는 주파수가 사용자에 의해 설정된 시간동안 연속적으로 가변되도록 상기 전압공급부를 제어하는 제어부를 포함하며, 바람직하게는 상기 바이어스 전압의 크기 또는 주파수가 상기 사용자에 의해 설정된 시간동안 적어도 1회 이상 증가 또는 감소되거나, 적어도 1회 이상 증가후 감소되거나 감소후 증가될 수 있도록 하는 것을 특징으로 한다.
박막, 증착, 바이어스 전압, 가변, 확산층, 최대값, 최소값, 전압슬로프

Description

전압가변형 박막증착 방법 및 장치{Continuous bias voltage variable type thinfilm deposition method and apparatus thereof}
도 1은 종래 기술에 따른 박막증착 장치 및 방법에 의한 박막을 설명하기 위한 예시도이다.
도 2는 본 발명에 따른 전압가변형 박막증착 방법 및 그에 따른 박막 증착율의 변화를 설명하기 위한 예시도이다.
도 3은 본 발명에 따른 전압가변형 박막증착 방법 및 그에 따라 증착된 박막을 설명하기 위한 제 1 예시도이다.
도 4는 본 발명에 따른 전압가변형 박막증착 방법 및 그에 따라 증착된 박막을 설명하기 위한 제 2 예시도이다.
도 5는 본 발명에 따른 전압가변형 박막증착 방법 및 그에 따라 증착된 박막을 설명하기 위한 제 3 예시도이다.
도 6은 본 발명에 따른 전압가변형 박막증착 방법을 설명하기 위한 블록도이다.
도 7은 본 발명에 따른 전압가변형 박막증착 장치를 설명하기 위한 개략구성도이다.
도 8은 본 발명에 따른 전압가변형 박막증착 장치의 적용예를 설명하기 위한 구성도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
21a: 전압슬로프 21b: 알루미늄 증착율
21c: 티타늄 증착율 22c, 23c, 24c: 박막
41: 전원 공급부 42: 메모리
43: 제어부 44: 디스플레이
45: 키 입력부 50: 진공챔버
본 발명은 반도체의 제조 및 각종 조형물의 표면 코팅에 사용되는 전압가변형 박막증착 장치 및 방법에 관한 것으로, 특히 바이어스 전압을 연속적으로 가변시킴은 물론 그 용도에 따라 시작 바이어스 전압을 선택하여 박막을 증착시킴에 따라, 박막 및 증착의 특성을 향상시킬 수 있고, 설비를 단순화 할 수 있는 전압가변형 박막증착 장치 및 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체를 제조하거나 각종 조형물 등에 박막을 증착(혹은,코팅)하기 위해서는 수 내지 수십 마이크로미터 두께의 박막을 증착할 수 있는 박막증착 장치가 사용되어 지고 있으며, 이러한 박막증착 장치는 그 용도 및 주변환경에 따라 전기전도도, 내인성, 내열성 및 내마모성 등의 다양한 조건을 만족하는 박막을 제조할 수 있는 것이 요구되고 있다.
이에, 박막증착 방법, 박막물질 및 투입된 반응가스와 같은 각종 증착 환경을 개선하여 상술한 전기전도도, 내인성, 내열성 및 내마모성 등을 모두 만족하는 양호한 특성의 박막을 제공하고자 하는 노력이 이루어지고 있다.
예컨대, 도 1에 도시된 바와 같이, 조형물에 박막을 코팅시킴에 있어 서로 상반되는 물성을 갖는 내마모성과 내충격성을 모두 향상시키기 위해 내마모성은 물론 내열성이 우수한 알루미늄나이트라이드 박막층(AlN: Layer2, Layer4)에 윤활성이 우수한 티타늄나이트라이드 박막층(TiN: Layer1, Layer3) 또는 기타 도시하지 않은 다양한 박막층을 적층시켜 내마모성과 내충격성을 모두 만족시킬 수 있는 다층 박막(10)이 코팅되도록 하고 있다.
그러나, 이상과 같이 알루미늄나이트라이드 박막층(Layer2 및 Layer4)과 티타늄나이트라이드 박막(Layer1, Layer3)층을 다층구조(Layer1 내지 Layer4)로 증착하면, 각 층(Layer1/Layer2/Layer3/Layer4) 자체에서는 상술한 내마모성 또는 내충격성 중 어느 하나의 특성을 향상시킬 수 있으나, 상기 각 층(Layer1/Layer2/ Layer3/Layer4) 사이에 결합부(혹은, 분층)가 형성되어 크랙 및 분리가 발생한다는 문제점이 있음은 물론, 다층구조 전체로서의 박막(10)특성을 월등히 향상시킬 수 없다는 문제점이 있었다.
이에, 본 발명에서는 전술한 바와 같은 문제점을 해결하여, 반도체의 제조 및 각종 조형물의 표면에 박막을 코팅하되, 바이어스 전압을 연속적으로 가변시킴은 물론 그 용도에 따라 시작 바이어스 전압을 선택하여 박막을 증착시킴에 따라, 박막 및 증착의 특성을 향상시킬 수 있고, 설비를 단순화 할 수 있는 전압가변형 박막증착 장치 및 방법을 제공하고자 한다.
이를 위해, 본 발명에 따른 전압가변형 박막증착 방법은 박막물질이 목적물로 유도 및 증착되도록 하는 바이어스 전압의 크기를 사용자에 의해 설정된 시간동안 연속적으로 가변하여 인가하되 상기 바이어스 전압은 분당 2.5V이상 10V이하로 가변되는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 바이어스 전압의 크기는 상기 사용자에 의해 설정된 시간동안 적어도 1회 이상 증가 또는 감소되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 바이어스 전압의 크기는 사용자에 의해 설정된 시간동안 적어도 1회 이상 증가후 감소되거나, 감소후 증가되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 바이어스 전압은 PVD 타입 박막증착 장치, 또는 CVD 타입 박막증착 장치, 또는 PVD 및 CVD 혼합방식 박막증착장치에 인가될 수 있도록 하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 바이어스 전압에 의해 유도 및 증착되는 박막물질은 적어도 한 종류 이상인 것이 바람직하다.
또한, 상기 바이어스 전압은 직류 바이어스 전압 및 펄스타입 바이어스 전압 중 어느 하나인 것이 바람직하다.
또한, 상기 바이어스 전압은 최대값과 최소값이 50V 이상 차이 나도록 가변되는 것이 바람직하다.
삭제
또한, 상기 바이어스 전압의 최대값은 100V이상 250V이하인 것이 바람직하다.
또한, 상기 바이어스 전압의 최소값은 30V이상 80V이하인 것이 바람직하다.
또한, 상기 바이어스 전압은 저전압부터 인가하기 시작하여 고전압까지 가변되거나, 고전압부터 인가하기 시작하여 저전압까지 가변되는 것이 바람직하다.
나아가, 상술한 전압가변형 박막증착 방법은 기 설정된 바이어스 전압값을 사용할지의 여부를 판별하는 단계와, 상기 판별에 의해, 기 설정된 바이어스 전압값을 사용하고자 하는 것으로 선택되면, 상기 기 설정된 바이어스 전압값에 따라 박막을 증착시키고, 새로운 바이어스 전압값을 사용하고자 하는 것으로 선택되면, 새로운 바이어스 전압값을 설정하는 단계와, 상기 새로운 바이어스 전압값이 설정되면, 저전압으로부터 인가하기 시작할 것인지 혹은 고전압으로부터 인가하기 시작할 것인지를 선택하는 시작전압 선택단계와, 상기 시작전압이 선택되면 상기 바이어스 전압의 증가 및 감소 슬로프 유형을 선택하는 전압슬로프 선택단계 및 상기 전압슬로프가 선택되면 박막증착을 시작하는 단계를 포함하는 것이 바람직하다.
한편, 본 발명에 따른 전압가변형 박막증착 장치는 박막물질을 목적물로 유도 및 증착시키기 위한 바이어스 전압을 출력하는 전압공급부와, 상기 출력되는 바이어스 전압의 크기 또는 주파수가 사용자에 의해 설정된 시간동안 연속적으로 가변되도록 상기 전압공급부를 제어하는 제어부를 포함하되, 상기 제어부는 상기 바이어스 전압을 분당 2.5V이상 10V이하로 가변시킬 수 있도록 이루어진 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 제어부는 상기 바이어스 전압의 크기를 적어도 1회 이상 증가 또는 감소시킬 수 있도록 이루어진 것이 바람직하다.
또한, 상기 제어부는 상기 바이어스 전압의 크기를 적어도 1회 이상 증가후 감소시키거나, 감소후 증가시킬 수 있도록 이루어진 것이 바람직하다.
또한, 상기 전원공급부는 PVD 타입 박막증착 장치, 또는 CVD 타입 박막증착 장치, 또는 PVD 및 CVD 혼합방식 타입 박막증착 장치의 전원공급부인 것이 바람직하다.
또한, 상기 바이어스 전압에 의해 유도 및 증착되는 박막물질은 적어도 한 종류 이상인 것이 바람직하다.
또한, 상기 바이어스 전압은 직류 바이어스 전압 및 펄스타입 바이어스 전압 중 어느 하나인 것이 바람직하다.
또한, 상기 제어부는 상기 바이어스 전압의 최대값과 최소값의 차이가 50V 이상 차이나게 가변시킬 수 있도록 이루어진 것이 바람직하다.
삭제
또한, 상기 제어부는 상기 바이어스 전압의 최대값을 100V이상 250V이하로 제어하도록 이루어진 것이 바람직하다.
또한, 상기 제어부는 상기 바이어스 전압의 최소값을 30V이상 80V이하로 제어하도록 이루어진 것이 바람직하다.
또한, 상기 제어부는 상기 바이어스 전압을 저전압부터 인가하기 시작하여 고전압까지 가변시키거나, 고전압부터 인가하기 시작하여 저전압까지 가변시키도록 이루어진 것이 바람직하다.
또한, 상기 제어부는 사용자가 선택한 전압슬로프에 따라 상기 바이어스 전압을 가변시킬 수 있도록 이루어진 것이 바람직하다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전압가변형 박막증착 장치 및 방법을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하도록 한다.
단, 이하에서 설명할 바이어스 전압은 직류(DC) 바이어스 전압 및 유니폴라 펄스(Unipolar Pulse)타입 바이어스 전압을 모두 포함하는 것이나, 이하에서는 직류 바이어스 전압을 가변시키는 것을 일 예로 하여 설명하도록 한다.
즉, 직류 바이어스 전압의 경우에는 크기를 가변시키고, 유니폴라 펄스타입 바이어스 전압의 경우에는 소정 듀티비(duty ratio)를 갖는 전압의 크기를 가변시킴에 따라 증착 특성을 향상시킬 수 있으나, 상기 전압의 크기와 듀티비를 갖는 전압의 크기는 실질적으로 동일, 유사한 작용을 위한 것이므로, 이하에서는 직류 바이어스 전압의 크기를 가변시키는 것을 일 예로하여 설명하도록 한다.
특히, 상기 유니폴라 펄스타입 바이어스의 경우에는 소정 주기로 온, 오프를 반복하며 바이어스 전압이 인가됨에 따라, 순수한 에너지량만을 따진다면 직류 바이어스보다 더욱 긴 시간동안 전압을 인가하여야 할 것처럼 보이나, 펄스는 초당 수백에서 수천회(10KHz~100KHz)동안 온 상태가 빠르게 반복하여 발생하므로, 그 사이의 오프상태가 운동중인 박막물질의 증착 속도에 거의 영향을 미치지 않고, 바이어스 전압의 인가 시간 역시 증가시키지는 않는다.
예컨대, 듀티비가 50:50인 유니폴라 펄스타입 바이어스의 경우, 박막증착을 위해 직류 바이어스보다 2배의 시간동안 인가되어야 하는 것이 아니고, 상기 직류 바이어스와 동일한 시간동안 인가하면 될 것이다.
도 2는 본 발명에 따른 전압가변형 박막증착 방법 및 그에 따른 박막 증착율의 변화를 설명하기 위한 예시도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 전압가변형 박막증착 방법에서는 증발, 스퍼터, 혹은 이온화된 각종 박막물질('타겟' 또는 '증발원' 이라고도 함)이 기판 및 각종 조형물 등과 같은 목적물로 유도 및 증착되도록 하는 바이어스 전압(Bias Voltage)을 박막증착이 이루어지는 시간 동안 혹은 박막증착이 이루어지는 시간 중 소정 시간 동안 등과 같이 사용자에 의해 설정된 소정 시간동안 연속하여 가변시킨다.
예컨대, 티타늄(Ti)과 알루미늄(Al)의 at% 비율이 5:5인 이온화된 박막물질과, 반응가스로서 질소(N)가스가 공급되는 아크소스를 이용하여 각종 조형물에 박막을 코팅함에 있어, 바이어스 전압을 설정된 시간동안 연속적으로 가변시킴에 따라 진공챔버내에 존재하는 상기 이온 상태의 티타늄 및 알루미늄이 조형물에 증착 되는 증착율(21b, 21c) 역시 가변되도록 한다.
즉, 진공챔버내에 약 5:5의 at% 비율로 존재하는 티타늄과 알루미늄 이온은 조형물 상에 역시 약 5:5의 비율로 증착되어야 할 것이나, 도시된 전압슬로프 (Vslope, 21a)와 같이 바이어스 전압을 높여 고전압이 인가되면 상대적으로 사이즈가 작은 알루미늄 입자가 티타늄 입자보다 더욱 큰 속도로 조형물과 부딪히며 증착이 일어나고, 그 위에 계속하여 알루미늄 입자와 티타늄 입자가 충돌 및 증착이 일어나게 되며, 이때 증착되었던 알루미늄 입자가 티타늄 입자 보다 상대적으로 더 많이 튕겨져 나가게 되어(이하, '리스퍼터링' 이라함), 바이어스 전압값의 크기에 따라 다소 차이는 있겠지만, 알루미늄의 증착율(21b)과 티타늄의 증착율(21c)은 약 4:6 정도가 된다.
반대로, 바이어스 전압을 낮춰 저전압이 인가되면 각 입자의 충돌속도도 역시 작아져 증착된 알루미늄 입자의 리스퍼터링이 감소하여 알루미늄의 증착율(21b)은 약 40%에서 50%로 증가하고, 티타늄의 증착율(21c)은 약 60%에서 50%로 감소하여 대략 5:5의 비율을 이루게 된다.
따라서, 소정 시간동안 연속하여 바이어스 전압을 고전압에서 저전압 혹은 저전압에서 고전압으로 연속적으로 가변시키면 상술한 바와 같은 변화가 연속적으로 발생하게 되어, 알루미늄과 티타늄의 장점을 모두 구비할 수 있는 혼합 박막을 코팅할 수 있게 됨은 물론, 바이어스 전압의 변화를 천천히 연속적으로 변화시킴에 따라 박막에 분층이 발생하지 않게 되어, 즉 층간 분리된 부분이 발생하지 않게 되어 더욱더 박막 특성을 향상시킬 수 있게 된다.
이때, 상기 바이어스 전압은 분당(V/min) 2.5V이상 10V이하로 가변되도록 하여 박막물질의 증착 비율을 천천히 변화시키는 것이 바람직한데, 이는 실험결과 고전압에서 저전압 혹은 저전압에서 고전압으로의 바이어스 전압값 변화가 분당 10V를 초과하는 경우에는 박막의 응력(應力)이 높아져 6um이상의 두께로 코팅하기가 어렵고 절삭조건에 따라 그 특성이 상이한 불안정한 상태를 갖기 때문이며, 바이어스 전압값 변화가 분당 2.5V 미만인 경우에는 3um 내외의 박막에서는 그 특성을 향상시키기 어려웠으며 최소 6um 이상은 되어야 내열성, 내충격성, 및 내마모성 등의 특성이 향상될 수 있기 때문이다.
또한, 바이어스 전압은 고전압에서 저전압 혹은 저전압에서 고전압으로 가변시 그 최대값(Vmax)과 최소값(Vmin)이 50V 이상 차이 나도록 하는 것이 바람직한데, 이는 최대값과 최소값이 50V이상 차이나지 않는 경우에는 박막 두께를 10um 이상까지 증착시킬 수는 있으나, 단지 내마모 특성만이 그 두께에 비례하여 향상될 뿐 그 이외의 특성은 특별히 향상시킬 수 없기 때문이다.
또한, 상기 바이어스 전압의 최대값은 100V이상 250V이하인 것이 바람직한데, 이는 최대값이 250V를 초과하는 경우에는 박리현상이 발생함은 물론, 조형물의 각 모서리 부분에 전계집중 현상이 심하게 발생하여 전체적으로 박막의 특성이 저하되기 때문이며, 반대로 100V 미만인 경우에는 인성이 저하되고 100V의 최대값으로부터 가변(즉, 저전압으로 감소)시켜도 박막특성이 향상시킬 수 없기 때문이다.
또한, 바이어스 전압의 최소값은 30V 내지 80V인 것이 바람직한데, 이는 최소값이 80V를 초과하는 경우에는 인성이 저하되기 때문이며, 반대로 30V 미만인 경 우에는 내마모성이 저하되기 때문이다.
나아가, 바이어스 전압을 박막의 용도에 따라 저전압부터 인가하기 시작하여 고전압으로 소정 시간동안 연속적으로 가변시키거나, 고전압부터 인가하기 시작하여 저전압으로 소정 시간동안 연속적으로 가변시킬 수 있도록 하되, 이때 바이어스 전압은 상술한 바와 같이, 분당(V/min) 2.5V이상 10V이하로 가변되도록 하고, 그 최대값과 최소값이 50V 이상 차이 나도록 하고, 최대값은 100V이상 250V이하로 하며, 최소값은 30V이상 80V이하로 하는 것이 바람직하다.
이는, 고전압의 바이어스가 인가될 경우에는 밀도가 높은 구조를 갖는 {111}면으로 박막이 우선성장하여 그 경도 및 내마모성을 증가시킬 수 있게 되고, 저전압의 바이어스가 인가될 경우에는 밀도가 낮은 구조를 갖는 {200}면으로 박막이 우선성장하여 박막의 내인성을 증가시킬 수 있기 때문이다.
따라서, 인써트 등과 같이 높은 내마모성이 요구되는 제품에 대해서는 고전압부터 시작하는 것이 바람직하며, 엔드밀 등과 같이 높은 내인성 및 내충격성이 요구되는 제품에 대해서는 저전압부터 시작하는 것이 바람직할 것이다.
이에 더해, 저전압으로부터 고전압으로 연속 가변시키거나, 고전압으로부터 저전압으로 연속 가변시키면 {111}면 또는 {200}면 중 어느 한쪽으로 결정립이 성장되는 것을 억제하여 박막의 미립화를 꾀하고 박막의 경도 및 내마모성은 물론, 내인성 역시 양호한 특성을 가질 수 있게 되기 때문이다.
이상과 같은 특징들을 일 예를 들어 정리하자면, 박막증착이 120분간 이루어지고 고압으로부터 저압으로의 가변을 선택한 경우, 최대값은 100V이상 250V이하 중 100V의 고압을 선택하고, 최소값은 30V이상 80V 중 50V의 저압을 선택하여, 최대값과 최소값의 차가 50V가 되도록 하고, 분당 2.5V로 감소하도록 변화시키면 바이어스 전압의 증가 및 감소를 3주기 동안 반복할 수 있게 된다.
즉, 최대값인 100V의 고압으로부터 시작하여 분당 2.5V로 감소하기 시작하면 20분후 최소값인 50V의 저전압에 도달하고, 계속하여 상기 최소값인 50V의 저전압으로부터 분당 2.5V로 증가하기 시작하면 20분후 최대값인 100V의 고전압에 도달하고 이와 같은 주기는 120분 동안 3주기(40분×3T)가 이루어진다.
이하, 이상과 같이 소정 시간동안 연속적으로 변화하는 바이어스 전압의 다양한 유형에 대해 살펴보도록 한다.
도 3은 본 발명에 따른 전압가변형 박막증착 방법 및 그에 따라 증착된 박막을 설명하기 위한 제 1 예시도이고, 도 4는 본 발명에 따른 전압가변형 박막증착 방법 및 그에 따라 증착된 박막을 설명하기 위한 제 2 예시도이며, 도 5는 본 발명에 따른 전압가변형 박막증착 방법 및 그에 따라 증착된 박막을 설명하기 위한 제 3 예시도이다.
먼저, 도 3의 (a)에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 전압가변형 박막증착 방법은 도시된 전압슬로프 1(Vslope_1, 22a) 및 전압슬로프 2(Vslope_2, 22b)와 같이, 박막증착이 이루어지는 시간동안 계속하여 또는 박막증착이 이루어지는 시간 중의 일부 시간동안 계속하여 바이어스 전압을 반복하여 증가 및 감소(고전압->저전압->고전압->저전압)시킨다.
따라서, 도 3의 (b)에 도시된 바와 같이, 증착된 박막(22c)은 분층 구조를 보이지 않고, 확산 구조로 이루어져 박막(22c)의 층간 분리를 방지할 수 있게 됨은 물론, 내인성, 내마모성, 및 내충격성 등 다양한 특성을 동시에 만족할 수 있게 된다.
이때, 바이어스 전압은 분당(V/min) 2.5V이상 10V이하로 가변되도록 하고, 그 최대값과 최소값이 50V 이상 차이 나도록 하고, 최대값은 100V이상 250V이하로 하며, 최소값은 30V이상 80V이하로 하는 것이 바람직함은 위에서 이미 설명한 바 있다.
뿐만 아니라, 바이어스 전압을 소정시간동안 연속적으로 가변시키되, 박막 경도 및 내마모성을 향상시키고자 하는 경우에는 전압슬로프 1(22a)과 같이 고전압부터 시작하여 저전압으로 가변되도록 하고, 박막(22c)의 내인성을 증가시킴에 따라 조형물과 박막(22c)의 계면밀착력을 증가시키고자 하는 경우에는 전압슬로프 2(22b)와 같이 저전압으로부터 시작하여 고전압으로 가변되도록 하는 것이 바람직하다.
그리고, 도 4의 (a)에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 전압가변형 박막증착 방법은 도시된 전압슬로프 3(Vslope_3, 23a) 및 전압슬로프 4(Vslope_4, 23b)와 같이 박막증착이 이루어지는 시간동안 계속하여 또는 박막증착이 이루어지는 시간 중의 일부 시간동안 계속하여 바이어스 전압을 반복하여 감소(고전압->저전압, 고전압->저전압) 또는 반복하여 증가(저전압->고전압, 저전압->고전압)시킨다.
따라서, 도 4의 (b)에 도시된 바와 같이, 증착된 박막은 각 층마다 확산 구조로 이루어져 내인성, 내마모성 및 내충격성 등 다양한 특성을 동시에 만족할 수 있게 된다. 그러나, 박막(23c)의 층간 분리의 특성을 위 도 3보다 다소 저하되는 단점이 있을 수도 있다.
이때, 바이어스 전압은 분당 2.5V이상 10V이하로 가변되도록 하고, 그 최대값과 최소값이 50V 이상 차이 나도록 하고, 최대값은 100V이상 250V이하로 하고, 최소값은 30V이상 80V이하로 하며, 박막(23c)의 용도에 따라 전압슬로프 3(23a)과 같이 고전압부터 시작하여 저전압으로 가변되도록 하거나 전압슬로프 4(23b)와 같이 저전압으로부터 시작하여 고전압으로 가변되도록 하는 것이 바람직하다.
나아가, 도 5의 (a)에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 전압가변형 박막증착 방법은 도시된 전압슬로프 5(Vslope_5, 24a) 및 전압슬로프 6(Vslope_6, 24b)과 같이박막증착이 이루어지는 시간동안 계속하여 또는 박막증착이 이루어지는 시간 중의 일부 시간동안 계속하여 바이어스 전압을 반복하여 감소 및 유지(고전압->저전압->저전압)시키거나, 증가 및 유지(저전압->고전압->고전압)시킨다.
따라서, 도 5의 (b)에 도시된 바와 같이, 증착된 박막은 분층 구조를 보이지 않고, 확산 구조로 이루어져 박막(24c)의 층간 분리를 방지할 수 있게 됨은 물론, 내인성, 내마모성, 및 내충격성 등 다양한 특성을 동시에 만족할 수 있게 된다. 특히, 전압슬로프 5(24a) 및 전압슬로프 6(24b)에 의하면 그 전압을 더욱더 천천히 증가 혹은 감소시킴에 따라 더욱더 박막 용도적합성을 향상시킬 수 있게 된다.
이때, 바이어스 전압은 분당 2.5V이상 10V이하로 가변되도록 하고, 그 최대값과 최소값이 50V 이상 차이 나도록 하고, 최대값은 100V이상 250V이하로 하고, 최소값은 30V이상 80V이하로 하며, 박막(24c)의 용도에 따라 전압슬로프 5(24a)와 같이 고전압부터 시작하여 저전압으로 가변되도록 하거나 전압슬로프 6(24b)과 같이 저전압으로부터 시작하여 고전압으로 가변되도록 하는 것이 바람직하다.
이하, 본 발명에 따른 전압가변형 박막증착 방법에 의한 박막 증착에 과정에 대해 설명하도록 한다.
도 6은 본 발명에 따른 전압가변형 박막증착 방법을 설명하기 위한 블록도이다.
도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 박막증착은 먼저 기존에 설정되어 있던 바이어스 전압의 최대값, 최소값, 및 그 변화량 등의 환경을 당해 박막증착에 그대로 사용할지의 여부를 판별(S31)하여, 만약 사용자에 의해 기 설정된 환경을 사용하고자 하는 것으로 선택되면, 상기 기 설정된 환경에 따라 박막증착을 시작(S35)한다.
반면, 새로운 환경을 설정하여 박막증착을 하고자 하는 경우에는 사용자의 키 입력에 의해 바이어스 전압의 최대값, 최소값, 및 그 변화량 등의 환경을 각각 설정(S32a, S32b, S32c)한다.
환경이 설정(S32a, S32b, S32c)되면, 박막의 용도에 따라 시작전압을 선택(S33)한다. 즉, 저전압으로부터 시작하여 고전압으로 가변시킬 것인지, 혹은 고전압으로부터 시작하여 저전압으로 가변시킬 것인지를 선택(S33)한다.
시작전압이 선택(S33)되면, 전압슬로프를 선택(S34)한다. 예컨대, 도 3 내지 도 5에서 예를 들어 설명한 바와 같은 다양한 전압슬로프(22a, 22b, 23a, 23b, 24a, 25b)들 중 어느 하나를 선택한다. 단, 전압슬로프는 위에서 예시한 것 이외에 바이어스 전압이 연속적으로 가변되는 다양한 형태 역시 설정 및 선택이 가능함은 당업자 수준에서 자명할 것이다.
전압슬로프가 선택(S34)되면, 박막증착을 시작(S35)하고, 계속하여 증착이 완료되었는지를 판별하여, 만약 증착이 완료되었다면 종료하고, 증착이 완료되지 않았다면 전술한 바와 같은 루틴(routine)이 반복되도록 한다.
이와 같이, 사용자의 선택에 따라 바이어스 전압의 인가를 설정함에 따라, 확산 구조로 이루어져 박막의 층간 분리를 방지할 수 있고, 내인성, 내마모성, 및 내충격성 등 다양한 특성을 동시에 만족할 수 있음은 물론, 그 용도에 적합한 박막을 제조할 수 있게 된다.
이하, 본 발명에 따른 전압가변형 박막증착 장치를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하도록 한다.
도 7은 본 발명에 따른 전압가변형 박막증착 장치를 설명하기 위한 개략구성도이다.
먼저, 도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 전압가변형 박막증착 장치는, 상술한 바와 같은 바이어스 전압 환경설정 및 박막의 증착 시작 등과 같은 사용자 명령을 입력할 수 있도록 하는 사용자 키 입력부(45)와, 상기 설정된 바이어스 전압 등과 같은 정보데이터를 저장하는 메모리(42)와, 상기 키 입력부(45)를 통 해 입력되는 환경설정 값과, 기 설정된 환경설정 값, 및 박막증착 진행도 등을 표시하는 디스플레이(44)와, 설정된 환경값에 따라 PVD, CVD, 및 PVD/CVD 혼합 타입 박막증착장치에 바이어스 전압을 인가하는 전원공급부(41), 및 상기 키 입력부(45)를 통해 입력된 환경설정 값을 메모리(42)에 쓰거나, 메모리(42)로부터 읽어들일수 있도록 데이터를 처리함은 물론, 설정된 환경설정 값에 따라 전원공급부(41)의 출력을 제어하는 제어부(43)를 포함하여 구성된다.
따라서, 사용자의 설정에 의해 소정 시간 연속하여 바이어스 전압을 가변시키며 박막을 증착시킬 수 있게 된다.
이하, 이상과 같은 본 발명의 전압가변형 박막증착 장치의 적용예를 살펴보도록 한다. 단, 이하에서는 PVD, CVD, 및 PVD/CVD 혼합 타입 등과 같이 다양한 박막증착장치들 중 아크소스를 이용한 이온 플레이팅 장치를 예로들어 설명하도록 한다.
도 8은 본 발명에 따른 전압가변형 박막증착 장치의 적용예를 설명하기 위한 구성도이다.
도 8에 도시된 바와 같이, 아크소스를 이용한 이온 플레이팅 장치는, 반응 가스를 유입시킬 수 있는 반응가스 유입구(53) 및 내부를 진공상태로 만들거나 상기 반응가스를 유출시킬 수 있는 반응가스 유출구(54)가 형성된 진공챔버(50)와, 상기 진공챔버(50) 내의 일측에 하나 또는 복수개 장착되어 아크 증발원(혹은, 박막물질)인 음극(52)을 아크 방전에 의해 용융 및 증발시키는 아크 발생원(51)과, 이온도금시키고자 하는 기판(혹은, 조형물)(56) 등을 지지하고 가속 전자에 의해 이온화되는 상기 증발된 미세 입자를 끌어당기도록 바이어스 전압이 인가되는 기판 홀더(55) 등을 포함하여 구성된다.
또한, 필요에 따라서는 상기한 아크방전을 이용하여 기판(56)에 박막을 증착시키기 이전에, 상기 기판(56)의 표면을 이온 세척하여 박막의 밀착력 및 균일도를 높일 수 있도록 각각 음(-) 전위와 양(+) 전위가 걸리는 HCD(Hollow Cathode Discharge) 건(57a) 및 허어스(hearth, 57b)는 물론, 아크 발생원(51)과 기판(56) 사이에 보조양극(미도시)을 더 포함하기도 한다.
한편, 이상과 같은 이온 플레이팅 장치에 있어서, 아크증발원으로서 티타늄(Ti)과 알루미늄(Al)을 사용하고, 진공챔버(50)내부의 초기 진공압을 5×10-5Torr로 설정하고, 진공챔버(50) 내부의 히터를 이용하여 500℃까지 가열한 후, 기판(56)과 박막의 밀착력을 향상시키기 위해 이온화글로우방전(Ion Enhanced Glow Discharge) 세척을 실시하였다.
그 후, 아크전류는 100A가 유지되도록 하고 질소(N)가스를 유입하여 진공도 25mTorr를 유지하면서 박막증착을 시작하였다.
이때, 이온도금시키고자 하는 기판(56)을 지지하는 기판 홀더(55)에는 진공챔버(50)내에 존재하는 at% 비율 5:5의 티타늄과 알루미늄 미세입자를 끌어당기도록 전압공급부(41)로부터 바이어스 전압이 인가되는데, 이러한 바이어스 전압은 사용자에 의해 선택된 소정 시간동안 연속하여 가변되되, 바람직하게는 분당(V/min) 2.5V이상 10V이하로 가변되도록 하고, 그 최대값과 최소값이 50V 이상 차이 나도록 하고, 최대값은 100V이상 250V이하로 하고, 최소값은 30V이상 80V이하로 하며, 고전압부터 시작하여 저전압으로 가변되도록 하거나 저전압으로부터 시작하여 고전압으로 가변되도록 선택한다.
즉, 위에서 예를 들어 설명한 바와 같이, 120분간 박막증착이 이루어지도록 하는 공정의 경우, 먼저 고압으로부터 저압으로의 가변을 선택하고, 최대값으로 100V의 고압을 선택하고, 최소값으로 50V의 저압을 선택하고, 분당 2.5V로 연속하여 가변되도록 하면, 도 3과 같은 바이어스 전압의 증가 및 감소를 3주기 동안 반복할 수 있게 된다.
따라서, 전술한 바와 같이, 증착된 박막은 분층 구조를 보이지 않고, 확산 구조로 이루어져 박막의 층간 분리를 방지할 수 있게 됨은 물론, 내인성, 내마모성, 및 내충격성 등 다양한 특성을 동시에 만족할 수 있게 된다. 뿐만 아니라, 시작 전압을 선택이 가능하여 그 용도에 적합한 박막의 증착이 가능하게 된다.
이상에서 본 발명에 의한 전압가변형 박막증착 방법 및 장치에 대해 설명하였다. 이러한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
특히, 이상에서는 각종 조형물의 코팅을 위한 박막증착을 구체적인 예로들어 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정하는 것이 아니며 게이트(gate), 비트 라인(bit line), 절연층(혹은, 스페이서), 및 비아(via) 등 박막증착 공정이 요구되는 반도체의 제조시에도 상술한 바와 같은 본 발명에 적용될 수 있음은 당업자 수준에서 자명할 것이다.
또한, 이상에서는 바이어스 전압으로서 직류 바이어스 전압 및 유니폴라펄스타입 바이어스 전압만을 예시하였으나, 상술한 바와 같은 분당 가변 전압값, 최대값, 최소값, 및 최대값과 최소값의 차이값 등의 수치 한정을 제외하면, 고주파(RF)를 포함한 교류(AC)타입 바이어스 전압의 주파수를 소정 시간동안 연속하여 증가 혹은 감소 시키면서 박막을 증착시킬 수 있음은 당업자 수준에서 자명할 것이다.
그러므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 하고, 본 발명의 범위는 전술한 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상과 같은 본 발명의 박막증착 방법 및 장치에 의하면, 반도체의 제조 및 각종 조형물의 표면에 금속박막을 코팅하되, 바이어스 전압을 연속적으로 가변시키면서 박막을 증착시킴에 따라 증착된 박막의 특성을 향상시킬 수 있게 된다.
또한, 박막증착시 시작 바이어스 전압의 선택이 가능하여 동일한 박막물질을 이용하여도 그 용도에 더욱더 적합한 박막을 증착시킬 수 있게 된다.
또한, 바이어스 전압을 연속 가변시키는 구성만으로 그 특성이 월등히 향상된 박막의 증착이 가능하여 설비를 단순화 할 수 있게 된다.

Claims (24)

  1. 박막물질이 목적물로 유도 및 증착되도록 하는 바이어스 전압의 크기를 사용자에 의해 설정된 시간동안 연속적으로 가변하여 인가하되,
    상기 바이어스 전압은 분당 2.5V 이상 10V 이하로 가변되는 것을 특징으로 하는 전압가변형 박막증착 방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 바이어스 전압의 크기는 상기 사용자에 의해 설정된 시간동안 적어도 1회 이상 증가 또는 감소되는 것을 특징으로 하는 전압가변형 박막증착 방법.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 바이어스 전압의 크기는 사용자에 의해 설정된 시간동안 적어도 1회 이상 증가 후 감소되거나, 감소 후 증가되는 것을 특징으로 하는 전압가변형 박막증착 방법.
  4. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 바이어스 전압은 PVD(Physical Vapor Deposition) 타입 박막증착 장치, CVD(Chemical Vapor Deposition) 타입 박막증착 장치, 및 PVD/CVD 혼합방식 박막증착장치 중 어느 하나에 인가되는 것을 특징으로 하는 전압가변형 박막증착 방법.
  5. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 바이어스 전압에 의해 유도 및 증착되는 박막물질은 적어도 한 종류 이상인 것을 특징으로 하는 전압가변형 박막증착 방법.
  6. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 바이어스 전압은 직류(DC) 바이어스 전압 및 펄스(Pulse)타입 바이어스 전압 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전압가변형 박막증착 방법.
  7. 삭제
  8. 제 6항에 있어서,
    상기 바이어스 전압은 최대값과 최소값이 50V 이상 차이 나도록 가변되는 것을 특징으로 하는 전압가변형 박막증착 방법.
  9. 제 6항에 있어서,
    상기 바이어스 전압의 최대값은 100V이상 250V이하인 것을 특징으로 하는 전압가변형 박막증착 방법.
  10. 제 6항에 있어서,
    상기 바이어스 전압의 최소값은 30V이상 80V이하인 것을 특징으로 하는 전압가변형 박막증착 방법.
  11. 제 6항에 있어서,
    상기 바이어스 전압은 저전압부터 인가하기 시작하여 고전압까지 가변되거나, 고전압부터 인가하기 시작하여 저전압까지 가변되는 것을 특징으로 하는 전압가변형 박막증착 방법.
  12. 제 6항에 있어서,
    기 설정된 바이어스 전압값을 사용할지의 여부를 판별하는 단계와;
    상기 판별에 의해, 기 설정된 바이어스 전압값을 사용하고자 하는 것으로 선택되면, 상기 기 설정된 바이어스 전압값에 따라 박막을 증착시키고, 새로운 바이어스 전압값을 사용하고자 하는 것으로 선택되면, 새로운 바이어스 전압값을 설정하는 단계와;
    상기 새로운 바이어스 전압값이 설정되면, 저전압으로부터 인가하기 시작할 것인지 혹은 고전압으로부터 인가하기 시작할 것인지를 선택하는 시작전압 선택단계와;
    상기 시작전압이 선택되면 상기 바이어스 전압의 증가 및 감소 슬로프 유형을 선택하는 전압슬로프 선택단계; 및
    상기 전압슬로프가 선택되면 박막증착을 시작하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압가변형 박막증착 방법.
  13. 박막물질을 목적물로 유도 및 증착시키기 위한 바이어스 전압을 출력하는 전압공급부와, 상기 출력되는 바이어스 전압의 크기가 사용자에 의해 설정된 시간동안 연속적으로 가변되도록 상기 전압공급부를 제어하는 제어부를 포함하되,
    상기 제어부는 상기 바이어스 전압을 분당 2.5V 이상 10V 이하로 가변시킬 수 있도록 이루어진 것을 특징으로 하는 전압가변형 박막증착 장치.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 제어부는 상기 바이어스 전압의 크기를 적어도 1회 이상 증가 또는 감소시킬 수 있도록 이루어진 것을 특징으로 하는 전압가변형 박막증착 장치.
  15. 제 14항에 있어서,
    상기 제어부는 상기 바이어스 전압의 크기를 적어도 1회 이상 증가 후 감소시키거나, 감소 후 증가시킬 수 있도록 이루어진 것을 특징으로 하는 전압가변형 박막증착 장치.
  16. 제 13항 내지 제 15항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 전원공급부는 PVD 타입 박막증착 장치, CVD 타입 박막증착 장치, 및 PVD/CVD 혼합방식 타입 박막증착 장치 중 어느 하나의 전원공급부인 것을 특징으로 하는 전압가변형 박막증착 장치.
  17. 제 13항 내지 제 15항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 바이어스 전압에 의해 유도 및 증착되는 박막물질은 적어도 한 종류 이상인 것을 특징으로 하는 전압가변형 박막증착 장치.
  18. 제 13항 내지 제 15항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 바이어스 전압은 직류 바이어스 전압 및 펄스타입 바이어스 전압 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전압가변형 박막증착 장치.
  19. 삭제
  20. 제 18항에 있어서,
    상기 제어부는 상기 바이어스 전압의 최대값과 최소값의 차이가 50V 이상 차이나게 가변시킬 수 있도록 이루어진 것을 특징으로 하는 전압가변형 박막증착 장치.
  21. 제 18항에 있어서,
    상기 제어부는 상기 바이어스 전압의 최대값을 100V이상 250V이하로 제어하도록 이루어진 것을 특징으로 하는 전압가변형 박막증착 장치.
  22. 제 18항에 있어서,
    상기 제어부는 상기 바이어스 전압의 최소값을 30V이상 80V이하로 제어하도록 이루어진 것을 특징으로 하는 전압가변형 박막증착 장치.
  23. 제 18항에 있어서,
    상기 제어부는 상기 바이어스 전압을 저전압부터 인가하기 시작하여 고전압까지 가변시키거나, 고전압부터 인가하기 시작하여 저전압까지 가변시키도록 이루어진 것을 특징으로 하는 전압가변형 박막증착 장치.
  24. 제 18항에 있어서,
    상기 제어부는 사용자가 선택한 전압슬로프에 따라 상기 바이어스 전압을 가변시킬 수 있도록 이루어진 것을 특징으로 하는 전압가변형 박막증착 장치.
KR1020060087634A 2006-09-11 2006-09-11 전압가변형 박막증착 방법 및 장치 KR100813564B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060087634A KR100813564B1 (ko) 2006-09-11 2006-09-11 전압가변형 박막증착 방법 및 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060087634A KR100813564B1 (ko) 2006-09-11 2006-09-11 전압가변형 박막증착 방법 및 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080023583A KR20080023583A (ko) 2008-03-14
KR100813564B1 true KR100813564B1 (ko) 2008-03-17

Family

ID=39397096

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060087634A KR100813564B1 (ko) 2006-09-11 2006-09-11 전압가변형 박막증착 방법 및 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100813564B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150026539A (ko) 2013-09-03 2015-03-11 주식회사 원익아이피에스 복합막 증착방법 및 기판 처리 장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5169676A (en) 1991-05-16 1992-12-08 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Control of crystallite size in diamond film chemical vapor deposition
KR950000855B1 (ko) * 1988-12-26 1995-02-02 삼성전관 주식회사 Al박막의 제조방법 및 그 장치
KR20010030729A (ko) * 1997-09-29 2001-04-16 로브그렌 리차드 에이치. 물리적 증기 증착을 위한 개선된 방법 및 장치
KR20020017892A (ko) * 2000-08-30 2002-03-07 마이클 디. 오브라이언 회로기판용 폴리이미드 위에 금속 박막을 증착하는 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR950000855B1 (ko) * 1988-12-26 1995-02-02 삼성전관 주식회사 Al박막의 제조방법 및 그 장치
US5169676A (en) 1991-05-16 1992-12-08 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Control of crystallite size in diamond film chemical vapor deposition
KR20010030729A (ko) * 1997-09-29 2001-04-16 로브그렌 리차드 에이치. 물리적 증기 증착을 위한 개선된 방법 및 장치
KR20020017892A (ko) * 2000-08-30 2002-03-07 마이클 디. 오브라이언 회로기판용 폴리이미드 위에 금속 박막을 증착하는 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150026539A (ko) 2013-09-03 2015-03-11 주식회사 원익아이피에스 복합막 증착방법 및 기판 처리 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR20080023583A (ko) 2008-03-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11875976B2 (en) Plasma source utilizing a macro-particle reduction coating and method of using a plasma source utilizing a macro-particle reduction coating for deposition of thin film coatings and modification of surfaces
Arnell et al. Recent developments in pulsed magnetron sputtering
TWI479539B (zh) 沈積層之方法以及控制系統
KR20090052174A (ko) 확산박막 증착 방법 및 장치
CN103668099A (zh) 一种涂布系统以及在该涂布系统中涂布基底的方法
JP2010529295A (ja) Ｐｖｄ被膜形成方法
EP1863949A1 (en) Method and system for coating internal surfaces using reverse-flow cycling and other techniques
Münz et al. Industrial applications of HIPIMS
US20230135238A1 (en) TICN Having Reduced Growth Defects by Means of HIPIMS
CN114481071B (zh) 一种镀膜装置及dlc镀膜工艺
JP2003512526A (ja) 複数の電極のスパッタリングシステムにおいて基板にバイアスをかける方法および装置
JP7026464B2 (ja) マグネトロンスパッタリング装置を用いて層を堆積させるための方法
KR20160060628A (ko) AlN을 함유한 압전막을 증착하는 방법 및 AlN을 함유한 압전막
KR100813564B1 (ko) 전압가변형 박막증착 방법 및 장치
US20100209625A1 (en) Voltage variable type thinfilm deposition method and apparatus thereof
US20230220540A1 (en) Method and device for applying a coating, and coated body
WO2002070776A1 (en) Deposition process
KR101054298B1 (ko) 확산박막 증착 방법
US20070009670A9 (en) Sputter method or device for the production of natural voltage optimized coatings
Monaghan et al. Ion-assisted CVD of graded diamond like carbon (DLC) based coatings
KR101101948B1 (ko) 확산박막 증착 방법
KR20150061617A (ko) 고 경도 저마찰 Ｃｒ―Ｔｉ―Ｂ―Ｎ 코팅 및 그 제조방법
Arnell et al. Control of structure and properties of coatings deposited by pulsed magnetron sputtering
KR100298599B1 (ko) 티타늄화합물피막의제조방법
US20080014371A1 (en) Method of Producing a Coated Fishing Hook

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
G170 Publication of correction
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120224

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130225

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141113

Year of fee payment: 7

R401 Registration of restoration
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150227

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160302

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170302

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190304

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200302

Year of fee payment: 13