KR100813486B1 - A voltage supply circuit - Google Patents

A voltage supply circuit Download PDF

Info

Publication number
KR100813486B1
KR100813486B1 KR1020060095521A KR20060095521A KR100813486B1 KR 100813486 B1 KR100813486 B1 KR 100813486B1 KR 1020060095521 A KR1020060095521 A KR 1020060095521A KR 20060095521 A KR20060095521 A KR 20060095521A KR 100813486 B1 KR100813486 B1 KR 100813486B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
transistor
circuit
voltage
time constant
constant circuit
Prior art date
Application number
KR1020060095521A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20070037387A (en
Inventor
린야 호소노
유스케 후쿠하라
Original Assignee
도꼬가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도꼬가부시끼가이샤 filed Critical 도꼬가부시끼가이샤
Publication of KR20070037387A publication Critical patent/KR20070037387A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100813486B1 publication Critical patent/KR100813486B1/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05FSYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02Regulating voltage or current
    • G05F3/08Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/205Substrate bias-voltage generators
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05FSYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02Regulating voltage or current
    • G05F3/08Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/22Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the bipolar type only
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05FSYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02Regulating voltage or current
    • G05F3/08Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/26Current mirrors
    • G05F3/265Current mirrors using bipolar transistors only

Abstract

전압공급이 개시되었을 때에 시정수 회로를 구성하는 콘덴서의 충전을 신속하게 행할 수 있고, 또한 트랜지스터에 공급해야 할 바이어스량의 조정이 용이한 전압공급 회로를 제공한다.Provided is a voltage supply circuit which can quickly charge a capacitor constituting a time constant circuit when voltage supply is started, and easily adjust the amount of bias to be supplied to the transistor.

저항(R0)과 콘덴서(C0)의 직렬회로를 구비하는 시정수 회로(6)와, 그 입력측에 설치된 시리즈 레귤레이터형 전압발생 회로(7a)로 전압발생 회로를 구성한다. 여기서 전압발생 회로(7a)의 내부에는 전압공급 회로의 입력단자(IN)와 시정수 회로(6) 사이에 접속된 제1의 트랜지스터(Q1)와, 제1의 트랜지스터(Q1)와 커렌트 미러 동작을 행하는 제2의 트랜지스터(Q2)와, 시정수 회로(6)의 저항(R0)에 그 주전류로를 병렬 접속한 제3의 트랜지스터(Q3)와, 제2의 트랜지스터(Q2)로부터 공급되는 전류에 따라 제3의 트랜지스터(Q3)에 바이어스를 공급하는 바이어스 회로, 구체적으로는 저항(R3)을 설치한다. 더욱 바람직하게는, 시정수 회로(6)의 저항(R0)에 대하여 다이오드(Q5)를 병렬 접속한다.The voltage generation circuit is constituted by the time constant circuit 6 including the series circuit of the resistor R0 and the capacitor C0, and the series regulator type voltage generation circuit 7a provided on the input side thereof. Here, the first transistor Q1, the first transistor Q1, and the current mirror connected between the input terminal IN of the voltage supply circuit and the time constant circuit 6 are provided inside the voltage generation circuit 7a. Supply from the second transistor Q2 which operates, the third transistor Q3 which connected the main current path in parallel to the resistance R0 of the time constant circuit 6, and the 2nd transistor Q2. A bias circuit, specifically, a resistor R3, is provided for supplying a bias to the third transistor Q3 in accordance with the current. More preferably, the diode Q5 is connected in parallel with the resistor R0 of the time constant circuit 6.

Description

전압공급 회로{A VOLTAGE SUPPLY CIRCUIT}Voltage supply circuit {A VOLTAGE SUPPLY CIRCUIT}

도 1은 본 발명에 의한 전압발생 회로와 시정수 회로의 회로도이다.1 is a circuit diagram of a voltage generation circuit and a time constant circuit according to the present invention.

도 2는 전자기기 내부의 일반적인 배치를 나타내는 블록도이다.2 is a block diagram showing a general arrangement inside an electronic device.

도 3은 시정수 회로로부터 출력되는 전압신호의 파형도이다.3 is a waveform diagram of a voltage signal output from a time constant circuit.

도 4는 종래에 있어서의 일반적인 전압발생 회로와 시정수 회로의 충전촉진 기술을 나타내는 회로도이다.4 is a circuit diagram showing a charge promoting technique of a conventional voltage generation circuit and time constant circuit in the related art.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

1 : 전원 2 : 부하장치1: power 2: load device

3 : 파워 트랜지스터 6 : 시정수 회로3: power transistor 6: time constant circuit

7,7a : 전압발생 회로 AMP : 오차증폭기7,7a: Voltage generating circuit AMP: Error amplifier

BG : 밴드갭 레퍼런스 회로 C0 : 시정수 회로를 구성하는 콘덴서BG: Bandgap reference circuit C0: Capacitor constituting time constant circuit

IN : 전압발생 회로의 입력단자 OUT : 전압발생 회로의 출력단자IN: Input terminal of voltage generator circuit OUT: Output terminal of voltage generator circuit

Q1 : 트랜지스터(제1의 트랜지스터) Q2 : 트랜지스터(제2의 트랜지스터)Q1: transistor (first transistor) Q2: transistor (second transistor)

Q3 : 트랜지스터(제3의 트랜지스터) Q5 : 트랜지스터(다이오드)Q3: transistor (third transistor) Q5: transistor (diode)

R0 : 시정수 회로를 구성하는 저항 R3 : 저항(바이어스 회로)R0: Resistor constituting the time constant circuit R3: Resistor (bias circuit)

VD : 전원으로부터의 공급전압 VR1 : 전압발생 회로의 출력전압V D : Supply voltage from power supply V R1 : Output voltage of voltage generating circuit

VR2 : 시정수 회로의 출력전압 VS : 부하장치로의 공급전압V R2 : Output voltage of time constant circuit V S : Supply voltage to load device

본 발명은 RC 시정수 회로나 필터회로를 통해서 소정의 전압을 공급하기 위한 전압발생 회로에 관한 것이고, 시정수 회로 내에 설치된 콘덴서의 충전을 급속하게 행함으로써, 그들이 설치된 장치 전체의 기동동작을 고속으로 행할 수 있도록 하기 위한 기술에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a voltage generating circuit for supplying a predetermined voltage through an RC time constant circuit or a filter circuit, and by rapidly charging a capacitor installed in the time constant circuit, the startup operation of the entire apparatus in which they are installed at high speed is achieved. It relates to a technique for making it possible.

일반적인 전자기기는, 예를 들면 신호처리장치, 표시장치, 구동장치 등 여러 가지 장치부분의 집합체로서 성립되어 있다. 일부의 장치가 동작상태에 있을 때에 다른 장치가 기동 혹은 동작정지를 하면, 전원전압이 변동되거나 오동작을 유발할 우려가 있는 노이즈가 동작 중의 장치에 침입해 버린다는 사태가 일어날 수 있다. 이 때문에, 각 장치의 입력측에 개별적으로 전압안정화 회로를 설치하거나, 특히 전압값의 안정화가 요구되는 회로개소에는 RC 시정수 회로(필터, 적분회로라고도 말함)를 설치하는 등의 대책이 필요했다.A general electronic device is established as an assembly of various device parts such as a signal processing device, a display device, and a driving device. If another device is started or stopped while some devices are in an operating state, a situation may arise in which a power supply voltage fluctuates or a noise that may cause a malfunction may enter the device during operation. For this reason, countermeasures such as providing a voltage stabilization circuit individually on the input side of each device, or in particular, providing an RC time constant circuit (also referred to as a filter and an integrating circuit) in a circuit location where voltage stabilization is required are required.

도 2는 전자기기 내에 있어서의 전원과 부하장치와 안정화 회로와 필터의 위치관계의 일례를 나타내고 있다.2 shows an example of the positional relationship between a power supply, a load device, a stabilization circuit, and a filter in an electronic device.

도 2에 있어서, 전원(1)의 고전위측 단자는 Pch-MOS형 파워 트랜지스터(3)의 주전류로를 통해서 부하장치(2)의 일단에 접속되고, 전원(1)의 저전위측 단자 및 부하장치(2)의 타단은 모두 그라운드에 접속되어 있다. 파워 트랜지스터(3)의 게이트는 트랜지스터(4)의 주전류로를 통해서 그라운드에 접속되고, 트랜지스터(4)의 게이트는 오차증폭기(5)의 신호출력 단자에 접속되어 있다.In Fig. 2, the high potential terminal of the power supply 1 is connected to one end of the load device 2 via the main current path of the Pch-MOS type power transistor 3, and the low potential terminal of the power supply 1 and The other end of the load device 2 is all connected to the ground. The gate of the power transistor 3 is connected to the ground via the main current path of the transistor 4, and the gate of the transistor 4 is connected to the signal output terminal of the error amplifier 5.

오차증폭기(5)의 반전 입력단자(-)는 파워 트랜지스터(3)와 부하장치(2)의 공통접속점에 접속되고, 오차증폭기(5)의 비반전 입력단자(+)는 시정수 회로(6)에 접속되어 있다.The inverting input terminal (-) of the error amplifier 5 is connected to the common connection point of the power transistor 3 and the load device 2, and the non-inverting input terminal (+) of the error amplifier 5 is the time constant circuit 6 )

여기서, 시정수 회로(6)는 저항(R0)과 콘덴서(C0)의 직렬회로로 이루어지고, 저항(R0)과 콘덴서(C0)의 각각의 일단이 오차증폭기(5)의 비반전 입력단자(+)에 공통 접속되어 있다. 콘덴서(C0)의 타단은 그라운드에 접속되고, 저항(R0)의 타단은 전압발생 회로(7)의 출력단자(OUT)에 접속되어 있다. 그리고 전압발생 회로(7)의 입력단자(IN)는 전원(1)의 고전위측 단자에 접속되어 있다.Here, the time constant circuit 6 is composed of a series circuit of the resistor R0 and the capacitor C0, and one end of each of the resistor R0 and the capacitor C0 is a non-inverting input terminal of the error amplifier 5 ( Common connection to +). The other end of the capacitor C0 is connected to ground, and the other end of the resistor R0 is connected to the output terminal OUT of the voltage generating circuit 7. The input terminal IN of the voltage generating circuit 7 is connected to the high potential terminal of the power source 1.

이 도 2에서는 파워 트랜지스터(3), 트랜지스터(4), 오차증폭기(5), 시정수 회로(6), 전압발생 회로(7)가 시리즈 레귤레이터 타입의 전압안정화 회로를 구성하고 있다. 전압발생 회로(7)로부터 시정수 회로(6)를 통해서 공급되는 전압(VR2)이 시리즈 레귤레이터의 기준전압에 상당한다. 이 때문에 전원(1)의 전원전압(VD)이 변동되었다고 해도 그 변동량이 소정의 한계값보다 작고, 또한 변동방법이 완만하면, 부하장치(2)에 공급되는 공급전압(VS)은 전압발생 회로(7)로부터 시정수 회로(6)를 통해서 공급되는 전압(VR2)에 거의 같은 크기로 안정화된다.In Fig. 2, the power transistor 3, the transistor 4, the error amplifier 5, the time constant circuit 6, and the voltage generator 7 constitute a voltage stabilizer circuit of a series regulator type. The voltage V R2 supplied from the voltage generating circuit 7 through the time constant circuit 6 corresponds to the reference voltage of the series regulator. For this reason, even if the power supply voltage V D of the power supply 1 fluctuates, if the fluctuation amount is smaller than the predetermined limit value and the fluctuation method is gentle, the supply voltage V S supplied to the load device 2 is a voltage. The voltage V R2 supplied from the generation circuit 7 through the time constant circuit 6 is stabilized at about the same magnitude.

한편, 전원전압(VD)의 변동방법이 매우 급준(急峻)할 경우, 혹은 변동량이 큰 고주파 노이즈 등이 중첩된 경우, 전압발생 회로(7)의 출력전압(VR1)에 노이즈가 생길 가능성이 있다. 전압발생 회로(7)의 출력전압(VR1)에 노이즈가 생겼을 경우, 시정수 회로(6)가 노이즈를 여파하는 필터로서 기능하므로, 오차증폭기(5)의 비반전 입력단자(+)의 위치에 있어서의 전압(V+)(=VR2)은 노이즈 성분이 적은 전압신호로 된다. 그 결과, 전원전압(VD)에 큰 노이즈가 중첩되어도 공급전압(VS)은 노이즈가 적은 안정된 값을 유지한다.On the other hand, when the fluctuation method of the power supply voltage V D is extremely steep or when high frequency noise with a large fluctuation amount is superimposed, noise may occur in the output voltage V R1 of the voltage generating circuit 7. There is this. When noise occurs in the output voltage V R1 of the voltage generation circuit 7, the time constant circuit 6 functions as a filter for filtering out the noise, and thus the position of the non-inverting input terminal (+) of the error amplifier 5. The voltage V + in (= V R2 ) becomes a voltage signal with little noise component. As a result, even if large noise is superimposed on the power supply voltage V D , the supply voltage V S maintains a stable value with little noise.

그런데, 부하장치(2)에 공급되는 공급전압(VS)의 노이즈 성분을 적게 하기 위해서는, 시정수 회로(6)를 구성하는 저항(R0)의 저항값과 콘덴서(C0)의 정전용량 중 적어도 한쪽을 충분히 크게 하고, 전압(VR2)에 포함되는 노이즈를 적게 하면 된다. 그러나, 저항(R0)의 저항값이나 콘덴서(C0)의 정전용량을 크게 하면, 도 3 중의 곡선(a)(=굵은선)으로 나타내는 바와 같이 시정수 회로(6)로부터 오차증폭기(5)에 공급되는 전압(VR2)의 「제로볼트에서부터 규정전압에 도달할 때까지의 시간」이 길어져버린다. 그러면, 부하장치(2)의 기동/정지가 전원(1)으로부터의 전원전압(VD)의 공급/차단에 의해 행해질 경우, 전원(1)으로부터의 전압공급이 개시되고나서 부하장치(2)에 공급되는 전압(VS)이 소정의 값에 도달할 때까지의 시간도 길어져 부하장치(2)의 기동이 늦어버린다.By the way, in order to reduce the noise component of the supply voltage (V S) supplied to the load device 2, at least of the capacitance of the resistance value and the capacitor (C0) of the resistor (R0) constituting a time constant circuit (6) One may be made large enough to reduce the noise contained in the voltage V R2 . However, when the resistance value of the resistor R0 and the capacitance of the capacitor C0 are increased, the error amplifier 5 is transferred from the time constant circuit 6 to the error amplifier 5 as shown by the curve a in FIG. 3 (= thick line). The "time from zero volt to the specified voltage" of the supplied voltage V R2 becomes long. Then, when the start / stop of the load device 2 is performed by supplying / blocking the power supply voltage V D from the power supply 1, the voltage supply from the power supply 1 is started and then the load device 2 is started. voltage (V S) supplied to the discard delayed activation time also becomes longer load device (2) until reaching a predetermined value.

따라서, 부하장치(2)에 대하여 노이즈가 적은 전압의 공급이 요구되고, 또 부하장치(2)의 신속한 기동이 요구되는 경우에는 도 4에 나타내는 바와 같이, <1>기동시에 온상태로 되는 스위치(S1)를 저항(R0)에 대하여 병렬 접속하거나, 혹은 <2>기동시에 온상태로 되는 스위치(S2)를 전원라인(Vcc)과 콘덴서(C0)의 일단 사이에 접속한다는 대책이 필요해져 있었다. 덧붙여서 말하면, <1>의 대책은 전압발생 회로(7) 자체에 충분한 전류공급 능력이 있을 경우에 주로 사용되고, <2>의 대책은 전압발생 회로(7) 자체에 충분한 전류공급 능력이 없을 경우에 사용된다. 또, 참고로 본 발명의 발명자 중 한명이 개발에 관여한 <2>의 대책을 실현하는 회로가 일본국 공개특허:평11-051981호에 개시되어 있다.Therefore, when the supply of a low noise voltage is required for the load device 2 and the rapid start of the load device 2 is required, as shown in Fig. 4, the switch is turned on at the time of <1> start-up. A countermeasure was needed to connect S1 in parallel to the resistor R0, or to connect the switch S2, which is turned on at startup, between the power supply line Vcc and one end of the capacitor C0. . Incidentally, the countermeasure of <1> is mainly used when the voltage generating circuit 7 itself has sufficient current supply capability, and the countermeasure of <2> is used when the voltage generating circuit 7 itself does not have sufficient current supply capability. Used. In addition, a circuit for realizing the countermeasure of <2> in which one of the inventors of the present invention is involved in development is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. Hei 11-051981.

위에서 소개한 <1>과 <2>의 대책에서 중요한 포인트는 콘덴서(C0)의 단자간 전압이 낮을 때에는 스위치(S1)(혹은 S2)를 온으로 하고, 콘덴서(C0)의 충전이 종료된 후에는 스위치(S1)(혹은 S2)를 오프시키는 것이다. 저항(R0)에 대하여 다이오드를 병렬 접속하면, 그 다이오드는 저항(R0)을 흐르는 전류와 콘덴서(C0)의 단자간 전압에 따라 자율적으로 온, 오프하는 스위치(S1)로서 사용할 수 있다. 또, 전원라인(Vcc)과 콘덴서(C0) 사이에 트랜지스터의 주전류로를 접속하고, 상기 트랜지스터의 제어단자(=베이스)를 저항(R0)의 타단에 접속하면, 그 트랜지스터는 저항(R0)을 흐르는 전류와 콘덴서(C0)의 단자간 전압에 따라 자율적으로 온, 오프하는 스위치(S2)로서 사용할 수 있다.An important point in the countermeasures of <1> and <2> described above is that when the voltage between the terminals of the capacitor C0 is low, the switch S1 (or S2) is turned on, and after charging of the capacitor C0 is finished, Turns off the switch S1 (or S2). When a diode is connected in parallel with the resistor R0, the diode can be used as a switch S1 that is autonomously turned on and off depending on the current flowing through the resistor R0 and the voltage between the terminals of the capacitor C0. When the main current path of the transistor is connected between the power supply line Vcc and the capacitor C0, and the control terminal (= base) of the transistor is connected to the other end of the resistor R0, the transistor is connected to the resistor R0. It can be used as a switch S2 for autonomously turning on and off depending on the current flowing through the terminal and the voltage between the terminals of the capacitor C0.

그러나, 스위치(S1)로서의 다이오드를 저항(R0)에 병렬 접속한 경우, 다이오드에 생기는 순방향 강하전압이 콘덴서(C0)로의 전류공급에 저항하는 요인으로 된 다. 이 때문에, 콘덴서(C0)의 신속한 충전이라는 면에서는 아직 개선의 여지가 있다.However, when the diode as the switch S1 is connected in parallel with the resistor R0, the forward drop voltage generated in the diode becomes a factor of resisting the supply of current to the capacitor C0. For this reason, there is still room for improvement in terms of rapid charging of the capacitor C0.

한편, 스위치(S2)로서의 트랜지스터를 전원라인(Vcc)과 콘덴서(C0) 사이에 접속하고, 그 베이스를 저항(R0)의 소정위치에 접속한 경우, 저항(R0)의 저항값은 주로 시정수 회로(6)에 요구되는 특성에 따라 결정되어 버린다. 이 때문에 턴 온, 턴 오프, 온상태 유지의 각 시점에서 트랜지스터에 공급해야 할 바이어스량의 조정이 어렵다는 문제가 있었다.On the other hand, when the transistor as the switch S2 is connected between the power supply line Vcc and the capacitor C0, and the base thereof is connected to a predetermined position of the resistor R0, the resistance value of the resistor R0 is mainly a time constant. It is determined according to the characteristics required for the circuit 6. For this reason, there is a problem that it is difficult to adjust the amount of bias to be supplied to the transistor at each time of turn on, turn off, and on state maintenance.

그래서 본 발명은 전압공급이 개시되었을 때에 시정수 회로를 구성하는 콘덴서의 충전을 신속하게 행할 수 있고, 또 트랜지스터에 공급해야 할 바이어스량의 조정이 용이한 전압공급 회로를 제공하는 것을 목적으로 한다.Therefore, an object of the present invention is to provide a voltage supply circuit which can quickly charge a capacitor constituting a time constant circuit when voltage supply is started, and easily adjust the amount of bias to be supplied to the transistor.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명은 저항과 콘덴서를 포함하는 시정수 회로를 통해서 시정수 회로의 출력측에 설치된 기능회로에 소정의 전압을 공급하기 위한 전압공급 회로에 있어서, 시정수 회로에 전압·전류를 공급하도록 입력단자와 시정수 회로 사이에 설치된 제1의 트랜지스터와, 그 제어단자가 제1의 트랜지스터의 제어단자와 공통 접속되어, 그 주전류로에 제1의 트랜지스터를 통과하는 전류에 따른 전류를 흐르게 하도록 구성된 제2의 트랜지스터와, 그 주전류로가 시정수 회로를 구성하는 저항에 병렬 접속된 제3의 트랜지스터와, 제2의 트랜지스터의 주전류로를 통과하는 전류의 공급을 받아서 제3의 트랜지스터의 제어단자에 바이어스를 공급하는 바이어스 회로를 구비하는 것을 특징으로 한다. 더욱 바람직하게는, 시정수 회로를 구성하는 저항에 대하여 병렬 접속된 다이오드를 구비하는 것을 특징으로 한다.The present invention for solving the above problems is a voltage supply circuit for supplying a predetermined voltage to the functional circuit provided on the output side of the time constant circuit through a time constant circuit including a resistor and a capacitor, the voltage and current A first transistor provided between the input terminal and the time constant circuit so as to supply a voltage, and a control terminal thereof is commonly connected to a control terminal of the first transistor, and a current according to the current passing through the first transistor in the main current path. A second transistor configured to flow through the third transistor; a third transistor whose main current path is connected in parallel to a resistor constituting the time constant circuit; and a third transistor receiving a current passing through the main current path of the second transistor. And a bias circuit for supplying a bias to the control terminal of the transistor. More preferably, a diode is provided in parallel with respect to the resistor constituting the time constant circuit.

저항과 콘덴서의 직렬회로를 구비하는 시정수 회로의 입력측에 시리즈 레귤레이터형 전압공급 회로를 설치한다. 여기서 전압공급 회로의 내부에는 전압공급 회로의 입력단자와 시정수 회로 사이에 접속된 제1의 트랜지스터와, 제1의 트랜지스터와 커렌트 미러 동작을 행하는 제2의 트랜지스터와, 시정수 회로의 저항에 그 주전류로를 병렬 접속한 제3의 트랜지스터와, 제2의 트랜지스터로부터 공급되는 전류에 따라 제3의 트랜지스터에 바이어스를 공급하는 바이어스 회로, 구체적으로는 저항을 설치한다. 더욱 바람직하게는, 시정수 회로의 저항에 대하여 다이오드를 병렬 접속한다.A series regulator type voltage supply circuit is provided on the input side of the time constant circuit including a series circuit of a resistor and a capacitor. Here, inside the voltage supply circuit, a first transistor connected between the input terminal of the voltage supply circuit and the time constant circuit, a second transistor for performing a current mirror operation with the first transistor, and a resistance of the time constant circuit. A third transistor in which the main current paths are connected in parallel and a bias circuit for supplying a bias to the third transistor in accordance with a current supplied from the second transistor, specifically, a resistor are provided. More preferably, a diode is connected in parallel with the resistance of the time constant circuit.

전압공급 회로로부터 시정수 회로에 대하여 전압의 공급이 개시되었을 때, 시정수 회로의 콘덴서의 단자간 전압이 낮으면 다이오드가 도통한다. 이때, 저항과 다이오드의 쌍방을 흐르는 전류가 콘덴서에 흘러들어, 제1의 트랜지스터를 통과하는 전류는 저항 단독일 때보다 커진다. 제1의 트랜지스터를 통과하는 전류가 커지면 제2의 트랜지스터를 통과하는 전류도 커지고, 제3의 트랜지스터가 온한다. 온상태의 트랜지스터 소자의 주전류로에 나타나는 전기저항은 매우 낮고, 그것에 생기는 전위차도 다이오드의 순방향 강하전압보다 낮으므로 콘덴서는 급속하게 충전된다.When the supply of the voltage from the voltage supply circuit to the time constant circuit is started, the diode conducts when the voltage between the terminals of the capacitors of the time constant circuit is low. At this time, a current flowing through both the resistor and the diode flows into the capacitor, and the current passing through the first transistor becomes larger than when the resistor alone. As the current passing through the first transistor increases, the current passing through the second transistor also increases, and the third transistor turns on. The electrical resistance appearing in the main current path of the transistor element in the on state is very low, and the potential difference generated therein is lower than the forward drop voltage of the diode, so that the capacitor is rapidly charged.

콘덴서의 충전이 진행되고, 그 단자간 전압이 상승되면, 이윽고 제3의 트랜 지스터는 온상태를 유지할 수 없게 된다. 구체적으로, 콘덴서의 단자간 전압이 대략 규정의 전압값으로까지 높아지면 제3의 트랜지스터는 오프상태로 이행한다. 이후, 제3의 트랜지스터는 콘덴서의 단자간 전압이 높은 값을 유지하는 한 오프상태를 유지한다. 이렇게 해서 제3의 트랜지스터는 실질적으로 시정수 회로를 구성하는 콘덴서의 단자간 전압에 따라 온, 오프하게 된다.When the charging of the capacitor proceeds and the voltage between the terminals rises, the third transistor cannot keep on. Specifically, when the voltage between the terminals of the capacitor rises to approximately the prescribed voltage value, the third transistor shifts to the off state. The third transistor then remains off as long as the voltage between the terminals of the capacitor maintains a high value. In this way, the third transistor is turned on and off substantially in accordance with the voltage between the terminals of the capacitor constituting the time constant circuit.

<실시예><Example>

전압공급 개시시에 시정수 회로의 콘덴서의 충전을 신속하게 행할 수 있도록 한, 본 발명에 의한 전압공급 회로를 도 1에 나타냈다. 여기서 도 1의 전압공급 회로는 도 2의 전압발생 회로(7)에 상당하는 전압발생 회로(7a)와 도 2의 시정수 회로(6)에 상당하는 시정수 회로(6)로 구성되어 있고, 전압발생 회로(7a)를 다음과 같은 구성으로 하고 있다.1 shows a voltage supply circuit according to the present invention in which the capacitor of the time constant circuit can be quickly charged at the start of voltage supply. Here, the voltage supply circuit of FIG. 1 is composed of a voltage generation circuit 7a corresponding to the voltage generation circuit 7 of FIG. 2 and a time constant circuit 6 corresponding to the time constant circuit 6 of FIG. The voltage generating circuit 7a is configured as follows.

입력단자(IN)와 출력단자(OUT) 사이에 트랜지스터(Q1)의 주전류로를 접속하고, 트랜지스터(Q1)의 베이스는 트랜지스터(Q4)의 주전류로를 통해서 그라운드에 접속되어 있다. 트랜지스터(Q4)의 베이스는 오차증폭기(AMP)의 신호출력 단자에 접속되고, 오차증폭기(AMP)의 비반전 입력단자(+)는 밴드갭 레퍼런스 회로(BG)에 접속되어 있다. 출력단자(OUT)와 그라운드 사이에 저항 R1과 R2의 직렬회로가 접속되고, 저항 R1과 R2의 공통접속점은 오차증폭기(AMP)의 반전 입력단자(-)에 접속되어 있다.The main current path of the transistor Q1 is connected between the input terminal IN and the output terminal OUT, and the base of the transistor Q1 is connected to the ground through the main current path of the transistor Q4. The base of the transistor Q4 is connected to the signal output terminal of the error amplifier AMP, and the non-inverting input terminal + of the error amplifier AMP is connected to the bandgap reference circuit BG. The series circuit of the resistors R1 and R2 is connected between the output terminal OUT and the ground, and the common connection point of the resistors R1 and R2 is connected to the inverting input terminal (-) of the error amplifier AMP.

트랜지스터(Q1)와 베이스끼리, 이미터끼리가 각각 공통 접속된 트랜지스터(Q2)를 설치하고, 트랜지스터(Q2)의 컬렉터를 바이어스 회로로서의 저항(R3)의 일단에 접속한다. 저항(R3)의 타단은 그라운드에 접속하고, 저항(R3)의 일단을 트랜지스터(Q3)의 베이스에 접속한다. 트랜지스터(Q3)의 주전류로가 시정수 회로(6) 내의 저항(R0)에 대하여 병렬접속상태로 되도록 그 이미터를 저항(R0)의 일단에, 그 컬렉터를 저항(R0)의 타단에 접속한다. 그리고 컬렉터, 베이스 사이를 단락한 트랜지스터(Q5)를 설치하여 트랜지스터(Q5)의 이미터를 저항(R0)의 일단에, 컬렉터를 저항(R0)의 타단에 접속한다.Transistor Q2 is provided in which transistors Q1, bases, and emitters are commonly connected, and a collector of transistors Q2 is connected to one end of resistor R3 as a bias circuit. The other end of the resistor R3 is connected to ground, and one end of the resistor R3 is connected to the base of the transistor Q3. The emitter is connected to one end of the resistor R0 and its collector to the other end of the resistor R0 so that the main current path of the transistor Q3 is in parallel connection with the resistor R0 in the time constant circuit 6. do. A transistor Q5 is formed between the collector and the base, and an emitter of the transistor Q5 is connected to one end of the resistor R0 and the collector is connected to the other end of the resistor R0.

이상과 같은 구성으로 한 도 1의 회로는 이하와 같은 동작을 한다.The circuit of FIG. 1 having the above configuration performs the following operation.

우선, 입력단자(IN)에 전압이 공급되면, 밴드갭 레퍼런스 회로(BG)와 오차증폭기(AMP)가 동작상태로 된다. 그런데 전압발생 회로(7a)의 내부에 있어서 트랜지스터(Q1), 오차증폭기(AMP), 밴드갭 레퍼런스 회로(BG), 및 저항 R1과 R2는 시리즈 레귤레이터의 회로구성으로 되어 있다. 이 때문에, 동작상태로 된 밴드갭 레퍼런스 회로(BG)는 실온에서 1.26V 전후의 값을 나타내는 안정도가 매우 높은 BG 전압신호를 발생시킨다. 그리고, 동작상태로 된 오차증폭기(AMP)는 저항 R1과 R2의 공통접속점의 전압이 밴드갭 레퍼런스 회로(BG)로부터 공급되는 BG 전압신호와 같아지도록 트랜지스터(Q1)를 구동한다.First, when a voltage is supplied to the input terminal IN, the bandgap reference circuit BG and the error amplifier AMP are put into an operating state. By the way, the transistor Q1, the error amplifier AMP, the bandgap reference circuit BG, and the resistors R1 and R2 in the voltage generation circuit 7a have a circuit configuration of a series regulator. For this reason, the bandgap reference circuit BG in an operating state generates a BG voltage signal having a very high stability showing values around 1.26V at room temperature. The error amplifier AMP in an operating state drives the transistor Q1 so that the voltage at the common connection point of the resistors R1 and R2 is equal to the BG voltage signal supplied from the bandgap reference circuit BG.

시정수 회로(6)의 콘덴서(C0)가 미충전상태에서 그 단자간 전압이 낮을 때, 오차증폭기(AMP)는 트랜지스터(Q1)의 통과전류를 크게 하도록 트랜지스터(Q1)를 구동한다. 이때, 시정수 회로(6)의 저항(R0)의 단자 사이에는 큰 전위차가 생긴다. 이 전위차는 다이오드로서 동작하는 트랜지스터(Q5)의 온전압을 상회하는 크기로 되므로, 트랜지스터(Q5)가 도통하여 트랜지스터(Q5)를 통해서 콘덴서(C0)에 큰 충 전전류가 공급된다.When the capacitor C0 of the time constant circuit 6 is uncharged and the voltage between its terminals is low, the error amplifier AMP drives the transistor Q1 to increase the passage current of the transistor Q1. At this time, a large potential difference occurs between the terminals of the resistor R0 of the time constant circuit 6. Since the potential difference is larger than the on-voltage of the transistor Q5 operating as a diode, the transistor Q5 conducts and a large charging current is supplied to the capacitor C0 through the transistor Q5.

트랜지스터(Q5)에 전류가 흐르면, 트랜지스터(Q1)에는 저항(R0) 단독일 때보다 큰 전류가 흐르고, 이것에 따라 트랜지스터(Q1)와 커렌트 미러 회로를 구성하도록 접속된 트랜지스터(Q2)에도 큰 전류가 흐른다. 트랜지스터(Q2)를 통과한 전류는 저항(R3)의 일단과 트랜지스터(Q3)의 베이스에 공급되고, 그 결과 트랜지스터(Q3)는 온한다. 온한 트랜지스터(Q3)의 주전류로는 전기저항이 매우 낮은 상태로 되어 콘덴서(C0)의 충전을 신속하게 행하게 한다.When a current flows in the transistor Q5, a larger current flows in the transistor Q1 than in the case of the resistor R0 alone, and accordingly, a larger current also flows in the transistor Q2 connected to form the current mirror circuit with the transistor Q1. Current flows The current passing through the transistor Q2 is supplied to one end of the resistor R3 and the base of the transistor Q3, so that the transistor Q3 is turned on. As the main current of the turned-on transistor Q3, the electrical resistance is very low, and the capacitor C0 is charged quickly.

콘덴서(C0)의 충전이 진행되고, 그 단자간 전압(즉 전압(VR2))이 규정의 값에 근접하면 Q1, Q4, AMP, BG, R1, R2로 이루어지는 회로부분에 의해 행해지는 시리즈 레귤레이터로서의 동작에 의해 트랜지스터(Q1)를 통과하는 전류가 좁혀진다. 이때, 트랜지스터(Q2)의 통과전류도 동시에 좁혀져서, 트랜지스터(Q3)의 이미터의 위치의 전위상승과 베이스의 위치의 전위저하가 동시에 진행된다. 그러면, 트랜지스터(Q3)에 공급되는 바이어스는 저하되고, 이윽고 트랜지스터(Q3)는 오프상태로 이행된다.When the charging of the capacitor C0 proceeds and the voltage between the terminals (i.e., the voltage V R2 ) is close to the prescribed value, a series regulator is performed by a circuit portion consisting of Q1, Q4, AMP, BG, R1, and R2. As a result, the current passing through the transistor Q1 is narrowed. At this time, the passage current of the transistor Q2 is also narrowed at the same time, so that the potential rise of the emitter position of the transistor Q3 and the potential decrease of the position of the base proceed simultaneously. Then, the bias supplied to the transistor Q3 is lowered, and then the transistor Q3 transitions to the off state.

이상과 같이 해서, 트랜지스터(Q3)는 콘덴서(C0)의 단자간 전압과 트랜지스터(Q1)를 통과하는 전류에 따라 온, 오프한다.As described above, the transistor Q3 is turned on and off in accordance with the voltage between the terminals of the capacitor C0 and the current passing through the transistor Q1.

이 도 1의 회로에 있어서는 트랜지스터(Q3)가 온상태로 되었을 때, 그 컬렉터, 이미터 사이에 나타나는 전위차가, 다이오드 소자의 순방향 강하전압이나 컬렉터, 베이스 사이가 단락된 트랜지스터(Q5)의 컬렉터, 이미터 사이의 전위차보다 낮 아진다. 이 때문에, 시정수 회로(6)의 저항(R0)에 다이오드를 접속하기만 하는 대책(앞에 설명한 <1>의 대책의 구체예)보다 신속하게 콘덴서(C0)를 충전할 수 있다. 그리고, 트랜지스터(Q3)에 바이어스를 공급하기 위한 저항(R3)과 트랜지스터(Q2)는 그 저항값과 트랜지스터의 사이즈(=통과전류의 크기)를 시정수 회로(6)의 저항값이나 특성에 관계없이 설정할 수 있다. 이 때문에 트랜지스터(Q3)의 턴 온시, 턴 오프시의 바이어스 공급량, 온상태유지시의 바이어스 공급량의 조정이 용이해진다.In the circuit of FIG. 1, when the transistor Q3 is turned on, the potential difference between the collector and the emitter is the forward drop voltage of the diode element, the collector, or the collector of the transistor Q5 shorted between the base, Lower than the potential difference between the emitters. For this reason, the capacitor C0 can be charged more quickly than the countermeasure which only connects a diode to the resistor R0 of the time constant circuit 6 (the specific example of the countermeasure of <1> mentioned above). The resistor R3 and transistor Q2 for supplying a bias to the transistor Q3 relate the resistance value and the size of the transistor (= magnitude of the passing current) to the resistance value and characteristics of the time constant circuit 6. Can be set without For this reason, it becomes easy to adjust the bias supply amount at the time of turn-on and turn-off of transistor Q3, and the bias supply amount at the time of holding on-state.

또한, 다이오드로서 기능하는 트랜지스터(Q5)에 대해서는, 저항(R0) 단독일 때보다 큰 전류를 통과시킴으로써 트랜지스터(Q1)와 트랜지스터(Q2)에 큰 전류를 유통시켜 트랜지스터(Q3)의 턴 온을 촉진한다는 역할을 맡는다. 이 트랜지스터(Q5)의 온전압을 적절한 값으로 설정해 둠으로써 예측하지 못한 사태에 의해 콘덴서(C0)의 단자간 전압이 규정의 값보다 저하되었을 때, 트랜지스터(Q3)를 온시켜서 신속하게 규정의 값으로 복귀시키거나, 반대로 노이즈로 트랜지스터(Q3)가 잘못 온하는 것을 방지하거나 할 수 있다. 단, 기동시(=콘덴서(C0)의 단자간 전압이 제로)와 통상동작시(=콘덴서(C0)의 단자간 전압이 규정값)에 있어서 각각 저항(R0)을 흐르는 전류의 차가 매우 크고, 트랜지스터(Q3)의 턴 온을 촉진할 필요가 없을 경우, 트랜지스터(Q5)는 생략될 수도 있다.In addition, for the transistor Q5 serving as a diode, a larger current is passed through the transistor Q1 and the transistor Q2 by passing a larger current than when the resistor R0 alone is used to promote turn-on of the transistor Q3. It has a role to play. By setting the on-voltage of the transistor Q5 to an appropriate value, when the voltage between the terminals of the capacitor C0 is lower than the prescribed value due to an unforeseen situation, the transistor Q3 is turned on and the prescribed value is quickly set. The transistor Q3 can be prevented from being turned on incorrectly due to noise. However, the difference between the current flowing through the resistor R0 is very large at the time of starting (= voltage between terminals of capacitor C0 is zero) and normal operation (= voltage between terminals of capacitor C0 is specified value), If there is no need to promote turn-on of transistor Q3, transistor Q5 may be omitted.

도 1의 전압공급 회로가 정상동작 상태에 있을 때, 전압발생 회로(7a) 내부의 트랜지스터(Q1,Q4), 오차증폭기(AMP), 밴드갭 레퍼런스 회로(BG)에 의한 회로부분은 그 회로구성에서 리플필터로 간주할 수도 있다. 전압발생 회로(7a)의 입력단 자(IN)의 전압(VIN)이 출력단자(OUT)의 전압(VOUT)(=도 2의 VR1)보다 충분히 높을 경우, 전압발생 회로(7a)의 리플필터 기능에 의해 전압(VIN)에 포함되는 노이즈는 대폭 저감되어 전압(VOUT)은 노이즈가 적은 직류전압으로 된다. 당연히, 도 1의 시정수 회로(6)로부터 취출되는 전압(=도 2의 VR2에 상당하는 전압)은 노이즈가 적은 직류전압으로 된다.When the voltage supply circuit of Fig. 1 is in the normal operation state, the circuit portion of the transistors Q1 and Q4, the error amplifier AMP, and the bandgap reference circuit BG in the voltage generation circuit 7a is constituted by the circuit. It can also be considered as a ripple filter in. When the voltage V IN of the input terminal IN of the voltage generating circuit 7a is sufficiently higher than the voltage V OUT of the output terminal OUT (= V R1 in FIG. 2), the voltage generating circuit 7a By the ripple filter function, the noise included in the voltage V IN is greatly reduced, and the voltage V OUT becomes a DC voltage with less noise. Naturally, the voltage (voltage corresponding to V R2 in FIG. 2) taken out from the time constant circuit 6 in FIG. 1 becomes a DC voltage with little noise.

한편, 전압(VIN)과 전압(VOUT)이 근사할 경우, 전압(VIN)에 포함되는 노이즈가 전압발생 회로(7a)를 거의 그대로 통과해버린다. 그러나 시정수 회로(6)가 로패스 필터로서 기능하므로, 결과적으로 도 1의 시정수 회로(6)로부터 취출되는 전압(=도 2의 VR2에 상당하는 전압)은 노이즈가 적은 직류전압으로 된다. 따라서, 본 발명에 의한 전압발생 회로를 종래의 안정화 회로에 적용해도 안정화 회로 자체의 회로동작을 손상시키는 일은 없다.On the other hand, when the voltage V IN and the voltage V OUT are approximated, the noise contained in the voltage V IN passes through the voltage generating circuit 7a almost as it is. However, since the time constant circuit 6 functions as a low pass filter, as a result, the voltage taken out from the time constant circuit 6 of FIG. 1 (voltage corresponding to V R2 of FIG. 2) becomes a DC voltage with low noise. . Therefore, even if the voltage generation circuit according to the present invention is applied to a conventional stabilization circuit, the circuit operation of the stabilization circuit itself is not impaired.

이상의 본 발명의 설명에 있어서 도 1의 트랜지스터(Q1), 오차증폭기(AMP), 밴드갭 레퍼런스 회로(BG), 저항 R1 및 R2는 시리즈 레귤레이터를 구성하고 있다. 그러나 시정수 회로(6)로의 공급전류를 조정하는 트랜지스터(Q1)가 존재하는 것이면, 예를 들면 3단자 레귤레이터를 구성하는 것이어도 된다. 또, 본 발명에 의한 전압공급 회로의 전압발생 회로(7a)는 도 2와 같이 전압안정화 회로의 기준전압 공급용에 한정되지 않고, 시정수 회로(RC 필터)를 통해서 안정도가 높은 전압을 공급하는 경우에 널리 적용할 수 있다.In the above description of the present invention, the transistor Q1, the error amplifier AMP, the bandgap reference circuit BG, and the resistors R1 and R2 in FIG. 1 constitute a series regulator. However, as long as there exists a transistor Q1 for adjusting the supply current to the time constant circuit 6, for example, a three-terminal regulator may be constituted. In addition, the voltage generation circuit 7a of the voltage supply circuit according to the present invention is not limited to the supply of the reference voltage of the voltage stabilization circuit as shown in FIG. 2, and supplies a high stability voltage through a time constant circuit (RC filter). It is widely applicable in the case.

시정수 회로를 구성하는 저항의 양단을 전압공급 개시시에 온상태로 되는 제3의 트랜지스터에서 단락하도록 했으므로, 순방향 강하전압과 같은 전류유통에 대한 저항요인이 작아서 신속하게 시정수 회로 내의 콘덴서를 충전할 수 있다.Since both ends of the resistor constituting the time constant circuit are short-circuited by the third transistor which is turned on at the start of voltage supply, the resistance factor for current flow such as the forward drop voltage is small, so that the capacitor in the time constant circuit is quickly charged. can do.

전압공급 개시시에 저항의 양단을 단락하는 제3의 트랜지스터에 대하여, 제2의 트랜지스터와 그것으로부터 전류공급을 받는 바이어스 회로로부터 바이어스를 공급하도록 했으므로, 시정수 회로의 저항의 설정값에 관계없이 바이어스량을 설정할 수 있다. 그리고, 제2의 트랜지스터를 통과하는 전류의 크기, 공급전류에 대한 바이어스 회로로부터의 바이어스 공급량, 그리고 필요에 따라 저항에 병렬 접속된 다이오드의 순방향 강하전압(온전압)을 서로 조정함으로써 턴 온, 오프, 그리고 온상태유지의 각 시점에서의 제3의 트랜지스터에 공급해야 할 바이어스량의 조정을 용이하게 행할 수 있다.Since the bias is supplied from the second transistor and the bias circuit which receives the current from the third transistor that shorts both ends of the resistor at the start of voltage supply, the bias is independent of the set value of the resistance of the time constant circuit. Quantity can be set. Then, it is turned on and off by adjusting the magnitude of the current passing through the second transistor, the bias supply amount from the bias circuit to the supply current, and the forward drop voltage (on voltage) of the diode connected in parallel with the resistor as necessary. And the bias amount to be supplied to the third transistor at each point in the on state maintenance can be easily adjusted.

Claims (6)

저항과 콘덴서를 포함하는 시정수 회로를 통해서 상기 시정수 회로의 출력측에 설치된 기능회로에 전압을 공급하기 위한 전압공급 회로에 있어서: In a voltage supply circuit for supplying a voltage to a functional circuit installed on the output side of the time constant circuit through a time constant circuit comprising a resistor and a capacitor: 상기 시정수 회로에 전압과 전류를 공급하도록, 입력단자와 상기 시정수 회로 사이에 설치된 제1의 트랜지스터; A first transistor provided between an input terminal and the time constant circuit to supply a voltage and a current to the time constant circuit; 그 제어단자가 상기 제1의 트랜지스터의 제어단자와 공통 접속되고, 그 주전류로에 상기 제1의 트랜지스터를 통과하는 전류에 따른 전류가 흐르도록 구성된 제2의 트랜지스터; A second transistor having a control terminal connected in common with a control terminal of the first transistor, the second transistor configured to flow a current corresponding to a current passing through the first transistor in a main current path thereof; 그 주전류로가 상기 시정수 회로를 구성하는 저항에 병렬 접속된 제3의 트랜지스터;및 A third transistor whose main current path is connected in parallel to a resistor constituting the time constant circuit; and 상기 제2의 트랜지스터의 주전류로를 통과하는 전류의 공급을 받아서 상기 제3의 트랜지스터의 제어단자에 바이어스를 공급하는 바이어스 회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 전압공급 회로.And a bias circuit configured to receive a supply of current passing through a main current path of the second transistor and supply a bias to a control terminal of the third transistor. 제1항에 있어서, 상기 바이어스 회로는 상기 시정수 회로를 구성하는 콘덴서의 단자간 전압이 낮을 때에, 상기 제1의 트랜지스터의 주전류로를 통과하는 전류의 크기에 따라 상기 제3의 트랜지스터를 온상태로 하는 바이어스를 공급하는 것을 특징으로 하는 전압공급 회로.The third transistor of claim 1, wherein the bias circuit turns on the third transistor according to the magnitude of the current passing through the main current path of the first transistor when the voltage between the terminals of the capacitor constituting the time constant circuit is low. A voltage supply circuit comprising supplying a bias to be in a state. 제2항에 있어서, 상기 바이어스 회로가 저항소자로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전압공급 회로.3. The voltage supply circuit as claimed in claim 2, wherein said bias circuit is made of a resistance element. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 시정수 회로의 단자간 전압에 상등하는 귀환 전압신호와 전압값이 안정된 기준 전압신호를 수신하고, 상기 2가지 전압신호의 크기에 따라 상기 제1의 트랜지스터를 통과하는 전류를 제어하기 위한 신호를 생성하는 오차증폭기를 더 구비하고, The apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein the feedback voltage signal equal to the voltage between the terminals of the time constant circuit and the reference voltage signal whose voltage value is stable are received, and according to the magnitudes of the two voltage signals. And an error amplifier for generating a signal for controlling a current through the first transistor, 상기 제1의 트랜지스터가 상기 오차증폭기와 함께 상기 시정수 회로의 단자간 전압을 일정하게 하기 위한 레귤레이터 회로를 구성하는 것을 특징으로 하는 전압공급 회로.And the first transistor constitutes a regulator circuit for making the voltage between terminals of the time constant circuit constant with the error amplifier. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 시정수 회로를 구성하는 저항에 대하여 병렬 접속된 다이오드를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 전압공급 회로.The voltage supply circuit according to any one of claims 1 to 3, further comprising a diode connected in parallel with a resistor constituting the time constant circuit. 제4항에 있어서, 상기 시정수 회로를 구성하는 저항에 대하여 병렬 접속된 다이오드를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 전압공급 회로.The voltage supply circuit according to claim 4, further comprising a diode connected in parallel with a resistor constituting said time constant circuit.
KR1020060095521A 2005-09-30 2006-09-29 A voltage supply circuit KR100813486B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005286667A JP2007094970A (en) 2005-09-30 2005-09-30 Voltage supply circuit
JPJP-P-2005-00286667 2005-09-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070037387A KR20070037387A (en) 2007-04-04
KR100813486B1 true KR100813486B1 (en) 2008-03-13

Family

ID=37980581

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060095521A KR100813486B1 (en) 2005-09-30 2006-09-29 A voltage supply circuit

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2007094970A (en)
KR (1) KR100813486B1 (en)
TW (1) TWI327691B (en)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4757623B2 (en) * 2005-12-21 2011-08-24 パナソニック株式会社 Power circuit
JP2018159641A (en) * 2017-03-23 2018-10-11 日本特殊陶業株式会社 Voltage supply device
CN108874010A (en) * 2018-09-06 2018-11-23 深圳市中微半导体有限公司 A kind of strong anti-interference LDO module and anti-interference touch detection circuit
JP7271227B2 (en) * 2019-02-27 2023-05-11 ローム株式会社 power circuit
US11079783B2 (en) * 2019-02-27 2021-08-03 Rohm Co., Ltd. Power supply circuit and power supply device
JP7273622B2 (en) * 2019-06-06 2023-05-15 ローム株式会社 Power supply circuit and power supply
JP7427450B2 (en) 2020-01-07 2024-02-05 キヤノン株式会社 Voltage conversion circuit and image forming device
CN116318153A (en) * 2023-05-10 2023-06-23 微龛(广州)半导体有限公司 Reference voltage driving circuit, analog-to-digital converter, chip and driving method

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH086656A (en) * 1994-06-22 1996-01-12 Nippon Precision Circuits Kk Malfunction preventing circuit for reference voltage circuit
JPH10214121A (en) 1997-01-30 1998-08-11 Nec Ic Microcomput Syst Ltd Constant voltage circuit
JPH1151981A (en) 1997-08-08 1999-02-26 Toko Inc Comparison circuit
US5886565A (en) 1996-09-30 1999-03-23 Yamaha Corporation Reference voltage generating circuit having an integrator

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06301429A (en) * 1993-04-13 1994-10-28 Hitachi Ltd Reference voltage generating circuit
JP3533877B2 (en) * 1997-04-16 2004-05-31 ミツミ電機株式会社 Constant voltage circuit
JP2002023870A (en) * 2000-07-10 2002-01-25 Ricoh Co Ltd Reference voltage circuit and voltage regulator using the circuit
JP4647130B2 (en) * 2001-04-25 2011-03-09 新日本無線株式会社 Reference voltage generation circuit
JP3983612B2 (en) * 2002-07-08 2007-09-26 ローム株式会社 Stabilized power supply with current limiting function

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH086656A (en) * 1994-06-22 1996-01-12 Nippon Precision Circuits Kk Malfunction preventing circuit for reference voltage circuit
US5886565A (en) 1996-09-30 1999-03-23 Yamaha Corporation Reference voltage generating circuit having an integrator
JPH10214121A (en) 1997-01-30 1998-08-11 Nec Ic Microcomput Syst Ltd Constant voltage circuit
JPH1151981A (en) 1997-08-08 1999-02-26 Toko Inc Comparison circuit

Also Published As

Publication number Publication date
TW200715088A (en) 2007-04-16
TWI327691B (en) 2010-07-21
JP2007094970A (en) 2007-04-12
KR20070037387A (en) 2007-04-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100813486B1 (en) A voltage supply circuit
JP3639189B2 (en) Load drive circuit
US6738272B2 (en) Charge pump rush current limiting circuit
US7453251B1 (en) Voltage tracking reference for a power regulator
US8093924B2 (en) Low side driver
JP3637848B2 (en) Load drive circuit
KR20060132941A (en) Semiconductor integrated circuit device and switching power source device using the same
US10460896B2 (en) Relay control device
KR20100056244A (en) Switch driving circuit and switch driving method
US7362157B2 (en) Circuit arrangement with a transistor having a reduced reverse current
WO2017195427A1 (en) Power supply device and electronic control device
KR101207254B1 (en) Switching regulator
JP3680784B2 (en) Power circuit
WO2006093204A1 (en) Semiconductor integrated circuit device
US7173350B2 (en) Load drive control apparatus having minimized power consumption when functioning in waiting status
JP6038481B2 (en) Power circuit
CN115525095A (en) Voltage regulator power supply circuit and power supply method
JP2001337729A (en) Series regulator
JP2682699B2 (en) Drive circuit
US7190195B2 (en) Input circuit and output circuit
JP3275778B2 (en) Overcurrent protection circuit
JP3860089B2 (en) DC stabilized power supply circuit
JP3881337B2 (en) Signal output circuit and power supply voltage monitoring apparatus having the same
JP2006174585A (en) Feedback circuit
JP4124082B2 (en) Constant voltage power circuit

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130227

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140220

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150224

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee