KR100811825B1 - Heater and bake apparatus with the heater - Google Patents
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Abstract
Description
도 1은 본 발명에 따른 베이크 장치가 구비되는 스피너 설비의 사시도이다.1 is a perspective view of a spinner installation equipped with a baking apparatus according to the present invention.
도 2는 본 발명에 따른 베이크 장치의 사시도이다.2 is a perspective view of the baking apparatus according to the present invention.
도 3은 도 2에 도시된 베이크 장치의 구성도이다.3 is a configuration diagram of the baking apparatus illustrated in FIG. 2.
도 4는 도 3에 도시된 발열체의 구성도이다.4 is a configuration diagram of a heating element illustrated in FIG. 3.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 발열체들의 배치를 보여주는 평면도이다.5 is a plan view illustrating an arrangement of heating elements according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발열체들의 배치를 보여주는 평면도이다.6 is a plan view illustrating an arrangement of heating elements according to another exemplary embodiment of the present invention.
도 7은 본 발명에 따른 베이크 공정 과정을 보여주는 순서도이다.7 is a flowchart illustrating a baking process according to the present invention.
*도면의 주요부분에 대한 부호설명** Description of Signs of Main Parts of Drawings *
1 : 스피너 설비 100 : 베이크 장치1: Spinner Facility 100: Bake Device
10 : 인덱서부 110 : 하우징10: indexer 110: housing
20 : 공정처리부 120 : 히터20: process treatment unit 120: heater
30 : 인터페이스부 120 : 지지체30
40 : 노광공정부 130 : 발열체40: exposure step 130: heating element
본 발명은 히터 및 상기 히터를 구비하는 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 기판을 가열하는 히터 및 상기 히터를 구비하여 반도체 베이크 공정을 수행하는 베이크 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a heater and a substrate processing apparatus including the heater, and more particularly, to a heater for heating a semiconductor substrate and a baking apparatus including the heater to perform a semiconductor baking process.
반도체 제조 공정 중 사진 공정(photo-lithography process)은 웨이퍼 상에 원하는 패턴을 형성시키는 공정이다. 사진 공정은 노광설비가 연결되어 도포공정, 노광공정, 그리고 현상공정을 연속적으로 처리하는 스피너(spinner local) 설비에서 진행된다. 이러한 스피너 설비는 도포공정(coating process), 베이크 공정(bake process), 현상 공정(develop process)을 순차적 또는 선택적으로 수행한다. 여기서, 베이크 공정은 웨이퍼 상에 형성된 감광액막을 강화시키기 위해, 또는 웨이퍼의 온도를 기설정된 공정 온도로 조절하기 위해 웨이퍼를 가열 및 냉각시키는 공정이다.A photo-lithography process is a process of forming a desired pattern on a wafer. The photographic process is carried out in a spinner local facility in which exposure equipment is connected to continuously process an application process, an exposure process, and a developing process. Such spinner installations sequentially or selectively perform a coating process, a bake process, and a development process. Here, the baking process is a process of heating and cooling the wafer to strengthen the photoresist film formed on the wafer or to adjust the temperature of the wafer to a predetermined process temperature.
상술한 베이크 공정을 수행하는 장치는 일반적으로 히터(heater)를 구비한다. 히터는 공정시 웨이퍼를 기설정된 공정온도로 가열한다. 일반적인 히터는 공정시 웨이퍼를 지지하는 지지체 및 상기 지지체 내부에 구비되어 공정시 웨이퍼를 가열하는 가열판(heating plate)을 포함한다. 가열판은 대체로 원반 형상을 가지며, 내부에는 소정의 전력을 인가받아 발열하는 적어도 하나의 발열코일(heating coil) 이 구비된다.An apparatus for carrying out the above-described baking process generally comprises a heater. The heater heats the wafer to a predetermined process temperature during the process. A general heater includes a support for supporting a wafer during a process and a heating plate provided inside the support to heat the wafer during a process. The heating plate has a generally disk shape and has at least one heating coil for generating heat by applying a predetermined power therein.
그러나, 상술한 구조를 가지는 히터는 공정시 기판을 균일하게 가열하기 힘들었다. 즉, 일반적인 히터는 공정시 지지체에 기판을 안착시켜 기판의 온도를 기설정된 온도로 가열하나, 기판은 중심으로부터 가장자리로 갈수록 표면적이 증가되므로, 가열판이 기판 전반을 균일한 온도로 가열시키기 어렵다. 특히, 최근의 대형화된 웨이퍼를 전체가 일정한 온도로 설정된 가열판을 사용하여 가열하는 경우에는 웨이퍼의 영역별로 온도 불균형이 발생된다. However, the heater having the above-described structure was difficult to uniformly heat the substrate during the process. That is, the general heater heats the temperature of the substrate to a predetermined temperature by mounting the substrate on the support during the process, but since the surface area increases from the center to the edge, it is difficult for the heating plate to heat the entire substrate to a uniform temperature. In particular, in the case of heating a recent large-sized wafer using a heating plate set at a constant temperature as a whole, a temperature imbalance occurs for each region of the wafer.
또한, 일반적인 히터는 웨이퍼를 정밀하게 가열하기 힘들었다. 즉, 베이크 공정시 대형화된 웨이퍼 전반을 균일한 온도로 가열하기 위해서는 히터가 웨이퍼 전반에 온도 불균일이 발생되지 않도록 웨이퍼 전반을 정밀하게 가열하여야 한다. 그러나, 일방적인 히터는 단순히 웨이퍼 전체를 동일한 가열온도로 가열하므로, 웨이퍼의 영역별로 정밀한 온도 제어를 할 수 없어 웨이퍼의 정밀한 온도 조절이 어려웠다.In addition, common heaters were difficult to precisely heat the wafer. In other words, in order to heat the entire large-sized wafer at a uniform temperature during the baking process, the heater must be precisely heated throughout the wafer so that temperature nonuniformity does not occur throughout the wafer. However, since the one-sided heater simply heats the entire wafer to the same heating temperature, it is difficult to precisely control the temperature of each wafer, making it difficult to precisely control the temperature of the wafer.
또한, 일반적인 히터는 가열판의 오류발생시 작업자의 유지보수 부담이 크다. 즉, 가열판의 오류가 발생되면, 작업자는 베이크 공정을 중단한 후 가열판을 수리하거나 새로운 가열판으로 교체해주어야 한다. 그러나, 일반적인 가열판의 수리 및 교체를 위해서는 작업자가 히터를 분리 및 해체한 후 가열판을 수리 및 교체해주어야 하므로, 작업자의 부담이 크고 많은 시간이 소모된다. 또한, 가열판의 유지 보수를 수행하는 동안에는 베이크 공정이 중단되므로, 설비 가동률이 저하되어 공정 수율을 감소시킬 수 있다.In addition, a general heater has a large maintenance burden on an operator when an error occurs in the heating plate. That is, if an error occurs in the heating plate, the operator must stop the baking process and repair the heating plate or replace it with a new heating plate. However, in order to repair and replace a general heating plate, a worker needs to repair and replace a heating plate after removing and dismantling a heater, and thus a large burden on the worker and a lot of time are consumed. In addition, since the baking process is stopped during the maintenance of the heating plate, the facility operation rate is lowered to reduce the process yield.
상술한 문제점을 해결하기 위해 본 발명은 베이크 공정을 효과적으로 수행하는 히터 및 상기 히터를 구비하는 베이크 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.In order to solve the above problems, an object of the present invention is to provide a heater that performs the baking process effectively and a baking device having the heater.
또한, 본 발명은 기판의 전반이 균일한 온도를 갖도록 가열하는 히터 및 상기 히터를 구비하는 베이크 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.Moreover, an object of this invention is to provide the heater which heats so that the board | substrate of a board | substrate may have uniform temperature, and the baking apparatus provided with the said heater.
또한, 본 발명은 기판의 전반을 정밀하게 가열하는 히터 및 상기 히터를 구비하는 베이크 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.Moreover, an object of this invention is to provide the heater which heats the first half of a board | substrate precisely, and the baking apparatus provided with the said heater.
또한, 본 발명은 유지 보수가 용이한 히터 및 상기 히터를 구비하는 베이크 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.Moreover, an object of this invention is to provide the heater which is easy to maintain, and the baking apparatus provided with the said heater.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 베이크 장치는 내부에 상기 공정을 수행하는 공간을 제공하는 하우징, 공정시 상기 하우징 내부에서 기판을 지지하는 지지체, 그리고 상기 지지체에 복수개가 구비되어, 공정시 상기 기판의 상이한 영역들을 각각 가열하는 발열체들을 포함하되, 상기 발열체들은 바 형상을 가지고, 상기 지지체에서 상하로 탈착가능하도록 삽입되는 몸체, 상기 몸체 내부에 구비되는 발열코일, 그리고 상기 발열코일에 전력을 인가하는 전력인가기를 포함한다.Baking apparatus according to the present invention for achieving the above object is provided with a housing for providing a space for performing the process therein, a support for supporting a substrate in the housing during the process, and a plurality of the support is provided during the process Heating elements respectively heating different regions of the substrate, wherein the heating elements have a bar shape, a body inserted to be detachable up and down from the support, a heating coil provided in the body, and power to the heating coil. And applying a power applicator.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 체결부는 상기 지지체에 형성되는 홀에 나사결합되도록 상기 몸체의 외주면에 형성되는 나사산이다.According to an embodiment of the invention, the fastening portion is a screw thread formed on the outer circumferential surface of the body to be screwed into the hole formed in the support.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 베이크 장치는 공정시 상기 영역들 각각의 온도를 감지하는 감지부 및 상기 감지부가 감지한 상기 영역들의 온도데이터를 판단하여, 상기 기판 전반의 온도가 기설정된 공정온도를 만족하도록 상기 각각의 발열체들의 가열온도를 독립적으로 제어하는 제어부를 더 포함한다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the baking apparatus determines a temperature sensing unit for detecting a temperature of each of the regions during the process and temperature data of the regions detected by the sensing unit, and a process temperature at which the temperature of the entire substrate is preset Further comprising a control unit for independently controlling the heating temperature of each of the heating elements to satisfy the.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 베이크 방법은 공정시 기판의 기설정된 영역들의 온도를 감지하여, 각각의 상기 영역들의 온도가 기설정된 공정온도를 만족하도록 상기 영역들을 독립적으로 가열하되, 상기 기판의 가열은 상기 영역들을 각각 독립적으로 가열하는 복수의 카트리지 히터들에 의해 이루어진다.The baking method according to the present invention for achieving the above object is to sense the temperature of the predetermined region of the substrate during the process, and to independently heat the regions so that the temperature of each of the regions satisfy the predetermined process temperature, Heating of the substrate is effected by a plurality of cartridge heaters which each independently heat the regions.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein and may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided so that the disclosure may be made thorough and complete, and to fully convey the spirit of the present invention to those skilled in the art. Portions denoted by like reference numerals denote like elements throughout the specification.
또한, 본 실시예에서는 스피너 설비에 구비되어 반도체 기판의 온도를 조절하는 베이크 공정을 수행하는 장치를 예로 들어 설명하였으나, 본 발명은 다양한 종류의 기판을 가열시키는 모든 반도체 및 평판 디스플레이 제조 장치에 적용이 가능할 수 있다.In addition, the present embodiment has been described as an example of the apparatus provided in the spinner facility to perform the baking process for adjusting the temperature of the semiconductor substrate, the present invention is applicable to all semiconductor and flat panel display manufacturing apparatus for heating a variety of substrates It may be possible.
(실시예)(Example)
도 1은 본 발명에 따른 베이크 장치가 구비되는 스피너 설비의 사시도이고, 도 2는 본 발명에 따른 베이크 장치의 사시도이다. 그리고, 도 3은 도 2에 도시된 베이크 장치의 구성도이고, 도 4는 도 3에 도시된 발열체의 구성도이다.1 is a perspective view of a spinner installation with a baking apparatus according to the present invention, Figure 2 is a perspective view of the baking apparatus according to the present invention. 3 is a configuration diagram of the baking apparatus illustrated in FIG. 2, and FIG. 4 is a configuration diagram of the heating element illustrated in FIG. 3.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 스피너 설비(spinner local facility)(1)는 인덱서부(10), 공정 처리부(20), 인터페이스부(30), 그리고 노광 공정부(미도시됨)를 포함한다. 인덱서부(10)는 로드 포트(load port) 및 이송 유닛(transfer unit)(14)을 가진다. 로드 포트 각각에는 복수의 반도체 기판(W)을 수용하는 카세트(cassette)(미도시됨)가 안착되는 안착부(12)가 제공된다. 이송 유닛(14)은 적어도 하나가 구비되며, 로드 포트의 안착부(12)에 안착된 카세트와 공정 처리부(20) 상호간에 기판(W)을 이송 및 반송시킨다. Referring to FIG. 1, the spinner
공정 처리부(20)는 노광 공정을 제외한 사진공정(photo-lithography process)을 수행한다. 즉, 공정 처리부(20)는 도포 공정(coat process), 현상 공정(develop process), 그리고, 베이크 공정(bake process)을 수행한다. 이를 위해, 공정 처리부(20)는 다수의 스핀처리장치들(22), 이송유닛(24), 그리고 다수의 베이크 장치들(100)를 포함한다. 스핀처리장치들(22) 각각은 공정시 기판을 회전시켜 기판상에 처리액을 공급한다. 스핀처리장치들(22)은 기판상에 감광액을 도포하는 도포 장치(coater module) 및 기판상에 현상액을 분사하여 기판을 현상하는 현상 장치(develop module)를 포함한다. 이송유닛(24)은 공정 처리부(20)의 스핀처리장치들(22) 및 베이크 장치(100)들 각각에 기판을 이송한다. 그리고, 베이크 장치(bake apparatus)(100)는 기판의 가열 및 냉각을 수행한다. 계속해서, 베이크 장치(100)의 구성에 대해 상세히 설명한다. 본 실시예에서는 베이크 장치들(100) 중 에서 기판을 가열하는 공정을 수행하는 베이크 장치를 예로 들어 설명한다.The
도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 베이크 장치(100)는 하우징(housing)(110) 및 히터(heater)(120), 감지부(미도시됨), 제어부(140)를 포함한다. 하우징(110)은 내부에 베이크 공정을 수행하는 공간을 제공한다. 하우징(110)의 내부는 공정시 공정온도로 유지된다. 하우징(110)의 일측에는 공정시 기판(W)의 출입이 이루어지는 기판 출입구(112)가 제공된다. 2 and 3, the
히터(120)는 공정시 하우징(110) 내부에서 기판(W)을 기설정된 공정온도로 가열한다. 히터(120)는 지지체(supporter)(122) 및 발열체(heating body)(130)를 포함한다. 지지체(122)는 하우징(110) 내부에 적어도 하나가 설치된다. 지지체(122)는 공정시 기판(W)을 하우징(110) 내부에서 지지한다. 지지체(122)는 대체로 원통형상을 가지며, 상부에는 기판(W)을 안착시키는 안착면(122a)이 제공된다. 지지체(122)에는 기판(W)의 로딩(loading) 및 언로딩(unloading)을 수행하는 리프트 핀들(lift pin)(미도시됨)이 설치된다. 또한, 지지체(122)에는 발열체들(130)이 삽입되는 삽입홀들(122b)이 형성된다. 삽입홀들(122b)은 지지체(122)의 하부면으로부터 상부로 수직하게 형성된다. 각각의 삽입홀들(122b)의 내주면에는 발열체(130)과 나사결합되기 위한 나사산이 형성된다.The
각각의 발열체들(130)은 공정시 기판(W)의 상이한 영역들을 독립적으로 가열한다. 발열체들(130)은 각각의 삽입홀들(122b)에 하나씩 삽입되어 고정된다. 도 4를 참조하면, 발열체(130)는 몸체(body)(132), 발열코일(heating coil)(134), 그리고 전력인가기(power supply part)(136)를 포함한다. 몸체(132)는 긴 바(bar) 형상 을 가진다. 일 실시예로서, 몸체(132)는 대체로 긴 원통형상을 가진다. 몸체(132)의 내부에는 적어도 하나의 발열코일(134)이 구비되는 공간이 제공된다. 또한, 몸체(132)는 삽입홀들(122b)에 탈착가능하도록 체결된다. 이를 위해, 몸체(132)에는 체결부(132a)가 제공된다. 일 실시예로서, 체결부(132a)는 몸체(132)의 외주면에 형성되는 나사산일 수 있다. 발열코일(134)(heating coil)은 몸체(132)의 내부에 설치된다. 발열코일(134)은 몸체(132) 내부에 적어도 하나가 구비된다. 발열코일(134)은 전력인가기(136)로부터 전력을 인가받아 기설정된 공정온도로 발열한다.Each of the
여기서, 발열체들(130)의 배치는 지지체(120)에 다양하게 적용이 가능하다. 즉, 도 5에 도시된 바와 같이, 각각의 발열체들(130)은 서로 균등한 간격으로 배치될 수 있다. 이때, 발열체들(130)은 지지체(120)에 조밀하게 설치가 가능하므로, 베이크 공정시 기판(W)을 세분화된 영역별로 가열할 수 있다. 또는, 발열체들(130)은 지지체(120)에서 영역별로 상이한 간격으로 배치될 수 있다. 예컨대, 도 6에 도시된 바와 같이, 각각의 발열체들(130)은 지지체(120)의 중앙영역보다 가장자리영역에 보다 조밀하게 설치된다. 이는 베이크 공정시 기판(W)의 중앙영역보다 가장자리 영역을 정밀하게 가열하기 위함이다.Here, the arrangement of the
또한, 발열체들(130)은 긴 원통 형상을 가지는 것을 예로 들어 설명하였으나, 이는 발열체들(130)이 기판(W)의 세분화된 영역들을 가열하도록 지지체(122)에 조밀하게 설치하기 위한 것으로, 발열체들(130)의 형상은 다양하게 변형이 가능하다. 일 실시예로서, 발열체들(130)은 카트리지 히터(cartridge heater)일 수 있다.In addition, the
감지부(미도시됨)은 베이크 공정시 기판(W) 각각의 영역들의 온도를 감지한 다. 감지부는 복수의 온도감지센서들(미도시됨)을 구비한다. 각각의 온도감지센서들은 상기 영역들 당 하나씩 할당되어, 상기 영역들의 온도를 측정한다. 공정시 감지부가 측정한 상긱 영역별 온도 데이터들은 제어부(130)로 전송된다.The detector (not shown) detects temperatures of respective regions of the substrate W during the baking process. The sensing unit includes a plurality of temperature sensing sensors (not shown). Each temperature sensor is assigned one per said zone, measuring the temperature of said zones. In the process, the temperature data for each phase of the upper part measured by the sensing unit is transmitted to the
제어부(140)는 감지부로부터 상기 온도 데이터를 전송받아, 상기 영역들의 온도가 기설정된 공정 온도를 만족하는지 여부를 판단하여 기판의 온도가 기설정된 공정 온도를 만족하도록 발열체(130)의 가열온도를 독립적으로 제어한다.The
이하, 상술한 베이크 장치(100)의 공정 과정을 상세히 설명한다. 여기서, 상술한 구성들과 동일한 구성들에 대한 참조번호는 동일하게 병기하고, 그 구성들에 대한 상세한 설명은 생략하겠다.Hereinafter, the process of the above-described
스피너 설비(1)의 공정이 개시되면, 인덱서부(10)의 로드 포트에 카세트가 안착되고, 이송 유닛(12)은 카세트로부터 공정 처리부(20)로 기판(W)을 순차적으로 이송한다. 공정 처리부(20)의 이송 유닛(24)은 인덱서부(10)로부터 이송받은 기판(W)을 공정상 요구되는 장치들(22, 100)에 선택적 또는 순차적으로 반입시키고, 각각의 장치들(22, 100)들은 사진공정을 수행한다. 일 실시예로서, 이송 유닛(24)은 기판(W)들을 스핀처리장치(22)들 중 도포 장치로 이송시키고, 도포 장치는 기판(W)상에 감광액(photo-resist)을 도포한다. 이송유닛(24)은 감광액이 도포된 기판(W)을 도포 장치로부터 인터페이스부(30)로 이송하고, 인터페이스부(30)는 기판(W)을 노광 설비(미도시됨)로 이송시킨다. 노광 설비는 기판(W)상에 패턴을 전사시키는 노광 공정(exposure process)을 수행한다. 노광 공정이 완료된 기판(W)은 다시 인터페이스부(30)를 경유하여 스핀처리장치들(22) 중 현상 장치로 이송된다. 현상 장치는 기판(W)상에 현상액을 분사시켜, 기판(W)을 현상시킨다. 현상 공정이 완료된 기판(W)은 이송 유닛(24)에 의해 인덱서부(10)로 이동된 후 후속 공정이 수행되는 설비(미도시됨)로 반출된다.When the process of the
상술한 기판처리공정이 수행되는 과정에서는 기판(W)을 기설정된 공정 온도로 가열시키는 베이크 공정이 부가된다. 베이크 공정은 도포 공정이 수행된 후 기판(W)상에 도포된 감광액을 경화시키는 프리 베이크 공정(pre-bake process) 및 노광 공정 후 기판(W)을 가열하는 포스트 베이크 공정(post-bake process), 현상 공정 후 기판(W)을 경화시키는 하드 베이크 공정(hard bake process), 그리고, 기판(W)을 기설정된 온도로 냉각시키는 베이크 공정 등을 모두 포함한다. 본 실시예에서는 이 중 기판(W)을 기설정된 공정온도로 가열하는 공정을 예로 들어 설명한다. 그러나, 본 발명은 다양한 종류의 베이크 공정을 수행하는 모든 장치에 적용이 가능하다.In the process of performing the substrate treatment process described above, a baking process for heating the substrate W to a predetermined process temperature is added. The bake process includes a pre-bake process for curing the photoresist applied on the substrate W after the coating process is performed and a post-bake process for heating the substrate W after the exposure process. , A hard bake process for curing the substrate W after the developing process, and a bake process for cooling the substrate W to a predetermined temperature. In this embodiment, a process of heating the substrate W to a predetermined process temperature will be described as an example. However, the present invention can be applied to any apparatus that performs various kinds of baking processes.
도 7은 본 발명에 따른 베이크 공정 과정을 보여주는 순서도이다. 도 7을 참조하면, 베이크 공정이 개시되면, 기판(W)은 베이크 장치(100)의 히터(120)에 로딩(loading)된다(S110). 즉, 기판(W)은 기판 출입구(112)를 통해 하우징(110) 내부로 이송된 후 히터(120)에 구비되는 리프트 핀들(미도시됨)에 의해 지지체(122)에 안착된다. 기판(W)이 지지체(122)에 안착되면, 기판(W)은 기설정된 공정온도로 가열된다(S120). 즉, 기판(W)은 각각의 영역들을 가열하는 발열체들(130)에 의해 기설정된 공정온도로 가열된다. 특히, 기판(W)은 각각의 영역들에 할당되는 발열체들(130)에 의해 영역별로 독립적으로 가열된다.7 is a flowchart illustrating a baking process according to the present invention. Referring to FIG. 7, when the baking process is started, the substrate W is loaded on the
기판(W)이 일정 시간 동안 가열되면, 감지부(미도시됨)는 기판(W)의 영역들 각각의 온도를 감지한다(S130). 즉, 감지부의 온도측정센서들은 각각의 발열체들(130)이 가열하는 기판(W)의 영역들의 온도를 측정한다. 감지부가 측정한 영역별 온도데이터들은 제어부(140)로 전송된다. 제어부(140)는 전송받은 상기 온도데이터들을 판단하여, 기판(W)의 영역별로 기설정된 공정온도를 벗어나는지 여부를 판단한다(S140). 만약, 기판(W)의 영역들 중 공정온도를 벗어나는 영역이 발생되면, 제어부(140)는 공정온도를 벗어나는 영역을 가열하는 발열체(130)의 가열온도를 조절한다(S160). 즉, 공정온도를 벗어나는 영역의 온도가 공정온도보다 낮으면, 제어부(140)는 공정온도보다 낮은 온도의 영역을 가열하는 발열체(130)의 가열온도를 증가시키고, 공정온도를 벗어나는 영역의 온도가 공정온도보다 높으면, 제어부(140)는 공정온도보다 높은 온도의 영역을 가열하는 발열체(130)의 가열온도를 감소시킨다. 그리고, 기판(W) 각각의 영역들이 모두 공정온도를 만족하면, 기판(W)은 히터(120)로부터 언로딩(unloading)된 후 기판 출입구(112)를 통해 하우징(110) 외부로 반출된다(S150).When the substrate W is heated for a predetermined time, the detector (not shown) senses a temperature of each of the regions of the substrate W (S130). That is, the temperature measuring sensors of the detector measure the temperature of the regions of the substrate W to which the
상술한 베이크 장치 및 방법은 베이크 공정시 기판(W)을 복수의 영역별로 독립적으로 가열하므로, 기판(W)의 전반의 온도가 균일한 공정온도를 만족하도록 가열할 수 있다. In the above-described baking apparatus and method, the substrate W is independently heated for each of a plurality of regions during the baking process, and thus the temperature of the first half of the substrate W may be heated to satisfy a uniform process temperature.
또한, 본 발명에 따른 히터 및 상기 히터를 구비하는 베이크 장치는 긴 바(bar) 형상의 발열체들(130)을 구비함으로써, 기판(W)을 복수의 영역별로 세분화하여 온도조절할 수 있다. 즉, 긴 바 형상으로 제작되는 발열체들은 히터(120)의 지지체(122)에 밀집되게 설치가 가능하므로, 기판(W)의 영역들을 세분화하여 가열할 수 있어 기판(W)의 정밀한 온도제어가 가능하다. 예컨대, 대형화되는 기판은 중심으로부터 가장자리로 갈수록 표면적이 증가하므로, 각각의 발열체들(130)의 배치가 중앙영역으로부터 가장자리로 갈수록 밀집도가 증가하도록 설치하면, 기판(W)의 표면적 차이에 따른 베이크 공정시의 기판 온도불균일 현상을 방지할 수 있다.In addition, the heater and the baking apparatus having the heater according to the present invention includes the
또한, 본 발명에 따른 히터 및 상기 히터를 구비하는 베이크 장치는 발열체들(130)이 지지체(120)에 용이하게 탈착가능하게 설치된다. 따라서, 발열체(130)의 수리 및 교체와 같은 유지 보수 작업시, 베이크 공정의 중단없이 작업자가 오류가 발생된 발열체만을 분리하여 수리 및 교체할 수 있으므로, 작업자의 유지보수효율을 향상시킨다.In addition, the heater and the baking device having the heater according to the present invention, the
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description illustrates the present invention. In addition, the foregoing description merely shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications may be made within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, the scope equivalent to the disclosed contents, and / or the skill or knowledge in the art. The above-described embodiments are for explaining the best state in carrying out the present invention, the use of other inventions such as the present invention in other state known in the art, and the specific fields of application and uses of the present invention. Various changes are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to include other embodiments.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 히터 및 상기 히터를 구비하는 베이크 장치는 베이크 공정시 기판의 영역들을 독립적으로 가열함으로써, 기판의 전반이 균일한 온도로 가열되도록 하여 베이크 공정 효율을 향상시킨다.As described above, the heater according to the present invention and the baking apparatus having the heater independently heat the regions of the substrate during the baking process, thereby improving the baking process efficiency by allowing the first half of the substrate to be heated to a uniform temperature.
또한, 본 발명에 따른 히터 및 상기 히터를 구비하는 베이크 장치는 기판의 영역별로 정밀하게 온도 조절할 수 있어 기판의 정밀한 온도 조절이 가능하다.In addition, the heater and the baking apparatus having the heater according to the present invention can be precisely temperature control for each area of the substrate it is possible to precise temperature control of the substrate.
또한, 본 발명에 따른 히터 및 상기 히터를 구비하는 베이크 장치는 기판을가열하는 발열체들의 오류 발생시, 베이크 공정의 중단없이 작업자가 용이하게 발열체의 유지 보수를 수행할 수 있다.In addition, the heater according to the present invention and the baking apparatus having the heater, the operator can easily perform maintenance of the heating element without interruption of the baking process when an error occurs in the heating elements for heating the substrate.
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KR1020060092285A KR100811825B1 (en) | 2006-09-22 | 2006-09-22 | Heater and bake apparatus with the heater |
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KR101450006B1 (en) * | 2008-09-19 | 2014-10-13 | 주식회사 원익아이피에스 | Substrate processing apparatus |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20060010953A (en) * | 2004-07-29 | 2006-02-03 | 삼성전자주식회사 | Bake apparatus of semiconductor device manufacturing equipment |
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2006
- 2006-09-22 KR KR1020060092285A patent/KR100811825B1/en not_active IP Right Cessation
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