KR100806144B1 - 반도체 제조장치 - Google Patents

Abstract

본 발명에서는 고온공정과 대구경의 처리가 요구되는 반도체 제조장치에서 한 쌍의 반도체 기판을 입상된 상태로 대면시켜 공정처리할 때, 입상된 반도체 기판 사이로 탑재되어 공정가스를 배출시키는 배기노즐이 장착된 반도체 제조장치가 제공된다.

이를 위한 본 발명은 보트와 배기노즐 부분을 서로 분리(구분)하여, 보트는 반응챔버의 전후방으로 탑재되도록 하며, 배기노즐은 반응챔버 하부에서 승강가능토록 구비하고, 보트의 반응챔버 탑재 후 상승되어 홀더사이로 장착되도록 한 것이다.

이를 위한 배기노즐에는 승강장치가 구비되며, 이러한 승강장치가 포함된 배기장치는 벨로우즈 커버를 매개로 반응챔버와 기밀되게 결합된 것이다.

Description

반도체 제조장치{Semiconductor Manufacturing Apparatus}

도 1a 는 본 발명에 따른 배기노즐이 장착된 상태를 설명하기 위한 외관설명도,

도 1b 는 반응챔버에서 배기노즐의 승강상태를 나타낸 개념설명도,

도 2a 는 반응챔버에서 배기노즐의 승강상태를 나타낸 측단면개념도,

도 2b 는 상기 도 2a 에서 승강장치의 확대단면도,

도 3 은 반응챔버에서 배기노즐의 승강상태를 나타낸 정단면개념도이다.

- 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 -

100 - 반도체기판, 10 - 홀더,

14 - 지지패널, 18 - 서셉터,

20 - 지지로울러, 20' - 구동로울러,

22 - 보트, 24 - 반응챔버,

26 - 구동장치, 76 - 공급노즐,

78 - 배기노즐, 79 - 배기관,

88 - 벨로우즈 튜브, 89 - 벨로우즈 커버,

80 - 히터장치, 82 - 보트캡,

84 - 이동레일, 92 - 탑재장치,

120 - 대기챔버, 122 - 퍼지배기관,

124 - 반응챔버 장착링, 126 - 체결브라켓,

128 - 패킹, 130 - 브라켓장착링,

132 - 지지프레임, 134 - 레일,

136 - 승강패널, 138 - 승강모우터,

140 - 이송보울트구, 142 - 이송너트구,

144 - 풀리,

본 발명은 한 쌍의 반도체 기판을 처리하는 반도체 제조장치에 관한 것으로, 구체적으로는 고온공정과 대구경의 처리가 요구되는 반도체 제조장치에서 한 쌍의 반도체 기판을 입상된 상태로 대면시켜 공정처리할 때, 입상된 반도체 기판 사이로 탑재되어 공정가스를 배출시키는 배기노즐이 탑재된 반도체 제조장치에 관한 것이다.

일반적으로 반도체 제조, 예를 들어 에피웨이퍼(Epi-wafer)는 웨이퍼 표면에 단결정 실리콘을 성장시켜 웨이퍼 표면의 결함을 최대한으로 줄인 것으로, 웨이퍼 표면 또는 표면 근처에 존재하는 COP 등의 미소 결함을 제어함으로써 Device 제조 후 GOI(Gate Oxide Integrity) 특성을 개선시킬 수 있어, 적극적으로 개발되고 있는 것이다.

이러한 에피층은 고온에서 가열된 실리콘 웨이퍼 위에 수소캐리어에 의하여, SiCl4, SiHCl3, SiH2Cl2 또는 HiH4 등의 실리콘 소스가스가 공급되고, 기판상에서 H-Si-Cl계 반응을 통하여 실리콘 단결정이 충적 성장되는 화학기상증착방법이 채택되고 있다.

이러한 에피성장방법은 웨이퍼의 처짐이 야기되는 고온의 열환경이 조성되고, 반응가스의 분포 등과 막특성의 규일성을 고려하여 설계가 용이한 매엽식으로 처리되고 있다.

이러한 장치에서의 증착, 즉 막의 미세구조와 성장결과는 성장계면위에서 핵생성과정과 표면확산에 의하여 결정되고, 이를 결정하는 요인으로는 기판온도, 반응챔버의 압력, 가스조성에 의해서 영향을 받는다.

특히, 화학반응물의 특징과 주어진 기판의 기하학을 위한 기체-유동역학은 화학기상증착에서 중요한 요인이며, 이를 위해 반응가스는 반응챔버의 상부로 부터 분사되어 하부에서 배출되는 형식을 취하고 있고, 그 유동장내에 반도체판을 배치시키고 있다.

그러나, 이러한 매엽식의 증착장치는 낱개 처리에 의한 처리량의 한계에 그 근본적인 문제점이 내포되어 있다.

즉, 매엽식의 처리는 청정조건에서 로딩과 증착, 언로딩의 순차적 단계인 공정을 감안할때, 한매당의 처리는 그 처리량에 한계가 있음을 근본적으로 내포하고 있는 것이어서, 대량생산을 위하여는 상기 매엽식의 화학기상증착장치를 하나의 유닛으로 대량으로 배치시켜야 하는 것이며, 이를 수행하기 위한 물리적 공간의 확보 와 장치의 투입은 생산성 확보에 바람직하지 못한 요인인 것이다.

결국, 대구경화되는 반도체 기판과 에피층의 성장을 위한 고온의 반응환경에서, 반도체 기판 처리의 환경의 균일성을 확보할 것과 처리량을 향상시킬 것 등이 당면과제였다.

이러한 이유에서 적극적으로 개발되고 있는 것이, 쌍엽식 처리방식의 반도체 제조장치이며, 예를 들어, 일본 특공개 2000-124135, 일본 특공개 2000-124134, 일본 특공개 2000-49098 등에 쌍엽식 처리방식의 반도체 제조장치가 개시되어 있다.

이것은 특히 한 쌍의 반도체 기판을 입상시키고 이를 대면시킨 다음, 이 대면된 반도체 기판 면(공정진행면)이 이루는 체적 사이로 반도체 기판을 둘러싸는 노즐을 배치시키고 이들이 경계하는 체적상으로 공정가스를 투입시켜서 공정을 진행시키게 된다.(일본 특공개 2000-124135 참조)

이러한 경우, 한쌍의 기판처리에 의한 생산성이 증가되고, 파티클의 낙하에 의한 기판상의 오염이 방지되며, 대면된 기판면으로 층류(Lamina Flow)의 반응가스 흐름을 형성할 수 있다는 장점을 갖게된다.

이러한 대면된 반도체기판을 처리하기 위하여 보트에는 반도체 기판을 입상시키는 서셉터가 설치되며, 이 서셉터에 반도체 기판이 안착된 홀더가 장착된다.

그리고, 서셉터는 지지로울러들에 의해 그 장착위치가 보유지지되면서, 회전가능하게 설치되며, 이것은 공정조건(온도, 반응가스)이 반도체 기판의 모든 영역에 균일하게 조성되는 것을 완벽하게 보장할 수 없으므로, 반도체 기판을 회전시켜 반응가스와 온도구배에 대한 균일성을 확보하기 위함이다.

그런데, 이러한 한 쌍의 반도체 기판을 입상시켜 처리하는 반도체 제조장치는 배기노즐을 적절하게 배치시키기 어렵다는 문제점이 있다.
이를 좀 더 상세히 설명하면, 전기된 바와 같이 에피공정의 주요요소는 특히 온도와 반응가스이며, 한 쌍의 기판처리는 상부에서 하부로 흐르는 공정가스의 흐름상에 그 경계로서 반도체 기판을 대면시키고 있다.

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이때, 상기 배기노즐은 대면된 홀더와 홀더 사이에 최대한 근접하게 배치되어 투입된 반응가스를 수거할 것이 요구하기 때문에, 공급노즐 대비 대면적의 흡입부(공간)이 필요하게 된다.

즉, 배기노즐은 그 두께가 대면된 반도체 기판 사이에 최대한 근접하게 형성될 것이 요구된다. 이러한 상황에서 전기 일본 특공개 2000-124135 등은 배기노즐 이 보트와 함께 탑재되어 배기노즐이 반도체 기판 사이에 최대한 밀착되어 있다.

그런데, 대구경 반도체 기판의 반응챔버 탑재시, 보트의 이동범위가 큰 것을 감안할 때, 고온의 배기가스를 수거하기 위한 배기노즐 및 그 주변장치를 보트에 함께 구비하는 것은 기기의 신뢰성 측면에서 바람직하지 못하다.

예를 들어, 전체 장치가 요구하는 장착공간에서 배기노즐과 보트의 동일 구비 시 승강장치의 높이가 높아지며, 이에 따라 장비 전체적인 높이가 높아져 히터의 유지보수 공간이 협소하게 되는 등 주변 공정장치와의 관계가 열악하게 되고, 또한 공급노즐과 함께 공정장치를 이루는 배기노즐을 보트에 동일 구비시키게 되는 경우, 공정의 필요에 따라 배기노즐을 변경하는데 어려움이 뒤따르게 된다.

또한, 본래 요구하지 않은 과도한 범위에서의 배기노즐 이동은 그 피로하중에 의한 부품의 손상을 야기시켜 장치의 신뢰성을 하락시킬 수 있는 것이다.

이에 본 발명은 상기 문제점을 개선하기 위하여 안출된 것으로, 고온공정과 대구경의 처리가 요구되는 반도체 제조장치에서 한 쌍의 반도체 기판을 입상된 상태로 대면시켜 공정처리할 때, 입상된 반도체 기판 사이로 탑재되어 공정가스를 배출시키는 배기노즐이 장착된 반도체 제조장치를 제공함에 그 목적이 있는 것이다.

이를 위한 본 발명은 보트와 배기노즐 부분을 서로 분리(구분)하여, 보트는 반응챔버의 전후방으로 탑재되도록 하며, 배기노즐은 반응챔버 하부에서 승강가능토록 구비하고, 보트의 반응챔버 탑재 후 상승되어 홀더사이로 장착되도록 한 것이다.

이를 위한 배기노즐에는 승강장치가 구비되며, 이러한 승강장치가 포함된 배기장치는 벨로우즈 커버를 매개로 반응챔버와 기밀되게 결합된 것이다.

이하, 이 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 갖는 자가 이 발명을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 이 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조로 하여 상세히 설명하기로 한다. 이 발명의 목적, 작용효과를 포함하여 기타 다른 목적들, 특징점들, 그리고 동작상의 이점들이 바람직한 실시예의 설명에 의해 보다 명확해질 것이다.

참고로 여기에서 개시되는 실시예는 여러가지 실시가능한 예중에서 당업자의 이해를 돕기 위하여 가장 바람직한 예를 선정하여 제시한 것으로, 이 발명의 기술적 사상이 반드시 이 실시예만 의해서 한정되거나 제한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 다양한 변화와 변경이 가능할 것이며, 균등한 타의 실시예가 가능한 것임을 밝혀 둔다.

예시도면 도 1에서 도 1a 는 본 발명에 따른 배기노즐이 장착된 상태를 설명하기 위한 외관설명이고, 도1b 는 반응챔버에서 배기노즐의 승강상태를 나타낸 개념설명도이다.

그리고, 예시도면 도 2 및 도 3 은 반응챔버에서 배기노즐의 승강상태를 나타낸 단면개념이다.

본 발명은 반도체 기판(100)을 대면시키도록 홀더(10)와 서셉터(18)를 포함하여 밀폐된 공정공간을 제공하는 반응챔버(24)의 전후방으로 탑재되는 보트(22) 와, 상기 반응챔버(24)에서 상기 보트(22)와 별도로 구비되며 상기 홀더(10)에 장착되어 대면된 반도체 기판(100)의 하부 영역을 포위하게 형성되는 배기노즐(78) 및, 상기 보트(22)의 반응챔버 탑재/인출 전에 상기 배기노즐(78)을 최소한 상기 홀더(100)와의 간섭을 회피하여 반응챔버(24) 하부에서 대기시킴과 아울러, 탑재 완료 후에 상기 반도체 기판(100)의 하부 영역을 포위하게 상기 배기노즐(78)을 홀더(10) 사이로 삽입시키는 승강장치(90)가 포함되어 이루어진 반도체 제조장치이다.

여기서, 반응챔버(24)에는 그 하부에 상기 배기노즐(78)이 대기되는 대기챔버(120)가 형성된 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 대기챔버(120)에 퍼지가스를 수거하기 위한 퍼지배기관(122)이 연결된 것을 특징으로 한다.

한편, 상기 반응챔버(24)와 구분되게 장착된 배기노즐(78)에는 반응챔버(24)를 관통하여 외부에 배치되는 배기관(79)과 상기 반응챔버(24) 사이에 상기 배기관(79)의 이동을 유지하면서 기밀을 수행하는 벨로우즈 커버(89)가 장착된 것을 특징으로 한다.

구체적으로 벨로우즈 커버(89)는 배기노즐(78)의 배기관(79) 배치를 위해 형성된 반응챔버(24)의 관통홀 외주를 포위하여 장착되는 반응챔버 장착링(124)과, 상기 배기노즐(78)의 승강을 위해 승강장치(90)의 체결브라켓(126)에 장착되며 배기관(79)의 외주를 밀폐시키는 패킹(128)이 설치된 브라켓 장착링(130)과, 상기 반응챔버 장착링(124)과 상기 브라켓 장착링(130) 사이에 기밀되면서 상기 승강장치 를 통한 배기관(79)의 승강을 허락하는 벨로우즈 튜브(88)가 설치되어 이루어진 것을 특징으로 한다.

다음으로, 상기 승강장치(90)는 반응챔버(24) 외부로 지지프레임(132)이 설치되고, 이 지지프레임(132)에 레일(134)과 이 레일(134)을 따라 슬라이딩되는 승강패널(136)이 설치되며, 상기 승강패널(136)에 체결브라켓(126)이 설치되어 배기노즐의 배기관(79)과 결합되는 한편, 상기 지지프레임(132)에 승강모우터(138) 및 상기 승강모우터(138)로부터 구동력을 전달받는 이송보울트(140)가 설치되고, 이 이송보울트(140)에는 이에 결합되어 승강되는 이송너트구(142)가 장착되어 이 이송너트구(142)가 승강패널(136)에 결합된 것을 특징으로 한다.

상술된 바와 같이, 본 발명은 고온공정과 대구경의 처리가 요구되는 반도체 제조장치에서 한 쌍의 반도체 기판을 입상된 상태로 대면시켜 공정처리할 때, 입상된 반도체 기판 사이로 탑재되어 공정가스를 배출시키는 배기노즐이 장착된 반도체 제조장치를 제공한다.

이러한 본 발명은 먼저, 예시도면 도 1 과 같이, 공정공간을 제공하는 반응챔버가 마련되며, 이 반응챔버에 대면된 한 쌍의 반도체 기판을 보트(22)가 탑재된다.

구체적으로, 보트(22)의 각 요소는 서셉터(18)와 홀더(10)와 지지패널(14)로 구분되며, 서셉터(18)는 탄착구(16)를 통해 홀더(10)를 탄착시키며, 홀더(10)는 탄착구(12) 및 지지패널(14)을 통해 반도체 기판(100)을 거치시키게 된다.

다음으로, 상기 서셉터(18)는 그 외주로 지지로울러(20)에 접촉되어 회전가 능하게 상기 보트에 설치되고, 이 지지로울러(20)의 접촉선상 내측으로 반도체 기판(100)을 근접하게 대면시키기 위해 그 대면방향으로 볼록한 접시형상을 취하게 된다.

이러한 보트(22)에 엔드이펙터(미도시)를 통해 반도체 기판(100)이 홀더(10)에 탑재되고, 홀더(10)는 다시 엔드이펙터를 통해 서셉터(18)에 탑재되며, 서셉터(18)에 반도체 기판(100)이 탑재되면 반도체 기판은 입상되어 서로 대면되며, 지지로울러(20)에 의해 서셉터(18)는 회전이 가능하게 대기된다.

이에 따라, 상기 반응챔버(24)는 대면된 한 쌍의 반도체 기판(100)을 보유지지하는 상기 보트(22)를 수용하는 크기를 갖는다.

그리고, 상기 반응챔버(24)의 양측부에는 고온의 환경을 조성하기 위한 히터장치(80)와, 서셉터(18)의 구동로울러(20')와 접속하는 구동장치(26)가 설치된다.

상기 히터장치(80)는 탑재장치(92)를 통해 상기 서셉터(18)에 장착된 반도체 기판 배면으로 최대한 근접하게 이동된다.

한편, 반응챔버(24)에 탑재되는 보트(22)는 반응챔버(24)로 투입된 서셉터(18)의 후방을 폐쇄하여 밀폐된 공간을 제공하는 보트캡(82)을 포함하며, 보트캡(82)은 이동장치(미도시)를 통해 이동레일(84)에 설치된다.

여기서, 이동레일(84)은 반응챔버(24)의 후방에 배치되어 반응챔버의 전후방으로 보트(22)를 이동시켜 반도체 기판을 반응챔버에 탑재시키게 된다.

이러한 반응챔버(24)의 상부에서 하부로 반응가스의 흐름이 조성되며, 이를 위해 반응챔버(24)의 상부에는 공급노즐(76)이 배치되고, 하부에는 배기노즐(78)이 배치된다.(도 1b 참조)

이때, 공급노즐(76)은 보트(22)의 탑재와 해제가 수행될 때, 홀더(10) 사이에서 홀더와 간섭을 우려하지 않을 정도로 충분히 얇은 노즐두께를 가지고 있으므로, 반응챔버(24)에 고정되게 구비되어도 무방하다.

반면, 배기노즐(78)은 반응챔버(24)와 분리되어 구분되며, 또한 상기 보트(22)와도 별도로 구비되고, 이에 따라 반응챔버(24)로의 보트 탑재/인출 전에 보트(22)와의 간섭을 회피하기 위하여 보트 하부에 대기된다.

이것은 전기된 바와 같이, 상기 배기노즐(78)은 상기 공급노즐(76)과 달리 반응가스를 수집하기 위하여 공급노즐(76) 대비 대면적의 흡입부(공간)이 필요하게 된다. 즉, 대면된 홀더(10)와 홀더(10) 사이에 최대한 근접하게 배치되어 투입된 반응가스를 수거할 것이 요구된다.

그런데, 보트(22)의 이동범위가 큰 것을 감안할 때, 고온의 배기가스를 수거하기 위한 배기노즐 및 그 주변장치를 보트에 함께 구비하는 것은 기기의 신뢰성 측면에서 바람직하지 못하다.

이때, 상기 배기노즐(78)을 반응챔버(24)에 고정되게 장착시킬 경우, 보트(22)의 이송경로에 대하여 홀더(10) 사이에서 마찰될 수 있으며, 마찰은 반응챔버(24) 내에 미세분진을 발생시켜 공정공간을 오염시킬 우려를 발생시킨다.

따라서, 상기 보트(22)의 반응챔버(24) 탑재/인출 전에 최소한 상기 홀더(10)의 하부에서 대기되면서 탑재 완료 후 홀더(10) 사이로 탑재되도록 배기노즐(78)에 승강장치가 설치된 것이다.

구체적으로, 배기노즐(78)은 대면된 반도체 기판의 하부 영역을 포위하게 반원상으로 홀더(10) 사이에 배치되며, 배기노즐(78)의 대기시 상기 반원상의 배기노즐 양단이 홀더(10)와 상하상으로 이격되도록 반응챔버(24)에 설치된다.

여기서, 홀더(10)와의 이격은 홀더 사이의 공간에서 그 외주경계를 이루는 부분과의 이격을 의미하며, 구체적으로는 홀더를 보유지지하기 위하여 중앙으로 볼록한 서셉터(18)의 부분도 포함한다.

그리고, 반응챔버(24)에는 그 하부에 상기 배기노즐(78)이 대기되는 대기챔버(120)가 형성된다.

한편, 대기챔버(120)에 퍼지가스를 수거하기 위한 퍼지배기관(122)이 연결되며, 상기 퍼지가스는 2가지 목적에 의하여 반응챔버로 공급된다. 즉, 하나는 각 서셉터 외주로 공급되어 서셉터(18)와 지지로울러(20)의 경계사이에 미세분진의 침입을 방어하기 위한 가스커튼을 형성하기 위함이다.

그리고, 다른 하나는 서셉터(18)의 배면으로 공급되어 반도체 기판(100)의 배면에서 막이 성장되는 것을 방지하기 위함이다.

이러한 대기챔버(120)를 통해 배기노즐(78)의 상당구역이 수납되며, 또한 공정진행 중에는 상기 반응챔버에 별도로 마련된 고정된 장소인 대기챔버(120)에서 퍼지가스를 수거하게 된다.

한편, 이러한 반응챔버(24)의 하부에 승강장치(90)가 구비되며, 이 승강장치(90)에 벨로우즈 커버(89)와 함께 배기노즐(78)이 결합된다.

구체적으로 벨로우즈 커버(89)는 배기노즐의 배기관(79) 배치를 위해 형성된 반응챔버의 일부로서 상기 대기챔버(120)의 관통홀 외주를 포위하여 장착되는 반응챔버 장착링(124)과, 상기 배기노즐(78)의 승강을 위해 승강장치(90)의 체결브라켓(126)에 장착되며 배기관(79)의 외주를 밀폐시키는 패킹(128)이 설치된 브라켓 장착링(130)으로 구분된다.

그리고, 상기 반응챔버 장착링(124)과 상기 브라켓 장착링(130) 사이에 기밀되면서 상기 승강장치(90)를 통한 이동을 허락하는 벨로우즈 튜브(88)가 설치되어 이루어진다.

다음으로, 상기 승강장치는 반응챔버(24) 외부로 지지프레임(132)이 설치되고, 이 지지프레임(132)에 레일(134)과 이 레일(134)을 따라 슬라이딩되는 승강패널(136)이 설치된다.

그리고, 상기 승강패널(136)에 체결브라켓(126)이 형성되어 상기 배기관(79)과 결합되며, 상기 체결브라켓(126)은 상기 브라켓 장착링(130)과 다시 결합된다.

한편, 상기 지지프레임(132)에 승강모우터(138)가 설치되며, 이에 이웃되어 승강모우터(138)로부터 구동력을 전달받는 이송보울트(140)가 설치된다. 여기서, 이송보울트(140)는 풀리(144)에 의해 승강모우터(138)로부터 구동력을 전달받게 된다.

상기 이송보울트(140)에는 이와 나합되어 회전을 직선이동(승강)으로 전환시키는 이송너트구(1)42가 설치되며, 이송너트구(142)는 상기 승강패널(136)과 결합되어 일체로 이동된다.

따라서, 반도체 기판(100)이 반응챔버(24)에 탑재되기 전 또는 공정이 완료 되어 배출되기 전에는 배기노즐(78)이 하강되어 탑재대기상태를 유지하게 된다.

이때, 벨로우즈 커버(89)는 승강장치에서 배기관(79)의 외주를 둘러싸면서 인장된 상태를 유지하게 된다.

다음으로, 반도체 기판(100)이 반응챔버(24)에 탑재된 후, 승강모우터(138)가 구동되어 풀리(144)에 의해 이송보울트구(140)가 회전되고, 여기에 결합된 이송너트구(142)가 상승되면서 레일(134)을 따라 승강패널(136)이 상승된다.

상기 승강패널(136)과 결합된 체결브라켓(126) 및 브라켓 장착링(130)이 일체로 상승되면서 배기노즐(78)이 상승되며, 이에 의해 배기노즐(78)의 흡입구는 홀더(10) 사이로 삽입되면서 반도체 기판(100)의 외주 하부를 둘러싸게 배치된다.

이때, 상기 벨로우즈 커버(89)는 체결브라켓(126)에 장착되어 압축되면서도 배기관(79)과 반응챔버(24)를 기밀시키게 된다.

한편, 공정진행이 완료된 다음, 상기 보트를 인출하기 위해 다시 배기노즐이 하강되며, 상기와 역순으로 진행된다.

상술된 바와 같이 본 발명에 따르면, 한 쌍의 반도체 기판을 대면시켜 공정처리함에 있어서, 배기노즐을 보트 및 반응챔버와 분리되게 마련시키고, 보트의 반응챔버 탑재완료 후에 승강장치를 통해 배기노즐을 반도체 기판 사이로 탑재시킴으로써, 대면된 반도체 기판사이로 충분한 흡기구를 조성하는 배기노즐이 탑재되면서도 장치의 신뢰성이 확보되는 효과가 있다.

또한, 이러한 배기노즐과 반응챔버는 벨로우즈 커버를 매개로 결합되어 상기 배기노즐이 승강되어도 그 이동을 허락하면서도 반응챔버의 충분한 기밀이 유지되는 효과가 있다.

Claims (6)

1. 반도체 기판(100)을 대면시키도록 홀더(10)와 서셉터(18)를 포함하여 밀폐된 공정공간을 제공하는 반응챔버(24)의 전후방으로 탑재되는 보트(22)와, 상기 반응챔버(24)에서 상기 보트(22)와 별도로 구비되며 상기 홀더(10)에 장착되어 대면된 반도체 기판(100)의 하부 영역을 포위하게 형성되는 배기노즐(78) 및, 상기 보트(22)의 반응챔버 탑재/인출 전에 상기 배기노즐(78)을 최소한 상기 홀더(100)와의 간섭을 회피하여 반응챔버(24) 하부에서 대기시킴과 아울러, 상기 보트(22)의 반응챔버 탑재 완료 후에 상기 반도체 기판(100)의 하부 영역을 포위하게 상기 배기노즐(78)을 홀더(10) 사이로 삽입시키는 승강장치(90)가 포함되어 이루어지며, 상기 반응챔버(24)에는 그 하부에 상기 배기노즐(78)이 대기되는 대기챔버(120)가 형성되고, 대기챔버(120)에는 퍼지가스를 수거하기 위한 퍼지배기관(122)이 연결되어 이루어진 반도체 제조장치.
2. (삭제)
3. (삭제)
4. 제 1 항에 있어서, 배기노즐(78)에는 반응챔버(24)를 관통하여 외부에 배치되는 배기관(79)과 상기 반응챔버(24) 사이에 상기 배기관(79)의 이동을 유지하면서 기밀을 수행하는 벨로우즈 커버(89)가 장착된 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
5. 제 4 항에 있어서, 벨로우즈 커버(89)는 배기노즐(78)의 배기관(79) 배치를 위해 형성된 반응챔버(24)의 관통홀 외주를 포위하여 장착되는 반응챔버 장착링(124)과, 상기 배기노즐(78)의 승강을 위해 승강장치(90)의 체결브라켓(126)에 장착되며 배기관(79)의 외주를 밀폐시키는 패킹(128)이 설치된 브라켓 장착링(130)과, 상기 반응챔버 장착링(124)과 상기 브라켓 장착링(130) 사이에 기밀되면서 상기 승강장치를 통한 배기관(79)의 승강을 허락하는 벨로우즈 튜브(88)가 설치되어 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
6. 제 1 항에 있어서, 승강장치(90)는 반응챔버(24) 외부로 지지프레임(132)이 설치되고, 이 지지프레임(132)에 레일(134)과 이 레일(134)을 따라 슬라이딩되는 승강패널(136)이 설치되며, 상기 승강패널(136)에 체결브라켓(126)이 설치되어 배기노즐의 배기관(79)과 결합되는 한편, 상기 지지프레임(132)에 승강모우터(138) 및 상기 승강모우터(138)로부터 구동력을 전달받는 이송보울트(140)가 설치되고, 이 이송보울트(140)에는 이에 결합되어 승강되는 이송너트구(142)가 장착되어 이 이송너트구(142)가 승강패널(136)에 결합된 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.

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