KR100805589B1 - Method of manufacturing a flat display device - Google Patents

Method of manufacturing a flat display device Download PDF

Info

Publication number
KR100805589B1
KR100805589B1 KR1020060062536A KR20060062536A KR100805589B1 KR 100805589 B1 KR100805589 B1 KR 100805589B1 KR 1020060062536 A KR1020060062536 A KR 1020060062536A KR 20060062536 A KR20060062536 A KR 20060062536A KR 100805589 B1 KR100805589 B1 KR 100805589B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
sacrificial layer
forming
plastic substrate
laser beam
Prior art date
Application number
KR1020060062536A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20080004067A (en
Inventor
김민규
곽진호
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성에스디아이 주식회사 filed Critical 삼성에스디아이 주식회사
Priority to KR1020060062536A priority Critical patent/KR100805589B1/en
Publication of KR20080004067A publication Critical patent/KR20080004067A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100805589B1 publication Critical patent/KR100805589B1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/15—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on an electrochromic effect
    • G02F1/153—Constructional details
    • G02F1/161—Gaskets; Spacers; Sealing of cells; Filling or closing of cells

Abstract

본 발명은 평판 표시 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 투명의 지지 기판 상에 희생층을 형성하는 단계, 희생층 상에 플라스틱 기판을 형성하는 단계, 플라스틱 기판 상에 보호막 및 버퍼층을 형성하는 단계, 버퍼층 상에 발광 소자를 형성하는 단계, 희생층을 레이저 빔으로 제거하여 지지 기판을 분리시키는 단계를 포함한다. 지지 기판을 분리시키는 과정에서 희생층에 의해 플라스틱 기판의 피해가 방지되고, 보호막에 의해 플라스틱 기판이 보호 및 지지되며, 버퍼층에 의해 발광 소자의 제조가 용이하고 전기적 특성이 향상된다.The present invention relates to a method of manufacturing a flat panel display device, comprising: forming a sacrificial layer on a transparent support substrate, forming a plastic substrate on the sacrificial layer, forming a protective film and a buffer layer on the plastic substrate, and a buffer layer Forming a light emitting element on the substrate; removing the sacrificial layer with a laser beam to separate the support substrate. Damage of the plastic substrate is prevented by the sacrificial layer in the process of separating the supporting substrate, the plastic substrate is protected and supported by the protective film, and the manufacturing of the light emitting device is facilitated by the buffer layer and the electrical characteristics are improved.

플라스틱 기판, 발광 소자, 지지 기판, 레이저 빔, 희생층 Plastic substrate, light emitting element, support substrate, laser beam, sacrificial layer

Description

평판 표시 장치의 제조 방법 {Method of manufacturing a flat display device}Method of manufacturing a flat display device

도 1은 일반적인 액정 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 사시도. 1 is a schematic perspective view for explaining a general liquid crystal display device.

도 2는 일반적인 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도.2 is a schematic cross-sectional view illustrating a general organic light emitting display device.

도 3a 내지 도 3c는 종래 평판 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도. 3A to 3C are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a conventional flat panel display.

도 4a 내지 도 4e는 본 발명에 따른 평판 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도.4A to 4E are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a flat panel display device according to the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

10, 20: 기판 11: 게이트 라인10, 20: substrate 11: gate line

12: 데이터 라인 13: 화소 영역12: data line 13: pixel area

14: 박막 트랜지스터 15: 화소 전극14 thin film transistor 15 pixel electrode

16, 23: 편광판 21: 컬러 필터16, 23: polarizer 21: color filter

22: 공동 전극 30: 액정층22: cavity electrode 30: liquid crystal layer

50: 절연 기판 51: 반도체층50: insulating substrate 51: semiconductor layer

52: 게이트 전극 53: 소스 전극52: gate electrode 53: source electrode

54: 드레인 전극 55, 57: 전극54: drain electrode 55, 57: electrode

56: 유전체 58: 애노드 전극56 Dielectric 58 Anode Electrode

59: 유기 박막층 60: 캐소드 전극59: organic thin film layer 60: cathode electrode

70: 봉지 기판 100, 200: 지지 기판70: encapsulation substrate 100, 200: support substrate

110, 202: 플라스틱 기판 120, 205: 발광 소자110 and 202: plastic substrates 120 and 205: light emitting elements

201: 희생층 203: 보호막201: sacrificial layer 203: shield

204: 버퍼층204: buffer layer

본 발명은 평판 표시 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라스틱(plastic) 기판을 사용하는 평판 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a flat panel display, and more particularly, to a method for manufacturing a flat panel display using a plastic substrate.

정보통신 산업이 발달됨에 따라 표시 장치의 사용이 급증하고 있으며, 최근들어 저전력, 경량, 박형, 고해상도의 조건을 만족할 수 있는 표시 장치가 요구되고 있다. 이러한 요구에 발맞추어 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display Device)나 유기 발광(Organic Light-emitting) 특성을 이용하는 표시 장치들이 개발되고 있다.With the development of the information and telecommunications industry, the use of display devices is rapidly increasing, and in recent years, display devices capable of satisfying low power, light weight, thin, and high resolution conditions are required. In response to these demands, display devices using liquid crystal display devices or organic light-emitting characteristics have been developed.

색 재현성이 우수하고 소비전력이 낮으며 박형으로 제작되는 박막 트랜지스 터 액정 표시 장치(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display; TFT-LCD)는 현재 가장 널리 사용되는 평판 표시 장치 중의 하나로서, 두 개의 기판 사이에 액정이 주입된 액정 패널, 액정 패널 하부에 위치되며 광원으로 이용되는 백 라이트 및 액정 패널을 구동시키기 위한 구동부로 구성된다. Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display (TFT-LCD), which has excellent color reproducibility, low power consumption, and is made thin, is one of the most widely used flat panel display devices. It consists of a liquid crystal panel in which a liquid crystal is injected in between, a backlight positioned under the liquid crystal panel, and a driving unit for driving the liquid crystal panel.

도 1은 상기와 같이 구성되는 박막 트랜지스터 액정 표시 장치의 개략적인 사시도이다.1 is a schematic perspective view of a thin film transistor liquid crystal display device configured as described above.

액정 패널은 대향하도록 배치된 두 개의 기판(10 및 20)과, 두 개의 기판(10 및 20) 사이에 개재된 액정층(30)으로 이루어지며, 기판(10)에 매트릭스 형태로 배열된 다수의 게이트 라인(11)과 데이터 라인(12)에 의해 화소 영역(13)이 정의된다. The liquid crystal panel is composed of two substrates 10 and 20 disposed to face each other, and a liquid crystal layer 30 interposed between the two substrates 10 and 20, and a plurality of substrates arranged in a matrix form on the substrate 10. The pixel region 13 is defined by the gate line 11 and the data line 12.

게이트 라인(11)과 데이터 라인(12)이 교차되는 부분의 기판(10)에는 각 화소로 공급되는 신호를 제어하는 박막 트랜지스터(14) 및 박막 트랜지스터(14)와 연결된 화소 전극(15)이 형성되고, 기판(20)에는 컬러 필터(21) 및 공통 전극(22)이 형성된다. 또한, 기판(10 및 20)의 배면에는 편광판(16 및 23)이 각각 형성되며, 편광판(16)의 하부에는 광원으로서 백 라이트(도시안됨)가 배치된다.A thin film transistor 14 for controlling a signal supplied to each pixel and a pixel electrode 15 connected to the thin film transistor 14 are formed on the substrate 10 where the gate line 11 and the data line 12 cross each other. The color filter 21 and the common electrode 22 are formed on the substrate 20. In addition, polarizers 16 and 23 are formed on the back of the substrates 10 and 20, respectively, and a backlight (not shown) is disposed below the polarizer 16 as a light source.

상기와 같이 구성된 박막 트랜지스터 액정 표시 장치는 외부로부터 게이트 라인(11)을 통해 주사 신호가 입력되면 박막 트랜지스터(14)의 반도체층에 채널이 형성된다. 그리고 이 채널을 통해 데이터 라인(12)으로부터 소스 및 드레인 전극을 통해 입력된 데이터 신호가 화소 전극(15)으로 인가된다. 따라서 화소 전극(15)과 공통 전극(22)에 인가된 전압에 의해 해당 화소의 액정층(30)이 구동한다. 이 때 화소 전극(15)으로 인가되는 데이터 신호는 박막 트랜지스터(14)와 화소 전극(15) 사이에 형성된 스토리지 캐패시터(도시안됨)에 의해 다음 주사 신호가 입력될 때까지 유지된다. In the thin film transistor liquid crystal display configured as described above, a channel is formed in the semiconductor layer of the thin film transistor 14 when a scan signal is input through the gate line 11 from the outside. The data signal input from the data line 12 through the source and drain electrodes through the channel is applied to the pixel electrode 15. Therefore, the liquid crystal layer 30 of the pixel is driven by the voltage applied to the pixel electrode 15 and the common electrode 22. At this time, the data signal applied to the pixel electrode 15 is maintained until the next scan signal is input by the storage capacitor (not shown) formed between the thin film transistor 14 and the pixel electrode 15.

한편, 유기 발광 표시 장치는 자체발광 특성을 갖는 차세대 표시 장치로서, 액정 표시 장치에 비해 시야각, 콘트라스트(contrast), 응답속도, 소비전력 등의 측면에서 우수한 특성을 가지며, 백라이트가 필요하지 않아 경량 및 박형으로 제작이 가능하다. On the other hand, the organic light emitting diode display is a next-generation display device having self-luminous characteristics, and has excellent characteristics in terms of viewing angle, contrast, response speed, power consumption, and the like, compared to the liquid crystal display, and requires no backlight, thereby making it lightweight and It can be made thin.

유기 발광 표시 장치는 주사선(scan line)과 신호선(signal line)이 교차하며 매트릭스 형태의 화소를 구성하는 패시브 매트릭스(passive matrix) 방식과, 각 화소의 동작이 스위치 역할을 하는 박막 트랜지스터에 의해 제어되는 액티브 매트릭스(active matrix) 방식으로 구분된다. In the organic light emitting diode display, a passive matrix method in which scan lines and signal lines intersect to form pixels in a matrix form, and an operation of each pixel is controlled by a thin film transistor that serves as a switch. It is divided into an active matrix method.

도 2는 액티브 매트릭스 방식으로 구성된 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다.2 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting diode display configured in an active matrix manner.

절연 기판(50) 상에 반도체층(51), 게이트 전극(52), 소스 및 드레인 전극(53 및 54)으로 구성된 박막 트랜지스터(T)가 형성된다. 박막 트랜지스터(T)의 소스 전극(53)에는 전극(55), 유전체(56) 및 전극(57)이 적층된 구조의 스토리지 캐패시터(CST)가 연결되고, 드레인 전극(54)에는 애노드 전극(58), 유기 박막층(59) 및 캐소드 전극(60)이 적층된 구조의 발광 소자(E)가 연결된다. 그리고 전체 상부에는 상기와 같이 구성된 유기 발광 표시 장치를 보호하기 위한 봉지 기판(70)이 실런트(도시안됨)에 의해 기판(50)에 접착된다.The thin film transistor T including the semiconductor layer 51, the gate electrode 52, the source and drain electrodes 53 and 54 is formed on the insulating substrate 50. A storage capacitor C ST having a structure in which an electrode 55, a dielectric 56, and an electrode 57 are stacked is connected to the source electrode 53 of the thin film transistor T, and an anode electrode is connected to the drain electrode 54. 58, a light emitting device E having a structure in which the organic thin film layer 59 and the cathode electrode 60 are stacked is connected. The encapsulation substrate 70 for protecting the organic light emitting display device configured as described above is adhered to the substrate 50 by a sealant (not shown).

상기와 같이 구성된 유기 발광 표시 장치는 애노드 전극(58)과 캐소드 전극(60)에 소정의 전압이 인가되면 애노드 전극(58)을 통해 주입되는 정공과 캐소드 전극(60)을 통해 주입되는 전자가 유기 박막층(59)에서 재결합하게 되고, 이 과정에서 발생되는 에너지 차이에 의해 빛을 방출한다. In the organic light emitting diode display configured as described above, when a predetermined voltage is applied to the anode electrode 58 and the cathode electrode 60, holes injected through the anode electrode 58 and electrons injected through the cathode electrode 60 are organic. Recombination in the thin film layer 59, and emits light by the energy difference generated in this process.

상기와 같이 구성되는 표시 장치들은 대개 유리 기판이나 석영 기판에 포토리소그래피(photolithography) 공정을 통해 형성된다. 그러므로 유리 기판의 중량으로 인해 핸드폰이나 PDA와 같은 개인용 휴대 단말기의 무게를 감소시키기 데 한계가 있으며, 유리 기판의 특성상 작은 충격에 의해서도 쉽게 파손되는 문제가 있다.The display devices configured as described above are usually formed through a photolithography process on a glass substrate or a quartz substrate. Therefore, due to the weight of the glass substrate has a limit to reduce the weight of a personal portable terminal such as a mobile phone or PDA, there is a problem that is easily broken by a small impact on the characteristics of the glass substrate.

이에 따라 근래에 들어 중량이 가볍고 충격에 강할 뿐만 아니라 구부림이 가능한 플라스틱(plastic) 기판을 이용하는 기술이 개발되고 있다. 그러나 플라스틱 기판은 유리 기판에 비해 전이온도가 낮으며, 가볍고 쉽게 구부러지기 때문에 제조 공정의 진행이 어려운 단점이 있다. 예를 들어, 플라스틱 기판은 유리 기판에 비해 팽창율이 높기 때문에 고온에서 국부적인 팽창율의 차이가 발생하여 형성된 층이 파손될 수 있으며, 쉽게 구부러지기 때문에 소자의 형성 및 기판의 운송이 어렵다.Accordingly, in recent years, a technology using a plastic substrate that is light in weight, strong in impact and bendable has been developed. However, the plastic substrate has a lower transition temperature than the glass substrate, and is light and easily bent, so that the progress of the manufacturing process is difficult. For example, since plastic substrates have a higher expansion ratio than glass substrates, a difference in local expansion ratios may occur at high temperatures, and thus, the formed layer may be broken, and because the plastic substrate is easily bent, it is difficult to form the device and transport the substrate.

그래서 이와 같은 문제점을 해결하기 위해 지지 기판을 이용하는 기술이 개발되었다.Thus, a technique using a support substrate has been developed to solve this problem.

도 3a 내지 도 3c는 지지 기판을 이용하는 종래 평판 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.3A to 3C are schematic cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a conventional flat panel display using a support substrate.

유리 기판과 같은 투명한 지지 기판(100) 상에 도 3a에 도시된 바와 같이 플라스틱 기판(110)을 형성한 후 플라스틱 기판(110) 상에 도 3b에 도시된 바와 같이 발광 소자(120)를 형성한다. 그리고 지지 기판(100)의 배면에서 도 3c에 도시된 바와 같이 레이저(Laser) 빔을 조사하여 지지 기판(100)을 발광 소자(120)가 형성된 플라스틱 기판(110)으로부터 분리시킨다.After forming the plastic substrate 110 as shown in Figure 3a on a transparent support substrate 100, such as a glass substrate, the light emitting device 120 is formed on the plastic substrate 110 as shown in Figure 3b . In addition, as shown in FIG. 3C, the backing of the supporting substrate 100 is irradiated with a laser beam to separate the supporting substrate 100 from the plastic substrate 110 on which the light emitting device 120 is formed.

그런데 이와 같은 종래의 방법은 용융 온도(Tg)가 300℃ 정도로 낮은 플라스틱 기판이 노출된 상태에서 발광 소자가 제조되기 때문에 공정 온도가 제한된다. 또한, 지지 기판을 플라스틱 기판으로부터 분리시키는 과정에서 레이저 빔에 의해 플라스틱 기판의 표면이 녹아 가스가 방출되며, 플라스틱 기판의 표면에 피해 (damage)가 발생되어 발광 소자의 전기적 특성 저하가 초래된다. However, such a conventional method is limited in process temperature because the light emitting device is manufactured in a state in which the plastic substrate having a low melting temperature (Tg) of about 300 ° C. is exposed. In addition, in the process of separating the support substrate from the plastic substrate, the surface of the plastic substrate is melted by the laser beam to emit gas, and damage occurs to the surface of the plastic substrate, resulting in deterioration of electrical characteristics of the light emitting device.

본 발명의 목적은 플라스틱 기판의 피해를 방지할 수 있는 평판 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a flat panel display device that can prevent damage to the plastic substrate.

본 발명의 다른 목적은 발광 소자의 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 평판 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a flat panel display device capable of improving electrical characteristics of a light emitting device.

상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 평판 표시 장치의 제조 방법은 투명의 지지 기판 상에 희생층을 형성하는 단계, 상기 희생층 상에 플라스틱 기판을 형성하는 단계, 상기 플라스틱 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계, 상기 버퍼층 상에 발광 소자를 형성하는 단계, 상기 희생층을 레이저 빔으로 제거하여 상기 지지 기판을 분리시키는 단계를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a flat panel display device, the method including: forming a sacrificial layer on a transparent support substrate, forming a plastic substrate on the sacrificial layer, and forming a plastic substrate on the plastic substrate. Forming a buffer layer on the buffer layer, forming a light emitting device on the buffer layer, and removing the sacrificial layer with a laser beam to separate the support substrate.

상기 희생층은 레이저 빔으로 제거될 수 있는 실리콘 산화막 등과 같은 무기물로 형성하고, 상기 버퍼층은 실리콘 질화막 등과 같은 절연막으로 형성한다.The sacrificial layer is formed of an inorganic material such as a silicon oxide film that can be removed by a laser beam, and the buffer layer is formed of an insulating film such as a silicon nitride film.

상기 플라스틱 기판은 PES(polyether sulfone), PET(poly ethylene tetraphthalate), PEN(poly ethylene naphthalate), PI(poly imide), PC(poly carbonate) 등으로 이루어진 필름 형태로 형성한다.The plastic substrate is formed in the form of a film made of polyether sulfone (PES), polyethylene tetraphthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polyimide (PI), polycarbonate (PC), and the like.

또한, 상기 버퍼층을 형성하기 전에 상기 플라스틱 기판 상에 보호막을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있으며, 상기 보호막은 Al2O3와 같은 금속 산화막으로 형성한다.The method may further include forming a protective film on the plastic substrate before forming the buffer layer, wherein the protective film is formed of a metal oxide film such as Al 2 O 3 .

상기 희생층을 제거하기 위해 상기 레이저 빔을 상기 지지 기판의 배면을 통해 조사하며, 상기 레이저 빔으로는 308㎚의 파장을 갖는 XeCl 엑시머 레이저 빔을 사용한다.The laser beam is irradiated through the back surface of the supporting substrate to remove the sacrificial layer, and an XeCl excimer laser beam having a wavelength of 308 nm is used as the laser beam.

상기 지지 기판을 상기 플라스틱 기판으로부터 분리시킨 후 잔류된 상기 희생층을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있으며, 상기 잔류된 희생층은 산 용액 등을 이용한 습식 식각으로 제거한다.The method may further include removing the sacrificial layer remaining after the support substrate is separated from the plastic substrate, and the remaining sacrificial layer is removed by wet etching using an acid solution or the like.

그러면 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 이하의 실시예는 이 기술 분야에서 통상적인 지식을 가진 자에게 본 발명이 충분히 이해되도록 제공되는 것으로서, 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 기술되는 실시예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The following embodiments are provided to those skilled in the art to fully understand the present invention, and may be modified in various forms, and the scope of the present invention is limited to the embodiments described below. no.

도 4a 내지 도 4e는 본 발명에 따른 평판 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.4A to 4E are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a flat panel display device according to the present invention.

도 4a를 참조하면, 유리, 석영 등과 같은 투명한 물질로 이루어지며 평탄도가 유지되는 지지 기판(200) 상에 희생층(201)을 형성한다. 희생층(201)은 레이저 빔이나 산 용액 등에 의해 쉽게 제거되는 무기물, 예를 들어, 실리콘 산화막(SiO2) 등으로 형성한다.Referring to FIG. 4A, a sacrificial layer 201 is formed on a supporting substrate 200 made of a transparent material such as glass, quartz, or the like, and maintaining flatness. The sacrificial layer 201 is formed of an inorganic material easily removed by a laser beam or an acid solution, for example, a silicon oxide film (SiO 2 ) or the like.

도 4b를 참조하면, 희생층(201) 상에 플라스틱 기판(202)을 형성한다. 플라스틱 기판(202)은 PES(polyether sulfone), PET(poly ethylene tetraphthalate), PEN(poly ethylene naphthalate), PI(poly imide), PC(poly carbonate) 등으로 형성한다. 액체 상태의 폴리머(polymer)를 스핀 코팅(spin coating) 등의 방법으로 희생층(201) 상에 필름 형태로 도포한 후 일정 온도에서 경화시킨다.Referring to FIG. 4B, a plastic substrate 202 is formed on the sacrificial layer 201. The plastic substrate 202 is formed of polyether sulfone (PES), polyethylene tetraphthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polyimide (PI), polycarbonate (PC), or the like. The liquid polymer is applied on the sacrificial layer 201 in the form of a film by spin coating or the like, and then cured at a predetermined temperature.

도 4c를 참조하면, 플라스틱 기판(202) 상에 버퍼층(204)을 형성한다. 버퍼층(204)은 표면의 평탄화를 이룰 수 있고 소자의 전기적 특성에 영향을 미치지 않는 절연막으로서, 실리콘 질화막(SiN) 등으로 형성한다.Referring to FIG. 4C, a buffer layer 204 is formed on the plastic substrate 202. The buffer layer 204 is an insulating film that can planarize the surface and does not affect the electrical characteristics of the device, and is formed of a silicon nitride film (SiN) or the like.

이 때 버퍼층(204)을 형성하기 전에 플라스틱 기판(202) 상에 보호막(203) 을 형성할 수 있다. 보호막(203)은 10㎛ 정도로 얇게 형성되는 플라스틱 기판(202) 을 보호 및 지지하는 동시에 베리어(barrier)층 역할을 할 수 있는 물질, 예를 들어, Al2O3와 같은 금속 산화막으로 형성한다.In this case, the protective film 203 may be formed on the plastic substrate 202 before the buffer layer 204 is formed. The passivation layer 203 is formed of a metal oxide film, such as Al 2 O 3 , that can protect and support the plastic substrate 202 formed as thin as 10 μm, and can also act as a barrier layer.

도 4d를 참조하면, 버퍼층(204) 상에 발광 소자(205)를 형성한다. 발광 소자(205)는 도 1에 도시된 액정 표시 장치나, 도 2에 도시된 유기 발광 표시 장치 또는 전기영동 표시 장치(Electrophoretic Display Device) 등이 될 수 있다. Referring to FIG. 4D, the light emitting device 205 is formed on the buffer layer 204. The light emitting element 205 may be a liquid crystal display device shown in FIG. 1, an organic light emitting display device or an electrophoretic display device shown in FIG. 2, or the like.

도 4e를 참조하면, 지지 기판(200)의 배면을 통해 희생층(201)으로 레이저 빔을 조사하여 지지 기판(200)을 발광 소자(205)가 형성된 플라스틱 기판(202)으로부터 분리시킨다. 이 때 무기물로 형성된 희생층(201)이 레이저 빔에 의해 일부 제거되면서 지지 기판(200)과 플라스틱 기판(202)이 분리된다. 레이저 빔으로는 엑시머 레이저 빔을 사용할 수 있으며, 바람직하게는 308㎚의 파장을 갖는 XeCl 엑시머 레이저 빔을 사용한다. Referring to FIG. 4E, the laser beam is irradiated onto the sacrificial layer 201 through the rear surface of the supporting substrate 200 to separate the supporting substrate 200 from the plastic substrate 202 on which the light emitting device 205 is formed. At this time, the sacrificial layer 201 formed of the inorganic material is partially removed by the laser beam, and the supporting substrate 200 and the plastic substrate 202 are separated. An excimer laser beam may be used as the laser beam, and preferably, an XeCl excimer laser beam having a wavelength of 308 nm is used.

이 후 산 용액 등을 이용한 습식 식각으로 플라스틱 기판(202)의 표면에 잔류된 희생층(201)을 제거할 수 있다. Thereafter, the sacrificial layer 201 remaining on the surface of the plastic substrate 202 may be removed by wet etching using an acid solution or the like.

상기 실시예에서, 발광 소자(205)는 전체 제조 공정중 일부의 공정만 완료된 상태일 수도 있으며, 전체 제조 공정이 모두 완료된 상태일 수도 있다. 예를 들어, 도 2에 도시된 유기 발광 표시 장치의 경우, 박막 트랜지스터(T)가 형성된 상태에서 전체 상부면에 평탄화막을 형성하는 단계, 평탄화막에 콘택홀(contact hole)을 형성한 후 콘택홀을 통해 드레인 전극(54)과 연결되는 애노드 전극(58)을 형성하는 단계, 화소를 정의하기 위해 화소 정의막(Pixel Define Layer)을 형성하는 단계까 지의 공정이 진행된 상태에서 지지 기판(200)을 발광 소자(205)가 형성된 플라스틱 기판(202)으로부터 분리시킬 수 있다. In the above embodiment, the light emitting device 205 may be a state in which only a part of the entire manufacturing process is completed, or may be a state in which all the manufacturing processes are completed. For example, in the organic light emitting diode display illustrated in FIG. 2, forming a planarization film on the entire upper surface with the thin film transistor T formed therein, forming a contact hole in the planarization film, and then forming a contact hole. The support substrate 200 is formed in a state in which the process of forming the anode electrode 58 connected to the drain electrode 54 through the process and forming the pixel define layer to define the pixel are performed. The light emitting device 205 may be separated from the formed plastic substrate 202.

이상에서와 같이 상세한 설명과 도면을 통해 본 발명의 최적 실시예를 개시하였다. 용어들은 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.As described above, the preferred embodiment of the present invention has been disclosed through the detailed description and the drawings. The terms are used only for the purpose of describing the present invention and are not used to limit the scope of the present invention as defined in the meaning or claims. Therefore, those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible from this. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the technical spirit of the appended claims.

상술한 바와 같이 본 발명은 플라스틱 기판을 형성하기 전에 지지 기판 상에 레이저 빔이나 산 용액 등으로 쉽게 제거되는 무기물로 희생층을 형성함으로써 지지 기판을 플라스틱 기판으로부터 분리시키는 과정에서 가스가 발생되지 않으며 플라스틱 기판의 피해가 방지된다. 또한, 플라스틱 기판 상에 플라스틱 기판을 보호 및 지지하는 동시에 베리어층 역할을 할 수 있는 물질로 보호막을 형성하고, 보호막 상에 표면의 평탄화를 이룰 수 있는 절연막으로 버퍼층을 형성함으로써 발광 소자의 제조가 용이하고 소자의 전기적 특성이 향상될 수 있다. 또한, 발광 소자를 제조하는 과정에서 플라스틱 기판이 직접 노출되지 않기 때문에 공정 마진을 확보할 수 있다.As described above, according to the present invention, gas is not generated in the process of separating the support substrate from the plastic substrate by forming a sacrificial layer with an inorganic material that is easily removed with a laser beam or an acid solution on the support substrate before forming the plastic substrate. Damage to the substrate is prevented. In addition, a protective film is formed of a material that can act as a barrier layer while protecting and supporting the plastic substrate on the plastic substrate, and a buffer layer is formed of an insulating film that can planarize the surface of the protective film, thereby easily manufacturing the light emitting device. And the electrical characteristics of the device can be improved. In addition, since the plastic substrate is not directly exposed in the process of manufacturing the light emitting device, it is possible to secure a process margin.

Claims (12)

투명의 지지 기판 상에 희생층을 형성하는 단계,Forming a sacrificial layer on a transparent support substrate, 상기 희생층 상에 플라스틱 기판을 형성하는 단계,Forming a plastic substrate on the sacrificial layer, 상기 플라스틱 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계,Forming a buffer layer on the plastic substrate, 상기 버퍼층 상에 발광 소자를 형성하는 단계,Forming a light emitting device on the buffer layer; 상기 희생층을 레이저 빔으로 제거하여 상기 지지 기판을 분리시키는 단계를 포함하는 평판 표시 장치의 제조 방법.Removing the sacrificial layer with a laser beam to separate the support substrate. 제 1 항에 있어서, 상기 희생층이 레이저 빔으로 제거될 수 있는 무기물로 형성되는 평판 표시 장치의 제조 방법.The method of claim 1, wherein the sacrificial layer is formed of an inorganic material that can be removed by a laser beam. 제 2 항에 있어서, 상기 무기물이 실리콘 산화막인 평판 표시 장치의 제조 방법.The method of claim 2, wherein the inorganic material is a silicon oxide film. 제 1 항에 있어서, 상기 플라스틱 기판이 PES(polyether sulfone), PET(poly ethylene tetraphthalate), PEN(poly ethylene naphthalate), PI(poly imide) 및 PC(poly carbonate)로 구성되는 군으로부터 선택된 하나로 이루어진 평판 표시 장치의 제조 방법.The flat plate of claim 1, wherein the plastic substrate is one selected from the group consisting of polyether sulfone (PES), polyethylene tetraphthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polyimide (PI), and polycarbonate (PC). Method for manufacturing a display device. 제 1 항에 있어서, 상기 버퍼층을 형성하기 전에 상기 플라스틱 기판 상에 보호막을 형성하는 단계를 더 포함하는 평판 표시 장치의 제조 방법.The method of claim 1, further comprising forming a protective film on the plastic substrate before forming the buffer layer. 제 5 항에 있어서, 상기 보호막이 금속 산화막으로 형성되는 평판 표시 장치의 제조 방법.The method of claim 5, wherein the protective film is formed of a metal oxide film. 제 6 항에 있어서, 상기 금속 산화막은 Al2O3인 평판 표시 장치의 제조 방법.The method of claim 6, wherein the metal oxide layer is Al 2 O 3 . 제 1 항에 있어서, 상기 버퍼층이 실리콘 질화막으로 형성되는 평판 표시 장치의 제조 방법.The method of claim 1, wherein the buffer layer is formed of a silicon nitride film. 제 1 항에 있어서, 상기 희생층을 제거하기 위해 상기 레이저 빔을 상기 지지 기판의 배면을 통해 조사하는 평판 표시 장치의 제조 방법.The method of claim 1, wherein the laser beam is irradiated through a rear surface of the support substrate to remove the sacrificial layer. 제 1 항에 있어서, 상기 레이저 빔은 엑시머 레이저 빔인 평판 표시 장치의 제조 방법.The method of claim 1, wherein the laser beam is an excimer laser beam. 제 1 항에 있어서, 상기 지지 기판을 분리시킨 후 잔류된 상기 희생층을 제 거하는 단계를 더 포함하는 평판 표시 장치의 제조 방법.The method of claim 1, further comprising removing the sacrificial layer remaining after the supporting substrate is separated. 제 11 항에 있어서, 상기 잔류된 희생층은 습식 식각으로 제거되는 평판 표시 장치의 제조 방법.The method of claim 11, wherein the remaining sacrificial layer is removed by wet etching.
KR1020060062536A 2006-07-04 2006-07-04 Method of manufacturing a flat display device KR100805589B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060062536A KR100805589B1 (en) 2006-07-04 2006-07-04 Method of manufacturing a flat display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060062536A KR100805589B1 (en) 2006-07-04 2006-07-04 Method of manufacturing a flat display device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080004067A KR20080004067A (en) 2008-01-09
KR100805589B1 true KR100805589B1 (en) 2008-02-20

Family

ID=39214970

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060062536A KR100805589B1 (en) 2006-07-04 2006-07-04 Method of manufacturing a flat display device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100805589B1 (en)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101157659B1 (en) * 2009-05-13 2012-06-18 (주)포인트엔지니어링 Manufacture Method of Organic Light Emitting Diodes Using Porous Substrate
WO2010131827A1 (en) * 2009-05-13 2010-11-18 포인트엔지니어링 Organic light emitting diodes using porous substrates and manufacturing method thereof
JP5355618B2 (en) 2011-03-10 2013-11-27 三星ディスプレイ株式會社 Flexible display device and manufacturing method thereof
KR101958737B1 (en) 2011-08-16 2019-03-19 삼성디스플레이 주식회사 Flexible substrate and Method for manufacturing the same
KR101876559B1 (en) * 2011-10-19 2018-07-10 엘지디스플레이 주식회사 Manufacturing method of flexible display
KR101894089B1 (en) * 2011-10-24 2018-08-31 엘지디스플레이 주식회사 Manufacturing Method of Flexible Display Device
KR102156766B1 (en) * 2013-12-13 2020-09-16 엘지디스플레이 주식회사 Method of fabricating the flexible display device
KR102203766B1 (en) * 2013-12-30 2021-01-15 엘지디스플레이 주식회사 Flexible display device and method of fabricating the same
KR102141229B1 (en) * 2013-12-31 2020-08-04 엘지디스플레이 주식회사 Method for fabricating flexible display
KR102215812B1 (en) 2014-01-09 2021-02-17 삼성디스플레이 주식회사 Manufacturing method of device substrate and display device manufatured by using the method

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08288522A (en) * 1995-02-16 1996-11-01 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Method of manufacturing semiconductor
KR20020043930A (en) 2000-12-05 2002-06-12 박종섭 Semiconductor memory device
KR20040053495A (en) * 2002-12-14 2004-06-24 삼성에스디아이 주식회사 Method for making substrate and method for making Organic electro luminescence display device using the same,Organic electro luminescence display device
KR20060040826A (en) * 2004-11-05 2006-05-11 삼성에스디아이 주식회사 Method of manufacturing substrate with thin film transistor and method of manufacturing flat panel display device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08288522A (en) * 1995-02-16 1996-11-01 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Method of manufacturing semiconductor
KR20020043930A (en) 2000-12-05 2002-06-12 박종섭 Semiconductor memory device
KR20040053495A (en) * 2002-12-14 2004-06-24 삼성에스디아이 주식회사 Method for making substrate and method for making Organic electro luminescence display device using the same,Organic electro luminescence display device
KR20060040826A (en) * 2004-11-05 2006-05-11 삼성에스디아이 주식회사 Method of manufacturing substrate with thin film transistor and method of manufacturing flat panel display device

Also Published As

Publication number Publication date
KR20080004067A (en) 2008-01-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100805589B1 (en) Method of manufacturing a flat display device
US9595691B2 (en) Organic light emitting diode device
US8035298B2 (en) Organic light emitting display having electrostatic discharge protection
US8027000B2 (en) Colour active matrix displays
KR100707544B1 (en) Organic electroluminescence display device
JP4489092B2 (en) Organic electroluminescent display device and method of manufacturing organic electroluminescent display device
US8519616B2 (en) Organic electroluminescent display device and method of fabricating the same
KR20050051550A (en) Electro-optic device, semiconductor device, electro-optic device substrate, manufacturing methods thereof, and electronic apparatus
KR102334240B1 (en) Foldable organic light emitting display device
CN102280445A (en) Display device and manufacturing method thereof
US7182877B2 (en) Method for manufacturing electro-optical device, electro-optical device, and electronic apparatus
JP2005244204A (en) Electronic device, semiconductor device and its manufacturing method
JP4923069B2 (en) Thin film transistor substrate and semiconductor device
JP5386547B2 (en) Method for manufacturing semiconductor device
JP2011253921A (en) Active matrix substrate and liquid crystal device
KR20090086341A (en) Semiconductor device, electro-optical device, electronic apparatus, method for manufacturing semiconductor device, method for manufacturing electro-optical device, and method for manufacturing electronic apparatus
JP5275517B2 (en) Substrate, manufacturing method thereof, and display device
KR100752368B1 (en) Flat panel display device and fabricating method of the same
US20080042138A1 (en) Display device and method of making the same
JP5475250B2 (en) Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device
US9952460B2 (en) Display device and method of fabricating the same
JP2007048571A (en) Manufacturing method of organic electroluminescence device, and electronic equipment
KR100743105B1 (en) Organic Electro-Luminescence Display Device and Fabricating Method Thereof
KR100759691B1 (en) Method of manufacturing a flat display device
KR102551580B1 (en) Array substrate for display device and display device having the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130205

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140129

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150130

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180201

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190129

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200203

Year of fee payment: 13