KR100804509B1 - Dummy for cleaning of semiconductor mold - Google Patents

Dummy for cleaning of semiconductor mold Download PDF

Info

Publication number
KR100804509B1
KR100804509B1 KR1020070021785A KR20070021785A KR100804509B1 KR 100804509 B1 KR100804509 B1 KR 100804509B1 KR 1020070021785 A KR1020070021785 A KR 1020070021785A KR 20070021785 A KR20070021785 A KR 20070021785A KR 100804509 B1 KR100804509 B1 KR 100804509B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
dummy
mold
cleaning
molding
emc
Prior art date
Application number
KR1020070021785A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
서경성
Original Assignee
서경성
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 서경성 filed Critical 서경성
Priority to KR1020070021785A priority Critical patent/KR100804509B1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100804509B1 publication Critical patent/KR100804509B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565Moulds

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)

Abstract

A dummy for cleaning a semiconductor mold is provided to prevent an epoxy mold compound from being leaked outwardly by forming mesh lines on upper and lower surfaces of the dummy in a lattice pattern. A dummy includes a board(11) made of an epoxy resin, copper layers(12a,12b) formed on upper and lower portions of the board, and a molding layer made of an epoxy molding compound. Mesh lines(15a,15b) formed in a lattice pattern at a predetermined interval are on an edge of the upper and lower surfaces of the dummy on which the molding layer is formed. Defining grooves(13a,13b) are formed on the upper and lower surfaces of the dummy, so that the dummy is defined into plural blocks. The defining grooves are formed on the upper and lower surfaces in the same pattern.

Description

반도체 몰드금형의 세정용 더미{Dummy for Cleaning of Semiconductor Mold}Dummy for Cleaning of Semiconductor Mold

도 1은 일반적인 반도체 패키지의 구조도,1 is a structural diagram of a general semiconductor package,

도 2는 본 발명에 따른 세정용 더미의 평면도,2 is a plan view of a washing dummy according to the present invention;

도 3은 도 2에 나타낸 세정용 더미의 저면도,3 is a bottom view of the washing dummy shown in FIG. 2;

도 4는 도 2의 A-A선 단면도,4 is a cross-sectional view taken along the line A-A of FIG.

도 5a 내지 도 5c는 본 발명에 따른 세정용 더미를 몰딩한 상태에서의 평면도, 저면도 및 단면도이다.5A to 5C are a plan view, a bottom view, and a cross-sectional view in a state in which the washing dummy according to the present invention is molded.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

1: 반도체칩 2: PCB1: semiconductor chip 2: PCB

3: 와이어 4: 몰딩층3: wire 4: molding layer

5: 솔더볼 10: 더미5: solder ball 10: pile

11: 보드 12a,12b: 구리층11: board 12a, 12b: copper layer

13a,13b: 구획홈 14: 홀13a, 13b: Compartment Groove 14: Hole

15a,15b: 메시 라인 16: 몰딩층15a, 15b: mesh line 16: molding layer

20: 더미 패키지20: dummy package

본 발명은 반도체 몰드금형의 세정용 더미에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 반도체칩이 외부 환경으로부터 손상되는 것을 방지하기 위해 EMC와 같은 몰딩수지로 몰딩할 때 사용하는 몰딩금형의 세정시에 사용되는 더미(dummy)에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a dummy for cleaning a semiconductor mold mold, and more particularly, a dummy used for cleaning a molding mold used when molding with a molding resin such as EMC to prevent the semiconductor chip from being damaged from the external environment. It's about the dummy.

웨이퍼 제조공정에서 만들어진 반도체 소자는 조립공정(assembly process)에서 소잉 공정(sawing process)을 통하여 웨이퍼가 단위 반도체칩으로 절단된다.In the semiconductor device fabricated in the wafer manufacturing process, the wafer is cut into unit semiconductor chips through a sawing process in an assembly process.

그리고 절단된 단위 반도체칩은 다이 어테치(die attach) 공정을 통하여 리드프레임(leadframe)이나, 인쇄회로기판과 같은 기본 프레임(이하 "PCB") 위에 탑재된다.The cut unit semiconductor chip is mounted on a base frame (hereinafter, referred to as "PCB") such as a leadframe or a printed circuit board through a die attach process.

다시 PCB에 탑재된 반도체칩은 와이어 본딩(wire bonding) 공정을 통하여 반도체칩의 본드 패드와 기본 프레임의 연결단자가 서로 연결된다.The semiconductor chip mounted on the PCB is connected to the bond pad of the semiconductor chip and the connection terminal of the base frame through a wire bonding process.

서로 연결된 상기 기본 프레임 및 반도체칩은 물리적 충격, 습기, 오염 등의 외부 환경으로부터 보호하며, 동시에 각 구성 요소들의 결합 상태가 안정적으로 유지시키기 위해 몰딩 공정을 통해 EMC(Epoxy Mold Compound)와 같은 몰딩수지로 몰딩된다.The base frame and the semiconductor chip connected to each other are protected from the external environment such as physical shock, moisture, and contamination, and at the same time, molding resin such as EMC (Epoxy Mold Compound) through a molding process in order to keep the bonding state of each component stably. Molded into.

상기 몰딩 공정은 와이어 본딩된 반도체칩을 외부 환경으로부터 보호하기 위하여 에폭시 계열의 몰딩수지로 밀봉하는 공정이다.The molding process is a process of sealing the wire-bonded semiconductor chip with an epoxy-based molding resin to protect it from the external environment.

상기 몰딩수지는 고형(固形)의 테블릿(tablet) 형태로 몰딩금형에 공급되며, 고온 고압하에서 용융되어 액상으로 몰드금형 내부에 주입된다.The molding resin is supplied to the molding mold in the form of a solid tablet, melted under high temperature and high pressure, and injected into the mold mold in a liquid state.

이 몰딩수지가 주입된 후 경화되면 소정의 형상을 갖는 패키지 몸체가 형성된다.When the molding resin is injected and then cured, a package body having a predetermined shape is formed.

상기한 반도체 패키지 중 BGA 반도체 패키지의 구성은 도 1에 나타낸 바와 같이, 회로패턴이 형성되고, 이 회로패턴을 보호하기 위해 솔더마스크가 코팅된 PCB(2)와, 상기 PCB(2)의 일면 중앙에 탑재된 반도체칩(1)과, 상기 반도체칩(1)과 상기 PCB(2)를 전기적으로 연결하여 신호를 전달하는 와이어(3)와, 상기 PCB(2)와 연결되어 외부로 신호를 전달할 수 있도록 PCB(2)의 일면에 융착된 솔더볼(5)과, 상기 반도체칩(1)과 주변 구성품들을 외부의 산화 및 부식으로부터 보호하기 위하여 그 외부를 감싼 몰딩층(4)으로 구성되는 것이다.As shown in FIG. 1, the BGA semiconductor package includes a PCB 2 having a circuit pattern formed thereon and a solder mask coated thereon to protect the circuit pattern, and a center of one surface of the PCB 2. A semiconductor chip 1 mounted on the wire, a wire 3 electrically connecting the semiconductor chip 1 and the PCB 2 to transmit a signal, and connected to the PCB 2 to transmit a signal to the outside. It is composed of a solder ball (5) fused to one side of the PCB (2), and a molding layer (4) wrapped around the outside to protect the semiconductor chip (1) and the peripheral components from external oxidation and corrosion.

상기 몰딩층(4)에 수지로 사용되는 EMC는 성형성, 내열성, 내습성, 부식성, 접착성, 전기 절연성, 고인장 및 굽힘 특성 그리고 마킹성 등 다양한 특성을 충족시켜야 하므로, 수지, 경화제, 결합제, 착색제 등 다양한 소재의 혼합물로 되어 있다.EMC, which is used as a resin in the molding layer 4, must satisfy various properties such as moldability, heat resistance, moisture resistance, corrosion resistance, adhesion, electrical insulation, high tensile and bending properties, and marking properties, such as resins, curing agents, and binders. And a mixture of various materials such as colorants.

상기 EMC는 실리콘 다이나 금속 리드프레임과의 접착이 양호하여야만 패키지의 안정성을 확보할 수 있기 때문에 접착성이 필요하고, 이를 위해서 흐름성이 좋은 저분자량의 수지를 사용하거나 왁스의 양을 적게 하여야 하지만, 그런 경우 몰드금형 표면과의 이형성이 저하되어 EMC가 몰드금형에 달라붙게(sticking) 되는 불량이 발생하거나, 잔류 EMC에 의한 몰드금형의 오염이 발생하여 주기적으로 몰딩금형의 표면을 세정해야 한다.The EMC requires adhesiveness only when the adhesion to the silicon die or the metal lead frame is good to ensure the stability of the package. For this purpose, low molecular weight resins having good flowability or low amount of wax should be used. In such a case, the mold release property is lowered from the mold mold surface, resulting in a defect in which the EMC sticks to the mold mold, or contamination of the mold mold due to residual EMC may occur, and the surface of the molding mold should be periodically cleaned.

이러한 몰딩금형의 세정시에 반도체칩(1)이 탑재된 PCB를 실제 사용하면 비 용이 많이 상승하므로 몰딩금형의 특성에 맞게 동(Copper), 종이나 에폭시 재질 등의 세정용 더미(Dummy)를 사용하여 실제 밀봉 공정과 같은 환경에서 세정 공정을 수행함으로써 몰딩금형의 표면에 탑재된 이물질이나 EMC를 제거한다.When the PCB equipped with the semiconductor chip 1 is actually used during the cleaning of the molding mold, the cost increases a lot. Therefore, a cleaning dummy such as copper, paper or epoxy material is used according to the characteristics of the molding mold. The cleaning process is performed in the same environment as the actual sealing process to remove foreign substances or EMC mounted on the surface of the molding mold.

즉, 반도체칩이나 와이어본딩, 도금 등이 되지 않은 세정용 더미를 반도체 패키지 제조의 몰딩금형에 안치시킨 후 EMC를 주입하여 몰딩금형을 세정한다.In other words, the mold for cleaning the semiconductor chip, the wire bonding, the plating, or the like is placed in the molding die of semiconductor package manufacture, and then the EMC is injected to clean the molding die.

본 발명에 사용하는 상기 세정용 더미는 에폭시 계열의 수지로 이루어진 보드의 상하부에 동을 입혀 이루어진다.The cleaning dummy used in the present invention is formed by coating copper on the upper and lower parts of a board made of epoxy resin.

상기한 종래의 세정용 더미는 세정시에 제품의 두께가 중요하지만 그 더미의 제조시에 두께 편차가 발생하게 되고, 이로 인해 더미를 몰딩금형에 안치시킨 후 EMC를 주입하는 경우에 EMC가 정해진 위치에서 경화되지 않고 몰딩층의 외부로 새는 문제가 발생한다.In the above-described conventional cleaning dummy, the thickness of the product is important at the time of cleaning, but thickness variation occurs at the time of manufacturing the dummy. As a result, when the dummy is placed in a molding mold and EMC is injected, the EMC position is determined. There is a problem of leaking out of the molding layer without curing at.

또한, 세정시에 주입되는 EMC의 온도는 약 180℃이나, 세정용 더미의 내열온도는 약 140℃이고 구획없이 통째로 이루어져 EMC가 경화되면서, 더미의 상하부분 열 발산이 다르게 행해짐으로써 더미가 가로, 세로 방향으로 휘거나 뒤틀어지는 현상이 발생하게 된다.In addition, the temperature of EMC injected during cleaning is about 180 ° C, but the heat resistance temperature of the cleaning dummy is about 140 ° C, and the whole of the pile is formed without partitions, and as the EMC hardens, the heat dissipation of the upper and lower parts of the dummy is differently performed. The phenomenon of bending or twisting in the vertical direction occurs.

즉, 더미의 상부는 동이 많이 입혀지나, 하부는 적게 입혀져 더미의 상부와 하부의 열의 발산 차이가 달라(상부는 열이 빨리 발산되고, 하부는 상부보다 느리게 열이 발산됨) 열이 천천히 발산되는 하부쪽으로 휘게 되며, 더미의 상하 표면 가운데 부분보다는 외측의 열이 빨리 발산되어 뒤틀어지는 현상이 발생하게 된다.That is, the upper part of the pile is coated with a lot of copper, but the lower part is coated with a small amount of heat, and the difference in heat dissipation between the upper part and the lower part of the dummy is different (the upper part radiates heat faster and the lower part radiates heat slower than the upper part). It is bent to the lower side, the heat dissipates faster than the center portion of the top and bottom surfaces of the dummy is distorted.

그리고 몰딩금형 세정시에는 반도체칩을 더미에 탑재할 필요가 없어 실제 밀 봉 공정과 같은 환경하에서 세정을 수행하지 못하므로 몰딩금형의 세정효과가 떨어지는 문제점이 있었다.In the molding mold cleaning, there is no need to mount the semiconductor chip in a dummy, and thus, the cleaning effect of the molding mold is inferior because the cleaning cannot be performed under the same environment as the actual sealing process.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 산출된 것으로서, 더미를 구획하여 블록 단위로 나누고 EMC가 주입/경화되는 몰딩층의 끝 부분에 메시 라인을 돌출 형성하여 더미 전체가 가로, 세로방향으로 휘거나 뒤틀어지는 것과 두께 편차로 EMC가 새는 것을 방지할 수 있는 반도체 몰드금형의 세정용 더미를 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention is calculated in order to solve the above problems, the dummy is divided into blocks and the mesh line is formed at the end of the molding layer in which EMC is injected / hardened, so that the entire pile is bent horizontally or vertically, It is an object of the present invention to provide a dummy for cleaning a semiconductor mold mold, which can prevent leakage of EMC due to warping and thickness deviation.

또한, 본 발명의 다른 목적은 반도체칩이 탑재되는 효과를 발휘하기 위하여 반도체칩 탑재 위치의 더미에 더미의 상하를 관통하는 홀을 형성하여 몰딩금형의 세정효과를 향상시킬 수 있는 반도체 몰드금형의 세정용 더미를 제공하는 데 있다.In addition, another object of the present invention is to clean the semiconductor mold mold that can improve the cleaning effect of the molding mold by forming a hole penetrating the top and bottom of the dummy in the pile of the semiconductor chip mounting position in order to achieve the effect of mounting the semiconductor chip To provide a pile of dragons.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 몰드금형의 세정용 더미는, 에폭시 계열의 수지로 이루어진 보드의 상하부에 동(Copper)을 입혀 보드의 상하부에 구리층이 형성되고, 몰드금형에 올려진 상태에서 EMC가 주입/경화되어 몰딩층이 형성됨으로써 반도체 몰드금형을 세정하는데 사용되는 더미에 있어서,In order to achieve the above object, the semiconductor dummy mold cleaning dummy according to the present invention is coated with copper on upper and lower portions of a board made of epoxy resin, and a copper layer is formed on upper and lower portions of the board, and placed on a mold mold. In a dummy used to clean a semiconductor mold mold by forming a molding layer by injecting / curing EMC in a deep state,

상기 몰딩층이 형성될 더미의 상하 표면 끝 부분에 동선을 소정 간격으로 격자상으로 짜 이루어지는 메시 라인이 형성되는 것을 특징으로 한다.Characterized in that the mesh line is formed in the grid pattern at a predetermined interval on the upper and lower surface ends of the dummy to be formed with the molding layer.

이하 본 발명의 실시예에 대하여 첨부된 도면을 참고로 그 구성 및 작용을 설명하기로 한다.Hereinafter, the configuration and operation of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명에 따른 세정용 더미의 평면도이고, 도 3은 도 2에 나타낸 세정용 더미의 저면도이며, 도 4는 도 2의 A-A선 단면도이다.2 is a plan view of the cleaning dummy according to the present invention, FIG. 3 is a bottom view of the cleaning dummy shown in FIG. 2, and FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line A-A of FIG.

본 발명에 따른 세정용 더미(10)는 도 1에 도시된 바와 같이, 에폭시 계열의 수지로 이루어진 보드(11)의 상하부에 동(Copper)을 입혀 보드(11)의 상하부에 구리층(12a,12b)이 각각 형성된다.As shown in FIG. 1, the cleaning dummy 10 according to the present invention is coated with copper on the upper and lower portions of the board 11 made of epoxy resin, and the upper and lower portions of the copper layer 12a, 12b) are formed respectively.

상기 더미(10)의 상하 표면, 즉 구리층(12a,12b)에 가로와 세로방향으로 서로 교차하게 구획홈(13a,13b)이 형성되어 더미(10)가 다수의 블록으로 나누어진다.Partition grooves 13a and 13b are formed on the upper and lower surfaces of the dummy 10, that is, the copper layers 12a and 12b in the horizontal and vertical directions so that the dummy 10 is divided into a plurality of blocks.

상기 구획홈(13a,13b)은 구리층(12a,12b)을 형성하지 않고 에폭시 보드(11)를 가로 세로방향으로 노출함으로써 형성되되, 이때 구획홈(13a,13b)은 상하로 일치되는 위치의 더미(10) 상하 표면에 동일 패턴으로 형성된다.The partition grooves 13a and 13b are formed by exposing the epoxy board 11 in the horizontal and vertical direction without forming the copper layers 12a and 12b, wherein the partition grooves 13a and 13b are formed at positions corresponding to each other vertically. The dummy 10 is formed in the same pattern on the upper and lower surfaces.

또한, 실제 몰딩 공정에서 반도체칩(1)이 PCB(2)에 탑재되어 있는 상태의 효과를 세정 공정에서의 더미(10)에서 얻기 위하여, 상기 PCB(2)의 반도체칩(1) 탑재 위치와 대응되는 더미(10)의 위치에 상하로 관통하는 홀(14)이 형성된다.In addition, in order to obtain the effect of the state in which the semiconductor chip 1 is mounted on the PCB 2 in the actual molding process, in the dummy 10 in the cleaning process, the mounting position of the semiconductor chip 1 of the PCB 2 and A hole 14 penetrating up and down is formed at a position of the corresponding dummy 10.

즉 도 1에 도시된 바와 같이 반도체칩(1)이 PCB(2)에 탑재되어 있는 상태에서 몰딩 공정이 행해지는 바, 상기 반도체칩(1)은 PCB(2)의 중앙에 형성된 홀에 장착되어 반도체칩(1)의 하단부는 PCB(2)의 하부로 약간 돌출된 상태이다.That is, as shown in FIG. 1, a molding process is performed while the semiconductor chip 1 is mounted on the PCB 2, and the semiconductor chip 1 is mounted in a hole formed in the center of the PCB 2. The lower end of the semiconductor chip 1 is slightly protruded to the bottom of the PCB (2).

이때 상기 반도체칩(1)의 좌우 양측과 홀 내측 사이에는 EMC를 PCB(2)의 하부로 공급할 수 있도록 이격거리(D)가 형성되고, 이 이격거리(D)를 통해 PCB(2)의 상부에 공급된 EMC가 하부에 공급되어 흘러 PCB(2)의 하부로 돌출된 반도체칩(1)의 하단부를 감싸는 몰딩층(4)이 된다.At this time, a separation distance (D) is formed between the left and right sides of the semiconductor chip (1) and the inside of the hole so that EMC can be supplied to the lower portion of the PCB (2), the upper portion of the PCB (2) through this separation distance (D) EMC supplied to the bottom is supplied to the bottom to flow into the molding layer 4 surrounding the lower end of the semiconductor chip 1 protruding to the bottom of the PCB (2).

이와 같은 실제 몰딩 공정시의 효과를 얻기 위해 PCB(2)의 이격거리(D)가 형성된 위치와 대응되는 위치의 더미(10)에 EMC를 더미(10)의 하부로 공급할 수 있도록 홀(14)이 형성된다.In order to obtain the effect of the actual molding process, the hole 14 to supply the EMC to the bottom of the dummy 10 to the dummy 10 of the position corresponding to the position where the separation distance (D) of the PCB (2) is formed. Is formed.

그리고 상기 더미(10)에서 EMC가 공급/경화되어 몰딩층(16)이 형성될 끝 부분에는 메시 라인(Mesh Line)(15a,15b)이 형성된다.In addition, mesh lines 15a and 15b are formed at ends of the dummy 10 in which the EMC layer is supplied / cured to form the molding layer 16.

상기 메시 라인(15a,15b)은 더미(10)의 상하 표면 즉, 구리층(12a,12b) 사이의 노출된 에폭시 보드(11)에 동선(Copper Wire)을 소정 간격으로 격자상(格子狀)으로 짜서 이루어진다.The mesh lines 15a and 15b are formed in a lattice shape at predetermined intervals with copper wires on the upper and lower surfaces of the dummy 10, that is, the exposed epoxy board 11 between the copper layers 12a and 12b. Woven by

도면에서는 이 메시 라인(15a,15b)이 더미(10)의 상측 표면에서 4각 테두리를 따라 형성되고, 하측 표면에서 홀(14)을 따라 세로방향으로 일정거리를 두고 연속 형성됨을 보여준다.The figure shows that these mesh lines 15a, 15b are formed along a square edge at the upper surface of the dummy 10 and are continuously formed at a predetermined distance in the longitudinal direction along the hole 14 at the lower surface.

이하에서 상기한 구조의 세정용 더미의 작용 효과를 설명한다.The effect of the cleaning dummy having the above structure will be described below.

몰딩금형을 이용하여 몰딩 공정을 수회 반복하는 중에 몰딩금형이 오염되어 몰딩금형의 표면을 세정할 필요가 발생하면, 상술한 구조를 갖는 세정용 더미(10)를 몰딩금형에 올려놓은 상태에서 몰딩수지인 EMC를 고형(固形)의 테블릿(tablet) 형태로 몰딩금형에 공급하며, 고온 고압하에서 용융하여 액상으로 몰드금형 내부에 주입한다.If the molding mold is contaminated and the surface of the molding mold needs to be cleaned while repeating the molding process several times using the molding mold, the molding resin 10 having the above-described structure is placed on the molding mold. Phosphorus EMC is supplied to the molding mold in the form of a solid tablet, melted under high temperature and high pressure, and injected into the mold mold as a liquid.

이 EMC가 주입된 후 경화되면 도 5와 같은 몰딩층(16)을 갖는 더미 패키지(20)가 형성되고, 이후 이 더미 패키지(20)는 폐기 처리된다.When the EMC is injected and cured, a dummy package 20 having a molding layer 16 as shown in FIG. 5 is formed, and then the dummy package 20 is disposed of.

도 5에 도시된 바와 같이, 메시 라인(15a,15b) 내측의 더미(10) 상부에 형성 된 몰딩층(16)이 홀(14)을 따라 더미(10) 하부로 공급되어 더미(10) 하부에 세로방향으로 일정간격을 두고 연속 형성된다.As shown in FIG. 5, the molding layer 16 formed on the upper part of the dummy 10 inside the mesh lines 15a and 15b is supplied to the lower part of the dummy 10 along the hole 14, and thus the lower part of the dummy 10. It is formed continuously at regular intervals in the longitudinal direction.

상기 몰딩층(16)이 형성될 끝 부분에 형성되는 메시 라인(15a,15b)이 그물망 형태로 형성되어 더미(10)의 두께 편차에 따라 EMC가 외부로 새는 것을 방지하게 된다.Mesh lines 15a and 15b formed at ends of the molding layer 16 are formed in a mesh shape to prevent leakage of the EMC to the outside according to the thickness variation of the dummy 10.

또한, 더미(10)의 상하에 동일한 패턴을 갖는 구획홈(13a,13b)을 형성하여 EMC에 가해지는 약 180℃의 열을 분할된 블록 단위의 더미(10)에서 부분적으로 흡수하여 발산하고, 구획홈(13a,13b)에 의해 열이 하부로 전달되어 상하 열 발산 차이가 줄어들어 원활하게 발산함으로써 더미(10)가 휘어지는 현상을 방지할 수 있는 것이다.Further, partition grooves 13a and 13b having the same pattern are formed above and below the dummy 10 to partially absorb and dissipate about 180 ° C. heat applied to the EMC from the dummy 10 in the divided block unit. The heat is transferred to the lower portion by the partition grooves 13a and 13b so that the difference between the upper and lower heat dissipation is reduced, thereby smoothly dissipating, thereby preventing the dummy 10 from being bent.

그리고 더미(10)의 상하를 관통하는 홀(14)을 형성하고 이 홀(14)을 통해 더미(10)의 하부에도 몰딩층(16)을 형성하는 것에 의해, 실제 몰딩 공정에서 PCB(2)에 반도체칩(1)이 탑재되어 생기는 효과와 같은 효과를 더미(10)에서 얻을 수 있음으로써 몰딩금형의 세정효과를 향상시킬 수 있다.By forming the holes 14 penetrating the top and bottom of the dummy 10 and forming the molding layer 16 in the lower part of the dummy 10 through the holes 14, the PCB 2 in the actual molding process. Since the same effect as the effect of mounting the semiconductor chip 1 on the dummy 10 can be obtained, the cleaning effect of the molding die can be improved.

이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명에 의하면, 더미를 구획하여 블록 단위로 나누고 EMC가 주입/경화되는 몰딩층의 끝 부분에 메시 라인을 형성하여 더미 전체가 가로, 세로방향으로 휘거나 비틀어지는 것과 두께 편차로 인해 EMC가 새는 것을 방지할 수 있다.As described above, according to the present invention, the dummy is divided and divided into blocks and a mesh line is formed at the end of the molding layer in which EMC is injected / cured so that the entire pile is bent or twisted in the horizontal or vertical direction, and the thickness is different. This can prevent EMC leakage.

또한, 반도체칩이 탑재되는 PCB의 효과를 더미에서 얻기 위하여 반도체칩 탑 재 위치의 더미에 더미의 상하를 관통하는 홀을 형성하여 몰딩금형의 세정효과를 향상시킬 수 있다.In addition, in order to obtain the effect of the PCB on which the semiconductor chip is mounted, a hole penetrating the top and bottom of the dummy may be formed in the dummy at the semiconductor chip mounting position, thereby improving the cleaning effect of the molding die.

Claims (3)

에폭시 계열의 수지로 이루어진 보드(11)의 상하부에 동(Copper)을 입혀 보드(11)의 상하부에 구리층(12a,12b)이 형성되고, 몰드금형에 올려진 상태에서 EMC가 주입/경화되어 몰딩층(16)이 형성됨으로써 반도체 몰드금형을 세정하는데 사용되는 더미에 있어서,Copper is coated on upper and lower portions of the board 11 made of epoxy resin, and copper layers 12a and 12b are formed on upper and lower portions of the board 11, and EMC is injected / cured in a state of being placed on a mold mold. In the dummy used to clean the semiconductor mold mold by forming the molding layer 16, 상기 몰딩층(16)이 형성될 더미(10)의 상하 표면 끝 부분에 동선을 소정 간격으로 격자상으로 짜 이루어지는 메시 라인(15a,15b)이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 몰드금형의 세정용 더미.Dummy for cleaning a semiconductor mold mold, characterized in that the mesh line (15a, 15b) is formed on the upper and lower surface ends of the dummy 10 on which the molding layer 16 is to be formed in a grid form at regular intervals. . 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 더미(10)의 상하 표면에 가로와 세로방향으로 서로 교차하게 구획홈(13a,13b)이 형성되어 더미(10)가 다수의 블록으로 구획되고, 상기 구획홈(13a,13b)은 더미(10)의 상하에 동일 패턴으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 몰드금형의 세정용 더미.Partition grooves 13a and 13b are formed on the upper and lower surfaces of the dummy 10 in the horizontal and vertical directions so that the dummy 10 is partitioned into a plurality of blocks, and the partition grooves 13a and 13b are piles. 10) A dummy for cleaning a semiconductor mold mold, which is formed in the same pattern above and below. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 더미(10)에서 반도체칩(1)이 PCB(2)에 탑재되어 생기는 실제 몰딩 공정의 효과를 얻기 위해, 상기 반도체칩(1)이 탑재되는 위치와 같은 위치의 더미(10) 부분에 상하로 관통하는 홀(14)이 형성되며, 이 홀(14)을 통해 EMC가 더미(10) 하 부로 공급되어 더미 하부에 몰딩층(16)이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 몰드금형의 세정용 더미.In order to obtain the effect of the actual molding process caused by the semiconductor chip 1 is mounted on the PCB 2 in the dummy 10, the upper and lower parts of the dummy 10 at the same position as the position where the semiconductor chip 1 is mounted. The hole 14 penetrates into the furnace, through which the EMC is supplied to the lower part of the dummy 10, the molding layer 16 is formed in the lower part of the dummy, characterized in that the dummy for cleaning .
KR1020070021785A 2007-03-06 2007-03-06 Dummy for cleaning of semiconductor mold KR100804509B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070021785A KR100804509B1 (en) 2007-03-06 2007-03-06 Dummy for cleaning of semiconductor mold

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070021785A KR100804509B1 (en) 2007-03-06 2007-03-06 Dummy for cleaning of semiconductor mold

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100804509B1 true KR100804509B1 (en) 2008-02-20

Family

ID=39382363

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070021785A KR100804509B1 (en) 2007-03-06 2007-03-06 Dummy for cleaning of semiconductor mold

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100804509B1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200471175Y1 (en) * 2013-09-12 2014-02-07 서경성 Cleaning dummy of mold for semiconductor
KR102038230B1 (en) 2018-10-01 2019-10-29 이경화 Manufacturing Apparatus for Cleaning Semiconductor Mold

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000074595A (en) * 1999-05-24 2000-12-15 곽노권 Sigulation mold for the semi-conductor

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000074595A (en) * 1999-05-24 2000-12-15 곽노권 Sigulation mold for the semi-conductor

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200471175Y1 (en) * 2013-09-12 2014-02-07 서경성 Cleaning dummy of mold for semiconductor
KR102038230B1 (en) 2018-10-01 2019-10-29 이경화 Manufacturing Apparatus for Cleaning Semiconductor Mold

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7432601B2 (en) Semiconductor package and fabrication process thereof
US8283762B2 (en) Lead frame based semiconductor package and a method of manufacturing the same
KR20090046282A (en) Semiconductor package, and method for fabricating the same
TWI597811B (en) Chip package and method for manufacturing same
KR20080057174A (en) Electronic component built-in substrate and method of manufacturing electronic component built-in substrate
US20150207050A1 (en) Semiconductor package and manufacturing method thereof
US10128169B1 (en) Package with backside protective layer during molding to prevent mold flashing failure
US20120119358A1 (en) Semicondiuctor package substrate and method for manufacturing the same
KR100804509B1 (en) Dummy for cleaning of semiconductor mold
KR101007320B1 (en) Cleaning dummy of mold for semiconductor
US7911039B2 (en) Component arrangement comprising a carrier
KR100829613B1 (en) Semiconductor chip package and method of manufacturing the same
US20150041182A1 (en) Package substrate and chip package using the same
JP2005277097A (en) Resin sealed semiconductor device and method of manufacturing same
KR100903942B1 (en) Dummy for Cleaning of Semiconductor Mold
KR100697624B1 (en) Package substrate having surface structure adapted for adhesive flow control and semiconductor package using the same
KR101264735B1 (en) Semiconductor package and method of manufacturing the same
KR100922372B1 (en) Method for manufacturing semiconductor package
KR100623308B1 (en) The method for Manufacturing of Circuit Board for Semiconductor Package
KR100762913B1 (en) Semiconductor package
US20050068757A1 (en) Stress compensation layer systems for improved second level solder joint reliability
KR101905526B1 (en) Lead frame strip which can be filled with resin and method for manufacturing the same lead frame strip and semiconductor package substrate
US11309236B2 (en) Semiconductor device
JP2009021366A (en) Semiconductor device
KR100633693B1 (en) Power bar structure for semiconductor package

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121226

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140210

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150205

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160211

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171201

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181126

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191209

Year of fee payment: 13