KR100800799B1

KR100800799B1 - Method for fabricating metal thin film on semiconductor surface using pvd

Info

Publication number: KR100800799B1
Application number: KR1020050131329A
Authority: KR
Inventors: 전동기
Original assignee: 동부일렉트로닉스 주식회사
Priority date: 2005-12-28
Filing date: 2005-12-28
Publication date: 2008-02-04
Also published as: KR20070069339A

Abstract

본 발명은 PVD 장치에서 스퍼터링을 이용한 반도체 기판상 금속 박막 증착 방법에 관한 것이다. 즉, 본 발명에서는 PVD 장치에서 스퍼터링을 이용하여 반도체 기판 상 금속 박막을 증착시키는 공정에서, 반도체 기판 상으로 증착되는 박막의 원재료인 타겟이 PVD 스퍼터링 공정에 의해 점차적으로 소모됨에 따라 공정 챔버내 타겟과 반도체 기판 상 거리에 변화가 생기는 경우, 상기 타겟과 반도체 기판 상 변화에 대응되게 반도체 기판이 놓여지는 받침대를 공정 챔버내 타겟의 방향으로 점차적으로 수직 하강 제어시켜 상기 타겟과 반도체 기판의 거리가 항상 최적으로 유지되도록 함으로써, 반도체 기판 상 금속 박막이 균일하게 증착되도록 한다. The present invention relates to a method for depositing a metal thin film on a semiconductor substrate using sputtering in a PVD device. That is, in the present invention, in the process of depositing a metal thin film on a semiconductor substrate using sputtering in a PVD device, the target, which is a raw material of the thin film deposited on the semiconductor substrate, is gradually consumed by the PVD sputtering process. When a change occurs in the distance on the semiconductor substrate, the distance between the target and the semiconductor substrate is always optimal by controlling the vertical lowering of the pedestal in which the semiconductor substrate is placed to correspond to the change in the target and the semiconductor substrate in the direction of the target in the process chamber. As a result, the thin metal film on the semiconductor substrate is uniformly deposited.

PVD, 금속박막, 스퍼터링, 타겟, 거리 PVD, thin film, sputtering, target, distance

Description

METHODS FOR FABRICATING METAL THIN FILM ON SEMICONDUCTOR SURFACE USING PVD}

도 1은 본 발명의 실시 예가 적용되는 PVD 장치의 개략적인 구성도,1 is a schematic configuration diagram of a PVD apparatus to which an embodiment of the present invention is applied;

도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 PVD를 이용한 반도체 기판 상 균일한 두께의 금속 박막 증착 공정 흐름도,2 is a flowchart illustrating a process of depositing a metal thin film having a uniform thickness on a semiconductor substrate using PVD according to an embodiment of the present invention;

도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 PVD 타겟과 반도체 기판상 거리의 자동 보상 그래프 예시도.3 is a diagram illustrating an automatic compensation graph of a distance on a semiconductor substrate and a PVD target according to an exemplary embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부호에 대한 간략한 설명><Brief description of the major symbols in the drawings>

100 : 공정 챔버 102 : 타겟100: process chamber 102: target

104 : 반도체 기판 106 : 받침대104: semiconductor substrate 106: pedestal

108 : 리프트 108: lift

본 발명은 반도체 소자 제조를 위한 PVD 장치에 관한 것으로, 특히 PVD 장치 에서 반도체 기판상 박막 증착 공정 시 타겟의 소모에 따른 챔버 내 타겟과 반도체 기판간 거리 변화를 자동으로 보상하여 타겟과 반도체 기판상 거리를 최적으로 유지시켜 반도체 기판상 금속박막이 균일하게 증착되도록 하는 PVD 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a PVD device for manufacturing a semiconductor device, and in particular, a distance on a target and a semiconductor substrate by automatically compensating a change in distance between the target and the semiconductor substrate in a chamber according to the consumption of the target during the thin film deposition process on the semiconductor substrate in the PVD device. The present invention relates to a PVD method of maintaining an optimum so that a metal thin film is uniformly deposited on a semiconductor substrate.

통상적으로 건식도금법의 일종인 PVD(Physical Vapor Deposition)법은 그 원리에 따라 증발(Evaporation)과 스퍼터링(Sputtering), 이온 플레이팅(Ion plating) 등으로 분류될 수 있는데, 장식용으로부터 초경과 같은 공업용, 그리고 전자분야에 이르기까지 폭넓게 사용되는 증착법이다. Typically, PVD (Physical Vapor Deposition) method, which is a kind of dry plating method, can be classified into evaporation, sputtering, ion plating, etc. And it is a deposition method widely used in the electronic field.

상기 PVD방법을 좀더 상세히 살펴보면, 먼저 증발은 도금할 물질을 기화하는데 있어서 열에너지를 이용하는 방법인 반면, 스퍼터링은 플라즈마를 형성한 다른 기체의 운동에너지를 이용해서 도금물질을 기화하는 방법이다. 증발은 열에너지를 공급하는 방법에 따라서 세부적으로 분류하는데 필라멘트, 저항가열보트, 전자빔, 아크 등을 용도에 따라 이용한다. 이온 플레이팅은 증발에서 얻을 수 있는 빠른 증착 속도와 스퍼터링에서 얻어지는 치밀한 박막 미세조직과 화합물 형성능력을 조합한 혼성(Hybrid) 기술이라고 할 수 있다. 즉, 증발에서 사용하는 증발원을 그대로 이용하되 스퍼터링에서 이용하는 플라즈마를 도입하여 증발원자를 부분적으로 이온화하여 운도에너지와 반응성을 높이는 방법이다.Looking at the PVD method in more detail, first, evaporation is a method of using thermal energy to vaporize a material to be plated, while sputtering is a method of vaporizing a plating material using kinetic energy of another gas that forms a plasma. Evaporation is classified in detail according to the method of supplying thermal energy, and filaments, resistance heating boats, electron beams, arcs, etc. are used depending on the application. Ion plating is a hybrid technology that combines the fast deposition rate obtained by evaporation and the dense thin film microstructure obtained by sputtering with the ability to form compounds. In other words, the evaporation source used in evaporation is used as it is, but the plasma used in sputtering is introduced to partially ionize the evaporation atom, thereby increasing reactivity with the cloud energy.

스퍼터링은 진공 중에서 불활성 기체(Ar, Kr, Xe 등)의 글로 방전(Glow discharge)을 형성하여 양이온들이 음극 바이어스된 타겟(Target)에 충돌하도록 함으로써 운동량 전달에 의해 타겟의 원자가 방출되도록 하는 방법으로, 상기 PVD법 중 스퍼터링법은 반도체 소자 제조 시 금속 박막의 증착을 위해 사용된다.Sputtering is a method of forming a glow discharge of an inert gas (Ar, Kr, Xe, etc.) in a vacuum to cause cations to collide with a cathode biased target, thereby releasing atoms of the target by momentum transfer. Sputtering method of the PVD method is used for the deposition of a metal thin film in the manufacture of semiconductor devices.

즉, 스퍼터링을 이용하는 PVD에서 반도체 기판 금속 박막 증착에 있어서, 금속 박막의 증착을 위한 반도체 기판이 PVD 장치의 공정 챔버내 위치되는 경우, 공정챔버에 연결된 전력공급원은 챔버내의 음극과 양극 사이에 전기 포텐셜을 발생시키고, 음극과 양극 사이의 영역에서 공정 가스의 플라즈마를 생성시킨다. 이 플라즈마로부터 생성된 이온들은 타겟(Target)(음극 바이어스)를 타격하고, 이때 기판(양극 바이어스)상에 증착되는 재료를 타겟으로부터 스퍼터링하여 반도체 기판 금속 박막을 형성시키게 된다.That is, in the deposition of a semiconductor substrate metal thin film in a PVD using sputtering, when the semiconductor substrate for the deposition of the metal thin film is located in a process chamber of a PVD device, a power supply connected to the process chamber may have an electrical potential between the cathode and the anode in the chamber. And a plasma of the process gas is generated in the region between the cathode and the anode. The ions generated from the plasma strike the target (cathode bias), and then sputter the material deposited on the substrate (anode bias) from the target to form a semiconductor substrate metal thin film.

그러나 상기한 종래 스퍼터링을 이용하는 PVD 공정에서는 타겟이 소모됨에 따라 공정 챔버내 상부에 위치한 타겟과 하부의 반도체 기판 상 거리가 점차 변하게 되어 반도체 기판 상 증착되는 금속 박막의 두께가 균일하게 증착되지 못하는 문제점이 있었다.However, in the PVD process using the conventional sputtering, as the target is consumed, the distance between the target positioned at the upper portion of the process chamber and the lower semiconductor substrate is gradually changed, so that the thickness of the metal thin film deposited on the semiconductor substrate is not uniformly deposited. there was.

따라서, 본 발명의 목적은 PVD 장치에서 반도체 기판상 박막 증착 공정 시 타겟의 소모에 따른 챔버 내 타겟과 반도체 기판간 거리 변화를 자동으로 보상하여 타겟과 반도체 기판상 거리를 최적으로 유지시켜 반도체 기판상 금속박막이 균일하게 증착되도록 하는 PVD 방법을 제공함에 있다.Accordingly, an object of the present invention is to automatically compensate for a change in distance between a target and a semiconductor substrate in a chamber according to the consumption of a target during a thin film deposition process on a semiconductor substrate in a PVD device to maintain an optimal distance between the target and the semiconductor substrate, To provide a PVD method for uniformly depositing a metal thin film.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명은 PVD를 이용한 반도체 기판 상 금속박막 증착 방법으로서, (a)PVD 공정 챔버로 금속 박막 증착을 위한 반도체 기판을 위치시키는 단계와, (b)상기 공정 챔버내 위치한 반도체 기판상으로 스퍼터링을 위한 플라즈마 가스를 유입시키는 단계와, (c)상기 반도체 기판 상부에 위치한 타겟에 전원을 인가하여 상기 플라즈마 가스를 이용한 스퍼터링을 수행하는 단계와, (d)상기 스퍼터링에 의해 상기 타겟으로부터 분리되는 소스원자와 분자들을 상기 반도체 기판상에 증착시켜 금속 박막을 형성시키는 단계와, (e)상기 타겟의 소모에 따라 상기 공정 챔버내 상기 타겟의 하부에 위치한 반도체 기판을 점차적으로 하강시켜 상기 타겟과 반도체 기판상 거리가 점차적으로 멀어지도록 거리를 보상시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of depositing a metal thin film on a semiconductor substrate using PVD, comprising: (a) placing a semiconductor substrate for metal thin film deposition into a PVD process chamber, and (b) Injecting plasma gas for sputtering onto a semiconductor substrate, (c) applying power to a target located above the semiconductor substrate to perform sputtering using the plasma gas, and (d) Depositing source atoms and molecules separated from the target on the semiconductor substrate to form a metal thin film; and (e) gradually lowering the semiconductor substrate positioned below the target in the process chamber according to the consumption of the target. Compensating for the distance such that the distance from the target and the semiconductor substrate is gradually separated. Gong.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시 예의 동작을 상세하게 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail the operation of the preferred embodiment according to the present invention.

도 1은 본 발명의 실시 예가 적용되는 스퍼터링을 이용한 PVD 공정에서 타겟의 소모에 따라 타겟과 반도체 기판상 거리를 자동으로 조절하여 주는 PVD 챔버에서의 공정을 예시한 도면이다.FIG. 1 is a diagram illustrating a process in a PVD chamber that automatically adjusts a distance between a target and a semiconductor substrate according to consumption of a target in a PVD process using sputtering to which an embodiment of the present invention is applied.

상기 도 1에서 보여지는 바와 같이 PVD 공정 챔버 내 금속 박막 증착을 위한 반도체 기판이 삽입되어 타겟의 하부에 안착되는 경우, 진공으로 유지되는 챔버(Chamber)(100) 안으로 아르곤 가스(Ar)를 유입시킨 뒤, 타겟(Target)(102)에 전원을 인가하여 스퍼터링을 수행하게 된다.As shown in FIG. 1, when a semiconductor substrate for depositing a metal thin film in a PVD process chamber is inserted and seated on a lower portion of a target, argon gas (Ar) is introduced into a chamber 100 maintained in a vacuum. Thereafter, power is applied to the target 102 to perform sputtering.

이에 따라 타겟(102)으로부터 스퍼터링에 의해 분리된 소스원자와 분자들이 챔버(100)내 애노드(Anode)극이 연결되는 받침대(106)에 위치한 반도체 기판(104) 상으로 증착되어 PVD법에 의한 박막 형성이 이루어지게 된다.Accordingly, the source atoms and molecules separated by the sputtering from the target 102 are deposited onto the semiconductor substrate 104 located on the pedestal 106 where the anode poles in the chamber 100 are connected to each other. Formation is made.

이때 상기 타겟(102)은 스퍼터링(sputtering)이 계속적으로 진행됨에 따라 플라즈마 가스(plasma)에 의해 소모되어 공정 챔버(100) 내 타겟(102)과 반도체 기판 (104)상 거리(d)에 변화가 발생하게 되며, 위와 같은 타겟(102)과 반도체 기판(104) 상 거리(d)의 변화는 전술한 바와 같이 반도체 기판(104)상 증착되는 박막의 두께가 균일하게 되지 못하는 원인이 된다. In this case, as the target 102 is continuously sputtered, the target 102 is consumed by plasma gas so that a change in the distance d on the target 102 and the semiconductor substrate 104 in the process chamber 100 occurs. As described above, the change of the distance d on the target 102 and the semiconductor substrate 104 causes the thickness of the thin film deposited on the semiconductor substrate 104 to become uneven.

따라서 본 발명에서는 공정 챔버(100)내 스퍼터링 공정의 진행에 따라 타겟(102)이 점차적으로 소모되는 경우 타겟(102)의 소모에 따른 타겟(102)과 반도체 기판(104)상 거리(d)의 변화를 측정하여 반도체 기판(104)이 장착된 받침대(106)를 리프트(108)를 통해 하강시켜 상기 거리 변화를 보상하여 줌으로써, 반도체 기판 상 증착되는 금속 박막의 두께가 항상 균일하게 유지되도록 한다.Therefore, in the present invention, when the target 102 is gradually consumed as the sputtering process in the process chamber 100 progresses, the distance d of the target 102 and the semiconductor substrate 104 according to the consumption of the target 102 is reduced. By measuring the change, the pedestal 106 on which the semiconductor substrate 104 is mounted is lowered through the lift 108 to compensate for the distance change, so that the thickness of the metal thin film deposited on the semiconductor substrate is always kept uniform.

도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 PVD 장치에서 스퍼터링을 이용한 PVD 공정 처리 흐름을 도시한 것이다. 이하 상기 도 1 및 도 2를 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세히 설명하기로 한다.2 illustrates a PVD process flow using sputtering in a PVD apparatus according to an embodiment of the present invention. Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 and 2.

먼저 PVD를 이용한 금속 박막 증착이 수행될 반도체 기판(104)이 PVD 장치내 공정 챔버(100)로 삽입시킨다(S200). First, the semiconductor substrate 104 on which metal thin film deposition using PVD is to be performed is inserted into the process chamber 100 in the PVD apparatus (S200).

위와 같이 PVD 공정 챔버(100) 내 금속 박막 증착을 위한 반도체 기판(104)이 삽입되어 타겟(102)의 하부에 안착되는 경우, 종래와는 달리 스퍼터링을 진행하기 전에 먼저 타겟과 반도체 기판 거리를 보상하여 준다(S202).As described above, when the semiconductor substrate 104 for depositing the metal thin film in the PVD process chamber 100 is inserted and seated on the lower portion of the target 102, the target and the semiconductor substrate distance are first compensated before the sputtering, unlike the conventional method. (S202).

이때 상기 타겟(102)은 스퍼터링이 계속적으로 진행됨에 따라 플라즈마 가스에 의해 소모되어 공정 챔버(100) 내 타겟(102)과 반도체 기판(104) 상 거리에 변화가 발생하게 되며, 위와 같은 타겟(102)과 반도체 기판(104) 상 거리(d)의 변화 는 반도체 기판상 증착되는 박막의 두께가 균일하게 되지 못하는 원인이 되었음은 전술한 바와 같다.At this time, the target 102 is consumed by the plasma gas as the sputtering continues to occur, the change occurs in the distance between the target 102 and the semiconductor substrate 104 in the process chamber 100, the target 102 as described above ) And the change of the distance d on the semiconductor substrate 104 have caused the thickness of the thin film deposited on the semiconductor substrate not to be uniform, as described above.

따라서 본 발명에서는 공정 챔버(100)내 스퍼터링 공정의 진행에 따라 타겟(102)이 점차적으로 소모되는 경우 타겟(102)의 소모에 따른 타겟(102)과 반도체 기판(104) 상 거리(d)의 변화를 측정하여 반도체 기판이 장착된 받침대(106)를 하강시켜 상기 거리 변화를 보상하여 준다.Therefore, in the present invention, when the target 102 is gradually consumed as the sputtering process in the process chamber 100 progresses, the distance d between the target 102 and the semiconductor substrate 104 according to the consumption of the target 102 is increased. The change is measured to lower the pedestal 106 on which the semiconductor substrate is mounted to compensate for the distance change.

즉, 상기 받침대(106)에는 상기 받침대(106)를 하강시킬 수 있는 리프트(108)가 연결되어 상기 타겟(102)과 반도체 기판(104) 상 거리(d)가 타겟(102)의 소모에 따라 변화하는 경우에도 상기 타겟(102)과 반도체 기판(104)상 거리(d)가 반도체 기판상 균일한 금속박막 증착을 위한 최적의 거리로 유지될 수 있도록 하는데, 위와 같은 타겟(102)과 반도체 기판(104) 상 최적의 거리 유지는 초기 타겟 장착으로부터 다음 타겟의 교환 직전까지 자동으로 수행되도록 한다.That is, a lift 108 that can lower the pedestal 106 is connected to the pedestal 106 such that the distance d on the target 102 and the semiconductor substrate 104 is reduced according to the consumption of the target 102. Even if it changes, the distance d on the target 102 and the semiconductor substrate 104 can be maintained at an optimal distance for uniform metal thin film deposition on the semiconductor substrate. Optimal distance maintenance on 104 is performed automatically from initial target mounting to just before replacement of the next target.

이어 진공으로 유지되는 챔버(Chamber)(100) 안으로 아르곤 가스(Ar) 등과 같이 타겟의 스퍼터링을 위한 플라즈마 가스를 유입시킨 뒤, 타겟(Target)(102)에 전원을 인가하여 스퍼터링을 수행하게 된다(S204).Subsequently, a plasma gas for sputtering of the target, such as argon gas (Ar), is introduced into the chamber 100 maintained in a vacuum, and then sputtering is performed by applying power to the target 102 ( S204).

이에 따라 타겟(102)으로부터 스퍼터링에 의해 분리된 소스원자와 분자들이 챔버(100)내 애노드(Anode)극에 위치한 반도체 기판(104) 상으로 증착되어 PVD법에 의한 박막 형성이 이루어지게 된다(S206).Accordingly, source atoms and molecules separated by the sputtering from the target 102 are deposited onto the semiconductor substrate 104 located at the anode electrode in the chamber 100 to form a thin film by the PVD method (S206). ).

도 3은 타겟의 소모에 따른 타겟과 반도체 기판 상 거리를 자동으로 보상하는 그래프 예시도로, 상기 타겟(102)에 대한 스퍼터링 진행에 따라 타겟(102)이 점 차적으로 소모되어 타겟(102)과 반도체 기판(104) 상 거리(d)에 변화가 발생할 시 상기 도 3에서 보여지는 바와 같이 타겟(102)의 소모됨에 따른 거리 변화를 보상하여 주게 된다.3 is a graph illustrating automatically compensating the distance between the target and the semiconductor substrate according to the consumption of the target. The target 102 is gradually consumed as the sputtering progresses with respect to the target 102. When a change in the distance d on the substrate 104 occurs, as shown in FIG. 3, the change in distance as the target 102 is consumed is compensated for.

이때 상기 타겟과 반도체 기판상 거리는, 상기 타겟의 소모에 따라 반도체 기판의 공정 챔버내 높이(Y)가, 상기 도 3에서와 같이 점차 낮아지도록 조절하여 반도체 기판상 금속박막이 균일하게 증착될 수 있도록 한다.At this time, the distance between the target and the semiconductor substrate is adjusted so that the height (Y) in the process chamber of the semiconductor substrate is gradually lowered as shown in FIG. 3 according to the consumption of the target so that the metal thin film on the semiconductor substrate can be uniformly deposited. do.

상기한 바와 같이 본 발명에서는 PVD 장치에서 스퍼터링을 이용하여 반도체 기판 상 금속 박막을 증착시키는 공정에서, 반도체 기판 상으로 증착되는 박막의 원재료인 타겟이 PVD 스퍼터링 공정에 의해 점차적으로 소모됨에 따라 공정 챔버내 타겟과 반도체 기판 상 거리에 변화가 생기는 경우, 상기 타겟과 반도체 기판 상 변화에 대응되게 반도체 기판이 놓여지는 받침대를 공정 챔버내 타겟의 방향으로 점차적으로 수직 하강 제어시켜 상기 타겟과 반도체 기판의 거리가 항상 일정하게 유지되도록 함으로써, 반도체 기판 상 증착되는 금속 박막이 최적의 두께로 균일하게 형성되도록 한다. As described above, in the present invention, in the process of depositing a metal thin film on a semiconductor substrate using sputtering in a PVD device, the target, which is a raw material of the thin film deposited on the semiconductor substrate, is gradually consumed by the PVD sputtering process. When a change occurs in the distance between the target and the semiconductor substrate, the distance between the target and the semiconductor substrate is controlled by gradually lowering and vertically controlling the pedestal in which the semiconductor substrate is placed to correspond to the target and the semiconductor substrate. By keeping constant at all times, the metal thin film deposited on the semiconductor substrate is uniformly formed to an optimum thickness.

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한편 상술한 본 발명의 설명에서는 구체적인 실시 예에 관해 설명하였으나, 여러 가지 변형이 본 발명의 범위에서 벗어나지 않고 실시될 수 있다. 따라서 발명의 범위는 설명된 실시 예에 의하여 정할 것이 아니고 특허청구범위에 의해 정하여져야 한다.Meanwhile, in the above description of the present invention, specific embodiments have been described, but various modifications may be made without departing from the scope of the present invention. Therefore, the scope of the invention should be determined by the claims rather than by the described embodiments.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에서는 PVD 장치에서 스퍼터링을 이용하여 반도체 기판 상 금속 박막을 증착시키는 공정에서, 반도체 기판 상으로 증착되는 박막의 원재료인 타겟이 PVD 스퍼터링 공정에 의해 점차적으로 소모됨에 따라 공정 챔버내 타겟과 반도체 기판 상 거리에 변화가 생기는 경우, 상기 타겟과 반도체 기판 상 변화에 대응되게 반도체 기판이 놓여지는 받침대를 공정 챔버내 타겟과 대향되게 점차적으로 수직 하강 제어시켜 상기 타겟과 반도체 기판의 거리가 항상 최적으로 유지되도록 함으로써, 반도체 기판 상 금속박막이 균일하게 증착되도록 하는 이점이 있다.As described above, in the present invention, in the process of depositing a metal thin film on a semiconductor substrate using sputtering in a PVD device, the target, which is a raw material of the thin film deposited on the semiconductor substrate, is gradually consumed by the PVD sputtering process. When a change occurs in the distance between the target and the semiconductor substrate in the chamber, the pedestal on which the semiconductor substrate is placed in response to the change in the target and the semiconductor substrate is gradually vertically controlled to face the target in the process chamber so that the target and the semiconductor substrate By ensuring that the distance is always maintained optimally, there is an advantage that the metal thin film on the semiconductor substrate is uniformly deposited.

Claims

As a metal thin film deposition method on a semiconductor substrate using PVD,

(a) positioning a semiconductor substrate for metal thin film deposition into a PVD process chamber;

(b) introducing a plasma gas for sputtering onto a semiconductor substrate located in the process chamber;

(c) applying power to a target located above the semiconductor substrate to perform sputtering using the plasma gas;

(d) depositing source atoms and molecules separated from the target by the sputtering on the semiconductor substrate to form a metal thin film;

(e) compensating for the distance between the target and the semiconductor substrate by gradually lowering the semiconductor substrate positioned below the target in the process chamber according to the consumption of the target;

Metal thin film deposition method on a semiconductor substrate using a PVD comprising a.

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