KR100798128B1

KR100798128B1 - Method for self-diagnosing of DC-out relay

Info

Publication number: KR100798128B1
Application number: KR1020060054858A
Authority: KR
Inventors: 현병철
Original assignee: 프롬써어티 주식회사
Priority date: 2006-06-19
Filing date: 2006-06-19
Publication date: 2008-01-28
Also published as: KR20070120289A

Abstract

본 발명은 웨이퍼 번인 시스템에 관한 것으로, 보다 구체적으로 웨이퍼 번인 시스템에 사용되는 DC 유닛에서 DC 아웃 릴레이의 동작 상태를 자가 진단하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer burn-in system, and more particularly to a method for self-diagnosing the operating state of the DC out relay in the DC unit used in the wafer burn-in system.

본 발명에 따른 DC 아웃 릴레이의 자가 진단 방법은 메인 테스트 장치에서 DC 아웃 릴레이, DC 펄스 릴레이 및 DC 진단 릴레이의 온/오프 제어를 통해 DC 아웃 릴레이가 정상적으로 동작하는지 손쉽게 자가 진단할 수 있다.The self-diagnostic method of the DC out relay according to the present invention can easily self-diagnose whether the DC out relay operates normally through on / off control of the DC out relay, the DC pulse relay, and the DC diagnostic relay in the main test apparatus.

웨이퍼 번인, DC 유닛, DC 아웃 릴레이, 자가 진단 Wafer Burn-In, DC Units, DC Out Relays, Self Diagnostics

Description

Method for self-diagnosing of DC-out relay

도 1은 종래의 웨이퍼 번인 시스템의 메인 테스트 장치의 구성 회로도를 도시하고 있다.FIG. 1 shows a circuit diagram of a main test apparatus of a conventional wafer burn-in system.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 DC 아웃 릴레이의 자가 진단 방법을 설명하기 위한 회로도를 도시하고 있다.2 is a circuit diagram illustrating a self-diagnosis method of a DC out relay according to an embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 상응하는 DC 아웃 릴레이의 자가 진단 방법을 설명하는 흐름도이다.3 is a flowchart illustrating a self-diagnosis method of a DC out relay corresponding to an embodiment of the present invention.

★도면의 주요 부분에 대한 설명★Description of the main parts of the drawings

10, 10' : DC 유닛 20, 20' : A/D 변환부10, 10 ': DC unit 20, 20': A / D converter

30, 30' : 펄스 구동부 40 : 판단부30, 30 ': pulse driver 40: determination unit

일반적으로 번인(Burn-in) 검사는 반도체 집적회로의 공정이 완료된 후 패키징 상태에서 이루어지는 PBI(Package Burn-in)와 웨이퍼 상태에서 이루어지는 WBI(Wafer Burn-in)으로 나누어진다. 전통적으로 PBI의 방법이 사용되어 왔으나 PBI를 위해서는 긴 시간이 소요되고 집적회로의 입/출력 수가 증가하는 최근의 경향에 따라 번인 보드에 있어서 소켓의 밀도가 감소하여 번인을 위한 비용이 증가하는 문제점이 있어 WBI 방법이 최근 많이 사용되고 있다. 상기 웨이퍼 번인 공정은 반도체 소자를 웨이퍼 상태에서 최종 소비자에게 공급하기 이전에 제품이 사용될 조건보다 더 악화된 고온(약 125℃)의 환경에서 통상의 사용 전압(0.5V)보다 높은 전압을 인가하여 칩의 이상 유뮤를 판별하는 테스트 공정으로서, 주로 반도체 제조 후 공정에서 수행된다. 그리고 이러한 웨이퍼 번인 공정을 수행함으로써 반도체 소자에 대한 신뢰성과 생산성을 조기에 확보할 수 있다.In general, burn-in inspection is divided into package burn-in (PBI) in a packaged state and wafer burn-in (WBI) in a wafer state after processing of a semiconductor integrated circuit is completed. Traditionally, the PBI method has been used, but the PBI has a long time and the recent trend of increasing the number of inputs / outputs of integrated circuits causes the burn-in board to decrease the density of the socket and increase the cost for burn-in. The WBI method has been used a lot lately. The wafer burn-in process is performed by applying a voltage higher than the normal use voltage (0.5V) in an environment of high temperature (about 125 ° C.) that is worse than the conditions under which the product will be used before supplying the semiconductor device to the end consumer in a wafer state. As a test process for determining the abnormal existence of, it is mainly performed in the process after semiconductor manufacturing. In addition, by performing the wafer burn-in process, reliability and productivity of the semiconductor device can be secured at an early stage.

이와 관련하여 종래의 일반적인 웨이퍼 번인 시스템에 대한 전반적인 구성은 컴퓨터, 웨이퍼 로딩 장치, 성능 측정 보드 및 메인 테스트 장치를 포함하여 구성되며, 이러한 각각의 장치는 통상적으로 독립적인 개별 장치로 구성된다. 즉, 웨이퍼 로딩장치, 성능 측정 보드, 메인 테스트 장치는 각각 독립적인 개별 장치로 구성되며, 소정의 접속 방식에 의해 상호 연결되어 웨이퍼 번인 공적을 수행하게 된다. 각 구성수단의 기능에 대해 설명하면 먼저 컴퓨터는 통상의 개인용 컴퓨터나 워크스테이션으로 구성되어 사용자의 조작에 의해 웨이퍼 번인 공정에 대한 실행 조건 및 명령을 입력하여 후술하는 메인 테스트 장치에 제공함으로써 웨이퍼 번인 공정을 실행 제어하며, 그에 따른 공정의 진행 상태를 감시하기 위한 수단이다. 웨이퍼 로딩 장치는 테스트를 진행할 웨이퍼를 후술하는 성능측정 보드로 이송하여 로딩 및 정렬하는 기능과 테스트가 완료된 웨이퍼를 언로딩하는 기능을 수행한다. 성능 측정 보드는 웨이퍼 로딩장치에 의해 로딩된 웨이퍼를 테스트하는 수단으로써, 번인 테스트를 수행하기 위해 필요한 다수의 측정 디바이스와 웨이퍼를 접속시키기 위한 다수의 핀 그리고 테스트 진행 상태를 표시하기 위한 표시수단 등을 포함하여 구성되며, 후술하는 메인 테스트 장치로부터 제공되는 제어신호에 의거하여 번인 공정에 따른 소정의 전압과 각종 테스트 신호 등을 다수의 핀을 통해 웨이퍼에 제공한다. 그리고 이에 대항하여 웨이퍼로부터 출력되는 신호를 메인 테스트 장치로 전송한다.In this regard, the overall configuration of a conventional wafer burn-in system in the prior art includes a computer, a wafer loading device, a performance measurement board, and a main test device, each of which is typically composed of independent individual devices. That is, the wafer loading apparatus, the performance measurement board, and the main test apparatus are each composed of independent individual apparatuses, and are interconnected by a predetermined connection method to perform wafer burn-in achievements. The function of each constituent means will be described. First, the computer is composed of a general personal computer or a workstation, and the wafer burn-in process is performed by inputting execution conditions and instructions for the wafer burn-in process by a user's operation to the main test apparatus described later. It is a means for controlling the execution and monitoring the progress of the process accordingly. The wafer loading apparatus transfers and loads and aligns the wafer to be tested to a performance measurement board, which will be described later, and unloads the tested wafer. The performance measuring board is a means for testing a wafer loaded by a wafer loading apparatus, and includes a plurality of measuring devices necessary for performing burn-in test, a plurality of pins for connecting the wafer, and a display means for displaying the test progress. And a predetermined voltage and various test signals according to the burn-in process are provided to the wafer through a plurality of pins based on a control signal provided from a main test apparatus described later. In response thereto, a signal output from the wafer is transmitted to the main test apparatus.

메인 테스트 장치는 상술한 컴퓨터를 통해 입력되는 실행 명령에 의거하여 웨이퍼 번인 공정에 따른 전반적인 테스트 과정을 수행 및 제어하는 메인 구성 수단으로서, 상술한 성능 측정 보드와 연결되어 테스트를 수행하기 위한 소정의 전압 및 각종 테스트 신호를 발생하여 성능측정 보드로 제공한다. 그리고 다시 성능측정 보드로부터 제공되는 출력 신호를 조합하여 그에 상응하는 테스트 결과 신호를 경보 발생 장치로 제공하거나 자체 모니터 또는 컴퓨터로 전송한다. 따라서 메인 테스트 장치는 웨이퍼 번인 테스트를 실행하기 위한 각종 구성수단을 포함하여 구성되는데, 예를 들면 복수개의 타이밍 클록 발생 수단과 테스트 파형 발생 수단 및 실행을 위한 제어 명령을 저장하는 메모리 수단, 파형 모니터링 수단, 구동 드라이버 및 DC 파라미터 측정 수단 및 이러한 각각의 구성 수단의 동작 및 검출 신호 분석을 위한 CPU와 전반적인 공정 상태를 디스플레이하기 위한 디스플레이 수단을 포 함하여 구성된다.The main test apparatus is a main constituent means for performing and controlling the overall test process according to the wafer burn-in process based on the execution command inputted through the above-described computer. The main test apparatus is connected to the above-described performance measurement board and has a predetermined voltage for performing the test. And various test signals are generated and provided to the performance measurement board. The output signal from the performance measurement board is then combined to provide a corresponding test result signal to the alarm generator or transmitted to its own monitor or computer. Therefore, the main test apparatus includes various configuration means for executing a wafer burn-in test, for example, a plurality of timing clock generation means, a test waveform generation means and memory means for storing control commands for execution, and waveform monitoring means. Drive means and DC parameter measuring means, and a CPU for displaying the operation and detection signals of each of these constituent means and a display means for displaying the overall process status.

종래의 일반적인 웨이퍼 번인 시스템의 메인 테스트 장치에 장착되는 각각의 유닛 중에는 웨이퍼 상의 각 반도체 소자에 대한 DC 파라미터를 측정하기 위한 DC 유닛이 포함되어 있다. DC 유닛은 테스트 모드에 따라 웨이퍼 상의 각 반도체 소자에 대한 DC 파라미터를 측정하게 되는데 DC 유닛의 테스트 모드로는 각 반도체 소자에 소정의 전압을 가하고 이에 대응하여 각 반도체 소자에 흐르는 전류를 측정하는 VSIM 모드와 각 반도체 소자에 소정의 건류를 가하고 이에 대응하여 각 반도체 소자에 흐르는 전압을 측정하는 ISVM 모드 및 실제 각 반도체 소자에 인가되는 전압을 측정하는 VM 모드가 있다. 그리고 통상적으로 DC 유닛은 메인테스트 장치 내의 PD 유닛(Pulse Driver)과 연동되어 웨이퍼 상의 각 반도체 소자에 대한 DC 파라미터를 측정하게 된다.Each unit mounted to the main test apparatus of the conventional general wafer burn-in system includes a DC unit for measuring the DC parameters for each semiconductor element on the wafer. The DC unit measures the DC parameters of each semiconductor device on the wafer according to the test mode. In the test mode of the DC unit, the VSIM mode applies a predetermined voltage to each semiconductor device and measures the current flowing through each semiconductor device accordingly. And an ISVM mode for applying predetermined dry gas to each semiconductor device and correspondingly measuring a voltage flowing through each semiconductor device, and a VM mode for measuring a voltage applied to each semiconductor device. In general, the DC unit is interlocked with a PD unit (Pulse Driver) in the main test device to measure the DC parameters for each semiconductor device on the wafer.

도 1을 참고로, 메인 테스트 장치는 DUT의 DC 파라미터를 측정하기 위한 DC 유닛(10), 원하는 모양의 파형을 출력하는 PD 유닛(20) 및 A/D 변환부(30)를 포함하고 있다. DC 유닛(10)은 DC 아웃 릴레이(S1, S2)를 통해 PD 유닛(20)과 접속되어 있다. 한편, DC 유닛(10)은 DC 아웃 릴레이(S1, S2) 앞에서 DC 아웃 릴레이(S1, S2)와 병렬로 연결되어 있는 DC 진단 릴레이(S3, S4)를 통해 A/D 변환부(30)와 접속되어 있다. Referring to FIG. 1, the main test apparatus includes a DC unit 10 for measuring DC parameters of a DUT, a PD unit 20 for outputting a waveform of a desired shape, and an A / D converter 30. The DC unit 10 is connected to the PD unit 20 through the DC out relays S1 and S2. Meanwhile, the DC unit 10 is connected to the A / D converter 30 through the DC diagnostic relays S3 and S4 connected in parallel with the DC out relays S1 and S2 in front of the DC out relays S1 and S2. Connected.

상기에서 설명한 종래의 메인 테스트 장치에서 DC 유닛(10)의 자가 진단시 급전 라인(forcing line:F)을 통해 입력된 기준 신호는 릴레이(S4, S6, S5, S3)를 차례로 흘러 센싱 라인(Sensing Line:S) 상의 OP 앰프(OP2)와 OP 앰프(OP1)을 통과한 후 저항(R1)에서 발생하는 전위차를 이용하여 DC 유닛(10)의 동작 상태를 자가 진단한다. 그러나 DC 유닛(10)의 자가 진단시, DC 아웃 릴레이(S1, S2) 앞에 DC 진단 릴레이(S3, S4)가 위치하고 있어 DC 아웃 릴레이(S1, S2)가 정상적으로 작동하는지에 대해서는 독립적으로 자가 진단이 불가능하였다.In the above-described main main test apparatus, the reference signal input through the forcing line F during the self-diagnosis of the DC unit 10 flows through the relays S4, S6, S5, and S3 in order to sense the sensing line. After passing through the OP amplifier OP2 and the OP amplifier OP1 on the line S, the operating state of the DC unit 10 is self-diagnosed using the potential difference generated in the resistor R1. However, during the self-diagnosis of the DC unit 10, the DC diagnostic relays S3 and S4 are located in front of the DC out relays S1 and S2, and the self-diagnosis is independently checked whether the DC out relays S1 and S2 operate normally. It was impossible.

따라서 본 발명이 이루고자 하는 목적은 DC 유닛(10)의 DC 아웃 릴레이(S1, S2)의 동작 상태를 자가 진단할 수 있는 방법을 제공하는 것이다. Accordingly, an object of the present invention is to provide a method capable of self-diagnosing the operating states of the DC out relays S1 and S2 of the DC unit 10.

DC 아웃 릴레이와 DC 진단 릴레이를 구비하고 있으며 DUT(Device Under Test)의 DC 파라미터를 측정하는 DC 유닛, 상기 DC 아웃 릴레이에 연결된 DC 펄스 릴레이를 구비하고 있으며 테스트 펄스를 출력하는 PD 유닛 및 자가 진단시 DC 유닛의 아날로그 출력값을 입력받아 디지털 값으로 변환하는 A/D 변환부를 포함하는 웨이퍼 번인 시스템의 메인 테스트 장치에서 본 발명의 목적을 달성하기 위한 DC 아웃 릴레이의 동작 상태를 자가 진단하는 방법은 DC 유닛으로 DC 아웃 릴레이의 동작 상태를 진단하기 위한 기준 신호가 입력되는 단계, 기준 신호가 입력되는 경우 DC 아웃 릴레이와 DC 펄스 릴레이를 온 제어하고 DC 진단 릴레이를 오프 제어하는 단계, PD 유닛의 임피던스에 따라 DC 유닛에 흐르는 전류의 크기를 측정하는 단계 및 측정한 전류의 신호의 크기에 따라 DC 아웃 릴레이의 온/오프 동작 상태를 판단하는 단계를 포함한다.It is equipped with a DC out relay and a DC diagnostic relay, and has a DC unit for measuring DC parameters of the DUT (Device Under Test), a PD unit having a DC pulse relay connected to the DC out relay and outputting a test pulse, and for self-diagnosis. In the main test apparatus of the wafer burn-in system including an A / D converter which receives an analog output value of the DC unit and converts it into a digital value, a method of self-diagnosing the operating state of the DC out relay for achieving the object of the present invention is a DC unit. Inputting a reference signal for diagnosing the operation state of the DC out relay, turning on and controlling the DC out relay and the DC pulse relay when the reference signal is input, and controlling the DC diagnostic relay off, according to the impedance of the PD unit. Measuring the magnitude of the current flowing through the DC unit and the DC voltage according to the magnitude of the signal of the measured current And a step of determining the relay on / off state.

이하 첨부된 도면을 참고로 본 발명에 따른 DC 아웃 릴레이의 자가 진단 방 법을 보다 구체적으로 설명한다. Hereinafter, a self-diagnosis method of the DC out relay according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2를 참고로, OP 앰프(OP1)의 출력단에 저항(R1)이 연결되어 있으며 저항(R1)은 급전 라인(F) 상에서 DC 아웃 릴레이(S2) 및 DC 펄스 릴레이(S8)와 순차적으로 연결되어 있다. PD 유닛(20')에는 저항(R8)과 OP 앰프(OP4)가 서로 직렬로 연결되어 있으며 저항(R8)은 급전 라인(F) 및 센싱 라인(S)과 병렬로 연결되어 있다. 센싱 라인(S) 상에 DC 펄스 릴레이(S7)과 DC 아웃 릴레이(S1)가 순차적으로 직렬로 연결되어 OP 앰프(OP2)의 입력단에 연결되어 있다. OP 앰프(OP2)의 출력단은 OP 앰프(OP1)의 입력단으로 다시 연결된다.Referring to FIG. 2, a resistor R1 is connected to an output terminal of the OP amplifier OP1, and the resistor R1 is sequentially connected to the DC out relay S2 and the DC pulse relay S8 on the feed line F. It is. The resistor R8 and the OP amplifier OP4 are connected to each other in series with the PD unit 20 ', and the resistor R8 is connected in parallel with the power supply line F and the sensing line S. The DC pulse relay S7 and the DC out relay S1 are sequentially connected to the sensing line S and connected to the input terminal of the OP amplifier OP2. The output terminal of the OP amplifier OP2 is connected back to the input terminal of the OP amplifier OP1.

본 발명에 따른 DC 아웃 릴레이(S1, S2)의 자가 진단시, 급전 라인(F)과 센싱 라인(S) 상의 DC 아웃 릴레이(S1, S2)와 DC 펄스 릴레이(S7, S8) 및 PD 유닛(20')의 펄스 릴레이(S9)는 온(on)되어 있으며, DC 진단 릴레이(S3, S4)는 오프(off)되어 있다.In the self-diagnosis of the DC out relays S1 and S2 according to the present invention, the DC out relays S1 and S2 on the power supply line F and the sensing line S, the DC pulse relays S7 and S8 and the PD unit ( The pulse relay S9 of 20 'is turned on, and the DC diagnostic relays S3 and S4 are turned off.

OP 앰프(OP1)의 입력단으로 기준 전압 신호가 인가되면, OP 앰프(OP1), 저항(R1), DC 아웃 릴레이(S2), DC 펄스 릴레이(S8), 저항(R8), 펄스 릴레이(S9) 및 OP 앰프(OP4)의 임피던스 크기와 기준 전압 신호의 크기에 따라 상응하는 크기의 전류 신호가 OP 앰프(OP1), 저항(R1), DC 아웃 릴레이(S2), DC 펄스 릴레이(S8), 저항(R8), 펄스 릴레이(S9) 및 OP 앰프(OP4)에 각각 흐른다. 센싱 라인(S) 상의 DC 펄스 릴레이(S7)와 DC 아웃 릴레이(S1)에 흐르는 전류 신호는 OP 앰프(OP2)의 입력단으로 입력된다. OP 앰프(OP2)에 피드백을 걸어 OP 앰프(OP2)의 출력 신호는 OP 앰프(OP1)의 입력단으로 입력된다.When the reference voltage signal is applied to the input terminal of the OP amplifier OP1, the OP amplifier OP1, the resistor R1, the DC out relay S2, the DC pulse relay S8, the resistor R8, and the pulse relay S9. And a current signal of a corresponding magnitude according to the impedance magnitude of the OP amplifier OP4 and the magnitude of the reference voltage signal is the OP amplifier OP1, the resistor R1, the DC out relay S2, the DC pulse relay S8, and the resistor. (R8), pulse relay S9 and OP amplifier OP4 respectively. The current signals flowing through the DC pulse relay S7 and the DC out relay S1 on the sensing line S are input to the input terminal of the OP amplifier OP2. The feedback signal is supplied to the OP amplifier OP2, and the output signal of the OP amplifier OP2 is input to the input terminal of the OP amplifier OP1.

OP 앰프(OP1)에서 출력된 전류 신호가 저항(R1)을 흐르는 경우, 저항(R1)을 흐르는 전류의 크기와 저항(R1)의 크기에 따라 저항(R1)의 양단에서 전위차가 발생한다. 저항(R1)에서 발생한 전위차는 OP 앰프(OP3)의 게인(gain)만큼 증폭되어 출력된다. OP 앰프(OP3)의 게인은 저항(R3)과 저항(R5)의 비에 의해 발생한 전압 이득이다.When the current signal output from the OP amplifier OP1 flows through the resistor R1, a potential difference occurs between both ends of the resistor R1 according to the magnitude of the current flowing through the resistor R1 and the magnitude of the resistor R1. The potential difference generated in the resistor R1 is amplified by the gain of the OP amplifier OP3 and output. The gain of the OP amplifier OP3 is the voltage gain generated by the ratio of the resistor R3 and the resistor R5.

OP 앰프(OP3)에서 아날로그 값으로 출력되는 전위차는 A/D 변환부(30')에서 디지털 값으로 변환되어 판단부(40)로 입력된다. 판단부(40)는 디지털 값으로 변환된 전위차를 상응하는 전류 크기로 변환하고 변환한 전류 크기에 기초하여 DC 아웃 릴레이(S1, S2)가 정상적으로 동작하는지 자가 진단한다.The potential difference output from the OP amplifier OP3 as an analog value is converted into a digital value by the A / D converter 30 'and input to the determination unit 40. The determination unit 40 converts the potential difference converted into a digital value into a corresponding current magnitude and self-diagnoses whether the DC out relays S1 and S2 operate normally based on the converted current magnitude.

도 3을 참고로, DC 유닛(10')으로 DC 아웃 릴레이(S1, S2)의 동작 상태를 자가 진단하기 위한 기준 신호가 입력된다(단계 1). 바람직하게, 상기 기준 신호는 일정한 크기의 DC 전압 신호인 것을 특징으로 한다.
급전 라인(F)과 센싱 라인(S) 상의 DC 아웃 릴레이(S1, S2)와 DC 펄스 릴레이(S7, S8) 및 PD 유닛(20')의 펄스 릴레이(S9)는 온(on) 제어되며 DC 진단 릴레이(S3, S4)는 오프(off) 제어된다(단계 3). DC 아웃 릴레이(S1, S2)와 DC 펄스 릴레이(S7, S8) 및 PD 유닛(20')의 펄스 릴레이(S9)를 온(on) 제어하고 DC 진단 릴레이(S3, S4)를 오프(off) 제어하는 경우 입력된 기준 전압 신호에 의해, PD 유닛(20')의 임피던스에 상응하는 크기의 전류가 DC 유닛(10')의 OP 앰프(OP1) 입력단으로 입력된다. Referring to FIG. 3, a reference signal for self-diagnosing the operating states of the DC out relays S1 and S2 is input to the DC unit 10 ′ (step 1). Preferably, the reference signal is a DC voltage signal of a constant magnitude.
The DC out relays S1 and S2 and the DC pulse relays S7 and S8 on the feed line F and the sensing line S and the pulse relay S9 of the PD unit 20 'are on controlled and DC The diagnostic relays S3 and S4 are controlled off (step 3). The DC out relays S1 and S2, the DC pulse relays S7 and S8, and the pulse relay S9 of the PD unit 20 'are turned on and the DC diagnostic relays S3 and S4 are turned off. In the case of control, a current having a magnitude corresponding to the impedance of the PD unit 20 'is input to the OP amplifier OP1 input terminal of the DC unit 10' by the input reference voltage signal.

DC 유닛(10')의 OP 앰프(OP1)에서 출력된 전류 신호에 의해 저항(R1)에서 발생하는 전위차를 측정한다(단계 5). OP 앰프(OP1)에서 출력된 전류 신호는 저항(R1)으로 흐르며, 저항(R1)의 양단에서는 출력된 전류 신호의 크기와 저항(R1)의 크기에 따라 전위차가 발생한다. 측정된 저항(R1) 양단의 전위차는 아날로그 값이며 측정한 전위차를 디지털 값으로 변환한다(단계 7).The potential difference generated in the resistor R1 is measured by the current signal output from the OP amplifier OP1 of the DC unit 10 '(step 5). The current signal output from the OP amplifier OP1 flows to the resistor R1, and a potential difference occurs at both ends of the resistor R1 depending on the magnitude of the output current signal and the magnitude of the resistor R1. The potential difference across the measured resistance R1 is an analog value and the measured potential difference is converted into a digital value (step 7).

상기 디지털 값으로 변환한 전위차에 기초하여 DC 아웃 릴레이(S1, S2)가 정상적으로 작동하는지 판단한다(단계 9). 바람직하게, 상기 측정한 전위차의 크기는 상응하는 전류 크기로 매핑되며, 매핑된 전류 크기에 기초하여 DC 아웃 릴레이(S1, S2)가 정상적으로 작동하는지 판단한다. 상기 측정한 전위차가 소정 임계값 범위에 존재하는 경우 DC 아웃 릴레이(S1, S2)가 정상적으로 작동하는 것으로 판단한다.On the basis of the potential difference converted into the digital value, it is determined whether the DC out relays S1 and S2 operate normally (step 9). Preferably, the magnitude of the measured potential difference is mapped to a corresponding current magnitude, and it is determined whether the DC out relays S1 and S2 operate normally based on the mapped current magnitude. If the measured potential difference exists within a predetermined threshold range, it is determined that the DC out relays S1 and S2 operate normally.

Claims

It is equipped with a DC out relay and a DC diagnostic relay, and has a DC unit for measuring DC parameters of the DUT (Device Under Test), a PD unit having a DC pulse relay connected to the DC out relay and outputting a test pulse, and for self-diagnosis. In the method of self-diagnosing the operation state of the DC out relay in the main test device of the wafer burn-in system including an A / D converter for receiving an analog output value of the DC unit and converting it into a digital value,

(a) inputting a reference signal for diagnosing an operating state of a DC out relay to the DC unit;

(b) when the reference signal is input, controlling the DC out relay and the DC pulse relay on and controlling the DC diagnostic relay off;

(c) measuring a magnitude of current flowing through the DC unit according to the impedance of the PD unit; And

(d) determining the on / off operation state of the DC out relay according to the magnitude of the signal of the measured current.

The method of claim 1, wherein the magnitude of the current flowing in the DC unit is

Self-diagnosis method of the DC out relay measured by the potential difference generated in the internal resistance of the DC unit.

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