KR100796600B1 - 박막트랜지스터의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 박막트랜지스터의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 비정질 실리콘에 조사되는 레이저빔을 균일하게 하여, 상기 비정질 실리콘이 균일한 결정립을 가지는 다결정 실리콘으로 결정화할 수 있도록 하는 박막트랜지스터의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은 기판을 제공하고, 상기 기판 상에 비정질 실리콘을 형성하고, 상기 비정질 실리콘을 서로 상이한 투과율을 가지는 다수의 영역을 포함하는 마스크를 사용하는 레이저 결정화법으로 결정화하는 것을 포함하는 박막트랜지스터의 제조 방법에 관한 것이다.
마스크, 레이저빔 내의 에너지 불균일
Description
도 1은 두께에 따른 투과율 변화를 설명하기 위한 모식도이다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 실시 예에 따른 박막트랜지스터의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 3은 두께에 따른 투과율 변화를 나타내는 그래프이다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 실시 예에 따른 마스크의 단면도이다.
<도면부호에 대한 간단한 설명>
100 : 기판 110 : 버퍼층
120 : 비정질 실리콘 130 : 다결정 실리콘
200 : 마스크
본 발명은 박막트랜지스터의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 비정질 실리콘에 조사되는 레이저빔을 균일하게 하여, 상기 비정질 실리콘이 균일한 결정립을 가지는 다결정 실리콘으로 결정화할 수 있도록 하는 박막트랜지스터의 제조 방법에 관한 것이다.
평판표시장치(Flat Panel Display Device)는 경량 및 박형 등의 특성으로 인해, 음극선관 표시장치(Cathode-ray Tube Display Device)를 대체하는 표시장치로서 사용되고 있다. 이러한 평판표시장치의 대표적인 예로서 액정표시장치(Liquid Crystal Display Device; LCD)와 유기전계발광표시장치(Organic Light Emitting Diode; OLED)가 있다. 이 중, 유기전계발광표시장치는 액정표시장치에 비하여 휘도 특성 및 시야각 특성이 우수하고 백라이트(Back Light)를 필요로 하지 않아 초박형으로 구현할 수 있는 장점이 있다.
이와 같은 유기전계발광표시장치는 유기박막에 음극(Cathode)과 양극(Anode)을 통하여 주입된 전자(Electron)와 정공(Hole)이 재결합하여 여기자를 형성하고, 형성된 여기자로부터의 에너지에 의해 특정한 파장의 빛이 발생되는 현상을 이용한 표시장치이다.
상기 유기전계발광표시장치는 구동 방법에 따라 수동 구동(Passive matrix) 방식과 능동 구동(Active matrix) 방식으로 나뉘는데, 능동 구동 방식은 박막트랜지스터(Thin Film Transistor; TFT)를 사용하는 회로를 가진다. 상기 수동 구동 방식은 그 표시 영역이 양극과 음극에 의하여 단순히 매트릭스 형태의 소자로 구성되어 있어 제조가 용이하다는 장점이 있다. 그러나, 해상도, 구동 전압의 상승, 재료 수명의 저하 등의 문제로 인하여 저해상도 및 소형 디스플레이의 응용분야로 제한된다. 상기 능동 구동 방식은 표시 영역이 각 화소마다 박막트랜지스터를 장착함으로써, 각 화소마다 일정한 전류를 공급함에 따라 안정적인 휘도를 나타낼 수 있다. 또한 전력소모가 적어, 고해상도 및 대형디스플레이를 구현할 수 있는 중요한 역할 을 한다.
상기 박막트랜지스터는 일반적으로 소오스 영역, 드레인 영역 및 채널 영역을 포함하는 반도체층, 게이트 전극, 소오스 전극 및 드레인 전극을 포함한다. 상기 반도체층은 다결정 실리콘(Polycrystalline silicon; Poly-Si) 또는 비정질 실리콘(Amorphous silicon; A-si)으로 형성할 수 있으나, 상기 다결정 실리콘의 전자이동도가 비정질 실리콘의 그것보다 높아 현재는 다결정 실리콘을 주로 적용하고 있다.
상기 다결정 실리콘으로 이루어진 반도체층을 형성하는 것은 기판 상에 비정질 실리콘층을 형성하고 이를 결정화함으로써 수행되는데, 상기 결정화 방법 중에는 레이저를 이용한 결정화법이 있다. 이러한 레이저를 이용한 결정화법은 30 내지 200ns의 짧은 시간에 레이저빔을 온(on)시켜 비정질 실리콘을 ??간적으로 용융시키고, 상기 용융된 실리콘이 냉각되면서 결정화되는 방법이다. 이러한 레이저를 이용한 결정화법은 기판에 미치는 열적 영향이 비교적 적고, 우수한 결정성을 갖는 반도체층을 형성할 수 있는 장점이 있다.
상기 레이저를 이용한 결정화법은 일반적으로 엑시머 레이저 어닐링(Excimer Lase Annealing; 이하 ELA) 결정화법과 순차측면고상(Sequential Lateral Solidification; 이하 SLS) 결정화법 등이 있는데, 이중 SLS 결정화법은 통상적으로 비정질 실리콘층에 레이저빔을 2회 이상 중첩 조사하여 결정립 실리콘을 측면 성장시킴으로써 결정화하는 방법이다. 이를 이용하여 제조한 다결정 실리콘 결정립은 한 방향으로 길쭉한 원주형 모양을 가지는 것을 특징으로 한다.
그러나 상기 레이저를 이용한 결정화법은 상기 비정질 실리콘에 조사되는 레이저빔 내의 에너지 분포가 불균일하여 상기 비정질 실리콘의 결정화에 의해 형성되는 다결정 실리콘의 분포가 불균일하게 되고, 이로 인하여 박막트랜지스터의 특성 산포가 증가하는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 비정질 실리콘에 조사되는 레이저빔 내의 에너지 분포를 균일하게 하여 균일한 다결정 실리콘을 형성하는 박막트랜지스터의 제조 방법을 제공함에 본 발명의 목적이 있다.
본 발명의 상기 목적은 기판을 제공하고, 상기 기판 상에 비정질 실리콘을 형성하고, 상기 비정질 실리콘을 서로 상이한 투과율을 가지는 다수의 영역을 포함하는 마스크를 사용하는 레이저 결정화법으로 결정화하는 것을 포함하는 박막트랜지스터의 제조 방법에 의해 달성된다.
상기 마스크는 투과 영역 및 비투과 영역을 포함하며, 상기 투과 영역은 서로 상이한 투과율을 가지는 다수의 영역을 포함하도록 할 수 있다.
본 발명의 상기 목적과 기술적 구성 및 그에 따른 작용 효과에 관한 자세한 사항은 본 발명의 바람직한 실시 예를 도시하고 있는 도면을 참조한 이하 상세한 설명에 의해 보다 명확하게 이해될 것이다. 또한 도면들에 있어서, 층 및 영역의 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있으며, 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
본 발명에 따른 박막트랜지스터의 제조 방법은 비정질 실리콘에 조사되는 레이저빔이 서로 상이한 투과율을 가지는 다수의 영역을 포함하는 마스크를 투과하도록 하여, 상기 비정질 실리콘에 조사되는 레이저빔 내의 에너지 분포를 균일하게 한다.
상기 마스크 내의 각 영역들의 투과율을 제어하기 위해서 상기 마스크의 각 영역들을 서로 상이한 투과율을 가지는 물질로 코팅하거나, 상기 마스크의 각 영역별로 서로 상이한 두께를 가지도록 형성할 수 있으며, 상기 두 가지 방법을 혼용할 수도 있다.
도 1은 두께에 따른 투과율 제어를 설명하기 위한 모식도이다.
도 1을 참조하면, 굴절율 n0인 제 1 물질 사이에 굴절율 n1이고 두께가 d인 제 2 물질이 형성되어 있으며, 파장이 λ이고, 강도가 Iin인 입사파가 상기 제 2 물질의 표면에 입사각 φ0로 들어갈 때 반사되는 반사파의 강도를 Iout이라 하면, 상기 제 2 물질에 의한 반사율 R은 아래의 수식 (1)에 의해 얻을 수 있다.
R = Rs 2 + Rp 2 --- (1)
(여기서, Rs는 입사 평면에 수직 방향으로 반사되는 반사율, Rp는 입사 평면에 수평 방향으로 반사되는 반사율)
상기 수식 (1)에서 Rs 및 Rp는 아래의 수식 (2)에 의해 얻을 수 있다.
Rj = Iout/Iin = (r1j + r0je-2iδ)/(1+r1jr0je-2iδ) --- (2)
(여기서, δ = (2π/λ) * n1dcos(φ1), ri는 i 물질 표면에서의 프레넬 상수(Fresnel coefficient), i = 1 or 2)
상기 프레넬 상수 ri는 입사 평면에서 수평 및 수직 극성을 가진 파의 성분이고, 이는 다음과 같이 나타난다.
rip = (ni-1cosφi - nicosφi-1)/(ni-1cosφi + nicosφi-1)
ris = (ni-1cosφi-1 - nicosφi)/(ni-1cosφi-1 + nicosφi)
그러므로, 상기 반사율 R은 하기와 같이 표현된다.
투과율 T = 1- R 이고, 상기 수식에 의해 반사율 R은 물질 표면에 입사하는 입사파의 입사각, 파장 및 물질의 두께에 따라 변하므로, 상기 제 2 물질의 투과율은 입사되는 입사파의 입사각, 파장 및 상기 제 2 물질의 두께로 제어할 수 있다는 것을 알 수 있다.
통상적으로 레이저를 이용한 결정화법에서 균일한 결정립을 얻기 위하여 비정질 실리콘에 조사되는 레이저빔의 입사각 및 파장은 고정되므로, 상기 레이저빔이 투과하는 마스크의 두께를 제어하는 것에 의하여 상기 마스크의 투과율을 제어 할 수 있다.
따라서, 본 발명은 상기와 같이 마스크의 각 영역이 서로 상이한 두께를 가지도록 하거나, 상기 각 영역별로 서로 상이한 투과율을 가지는 물질로 코팅되도록 하여 상기 마스크의 투과율 분포를 제어하여 비정질 실리콘에 조사되는 레이저빔 내의 에너지 분포를 균일하게 한다.
(실시 예)
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 실시 예에 따른 박막트랜지스터의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 2a를 참조하면, 유리나 합성 수지, 스테인레스 스틸 등의 재질로 형성하는 기판(100) 상에 버퍼층(110)을 형성하고, 상기 버퍼층(110) 상에 비정질 실리콘(120)층을 형성한다. 상기 버퍼층(110)은 SiO2, SiNx 또는 이들의 적층으로 형성할 수 있으며, 도시된 바와 달리 형성하지 않을 수도 있으나, 후속 공정인 상기 비정질 실리콘(120)의 결정화 공정에서 상기 기판 상의 불순물이 확산되는 것을 방지하기 위하여, 상기 버퍼층(110)을 형성하는 것이 바람직하다.
다음으로, SLS 등의 레이저 결정화법으로 상기 비정질 실리콘(120)을 다결정 실리콘(130)으로 결정화한다. 여기서 상기 레이저 결정화법에 사용되는 마스크(200)는 도 2b에 도시된 바와 같이, 투과 영역(A) 및 비투과 영역(B)을 포함하며, 상기 투과 영역(A)은 서로 상이한 투과율을 가지는 다수의 영역(미도시)을 포함한다.
상기 다수의 영역은 상기 투과 영역(A)을 투과하는 레이저빔 내의 에너지 분포에 따라 상기 투과 영역(A)을 분할한 영역으로, 상기 레이저빔 내에서 상이한 에너지 밀도를 가지는 영역의 수와 동일 수를 가지는 것이 바람직하다. 즉, 상기 레이저빔 내에서 서로 상이한 에너지 밀도를 가지는 영역이 n개 있다면, 상기 투과 영역(A)을 n개의 영역으로 분할하고, 상기 투과 영역(A)의 각 영역을 투과하는 상기 레이저빔 내의 에너지 밀도에 따라 서로 상이한 투과율을 가지도록 한다.
상기 다수의 영역으로 분할되는 투과 영역(A) 내의 투과율 분포는 상기 투과 영역(A)을 투과하는 레이저빔 내의 에너지 분포에 상응하도록 형성할 수 있다. 일 예로, 상기 레이저빔이 라인 형태이며, 상기 레이저빔이 조사되는 방향에 수직 방향으로 중심부에서 가장자리부로 갈수록 에너지가 감소하는 에너지 분포를 가진다면, 상기 투과 영역(A) 내의 투과율 분포는 상기 레이저빔이 조사되는 방향에 수직인 방향으로 중심부에서 가장자리부로 갈수록 투과율이 증가하는 투과율 분포를 가지도록 형성하여, 상기 투과 영역(A)을 투과한 레이저빔 내의 에너지 분포가 균일하도록 한다.
상기 마스크(200)의 투과 영역(A)을 분할하는 각 영역들의 투과율은 상기 각 영역들의 두께를 서로 상이하게 하는 것에 의해 제어할 수 있다.
도 3은 마스크의 투과 영역에 굴절율 3.77 + 4.8i인 크롬을 형성하고, 상기 크롬 상에 굴절율 1.6인 포토레지스터 물질을 서로 상이한 두께로 형성한 경우, 상기 마스크에 동일 입사각으로 조사되는 레이저빔의 두께에 따른 반사율을 나타낸 그래프이다.
도 3을 참조하면, 포토레지스터 물질의 두께가 증가하거나 또는 감소함에 따라 상기 투과 영역에 조사되는 레이저빔의 반사율은 상기 레이저빔의 파장에 무관하게 일정 패턴을 가진다는 것을 알 수 있으므로, 상기 마스크의 투과 영역을 분할하는 각 영역의 두께를 제어하는 것에 의하여 상기 투과 영역을 투과하는 레이저빔의 투과율을 제어할 수 있다.
또한, 상기 투과 영역의 두께가 계속적으로 증가하거나, 감소하는 것에 의해 상기 투과 영역에 조사되는 레이저빔의 반사율이 일정 패턴을 가지므로, 상기 투과 영역을 분할하는 각 영역들의 두께가 일정 패턴을 가지게 하여 상기 레이저빔 내의 에너지 분포를 제어할 수도 있다.
도 4a 및 4b는 본 발명의 실시 예에 따른 박막트랜지스터 제조에 사용되는 서로 상이한 두께를 가지는 다수의 영역을 포함하는 마스크의 예를 나타낸 것이다.
도 4a 및 4b에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 박막트랜지스터의 제조에 사용되는 상기 마스크(200)는 유리 기판(210) 상의 투과 영역(A)을 제외한 비투과 영역(B) 상은 금속 등의 하나 또는 다수의 비투과성 물질(220)을 코팅하고, 상기 투과 영역(A)은 하나 또는 다수의 투과성 물질(230)로 코팅하여 형성할 수 있다. 이와는 달리, 상기 마스크(200)는 상기 투과 영역(A)을 코팅하지 않고, 상기 비투과 영역(B)을 코팅하는 것으로 형성할 수도 있다.
상기 마스크(200)의 투과 영역(A)은 상기 투과 영역(A)을 투과하는 레이저빔 내의 에너지 분포에 상응하는 두께 분포를 가진다. 보다 자세하게는 상기 레이저빔의 에너지가 높은 영역에는 두께를 두껍게 하고 상기 레이저빔의 에너지가 낮은 영 역에는 두께를 얇게 하여, 상기 투과 영역(A)을 투과한 레이저빔 내의 에너지 분포를 균일하도록 한다.
이와는 달리, 상기 도 3에 나타난 바와 같이, 상기 두께에 따른 레이저빔의 반사율은 일정 패턴을 가지므로, 상기 투과 영역(A) 내의 양 가장자리에서 동일 투과율을 가지지만 두께가 상이하게, 예를 들면 일측 가장자리는 1900nm의 두께를 가지고, 타측 가장자리는 1700nm의 두께를 가지도록 형성하고, 상기 일측 가장자리에서 타측 가장자리로 갈수록 두께가 감소하도록 형성할 수 있으며, 상기 두께는 일정 비율로 감소하도록 할 수 있다.
또한, 상기 마스크(200)의 투과 영역(A)에 조사되는 레이저범 내의 에너지 분포가 일정 패턴을 띄고 있다면, 상기 마스크(200)의 투과 영역(A) 내의 두께 분포 역시 일정 패턴을 띄게 할 수 있다.
상기와는 달리, 상기 마스크(200)의 투과 영역(A) 내의 일정 영역별로 하나 또는 다수 개의 물질로 코팅하고, 상기 코팅되는 물질의 투과율을 제어하는 것에 의하여, 상기 마스크의 투과율 분포를 제어할 수도 있다. 보다 자세하게는, 상기 마스크(200)를 투과하는 레이저빔의 에너지가 높은 영역은 투과율이 낮은 물질을 코팅하고, 상기 레이저빔의 에너지가 낮은 영역은 투과율이 높은 물질을 코팅하거나 코팅하지 않고 상기 레이저빔이 유리 기판(210)을 투과하도록 하여, 상기 마스크를 투과한 레이저빔의 에너지 분포를 균일하게 할 수 있다.
결과적으로 본 발명의 실시 예에 따른 박막트랜지스터의 제조 방법은 투과 영역 내에서 서로 상이한 두께를 갖도록 형성하거나, 서로 상이한 투과율을 가진 물질로 코팅하는 방법 또는 상기 두 가지 방법을 혼용하는 방법에 의해 상기 투과 영역 내의 투과율 분포를 상기 투과 영역에 조사되는 레이저빔 내의 에너지 분포에 상응하도록 하여, 상기 마스크를 투과하여 비정질 실리콘에 조사되는 레이저빔 내의 에너지 분포를 균일하게 한다.
본 발명의 실시 예에 따른 박막트랜지스터의 제조 방법은 투과 영역 및 비 투과 영역을 포함하는 마스크를 사용하고 있으나, 이와는 달리 비투과 영역이 형성되지 않고, 전체가 하나의 투과 영역으로 형성된 마스크를 사용할 수도 있다.
따라서, 본 발명의 실시 예에 따른 박막트랜지스터의 제조 방법은 투과 영역 내의 서로 상이한 투과율을 가지는 다수의 영역을 포함하며, 상기 투과 영역 내의 투과율 분포가 상기 투과 영역에 조사되는 레이저빔 내의 에너지 분포에 상응하도록 형성된 마스크를 사용하여 비정질 실리콘에 조사되는 레이저빔 내의 에너지 분포를 균일하게 함으로써, 박막트랜지스터의 특성 산포를 개선하는 효과가 있다.
Claims (15)
- 기판을 제공하고,상기 기판 상에 비정질 실리콘을 형성하고,서로 상이한 투과율을 가지는 다수의 영역을 포함하는 마스크를 이용하여, 상기 마스크를 투과하는 레이저빔의 에너지 분포를 균일하게 하고,상기 마스크를 투과한 레이저빔을 이용한 레이저 결정화법으로 상기 비정질 실리콘을 결정화하는 것을 포함하는 박막트랜지스터의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서상기 마스크는 투과 영역 및 비투과 영역을 포함하며, 상기 투과 영역은 서로 상이한 투과율을 가지는 다수의 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조 방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서상기 마스크의 투과율 분포는 상기 마스크를 투과하는 레이저빔 내의 에너지 분포에 상응하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서상기 마스크는 하나 또는 서로 상이한 투과율을 가지는 다수 개의 물질로 코팅된 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조 방법.
- 제 4 항에 있어서상기 마스크는 상기 마스크에 조사되는 레이저빔 내의 에너지 밀도가 높은 영역에는 투과율이 낮은 물질로 코팅되고, 상기 레이저빔 내의 에너지 밀도가 낮은 영역에는 투과율이 높은 물질로 코팅되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조 방법.
- 제 4 항에 있어서상기 마스크의 중심부는 가장자리부에 비하여 투과율이 낮은 물질로 코팅되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서상기 마스크 내의 각 영역들은 서로 상이한 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조 방법.
- 제 7 항에 있어서상기 마스크 내의 각 영역들의 두께 분포는 상기 마스크를 투과하는 레이저빔 내의 에너지 분포에 상응하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조 방법.
- 제 7 항에 있어서상기 마스크는 상기 마스크를 투과하는 레이저빔의 에너지가 높은 영역의 두께가 상기 레이저빔의 에너지가 낮은 영역보다 두껍게 형성되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조 방법.
- 제 7 항에 있어서상기 두께는 상기 마스크에 조사되는 레이저빔의 조사 방향에 수직 방향으로 중심에서 가장자리로 갈수록 감소하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조 방법.
- 제 7 항에 있어서상기 두께는 상기 마스크의 일측에서 타측으로 갈수록 감소하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조 방법.
- 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서상기 두께는 일정 비율로 감소하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조 방법.
- 제 7 항에 있어서상기 다수의 영역의 두께 분포는 일정한 패턴을 가지는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서상기 마스크의 각 영역들은 서로 상이한 투과율을 가지는 물질로 서로 상이한 두께를 가지도록 코팅된 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서상기 레이저 결정화법은 SLS 결정화법인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조 방법.
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|---|---|---|---|
| KR1020060073822A KR100796600B1 (ko) | 2006-08-04 | 2006-08-04 | 박막트랜지스터의 제조 방법 |
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|---|---|---|---|---|
| KR20040038859A (ko) * | 2002-11-01 | 2004-05-08 | 가부시키가이샤 에키쇼센탄 기쥬쓰 가이하쓰센타 | 결정화 장치 및 결정화 방법 |
| KR20050028890A (ko) * | 2003-09-18 | 2005-03-23 | 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. | 기판을 처리하는 방법 및 이 방법에 이용되는 화학물 |
-
2006
- 2006-08-04 KR KR1020060073822A patent/KR100796600B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040038859A (ko) * | 2002-11-01 | 2004-05-08 | 가부시키가이샤 에키쇼센탄 기쥬쓰 가이하쓰센타 | 결정화 장치 및 결정화 방법 |
| KR20050028890A (ko) * | 2003-09-18 | 2005-03-23 | 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. | 기판을 처리하는 방법 및 이 방법에 이용되는 화학물 |
| KR20060093318A (ko) * | 2003-09-18 | 2006-08-24 | 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. | 기판을 처리하는 방법 및 이 방법에 이용되는 화합물 |
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