KR100796281B1 - Spin Dependent Single Electron Transistor - Google Patents

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Abstract

본 발명은 스핀의존 단전자 트랜지스터 제조 방법에 관한 것으로서, 이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제조 방법은 반도체 기판에 전자빔 묘화장치를 이용하여 먼저 단전자 트랜지스터를 형성하는 단계와 이후 전도채널 위에 연자성 층과 강자성 층을 DC 마그네트론 스퍼터링 시스템을 이용하여 각각 증착하는 단계, 최종적으로 양자점의 전기적 포텐샬을 조절하는 제어 게이트를 양자점 상에 형성하는 단계 및 통상적인 금속화 공정을 포함하여 이루어진다. The present invention relates to a method for manufacturing a spin-dependent single-electron transistor, and to achieve the above object, the present invention provides a method of manufacturing a single-electron transistor using an electron beam drawing apparatus on a semiconductor substrate, followed by the formation of a single-electron transistor. Depositing the magnetic layer and the ferromagnetic layer using a DC magnetron sputtering system, respectively, finally forming a control gate on the quantum dots to control the electrical potential of the quantum dots, and a conventional metallization process.

자성체, 단전자 트랜지스터, 스핀트로닉스, 양자 컴퓨터, 큐비트, Magnetic materials, single-electron transistors, spintronics, quantum computers, qubits,

Description

스핀의존 단전자 트랜지스터 {Spin Dependent Single Electron Transistor}Spin Dependent Single Electron Transistor

도 1은 본 발명에 의한 핵심이 되는 스핀의존 단전자 트랜지스터의 제작 방법을 설명하기 위한 평면도이다.1 is a plan view illustrating a method of manufacturing a spin-dependent single-electron transistor, which is the core of the present invention.

도 2는 본 발명의 단전자 트랜지스터의 제작 방법을 설명하기 위한 평면도이다.2 is a plan view for explaining a method for manufacturing a single electron transistor of the present invention.

지난 20세기 동안 전자의 전하를 이용하는 반도체 기술이 전자산업에 많은 발전을 가져왔다. 21세기에 들어서면서 대용량의 정보를 초고속으로 처리할 수 있는 기술의 필요성이 커짐에 따라 정보소자의 소형화, 고속화가 지속적으로 요구되고 있다. 무어의 법칙에 의하면 2010년경에는 반도체 소자의 크기가 30나노미터 이하에 이르게 되며, 이는 기존의 전하 제어기술이 양자역학적 한계에 다다름을 의미한다. 현재의 반도체 생산 공정기술로 소량화가 지속된다면 2015년경에 그 한계점에 도달할 것으로 예상된다. 이 한계점을 해결할 수 있는 한 방법이 바로 나노기술을 이용한 단전자 트랜지스터(single-electron transistor)이다. 단전자 트랜지스터란 전자 한 개의 변화에 의해 스위치 역할을 할 수 있는 전자 소자의 구도로서, 소오스와 트레인 전극 사이에 나노미터 크기의 반도체 입자를 배치하면 소위 단전자 충전 현상(single electron charging effect)에 의해 한 개의 전자가 들어가고 나옴에 따라 온-오프되어 작동하게 된다. 쿨롱의 법칙(Coulomb's law)에 의하면 고립된 공간에 전자를 밀어 넣기 위해서는 공간 크기의 역수에 비례한 만큼의 에너지가 필요하다. 즉 공간이 작으면 작을수록, 전자 한 개를 그 공간에 밀어 넣기가 힘들다. 이것이 관통현상과 함께 단전자 소자의 주요 동작원리로 작용하는 쿨롱 봉쇄(Coulomb blockade) 효과다. 단전자 트랜지스터를 상온에서 작동시키기 위해서는 소자의 핵심 부분이 수 나노미터 수준이어야 하나, 현재의 소자 제작 기술 수준을 감안하면 CMOS 이후의 차세대 전자소자로서 나노테크놀로지 기술에서 풀어야할 문제다. 또한, 차세대 정보기술은 전자가 지닌 스핀의 업과 다운을 구분하여 전자의 스핀과 전하를 동시에 제어하며 스핀상태를 또 하나의 신호체계로 활용하는 조합기술인 스핀트로닉스(spintronics)에 상당부분 의존할 것이다. 이러한 스핀트로닉스를 원자 레벨까지 적용하게 되면 새로운 양자 컴퓨터(quantum computer)를 만들 수 있게 되어 정보를 서로 다른 스핀 상태에 따라 저장할 수 있게 되는데, 이진수 0과 1 대신에 스핀의 업, 다운 혹은 이들을 섞는 방법으로 표현할 수 있게 된다. 현재의 전자소자기술은 정보처리를 위해 반도체 내에 전하를 전기장을 통해 제어하며, 전자의 스핀에 관계없이 전자가 채워진 상태와 비워진 상태를 하나의 신호로 이용한다. 전자 소자의 정보 처리 능력을 높이기 위해서 사용되는 고전적인 방법으로는 소자의 집적도 또는 동작속도를 증대하는 방법이 사용되고 있으나 사진 인쇄 기술과 성능 개선 기술의 난이도가 증대함에 따라서 기술적 한계에 접근하고 있다. 이러한 한계를 극복하기 위한 방법으로서 물질의 양자 상태를 이용하는 전자 소자에 대한 연구가 진행되고 있다. 일례로서, 특정한 공간에 구속되어 있는 전자에 대하여, 양자적인 방법으로는 전자가 있을 확률을 정보화함으로써 무수히 많은 정보를 제공할 수 있다. 상기 양자 상태를 이용하는 소자의 기본 단위인 큐비트(qubit)를 제작하기 위한 기술로는 원자핵의 스핀, 초전도체 미세 구조, 전자의 스핀, 원자의 여기 상태, 광자의 편광 상태, 양자점 내부 전자의 여기 상태 등이 이용되고 있다.In the last 20 centuries, semiconductor technology using electron charges has made great progress in the electronics industry. In the 21st century, as the necessity of a technology capable of processing a large amount of information at a high speed increases, miniaturization and high speed of information devices are continuously required. According to Moore's law, by 2010, the size of semiconductor devices will reach 30 nanometers or less, which means that conventional charge control techniques are approaching quantum mechanical limits. If small-scale production continues with current semiconductor production process technology, it is expected to reach its limit by 2015. One way to overcome this limitation is to use single-electron transistors using nanotechnology. A single electron transistor is a composition of an electronic device that can act as a switch by changing a single electron. When a nanometer-sized semiconductor particle is placed between a source and a train electrode, a single electron charging effect is caused by a so-called single electron charging effect. As one electron enters and exits, it operates on and off. Coulomb's law states that to push electrons into an isolated space requires energy proportional to the inverse of the size of the space. In other words, the smaller the space, the harder it is to push one electron into it. This is the Coulomb blockade effect that acts as the main operating principle of the single-electron device together with the penetration phenomenon. In order to operate a single-electron transistor at room temperature, the core part of the device must be several nanometers, but considering the current level of device manufacturing technology, it is a problem to be solved in nanotechnology technology as a next-generation electronic device after CMOS. In addition, next-generation information technology will rely heavily on spintronics, a combination technology that separates the spin up and down of electrons, controls the spin and charge of electrons simultaneously, and uses spin state as another signal system. Applying these spintronics to the atomic level allows us to create new quantum computers that store information according to different spin states. Instead of binary zeros and ones, spin up, down, or mix them together. Can be expressed as Current electronic device technology controls charges in a semiconductor through an electric field for information processing, and uses a filled state and an empty state as one signal regardless of the spin of the electron. As a classical method used to increase the information processing capability of the electronic device, a method of increasing the integration density or the operating speed of the device has been used. However, as the difficulty of photo printing technology and performance improvement technology increases, the technical limit is approached. As a method for overcoming these limitations, research is being conducted on electronic devices using quantum states of materials. As an example, for electrons confined in a specific space, innumerable information can be provided by informatizing the probability of electrons in a quantum method. Techniques for fabricating a qubit, which is a basic unit of a device using the quantum state, include spin of an atomic nucleus, superconductor microstructure, spin of an electron, excited state of an atom, polarization state of a photon, and excited state of an electron inside a quantum dot. Etc. are used.

본 발명에 의하여 제작되는 스핀의존 단전자 트랜지스터는 양자 효과를 이용하는 양자컴퓨터의 핵심소자로 사용되며 연 자성체로부터 스핀의존된 캐리어를 단전자 트랜지스터의 양자점에 주입하여 스핀의 분극의 제어를 통해 종래와 구조적, 개념적인 면에서 획기적으로 다른 새로운 큐비트의 구현에 필요한 구조 및 이를 제작하는 방법을 제시하는 데 있다.The spin-dependent single-electron transistor fabricated by the present invention is used as a core element of a quantum computer using a quantum effect. The spin-dependent carrier is injected into a quantum dot of a single-electron transistor by injecting a spin-dependent carrier into a quantum dot of a single-electron transistor, thereby controlling the spin polarization. In this regard, this paper presents the structure and method of manufacturing the new qubits, which are dramatically different in concept.

본 발명은 새로운 반도체 소자 및 그 제조 방법이 제공되며 이 반도체 소자를 개발하기 위해서는 다음과 같은 기술적 성취가 필수적이다. 전자빔 리소그라피 법을 응용, 수십 나노미터의 단전자 트랜지스터를 형성시키는 공정과 양자점 내부의 전자들의 스핀을 조절하기 위해 요구되는 상층 게이트를 전자빔 리소그라피 법을 적용하여 형성시키는 공정, 캐리어들이 스핀의존 되도록 연 자성체와 상자성체를 양자점 양쪽 측면으로 수에서 수십 나노미터 간격으로 형성시키는 공정이 필수적이다. 이러한 구조로 제작된 소자의 핵심적인 특징은 자기장의 변화 아래 자성체 밑의 이차원 전자 가스층의 캐리어가 스핀분극되어 양자점에 구속되어지는 스핀의존에 의한 단일전자 스핀제어 나노소자와 양자컴퓨터를 개발하기 위한 규비트의 제조에 활용하기 위함이 목적이다.The present invention provides a new semiconductor device and a method of manufacturing the same, and the following technical achievements are essential to develop the semiconductor device. Applying electron beam lithography, forming a single-electron transistor of several tens of nanometers, and forming an upper gate required by electron beam lithography to control the spin of electrons in the quantum dots. It is essential to form paramagnetic bodies on both sides of the quantum dots at intervals of several tens of nanometers. A key feature of the device fabricated with this structure is the development of a single-electron spin-controlled nanodevice and quantum computer by spin-dependence where the carrier of the two-dimensional electron gas layer under the magnetic body is spin-polarized and constrained to the quantum dots under the change of magnetic field. The purpose is to utilize in the manufacture of bits.

이하 첨부된 도면에 의해 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, described in detail by the accompanying drawings as follows.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 먼저 반도체기판(80) 위에 전자빔 리소그라피 법을 이용하여 캐리어가 이동하는 채널영역(50,60)의 형성과 상기 채널 영역의 좌우에 소오스(10) 영역 및 드레인(20) 영역을 형성하고 채널의 중앙 부근에 원형 형태 또는 전기적 포텐샬을 이용한 양자점(70)의 형태로 양자점(70)을 식각하여 단전자 트랜지스터를 형성하여야 한다. 이때 단전자 트랜지스터는 SOI(Silicon On Insulator)와 같은 반도체에 측면 게이트로 양자점이 형성되어 터널링 효과의 관측이 가능한 단전자 나노소자를 모두 포함한다. 또한, 소오스(10)와 드레인(20)과 반도체 간의 접촉저항(30, 40)은 오믹(Ohmic) 또는 쇼트키(schottky)일 수 있다. 상기의 기판의 전면에 다시 전자빔 레지스터를 도포하고 소오스(10)쪽으로 형성된 채널 층(60)에 채널의 일부가 노출되도록 전자빔 리소그라피를 한 후 적절한 방법에 의해 현상하고 DC 마그네트론 스퍼터링 시스템을 이용하여 연자성체(90)를 증착한다. 같은 방법으로 드레인(20)쪽의 채널 층(50)에 강자성체(100)를 증착한다. 이후 상기 기판 전면에 감광제를 도포하고 노광하여 금속 컨트롤 게이트(110) 형성을 위한 전자빔 레지스터나 감광제 패턴 막을 남겨두고 패턴 막 상부에 금속 막을 증착한 후 패턴 부분의 나머지 레지스터를 제거하여 금속 컨트롤 게이트(110)를 형성하면 본 발명의 목적인 스핀의존 단전자 트랜지스터의 완성이 이루어진다.In order to achieve the above object, the present invention first forms the channel regions 50 and 60 through which the carrier moves on the semiconductor substrate 80 using an electron beam lithography method, and the source 10 region and the left and right sides of the channel region. A single electron transistor should be formed by forming the drain 20 region and etching the quantum dots 70 in the form of a quantum dot 70 using a circular shape or an electrical potential near the center of the channel. In this case, the single-electron transistor includes all single-electron nanodevices in which a quantum dot is formed as a side gate in a semiconductor such as a silicon on insulator (SOI) and thus the tunneling effect can be observed. In addition, the contact resistances 30 and 40 between the source 10, the drain 20, and the semiconductor may be ohmic or schottky. Electron beam resist is applied to the front surface of the substrate again, and electron beam lithography is applied to expose a part of the channel to the channel layer 60 formed toward the source 10, and then developed by an appropriate method and soft magnetic material using a DC magnetron sputtering system. 90 is deposited. In the same manner, the ferromagnetic material 100 is deposited on the channel layer 50 on the drain 20 side. Subsequently, a photoresist is coated on the entire surface of the substrate and exposed to light, leaving an electron beam register or a photoresist pattern film for forming the metal control gate 110, and depositing a metal film on the pattern film. ), The spin-dependent single-electron transistor of the present invention is completed.

상기 반도체(80)는 화합물 반도체의 이차원 전자가스층(two dimensional electron gas), GaAs, Si. SOI(Si on insulator), Inp 중에서 선택되는 어느 하나를 사용할 수 있다. The semiconductor 80 is a two-dimensional electron gas layer of compound semiconductor, GaAs, Si. Any one selected from SOI (Si on insulator) and Inp may be used.

상기 자성체(90, 100)는 Fe, NiFe, FeCo, Co, Ni, GaMnAs, InMnAs, GaMnN, GeMn과 같은 자성체 중에서 선택되는 어느 하나일 수 있다.The magnetic bodies 90 and 100 may be any one selected from magnetic bodies such as Fe, NiFe, FeCo, Co, Ni, GaMnAs, InMnAs, GaMnN, and GeMn.

상기 소오스쪽 전도채널(60)과 드레인쪽 전도채널(50)은 소자의 형태에 따라 5 나노미터 ~ 1 마이크로미터 범위의 선폭을 가지며 자성체(90, 100)와 양자점(70)과의 간격은 100 나노미터 이하의 범위가 적당하다.The source side conduction channel 60 and the drain side conduction channel 50 have a line width in the range of 5 nanometers to 1 micrometer depending on the shape of the device, and the distance between the magnetic bodies 90 and 100 and the quantum dots 70 is 100. A range of nanometers or less is suitable.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 스핀의존 단전자 트랜지스터는 도 1에 도시된 바와 같이 구성되는데, 먼저 반도체 기판(80)을 전자선 직접 묘화(electron beam direct writing)법으로 소오스(10), 드레인(20) 및 수 내지 수십 나노 넓이의 전도채널(60, 50)을 패터 닝 하고 채널 중앙부근에 양자점(70)을 패터닝한 후 적절한 방법의 식각을 통해 나머지 위층반도체를 제거하여 단전자 트랜지스터를 형성한다(도 2). Spin-dependent single-electron transistor according to the present invention is configured as shown in Figure 1, first, the semiconductor substrate 80 by the electron beam direct writing (electron beam direct writing) method source 10, drain 20 and the number of After patterning the conductive channels (60, 50) of several tens of nano-wide, and patterning the quantum dots 70 near the center of the channel to form a single-electron transistor by removing the remaining upper layer semiconductor through the etching of the appropriate method (Fig. 2).

그런 다음 단전자 트랜지스터 전면에 전자빔 레지스터를 도포하고 소오스쪽 채널 층(60)과 직교하게 연자성체(90)를 증착할 부분을 전자빔 묘화한 후 채널의 일부를 노출시켜 DC 마그네트론 스퍼터링 시스템을 이용하여 연자성체(90)를 증착한다. 같은 방법으로 다시 드레인쪽 채널(50) 위에 강자성체(100)를 증착한다.Then, an electron beam resistor is applied on the front side of the single-electron transistor, an electron beam is drawn on the portion where the soft magnetic material 90 is to be deposited orthogonal to the source-side channel layer 60, and then a portion of the channel is exposed to open the DC magnetron sputtering system. Magnetic body 90 is deposited. In the same manner, the ferromagnetic material 100 is deposited on the drain side channel 50 again.

상기 공정 후 제어 게이트(110)를 전자선 직접 묘화법 또는 포토리소그래피법을 이용하여 패터닝한 후 기타 적절한 방법에 의한 식각공정 및 금속화 공정을 실시 한다.After the process, the control gate 110 is patterned using an electron beam direct drawing method or a photolithography method, and then an etching process and a metallization process are performed by other suitable methods.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 스핀의존 단전자 트랜지스터에서 향후 차세대 고집적 저전력 소자로 각광받을 것으로 예상되는 단전자 트랜지스터의 장점을 그대로 활용할 뿐 아니라 드레인으로 나가는 전자와 전자의 스핀을 의도적으로 제어하고 여과할 수 있어 매우 국소화된 양자점의 에너지 준위에 있어서의 전자의 스핀의존 채움 현상을 이용함으로써 향후 이를 대용량, 초고속 양자병렬처리, 양자컴퓨터를 개발하기 위한 규비트의 제조 등에도 활용할 수 있다는 점에서 매우 큰 가치를 지나고 있다.As described above, the spin-dependent single-electron transistor according to the present invention not only utilizes the advantages of the single-electron transistor, which is expected to be spotlighted as a next-generation highly integrated low-power device in the future, but also intentionally controls and filters spins of electrons and electrons going to the drain. The spin-dependent filling of electrons in the energy level of the very localized quantum dots can be used in the future, so that it can be used for large-capacity, ultra-fast quantum parallel processing, and manufacturing of qubits for developing quantum computers. It is passing by value.

Claims (5)

스핀의존 단전자 트랜지스터의 구조에 있어서,In the structure of a spin-dependent single-electron transistor, 단전자 터널링 효과가 관측되는 단전자 트랜지스터를 제작하고 형성된 단전자 트랜지스터의 소오스쪽 전도채널 위에 연자성층과 드레인쪽 전도채널 위에 강자성 층이 위치하며, 양자점 내부의 전자들의 스핀을 제어하기 위한 포텐샬 조절역활의 상층 게이트가 위치함을 특징으로 하는 스핀의존 단전자 트랜지스터,A single-electron transistor in which single-electron tunneling effects are observed is fabricated, and a soft magnetic layer is placed on the source-side conduction channel and a ferromagnetic layer on the drain-side conduction channel of the formed single-electron transistor, and is a potential regulation function for controlling the spin of electrons in the quantum dot. Spin-dependent single electron transistor, characterized in that the upper gate of the, 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100852182B1 (en) * 2006-08-22 2008-08-13 한국과학기술연구원 Hybrid semiconductor-ferromagnet device with a junction of positive and negative magnetic-field regions
KR100852184B1 (en) * 2008-05-30 2008-08-13 한국과학기술연구원 Hybrid semiconductor-ferromagnet device with a junction of positive and negative magnetic-field regions
KR100852183B1 (en) * 2008-05-30 2008-08-13 한국과학기술연구원 Hybrid semiconductor-ferromagnet device with a junction of positive and negative magnetic-field regions
CN106449739B (en) * 2016-10-19 2023-09-12 中国人民解放军国防科学技术大学 Single electron spin filter based on quantum dots and single electron spin filtering method

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001119041A (en) 1999-07-15 2001-04-27 Japan Science & Technology Corp Millimeter-wave/far-infrared photodetector
KR20020039072A (en) * 2000-11-20 2002-05-25 구자홍 Spin valve SET using a carbon nanotube
KR20040072454A (en) * 2003-02-07 2004-08-18 대한민국(충북대학교 나노과학기술연구소) Single Electron Spin Controllable Nanodevice
KR20040081625A (en) * 2003-03-14 2004-09-22 한국과학기술연구원 Hybrid ferromagnet/semiconductor spin device and fabrication method thereof

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001119041A (en) 1999-07-15 2001-04-27 Japan Science & Technology Corp Millimeter-wave/far-infrared photodetector
KR20020039072A (en) * 2000-11-20 2002-05-25 구자홍 Spin valve SET using a carbon nanotube
KR20040072454A (en) * 2003-02-07 2004-08-18 대한민국(충북대학교 나노과학기술연구소) Single Electron Spin Controllable Nanodevice
KR20040081625A (en) * 2003-03-14 2004-09-22 한국과학기술연구원 Hybrid ferromagnet/semiconductor spin device and fabrication method thereof

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