KR100794947B1 - Memory testing equipment - Google Patents
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Abstract
과제assignment
소프트웨어 처리를 사용하지 않고 데이터폭이 상이한 검사 모드에 있어서의 검사 결과의 어드레스 중첩 처리를 실시할 수 있는 메모리 검사 장치를 제공하는 것.A memory inspection apparatus capable of performing address superimposition processing of inspection results in an inspection mode having a different data width without using software processing.
해결 수단Resolution
데이터폭이 상이한 검사 모드에 따라 어드레스와 데이터의 판독 구조가 상이한 DUT 를 검사하는 메모리 검사 장치로서, DUT 에 부여하는 어드레스 및 검사 모드 지정 신호에 따라, 페일 데이터의 페일 메모리에 대한 저장 위치를 임의로 배치할 수 있도록 제어하는 데이터 저장 제어 수단을 형성하는 것이며, 또한 데이터 저장 제어 수단은, DUT 의 검사 모드에 따라 어드레스를 재배열하는 수단과, 재배열한 어드레스로부터 DUT 의 검사 모드별로 또한 DUT 의 영역별로 페일 데이터의 저장 할당을 결정하는 어드레스를 선택하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 것.A memory inspection apparatus for inspecting a DUT having a different address and data read structure according to a different data width, wherein a storage location for fail data of a fail data is arbitrarily arranged according to an address and a check mode designation signal given to the DUT. And a data storage control means for controlling the data storage control means. The data storage control means includes means for rearranging addresses in accordance with the inspection mode of the DUT, and failing from the rearranged addresses for each inspection mode of the DUT and for each region of the DUT. Means for selecting an address for determining storage allocation of data.
페일 메모리, 메모리 검사 Failed Memory, Memory Check
Description
도 1 은 발명의 일 실시예를 나타내는 블록도.1 is a block diagram illustrating an embodiment of the invention.
도 2 는 도 1 의 구체적인 회로예도.FIG. 2 is a specific circuit example of FIG. 1. FIG.
도 3 은 상이한 검사 모드예도.3 shows a different test mode.
도 4 는 도 1 의 다른 구체적인 회로예도.4 is another specific circuit example of FIG.
도 5 는 검사 모드 1 에서의 페일 데이터의 저장 할당예도.5 is an example of storage allocation of fail data in
도 6 은 검사 모드 2 에서의 페일 데이터의 저장 할당예도.6 is an example of storage allocation of fail data in
도 7 은 도 1 의 다른 구체적인 회로예도.FIG. 7 is another specific circuit diagram of FIG. 1. FIG.
도 8 은 종래의 메모리 검사 장치의 일례를 나타내는 블록도.8 is a block diagram showing an example of a conventional memory test apparatus.
도 9 는 페일 검출 장치의 일례를 나타내는 블록도.9 is a block diagram illustrating an example of a fail detection device.
도 10 은 16 비트의 데이터폭에 따른 검사의 개념도.10 is a conceptual diagram of inspection according to a data width of 16 bits.
도 11 은 8 비트의 데이터폭에 따른 검사의 개념도.11 is a conceptual diagram of inspection according to an 8-bit data width.
*부호의 설명** Description of the sign *
6 : 페일 메모리 8 : 어드레스 변환부 6: fail memory 8: address conversion unit
9 : 어드레스 비트 선택부 10 : 검사 모드 지정부 9: address bit selector 10: check mode designation
11 : 검사 모드 선택부 12 : 데이터 유효화 비트 저장 메모리 11: check mode selector 12: data enable bit storage memory
13 : 데이터 유효화 비트 선택부 14 : 데이터 게이트 13: Data Validation Bit Selector 14: Data Gate
15 : 데이터 선택부 16 : 검사 모드 선택부 15: data selector 16: test mode selector
17 : 검사 모드 설정부 18∼27, 29∼42 : 셀렉터 17: inspection
28 : 페일 데이터 할당부 43 : 어드레스 재배열부 28: fail data allocation unit 43: address rearrangement unit
[특허문헌 1] 일본 공개특허공보 2002-367396호[Patent Document 1] Japanese Unexamined Patent Publication No. 2002-367396
본 발명은 메모리 검사 장치에 관하고, 상세하게는 페일 메모리에 대한 페일 데이터의 저장 제어에 관한 것이다.The present invention relates to a memory test apparatus, and more particularly, to storage control of fail data for a fail memory.
최근의 반도체 메모리에는, 고집적화에 수반하여 제조 공정에서의 어느 정도의 불량 메모리 셀의 발생은 부득이하다는 전제에 기초하여, 복수의 예비 메모리 셀 (이하, 스페어 셀이라고 한다) 이 형성되어 있다. 그리고, 메모리 검사 장치에 의한 시험에서 불량 셀 (이하, 페일 셀이라고 한다) 이 검출되었을 경우에는, 레이저로 피시험 반도체 메모리 (이하, DUT 라고 한다) 내의 소정의 패턴을 절단 하여, 페일 셀을 스페어 셀로 옮겨 놓는다. 이에 따라, 페일 셀을 구제할 수 있으며, 페일 셀에서 기인하는 DUT 의 불량을 구제할 수 있다. 이러한 불량 구제에 필요한 데이터는 리던던시 연산 장치에서 작성된다.In recent semiconductor memories, a plurality of spare memory cells (hereinafter referred to as spare cells) are formed on the premise that generation of some defective memory cells in the manufacturing process is unavoidable due to high integration. When a defective cell (hereinafter referred to as a fail cell) is detected by a test by the memory inspection apparatus, a predetermined pattern in the semiconductor memory under test (hereinafter referred to as a DUT) is cut by a laser to spare the fail cell. Move it to the cell. Accordingly, the fail cell can be saved, and the defect of the DUT resulting from the fail cell can be saved. The data necessary for such defect repair is created in the redundancy computing device.
리던던시 연산 장치에서는, DUT 로부터 얻어지는 페일 정보에 기초하여, 페일 셀을 구제하기 위한 리던던시 연산 처리가 행해진다. 여기에서, 리던던시 연산에 기초하는 DUT 의 측정을 리던던시 측정이라고 한다.In the redundancy arithmetic unit, redundancy arithmetic processing for saving the fail cell is performed based on the fail information obtained from the DUT. Here, the measurement of the DUT based on the redundancy calculation is called redundancy measurement.
리던던시 연산은, 통상적으로 메모리 검사 장치 내에 형성된 리던던시 연산 전용 CPU 에 의해, 소정의 규칙적인 처리에 기초한 알고리즘에 따라 행해진다.The redundancy calculation is normally performed according to an algorithm based on predetermined regular processing by a redundancy calculation dedicated CPU formed in the memory test apparatus.
DUT 로부터 페일 셀이 검출되면, 검출된 페일 셀 각각에 열 스페어 셀과 행 스페어 셀을 조합하고 할당하여 모든 페일을 구제할 수 있는지 여부를 판단하고, 구제 가능하다고 판단한 경우에는, 할당한 치환 어드레스 정보를 메모리 검사 장치의 제어부에 출력한다.When a fail cell is detected from the DUT, it is determined whether all fail can be repaired by combining and assigning a column spare cell and a row spare cell to each of the detected fail cells, and if it is determined that the rescue is possible, the allocated replacement address information. Is output to the control unit of the memory test apparatus.
도 8 은 특허 문헌 1 에 기재되어 있는 리던던시 측정 기능을 갖는 종래의 메모리 검사 장치의 일례를 나타내는 블록도이다. 메모리 검사 장치 (1) 는 페일 검출 장치 (2), 리던던시 연산 장치 (3) 및 제어부 (4) 로 구성되어 있다.8 is a block diagram illustrating an example of a conventional memory test apparatus having a redundancy measurement function described in
페일 검출 장치 (2) 는 DUT (5) 가 갖는 메모리 셀의 페일 셀을 검출하고, 검출한 페일 데이터를 도 9 에 나타내는 바와 같이 페일 메모리 (6) 에 기록한 후, 버퍼 메모리 (7) 를 개재하여 리던던시 연산 장치 (3) 로 보낸다.The
리던던시 연산 장치 (3) 는 페일 검출 장치 (2) 로부터 보내어진 페일 데이터에 기초하여, DUT (5) 의 불량 구제에 필요한 데이터를 작성하고, 제어부 (4) 로 보낸다. 또한, DUT (5) 는 불량을 구제하기 위한 스페어 셀을 내장하고 있다.The redundancy
리던던시 연산 장치 (3) 는 예를 들어, 컴퓨터에 의해 구성되며, 이 컴퓨터가, 로드되는 리던던시 연산 프로그램을 실행시킴으로써, 그 기능이 실현된다.The redundancy
제어부 (4) 는 리던던시 연산 장치 (3) 로부터 보내어진 데이터를 사용하여 리던던시 측정을 실시한다.The
그런데, DUT (5) 의 검사시에는, 데이터폭을 예를 들어, 2 비트ㆍ4 비트ㆍ8 비트ㆍ16 비트 등의 복수를 적당히 조합하는 것이 행해진다. 그리고, 이들 각 비트폭에서의 검사 결과는, DUT 의 비트 패턴에 대응하는 공통의 페일 메모리 (21) 의 각 비트 위치에 중첩하도록 하여 기록된다.By the way, during the inspection of the
도 10 은 16 비트의 데이터폭에 의한 검사의 개념도이다. 도 10 에서 0 부터 15 까지의 16 비트의 데이터폭에서 어드레스 방향에 따른 검사가 행해지고, 이들 검사 결과는 DUT 와 동일한 비트 패턴을 갖는 페일 메모리에 기록된다.10 is a conceptual diagram of inspection by a data width of 16 bits. In Fig. 10, checks are performed in accordance with the address direction at data widths of 16 bits from 0 to 15, and these check results are written to the fail memory having the same bit pattern as the DUT.
도 11 은 8 비트의 데이터폭에 의한 검사의 개념도이다. 도 11 에서, 0 부터 7 까지의 8 비트의 데이터폭에서 어드레스 방향에 따른 검사가 행해지고, 이들 검사 결과도, DUT 와 동일한 비트 패턴을 갖는 페일 메모리에 기록된다. 데이터폭이 8 비트인 경우, 어드레스의 깊이는 데이터폭이 8 비트인 경우의 2 배가 되지만, 페일 메모리에 대한 기록시에는, 동일한 DUT 이기 때문에, 16 비트의 데이터폭의 검사 결과와 동일한 비트 위치가 되도록 중첩시키지 않으면 안 된다.11 is a conceptual diagram of inspection by 8-bit data width. In Fig. 11, checks are performed in accordance with the address direction at 8-bit data widths from 0 to 7, and these check results are also written to the fail memory having the same bit pattern as the DUT. When the data width is 8 bits, the address depth is twice as large as when the data width is 8 bits, but when writing to the fail memory, since the same DUT is used, the same bit position as the test result of the 16-bit data width is obtained. You should nest as much as possible.
그래서, 종래의 메모리 검사 장치에서는, 이들 16 비트의 데이터폭과 8 비트의 데이터폭과 같이 상이한 검사 모드에서의 검사 결과의 어드레스 중첩 처리를 소프트웨어로 실시하고 있었다.Therefore, in the conventional memory inspection apparatus, address superimposition processing of inspection results in different inspection modes such as these 16-bit data widths and 8-bit data widths has been performed in software.
그러나, 이들 상이한 검사 모드에 있어서의 검사 결과의 어드레스를 중첩시키기 위한 소프트웨어 처리의 실행 시간은 검사 시간의 증가 요인이 된다는 문제가 있었다.However, there has been a problem that the execution time of the software process for superimposing the addresses of the inspection results in these different inspection modes becomes an increase factor of the inspection time.
본 발명은 이러한 종래의 문제점에 착안한 것으로서, 그 목적은, 소프트웨어 처리를 사용하지 않고 데이터폭이 상이한 검사 모드에 있어서의 검사 결과의 어드레스 중첩 처리를 행할 수 있는 메모리 검사 장치를 제공하는 것에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of such a conventional problem, and an object thereof is to provide a memory inspection apparatus capable of performing address overlap processing of inspection results in an inspection mode having a different data width without using software processing.
과제를 해결하기 위한 수단Means to solve the problem
이러한 과제를 달성하기 위해, 제 1 항의 발명은, In order to achieve such a problem, the invention of
데이터폭이 상이한 검사 모드에 따라 어드레스와 데이터의 판독 구조가 상이한 DUT 를 검사하는 메모리 검사 장치로서, A memory test apparatus for inspecting a DUT having a different address and data read structure according to a test mode having a different data width,
DUT 에 부여하는 어드레스 및 검사 모드 지정 신호에 따라, 페일 데이터의 페일 메모리에 대한 저장 위치를 임의로 배치할 수 있도록 제어하는 데이터 저장 제어 수단을 형성한 것을 특징으로 한다.A data storage control means for controlling the storage position of the fail data for the fail memory can be arbitrarily arranged in accordance with the address and the check mode designation signal given to the DUT.
제 2 항의 발명은, 제 1 항에 기재된 메모리 검사 장치에 있어서, The invention according to
상기 데이터 저장 제어 수단은, The data storage control means,
검사 모드에 따라 페일 메모리에 기록되는 데이터를 선택하는 데이터 선택부와, 검사 모드에 따라 어드레스로부터 데이터를 유효하게 하기 위한 비트를 선택하는 어드레스 비트 선택부를 포함하는 것을 특징으로 한다.And a data selector for selecting data to be written to the fail memory according to the test mode, and an address bit selector for selecting bits for validating data from the address according to the test mode.
제 3 항의 발명은, 제 1 항에 기재된 메모리 검사 장치에 있어서, The invention according to
상기 데이터 저장 제어 수단은, The data storage control means,
DUT 의 검사 모드에 따라 어드레스를 재배열하는 수단과, Means for rearranging addresses according to the check mode of the DUT,
재배열한 어드레스로부터 DUT 의 검사 모드별로 또한 DUT 의 영역별로 페일 데이터의 저장 할당을 결정하는 어드레스를 선택하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 한다.And means for selecting an address for determining a storage allocation of fail data for each inspection mode of the DUT and for each region of the DUT from the rearranged addresses.
제 4 항의 발명은, 제 2 항에 기재된 메모리 검사 장치에 있어서, The invention according to
상기 데이터 저장 제어 수단은, The data storage control means,
DUT 의 검사 모드에 따라 어드레스를 재배열하는 수단과,Means for rearranging addresses according to the check mode of the DUT,
재배열한 어드레스로부터 DUT 의 검사 모드별로 또한 DUT 의 영역별로 페일 데이터의 저장 할당을 결정하는 어드레스를 선택하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 한다.And means for selecting an address for determining a storage allocation of fail data for each inspection mode of the DUT and for each region of the DUT from the rearranged addresses.
발명을 실시하기 위한 최선의 형태Best Mode for Carrying Out the Invention
이하, 본 발명에 대하여 도 1 을 사용하여 설명한다. 도 1 은 본 발명의 일 실시예의 주요부를 나타내는 블록도이다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, this invention is demonstrated using FIG. 1 is a block diagram showing the main parts of an embodiment of the present invention.
어드레스 변환부 (8) 는, 도시하지 않은 페일 검출 장치로부터 출력되는 어드레스 ADRS 의 비트폭을 페일 메모리 (6) 의 어드레스폭에 적합하도록 변환한다.The
어드레스 비트 선택부 (9) 는, 도시하지 않은 페일 검출 장치로부터 출력되는 어드레스 ADRS 로부터, 검사 모드 선택부 (11) 를 개재하여 검사 모드 지정부 (10) 에 의해 지정되는 검사 모드에 따라, 페일 메모리 (6) 에 입력해야 하는 데이터를 선택적으로 유효하게 하기 위한 데이터 유효화 비트가 저장되어 있는 데이터 유효화 비트 저장 메모리 (12) 의 어드레스를 선택한다. 예를 들어, 페일 메모리 (6) 에 32 세트의 데이터 유효화 비트를 저장하는 경우에는, 5 비트를 선택한다.The
어드레스 비트 선택부 (9) 에서 선택된 비트는, 검사 모드 지정부 (10) 에 의해 지정되는 검사 모드에 따라, 검사 모드마다 형성된 데이터 유효화 비트 저장 메모리 (12) 의 어드레스가 된다.The bit selected by the
데이터 유효화 비트 저장 메모리 (12) 에 저장된 데이터 유효화 비트는, 데이터 유효화 비트 선택부 (13) 에서 검사 모드 지정부 (10) 에 의해 지정되는 검사 모드 및 어드레스 비트 선택부 (9) 에서 선택된 어드레스에 따라 소정의 메모리에 저장되어 있는 비트가 선택되어, 데이터 게이트 (14) 의 일방의 입력 단자에 입력된다.The data validation bits stored in the data validation
데이터 선택부 (15) 는, 도시하지 않은 페일 검출 장치로부터 출력되는 페일 데이터 (DATA) 를, 검사 모드 선택부 (16) 를 개재하여 검사 모드 지정부 (10) 에 의해 지정되는 검사 모드에 따라, 페일 메모리 (6) 에 입력해야 하는 데이터를 선택한다. 도 1 에서는, 48 비트의 데이터 내지 32 비트의 데이터를 선택하여, 데이터 게이트 (14) 의 타방의 입력 단자에 입력하는 예를 나타내고 있다.The
검사 모드 설정부 (17) 는 검사 모드 선택부 (11 및 16) 에, 각 검사 모드에 대응한 모드 설정 신호를 출력한다.The test
이와 같이 구성함으로써, 페일 메모리 (6) 의 어드레스 단자에는, 어드레스 변환부 (8) 를 개재하여, 페일 메모리 (6) 의 어드레스폭에 적합한 어드레스가 입력된다. 한편, 페일 메모리 (6) 의 데이터 단자에는, 데이터 게이트 (14) 를 개재하여, 각 검사 모드에 대응한 데이터가 선택적으로 입력된다.By such a configuration, an address suitable for the address width of the
이에 따라, 검사 모드에 따라 어드레스와 데이터의 판독 구조가 상이한 DUT 를 검사하는 경우에는, DUT 상의 어느 특정 비트는 각 검사 모드에 따라 상이한 어드레스 비트 위치에 판독되게 되는데, 페일 메모리 (6) 에 대한 기록시에는 동일 비트 위치에 겹쳐 기록되게 된다.Accordingly, in the case of examining a DUT having a different address and data reading structure depending on the test mode, any specific bit on the DUT is read at a different address bit position according to each test mode, and writing to the
따라서, 종래와 같은 소프트웨어에 의한 중첩 처리는 불필요해져, 검사 시간을 대폭 단축시킬 수 있다.Therefore, the superimposition process by software like the conventional one becomes unnecessary, and the inspection time can be shortened significantly.
또한, 상기 실시예에서는, DUT 의 검사 데이터폭을 8 비트와 16 비트로 하는 예에 대하여 설명했지만, 이들에 한정하는 것은 아니며, 1 비트를 포함하는 복수 비트를 적당히 조합해도 된다.In the above embodiment, the example in which the check data width of the DUT is set to 8 bits and 16 bits has been described. However, the present invention is not limited to these examples, and a plurality of bits including 1 bit may be appropriately combined.
도 2 는 도 1 의 구체적인 회로예도로서, 도 1 과 공통되는 부분에는 동일한 부호를 붙이고 있다. 도 2 에서 셀렉터 (18) 는, 입력되는 DUT 의 X/Y 어드레스에 대하여, 메인 영역과 X 스페어 영역과 Y 스페어 영역과 XY 스페어 영역의 구획 비트가 규칙적으로 배열되도록, 재배열하는 처리를 실시한다.FIG. 2 is a specific circuit example of FIG. 1, and the same reference numerals are given to parts common to FIG. In Fig. 2, the
셀렉터 (19) 는 셀렉터 (18) 에 의해 재배열 처리된 어드레스 출력으로부터 메인 영역과 X 스페어 영역과 Y 스페어 영역과 XY 스페어 영역 각각의 구획에 대응한 어드레스 비트를 선택하고, 선택한 어드레스 비트를 페일 메모리 (6) 와 셀렉터 (24) 에 출력한다.The
셀렉터 (20) 는 셀렉터 (18) 에 의해 재배열 처리된 어드레스 출력으로부터 메인 영역에 유효한 어드레스를 선택하고, 선택한 어드레스를 셀렉터 (24) 에 출력한다.The
셀렉터 (21) 는 셀렉터 (18) 에 의해 재배열 처리된 어드레스 출력으로부터 X 스페어 영역에 유효한 어드레스를 선택하고, 선택한 어드레스를 셀렉터 (24) 에 출력한다.The
셀렉터 (22) 는 셀렉터 (18) 에 의해 재배열 처리된 어드레스 출력으로부터 Y 스페어 영역에 유효한 어드레스를 선택하고, 선택한 어드레스를 셀렉터 (24) 에 출력한다.The
셀렉터 (23) 는 셀렉터 (18) 에 의해 재배열 처리된 어드레스 출력으로부터 XY 스페어 영역에 유효한 어드레스를 선택하고, 선택한 어드레스를 셀렉터 (24) 에 출력한다.The
셀렉터 (24) 는 셀렉터 (19) 에 의해 선택된 각각의 영역 구획에 대응한 어드레스 비트에 기초하여 셀렉터 (20∼23) 에서 선택된 각 영역의 유효 어드레스를 선택하고, 페일 메모리 (6) 에 어드레스로서 입력한다. 이들 셀렉터 (19∼24) 는 도 1 에서의 어드레스 변환부 (8) 를 구성하고 있다.The
셀렉터 (25) 는 셀렉터 (18) 에 의해 재배열 처리된 어드레스 출력으로부터 일방의 모드에서의 페일 비트 번호의 할당을 결정하는 어드레스를 선택하고, 선택한 어드레스를 셀렉터 (27) 에 출력한다.The
셀렉터 (26) 는 셀렉터 (18) 에 의해 재배열 처리된 어드레스 출력으로부터 타방의 모드에서의 페일 비트 번호의 할당을 결정하는 어드레스를 선택하고, 선택한 어드레스를 셀렉터 (27) 에 출력한다.The selector 26 selects an address that determines allocation of a fail bit number in the other mode from the address output rearranged by the
셀렉터 (27) 는 모드 지정 신호에 기초하여 셀렉터 (25, 26) 에서 선택된 어느 하나의 어드레스를 선택하고, 페일 데이터 할당부 (28) 에 할당 결정 어드레스 로서 입력한다.The
페일 데이터 할당부 (28) 에는 DUT 의 페일 데이터도 입력되어 있다. 페일 데이터 할당부 (28) 는, 이 셀렉터 (27) 로부터 입력되는 어드레스를 참조하여 입력되는 DUT 의 페일 데이터의 저장 할당을 결정하고, 페일 메모리 (6) 에 저장하는 페일 데이터로서 페일 메모리 (6) 에 출력한다. 이 페일 데이터 할당부 (28) 는, 도 1 의 데이터 유효화 비트 저장 메모리 (12), 데이터 유효화 비트 선택부 (13), 데이터 게이트 (14) 및 데이터 선택부 (15) 를 포함하는 것이다.The fail
그런데, 도 3 에 나타내는 바와 같이 2 개 이상의 검사 모드를 갖는 DUT 에서, 각 영역의 구획을 나타내는 어드레스가 각 검사 모드에서 상이한 경우, 도 2 의 회로 구성에서는, 이하의 2 가지 요인으로 인하여 검사를 실시할 수 없다. 또한, 도 3 의 예에서는, (a) 는 검사 모드 1 로서 영역 전환 어드레스가 (X3, Y2) 로 설정되고, (b) 는 검사 모드 2 로서 영역 전환 어드레스가 (X4, Y4) 로 설정되어 있다.By the way, in the DUT having two or more test modes as shown in FIG. 3, when the address indicating the partition of each area is different in each test mode, the circuit configuration of FIG. 2 performs the test due to the following two factors. Can not. In addition, in the example of FIG. 3, (a) is the
1) 셀렉터 (20∼23) 의 출력을 전환하기 위해 셀렉터 (24) 로부터 출력되는 어드레스를 각 검사 모드에서 공통으로 할 필요가 있다. 이것은 페일 메모리 (6) 의 구조상 메인/스페어 영역을 각각 물리적으로 상이한 메모리에 저장하기 위해서이다.1) In order to switch the output of the
2) 셀렉터 (25, 26) 가 각 영역에서 개별로 준비되어 있지 않다.2) The
도 4 는 도 1 의 다른 구체적인 회로예도이며, 도 3 에 나타내는 바와 같은 2 개 이상의 검사 모드를 갖는 DUT 의 검사를 실시할 수 있는 것으로서, 도 2 와 공통되는 부분에는 동일한 부호를 붙이고 있다.FIG. 4 is another specific circuit example of FIG. 1, in which a DUT having two or more inspection modes as shown in FIG. 3 can be inspected, and the same reference numerals are given to parts common to FIG. 2.
도 4 에 있어서, 셀렉터 (29 와 30) 는, 입력되는 DUT 의 X/Y 어드레스에 대하여, 메인 영역과 X 스페어 영역과 Y 스페어 영역과 XY 스페어 영역의 구획을 나타내는 어드레스 비트의 배치가 동일하게 배열되도록 각각에 할당되어 있는 디바이스 검사 모드에서의 재배열 처리를 실시하고, 재배열 처리된 어드레스를 셀렉터 (31) 에 출력한다.In Fig. 4, the
셀렉터 (31) 는, 모드 지정 신호에 기초하여 셀렉터 (29 및 30) 에서 재배열된 어느 하나의 어드레스를 선택하고, 후단에 접속되는 셀렉터 (19∼26) 에 입력된다.The
셀렉터 (19) 는 도 2 와 동일한 영역 전환 어드레스 비트를 선택하고, 셀렉터 (20∼24) 는 도 2 와 동일한 어드레스 변환 처리를 실시하여, 페일 메모리 (6) 에 어드레스로서 입력한다.The
셀렉터 (32∼35) 와 셀렉터 (37∼40) 는 각 검사 모드별로, 입력되는 DUT 의 X/Y 어드레스로부터 입력되는 DUT 의 저장 할당을 결정하는 어드레스를 메인 영역과 X 스페어 영역과 Y 스페어 영역과 XY 스페어 영역마다 개별적으로 선택한다.The
셀렉터 (36) 와 셀렉터 (41) 는, 셀렉터 (19) 에 의해 선택된 영역 전환 어드레스 비트에 기초하여, 셀렉터 (32∼35) 와 셀렉터 (37∼40) 에 의해 선택된 DUT 의 메인 영역과 X 스페어 영역과 Y 스페어 영역과 XY 스페어 영역에서의 페일 데이터의 페일 메모리 (6) 에 대한 저장 할당을 결정하는 어드레스를 결정한다.The
셀렉터 (42) 는 모드 지정 신호에 기초하여, 셀렉터 (36) 와 셀렉터 (41) 의 출력을 전환한다.The
페일 데이터 할당부 (28) 는, 도 2 와 동일하게, 셀렉터 (42) 로부터 입력되는 어드레스를 참조하여 입력되는 DUT 의 페일 데이터의 저장 할당을 결정하고, 페일 메모리 (6) 에 저장하는 페일 데이터로서 페일 메모리 (6) 에 출력한다.As in FIG. 2, the fail
도 2 의 구성에서는, 각각의 디바이스 검사 모드에서 각 영역의 구획을 나타내는 어드레스 비트가 상이한 경우, 검사를 실시할 수 없었다. 이것은 페일 메모리 (6) 의 구조상, 메인 영역과 X 스페어 영역과 Y 스페어 영역과 XY 스페어 영역을 각각 물리적으로 상이한 메모리에 저장하기 위해, 셀렉터 (19) 에 입력되는 어드레스는 검사 모드에 관계없이 항상 동일한 필요가 있음에 기초한다. 즉, 셀렉터 (19) 를 검사 모드별로 전환함으로써 셀렉터 (19) 에 입력되는 어드레스가 검사 모드별로 바뀌고, 셀렉터 (19) 에 의해 선택되는 영역 전환 어드레스 비트의 각 영역에 대한 할당이 바뀌어 버리기 때문이다.In the configuration of Fig. 2, the inspection could not be performed when the address bits representing the divisions of the respective areas were different in the respective device inspection modes. This is because in the structure of the
이에 대해, 도 4 에서는 어드레스 재배열부를 셀렉터 (29∼31) 로 구성하고, 여기에서 각 검사 모드별로 셀렉터 (19) 에서 선택되는 영역의 구획을 나타내는 어드레스 비트가 동일해지도록 어드레스를 재배열함으로써, 셀렉터 (19) 를 검사 모드별로 전환하지 않고, 영역의 구획을 나타내는 어드레스 비트가 상이한 도 3 과 같이 복수의 검사 모드를 갖는 DUT 의 검사에도 대응할 수 있게 된다.In contrast, in Fig. 4, the address rearrangement unit is constituted by the
도 3 에 나타내는 검사 모드 1 에서의 도 4 의 설정예에 대하여 설명한다.The setting example of FIG. 4 in the
1) 셀렉터 (29) 에 의해, 입력 어드레스 비트를 이하와 같이 재배열한다.1) The
(MSB){X3, Y2, Y1, Y0, X2, X1, X0}(LSB)(MSB) {X3, Y2, Y1, Y0, X2, X1, X0} (LSB)
이후, 상기 어드레스 비트의 배열을 {A7, A6, A5, A4, A3, A2, A1, A0} 이라고 표기한다.Subsequently, the arrangement of the address bits is referred to as {A7, A6, A5, A4, A3, A2, A1, A0}.
셀렉터 (29) : {A7, A6, A5, A4, A3, A2, A1, A0}={X3, Y2, Y1, Y0, X2, X1, X0}Selector 29: {A7, A6, A5, A4, A3, A2, A1, A0} = {X3, Y2, Y1, Y0, X2, X1, X0}
2) 검사 모드 1 선택시, 모드 지정 신호에 의해 셀렉터 (31) 에 의해 셀렉터 (29) 가 선택되는 것으로 한다.2) When the
3) 셀렉터 (20∼23) 에 의해, 셀렉터 (29) 와 각 영역에서의 페일 메모리의 물리 어드레스의 할당을 결정한다.3) The
메인 영역 : (A5, A4, A3, A2, A1, A0) Main area: (A5, A4, A3, A2, A1, A0)
X 스페어 영역 : (A7, A6, A4, A3, A1, A0) X spare area: (A7, A6, A4, A3, A1, A0)
Y 스페어 영역 : (A7, A6, A3, A2, A1, A0) Y spare area: (A7, A6, A3, A2, A1, A0)
XY 스페어 영역 : (A7, A6, LOW, A3, A1, A0) XY spare area: (A7, A6, LOW, A3, A1, A0)
4) 셀렉터 (29) 에 의해, 각 영역의 구획된 어드레스 비트를 선택한다.4) The
X 어드레스 : A7 X address: A7
Y 어드레스 : A6 Y address: A6
5) 셀렉터 (32∼35) 에 의해, DUT 의 검사 모드 1 에서의 각 영역의 페일 데이터의 저장 할당을 결정하는 어드레스를 각각 선택한다.5) The
메인 영역 : (X0) Main area: (X0)
X 스페어 영역 : (X0) X spare area: (X0)
Y 스페어 영역 : (X0) Y spare area: (X0)
XY 스페어 영역 : (X0) XY spare area: (X0)
6) 페일 데이터 할당부 (28) 에서 검사 모드 1 에서의 페일 메모리 (6) 에 대한 페일 데이터의 저장 할당을 결정한다. 예를 들어, 페일 메모리 (6) 의 비트폭이 16 이라고 가정했을 경우, 도 5 와 같이 할당을 실시한다.6) The fail
다음으로, 도 3 에 나타내는 검사 모드 2 에서의 도 4 의 설정예에 대하여 설명한다.Next, the setting example of FIG. 4 in the
7) 셀렉터 (29) 에 의해, 입력 어드레스 비트를 이하와 같이 재배열한다.7) The
(MSB){X4, Y4, Y3, Y2, Y1, Y0, X3, X2, X1, X0}(LSB)(MSB) {X4, Y4, Y3, Y2, Y1, Y0, X3, X2, X1, X0} (LSB)
이후, 상기 어드레스 비트의 배열을 {A7, A6, A5, A4, A3, A2, A1, A0} 이라고 표기한다.Subsequently, the arrangement of the address bits is referred to as {A7, A6, A5, A4, A3, A2, A1, A0}.
셀렉터 (29) : {A9, A8, A7, A6, A5, A4, A3, A2, A1, A0}={X4, Y4, Y3, Y2, Y1, Y0, X3, X2, X1, X0}Selector 29: {A9, A8, A7, A6, A5, A4, A3, A2, A1, A0} = {X4, Y4, Y3, Y2, Y1, Y0, X3, X2, X1, X0}
8) 검사 모드 2 선택시, 모드 지정 신호에 의해 셀렉터 (31) 에 의해 셀렉터 (29) 가 선택되는 것으로 한다.8) When the
9) 셀렉터 (20∼23) 에 의해, 셀렉터 (29) 와 각 영역에서의 페일 메모리의 물리 어드레스의 할당을 결정한다.9) The
메인 영역 : (A5, A4, A3, A2, A1, A0) Main area: (A5, A4, A3, A2, A1, A0)
X 스페어 영역 : (A7, A6, A4, A3, A1, A0) X spare area: (A7, A6, A4, A3, A1, A0)
Y 스페어 영역 : (A7, A6, A3, A2, A1, A0) Y spare area: (A7, A6, A3, A2, A1, A0)
XY 스페어 영역 : (A7, A6, LOW, A3, A1, A0) XY spare area: (A7, A6, LOW, A3, A1, A0)
10) 셀렉터 (29) 에 의해, 각 영역의 구획의 어드레스 비트를 선택한다.10) The
X 어드레스 : A7 X address: A7
Y 어드레스 : A6 Y address: A6
11) 셀렉터 (32∼35) 에 의해, DUT 의 검사 모드 2 에서의 각 영역의 페일 데이터의 저장 할당을 결정하는 어드레스를 각각 선택한다.11) The
메인 영역 : (Y3, Y2, X3, X0) Main area: (Y3, Y2, X3, X0)
X 스페어 영역 : (Y3, Y2, X2, X0) X spare area: (Y3, Y2, X2, X0)
Y 스페어 영역 : (Y2, Y1, X3, X0) Y spare area: (Y2, Y1, X3, X0)
XY 스페어 영역 : (Y2, Y1, X2, X0) XY spare area: (Y2, Y1, X2, X0)
12) 페일 데이터 할당부 (28) 에서 검사 모드 2 에서의 페일 메모리 (6) 에 대한 페일 데이터의 저장 할당을 결정한다. 예를 들어, 페일 메모리 (6) 의 비트폭이 16 이라고 판정한 경우, 도 6 과 같이 할당을 실시한다.12) The fail
또한, DUT 의 검사 모드의 전환을 페일 데이터의 입력 중에는 실시하지 않고, 페일 데이터 입력 개시시에 결정함으로써, 도 4 에서의 셀렉터 (30) 및 셀렉터 (37∼41) 를 생략할 수 있다.In addition, the
또, DUT 의 검사 모드의 전환을 페일 데이터의 입력 중에 임의로 실시할 수 있도록 하는 경우에는, 전환 검사 모드의 수에 따라, 어드레스 재배열부를 구성하는 셀렉터 계통 및 페일 데이터 할당부 (28) 에 입력되는 어드레스를 결정하는 셀렉터 계통을 증설하면 된다. 예를 들어, DUT 의 검사 모드가 3 종류인 경우에는, 도 4 의 어드레스 재배열부를 구성하는 셀렉터 (31) 에 입력되는 셀렉터를 3 개로 하고, 페일 데이터 할당부 (28) 에 입력되는 어드레스를 결정하기 위한 셀렉터 (42) 에 입력되는 4 개의 셀렉터와 1 개의 셀렉터의 조합 (32∼36 과 37∼41) 도 3 개로 하면 된다.In addition, when switching the DUT inspection mode can be arbitrarily performed during the input of the fail data, the selector system and the fail
또한, 페일 메모리 (6) 의 1 어드레스당 저장 비트폭이 고정이고, DUT 의 검사 모드에서의 IO 수의 범위를 한정 (예를 들어, 2 비트/4 비트/8 비트) 하고, 또한 각 영역의 DUT 의 페일 데이터의 저장 할당을 결정하는 어드레스는 동일하게 하면, 도 4 의 회로를 도 7 과 같은 구성으로 할 수도 있다.In addition, the storage bit width per address of the
도 7 에서, 어드레스 재배열부 (43) 에는, DUT 의 검사 모드에서의 IO 수와 페일 메모리 (6) 의 비트폭에 따른 소정의 어드레스가 셀렉터 (24) 및 셀렉터 (27) 로부터 입력된다. 어드레스 재배열부 (43) 는, 이들 어드레스를 선택하고 재배열하여 페일 데이터 할당부 (28) 에 출력한다. 페일 데이터 할당부 (28) 는 페일 메모리 (6) 에 대한 페일 데이터의 저장 할당을 결정한다.In Fig. 7, the
예를 들어, 페일 메모리 (6) 의 비트폭이 1, 검사 모드 1 에서의 IO 수가 8, 검사 모드 2 에서의 IO 수가 16 인 경우의 재배열은 이하와 같이 된다. 여기에서, 비트폭이 16 이기 때문에, 페일 데이터의 저장 할당을 결정하는 어드레스는 최대 4 비트가 된다.For example, the rearrangement when the bit width of the
검사 모드 1 에서 페일 데이터의 저장 할당을 결정하는 어드레스 재배열부 (43) 로부터 출력되는 어드레스는, 페일 메모리의 비트폭이 16, 검사 모드 1 에서의 IO 수가 8 이기 때문에 1 비트이면 되고, 셀렉터 (24) 로부터 출력되는 어드레스의 LSB1 비트를 선택하여 나머지 3 비트는 "0" 으로 한다.The address output from the
검사 모드 2 에서 페일 데이터의 저장 할당을 결정하는 어드레스 재배열부 (43) 로부터 출력되는 어드레스는, 페일 메모리의 비트폭이 16, 검사 모드 2 에서의 IO 수가 1 이기 때문에 4 비트가 된다. 그래서, 셀렉터 (24) 로부터 출력되는 어드레스의 LSB1 비트를 선택하여 어드레스 재배열부 (43) 로부터 출력되는 어드레스의 LSB 로 하고, 나머지 3 비트는 셀렉터 (27) 로부터 출력되는 어드레스를 할당한다.The address output from the
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 소프트웨어 처리를 사용하지 않고, 데이터폭이 상이한 검사 모드에서의 검사 결과의 페일 메모리 상에서의 어드레스의 중첩 처리를 실시할 수 있는 메모리 검사 장치를 제공할 수 있다.As described above, according to the present invention, it is possible to provide a memory inspection apparatus capable of performing an overlapping process of an address on a fail memory of inspection results in an inspection mode having a different data width without using software processing.
이들에 의해, 소프트웨어 처리를 사용하지 않고, 데이터폭이 상이한 검사 모드에 있어서의 검사 결과의 페일 메모리 상에서의 어드레스의 중첩 처리를 실시할 수 있다.In this way, an address superimposition process on the fail memory of the inspection result in the inspection mode having a different data width can be performed without using software processing.
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