KR100793337B1

KR100793337B1 - 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법

Info

Publication number: KR100793337B1
Application number: KR20060114276A
Authority: KR
Inventors: 한재호; 김상배; 전동민
Original assignee: 삼성전기주식회사
Priority date: 2006-11-20
Filing date: 2006-11-20
Publication date: 2008-01-11

Abstract

본 발명은 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 기판 상에 형성된 n형 질화물 반도체층과, 상기 n형 질화물 반도체층 상의 소정 영역에 형성된 활성층과, 상기 활성층 상에 형성된 p형 질화물 반도체층과, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성되어 있으며, 전자 빔 증발법으로 증착된 제1 ITO 박막과 스퍼터링법으로 증착된 제2 ITO 박막이 순차 적층되어 이루어진 투명전극과, 상기 투명전극 상에 형성된 p형 본딩 금속 및 상기 활성층이 형성되지 않은 n형 질화물 반도체층 상에 형성된 n형 전극을 포함하는 질화물계 반도체 발광소자를 제공한다.

또한, 본 발명은 상기 질화물계 반도체 발광소자의 제조방법을 제공한다.

질화물계, 발광소자, 전류확산, 투명전극, ITO

Description

질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법{NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}

도 1은 종래 기술에 따른 스퍼터링(Sputtering)법으로 증착된 투명전극(ITO)의 특성을 나타낸 그래프.

도 2는 종래 기술에 따른 수평형 질화물계 반도체 발광소자의 구조를 나타낸 단면도.

도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 질화물계 반도체 발광소자의 구조를 나타낸 단면도.

도 4는 본 발명에 따른 하이브리드(Hybrid)법으로 증착된 투명전극(ITO)의 특성을 나타낸 그래프.

도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 질화물계 반도체 발광소자를 나타낸 단면도.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

100 : 기판 110 : 버퍼층

120 : n형 질화물 반도체층 130 : 활성층

140 : p형 질화물 반도체층 150 : 투명 전극

150a : 제1 ITO 박막 150b : 제2 ITO 박막

160 : n형 전극 170 : p형 본딩 금속

본 발명은 질화물계 반도체 발광소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 투명전극을 구비한 질화물계 반도체 발광소자에 있어서, 투명전극의 면저항 및 비저항을 감소시키는 동시에 광 투과율을 향상시켜 우수한 전기적/광학적 특성을 구현할 수 있는 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.

일반적으로, 투명한 전도성 산화물로 이루어진 투명전극은 평판 디스플레이, 태양전지, 청색 발광 다이오드 등과 같은 광학 장치 등의 전극으로 사용되고 있으며, 이러한 전극으로는 전기저항이 낮고 가시 광선 영역에서 광 투과율이 높은 Sn이 함유된 In₂O₃로 이루어진 ITO 박막이 널리 사용되고 있다.

하지만, 상기 ITO 박막의 특성은 제조 방법 및 조건에 매우 민감한 것으로 알려져 있으며, 제조 방법으로는 주로 스퍼터링(Sputtering)법과 열 증발(Thermal evaporation)법 및 전자 빔 증발(Electron beam evaporation)법이 사용되고 있다.

상기 스퍼터링(Sputtering)법으로 제조된 ITO 박막은 막질이 치밀하고 또한 전기적/광학적 특성이 우수하여 유기물 발광 다이오드, LCD 및 태양 전지 등에 사용되고 있으나, 플라즈마 손상 및 증착되는 이온들의 가속으로 인한 손상을 통한 특성 열화 즉, 누설전류가 발생(도 1 참조)하여 비발광성 재결합이 늘어나는 문제가 있다. 여기서, 도 1은 종래 기술에 따른 스퍼터링(Sputtering)법으로 증착된 투명전극(ITO)의 특성을 나타낸 그래프이다.

또한, 상기 전자 빔 증발(Electron beam evaporation)법은 생산 비용이 낮아 양산성이 우수하여 GaN 등의 질화물계 반도체를 이용한 발광 다이오드 등에 사용되고 있으나, 스퍼터링법과 비교하여 볼 때, 막질이 치밀하지 못하여 이하, 표 1에 도시된 바와 같이 물질 특성, 특히 면저항 및 비저항 값이 높은 문제가 있다.

이에 따라, 질화물계 반도체 발광소자는 ITO 박막을 치밀하게 하는 동시에 면저항 및 비저항을 감소시키기 위해, 최근 다양한 연구들이 진행되고 있다.

이러한 질화물계 반도체 발광소자는 크게 수평형 발광소자(laterally structured light emitting diodes)와 수직형 발광소자(vertically structured light emitting diodes)로 분류된다.

그러면, 이하 도면을 참조하여 상기와 같은 종래 기술에 따른 질화물계 반도체 발광소자의 문제점을 수평형 질화물계 반도체 발광소자를 예로 들어 설명하기로 한다.

도 1은 종래 기술에 따른 수평형 질화물계 반도체 발광소자의 구조를 나타낸 단면도이다.

도 1에 도시한 바와 같이, 종래 기술에 따른 수평형 질화물계 반도체 발광소자는 사파이어 기판(100) 상에 순차적으로 형성된 버퍼층(110), n형 질화물 반도체층(120), 활성층(130) 및 p형 질화물 반도체층(140)을 포함하며, 상기 p형 질화물 반도체층(140)과 활성층(130)은 메사 식각(mesa etching) 공정에 의하여 그 일부 영역이 제거되는 바, n형 질화물 반도체층(120)의 일부 상면을 노출한 구조를 갖는다.

상기 노출된 n형 질화물 반도체층(120) 상에는 n형 전극(160)이 형성되어 있고, 상기 p형 질화물 반도체층(140) 상에는 투명전극(150)과 p형 본딩 금속(170)이 순차 형성되어 있다.

상기 투명전극(150)은 전류 확산 역할과 p형 전극 역할을 동시에 함으로써, 전기 저항이 낮고 가시 광선 영역에서 광 투과율이 높은 ITO 박막으로 형성되어 있다.

그런데, 종래 기술에 따른 질화물계 반도체 발광소자는 상기 ITO 박막으로 이루어진 투명전극(150)을 스퍼터링법과 전자 빔 증발법 중 어느 하나의 증착 방법을 사용하여 단일층으로 형성하였다.

그러나, 상기와 같이, 상기 스퍼터링(Sputtering)법으로 제조된 ITO 박막은 플라즈마 손상 및 증착되는 이온들의 가속으로 인한 손상을 통한 특성 열화 즉, 누설전류가 발생(도 1 참조)하여 비발광성 재결합이 늘어나는 문제가 있었으며, 상기 전자 빔 증발(Electron beam evaporation)법으로 제조된 ITO 박막은 스퍼터링법으로 제조된 ITO 박막과 비교할 때, 막질이 치밀하지 못하여 물질 특성인 면저항 및 비저항 값이 크기 때문에 소자의 특성 및 신뢰성이 낮아지는 문제가 있었다.

따라서, 본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 상기 투명전극을 이루는 ITO 박막의 막질을 치밀하게 하여 우수한 전기적 특성과 우수한 광학적 특성을 동시에 갖는 질화물계 반도체 발광소자를 제공하는 데 있다.

또한, 본 발명의 다른 목적은 상기한 질화물계 반도체 발광소자의 제조방법을 제공하는 데 있다.

상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 기판 상에 형성된 n형 질화물 반도체층과, 상기 n형 질화물 반도체층 상의 소정 영역에 형성된 활성층과, 상기 활성층 상에 형성된 p형 질화물 반도체층과, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성되어 있으며, 전자 빔 증발법으로 증착된 제1 ITO 박막과 스퍼터링법으로 증착된 제2 ITO 박막이 순차 적층되어 이루어진 투명전극과, 상기 투명전극 상에 형성된 p형 본딩 금속 및 상기 활성층이 형성되지 않은 n형 질화물 반도체층 상에 형성된 n형 전극을 포함하는 질화물계 반도체 발광소자를 제공한다.

또한, 상기 본 발명의 질화물계 반도체 발광소자에서, 상기 제1 ITO 박막과 상기 제2 ITO 박막은 광 추출 효율을 높이기 위하여 서로 다른 굴절율을 갖는 것이 바람직하다.

또한, 상기 본 발명의 질화물계 반도체 발광소자에서, 상기 기판과 상기 n형 질화물 반도체층 사이 계면에 형성된 버퍼층을 더 포함하는 것이 바람직하다.

상기한 목적을 달성하기 위해 또 다른 본 발명은 n형 전극과, 상기 n형 전극 하면에 형성되어 있으며, 전자 빔 증발법으로 증착된 제1 ITO 박막과 스퍼터링법으로 증착된 제2 ITO 박막이 순차 적층되어 이루어진 투명전극과, 상기 투명전극 하면에 형성된 n형 질화물 반도체층과, 상기 n형 질화물 반도체층 하면에 형성된 활성층과, 상기 활성층 하면에 형성된 p형 질화물 반도체층과, 상기 p형 질화물 반도체층 하면에 형성된 p형 전극 및 상기 p형 전극 하면에 형성된 구조지지층을 포함하는 질화물계 반도체 발광소자를 제공한다.

또한, 상기 본 발명의 질화물계 반도체 발광소자에서, 상기 n형 전극은 반사성 금속으로 이루어지는 것이 바람직하다.

또한, 상기 본 발명의 질화물계 반도체 발광소자에서, 상기 n형 전극과 상기 투명전극 사이 계면에 형성된 반사전극을 더 포함하는 것이 바람직하다.

상기한 다른 목적을 달성하기 위해 본 발명은 기판 상에 n형 질화물 반도체층을 형성하는 단계와, 상기 n형 질화물 반도체층 상에 활성층을 형성하는 단계와, 상기 활성층 위에 p형 질화물 반도체층을 형성하는 단계와, 상기 p형 질화물 반도체층 및 상기 활성층의 일부를 메사 식각하여 상기 n형 질화물 반도체층의 일부를 드러내는 단계와, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 전자 빔 증발법으로 증착된 제1 ITO 박막과 스퍼터링법으로 증착된 제2 ITO 박막이 순차 적층되어 있는 투명전극을 형성하는 단계와, 상기 투명전극 상에 p형 본딩 금속을 형성하는 단계 및 상기 드러난 n형 질화물 반도체층 상에 n형 전극을 형성하는 단계를 포함하는 질화물계 반도체 발광소자의 제조방법을 제공한다.

상기한 다른 목적을 달성하기 위해 또 다른 본 발명은 기판 상에 n형 질화물 반도체층, 활성층, p형 질화물 반도체층을 순차적으로 형성하여 LED 구조물을 형성하는 단계와, 상기 LED 구조물 상에 p형 전극을 형성하는 단계와, 상기 p형 전극 상에 구조지지층을 형성하는 단계와, 상기 기판을 제거하여 n형 질화물 반도체층을 드러내는 단계와, 상기 기판이 제거되어 드러난 상기 n형 질화물 반도체층 상에 전자 빔 증발법으로 증착된 제1 ITO 박막과 스퍼터링법으로 증착된 제2 ITO 박막이 순차 적층되어 있는 투명전극을 형성하는 단계와, 상기 투명전극 상에 n형 전극을 형성하는 단계를 포함하는 질화물계 반도체 발광소자의 제조방법을 제공한다.

이하 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하 는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 병기하였다.

이제 본 발명의 실시예에 따른 질화물계 반도체 발광소자에 대하여 도면을 참고로 하여 상세하게 설명한다.

실시예 1

우선, 도 3을 참고하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 질화물계 반도체 발광소자에 대하여 상세히 설명한다.

도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 질화물계 반도체 발광소자의 구조를 나타낸 단면도이다.

도 3에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 질화물계 반도체 발광소자는 수평형 질화물계 반도체 발광소자로, 기판(100) 상에 버퍼층(110), n형 질화물 반도체층(120), 활성층(130) 및 p형 질화물 반도체층(140)이 순차 적층되어 있다.

상기 기판(100)은, 질화물 반도체 단결정을 성장시키기에 적합한 기판으로서, 바람직하게, 사파이어를 포함하는 투명한 재료를 이용하여 형성되며. 사파이어 이외에, 징크 옥사이드(zinc oxide, ZnO), 갈륨 나이트라이드(gallium nitride, GaN), 실리콘 카바이드(silicon carbide, SiC) 및 알루미늄 나이트라이드(AlN) 등으로 형성될 수 있다.

상기 버퍼층(110)은, 상기 n형 질화물 반도체층(120)을 성장하기 전에 상기 기판(100)과의 격자정합을 향상시키기 위한 층으로, 일반적으로 GaN 또는 Ga을 포함한 질화물 예를 들어, SiC/InGaN으로 형성되어 있으며, 이는 소자의 특성 및 공정 조건에 따라 생략 가능하다.

상기 n형 및 p형 질화물 반도체층(120, 140)과 활성층(130)은, In_XAl_YGa₁ _-X- _YN 조성식(여기서, 0≤X, 0≤Y, X+Y≤1)을 갖는 반도체 물질로 이루어질 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 n형 질화물 반도체층(120)은 n형 도전형 불순물이 도핑된 GaN층 또는 GaN/AlGaN층으로 이루어질 수 있으며, n형 도전형 불순물로는 예를 들어, Si, Ge, Sn 등을 사용하고, 바람직하게는 Si를 주로 사용한다. 또한, 상기 p형 질화물 반도체층(140)은 p형 도전형 불순물이 도핑된 GaN층 또는 GaN/AlGaN층으로 이루어질 수 있으며, p형 도전형 불순물로는 예를 들어, Mg, Zn, Be 등을 사용하고, 바람직하게는 Mg를 주로 사용한다. 그리고, 상기 활성층(130)은 다중 양자우물(Multi-Quantum Well) 구조의 InGaN/GaN층으로 이루어질 수 있다.

한편, 상기 활성층(130)은 하나의 양자우물층 또는 더블헤테로 구조로 형성될 수 있다. 또한, 상기 활성층(130)은 이를 구성하고 있는 인듐(In)의 양으로 다이오드가 녹색 발광소자인지 청색 발광소자인지를 결정한다. 보다 상세하게는 청색 빛을 갖는 발광소자에 대해서는, 약 22% 범위의 인듐이 사용되며, 녹색 빛을 갖 는 발광소자에 대해서는, 약 40% 범위의 인듐이 사용된다. 즉, 상기 활성층(130)을 형성하는데 사용되는 인듐의 양은 필요로 하는 청색 또는 녹색 파장에 따라 변한다.

상기 활성층(130)과 p형 질화물 반도체층(140)의 일부는 메사 식각(mesa etching)으로 제거되어, 저면에 n형 질화물 반도체층(120)의 일부를 노출하고 있다.

상기 p형 질화물 반도체층(140) 상에는 전자 빔 증발법으로 증착된 제1 ITO 박막(150a)과 스퍼터링법으로 증착된 제2 ITO 박막(150b)이 순차 적층되어 이루어진 투명전극(150)이 형성되어 있다. 이때, 본 실시예에 따른 상기 투명전극(150)은, 즉 제1 및 제2 ITO 박막(150a, 150b)은 모두 무게 비율로 10%의 SnO₃ 가 함유된 ITO로 이루어져 있다. 이는 Sn이 함유된 ITO 박막이 전기저항이 낮고 가시 광선 영역에서 광 투과율이 높기 때문이다.

특히, 본 발명에 따른 상기 제1 ITO 박막(150a)과 상기 제2 ITO 박막(150b)은 서로 다른 굴절율을 갖는 것이 바람직하며, 이에 따라, 광 추출 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.

그러면, 이하 본 발명에 따른 투명전극(150)에 대하여 보다 상세하게 설명한다.

본 발명에 따른 투명전극(150)은, 우선, 상기 p형 질화물 반도체층(140) 상 에 생산 비용이 낮아 양산성이 우수한 전자 빔 증발법으로 형성된 제1 ITO 박막(150a)이 위치한다. 이때, 상기 제1 ITO 박막(150a)은, 그 위에 스퍼터링법을 이용하여 형성될 제2 ITO 박막(150b)의 형성 공정 시, 스퍼터링법에 의한 플라즈마 손상 및 증착되는 이온들의 가속으로 인한 손상을 최소화시키는 완충층 역할을 한다.

그런 다음 상기 제1 ITO 박막(150a)을 완충층으로 이용하여 그 위에 제2 ITO 박막(150b)을 스퍼터링법으로 형성하게 되면 즉, 상기 투명전극(150)을 종래와 같은 전자 빔 증발법 또는 스퍼터링법 중 어느 하나인 단일법이 아닌 하이브리드(Hybrid)법으로 형성하게 되면, 도 4에 나타낸 바와 같이, 질화물계 반도체 발광소자를 4시간 동안 구동하여도 누설전류가 전혀 발생하지 않음을 알 수 있다.

여기서, 도 4는 본 발명에 따른 하이브리드법으로 증착된 투명전극(ITO)의 특성을 나타낸 그래프이다.

이와 같이, 막질을 치밀하게 형성할 수 있는 스퍼터링법으로 제2 ITO 박막(150b)을 형성하기 전에 전자 빔 증발법으로 제1 ITO 박막(150a)을 형성하여 스퍼터링법에 따른 손상의 완충층 역할을 하게 하면, 이하 표 2 및 표 3에 도시한 바와 같이, 우수한 전기적 특성(면저항 및 비저항) 및 우수한 광학적 특성(광투과율)을 동시에 갖는 질화물계 반도체 발광소자를 얻을 수 있다. 여기서, 표 2는 형성법에 따른 투명전극의 전기적 특성을 나타낸 표이고, 표 3은 형성법에 따른 투명전극의 광학적 특성을 나타낸 표이다.

그리고, 상기 투명전극(150) 상에는 Cr/Au 등으로 이루어진 p형 본딩 금속(170)이 형성되어 있고, 상기 메사 식각에 의해 노출된 n형 질화물 반도체층(120) 상의 소정 부분에는 반사 역할 및 전극 역할을 동시에 하는 n형 전극(160)이 형성되어 있다.

실시예 2

그러면, 이하 도 5를 참고하여 본 발명의 제2 실시예에 따른 질화물계 반도체 발광소자에 대하여 상세히 설명한다. 도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 질화물계 반도체 발광소자를 나타낸 단면도이다.

도 5에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제2 실시예에 따른 질화물계 반도체 발광소자는 수직형 질화물계 반도체 발광소자로, 최상부에는 Cr/Au 등으로 이루어진 n형 전극(160)이 형성되어 있다.

상기 n형 전극(160)은, 반사성 금속으로 이루어져 반사 역할 및 전극 역할을 동시에 하는 것이 바람직하며, 반사성 금속으로 이루어지지 않았을 경우엔, 도시 하지 않았으나, 상기 n형 전극(160) 하면에 형성된 반사전극을 더 포함하는 것이 바람직하다.

상기 n형 전극(160)의 하면에는 스퍼터링법으로 증착된 제2 ITO 박막(150b) 및 전자 빔 증발법으로 증착된 제1 ITO 박막(150a)이 아래로 순차 적층되어 이루어진 투명전극(150)이 형성되어 있다. 이때, 본 실시예에 따른 상기 투명전극(150)은, 제1 실시예와 마찬가지로 제1 및 제2 ITO 박막(150a, 150b) 모두 무게 비율로 10%의 SnO₃ 가 함유된 ITO로 이루어져 있다. 이는 Sn이 함유된 ITO 박막이 전기저항이 낮고 가시 광선 영역에서 광 투과율이 높기 때문이다.

즉, 본 발명의 제2 실시예에 따른 투명전극(150) 또한, 상기 제1 실시예에 따른 투명전극(150)과 동일한 작용 및 효과를 얻을 수 있다.

또한, 본 발명에 따른 상기 제1 ITO 박막(150a)과 상기 제2 ITO 박막(150b)은 서로 다른 굴절율을 갖는 것이 바람직하며, 이에 따라, 광 추출 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.

상기 투명전극(150) 하면에는 n형 질화물 반도체층(120)이 형성되어 있다.

상기 n형 질화물 반도체층(120) 하면에는 활성층(130) 및 p형 질화물 반도체층(140)이 아래로 순차 적층되어 있다.

상기 n형 또는 p형 질화물 반도체층(120, 140)은 각 도전형 불순물 도핑된 GaN층 또는 GaN/AlGaN층일 수 있으며, 상기 활성층(130)은 InGaN/GaN층으로 구성된 다중우물 구조(Multi-Quantum Well)일 수 있다.

상기 p형 질화물 반도체층(140) 하면에는 p형 전극(180)이 형성되어 있다. 한편, 도시하지는 않았지만, 상기 p형 질화물 반도체층(140) 하면에는 p형 전극(180) 및 반사막(도시하지 않음)이 아래로 순차 적층되어 있는 구조를 가질 수 있으며, 본 실시예와 같이, 반사막을 구비하지 않을 경우에는 p형 전극(180)이 반사막의 역할을 한다.

상기 p형 전극(180) 하면에는 도전성 접합층(도시하지 않음)에 의해 구조지지층(200)이 접합되어 있다. 이때, 상기 구조지지층(200)은 최종적인 질화물계 반도체 발광소자의 지지층 및 전극으로서의 역할을 수행하는 것으로서, 실리콘(Si) 기판, GaAs 기판, Ge 기판 또는 금속층 등으로 이루어진다. 여기서 상기 금속층은 전해 도금, 무전해 도금, 열증착(Thermal evaporator), 전자선증착(e-beam evaporator), 스퍼터(Sputter), 화학기상증착(CVD) 등의 방식을 통하여 형성된 것이 사용가능하다.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.

상기한 바와 같이, 본 발명은 상기 투명전극을 전자 빔 증발법과 스퍼터링법을 모두 사용한 하이브리드법을 이용하여 형성함으로써, 상기 투명전극을 이루는 ITO 박막의 막질을 치밀하하여 우수한 전기적 특성과 우수한 광학적 특성을 동시에 갖는 질화물계 반도체 발광소자를 구현할 있다.

따라서, 본 발명은 질화물계 반도체 발광소자의 특성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

Claims

기판 상에 형성된 n형 질화물 반도체층;

상기 n형 질화물 반도체층 상의 소정 영역에 형성된 활성층;

상기 활성층 상에 형성된 p형 질화물 반도체층;

상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성되어 있으며, 전자 빔 증발법으로 증착된 제1 ITO 박막과 스퍼터링법으로 증착된 제2 ITO 박막이 순차 적층되어 이루어진 투명전극;

상기 투명전극 상에 형성된 p형 본딩 금속; 및

상기 활성층이 형성되지 않은 n형 질화물 반도체층 상에 형성된 n형 전극;을 포함하는 질화물계 반도체 발광소자.
제1항에 있어서,

상기 제1 ITO 박막과 상기 제2 ITO 박막은 서로 다른 굴절율을 갖는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자.
제1항에 있어서,

상기 기판과 상기 n형 질화물 반도체층 사이 계면에 형성된 버퍼층을 더 포 함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자.
n형 전극;

상기 n형 전극 하면에 형성되어 있으며, 전자 빔 증발법으로 증착된 제1 ITO 박막과 스퍼터링법으로 증착된 제2 ITO 박막이 순차 적층되어 이루어진 투명전극;

상기 투명전극 하면에 형성된 n형 질화물 반도체층;

상기 n형 질화물 반도체층 하면에 형성된 활성층;

상기 활성층 하면에 형성된 p형 질화물 반도체층;

상기 p형 질화물 반도체층 하면에 형성된 p형 전극; 및

상기 p형 전극 하면에 형성된 구조지지층;을 포함하는 질화물계 반도체 발광소자.
제4항에 있어서,

상기 제1 ITO 박막과 상기 제2 ITO 박막은 서로 다른 굴절율을 갖는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자.
제4항에 있어서,

상기 n형 전극은 반사성 금속으로 이루어진 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자.
제4항에 있어서,

상기 n형 전극과 상기 투명전극 사이 계면에 형성된 반사전극을 더 포함하는 것 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자.
기판 상에 n형 질화물 반도체층을 형성하는 단계;

상기 n형 질화물 반도체층 상에 활성층을 형성하는 단계;

상기 활성층 위에 p형 질화물 반도체층을 형성하는 단계;

상기 p형 질화물 반도체층 및 상기 활성층의 일부를 메사 식각하여 상기 n형 질화물 반도체층의 일부를 드러내는 단계;

상기 p형 질화물 반도체층 상에 전자 빔 증발법으로 증착된 제1 ITO 박막과 스퍼터링법으로 증착된 제2 ITO 박막이 순차 적층되어 있는 투명전극을 형성하는 단계;

상기 투명전극 상에 p형 본딩 금속을 형성하는 단계; 및

상기 드러난 n형 질화물 반도체층 상에 n형 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 질화물계 반도체 발광소자의 제조방법.
제8항에 있어서,

상기 제1 ITO 박막과 상기 제2 ITO 박막은 서로 다른 굴절율을 가지게 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자의 제조방법.
제8항에 있어서,

상기 기판과 상기 n형 질화물 반도체층 사이 계면에 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자의 제조방법.
기판 상에 n형 질화물 반도체층, 활성층, p형 질화물 반도체층을 순차적으로 형성하여 LED 구조물을 형성하는 단계;

상기 LED 구조물 상에 p형 전극을 형성하는 단계;

상기 p형 전극 상에 구조지지층을 형성하는 단계;

상기 기판을 제거하여 n형 질화물 반도체층을 드러내는 단계;

상기 기판이 제거되어 드러난 상기 n형 질화물 반도체층 상에 전자 빔 증발법으로 증착된 제1 ITO 박막과 스퍼터링법으로 증착된 제2 ITO 박막이 순차 적층되어 있는 투명전극을 형성하는 단계;

상기 투명전극 상에 n형 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 질화물계 반도체 발광소자의 제조방법.
제11항에 있어서,

상기 제1 ITO 박막과 상기 제2 ITO 박막은 서로 다른 굴절율을 가지게 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자의 제조방법.
제11항에 있어서,

상기 n형 전극은 반사성 금속으로 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자의 제조방법.
제11항에 있어서,

상기 n형 전극과 상기 투명전극 사이 계면에 반사전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자의 제조방법.