KR100793314B1 - Multi-layer anode and top emission organic light emitting diode including the multi-layer anode - Google Patents
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Abstract
Description
도 1은 본 발명에 따른 다층 구조의 애노드 전극을 포함하는 유기 발광 소자의 개략적인 측단면도이다. 1 is a schematic side cross-sectional view of an organic light emitting device including an anode electrode having a multilayer structure according to the present invention.
도 2는 본 발명에 따른 유기 발광 소자의 I-V-L 특성 그래프이다. 2 is a graph illustrating I-V-L characteristics of an organic light emitting diode according to the present invention.
도 3은 본 발명에 따른 유기 발광 소자의 효율 특성 그래프이다. 3 is a graph of efficiency characteristics of the organic light emitting device according to the present invention.
도 4는 본 발명에 따른 유기 발광 소자의 발광 스펙트럼이다.4 is an emission spectrum of the organic light emitting device according to the present invention.
도 5는 본 발명에 따른 유기 발광 소자의 발광 이미지이다. 5 is a light emission image of the organic light emitting device according to the present invention.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>
10: 상향 발광 유기 발광 소자 11: 기판10: upward-emitting organic light emitting element 11: substrate
12: 애노드 12a: 하부 도전층12:
12b: 반사성 도전층 12c: 상부 도전층12b: reflective
13a: 정공 주입층 13b: 정공 수송층13a:
14: 발광층 15a: 전자 수송층14:
15b: 전자 주입층 16: 버퍼층15b: electron injection layer 16: buffer layer
17: 패시베이션층17: passivation layer
본 발명은 다층 구조의 애노드 전극 및 상기 애노드 전극을 포함하는 상향 발광 유기 발광 소자에 관한 것으로, 보다 구체적으로는, 반사성 도전층의 상부 및 하부에 도전성 금속 박막으로 형성되는 상부 도전층 및 하부 도전층을 포함하는 다층 구조의 애노드 전극 및 상기 애노드를 포함하는 상향 발광 유기 발광 소자에 관한 것이다.The present invention relates to an anode electrode having a multilayer structure and an upward light emitting organic light emitting device including the anode electrode, and more specifically, an upper conductive layer and a lower conductive layer formed of a conductive metal thin film on the upper and lower portions of the reflective conductive layer. It relates to an anode electrode having a multi-layer structure comprising a and an up-emitting organic light emitting device comprising the anode.
일반적으로 유기 발광 소자(organic emitting light device)는 전류가 흐르면 발광하는 유기물을 사용한 발광 소자로, 일반적으로 애노드(anode)와 캐소드(cathod)로 이루어진 한 쌍의 전극과, 이들 전극 사이에 정공주입층, 정공수송층, 전자주입층, 전자 수송층 및 발광층 등을 포함하는 구조이다. 이러한 구조를 갖는 유기 발광 소자는, 애노드와 캐소드로부터 발광층으로 주입된 정공 및 전자가 결합하면서 빛을 발생시킨다. 유기 발광 소자는 발광층으로부터의 빛을 기판의 상부로 발출하는 상향 발광 유기 발광 소자와 기판의 하부로 방출하는 하향 발광 유기 발광 소자로 구분할 수 있다. In general, an organic light emitting device is a light emitting device using an organic material that emits light when a current flows, and generally includes a pair of electrodes formed of an anode and a cathode, and a hole injection layer between the electrodes. , A hole transport layer, an electron injection layer, an electron transport layer and a light emitting layer. The organic light emitting device having such a structure generates light while combining holes and electrons injected from the anode and the cathode into the light emitting layer. The organic light emitting device may be classified into an upward light emitting organic light emitting device that emits light from the light emitting layer to an upper portion of the substrate, and a downward light emitting organic light emitting device emitting to the bottom of the substrate.
상기와 같은 다양한 유기 발광 소자 중, 현재 개발중인 상향 발광 유기 발광 소자는 직접 발광, 높은 효율, 넓은 시야각 등의 여러 가지 장점이 있다. 유기 발광 소자의 애노드에 투명 전도막을 사용하는 경우, 빛이 투과되어 상향 발광 유기 발광 소자의 전극층으로 이용하는 것은 용이하지 않기 때문에 반사 가능한 도전성 금속을 주로 이용한다. 이에 따라, ITO 또는 IZO 또는 ITZO로 형성된 애노드 전극의 일함수가 감소함에 따라 야기되는 발광효율의 저하를 억제하고, 발광층에서 발생된 빛의 밝기(휘도)를 더욱 향상시키기 위해, 상대적으로 반사율이 높은 금속 은(Ag), 또는 은 합금 등을 이용하여 애노드 전극을 형성하는 것이 제안되고 있다(한국 공개 공보 제10-2006-0037857호). Among the various organic light emitting devices as described above, the up-emitting organic light emitting device currently being developed has various advantages such as direct light emission, high efficiency, and wide viewing angle. When the transparent conductive film is used for the anode of the organic light emitting element, since the light is not easily transmitted and used as an electrode layer of the upward light emitting organic light emitting element, a reflective conductive metal is mainly used. Accordingly, in order to suppress the decrease in luminous efficiency caused by decreasing the work function of the anode electrode formed of ITO or IZO or ITZO, and to further improve the brightness (luminance) of light generated in the light emitting layer, the reflectance is relatively high. It is proposed to form an anode electrode using metal silver (Ag), silver alloy or the like (Korean Laid-Open Patent Publication No. 10-2006-0037857).
그러나, 은 또는 은 합금은 일반적으로 내수성이 떨어지기 때문에, 제조공정중에 물(또는 수증기)과 접촉하는 경우 전기적으로 이온화된 금속이 녹거나 전식되는 문제점이 있다. 또한, 은 또는 은 합금은 일반적으로 다른 금속 또는 기판과의 밀착성이 나쁘기 때문에, 다른 여타의 금속에 비하여 상대적으로 높은 반사율을 가짐에도 생산성이 떨어진다는 단점이 있다.However, silver or silver alloys are generally inferior in water resistance, so that when contacted with water (or water vapor) during the manufacturing process, the electrically ionized metal melts or is transferred. In addition, since silver or silver alloys generally have poor adhesion to other metals or substrates, there is a disadvantage in that productivity is lowered even though they have relatively high reflectance than other metals.
따라서, 본 발명은 전술한 종래의 문제점을 해결하기 위하여 도출된 발명으로, 본 발명의 목적은 반사성 금속층의 상부 및 하부에 도전성 금속 박막을 이용하여 상부 및 하부 도전층을 형성함으로써, 접촉력을 향상시켜 생산성을 높일 수 있으며, 반사율을 높일 수 있는 다층 구조의 애노드 전극 및 상기 애노드 전극을 포 함하는 상향 발광 유기 발광 소자를 제공하는 데 있다. Accordingly, the present invention is an invention derived to solve the above-mentioned conventional problems, an object of the present invention is to form a top and bottom conductive layer by using a conductive metal thin film on the top and bottom of the reflective metal layer, thereby improving the contact force The present invention provides a multi-layered anode electrode capable of increasing productivity and increasing reflectance and an upward-emitting organic light emitting device including the anode electrode.
또한, 본 발명의 목적은 애노드 전극의 일함수, 반사성 도전층의 산화 작용에 따른 반사율 문제, 리소그래피 공정 상의 문제점 등을 개선할 수 있는 다층 구조의 애노드 전극 및 상기 애노드 전극을 포함하는 상향 발광 유기 발광 소자를 제공하는 데 있다.In addition, an object of the present invention is to improve the work function of the anode electrode, reflectance problems due to oxidation of the reflective conductive layer, problems in the lithography process and the like, and a multi-layered anode electrode and up-emitting organic light-emitting including the anode electrode It is to provide a device.
전술한 목적을 달성하기 위해 구성된 본 발명의 다층 구조의 애노드 전극은 기판 상에 도전성 금속 박막으로 형성된 하부 도전층; 상기 하부 도전층 상에 반사성 금속 박막으로 형성된 반사성 도전층; 및 상기 반사 도전층 상에 상기 도전성 금속 박막으로 형성된 상부 도전층을 포함한다.An anode electrode of a multilayer structure of the present invention configured to achieve the above object is a lower conductive layer formed of a conductive metal thin film on a substrate; A reflective conductive layer formed of a reflective metal thin film on the lower conductive layer; And an upper conductive layer formed of the conductive metal thin film on the reflective conductive layer.
바람직하게, 상기 반사성 도전층은 은, 알루미늄, 은 또는 알루미늄에 크롬, 구리, 망간, 아연 및 네오디뮴 중 적어도 하나의 원소가 포함된 합금 중 하나를 이용한다. 상기 반사성 도전층은 2000 ~ 5000Å 두께이다. 상기 상부 도전층 및 하부 도전층은 Pt, Ti, Cr 중 적어도 하나로 형성된다. 상기 하부 도전층은 100 ~ 500Å 두께이다. 상기 상부 도전층은 상기 하부 도전층과 동일한 재료로 형성된다. 상기 상부 도전층은 10 ~ 90Å 두께이다. 상기 기판은 플라스틱 기판, 금속 박막, 산화 실리콘, 유리 기판 중 하나로 형성된다.Preferably, the reflective conductive layer uses one of silver, aluminum, silver or an alloy containing at least one element of chromium, copper, manganese, zinc, and neodymium in aluminum. The reflective conductive layer is 2000-5000 mm thick. The upper conductive layer and the lower conductive layer are formed of at least one of Pt, Ti, and Cr. The lower conductive layer has a thickness of 100 to 500 kV. The upper conductive layer is formed of the same material as the lower conductive layer. The upper conductive layer is 10 to 90 kPa thick. The substrate is formed of one of a plastic substrate, a metal thin film, silicon oxide, and a glass substrate.
본 발명의 다른 일측면에 따르면, 본 발명은 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항의 하부 도전층, 반사성 도전층 및 상부 도전층을 포함하는 다층 구조의 애노드; 상기 애노드 상에 형성된 정공 주입 및 수송층; 상기 정공 주입 및 수송층 상에 형성된 발광층; 상기 발광층 상에 형성된 전자 수송 및 주입층; 및 상기 전자 수송 및 주입층 상에 형성된 캐소드를 포함한다.According to another aspect of the invention, the present invention is an anode having a multi-layer structure including a lower conductive layer, a reflective conductive layer and an upper conductive layer of any one of
바람직하게, 상기 하부 도전층 및 상기 상부 도전층은 동일한 재료로 형성된다. 상기 하부 도전층 및 상기 상부 도전층은 Pt, Ti, Cr 중 하나로 형성된다. 상기 반사성 도전층은 은, 알루미늄, 은 또는 알루미늄에 크롬, 구리, 망간, 아연 및 네오디뮴 중 적어도 하나의 원소가 포함된 합금 중 하나를 이용하여 형성한다.Preferably, the lower conductive layer and the upper conductive layer are formed of the same material. The lower conductive layer and the upper conductive layer are formed of one of Pt, Ti, and Cr. The reflective conductive layer is formed by using one of silver, aluminum, silver, or an alloy containing at least one element of chromium, copper, manganese, zinc, and neodymium in aluminum.
이하 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 구체적으로 설명한다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명에 따른 다층 구조의 애노드 전극을 포함하는 유기 발광 소자의 개략적인 측단면도이다. 본 실시 예에서는 상향 발광 유기 발광 소자를 예를 들어 설명한다.1 is a schematic side cross-sectional view of an organic light emitting device including an anode electrode having a multilayer structure according to the present invention. In the present embodiment, an up-emitting organic light emitting diode is described as an example.
도 1을 참조하면, 상향 발광 유기 발광 소자(10)는 기판(11), 기판(11) 상에 형성되는 애노드(12), 애노드(12) 상에 형성되는 정공 주입층 및 정공 수송층(13a, 13b), 발광층(14), 전자 수송층 및 전자 주입층(15a, 15b), 전자 주입층(15b) 상에 형성되는 캐소드(15), 캐소드(15) 상에 형성되는 버퍼층(16) 및 패시베이션층(17)을 포함한다. Referring to FIG. 1, the upward emission organic
유기 발광 소자(10)를 구성하는 전술한 구성요소들을 보다 구체적으로 설명하면, 우선, 기판(10)은 여러 가지 다양한 재료를 사용할 수 있으며, 바람직하게는 투명성을 갖는 유리, 플라스틱, 호일(foil) 등과 같은 금속 박막, 산화 실리콘 등 을 이용할 수 있다. Referring to the above-described components constituting the organic
기판(10) 상에 형성되는 다층 구조의 애노드(12)는 기판(10)과 직접 접촉하는 도전성 금속 박막인 하부 도전층(12a)과, 하부 도전층(12a) 상에 형성되는 반사성을 갖는 금속 물질로 이루어진 반사성 도전층(12b)과, 반사성 도전층(12b) 상에 형성되는 도전성 금속 박막으로 이루어진 상부 도전층(12c)을 포함한다.The
애노드(12)를 구성하는 하부 도전층(12a)은 기판(11)과 반사성 도전층(12b)과의 접착력을 향상시키는 역할을 수행하기 위한 구성요소로, 물리 기상 증착 방법(PVD: Physical Vapor Deposition)으로, 예를 들면, 스퍼터 방법 및 진공 열증착 방법 중 하나를 이용하여 증착된다. 이때, 하부 도전층(12a)은 크롬(Cr), 백금(Pt), 티타늄(Ti) 중 하나를 이용하여 증착하며, 이들은 투명성을 띠지 않는다. 하부 도전층(12a)의 두께는 반사성 도전층(12b)의 두께보다 상대적으로 얇게 증착되는 것이 바람직하여, 본 실시 예에서는 100 ~ 500Å의 두께로 증착한다. The lower
반사성 도전층(12b)은 발광층(14)에서 발광된 빛이 손실되는 것을 방지하고 반사율을 향상시키기 위해, 은(Ag), 알루미늄(Al), 또는 은(Ag) 또는 알루미늄(Al)에 크롬(Cr), 구리(Cu), 망간(Mn), 아연(Zn), 네오디뮴(Nd) 중 적어도 하나의 원소를 첨가하여 형성된 합금을 이용할 수 있다. 반사성 도전층(12b) 역시 물리 기상 증착 방법으로 증착한다. 일반적으로, 반사성 도전층(12b)의 두께가 증가할수록 발광층(14)에서 발광된 빛의 손실을 방지할 수 있어, 반사율을 향상시킬 수 있다. 이에, 본 실시 예에서는 반사성 도전층(12b)의 두께를 2000 ~ 5000Å로 형성한다.The reflective
상부 도전층(12c)은 반사성 도전층(12b) 상에 형성되어 반사성 도전층(12b) 을 보호하는 기능을 갖는 구성요소로, 반사성 도전층(12b)이 대기 중의 산소 및 수분과의 접촉에 따른 산화 현상 및 부식(또는 전식) 등을 방지할 있다. 또한, 상부 도전층(12c)은 높은 일함수를 함유한 금속을 사용하는 것이 바람직하며, 정공 주입층과 정공 수송층(13a, 13b)의 역할을 수행하는 유기물층과 직접 접촉하기 때문에 표면 거칠기를 낮게 형성한다. 상기와 같은 역할을 수행하는 상부 도전층(12c)은 크롬(Cr), 백금(Pt), 티타늄(Ti) 중 하나를 이용하여 물리 기상 증착 방법 중 하나로 증착 가능하며, 상부 도전층(12c)의 두께가 증가할수록 도전성 반사층(12b)의 보호 효과는 향상되지만, 반사성 도전층(12b)으로부터 반사되는 빛의 반사효율을 떨어뜨릴 수 있기 때문에, 그 두께를 수십 Å 정도로 얇게 형성하는 것이 바람직하다. 본 실시 예에서는 바람직하게 10 ~ 90Å 두께로 형성한다.The upper
한편, 물리 기상 증착 공정, 예컨대, 스퍼터링 공정을 이용하여 상기 애노드 전극을 구성하는 상기 도전층들(12a, 12b, 12c)을 증착하는 경우에는, 진공 상태에서 증착 조건(증착 압력, RF 파워, 등)을 연속적 또는 단계적으로 변화시키면서 상기 반사성 도전층(12c) 및 상기 도전층(12a, 12c)들을 증착한다. 증착 조건을 변화시키는 것은, 애노드로 사용되는 기판(11)의 표면이 매끄럽게 형성되도록 하기 위한 것, 즉, 기판(애노드 표면) 상에 힐(hill)이 생성되는 것을 방지하기 위한 것이다. 본 실시 예에서의 증착 조건은 RF 파워, 증착 압력 등이며, RF 파워는 100w ~ 300w에서 선택적으로 인가하고, 증착 압력은 1 ~ 5 mTorr 범위에서 선택하여 진행한다. 또한, 하부 도전층, 반사성 도전층, 및 상부 도전층 사이에 산화막이 형성되지 않도록 진공 챔버내에서 연속공정으로 진행한다. 즉, 하부 도전 층(12a)을 증착한 후, 진공 챔버 밖으로 꺼내지 않고 반사성 도전층(12b)을 증착하고, 반사성 도전층을 증착한 후, 진공 챔버 내에서 연속적으로 상부 도전층(12c)을 증착한다. 또한, 상부, 하부 및 반사성 도전층 증착시, 아르곤, 산소 가스 또는 이들 중 하나를 포함하는 혼합 가스를 반응용 가스로 이용한다.On the other hand, in the case of depositing the
또한, 본 실시 예에서는 하부 도전층(12a) 및 상부 도전층(12c)이 동일한 금속으로 형성되기 때문에, 리소그래피 공정 수행 시, 식각 공정 수가 줄어들게 되어 생산성이 향상된다. 예를 들어, 하부 도전층(12a)/반사성 도전층(12b)/상부 도전층(12c)을 Cr/Al/Cr으로 형성하는 경우, 하부 및 상부 도전층(12a, 12c)을 한번에 식각할 수 있다. 또한, 상기와 같이 하부 도전층(12a)/반사성 도전층(12b)/상부 도전층(12c)을 구성하면, 기판(11)과 애노드(12)의 접착력 향상을 위해 별도의 접착물 없이 접착력을 향상시킬 수 있다.In addition, in the present embodiment, since the lower
그 다음, 애노드(12) 상에는 정공 주입층 및 정공 수송층(13a, 13b), 발광층(14), 및 전자 수송층 및 전자 주입층(14a, 14b)을 포함한 유기물층이 차례로 적층되며, 정공 주입층 및 정공 수송층(13a, 13b), 발광층(14), 및 전자 주입층 및 전자 수송층(15a, 15b)은 각각 NPB와 Alq3 등으로 형성된다. 또한, 전자 수송층(15b) 상에는 캐소드(15)가 증착되며, 캐소드(15)는 전도도가 우수한 알루미늄 등을 이용하며, 알루미늄을 증착한 다음 산화성이 강하여 전도도에 영향을 미치는 알루미늄 상에 상대적으로 산화성이 낮은 은을 증착할 수 있다. 상기와 같은 구성으로 캐소드(15)를 제조하면, 전극의 안전성이 증대된다. Then, on the
다음, 캐소드(15) 상에는 낮은 투산소율과 투습율을 갖는 버퍼층(16)이 형성 되며, 버퍼층(16) 층 상에는 패시베이션층(17)이 형성된다. 버퍼층(16)은 금속 또는 반도체 박막으로 구성할 수 있으며, 패시베이션층(17)은 인캡슐레이션막으로 사용하며, 다층의 무기 박막층으로 구성할 수 있다. 이때, 패시베이션층(17)은 IZO(또는 ITO) 박막을 일정 두께로 여러 층으로 증착하여 제작할 수 있다.Next, a
전술한 구성을 갖는 상향 발광 유기 발광 소자는 다음과 같은 특성을 갖는다. The top emitting organic light emitting device having the above-described configuration has the following characteristics.
도 2는 본 발명에 따른 유기 발광 소자의 I-V-L 특성 그래프이다. 도 2를 참조하면, 가로축은 전압을 나타내고, 좌측 세로축은 전류 밀도를 나타내며, 우측 세로축은 휘도를 나타낸다. 전압과 전류 밀도 간 그래프(a)에 따르면, 문턱 전압은 0V 근처이며, 0V에서부터 서서히 전류 밀도가 증가한다. 전압과 휘도 간 그래프(b)에 따르면, 인가된 전압이 8V이후부터 서서히 휘도가 증가하며, 13V 근처에서 최고로 밝은 상태를 나타내며, 그 이후에는 급격히 휘도가 떨어진다.2 is a graph illustrating I-V-L characteristics of an organic light emitting diode according to the present invention. 2, the horizontal axis represents voltage, the left vertical axis represents current density, and the right vertical axis represents luminance. According to the graph (a) between the voltage and the current density, the threshold voltage is near 0V, and the current density gradually increases from 0V. According to the graph (b) between the voltage and the luminance, the applied voltage gradually increases after 8V and shows the brightest state near 13V, and thereafter, the luminance drops rapidly.
도 3은 본 발명에 따른 유기 발광 소자의 효율 특성 그래프이다. 가로축은 전압을 나타내면, 세로축은 효율(%)을 나타낸다. 발광 다이오드의 효율 역시 전압이 0V 이후 부터 서서히 증가하며 13V 근방에서 효율이 떨어진다.3 is a graph of efficiency characteristics of the organic light emitting device according to the present invention. The horizontal axis represents voltage, and the vertical axis represents efficiency (%). The efficiency of the light emitting diode also increases gradually after 0V and decreases in efficiency near 13V.
도 4는 본 발명에 따른 유기 발광 소자의 발광 스펙트럼이다. 도 4를 참조하면, 가로축은 파장(wavelength: nm)을 나타내고, 세로축은 발광세기(normalized EL intensity: a.u.)를 나타낸다. 파장이 500 ~ 600nm 근처일 때, 발광 효율이 좋은 녹색 발광 특성 그래프를 나타내고 있으며, 본 실시 예에서는 520 ~ 530 nm 근 처에서 최고 발광 세기를 나타내는 것을 확인할 수 있다. 4 is an emission spectrum of the organic light emitting device according to the present invention. Referring to FIG. 4, the horizontal axis represents wavelength (nm), and the vertical axis represents emission intensity (normalized EL intensity: a.u.). When the wavelength is around 500 ~ 600nm, it shows a green light emission characteristic graph with good luminous efficiency, in this embodiment it can be seen that the highest emission intensity in the vicinity of 520 ~ 530 nm.
도 5는 본 발명에 따른 유기 발광 소자의 녹색 발광 이미지이다. 도 5를 참조하면, 전술에 따라 제조된 애노드를 구비한 상향 발광 유기 발광 다이오드의 발광 이미지를 통해, 균일한 발광 특성을 나타냄을 확인 알 수 있다. 또한, 균일한 발광특성을 관찰할 수 있을 뿐만 아니라, 애노드에서 생성된 힐(hill) 등에 따른 화이트 스폿(white spot)이 관찰되지 않는다. 따라서, 본 발명에 따른 애노드 전극을 이용하는 경우, 발광 효율을 증대 시킬 수 있다. 한편, 본 실시 예 사진에서는 녹색 발광 이미지를 개시하여 본 발명에 따른 애노드 전극의 효율을 개시하고 있지만, 적색 및 청색 역시 동일한 효과를 제공할 수 있다. 5 is a green light emission image of the organic light emitting device according to the present invention. Referring to FIG. 5, it can be seen that the light emitting image of the OLED having the anode manufactured according to the above shows uniform light emission characteristics. In addition, not only uniform light emission characteristics can be observed, but also white spots due to hills generated at the anode are not observed. Therefore, when using the anode electrode according to the present invention, it is possible to increase the luminous efficiency. On the other hand, in the present embodiment, the green light emission image is disclosed to disclose the efficiency of the anode electrode according to the present invention, but red and blue may also provide the same effect.
이상, 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 본 발명을 구체적으로 설명하였으나, 본 발명이 상기 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 변형이 가능하다. As mentioned above, the present invention has been described in detail with reference to preferred embodiments of the present invention, but the present invention is not limited to the above embodiments, and should be understood by those skilled in the art within the scope of the technical idea of the present invention. Various modifications are possible.
이상과 같이, 본 발명에 의하면, 첫째, 반사성 도전층의 하부 및 상부에 도전성 금속박막으로 이루어진 다층 구조의 애노드 전극을 형성함으로써, 기판과 애노드 전극과의 접착력을 향상시킬 수 있다. 예를 들어, 하부 도전층/반사성 도전층/상부 도전층이 Cr/Al/Cr으로 형성되는 경우, 기판과 애노드의 접착력 향상을 위 해 별도의 접착물이 필요하지 않으므로, 생산성을 증대시킬 수 있을 뿐만 아니라 반사율 조정이 가능하다.As described above, according to the present invention, first, by forming the anode electrode of the multilayer structure consisting of a conductive metal thin film on the lower and upper portions of the reflective conductive layer, it is possible to improve the adhesion between the substrate and the anode electrode. For example, when the lower conductive layer / reflective conductive layer / the upper conductive layer is formed of Cr / Al / Cr, a separate adhesive is not required to improve adhesion between the substrate and the anode, and thus productivity may be increased. In addition, the reflectance can be adjusted.
둘째, 상향 발광 유기 발광 소자를 구성하는 애노드 전극으로 도전성 금속박막을 일반 공정을 이용하여 제작함으로써, 생상성 향상 및 박막 간의 낮은 투산소율과 투습율을 확보할 수 있다.Second, by manufacturing a conductive metal thin film as an anode constituting the up-emitting organic light emitting device using a general process, it is possible to improve the productivity and to ensure a low oxygen permeability and moisture permeability between the thin film.
셋째, 상부 및 하부 도전층을 동일한 금속 박막으로 형성함으로써, 일반 공정에서 가능할 뿐 아니라 공정 횟수가 줄어들기 때문에, 생산성 및 공정성 확보가 가능하다.Third, by forming the upper and lower conductive layers of the same metal thin film, not only is possible in the general process but also the number of processes is reduced, thereby ensuring productivity and processability.
넷째, 금속 박막 형성 시, 여러 층으로 나누어 증착하기 때문에, 스트레스의 발생시 전체로 전달되지 않고, 중간 박막에서 저지되며, 이에 의해, 기계적인 응력을 줄일 수가 있다. Fourth, since the metal thin film is formed by dividing it into several layers, it is not transmitted to the whole when stress is generated, but is prevented from the intermediate thin film, whereby mechanical stress can be reduced.
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20110047647A (en) * | 2009-10-30 | 2011-05-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic Light Emitting Display Device |
CN102694125A (en) * | 2011-03-21 | 2012-09-26 | 海洋王照明科技股份有限公司 | Organic electroluminescent device |
US8525161B2 (en) | 2010-10-27 | 2013-09-03 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display apparatus and method of manufacturing the same |
KR101464752B1 (en) * | 2008-05-27 | 2014-11-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic Light Emitting Display |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20040000630A (en) * | 2002-06-22 | 2004-01-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | Organic electroluminescence device employing multi-layered anode |
KR20060037857A (en) * | 2004-10-28 | 2006-05-03 | 삼성에스디아이 주식회사 | Multi-layer anode |
-
2006
- 2006-11-01 KR KR1020060107193A patent/KR100793314B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20040000630A (en) * | 2002-06-22 | 2004-01-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | Organic electroluminescence device employing multi-layered anode |
KR20060037857A (en) * | 2004-10-28 | 2006-05-03 | 삼성에스디아이 주식회사 | Multi-layer anode |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101464752B1 (en) * | 2008-05-27 | 2014-11-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic Light Emitting Display |
KR20110047647A (en) * | 2009-10-30 | 2011-05-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic Light Emitting Display Device |
KR101596967B1 (en) | 2009-10-30 | 2016-02-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic Light Emitting Display Device |
US8525161B2 (en) | 2010-10-27 | 2013-09-03 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display apparatus and method of manufacturing the same |
CN102694125A (en) * | 2011-03-21 | 2012-09-26 | 海洋王照明科技股份有限公司 | Organic electroluminescent device |
CN102694125B (en) * | 2011-03-21 | 2015-10-28 | 海洋王照明科技股份有限公司 | Organic electroluminescence device |
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