KR100787525B1 - 6 Mirror-microlithography-projection objective - Google Patents

6 Mirror-microlithography-projection objective

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KR100787525B1
KR100787525B1 KR1020010046237A KR20010046237A KR100787525B1 KR 100787525 B1 KR100787525 B1 KR 100787525B1 KR 1020010046237 A KR1020010046237 A KR 1020010046237A KR 20010046237 A KR20010046237 A KR 20010046237A KR 100787525 B1 KR100787525 B1 KR 100787525B1
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microlithography projection
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우도 딩어
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Abstract

본 발명은 물체 필드를 상 필드에 결상하기 위한 입사동 및 출사동을 포함하고, 상기 상 필드는 링 필드의 세그먼트를 형성하며, 상기 세그먼트는 대칭축 및 대칭축에 대해 수직인 폭을 가지며, 상기 폭이 적어도 20, 바람직하게는 25 ㎜이고, 광축에 대해 동심으로 배치된 제 1(S1), 제 2(S2), 제 3(S3), 제 4(S4), 제 5(S5) 및 제 6 거울(S6)을 포함하며, 상기 거울 각각은 투사 대물렌즈를 통해 안내되는 광선이 부딪치는 유효 범위를 갖는, 특히 193 nm 보다 작거나 같은 단파장용 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈에 관한 것이다. The present invention is the image field contains the entrance pupil and the exit pupil for imaging the object field onto a field, forms a segment of a ring field, the segment has a vertical width to the axis of symmetry and the axis of symmetry, wherein the width at least 20, preferably 25 ㎜, and the claim 1 (S1), the 2 (S2), the 3 (S3), claim 4 (S4), claim 5 (S5) and sixth mirror disposed concentrically about the optical axis comprises (S6), each of the mirror is related to a shorter wavelength for the light which is guided through the projection objective lens, such as values ​​less than having an effective range, in particular 193 nm, hit microlithography projection objective lens.
본 발명은 출사동에서의 개구수 NA에 따라 상기 제 1, 제 2, 제 3, 제 4, 제 5 및 제 6 거울의 유효 범위의 직경이 ≤ 1200 mm*NA 인 것을 특징으로 한다. The invention in the first, second, third, fourth, fifth, and said sixth the diameter of the effective range of ≤ 1200 mm * NA of the mirror in accordance with the numerical aperture NA at the exit pupil.

Description

6 거울-마이크로리소그래피 - 투사 대물렌즈{6 Mirror-microlithography-projection objective} 6 mirror-micro lithography projection objective {6-Mirror-microlithography projection objective}

본 발명은 청구항 제 1항의 전제부에 따른 마이크로리소그래피 대물렌즈, 청구항 제 23항에 따른 투사 노광장치, 및 청구항 제 24항에 따른 칩 제조 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a chip manufacturing method according to the projection exposure apparatus, and from the claims claim 24 according to micro-lithography objective lens of claim 23, wherein according to the preamble of claim 1.

파장 < 193 nm를 가진 리소그래피, 특히 λ=11 nm 또는 λ= 13 nm를 가진 EUV-리소그래피는 구조물 < 130 nm, 특히 < 100 nm을 결상하기 위한 가능한 기술로 언급된다. Wavelength <lithography with 193 nm, in particular λ = 11 nm or EUV- lithography with λ = 13 nm is referred to as a possible technique for imaging structures <130 nm, especially <100 nm. 리소그래피 시스템의 해상도는 하기 식으로 표시된다: Resolution of the lithographic system is represented by the following formula:

RES = k 1 RES = k 1 and

상기 식에서, k1은 리소그래피 공정의 고유 파라미터, λ은 입사광의 파장, 및 NA는 시스템의 양측면 개구수이다. Specific parameters of the formula, k1 is a lithography process, λ is the wavelength of the incident light, and NA is a numerical aperture both sides of the system.

EUV-범위에서의 결상 시스템에서는 광 소자로서 다층 반사 시스템이 사용된다. In the imaging system in the range EUV- the multilayer reflective system is used as an optical element. 다층 시스템으로는 λ=11 nm에서 Mo/Be-시스템이 그리고 λ=13 nm에서는 Mo/Si 시스템이 사용된다. A multi-layer system is in the Mo / Be- system at λ = 11 nm and λ = 13 nm the Mo / Si system is used.

0.2의 개구수를 기초로 하면, 13 nm 광선에 의한 50 nm 구조물의 결상은 k 1 = 0.77을 가진 비교적 간단한 공정을 필요로 한다. If on the basis of a numerical aperture of 0.2, the imaging of structures 50 nm by 13 nm beam it requires a relatively simple process with k 1 = 0.77. 11 nm 광선에서 k 1 =0.64로는 35 nm 구조물의 결상이 가능하다. Roneun eseo k 1 = 0.64 11 nm light can be imaged in 35 nm structures.

사용된 다층의 반사율은 약 70%의 범위에 놓이기 때문에,EUV- The reflectivity of the multi-layer is used because of being placed in a range of about 70%, EUV-

마이크로리소그래피용 투사 대물렌즈에서 가급적 적은 수의 광 소자로 충분한 광세기를 얻는 것은 매우 중요하다. It is possible to obtain a sufficient light intensity to the optical device in a small number of projection objective lenses for microlithography is critical.

높은 광 세기 및 결상 에러의 보정을 위한 충분한 가능성이라는 면에서, 6개의 거울을 가진 NA = 0.20 시스템이 특히 바람직한 것으로 나타났다. In that it is a good chance for the correction of high light intensity and the imaging error, NA = 0.20 with six mirror system is found to be particularly preferred.

마이크로리소그래피용 6 거울 시스템은 간행물 US-A-5 153 898, EP-A-0 252 734, EP-A-0 947 882, US-A-5686728, EP 0 779 528, US 5 815 310, WO 99/57606 및 US 6 033 079에 공지되어 있다. 6 a mirror system for microlithography is publication US-A-5 153 898, EP-A-0 252 734, EP-A-0 947 882, US-A-5686728, EP 0 779 528, US 5 815 310, WO 99 / 57 606 and US 6 033 079 are known in the.

미국 US-A-5 686 728에 따른 투사 리소그래피 시스템은 6개의 거울을 가진 투사 대물렌즈이며, 각각의 반사 거울면은 비구면으로 형성된다. A lithographic projection system according to US-A-5 686 728 is a US is the projection objective lens having six mirrors, each reflecting mirror surface is formed into an aspheric surface. 거울들은 공통 광축을 따라 차광(obscuration) 없는 광로가 얻어지도록 배치된다. The mirrors are arranged so that the optical path without shielding (obscuration) is obtained along a common optical axis.

US-A-5 686 728에 공지된 투사 대물렌즈는 100 - 300 nm의 파장을 가진 UV-광에만 사용되기 때문에, 상기 투사 대물렌즈의 거울들은 약 +/-50 ㎛의 매우 높은 비구면도 및 약 38°의 매우 큰 입사각을 갖는다. Is known in US-A-5 686 728 the projection objective lens 100 - since it is used only to UV- light with a wavelength of 300 nm, a mirror of the projection objectives are also very high aspherical surface of approximately +/- 50 ㎛ and about It has a very large angle of incidence of 38 °. NA = 0.2로 차폐 후에도 피크 마다 25 ㎛의 비구면도가 유지되며 입사각이 감소되지 않는다. With NA = 0.2 is 25 ㎛ of asphericity holding each peak after the shield and do not reduce the angle of incidence. 이러한 비구면도 및 입사각은 EUV-범위에서 표면 품질, 거울의 반사율에 대한 높은 요구로 인해 실용적이지 않다. This asphericity and the angle of incidence is not practical due to high demands on surface quality and reflectivity of the mirror in EUV- range.

US-A-5 686 728에 공지된 대물렌즈의 단점은 λ < 100 nm의 범위, 특히 11 및 13 nm의 파장에서 더 이상 사용될 수 없으며, 웨이퍼와 상기 웨이퍼에 가장 가까이 놓인 거울 사이의 거리가 매우 작다는 것이다. A disadvantage of the objective lens is known in US-A-5 686 728 is λ <range of 100 nm, in particular not be used any more at the wavelength of 11 and 13 nm, the distance between the closest situated mirror to the wafer and the wafer is very it is small. US-A-5 686 728에 공지된, 웨이퍼와 상기 웨이퍼에 가장 가까운 거울의 거리에서는 거울이 매우 얇게만 형성될 수 있다. The distance of the mirror closest to the wafer and the wafer known in US-A-5 686 728 may be formed of only the mirror are very thin. 그러나, 11 및 13 nm의 파장에 대한 다층 시스템에서 극도의 층 응력으로 인해, 이러한 방식의 거울들은 매우 불안정하다. However, because of the stress layers in a multilayer system for the extreme of 11 and 13 nm wavelength, the mirror in this way are very unstable.

EP-A-0 779 528에는 EUV-리소그래피, 특히 13 nm 및 11 nm의 파장에 사용하기 위한 6개의 거울을 갖춘 투사 대물렌즈가 공지되어 있다. EP-A-0 779 528 has EUV- lithography, in particular a projection objective with six mirrors for use in the 13 nm and 11 nm wavelengths are known.

상기 투사 대물렌즈는 총 6개의 거울 중 적어도 2개의 거울이 26 또는 18.5 ㎛의 매우 높은 비구면도를 갖는다는 단점이 있다. Wherein the projection objective has a disadvantage that all six of the at least two mirrors of the mirror has an aspherical surface it is also very high in the 26 or 18.5 ㎛. 특히, EP-A-0779528에 공지된 장치에서는 웨이퍼에 가장 가까운 거울과 웨이퍼 사이의 광 작동 거리가 작기 때문에, 불안정성 또는 네가티브한 기계적 작동 거리가 생긴다. In particular, since EP-A-0779528 a device is small in the nearest optical working distance between the mirror and the wafer to wafer in known, produces the mechanical instability or a negative working distance.

WO 99/57606에는 오목-오목-볼록-오목-볼록-오목의 거울 순서를 가진 EUV- 리소그래피용 6 거울-투사 대물렌즈가 공지되어 있다. WO 99/57606 has a concave-concave-convex-concave-convex-EUV- for lithography with the order of the concave mirror 6, the mirror - a projection objective lens is known. 상기 대물렌즈는 물체에서의 개구수 NA Objekt = 0.2를 갖는다. The objective lens has a numerical aperture NA = 0.2 Objekt from the object. WO 99/57606에 공지된 시스템의 모든 거울은 비구면으로 형성된다. All the mirrors of the known system in WO 99/57606 is formed into an aspheric surface.

WO 99/57606에 공지된 6 거울-대물렌즈의 단점은 특히 제 2 거울 및 제 3 거울을 삽입하기 위한 유효 범위의 용이한 접근 가능성이 주어지지 않는다는 것이다. The six mirrors known in WO 99/57606 - drawback of the objective lens is that the support, particularly given the easy accessibility to one of the effective range for inserting the second mirror and the third mirror. 또한, WO 99/57606에 공지된 시스템에서는 제 4 거울의 유효 범위가 광축 외부에 넓게 배치된다. Furthermore, in the known systems in WO 99/57606, the effective range of the fourth mirror is arranged outside the optical axis in the wide. 이것은 거울 시스템의 안정성과 관련한 문제점 및 상기 거울 세그먼트의 제조시 문제점을 야기시킨다. This causes problems and problems in the manufacture of the mirror segments associated with the stability of the mirror system. 또한, 시스템을 캡슐화하기 위해, 넓은 개조 공간이 필요하다. In addition, to encapsulate the system, it is necessary to convert a wide area. 상기 시스템이 진공에서 사용되기 때문에, 비교적 큰 공간이 진공화되어야 한다. Since the system uses vacuum, a relatively large space to be evacuated. WO 99/57606에 따라 제 2 및 제 3 거울 사이에 배치된 조리개는 특히 18°보다 큰, 제 3 거울에 대한 입사각을 초래한다. According to WO 99/57606 an aperture disposed between the second and third mirrors are particularly results in a large, the incident angle of the third mirror than 18 °.

US 6033079에는 모든 거울에 대한 입사각이 18°보다 작은, 6 거울-시스템이 공지되어 있다. US 6033079, the angle of incidence is small, six mirror than 18 ° for all the mirror-a system is known. 그러나, 상기 시스템도 제 3 거울의 유효 범위가 접근하기 쉽지 않고, 개별 거울, 예컨대 제 4 거울(M4)의 유효 범위가 커서 WO 99/57606에 공지된 시스템에서와 같이 큰 개조 공간이 필요하며, 이것은 또한 진공화될 공간을 비교적 크게 한다는 단점을 갖는다. However, this system is also not easy to have the effective range of the third mirror approach, the individual mirrors, for example, and the effective range of the fourth mirror (M4) requires a large remodeling space as in the cursor known in the WO 99/57606 system, It also has to be evacuated and that the relatively large space disadvantages. 비교적 큰 거울의 또 다른 단점은 안정성 부족과, 제조시 상응하게 큰 코팅 챔버 및 제조 기계가 필요하다는 사실이다. Another drawback is the fact that a relatively large mirror and a corresponding lack of stability during manufacturing will need a large coating chambers and manufacturing machinery.

본 발명의 목적은 특히 100 nm 미만의 단파장을 가진 리소그래피에 적합하고, 전술한 선행 기술의 단점을 갖지 않으며, 가급적 작은 치수, 각각의 거울의 유효 범위에 대한 양호한 접근 가능성을 특징으로 하고, 가급적 큰 개구 및 결상 에러에 대한 가급적 큰 보정 가능성을 갖는 투사 대물렌즈를 제공하는 것이다. An object of the present invention is particularly suitable for lithography with less than 100 nm short wavelength, it does not have the disadvantages of the aforementioned prior art, preferably small dimensions, characterized by a good accessibility to the effective range of each mirror, and preferably a large having a possible large correction possibility for the opening and the imaging error to provide a projection objective lens.

상기 목적은 본 발명에 따라 물체평면에서의 물체 필드(object field)를 상평면에서 링필드의 세그먼트를 나타내는 상 필드(image field)로 투영시키기 위한 입사동 및 출사동을 포함하고, 상기 세그먼트가 대칭축 및 대칭축에 대해 수직인 폭을 가지며, 상기 폭이 적어도 20, 바람직하게는 25 ㎜이고, 광축에 대해 동심으로 배치된 제 1, 제 2, 제 3, 제 4, 제 5 및 제 6 거울을 포함하며, 상기 거울 각각은 투사 대물렌즈를 통해 안내되는 광선이 부딪치는 유효 범위를 갖고, 상기 제 1, 제 2, 제 3, 제 4, 제 5 및 제 6 거울의 유효 범위의 직경이 출사동에서의 개구수 NA에 따라 ≤ 1200 mm*NA, 바람직하게는 ≤ 300 ㎜이며, 본 발명에 따른 대물렌즈의 출사동에서의 개구수 NA는 0.1, 바람직하게는 0.2, 특히 바람직하게는 0.23 보다 크게 구성된, 특히 193 nm 보다 작거나 같은 단파장용 The above object is an object field, a field (image field), that contains the entrance pupil and the exit pupil, and the segment for projection representing a segment of a ring field (object field) in the plane from the object-plane axis of symmetry according to the invention and having a vertical width for the symmetric axis, as is the width of at least 20, preferably 25 ㎜, and includes first, second, third, fourth, fifth and sixth mirror disposed concentrically about the optical axis and, the mirrors each having an effective range value is the light which is guided through the projection objective lens bump, wherein the first, second, third, fourth, fifth and sixth mirror effective range in diameter from the exit pupil of the of the numerical aperture is ≤ 1200 mm * NA, and preferably ≤ 300 ㎜ in accordance with the NA, the numerical aperture of the exit pupil of an objective lens NA according to the invention is from 0.1, preferably 0.2, and particularly preferably largely consisting than 0.23 , in particular less than or equal to 193 nm for the short wavelength 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈에 의해 달성된다. It is achieved by a microlithographic projection objective lens. 본 출원서에서, 출사동에서의 개구수는 상 평면에 부딪치는 광빔의 개구수, 소위 상측 평면 개구수를 의미한다. In the present application, the numerical aperture of the exit pupil is the numerical aperture of the light beam impinging on a plane, the so-called sense of the upper plane numerical apertures.

마이크로리소그래피의 범주에서는 결상 광빔이 텔레센트릭하게 상 평면에 부딪치는 것이 바람직하다. The scope of the microlithography is preferred that the imaging light beam impinging on a plane to telecentric. 그 경우, 투사 대물렌즈의 제 6 거울(S6)은 오목하게 형성되는 것이 바람직하다. In this case, the sixth mirror (S6) of the projection objective is preferably concavely formed. 제 5 거울(S5)은 제 6 거울(S6)과 상 평면 사이에 놓인다. A fifth mirror (S5) is placed between the sixth mirror (S6) with a plane.

상기 방식의 대물렌즈에서 그림자 없는 광로를 구현하려면, 상기 대물렌즈가 출사동에서의 개구수 NA에 영향을 준다. Implementing a shadow-free optical path in the objective lens of the system, it gives the objective lens is the effect on the numerical aperture NA at the exit pupil.

바람직한 실시예에서는 출사동에서 개구수 증가에 따라 결상될 링 필드의 평균 반경도 커짐으로써, 대물렌즈에서 그림자 없는 광로가 구현된다. As a preferred embodiment, the larger the average radius of the ring field to be imaged in accordance with the number of openings increase from the exit pupil, a shadow-free optical path in the objective lens is implemented.

바람직한 실시예에서는, 제 1, 제 2, 제 3, 제 4, 제 5 및 제 6 거울이 각각 후방 구성 공간을 가지며, 상기 공간은 유효 범위에서 거울 전방면에서부터 광축을 따라 측정해서 소정의 깊이를 갖게 함으로써, 즉 제 1 , 제 2 , 제 3, 제 4 및 제 6 구성 공간의 깊이가 적어도 50 ㎜이고, 제 5 거울의 구성 공간의 깊이가 제 5 거울의 직경 값의 1/3 보다 크며 각각의 구성 공간이 서로를 침입하지 않게 함으로써, 특히 거울을 삽입하기 위한 대물렌즈의 개별 거울에 대한 접근 가능성이 주어진다. In a preferred embodiment, the first, second, third, fourth, fifth and sixth mirror each has a rearward configuration space, the space has a predetermined depth by measuring along an optical axis from a front surface mirror in the effective range given by, that the first, second, third, fourth and sixth, and the depth of at least 50 ㎜ configuration space, respectively the depth of the configuration space of the fifth mirror is larger than one third of the diameter value of the fifth mirror by the configuration of the space it does not break each other, especially given the accessibility to the individual mirrors of the objective lens for inserting a mirror.

접근 가능성의 면에서, 다른 거울의 공간 또는 상기 대물렌즈에서의 광로를 가로지르지 않으면서 모든 구성 공간이 대칭축에 대해 평행한 방향으로 연장될 수 있는 것이 특히 바람직하다. In terms of accessibility, it is especially preferred that up all the space, if not cross the optical path space on the other mirror or the objective lens can be extended in a direction parallel to the axis of symmetry.

모든 거울의 유효 범위를 둘러싸는 경계 영역이 4㎜ 보다 크며, 광(光)이 대물렌즈에서 차광 없이 안내되면, 층 응력에 의해 유도된 에지 변형 면에서 특히 안정된 시스템이 얻어진다. Is greater than the boundary area surrounding the effective range of the mirror 4㎜ all, when the light (光) is guided in the objective lens, without the light-shielding, is particularly stable system is obtained from the edge surface modifications induced by the stress layer.

전술한 Mo/Be 또는 Mo/Si-다층 시스템을 가진 거울 기판의 코팅은 종종 특히 기판의 에지에서 변형을 일으킬 수 있는 응력을 야기시킨다. Coating of the mirror substrate having the above-described Mo / Be or Mo / Si- multi-layer system is thereby often lead to stress which could cause deformation, particularly at the edge of the substrate. 충분히 큰 경계 영역은 상기 응력이 거울의 유효 범위로 연장되는 것을 방지한다. Sufficiently large border region prevents the stresses extending into the effective range of the mirror.

바람직한 실시예에서, 제 4 거울의 유효 범위는 기하학적으로 제 2 거울과 상 평면 사이에 놓인다. In a preferred embodiment, the effective range of the fourth mirror is situated between the second mirror and the geometrical plane.

제 4 거울이 기하학적으로 제 3 거울과 제 2 거울 사이에, 특히 제 1 거울과 제 2 거울 사이에 배치되는 것이 특히 바람직하다. Fourth, it is particularly preferable that the mirror is between geometrically third mirror and the second mirror, in particular arranged between the first mirror and the second mirror. 이러한 배치는 제 1, 제 2, 제 3 및 제 4 거울의 유효 범위의 매우 적은 치수를 결과한다. This arrangement results for the first, second, very small dimensions of the effective range of the third and fourth mirrors.

광축을 따른 제 4 거울과 제 1 거울의 정점의 거리(S4 S1) 대 제 2 거울과 제 1 거울의 거리(S2 S1)는 바람직하게는 Length of the fourth mirror and the vertex of the first mirror along the optical axis (S1 S4) for a second distance of the mirror and the first mirror (S2 S1) is preferably

0.1 < 0.1 < < 0.9 <0.9

의 범위에 놓이고, 제 3 거울과 제 2 거울의 거리(S2 S3) 대 제 4 거울과 제 3 거울의 거리(S3 S4)는 Length of the third mirror and the second mirror is placed, in the range of (S2 S3) distance for the fourth mirror and the third mirror (S4 S3) is

0.3 < 0.3 < < 0.9 <0.9

의 범위에 놓인다. It lies in the range of.

그림자 없는 광로를 위해, 특히 제 5 및 제 6 거울을 포함하는 대물렌즈 부분에 2개의 임계 영역이 주어진다. For the optical path without shadows, particularly given the two critical areas on the objective lens portion including the fifth and sixth mirrors.

하나의 임계 영역은 제 5 거울의 상부 에지에 놓인다. One of the critical section is placed on the upper edge of the fifth mirror. 거기서, 광선 가이드는 하부 에지 광선이 상기 거울의 유효 범위 상부에 연장되고 상 평면에 부딪치도록 이루어져야 한다. Therefore, the light guide should be made to hit the lower edge beam which extends to the effective range of the upper portion of the mirror into contact with an image plane. 다른 임계 영역은 제 6 거울의 하부 에지에 놓인다. Another critical section is situated at the lower edge of the sixth mirrors.

평균 링 필드 반경 R 이 출사동에서의 개구수 NA, 제 5 거울과 제 6 거울의 정점의 거리(S5 S6), 제 5 거울과 상 평면의 거리(S5 B), 제 5 또는 제 6 거울의 곡률 반경 r 5 , r 6 에 따라 하기 식에 따라 선택되면, The average ring field radius R of the numerical aperture NA, a fifth mirror and a sixth mirror distance (S5 S6), a fifth mirror and a plane distance (S5 B), the fifth or the sixth mirrors in the apex of at the exit pupil When the radius of curvature r 5, r 6, to follow a selected according to the formula,

제 5 및 제 6 거울의 상기 영역에서 그림자 없는 광선 가이드가 근축 근사적으로 이루어진다. Fifth and sixth made a shadow-free light guide in the area in the paraxial approximation of the mirror. 차광 없는 광선 가이드의 조건을 유지할 때, 최소 반경의 미달은 거울의 비구면도라고도 하는, 거울의 구면 기본 형태와의 비구면 편차를 점프형으로 상승시킨다. When maintaining the condition of no light shielding light guide, below the minimum radius of the aspherical surface increases the deviation from the spherical shape of the primary mirror, also referred to as an aspherical surface of the mirror is also a jump type. 이것은 특히 제 5 거울에 적용된다. This applies particularly to the fifth mirror. 따라서, 근축 근사 및 전술한 식이 적용되는 영역이 없어진다. Thus, eliminating the near-axis area is applied and the above-mentioned approximation equation. 그러나, 높은 비구면도를 가진 거울은 제조 기술상으로 높은 비용에 의해서만 제조될 수 있다. However, the aspheric mirror with a high degree can be produced only by the high cost of workmanship.

거울에서 각 부하를 적게 유지하기 위해, 대칭축에서 물체 필드 중심에 놓인 필드 포인트의 주광선의 입사각이 모든 거울에 대해 18°보다 작은 것이 바람직하다. In order to maintain a low load on each mirror, the incidence angle of the principal ray of the field point lying on the axis of symmetry at the center of the object field, preferably smaller than 18 ° for all mirrors.

본 발명의 특별한 실시예에서, 투사 대물렌즈는 중간 상을 가지며, 상기 중간 상은 바람직하게는 투사 대물렌즈에서 광 방향으로 제 4 거울 다음에 형성된다. In a particular embodiment of the invention, the projection objective has an intermediate phase, the intermediate phase is preferably formed on the fourth mirror and then to the light direction from the projection objective lens.

본 발명의 제 1 실시예에서 제 1 거울은 볼록하게 형성되고 총 6개의 거울은 비구면으로 형성된다. Is formed in the first mirror is convex in the first embodiment of the present invention a total of six mirror is formed into an aspheric surface.

본 발명의 또 다른 실시예에서 제 1 거울은 오목하게 형성되고, 총 6개의 거울은 비구면으로 형성된다. A first mirror in another embodiment of the present invention is formed concavely, the six mirrors gun is formed in an aspherical surface.

대안으로서, 제 1 거울이 근축 평면으로 형성되고 총 6개의 거울이 비구면으로 형성될 수 있다. Alternatively, the first mirror is formed of a near axis plane can be a total of six mirrors form an aspheric surface.

최대 5개의 거울이 비구면이면, 모든 거울이 비구면으로 형성되는 본 발명의 실시예에 비해 간단한 제조가 가능하다. If the five aspheric mirror up, all the mirror it is possible to manufacture compared to the simple embodiment of the present invention is formed into an aspheric surface.

광축으로부터 가장 멀리 놓인 유효 범위를 가진 거울, 일반적으로 제 4 거울이 구면으로 형성되면, 특히 바람직하다. When a mirror with an effective range lies furthest from the optical axis, typically the fourth mirror is formed in a spherical surface, it is particularly preferred.

본 발명은 투사 대물렌즈 외에 투사 노광 장치에도 적용된다. The invention is applicable to a projection exposure apparatus other than the projection objective lens. 투사 노광 장치는 링 필드를 조명하기 위한 조명 장치 및 본 발명에 따른 투사 대물렌즈를 포함한다. The projection exposure apparatus comprises a projection objective according to the invention and the lighting apparatus for illuminating a ring field.

이하, 본 발명의 실시예를 첨부한 도면을 참고로 구체적으로 설명한다. It will be described in detail below, referring to the accompanying drawings, an embodiment of the present invention.

도 1에는 본 출원서에서 유효 범위 및 상기 유효 범위의 직경이 무엇을 의미하는지를 나타낸다. Figure 1 shows how the mean diameter and the effective range of the effective range in the present application.

도 1은 예컨대 투사 대물렌즈 거울 상의 조명된 필드(1)에 있어 신장형 필드를 도시한다. Figure 1 shows an example, kidney-shaped field in the field (1) light on the projection objective lens mirror. 이러한 형태는 본 발명에 따른 대물렌즈를 마이크로리소그래피 This type of an objective lens described in microlithography

-투사 노광 장치에 사용하는 경우 유효 범위의 형태이다. - In case of using the projection exposure apparatus it is in the form of the effective range. 원(2)은 신장 형태를 완전히 둘러싸며 신장 형태의 에지(10)와 2개의 점(6, 8)에서 만난다. Source 2 is completely surrounded meet at said height in the form of edges (10) and two points (6, 8) form a height. 상기 원은 항상 유효 범위를 포함하는 가장 작은 원이다. The circle is always the smallest circle containing the effective range. 상기 유효 범위의 직경(D)은 원(2)의 직경으로부터 주어진다. Diameter (D) of the effective range is given from the diameter of a circle (2).

도 2에는 투사 대물렌즈의 물체 평면에서 투사 노광 장치의 물체 필드(11)가 도시된다. 2, the object fields 11 of the projection exposure system in the object plane of the projection objective lens is shown. 상기 물체 필드는 본 발명에 따른 투사 대물렌즈에 의해 감광성 물체, 예컨대 웨이퍼가 배치된 상 평면에 결상된다. The object field is imaged on a plane of a photosensitive object such as a wafer placed by a projection objective according to the invention. 상 평면에서 상 필드는 물체 필드와 동일한 형태를 갖는다. In the flat image field has the same shape as the object field. 물체 필드 또는 상 필드(11)는 링 필드의 세그먼트 형상을 갖는다. An object field or a field 11 has the shape of a ring segment field. 상기 세그먼트는 대칭축(12)을 갖는다. The segment has an axis of symmetry (12).

또한, 도 2에는 물체 평면을 정하는 축, 즉 x-축 및 y-축이 도시된다. In addition, FIG. 2, the shaft defining an object plane, i.e., x- and y- axis-axis is shown. 도 2에 나타나는 바와 같이, 링 필드(11)의 대칭축(12)은 y-축의 방향으로 연장된다. As shown in Fig. 2, the axis of symmetry 12 of the ring field 11 it is extending in the y- axis direction. 동시에 y-축은 링 필드 스캐너로서 설계된 EUV-투사 노광 장치의 스캔 방향과 일치한다. At the same time it coincides with the scanning direction of the projection exposure apparatus is designed as a y- axis EUV- ring field scanner. x-방향은 물체 평면 내부에서 스캔 방향과 수직인 방향이다. x- direction is a direction perpendicular to the scan direction within the object plane. 링 필드는 소위 평균 링 필드 반경(R)을 갖는다. Ring field has a so-called average ring field radius (R). 상기 반경은 상 필드의 중심점(15)과 투사 대물렌즈의 광축(HA) 사이의 거리에 의해 정해진다. Is the radius is determined by the distance between the center point 15 and the optical axis (HA) of the projection objective lens of the image field.

도 3에는 예컨대 전체 시스템에 있어서 본 발명에 따른 투사 대물렌즈의 2개의 거울 세그먼트(20, 22)가 도시된다. 3 is shown a projection of two mirror segments of the objective lens 20, 22 according to the invention in the example system-wide. 거울 세그먼트(20, 22)는 거울의 유효 범위에 상응한다. Mirror segments (20, 22) corresponds to the effective range of the mirror. 거울 세그먼트는 광축(24)을 따라 배치된다. Mirror segments are disposed along an optical axis (24). 도 3에 나타나는 바와 같이, 투사 대물렌즈의 거울의 유효 범위(20, 22)에 각각 하나의 구성 공간(26, 28)이 할당된다. As shown in Figure 3, it is each assigned a single configuration space (26, 28) in the effective range of the mirror of the projection objective lens (20, 22). 본 출원서에서, 상기 구성 공간의 깊이(T)는 광축에 대해 평행한 각각의 거울의 유효 범위(20, 22)의 중심점(30, 32)으로부터 상기 구성 공간의 폭을 의미한다. In the present application, the depth (T) of the configuration space is meant the width of the configuration space from the center point (30, 32) of the effective range (20, 22) of each of the mirrors is parallel to the optical axis. 본 출원서에서 유효 범위의 중심점은 각각의 거울의 유효 범위에서 물체 필드의 중심점의 주광선(CR)의 충돌점을 의미한다. The center of the effective range in the present application refers to the collision point of the chief ray (CR) of the center point of the object field in the effective range of each mirror. 도 3에 도시된 바와 같이, 거울은 구성 공간(26, 28)이 기하학적으로 서로를 침입하지 않도록 투사 대물렌즈에 배치된다. 3, the mirror is disposed in the projection objective lens so as not to break into each other in a geometric configuration space (26, 28).

도 4에는 본 발명에 따른 6 거울 시스템의 제 1 실시예가 도시된다. Figure 4 is shown an embodiment of a first mirror 6, the system according to the invention. 결상될 물체, 즉 링 필드의 세그먼트를 형성하고 도 2에 도시된 바와 같은 대칭축을 가진 물체의 크기는 대칭축에 대해 수직 방향으로 적어도 20mm, 바람직하게는 25 ㎜이다. Be an imaging object, i.e., the size of the object with the axis of symmetry as shown in Figure 2 and forming a segment of the ring field is at least 20mm, preferably 25 ㎜ perpendicularly to the axis of symmetry. 결상될 물체는 도 4에 도시된 대물렌즈의 물체 평면(100)에 배치된다. Object to be imaged is placed on the object plane 100 of the objective lens shown in FIG. 본 실시예에서 물체 필드로는 링 필드 세그먼트가 물체 평면(100)에 형성된다. In this embodiment, the object field is a ring field segment is formed on the object plane (100). 또한, 물체 평면에는 감광성 층 상에 결상될 물체(리소그래피에서는 레티클이라 함)가 배치된다. Further, the object plane, is disposed (referred to as the lithographic reticle) an object to be imaged on the photosensitive layer.

물체(100)가 본 발명에 따른 투사 대물렌즈에 의해 결상되는 평면은 상 평면(102)이며, 상기 상 평면(102)에는 예컨대 웨이퍼가 배치될 수 있다. Plane in which the imaging by the projection objective according to the invention, the object 100 is present on a plane (102), there is the image plane 102, for example a wafer can be placed. 본 발명에 따른 투사 대물렌즈는 제 1 거울(S1), 제 2 거울(S2), 제 3 거울(S3), 제 4 거울(S4), 제 5 거울(S5) 및 제 6 거울(S6)을 포함한다. Projection objective lens according to the present invention, the first mirror (S1), a second mirror (S2), a third mirror (S3), a fourth mirror (S4), a fifth mirror (S5) and sixth mirror (S6) It includes. 도 4에 도시된 실시예에서는 총 6개의 거울(S1), (S2), (S3), (S4), (S5) 및 (S6)이 비구면 거울로 형성된다. In the embodiment shown in Figure 4 a total of six mirror (S1), (S2), (S3), (S4), (S5) and (S6) is formed to a spherical mirror. 제 1 거울(S1)로는 볼록 거울이 사용된다. Roneun first mirror (S1) is a convex mirror is used.

도 4에 따른 제 1실시예에서 조리개(B)는 제 2 거울(S2)상에 배치된다. The aperture (B) in the first embodiment according to Figure 4 is arranged on the second mirror (S2). 시스템은 광축(HA)에 대해 센터링되며 상측 평면에서 즉, 상 평면(102)에서 텔레센트릭하다. The system is centered with respect to the optical axis (HA) is a trick telecentric in other words, the plane 102 in the upper plane. 상기 텔레센트릭은 주광선(CR)이 거의 또는 대략 90°의 각으로 상 평면(102)에 부딪치는 것을 의미한다. The telecentricity means that the chief ray (CR) with little or impinging on the plane 102 at an angle of approximately 90 °.

광 손실 및 거울 시스템 내부에서 코팅 유도된 파면 수차를 가급적 적게 하기 위해, 필드 중심점의 주광선(CR)이 각각의 거울 표면에 부딪치는 각이 항상 18°보다 작다. In order to reduce as much as possible the coated wave aberration induced in the internal optical loss and mirror system, the respective principal ray (CR) is the center point of the field impinging on each mirror surface is always smaller than 18 °. 도 4에는 각각의 거울(S1, S2, S3, S4, S5 및 S6)의 유효 범위(N1, N2, N3, N4, N5 및 N6)의 구성 공간(B1, B2, B3, B4, B5 및 B6)이 도시된다. 4 shows the respective mirror (S1, S2, S3, S4, S5 and S6) validity range (N1, N2, N3, N4, N5 and N6) configuration space (B1, B2, B3, B4, B5 and B6 of the ) it is shown.

도 4에 명확히 나타나는 바와 같이, 다른 거울의 공간 또는 상기 대물렌즈에서의 광로를 가로지르지 않으면서, 전체 대물렌즈는 모든 구성 공간(B1, B2, B3, B4, B5 및 B6)이 평면(100)에 놓인 물체 필드의 대칭축(12)에 대해 평행한 방향으로 연장될 수 있도록 구성된다. As clearly shown in Figure 4, the standing, the entire objective lens is all the area (B1, B2, B3, B4, B5 and B6) plane 100. If not cross the optical path of the other mirror area or the objective lens It is configured to extend in a direction parallel to the axis of symmetry 12 of the object placed in the field. 용이한 판독 가능성을 위해 도 4에는 좌표계 (x,y,z) 가 도시된다. 4 also possible for ease of reading, the coordinate system (x, y, z) is shown. 대물렌즈의 광축은 z-방향으로 연장되고, 물체 필드는 xy-물체 평면에 놓이며 물체 필드(100)의 대칭축은 y-방향을 가리킨다. The optical axis of the objective lens is extending in the z- direction, the object field is placed in the xy- object plane axis of symmetry of the object field 100 points to the y- direction.

도 4에 나타나는 바와 같이, 모든 유효 범위의 구성 공간은 물체 필드의 대칭축(12)의 방향으로 연장될 수 있다. As shown in 4, the configuration spaces of all the effective range may be extended in the direction of the axis of symmetry 12 of the object field. 이것은 거울이 대물렌즈의 적어도 한 측면으로부터 접근되고 예컨대 삽입되어 조립되는 것을 보장한다. This ensures that the mirror assembly is accessible from at least one side of the objective lens is for example inserted.

또한 도 4에 따른 실시예 1에서는 중간 상(Z)을 가진 시스템이 다루어진다. In addition, the first embodiment according to Figure 4, the system has an intermediate image (Z) is addressed. 중간 상(Z)은 기하학적으로 제 1 거울(S1) 다음에서 제 4 거울(S4)과 제 5 거울(S5) 사이에 형성된다. The intermediate (Z) is formed between the geometry in a first mirror (S1), and then from the fourth mirror (S4) and the fifth mirror (S5). 중간 상(Z)에 의해 도 4에 따른 시스템이 2개의 부분 시스템, 즉 거울(S1, S2, S3 및 S4)를 포함는 제 1 부분 시스템, 및 거울(S5, S6)을 포함하는 제 2 부분 시스템으로 나눠진다. A second part system comprising an intermediate image (Z) 4 system, the two part system according to by, that the mirror (S1, S2, S3 and S4) the pohamneun first part system, and a mirror (S5, S6) to split.

거울(S1) 내지 (S4) 및 (S6)의 구성 공간(B1) 내지 (B4) 및 (B6)은 적어도 50 ㎜이며, 제 5 거울의 구성 공간(B5)은 적어도 제 5 거울의 유효 범위 직경의 1/3 이므로, 웨이퍼에 가장 인접한 제 5 거울(S5)과 상 평면(102) 사이의 자유 작동 거리는 적어도 12 ㎜이다. A mirror (S1) to (S4) and to the configuration space (B1) in (S6) (B4) and (B6) is at least 50 ㎜, configuration space (B5) of the fifth mirror is at least the effective range of the diameter of the fifth mirror Since one-third of a free running between the adjacent fifth mirror (S5) and the image plane 102 in the wafer a distance at least 12 ㎜.

도 4에 따른 제 1 실시예의 코드 V-데이터는 첨부된 표 1에 제시된다. First embodiment V- data code according to Figure 4 are given in the accompanying Table 1. The 여기에서 엘리먼트 번호는 (1), (2), (3), (4), (5), (6)으로 표시되고 거울은 (S1), (S2), (S3), (S4), (S5), (S6)으로 표시된다. Here, the element number is 1, 2, 3, 4 and 5, as being a mirror display (6) (S1), (S2), (S3), (S4), ( S5), is indicated by (S6).

실시예 1에 따른 시스템의 양측 개구수는 0.25이다. Embodiment the number of openings on both sides system it is 0.25 according to the first embodiment.

도 5에는 본 발명의 제 2 실시예가 도시된다. Fig. 5 is shown a second embodiment of the present invention. 도 4에 도시된 부품과 동일한 부품은 동일한 도면 부호를 갖는다. The parts with the same components shown in Figure 4 have the same reference numerals. 총 6개의 거울 표면이 비구면이지만, 도 4에 따른 실시예와는 달리 제 1 거울(S1)이 볼록 거울이 아니라 오목 거울로 형성된다. Although a total of six mirror surfaces are aspherical surfaces, also unlike the embodiment 4 according to the first mirror (S1) is not a convex mirror is formed as a concave mirror.

시스템의 데이터는 본 출원서에 첨부된 표 2에 표시된 코드 V-표에 제시된다. The system data are shown in Table V- code shown in the table 2 attached to the present application. 도 5에 따른 투사 대물렌즈의 개구수는 도 4에 따른 제 1 실시예에서와 같이 NA = 0.25이다. Also the numerical aperture of the projection objective lens of NA = 0.25 is 5 as shown in the first embodiment according to Fig.

도 5에 따른 실시예에서는 본 발명에 따라 대물렌즈에 배치된 모든 거울의 유효 범위의 직경(D)이 300 ㎜ 보다 작으며, 결상될 물체는 도 2에 도시된 바와 같이 링 필드의 세그먼트이다. Also in the embodiment according to 5 the segment of the ring field as shown in less than the diameter (D) is 300 ㎜ of coverage of all the mirror disposed in the objective lens in accordance with the invention, Fig object to be imaged 2.

도 5에 따른 제 2 실시예의 각각의 거울의 xy 평면에서의 유효 범위는 도 6a 내지 6f에 도시된다. The effective range in the xy plane of the second exemplary embodiment, each of the mirror according to Figure 5 is shown in Figures 6a-6f. 모든 도면에는 물체 평면에 의해 정해지는 xy 좌표계가 도시된다. All the figures, the xy coordinate system defined by the object plane is shown. 여기서, y-방향은 링 필드 스캐너의 스캔 방향이며, x-방향은 스캔 방향에 대해 수직인 방향이다. Here, y- direction is a scanning direction of a ring field scanner, x- direction is a direction perpendicular to the scanning direction.

도 6a에 나타나는 바와 같이, 거울(S1)상의 유효 범위(N1)는 실제로 신장형이며, 145.042 ㎜의, 도 1에 규정된 바와 같은 직경(D)을 갖는다. The effective range (N1) on the mirror (S1) as shown in Fig. 6a is actually elongated, it has a diameter (D) as defined in 145.042 ㎜, Fig. 거울(S2)상의 유효 범위(N2)는 실제로 원형이며, 직경은 도 6b에 따라 157.168 ㎜이다. The effective range (N2) on the mirror (S2) is actually circular, the diameter is 157.168 ㎜ according to Figure 6b.

거울(S3)상의 유효 범위(N3)도 신장형이며, 직경은 도 6c에 따라 102.367 ㎜이다. The effective range (N3) on the mirror (S3) is also elongated, diameter of 102.367 ㎜ according to Figure 6c. 거울(S4)상의 유효 범위(N4)는 도 6d에 따라 222.497 ㎜의 직경을 갖는다. The effective range of the mirror (S4) (N4) has a diameter of 222.497 ㎜ according to Figure 6d.

거울(S5) 및 (S6)상의 유효 범위(N5) 및 (N6)는 도 6e 및 6f에 따라 실제로 원형이며, 유효 범위(N5)의 직경(D)은 83.548 ㎜이고 유효 범위(N6)의 직경은 270.054 ㎜이다. The effective range of the mirror (S5) and (S6) (N5) and (N6) are actually circular in accordance with Fig. 6e and 6f, the diameter (D) is 83.548 ㎜ of the effective range (N5) and the diameter of the effective range (N6) is 270.054 ㎜.

본 발명에 따라 투사 대물렌즈 실시예의 모든 유효 범위(N1) 내지 (N6)의 직경은 도 5에 따라 300 ㎜ 보다 작다. According to the invention the projection objective lens embodiment all of the effective diameter range (N1) to (N6) is less than 300 ㎜ according to Fig.

도 7에는 6개의 비구면 거울을 가진 본 발명에 따른 투사 대물렌즈의 제 3 실시예가 도시된다. Figure 7 shows a third embodiment of a projection objective according to the invention with six spherical mirror is shown. 도 4 및 6에서와 동일한 부품은 동일한 도면 부호를 갖는다. The same parts as in Figs. 4 and 6 have the same reference numerals. 도 7에 따른 제 3 실시예의 데이터는 첨부된 표 3에 코드 V-포맷으로 제시된다. The third embodiment according to the Fig. 7 embodiment of data are shown as V- code format in the accompanying Table III. 도 7에 따른 시스템의 개구수는 NA = 0.25 이다. The numerical aperture of the system according to Figure 7 is NA = 0.25. 도 7에 따른 실시예의 제 1 거울(S1)은 축 근처에서 평면으로 형성된다. Embodiment of the first mirror (S1) according to Figure 7 are formed in a plane near the axis. 본 출원서에서 광축(HA) 근처의 거울(S1)의 기본 곡률은 영이다. Base curvature of the mirror (S1) around the optical axis (HA) in the present application is a spirit.

도 8은 제조 관점에서 특히 바람직한 6 거울 시스템을 나타낸다. Figure 8 shows a particularly preferred six mirror system in the manufacturing point of view. 도 8에 따른 시스템에서 개구수는 0.23이고, 제 4 거울은 구면 거울인데, 이것은 제조 관점에서 매우 바람직하다. And the numerical aperture in the system according to Figure 8 is 0.23, the fourth mirrors are inde spherical mirror, which is highly desirable in a manufacturing point of view. 그 이유는 구면이 비구면 보다 쉽게 가공될 수 있고, 제 4 거울(S4)은 광축으로부터 가장 멀리 떨어진 유효 범위를 가진 거울이기 때문이다. The reason for this can be easily processed than the spherical aspheric, and the fourth mirror (S4) is because the mirror with the farthest from the effective range of the optical axis.

도 8에 따른 시스템의 데이터는 첨부된 표 4에 코드 V-포맷으로 제시된다. The system data according to Figure 8 are shown as V- code format in the accompanying Table 4.

거울, 특히 제 4 거울의 유효 범위의 비교적 작은 치수는 투사 대물렌즈에서 기하학적으로 제 3 및 제 2 또는 제 1 및 제 2 거울 사이의 제 4 거울의 위치에 의해 주어진다. Mirrors, in particular, relatively small dimensions of the effective range of the fourth mirror is given by the position of the fourth mirrors in the projection objective lens geometrically between the third and second or the first and second mirrors.

제 2 및 제 1 거울 또는 제 2 및 제 3 거울에 대한 제 4 거울의 위치에 관련한 데이터는 하기 조건으로 표시된다. And second data relating to the position of the fourth mirror to the first mirror or the second and third mirror is expressed by the following conditions.

0.1 < 0.1 < < 0.9 (1) <0.9 (1)

0.3 < 0.3 < < 0.9 (2) <0.9 (2)

바람직하게는 조건(2)에 적용된다: Preferably applied to the condition (2):

0.4 < 0.4 < < 0.9 (2a) <0.9 (2a)

4개의 실시예에 있어서, 상기 조건은 하기 표에 제시된다. In the four embodiments, the conditions are given in the following Table.

표 5: 조건(1)에 대한 데이터 Data for condition (1): Table 5

실시예 Example 특성 characteristic (S4S1)/(S2S1) (S4S1) / (S2S1) 1 = 도 4 1 = 4 M1 볼록 M1 convex 0.14 0.14 2 = 도 5 2 = 5 M1 오목 M1 recess 0.35 0.35 3 = 도 7 3 = 7 M1 평면 M1 planes 0.19 0.19 4 = 도 8 4 = 8 NA = 0.23, 5 비구면 NA = 0.23, 5 aspheric 0.67 0.67

표 6: 조건(2)에 대한 데이터 Data for the condition (2): Table 6

실시예 Example 특성 characteristic (S3S4)/(S2S3) (S3S4) / (S2S3) 1 = 도 4 1 = 4 M1 볼록 M1 convex 0.31 0.31 2 = 도 5 2 = 5 M1 오목 M1 recess 0.44 0.44 3 = 도 7 3 = 7 M1 평면 M1 planes 0.34 0.34 4 = 도 8 4 = 8 NA = 0.23, 5 비구면 NA = 0.23, 5 aspheric 0.69 0.69

유효 범위의 직경은 특히 중요한 파라미터인데, 그 이유는 그것이 대물렌즈 챔버의 치수를 결정하기 때문이다. The diameter of the effective range parameter is especially important, because it is to determine the dimensions of the objective lens chamber. 큰 유효 범위 및 그에 따라 큰 거울은 매우 큰 구성 공간을 필요로 하고, 이것은 큰 UHV-시스템의 진공화 관점에서 바람직하지 못하다. A large effective range and a large mirror is required a very large configuration space accordingly, and this is not preferable from the viewpoint of a large evacuation UHV- system. 큰 거울의 또 다른 단점은 기계적 진동에 대한 그것의 큰 민감도인데, 그 이유는 그것의 고유 주파수가 작은 거울에서 보다 작기 때문이다. Another disadvantage of a large mirror inde its great sensitivity to mechanical vibrations, because smaller than in the small mirror its natural frequency. 작은 치수를 가진 거울의 또 다른 장점은 기판의 비구면화 및 코팅이 작은 UHV-처리 챔버에서 이루어질 수 있다는 것이다. Another advantage of a mirror with smaller dimensions is that the aspheric screen and a coating of the substrate can be made in small UHV- processing chamber.

다중 층 시스템을 구비한 거울 기판의 코팅이 층 응력을 야기시키기 때문에, 특히 기판의 에지에서 변형이 나타날 수 있다. Because it leads to a coating layer stress of a mirror substrate having a multilayer system, in particular a strain appears in the edge of the substrate. 상기 변형이 거울의 유효 범위 내로 연장되지 않도록 하기 위해, 변형을 감소시킬 수 있는 최소 영역을 유효 범위의 외부에 제공할 필요가 있다. To ensure that the modification not extending into the effective range of the mirror, it is necessary to provide a minimum region which can reduce the strain on the outside of the effective range. 실시예 1 내지 4에서 개별 거울의 경계 영역은 하기 표(7)에 제시된다. Example 1, a border area of ​​the individual mirrors in to 4 are given in Table 7.

표 7: 거울(S1) 내지 (S6)의 경계 영역에 대한 데이터 Table 7: Data for the boundary region of the mirror (S1) to (S6)

거울 mirror A1 = 도 4 A1 = 4 A2 = 도 5 A2 = 5 A3 = 도 7 A3 = 7 A4 = 도 8 A4 = 8 S1 S1 13 mm 13 mm 21 mm 21 mm 16 mm 16 mm 2 mm 2 mm S2 S2 11 mm 11 mm 11 mm 11 mm 8 mm 8 mm 8 mm 8 mm S3 S3 22 mm 22 mm 28 mm 28 mm 26 mm 26 mm 8 mm 8 mm S5 S5 4 mm 4 mm 4 mm 4 mm 4 mm 4 mm 5 mm 5 mm S6 S6 5 mm 5 mm 6 mm 6 mm 5 mm 5 mm 2 mm 2 mm

상기 표에 나타나는 바와 같이, 도 4, 5 및 7에 따른 실시예에서 각각의 거울에 있어 경계 영역은 4 mm 보다 크며, 이것은 층 응력을 고려해볼 때 특히 바람직하다. As shown in the table, Figure 4, in each of the mirror in the embodiment according to the 5 and 7, the border area is greater than 4 mm, it is particularly preferable considering the stress layer.

도 9에는 본 발명에 따른 투사 대물렌즈의 바람직한 실시예에서 제 5 및 제 6 거울(S5), (S6)의 배치가 도시된다. Figure 9 is the arrangement of the fifth and the sixth mirror (S5), (S6) shown in a preferred embodiment of a projection objective according to the invention.

도 9에 따라 광빔(200)이 예컨대 웨이퍼가 배치된 상 평면(102)에 텔레센트릭하게 부딪친다. Figure 9 based on the light beam 200 strikes the wafer is, for example, a telecentric in the image plane disposed 102. The 제 6 거울(S6)은 오목하게 형성된다. A sixth mirror (S6) is formed concavely. 제 5 거울(S5)은 제 6 거울(S6)과 상 평면(102) 사이에 놓인다. A fifth mirror (S5) is placed between the sixth mirror (S6) with a plane (102). 본 발명에 따른 투사 대물렌즈에서는 모든 거울(S1), (S2), (S3), (S4), (S5), (S6)은 물체 평면(100)와 상 평면(102) 사이에 배치된다. The projection objective according to the invention is arranged between all the mirror (S1), (S2), (S3), (S4), (S5), (S6) is the object plane 100 and image plane 102. 본 발명에 따른 투사 대물렌즈에서 그림자 없는 광로가 요구되면, 도 9에 도시된, 거울(S5) 및 (S6)을 가진 상측면의 대물렌즈 부분에, 그림자 없는 광선 가이드를 위한 2개의 임계 영역이 존재한다. If the shadow-free optical path is required in the projection objective according to the invention, the objective lens section of the image-side surface that has a mirror (S5) and (S6) shown in Figure 9, the two critical areas for the shadow-free light guide exist.

상기 임계 영역 중 하나는 제 5 거울(S5)의 유효 범위의 상부 에지(202)에 놓인다. One of the critical section is situated at the upper edge 202 of the effective range of the fifth mirror (S5). 광선 가이드(안내)는 광빔(200)의 하부 에지 광선(204)이 상기 거울(S5)의 유효 범위(N5) 상부에 연장되고 상 평면(102)에 부딪치도록 구성되어야 한다. Light guide (guidance) is the lower edge ray 204 of the beam 200 is extended to the upper effective range (N5) of said mirror (S5) to be configured to find values ​​for the plane (102). R은 링 필드 반경을 나타내고 (S5 B)가 (S5)와 상 평면(102) 사이의 거리를 나타내면, 하부 에지 광선(204)과 광축(HA) 사이의 거리는 하기 식에 따라 주어진다. R is given in accordance with the distance between the formula represents a ring field radius (S5 B), the (S5) with a plane (102) represents the distance between the lower edge ray 204 and the optical axis (HA).

y = R - (S5B) *tan(arc sin(NA)) y = R - (S5B) * tan (arc sin (NA))

상기 식에서, NA는 출사동에서의 개구수이다. Wherein, NA is the numerical aperture at the exit pupil.

유효 범위(N5)의 상한선은 제 5 거울(S5)에 대한 광빔(200)의 상부 에지 광선(206)의 충돌점에 의해 결정된다. The upper limit of the effective range (N5) is determined by the collision point of the upper edge ray 206 of the beam 200 to the fifth mirror (S5). 하기 변수를 사용해서 Using a variable to

r 6 : S6의 곡률 반경 The radius of curvature of the S6: r 6

(S5 S6): S5와 S6 사이의 (포지티브) 거리 (S5 S6): between S5 and S6 (positive) distance

상기 초점 인터셉트 등식이 광축(HA')과 제 5 거울의 유효 범위(N%)의 상부 에지(202)의 거리(y')에 대한 제 6 거울에 적용된다. Is the focal intercept equation is applied to the sixth mirror to the optical axis (HA ') and the distance (y in the fifth mirror effective range (N%), the upper edge 202 of a').

제 5 거울(S5)에서 그림자 없는 광선을 얻기 위해서는 하기 식이 적용되어야 한다: For the fifth mirror (S5) to obtain a light without shadows in the diet should apply:

Δy = yy'≥0 Δy = yy'≥0

다른 임계 범위는 S6의 하부 에지에 놓인다. Other critical range is set on the lower edge of the S6. 여기서, 그림자를 근축 근사적으로 없애기 위해, 상기 초점 인터셉트 등식을 상 평면(102)에서 상 필드의 링 필드 반경(R)에 대한 거울(S5) 및 (S6)에 2번 적용시킨다. Here, the near axis to eliminate the shadow approximated, thereby applying a mirror (S5) and (S6) for the ring field radius (R) of the field, the focal intercept equations in the plane (102) twice.

r 6 , r 5 , (S 5 B) 및 (S 5 S 6 )이 고정적으로 선택되면 특히, r 6 = 535.215 ㎜; r 6, r 5, (S 5 B) and (S 5 S 6) when the fixedly selected in particular, r 6 = 535.215 ㎜; r 5 = 594.215 ㎜; r 5 = 594.215 ㎜; (S5B) = 44.083 ㎜; (S5B) = 44.083 ㎜; (S5S6) = 437.186 ㎜이면, y' 및 Δy에 대한 식에 따라 제 5 거울에서 차광 없는 광선 가이드(안내)를 위한 경계 조건 하에서 개구에 따라 링 필드 반경(R)에 대한 상기 식으로부터 하기 표 5가 얻어진다: (S5S6) = 437.186 to from ㎜ is, y ', and the formula for the ring field radius (R) in accordance with the opening under a boundary condition for the light guide (guidance) is not shielded at the fifth mirror according to the expression for the Δy Table 5 It is obtained:

표 5 Table 5

NA NA 0.15 0.15 0.20 0.20 0.25 0.25 0.30 0.30 R(㎜) R (㎜) 18.191 18.191 24.475 24.475 30.958 30.958 37.707 37.707

표 5에 나타나는 바와 같이, 출사동에서 큰 개구수는 큰 링 필드 반경을 초래한다. As it is shown in Table 5, the large numerical aperture at the exit pupil results in a large ring field radius.

동축 6-거울-대물렌즈에서 링 필드 반경이 미리 주어질 때 개구수 확대는 일정한 값까지만 가능하다. Coaxial 6 mirror-enlarge the numerical aperture when the objective lens is a ring field radius is given in advance is possible only up to a certain value. 상기 값을 초과하면, 제 5 거울에서 비구면도가 거의 점프형으로 증가한다. If it exceeds the above value, the asphericity is little increase in the jump-type in the mirror 5. 이러한 증가는 비구면 제조 및 비구면 측정 기술에서의 문제 및 대물렌즈의 보정시 문제를 야기시킨다. This increase causes a problem when the correction of the problem, and the objective lens of an aspherical surface and the aspherical surface measured Manufacturing Technology.

(S5B )는 최소치에 미달되지 않아야 하는 웨이퍼에서의 대물렌즈의 소위 작동 거리와 동일하다. (S5B) is equal to the so-called working distance of the objective lens of the wafer not to be less than the minimum value. (S5 B)의 축소에 의한 링 필드 반경의 감소는 최소 거리에 도달할 때까지만 가능하다. Reduction in ring field radius by reducing the (S5 B) is possible only when it reaches the minimum distance.

거리(S5 S6)의 축소는 링 필드 반경의 축소를 야기시키지만, 제 5 거울(S5)에 대한 입사각을 확대시킨다. Reduction of the distance (S5 S6), involves causing the collapse of the ring field radius, it extends the angle of incidence on the fifth mirror (S5). (S5)에 대한 큰 입사각은 매우 큰 비용으로만 최상의 반사율을 가진 다층 시스템의 제조를 가능하게 한다. A large incident angle on (S5) enables the production of a multilayer system with a very large cost best reflectivity only. r 5 의 감소는 거리(S5 S6)의 축소와 동일한 단점을 야기시키는데, 그 이유는 이러한 축소는 (S5)에 대한 큰 입사각에 의해 나타나기 때문이다. reduction in the r 5 was shown to lead to the same disadvantages as reduction of the distance (S5 S6), The reason is that this reduction is due to appear by a large angle of incidence on (S5).

r 6 의 확대는 링 필드 반경을 축소시키기는 하지만, 제 5 거울에서 차광 제거가 저하된다. 6 is a close-up of r is reduced to the ring field radius but is removed from the fifth mirror shading is reduced.

도 10에는 본 발명에 따른 6 거울-투사 대물렌즈(200)을 가진 마이크로리소그래피용 투사 노광 장치가 도시된다. 10, the mirror 6 according to the invention the projection exposure apparatus is shown for microlithography with a projection objective (200). 조명 장치(202)는 예컨대 유럽 특허 제 99106348호의 "특히 EUV-리소그래피용 조명 시스템" 또는 미국 특허 제 09/305,017호의 "특히 EUV-리소그래피용 조명 시스템(Illumination system particularly for EUV-Lithography)과 같이 형성될 수 있다. 상기 특허의 공개 내용을 본 출원서에 참고할 수 있다. 이러한 조명 시스템은 EUV-광원을 포함한다. 그리드 엘리먼트(소위, 필드 벌집)를 포함하는 제 1 거울(207), 그리드 엘리먼트(소위, 개구 조리개 벌집)를 포함하는 제 2 거울(208), 및 거울(210)에 의해, 레티클(212)이 조명된다. 레티클(212)에 의해 반사된 빛이 본 발명에 따른 투사 대물렌즈에 의해 감광성 층을 포함하는 지지체(214)상에 결상된다. 칩 제조공정에 있어서, 리소그래피 공정의 노광공정에서 본 발명에 따른 마이크로리소그래피용 투사 노광 장치를 사용할 수 있다. The illumination device 202 for example, European Patent No. 99,106,348 favors "especially EUV- lithography illumination system for" or U.S. Patent No. 09/305 017 heading "in particular be formed as an illumination system for lithography EUV- (Illumination system particularly for EUV-Lithography) can. the disclosure of the above patent may be consulted in the present application. the illumination system comprises a light source EUV- first mirror 207, the grid element comprising a grid element (so-called field honeycomb) (so-called the second mirror 208, and by the mirror 210, the reticle 212 is illuminated. photosensitivity by a projection objective according to the invention the light reflected by the reticle 212, which includes an aperture diaphragm honeycomb) form an image on a support 214 consisting of a layer. in the chip production process, it is possible to use a projection exposure apparatus for microlithography according to the invention in the exposure step of a lithography process.

본 발명에 의해, 모든 거울에서 작은 치수를 가진 유효 범위를 특징으로 하며 구성 기술 및 제조 기술 면에서 특히 바람직한 콤팩트한 투사 대물렌즈를 형성하는 6 거울을 가진 투사 대물렌즈가 제공된다. According to the invention, characterized in an effective range having a small dimension in all mirrors, and is provided with a projection objective with six mirrors to form a particularly preferred compact projection objective in terms of configuration technology and manufacturing technology.

첨부 : 표 1-4 코드 V - 대물렌즈 데이타 Attachments: Table 1-4 Code V - objective data

표 1 : 실시예 1(도 4) Table 1: Example 1 (4)

표 2 : 실시예 2(도 5) Table 2: Example 2 (Fig. 5)

표 3 : 실시예 3(도 7) Table 3: Example 3 (7)

표 4 : 실시예 4(도 8) Table 4: Example 4 (Fig. 8)

도 1은 거울의 유효 범위를 나타낸 개략도. 1 is a schematic diagram showing the effective range of the mirror.

도 2는 대물렌즈의 물체 평면에서 링 필드를 나타낸 개략도. Figure 2 is a schematic view showing the ring field in the object plane of the objective lens.

도 3은 투사 대물렌즈의 2개의 임의의 거울에 대한 구성 공간을 규정한 개략도. Figure 3 is a schematic view of the configuration defines a space for the two random mirrors of the projection objective lens.

도 4는 제 1 거울이 볼록하게 형성된, 6개의 비구면 거울을 갖춘 본 발명에 따른 투사 대물렌즈의 제 1 실시예. Figure 4 is a projection of an object lens according to the present invention with six spherical mirror, the first mirror is convexly formed in the first embodiment.

도 5는 제 1 거울이 오목하게 형성된, 6개의 비구면 거울을 갖춘 본 발명에 따른 투사 대물렌즈의 제 2 실시예. Figure 5 is a projection objective according to the invention with six spherical mirror, the first mirror is concavely formed in the second embodiment.

도 6a 내지 6f는 도 4에 따른 투사 대물렌즈의 총 6개의 거울의 유효 범위를 나타낸 개략도. Figures 6a to 6f are schematic views showing the effective range of the six mirrors of the projection objective according to Fig.

도 7은 제 1 거울이 근축 평면으로 형성된, 6개의 비구면 거울을 갖춘 본 발명에 따른 투사 대물렌즈의 제 3 실시예. 7 is a third embodiment of a projection objective according to the invention the first mirror is equipped with six spherical mirror, formed in a near-axis plane.

도 8은 5개의 비구면 거울 및 하나의 구면 거울을 갖춘, 예컨대 제 4 거울이 구면으로 형성된 본 발명에 따른 투사 대물렌즈의 제 4 실시예. Figure 8 is a fourth embodiment of a projection objective according to the invention with five spherical mirror and a spherical mirror, for example, the fourth mirror is formed in a spherical surface.

도 9는 본 발명에 따른 6 거울-투사 대물렌즈의 제 5 및 제 6 거울의 영역을 나타낸 개략도. Figure 9 is the mirror 6 in accordance with the present invention a schematic view showing a fifth and a sixth region of the mirror of the projection objective lens.

도 10은 본 발명에 따른 대물렌즈를 갖춘 투사 노광 장치의 기본적인 구성을 나타낸 개략도. 10 is a schematic diagram showing a basic configuration of a projection exposure apparatus equipped with an objective lens according to the present invention.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* * Description of the Related Art *

11: 물체 필드 20, 22: 거울 세그먼트 11: the object field 20, 22: mirror segments

26, 28: 구성 공간 100: 물체 평면 26, 28: the configuration space 100: object plane

102: 상 평면 200: 광빔 102: image plane 200: light beam

204: 하부 에지 광선 206: 상부 에지 광선 204: lower edge rays 206: upper edge ray

S1, S2, S3, S4, S5, S6: 거울 S1, S2, S3, S4, S5, S6: Mirrors

N1, N2, N3, N4, N5, N6: 유효 범위 N1, N2, N3, N4, N5, N6: Effective range

HA: 광축 NA: 개구수 HA: axis NA: NA

Claims (51)

  1. 물체평면에서의 물체 필드를 상평면에서 링필드의 세그먼트를 나타내는 상필드로 투영시키기 위한 입사동 및 출사동을 구비하고, 상기 세그먼트가 대칭축 및 대칭축에 대해 수직인 폭을 가지며, 상기 폭이 적어도 20mm이고, Having the entrance pupil and the exit pupil for projecting an object field in an object plane in a field indicating the segment of the ring field in the image plane, and wherein the segment has a vertical width to the axis of symmetry and the axis of symmetry, wherein the width of at least 20mm ego,
    상기 물체평면으로부터 상기 상평면까지의 광 경로 상에서 광축에 대해 동심으로 배치되고 각각 투사 대물렌즈를 통해 안내되는 광선이 부딪치는 유효 범위를 갖는 제 1(S1), 제 2(S2), 제 3(S3), 제 4(S4), 제 5(S5) 및 제 6 거울(S6) 및 광축을 포함하는 단파장용 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈에 있어서, Claim 1 (S1) having an effective range, and arranged concentrically to the optical axis on the optical path hitting the light which is guided respectively through the projection objective lens bump to the image plane from the object plane, the 2 (S2), third ( in S3), claim 4 (S4), claim 5 (S5) and a short wavelength microlithography projection objective comprising a sixth mirror (S6), and the optical axis,
    상기 제 1, 제 2, 제 3, 제 4, 제 5 및 제 6 거울의 유효 범위의 직경에는 출사동에서의 상기 대물렌즈의 개구수 NA에 따라 It said first, second, third, fourth, fifth, and the diameter of the effective range of the sixth mirror depending on the numerical aperture NA of the objective lens at the exit pupil
    유효 범위의 직경 ≤ 1200 mm*NA Of the effective range diameter of ≤ 1200 mm * NA
    가 적용되는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈. Microlithography projection objective lens, characterized in that is to be applied.
  2. 제 1 항에 있어서, According to claim 1,
    상기 출사동에서의 개구수가 0.1 보다 크고, The numerical aperture at the exit pupil is greater than 0.1;
    상기 제 1, 제 2, 제 3, 제 4, 제 5 및 제 6 거울의 유효 범위의 직경 ≤ 300 ㎜인 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈. Said first, second, third, fourth, fifth and sixth microlithography projection objective lens, characterized in that the diameter ≤ 300 ㎜ of the effective range of the mirror.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, According to claim 1 or 2,
    상기 제 1, 제 2, 제 3, 제 4, 제 5 및 제 6 거울이 각각 거울 전방면에서부터 측정되어진 광축에 평행한 유효 범위에서의 깊이를 갖는 후방 공간을 포함하며, 제 1 , 제 2 , 제 3, 제 4 및 제 6 공간의 깊이가 적어도 50 ㎜이고, 상기 제 5 거울의 공간의 깊이가 제 5 거울의 직경 값의 1/3 보다 크며, 상기 각각의 공간이 서로를 침입하지 않는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈. It said first, second, third, fourth, fifth and a sixth mirror is a rear space having a depth in each parallel valid to the optical axis been measured from the mirror front range, the first, second, third, fourth and the sixth and at least 50 ㎜ depth of the space, wherein the greater than one-third of the diameter values ​​of 5 and the fifth mirror depth of the space of the mirror, of the respective area does not penetrate each other, microlithography projection objective according to claim.
  4. 제 3 항에 있어서, 4. The method of claim 3,
    다른 거울의 공간 또는 상기 대물렌즈에서의 광로를 가로지르지 않으면서 모든 거울의 공간이 대칭축에 대해 평행한 방향으로 연장될 수 있는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈. Do not cross the optical path space on the other mirror or the objective lens of the standing microlithography projection objective lens, it characterized in that there is a space for all mirrors to be extended in a direction parallel to the axis of symmetry.
  5. 제 4 항에 있어서, 5. The method of claim 4,
    상기 제 1, 제 2, 제 3, 제 4, 제 5 및 제 6 거울이 상기 유효 범위를 둘러싸는 경계 영역을 포함하며, 상기 경계 영역은 4㎜ 보다 크며, 광(光)이 대물렌즈에서 차광 없이 안내되는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈. It said first, second, third, fourth, fifth and sixth mirror comprises a border region surrounding the effective range is the boundary region is larger than 4㎜, light (光) is shielded at the objective lens microlithography projection objective lens, characterized in that the guide without.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, According to claim 1 or 2,
    상기 제 4 거울의 유효 범위가 기하학적으로 제 2 거울과 상 평면 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈. Microlithography projection objective lens, characterized in that the effective range of the fourth mirror is arranged geometrically between the second mirror and the image plane.
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, According to claim 1 or 2,
    상기 제 4 거울이 기하학적으로 제 3 거울과 제 2 거울 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈. Microlithography projection objective lens, characterized in that the fourth mirror is arranged geometrically between the third mirror and the second mirror.
  8. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, According to claim 1 or 2,
    상기 제 4 거울이 기하학적으로 제 1 거울과 제 2 거울 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈. Microlithography projection objective lens, characterized in that the fourth mirror is arranged geometrically between the first mirror and the second mirror.
  9. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, According to claim 1 or 2,
    광축을 따른 제 4 거울과 제 1 거울의 정점의 거리(S4 S1) 대 제 2 거울과 제 1 거울의 거리(S2 S1)가 Length of the fourth mirror and the vertex of the first mirror along the optical axis (S1 S4) for a second distance of the mirror and the first mirror (S2 S1) is
    0.1 < 0.1 < < 0.9 <0.9
    의 범위에 놓이는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈. Microlithography projection objective lens, characterized in that situated in the range.
  10. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, According to claim 1 or 2,
    광축을 따른 상기 제 3 거울과 제 2 거울의 정점의 거리(S2 S3) 대 제 4 거울과 제 3 거울의 거리(S3 S4)는 The distance along the optical axis of the third mirror and the vertex of the second mirror (S2 S3) distance for the fourth mirror and the third mirror (S4 S3) is
    0.3 < 0.3 < < 0.9 <0.9
    의 범위에 놓이는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈. Microlithography projection objective lens, characterized in that situated in the range.
  11. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, According to claim 1 or 2,
    상기 출사동에서의 개구수 NA, 광축을 따른 제 5 거울과 제 6 거울의 정점의 거리(S5 S6), 제 5 거울의 정점과 상 평면의 거리(S5 B), 제 5 또는 제 6 거울의 곡률 반경 r 5 , r 6 에 따라 평균 링 필드 반경 R에는 하기 식 Of the numerical aperture NA, a fifth mirror and a sixth mirror distance (S5 S6), a fifth mirror, a fifth or sixth mirror (S5 B), the distance of the apex and the plane of the apex of the along the optical axis in said exit pupil the radius of curvature r 5, to the average ring field radius R according to the formula r 6
    이 적용되는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈. Microlithography projection objective lens, characterized in that this is applied.
  12. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, According to claim 1 or 2,
    물체 필드 중심에서 대칭축 상에 놓인 필드 포인트의 주광선의 입사각이 모든 거울에 대해 18°보다 작은 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈. Microlithography projection objective lens is the principal ray incident angle of the field point lying on the axis of symmetry in the object field center, characterized in that less than 18 ° for all mirrors.
  13. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, According to claim 1 or 2,
    상기 투사 대물렌즈에서 광 방향으로 제 4 거울(S4) 다음에 중간 상이 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈. Microlithography projection objective lens, characterized in that the intermediate image is formed in the following the fourth mirror (S4) in the light direction from the projection objective lens.
  14. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, According to claim 1 or 2,
    조리개(B)가 제 2 거울(S2) 상의 광로에 배치되는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈. Microlithography projection objective lens, characterized in that the diaphragm (B) disposed in the optical path on the second mirror (S2).
  15. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, According to claim 1 or 2,
    상기 제 1 거울이 볼록거울이고 상기 제 1, 제 2, 제 3, 제 4, 제 5 및 제 6 거울이 비구면으로 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈. Microlithography projection objective lens, characterized in that the first mirror is a convex mirror, and the first, second, third, fourth, fifth and sixth mirror is formed into an aspheric surface.
  16. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, According to claim 1 or 2,
    상기 제 1 거울이 축 가까이에서 평평하고 상기 상기 제 1, 제 2, 제 3, 제 4, 제 5 및 제 6 거울이 비구면으로 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈. Microlithography projection objective lens, characterized in that the first mirror is flat and the first, second, third, fourth, fifth and sixth mirror is formed into an aspheric surface in the near-axis.
  17. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, According to claim 1 or 2,
    상기 제 1 거울이 오목거울이고 상기 제 1, 제 2, 제 3, 제 4, 제 5 및 제 6 거울이 비구면으로 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈. Microlithography projection objective lens, characterized in that the first mirror is a concave mirror and said first, second, third, fourth, fifth and sixth mirror is formed into an aspheric surface.
  18. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, According to claim 1 or 2,
    상기 모든 거울이 비구면으로 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈. Microlithography projection objective lens, characterized in that the mirrors are all formed as aspherical surfaces.
  19. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, According to claim 1 or 2,
    최대 5개의 거울이 비구면인 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈. Microlithography projection objective lens, characterized in that a maximum of five mirrors are aspherical.
  20. 제 19 항에 있어서, 20. The method of claim 19,
    상기 제 4 거울이 비구면으로 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈. Microlithography projection objective lens, characterized in that the fourth mirror is formed into an aspheric surface.
  21. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, According to claim 1 or 2,
    상기 제 2 내지 제 6 거울(S2-S6)이 오목거울-볼록거울-오목거울-볼록거울-오목거울의 순서로 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈. The second to sixth mirror mirrors (S2-S6) a concave-convex mirror, - the concave mirror-convex mirror-microlithography projection objective lens, characterized in that formed in the order of concave mirror.
  22. 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈 장치에 있어서, In the microlithography projection objective lens unit,
    제 1 항 또는 제 2 항에 따른 상기 대물렌즈가 상(image)측 평면에서 텔레센트릭한 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈 장치. Claim 1 or microlithography projection objective device, characterized in that the objective lens is telecentric on the image (image) side of the plane according to claim 2.
  23. 투사 노광 장치에 있어서, In the projection exposure apparatus,
    투사 노광 장치가 제 1항 또는 제 2항에 따른 투사 대물렌즈뿐만 아니라 링 필드를 조명하기 위한 조명 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 투사 노광 장치. Projection exposure apparatus and the projection exposure apparatus comprising the illumination device for illuminating a ring field as well as a projection objective according to claim 1 or 2.
  24. 리소그래피 공정에서 투사 노광 장치를 사용하여 노광공정을 수행하는 칩 제조 방법에 있어서, Using a projection exposure apparatus in the lithographic process in the chip production method for performing an exposure step,
    제 23항에 따른 투사 노광 장치를 사용하여 레티클이 조명되고 감광층 상에 결상되는 것을 특징으로 하는 칩 제조 방법. Chip manufacturing method characterized in that the image formation on a projection exposure apparatus using the reticle is jomyeong and the photosensitive layer according to claim 23.
  25. 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈 장치에 있어서, In the microlithography projection objective lens unit,
    제 1 항 또는 제 2 항에 따른 대물렌즈에서 상기 단파장은 193nm 보다 작거나 같은 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈 장치. The microlithography projection objective device for an objective lens according to any one of the preceding claims characterized in that as the short wavelength is less than 193nm, or.
  26. 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈 장치에 있어서, In the microlithography projection objective lens unit,
    제 1 항 또는 제 2 항에 따른 대물렌즈에서 상기 출사동에서의 개구수는 0.2보다 크고, 상기 제 1, 제 2, 제 3, 제 4, 제 5 및 제 6 거울의 유효 범위의 직경 ≤ 300 ㎜인 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈 장치. A first numerical aperture at the exit pupil in the objective lens according to any of the preceding claims is greater than 0.2, wherein the first, second, third, fourth, fifth and sixth diameter ≤ 300 of the effective range of the mirror microlithography projection objective lens and wherein the ㎜.
  27. 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈 장치에 있어서, In the microlithography projection objective lens unit,
    제 1 항 또는 제 2 항에 따른 대물렌즈에서 상기 출사동에서의 개구수는 0.23 보다 크고, 상기 제 1, 제 2, 제 3, 제 4, 제 5 및 제 6 거울의 유효 범위의 직경 ≤ 300 ㎜인 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈 장치. In the objective lens described in one of the preceding claims, wherein the numerical aperture at the exit pupil is greater than 0.23, wherein the first, second, third, fourth, fifth and sixth diameter ≤ 300 of the effective range of the mirror microlithography projection objective lens and wherein the ㎜.
  28. 물체평면에서의 물체 필드를 상평면에서 링필드의 세그먼트를 나타내는 상필드로 투영시키기 위한 입사동 및 출사동을 구비하고, 상기 세그먼트가 대칭축 및 대칭축에 대해 수직인 폭을 가지며, 상기 폭이 적어도 25mm이고, Having the entrance pupil and the exit pupil for projecting an object field in an object plane in a field indicating the segment of the ring field in the image plane, and wherein the segment has a vertical width to the axis of symmetry and the axis of symmetry, wherein the width of at least 25mm ego,
    상기 물체평면으로부터 상기 상평면까지의 광 경로 상에서 광축에 대해 동심으로 배치되고 각각 투사 대물렌즈를 통해 안내되는 광선이 부딪치는 유효 범위를 갖는 제 1(S1), 제 2(S2), 제 3(S3), 제 4(S4), 제 5(S5) 및 제 6 거울(S6) 및 광축을 포함하는 단파장용 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈에 있어서, Claim 1 (S1) having an effective range, and arranged concentrically to the optical axis on the optical path hitting the light which is guided respectively through the projection objective lens bump to the image plane from the object plane, the 2 (S2), third ( in S3), claim 4 (S4), claim 5 (S5) and a short wavelength microlithography projection objective comprising a sixth mirror (S6), and the optical axis,
    상기 제 1, 제 2, 제 3, 제 4, 제 5 및 제 6 거울의 유효 범위의 직경에는 출사동에서의 상기 대물렌즈의 개구수 NA에 따라 It said first, second, third, fourth, fifth, and the diameter of the effective range of the sixth mirror depending on the numerical aperture NA of the objective lens at the exit pupil
    유효 범위의 직경 ≤ 1200 mm*NA 가 적용되고, Of the effective range diameter of ≤ 1200 mm * NA is applied,
    상기에서 상기 제 1, 제 2, 제 3, 제 4, 제 5 및 제 6 거울이 각각 거울 전방면에서부터 측정되어진 광축에 평행한 유효 범위에서의 깊이를 갖는 후방 공간을 포함하며, 제 1 , 제 2 , 제 3, 제 4 및 제 6 공간의 깊이가 적어도 50 ㎜이고, 상기 제 5 거울의 공간의 깊이가 제 5 거울의 직경 값의 1/3 보다 크며, 상기 각각의 공간이 서로를 침입하지 않는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈. And a rear area having a depth in the first, second, third, fourth, fifth and sixth mirror each parallel valid to the optical axis been measured from the mirror front range in the above, the first and second, third, fourth and sixth space of a depth greater than one-third of the diameter value of a fifth depth of the space of the mirror and the fifth mirror, and at least 50 ㎜, not each of the space invaded one another microlithography projection objective lens, characterized in that that.
  29. 제 28 항에 있어서, 29. The method of claim 28,
    상기 출사동에서의 개구수가 0.1 보다 크고, The numerical aperture at the exit pupil is greater than 0.1;
    상기 제 1, 제 2, 제 3, 제 4, 제 5 및 제 6 거울의 유효 범위의 직경 ≤ 300 ㎜인 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈. Said first, second, third, fourth, fifth and sixth microlithography projection objective lens, characterized in that the diameter ≤ 300 ㎜ of the effective range of the mirror.
  30. 제 28 항 또는 제 29 항에 있어서, 30. The method of claim 28 or claim 29,
    상기 제 4 거울의 유효 범위가 기하학적으로 제 2 거울과 상 평면 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈. Microlithography projection objective lens, characterized in that the effective range of the fourth mirror is arranged geometrically between the second mirror and the image plane.
  31. 제 28 항 또는 제 29 항에 있어서, 30. The method of claim 28 or claim 29,
    상기 제 4 거울이 기하학적으로 제 3 거울과 제 2 거울 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈. Microlithography projection objective lens, characterized in that the fourth mirror is arranged geometrically between the third mirror and the second mirror.
  32. 제 28 항 또는 제 29 항에 있어서, 30. The method of claim 28 or claim 29,
    상기 제 4 거울이 기하학적으로 제 1 거울과 제 2 거울 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈. Microlithography projection objective lens, characterized in that the fourth mirror is arranged geometrically between the first mirror and the second mirror.
  33. 제 28 항 또는 제 29 항에 있어서, 30. The method of claim 28 or claim 29,
    광축을 따른 제 4 거울과 제 1 거울의 정점의 거리(S4 S1) 대 제 2 거울과 제 1 거울의 거리(S2 S1)가 Length of the fourth mirror and the vertex of the first mirror along the optical axis (S1 S4) for a second distance of the mirror and the first mirror (S2 S1) is
    0.1 < 0.1 < < 0.9 <0.9
    의 범위에 놓이는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈. Microlithography projection objective lens, characterized in that situated in the range.
  34. 제 28 항 또는 제 29 항에 있어서, 30. The method of claim 28 or claim 29,
    광축을 따른 상기 제 3 거울과 제 2 거울의 정점의 거리(S2 S3) 대 제 4 거울과 제 3 거울의 거리(S3 S4)는 The distance along the optical axis of the third mirror and the vertex of the second mirror (S2 S3) distance for the fourth mirror and the third mirror (S4 S3) is
    0.3 < 0.3 < < 0.9 <0.9
    의 범위에 놓이는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈. Microlithography projection objective lens, characterized in that situated in the range.
  35. 제 28 항 또는 제 29 항에 있어서, 30. The method of claim 28 or claim 29,
    상기 출사동에서의 개구수 NA, 광축을 따른 제 5 거울과 제 6 거울의 정점의 거리(S5 S6), 제 5 거울의 정점과 상 평면의 거리(S5 B), 제 5 또는 제 6 거울의 곡률 반경 r 5 , r 6 에 따라 평균 링 필드 반경 R에는 하기 식 Of the numerical aperture NA, a fifth mirror and a sixth mirror distance (S5 S6), a fifth mirror, a fifth or sixth mirror (S5 B), the distance of the apex and the plane of the apex of the along the optical axis in said exit pupil the radius of curvature r 5, to the average ring field radius R according to the formula r 6
    이 적용되는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈. Microlithography projection objective lens, characterized in that this is applied.
  36. 제 28 항 또는 제 29 항에 있어서, 30. The method of claim 28 or claim 29,
    물체 필드 중심에서 대칭축 상에 놓인 필드 포인트의 주광선의 입사각이 모든 거울에 대해 18°보다 작은 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈. Microlithography projection objective lens is the principal ray incident angle of the field point lying on the axis of symmetry in the object field center, characterized in that less than 18 ° for all mirrors.
  37. 제 28 항 또는 제 29 항에 있어서, 30. The method of claim 28 or claim 29,
    상기 투사 대물렌즈에서 광 방향으로 제 4 거울(S4) 다음에 중간 상이 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈. Microlithography projection objective lens, characterized in that the intermediate image is formed in the following the fourth mirror (S4) in the light direction from the projection objective lens.
  38. 제 28 항 또는 제 29 항에 있어서, 30. The method of claim 28 or claim 29,
    조리개(B)가 제 2 거울(S2) 상의 광로에 배치되는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈. Microlithography projection objective lens, characterized in that the diaphragm (B) disposed in the optical path on the second mirror (S2).
  39. 제 28 항 또는 제 29 항에 있어서, 30. The method of claim 28 or claim 29,
    상기 제 1 거울이 볼록거울이고 상기 제 1, 제 2, 제 3, 제 4, 제 5 및 제 6 거울이 비구면으로 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈. Microlithography projection objective lens, characterized in that the first mirror is a convex mirror, and the first, second, third, fourth, fifth and sixth mirror is formed into an aspheric surface.
  40. 제 28 항 또는 제 29 항에 있어서, 30. The method of claim 28 or claim 29,
    상기 제 1 거울이 축 가까이에서 평평하고 상기 상기 제 1, 제 2, 제 3, 제 4, 제 5 및 제 6 거울이 비구면으로 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈. Microlithography projection objective lens, characterized in that the first mirror is flat and the first, second, third, fourth, fifth and sixth mirror is formed into an aspheric surface in the near-axis.
  41. 제 28 항 또는 제 29 항에 있어서, 30. The method of claim 28 or claim 29,
    상기 제 1 거울이 오목거울이고 상기 제 1, 제 2, 제 3, 제 4, 제 5 및 제 6 거울이 비구면으로 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈. Microlithography projection objective lens, characterized in that the first mirror is a concave mirror and said first, second, third, fourth, fifth and sixth mirror is formed into an aspheric surface.
  42. 제 28 항 또는 제 29 항에 있어서, 30. The method of claim 28 or claim 29,
    상기 모든 거울이 비구면으로 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈. Microlithography projection objective lens, characterized in that the mirrors are all formed as aspherical surfaces.
  43. 제 28 항 또는 제 29 항에 있어서, 30. The method of claim 28 or claim 29,
    최대 5개의 거울이 비구면인 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈. Microlithography projection objective lens, characterized in that a maximum of five mirrors are aspherical.
  44. 제 43 항에 있어서, 44. The method of claim 43,
    상기 제 4 거울이 비구면으로 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈. Microlithography projection objective lens, characterized in that the fourth mirror is formed into an aspheric surface.
  45. 제 28 항 또는 제 29 항에 있어서, 30. The method of claim 28 or claim 29,
    상기 제 2 내지 제 6 거울(S2-S6)이 오목거울-볼록거울-오목거울-볼록거울-오목거울의 순서로 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈. The second to sixth mirror mirrors (S2-S6) a concave-convex mirror, - the concave mirror-convex mirror-microlithography projection objective lens, characterized in that formed in the order of concave mirror.
  46. 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈 장치에 있어서, In the microlithography projection objective lens unit,
    제 28 항 또는 제 29 항에 따른 상기 대물렌즈가 상(image)측 평면에서 텔레센트릭한 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈 장치. Claim 28 or microlithography projection objective device, it characterized in that the objective lens is the (image) telecentric on the side of the plane according to claim 29.
  47. 투사 노광 장치에 있어서, In the projection exposure apparatus,
    투사 노광 장치가 제 28항 또는 제 29항에 따른 투사 대물렌즈뿐만 아니라 링 필드를 조명하기 위한 조명 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 투사 노광 장치. Projection exposure apparatus and the projection exposure apparatus comprising the illumination device for illuminating a ring field as well as a projection objective according to claim 28 or claim 29.
  48. 리소그래피 공정에서 투사 노광 장치를 사용하여 노광공정을 수행하는 칩 제조 방법에 있어서, Using a projection exposure apparatus in the lithographic process in the chip production method for performing an exposure step,
    제 47항에 따른 투사 노광 장치를 사용하여 레티클이 조명되고 감광층 상에 결상되는 것을 특징으로 하는 칩 제조 방법. Chip manufacturing method characterized in that the image formation on a projection exposure apparatus using the reticle is jomyeong and the photosensitive layer according to claim 47.
  49. 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈 장치에 있어서, In the microlithography projection objective lens unit,
    제 28 항 또는 제 29 항에 따른 대물렌즈에서 상기 단파장은 193nm 보다 작거나 같은 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈 장치. Or claim 28 wherein in the objective lens according to claim 29, wherein said short wavelength is a microlithography projection objective device according to claim less than or equal to 193nm.
  50. 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈 장치에 있어서, In the microlithography projection objective lens unit,
    제 28 항 또는 제 29 항에 따른 대물렌즈에서 상기 출사동에서의 개구수는 0.2보다 크고, 상기 제 1, 제 2, 제 3, 제 4, 제 5 및 제 6 거울의 유효 범위의 직경 ≤ 300 ㎜인 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈 장치. 28 the numerical aperture at the exit pupil in the objective lens according to any one of claims 29, wherein is greater than 0.2, wherein the first, second, third, fourth, fifth and diameter ≤ 300 of the effective range of the sixth mirror microlithography projection objective lens and wherein the ㎜.
  51. 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈 장치에 있어서, In the microlithography projection objective lens unit,
    제 28 항 또는 제 29 항에 따른 대물렌즈에서 상기 출사동에서의 개구수는 0.23 보다 크고, 상기 제 1, 제 2, 제 3, 제 4, 제 5 및 제 6 거울의 유효 범위의 직경 ≤ 300 ㎜인 것을 특징으로 하는 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈 장치. 28 the numerical aperture at the exit pupil in the objective lens according to any one of claims 29, wherein is greater than 0.23, wherein the first, second, third, fourth, fifth and diameter ≤ 300 of the effective range of the sixth mirror microlithography projection objective lens and wherein the ㎜.
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