KR100786296B1 - Donor substrate for laser induced thermal imaging, and method of fabricating thereof, and method of fabricating oled using the same - Google Patents
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Abstract
Description
도 1은 통상적인 레이저 열전사법으로 유기막층을 형성하는 메커니즘을 설명하기 위한 모식도이다.1 is a schematic diagram for explaining a mechanism for forming an organic film layer by a conventional laser thermal transfer method.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 실시 예1에 따른 레이저 열전사용 도너 기판의 단면도들이다.2A and 2B are cross-sectional views of a laser thermal transfer donor substrate according to Embodiment 1 of the present invention.
도 2c 및 도 2d는 본 발명의 실시 예1에 따른 레이저 열전사용 도너 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 모식도이다.2C and 2D are schematic views for explaining a method of manufacturing a laser thermal transfer donor substrate according to a first embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명의 실시 예2에 따른 유기전계발광표시장치의 단면도이다.3 is a cross-sectional view of an organic light emitting display device according to a second exemplary embodiment of the present invention.
<도면부호에 대한 간단한 설명><Brief Description of Drawings>
100 : 기재층 110 : 광열변환층100: base material layer 110: photothermal conversion layer
120 : 버퍼층 130 : 자기조립 단분자막120: buffer layer 130: self-assembled monolayer
150 : 전사층 200 : 기판150: transfer layer 200: substrate
210 : 화소정의막210: pixel definition layer
본 발명은 레이저 열전사용 도너 기판과 그의 제조 방법 및 이를 이용한 유기전계발광표시장치에 관한 것으로, 보다 자세하게는 도너 기판의 버퍼층 상의 일정 영역에 자기조립 단분자막을 형성하여, 상기 도너 기판의 전사층이 전사될 기판에 대응하는 패턴을 가지도록 함으로써, 전사 효율이 향상된 레이저 열전사용 도너 기판과 그의 제조 방법 및 이를 이용한 유기전계발광표시장치의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a laser thermal transfer donor substrate, a method of manufacturing the same, and an organic light emitting display device using the same. More specifically, a self-assembled monomolecular film is formed in a predetermined region on a buffer layer of a donor substrate, whereby a transfer layer of the donor substrate is transferred. By having a pattern corresponding to a substrate to be formed, the present invention relates to a laser thermal transfer donor substrate having improved transfer efficiency, a method of manufacturing the same, and a method of manufacturing an organic light emitting display device using the same.
평판표시장치(Flat panel display device)는 경량 및 박형 등의 특성으로 인해, 음극선관 표시장치(Cathode-ray tube display device)를 대체하는 표시장치로서 사용되고 있다. 이러한 평판표시장치의 대표적인 예로서 액정표시장치(Liquid Crystal Display Device; LCD)와 유기전계발광표시장치(Organic Light Emitting Diode; OLED)가 있다. 이 중, 유기전계발광표시장치는 액정표시장치에 비하여 휘도 특성 및 시야각 특성이 우수하고 백라이트(Back light)를 필요로 하지 않아 초박형으로 구현할 수 있는 장점이 있다.Flat panel display devices are being used as display devices replacing cathode ray-ray tube display devices due to their light weight and thinness. Representative examples of such a flat panel display include a liquid crystal display (LCD) and an organic light emitting diode (OLED). Among these, the organic light emitting display device has superior luminance and viewing angle characteristics as compared to the liquid crystal display device and does not require a back light.
이와 같은 유기전계발광표시장치는 유기박막에 음극(Cathode)과 양극(Anode)을 통하여 주입된 전자(Electron)와 정공(Hole)이 재결합하여 여기자를 형성하고, 형성된 여기자로부터의 에너지에 의해 특정한 파장의 빛이 발생되는 현상을 이용한 표시장치이다. 상기 유기박막은 적어도 발광층을 포함하며, 상기 발광층 외에 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층, 전자 주입층을 더 포함할 수도 있다. Such an organic light emitting display device combines electrons and holes injected through a cathode and an anode to an organic thin film to recombine to form excitons, and a specific wavelength is determined by energy from the excitons formed. The display device using the phenomenon that light is generated. The organic thin film may include at least a light emitting layer, and may further include a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, and an electron injection layer in addition to the light emitting layer.
상기 유기전계발광표시장치에 있어서, 풀칼라 유기전계발광표시장치를 구현 하기 위해서는 상기 유기박막을 패터닝하여야 하는데, 상기 유기박막을 패터닝하기 위한 방법으로는 미세 패턴 마스크를 사용하는 방법, 잉크-젯 프린팅(Ink-Jet Printing) 및 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging : LITI)이 있다. 이 중에서 상기 레이저 열전사법은 상기 유기박막을 미세하게 패터닝할 수 있으며, 건식 공정이라는 장점이 있다.In the organic light emitting display device, in order to implement a full color organic light emitting display device, the organic thin film should be patterned. As a method for patterning the organic thin film, a method using a fine pattern mask and ink-jet printing (Ink-Jet Printing) and Laser Induced Thermal Imaging (LITI). Among them, the laser thermal transfer method may finely pattern the organic thin film and has an advantage of being a dry process.
도 1은 통상적인 레이저 열전사법으로 유기막층을 형성하는 메커니즘을 설명하기 위한 모식도이다.1 is a schematic diagram for explaining a mechanism for forming an organic film layer by a conventional laser thermal transfer method.
도 1을 참조하면, 기재층(S1a), 광열변환층(S1b), 및 전사층(S2)을 포함하는 도너 기판을 하부 전극을 포함하는 기판(S3a) 상에 전사층(S2)이 기판(S3a)을 향하도록 하여 배치한다. 상기 기판(S3a) 상에는 발광 영역을 정의하는 개구부를 포함하는 화소정의막(S3b)이 형성될 수도 있다.Referring to FIG. 1, a donor substrate including a base layer S1a, a photothermal conversion layer S1b, and a transfer layer S2 is transferred onto a substrate S3a including a lower electrode. It arranges toward S3a). A pixel definition layer S3b including an opening defining an emission area may be formed on the substrate S3a.
이어서, 상기 도너 기판의 일정 영역에 레이저를 조사하면, 상기 기재층(S1a)을 통과한 레이저는 상기 광열변환층(S1b)에서 열로 변환되며, 상기 열은 광열변환층(S1b)과 전사층(S2) 사이의 제 1 접착력(W12)을 약화시켜 상기 전사층(S2)을 기판(S3a) 상에 전사시킨다.Subsequently, when a laser is irradiated to a predetermined region of the donor substrate, the laser beam passing through the substrate layer S1a is converted into heat in the photothermal conversion layer S1b, and the heat is converted into the photothermal conversion layer S1b and the transfer layer ( The first adhesive force W12 between S2 is weakened to transfer the transfer layer S2 onto the substrate S3a.
상기 레이저 열전사법의 전사 과정에서 전사층(S2)의 전사 특성은 상기 광열변환층(S1b)과 상기 전사층(S2) 사이의 제 1 접착력(W12), 상기 전사층(S2) 내부의 점착력(W22) 및 상기 전사층(S2)과 상기 기판(S3a) 사이의 제 2 접착력(W23)에 의해 달라진다. 상기 제 1 접착력(W12)이 작으면, 상기 도너 기판의 광열변환층(S1b)으로부터 상기 전사층(S2)이 쉽게 떨어져 나와, 상기 레이저가 전사되지 않은 영역 에서도 전사층(S2)이 전사되는 문제점이 발생한다.The transfer characteristics of the transfer layer S2 during the transfer of the laser thermal transfer method may include a first adhesive force W12 between the photothermal conversion layer S1b and the transfer layer S2, and an adhesive force inside the transfer layer S2. W22) and the second adhesive force W23 between the transfer layer S2 and the substrate S3a. When the first adhesive force W12 is small, the transfer layer S2 is easily separated from the photothermal conversion layer S1b of the donor substrate, and the transfer layer S2 is transferred even in a region where the laser is not transferred. This happens.
또한, 상기 유기전계발광표시장치의 발광 영역에서는 화소정의막(S3b)으로 인한 단차가 존재하기 때문에 상기 레이저 열전사법으로 유기막층을 형성하는 경우, 그 단차 부분에서 유기막층이 끊어져 전사되지 않는 문제점이 있다. 이를 에지 오픈 불량(또는 미전사 불량 ; E)라 하며, 이는 전사되는 부분의 두께가 두꺼워져 휘어지는 곡률 반경이 증가하기 때문에 발생한다.In addition, since there is a step due to the pixel defining layer S3b in the emission area of the organic light emitting display device, when the organic film layer is formed by the laser thermal transfer method, the organic film layer is cut off at the stepped portion, and thus, the organic film layer is not transferred. have. This is called edge open failure (or non-transfer failure; E), which occurs because the thickness of the portion to be transferred is thickened and the bending radius of curvature increases.
상기와 같은 에지 오픈 불량 및 전사되지 않아야 될 영역에서 전사층이 전사되는 현상은 유기전계발광표시장치의 효율과 수명 및 휘도 저하를 초래하게 된다.The failure of the edge open and the transfer of the transfer layer in the region that should not be transferred result in deterioration of efficiency, lifespan, and luminance of the organic light emitting display device.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 도너 기판의 버퍼층 상의 일정 영역에 자기조립 단분자막을 형성하여, 상기 도너 기판의 전사층이 전사될 기판에 대응하는 패턴을 가지도록 함으로써, 전사 효율이 향상된 레이저 열전사용 도너 기판과 그의 제조 방법 및 이를 이용한 유기전계발광표시장치의 제조 방법을 제공함에 본 발명의 목적이 있다.Accordingly, the present invention is to solve the above problems of the prior art, by forming a self-assembled monomolecular film in a predetermined region on the buffer layer of the donor substrate, so that the transfer layer of the donor substrate has a pattern corresponding to the substrate to be transferred Accordingly, an object of the present invention is to provide a laser thermal transfer donor substrate having improved transfer efficiency, a method of manufacturing the same, and a method of manufacturing an organic light emitting display device using the same.
본 발명의 상기 목적은 기재층; 상기 기재층 상에 위치하는 광열변환층; 상기 광열변환층 상에 위치하는 수소화된 실리콘으로 이루어진 버퍼층; 상기 버퍼층 상의 일정 영역에 위치하는 자기조립 단분자막; 및 상기 버퍼층과 상기 자기조립 단분자막 상에 위치하는 전사층을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 열전사용 도너 기판에 의해 달성된다.The object of the present invention is a base layer; A photothermal conversion layer on the base layer; A buffer layer made of hydrogenated silicon positioned on the photothermal conversion layer; A self-assembled monomolecular film positioned in a predetermined region on the buffer layer; And a transfer layer positioned on the buffer layer and the self-assembled monolayer.
또한, 본 발명의 상기 목적은 기재층을 제공하고, 상기 기재층 상에 광열변환층을 형성하고, 상기 광열변환층 상에 수소화된 실리콘으로 버퍼층을 형성하고, 상기 버퍼층 상의 일정 영역에 백색광을 이용하여 자기조립 단분자막을 형성하고, 상기 버퍼층과 상기 자기조립 단분자막 상에 전사층을 형성하는 것을 포함하는 레이저 열전사용 도너 기판의 제조 방법에 의해 달성된다.In addition, the object of the present invention is to provide a substrate layer, to form a photothermal conversion layer on the substrate layer, to form a buffer layer of hydrogenated silicon on the photothermal conversion layer, using a white light in a predetermined region on the buffer layer Thereby forming a self-assembled monomolecular film, and forming a transfer layer on the buffer layer and the self-assembled monomolecular film.
또한, 본 발명의 상기 목적은 기판을 제공하고, 상기 기판 상에 하부 전극을 형성하고, 상기 하부 전극 상에 기재층, 광열변환층, 버퍼층, 자기조립 단분자막 및 전사층을 포함하는 도너 기판을 이용한 레이저 열전사법으로 유기막 패턴을 형성하는 것을 포함하며, 상기 자기조립 단분자막은 상기 버퍼층 상에 형성되어, 상기 전사층이 상기 기판 상에 형성된 패턴에 대응하는 패턴을 가지도록 형성되는 것을 포함하는 유기전계발광표시장치의 제조 방법에 의해 달성된다.In addition, the object of the present invention is to provide a substrate, forming a lower electrode on the substrate, using a donor substrate comprising a substrate layer, a photothermal conversion layer, a buffer layer, a self-assembled monolayer and a transfer layer on the lower electrode Forming an organic layer pattern by a laser thermal transfer method, wherein the self-assembled monolayer is formed on the buffer layer, and the organic field includes forming the transfer layer to have a pattern corresponding to the pattern formed on the substrate. It is achieved by a method of manufacturing a light emitting display device.
본 발명의 상기 목적과 기술적 구성 및 그에 따른 작용효과에 관한 자세한 사항은 본 발명의 바람직한 실시 예를 도시하고 있는 도면을 참조한 이하 상세한 설명에 의해 보다 명확하게 이해될 것이다. 또한 도면들에 있어서, 층 및 영역의 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성 요소들을 나타낸다.Details of the above objects and technical configurations and the effects thereof according to the present invention will be more clearly understood by the following detailed description with reference to the drawings showing preferred embodiments of the present invention. In addition, in the drawings, the length, thickness, etc. of layers and regions may be exaggerated for convenience. Like numbers refer to like elements throughout.
(실시 예1)Example 1
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 실시 예1에 따른 레이저 열전사용 도너 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도 및 모식도이다.2A to 2D are cross-sectional views and schematic views for explaining a method of manufacturing a laser thermal transfer donor substrate according to a first embodiment of the present invention.
도 2a를 참조하면, 기재층(100)을 제공하고, 상기 기재층(100) 상에 광열변 환층(110)을 형성한다. 상기 기재층(100)은 상기 광열변환층(110)에 빛을 전달하기 위하여 투명성을 가져야 하며, 지지 기판으로서 일정한 광학적 성질과 충분한 기계적 안정성을 가진 물질로 이루어질 수 있다. 상기 기재층(100)은 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylene terephthalate : PET)와 같은 폴리에스테르, 폴리아크릴, 폴리에폭시, 폴리에틸렌 및 폴리스틸렌으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 고분자 물질이거나 유리로 이루어질 수 있다. 더욱 바람직하게는 상기 기재층(100)은 폴리에틸렌 테레프탈레이트일 수 있다.Referring to FIG. 2A, a
상기 광열변환층(110)은 적외선-가시광선 영역의 빛을 흡수하여, 상기 빛의 일부를 열로 변환시키는 층으로, 일정한 광학밀도(Optical density)를 가져야 하고, 광흡수성 물질을 포함한다. 상기 광열변환층(110)은 알루미늄 산화물 또는 알루미늄 황화물을 상기 광흡수성 물질로 포함하는 금속막, 카본 블랙, 흑연이나 적외선 염료를 상기 광흡수성 물질로 포함하는 고분자 유기막일 수 있다. 이때, 상기 금속막의 경우는 진공 증착법, 전자빔 증착법 또는 스퍼터링(Sputtering)을 이용할 수 있으며, 상기 유기막은 통상적인 필름 코팅 방법으로서, 그라비아(Gravure), 압출(extrusion), 스핀(spin) 및 나이프(knife) 코팅방법 중에 하나의 방법에 의해 형성될 수 있다.The
상기 광열변환층(110) 상에 실란(Silane), 실리콘 오일(Silicon oil) 등의 수소화된 실리콘으로 버퍼층(120)을 형성한다. 상기 버퍼층(120)은 상기 광열변환층(110) 상에 수소화된 실리콘을 진공증착법, 전자빔 증착법 또는 스퍼터링(Sputtering) 형성할 수 있다. 이와는 달리 상기 광열변환층(110) 상에 실리콘을 적층한 후, 상기 실리콘에 불소 등을 이용한 표면 처리하여 표면에 Si-H 결합이 형성된 표면이 수소화된 실리콘을 상기 버퍼층(120)으로 사용할 수도 있다. 상기 수소화된 실리콘은 후속 공정으로 상기 버퍼층 상에 자기조립 단분자막(130)을 형성하기 위한 것이다.A
이어서, 마스크 패턴(140) 등을 이용하여 상기 버퍼층(120) 상의 일정 영역에 백색광을 조사함으로써, 도 2b에 도시된 바와 같이, 상기 버퍼층(120) 상의 일정 영역에 자기조립 단분자막(130)을 형성한다. 상기 자기조립 단분자막(130)은 상기 버퍼층(120)과 후속 공정으로 형성되는 전사층(150)의 접착력을 개선하기 위한 것으로, 상기 버퍼층(120)의 표면에 규칙적으로 정렬된 유기 분자막이 바람직하다. Subsequently, white light is irradiated to a predetermined region on the
상기 자기조립 단분자막(130)은 도 2c에 도시된 바와 같이, 상기 버퍼층(120)과 결합하는 머리 부분의 반응기와 규칙적인 분자 막 형성을 가능하게 하는 몸통 부분의 긴 알칸사슬과, 분자 막의 기능을 좌우하는 꼬리 부분의 작용기로 구성되어 있다. 즉, 상기 자기조립 단분자막(130)은 몸통 부분인 긴 알칸사슬과 상기 알칸사슬의 말단에 위치하며, 상기 전사층(150)의 표면과 상호 작용하여 공유 결합할 수 있는 작용기를 갖는 분자들은 머리 부분인 반응기를 통하여 버퍼층(120) 표면에 흡착, 결합하게 된다. 상기 버퍼층(120) 표면에 흡착, 결합된 상기 분자들은 상기 버퍼층(120)의 표면에서 분자들끼리 2차원적으로 정렬하는 자기조립 현상을 이용하여 기질의 표면에 일정하게 정렬하여 자기조립 단분자막(130)을 형성하게 된다.As shown in FIG. 2C, the self-assembled
상기와 같은 방법으로 자기조립 단분자막(130)을 제조하는 경우에는 막 형성 과정을 분자 수준에서 조절할 수 있으며, 상기 자기조립 단분자막(130)을 형성하는 분자의 작용기를 선택적으로 다양하게 변화시킬 수도 있고, 또한, 그 조절도 가능하며, 상기 버퍼층(120) 표면과의 결합도 강하여 막의 안정성도 뛰어나고, 원하는 경우 쉽게 제거할 수도 있다.In the case of manufacturing the self-assembled
상기 자기조립 단분자막(130)의 형성물질은 지방산 등의 계면 활성제 분자, 알킬트리할로실란류, 알킬알콕사이드류 등의 유기 규소 분자, 알킬티올류 등의 유기황 분자, 알킬포스페이트 등의 유기 인산 분자 등을 들 수 있으며, 바람직하게는 일반식 CnH2n(n은 정수)으로 표시되는 에틸렌계 탄화수소 또는 일반식 CnH2n -2(단 n>2, n은 정수)으로 표시되는 아세틸렌계 탄화수소를 포함하는 물질을 사용할 수 있다. 더욱 바람직하게는 상기 일반식에서 n이 20이하의 정수인 상기 에틸렌계 탄화수소 또는 아세틸렌계 탄화수소를 포함하는 물질을 사용할 수 있다. 상기 일반식에서 n이 20을 초과하는 정수이면 구조 이성체로 인한 막 형성에 어려워지며, 체인들간의 표면적 증가로 인한 분자간의 반데르 발스 힘(van der Waals forces)이 증가하여, 상기 분자간의 정렬에 문제가 발생할 수 있기 때문이다. The material for forming the self-assembled
상기 에틸렌계 탄화수소는 알켄(Alkene)으로, 상기 아세틸렌계 탄화수소는 알킨(Alkyne)으로 표시될 수 있다.The ethylene hydrocarbon may be represented by alkene, and the acetylene hydrocarbon may be represented by alkyne.
상기 버퍼층(120)의 일정 영역 상에 상기 자기조립 단분자막(130)을 형성하는 것은 수소규소화(Hydrosilylation) 반응을 이용한다.Forming the self-assembled
도 2d는 상기 수소화된 실리콘과 알켄(Alkene)을 포함하는 물질과의 수소규 소화 반응을 나타내는 모식도이다.Figure 2d is a schematic diagram showing the hydrogen silicification reaction of the hydrogenated silicon and the material containing alken (Alkene).
도 2d를 참조하면, 상기 수소화된 실리콘에 백색광이 조사되면, 상기 백색광의 낮은 에너지로 인하여 여기자가 생성되며, 상기 여기자로부터 전자와 정공이 방출되게 된다. 상기 정공은 인접한 알켄에 전달되고, 전자는 상기 수소화된 실리콘에 전달되어서, 상기 수소화된 실리콘의 Si-H 결합을 깨뜨리는 동시에 상기 실리콘과 알켄을 결합하여 Si-C 결합을 형성하게 된다. 상기의 과정을 통해 상기 실리콘 표면에 알켄을 포함하는 물질이 결합되게 된다. 또한, 상기 도 2c에서는 알켄을 포함한 물질을 예로 들었으나, 알킨(Alkyne)을 포함한 물질도 상기와 같은 과정을 통해 수소화된 실리콘과 결합할 수 있다.Referring to FIG. 2D, when white hydrogen is irradiated onto the hydrogenated silicon, excitons are generated due to the low energy of the white light, and electrons and holes are emitted from the excitons. The holes are transferred to adjacent alkenes, and electrons are transferred to the hydrogenated silicon, which breaks the Si—H bond of the hydrogenated silicon while simultaneously bonding the silicon and alkenes to form an Si—C bond. Through the above process, the alkene-containing material is bonded to the silicon surface. In addition, although the material containing alkenes is exemplified in FIG. 2C, the material containing alkyne may be combined with the hydrogenated silicon through the above process.
상기와 같이 상기 자기조립 단분자막(130) 형성 물질에 노출된 상기 버퍼층(120) 상의 일정 영역에 백색광을 조사함으로써, 상기 버퍼층(120) 상의 일정 영역에서 자기조립 단분자막(130)을 형성할 수 있다.As described above, the self-assembled
계속해서 상기 자기조립 단분자막(130)을 포함하는 기재층(100) 상에 전사층(150)을 형성한다. 상기 전사층(150)은 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등의 유기막으로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 단층막 또는 하나 이상의 다층막으로 형성할 수 있으며, 상기 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등의 유기막은 통상적으로 사용되는 재료이면 모두 사용 가능하다.Subsequently, the
바람직하게는 상기 정공주입층으로는 아릴 아민계 화합물 및 스타버스터형 아민류등으로 이루어질 수 있다. 더욱 상세하게는 4,4',4"-트리스(3-메틸페닐페닐 아미노)트리페닐아미노(m-MTDATA), 1,3,5-트리스[4-(3-메틸페닐페닐아미노)페닐]벤젠(m-MTDATB) 및 프타로시아닌 구리(CuPc)등으로 이루어질 수 있다.Preferably, the hole injection layer may be composed of an aryl amine compound, a starburst type amine, and the like. More specifically, 4,4 ', 4 "-tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamino (m-MTDATA), 1,3,5-tris [4- (3-methylphenylphenylamino) phenyl] benzene ( m-MTDATB) and phthalocyanine copper (CuPc).
상기 정공수송층으로는 아릴렌 디아민 유도체, 스타버스트형 화합물, 스피로기를 갖는 비페닐디아민유도체 및 사다리형 화합물 등으로 이루어질 수 있다. 더욱 상세하게는 N,N-디페닐-N,N'-비스(4-메틸페닐)-1,1'-바이페닐-4,4'-디아민(TPD)이거나 4,4'-비스[N-(1-나프릴)-N-페닐아미노]비페닐(NPB)일 수 있다.The hole transport layer may include an arylene diamine derivative, a starburst compound, a biphenyldiamine derivative having a spiro group, a ladder compound, and the like. More specifically N, N-diphenyl-N, N'-bis (4-methylphenyl) -1,1'-biphenyl-4,4'-diamine (TPD) or 4,4'-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (NPB).
상기 발광층으로는 적색발광재료인 Alq3(호스트)/DCJTB(형광도펀트), Alq3(호스트)/DCM(형광도펀트) 또는 CBP(호스트)/PtOEP(인광 유기금속 착체) 등의 저분자 물질과 PFO계 고분자, PPV계 고분자 등의 고분자물질을 사용할 수 있으며, 녹색발광재료인 Alq3, Alq3(호스트)/C545t(도펀트), CBP(호스트)/IrPPY(인광 유기물 착체) 등의 저분자 물질과 PFO계 고분자, PPV계 고분자등의 고분자물질을 사용할 수 있다. 또한, 청색발광재료인 DPVBi, 스피로-DPVBi, 스피로-6P, 디스틸벤젠(DSB), 디스트릴아릴렌(DSA)등의 저분자 물질과 PFO계 고분자, PPV계 고분자 등의 고분자물질을 사용할 수 있다.As the light emitting layer, a low molecular material such as Alq3 (host) / DCJTB (fluorescent dopant), Alq3 (host) / DCM (fluorescent dopant) or CBP (host) / PtOEP (phosphorescent organometallic complex), which is a red light emitting material, and a PFO polymer High molecular weight materials such as Alq3, Alq3 (host) / C545t (dopant), CBP (host) / IrPPY (phosphorescent organic complex) which are green light emitting materials, and PFO polymer, PPV Polymeric materials, such as system type polymers, can be used. In addition, low molecular weight materials such as DPVBi, Spiro-DPVBi, Spiro-6P, Distylbenzene (DSB) and Distriarylene (DSA), which are blue light emitting materials, and polymer materials such as PFO-based polymers and PPV-based polymers may be used. .
상기 전자수송층으로는 유기발광층상부에 적층되며 전자가 잘 수용할 수 있는 금속화합물로 이루어지며, 캐소드 전극으로부터 공급된 전자를 안정하게 수송할 수 있는 특성이 우수한 8-하이드로퀴놀린 알루미늄염(Alq3)으로 이루어질 수 있다.The electron transport layer is formed of a metal compound that is stacked on the organic light emitting layer and can be easily accommodated by electrons, and has an excellent 8-hydroquinoline aluminum salt (Alq3) having excellent properties for transporting electrons supplied from the cathode electrode stably. Can be done.
상기 전자주입층으로는 1,3,4-옥시디아졸 유도체, 1,2,4-트리아졸 유도체 및 LiF로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 물질로 이루어질 수 있다.The electron injection layer may be made of one or more materials selected from the group consisting of 1,3,4-oxydiazole derivatives, 1,2,4-triazole derivatives, and LiF.
상기 전사층(150)은 압출, 스핀, 나이프 코팅방법, 진공 증착법, CVD등의 방 법에 의해 형성될 수 있다.The
(실시 예2)Example 2
도 3은 본 발명의 실시 예2에 따른 유기전계발광표시장치의 단면도이다.3 is a cross-sectional view of an organic light emitting display device according to a second exemplary embodiment of the present invention.
도 3을 참조하면, 유리나 합성 수지, 스테인레스 스틸 등의 재질로 형성된 기판(200) 상에 하부 전극(미도시)을 형성하고, 상기 하부 전극 상에 개구부를 포함하는 화소정의막(210)을 형성한다. 상기 기판과 하부 전극 사이에는 통상적인 방법에 의해 박막트랜지스터(미도시), 절연막(미도시) 및 캐패시터(미도시)가 형성될 수도 있다.Referring to FIG. 3, a lower electrode (not shown) is formed on a substrate 200 formed of glass, synthetic resin, stainless steel, or the like, and a
다음으로, 레이저 열전사용 도너 기판을 상기 도너 기판의 전사층(150)이 기판(100)을 향하도록 배치한다. Next, a laser thermal transfer donor substrate is disposed so that the
상기 레이저 열전사용 도너 기판은, 앞서 설명한 실시 예1과 같이, 기재층(100), 광열변환층(110), 버퍼층(120), 자기조립 단분자막(130) 및 전사층(150)을 포함한다. 상기 버퍼층(120)은 수소화된 실리콘으로 형성하며, 상기 수소화된 실리콘은 후속 되는 자기조립 단분자막(130)을 형성하기 위한 것으로 실리콘을 적층한 후, 상기 실리콘을 표면 처리하여 수소화한 실리콘이라도 무관하다. The laser thermal transfer donor substrate includes a
상기 자기조립 단분자막(130)은 백색광을 통한 수소규소화 반응을 이용하여 형성한다. 상기 자기조립 단분자막(130)은 상기 버퍼층(120)과 후속 되는 공정으로 형성되는 전사층(150)의 접착력을 제어한다. 또한, 상기 자기조립 단분자막(150)은 상기 전사층(150) 전사 시 에지 오픈 불량을 방지하기 위하여, 상기 전사층(150)이 전사되는 기판(100)의 패턴에 대응되는 패턴으로 형성된다. 상기 기판(200) 상에서 전사층(150)이 전사될 영역은 오목하게 된 영역이므로, 상기 도너 기판은 상기 전사층(150)이 전사될 영역의 하부에 자기조립 단분자막(130)을 형성하여, 상기 전사층(150)이 전사될 영역이 돌출 되어진 볼록한 패턴으로 형성한다. 상기 전사층(150)이 볼록한 패턴으로 형성되면 상기 기판(200)의 오목한 패턴에 대응되므로, 상기 전사층(150)의 전사 효율이 향상되며, 상기 기판(200)의 오목한 패턴에 의해 발생하였던 에지 오픈 불량을 방지할 수 있다.The self-assembled
상기 자기조립 단분자막(130)을 포함하는 기재층(100) 상에 전사층(150)을 형성한다. 상기 전사층(150)은 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등의 유기막으로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 단층막 또는 하나 이상의 다층막으로 형성할 수 있으며, 상기 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등의 유기막은 앞서 설명한 바와 같이 통상적으로 사용되는 재료이면 모두 사용 가능하다.The
계속해서, 상기 레이저 열전사용 도너 기판의 일정 영역에 레이저를 조사하여 상기 전사층(150) 및 자기조립 단분자막(130)을 전사시킴으로써, 상기 기판(200) 상에 유기막 패턴을 형성한다.Subsequently, a laser is irradiated to a predetermined region of the laser thermal transfer donor substrate to transfer the
전술한 본 발명의 실시 예에 따른 레이저 열전사용 도너 기판 및 이를 이용한 유기전계발광표시장치는 도너 기판의 버퍼층과 전사층 사이에 자기조립 단분자막을 형성하여, 전사층의 전사 효율을 향상시킨다. 또한, 상기 버퍼층 상의 일정 영역에만 자기조립 단분자막을 형성하여, 도너 기판 상에 전사층이 전사될 기판과 대응되는 단차를 형성함으로써, 상기 전사층의 전사 시 발생하는 에지 오픈 불량을 방지할 수 있다.The donor substrate and the organic light emitting display using the same according to the embodiment of the present invention form a self-assembled monomolecular film between the buffer layer and the transfer layer of the donor substrate, thereby improving the transfer efficiency of the transfer layer. In addition, the self-assembled monomolecular film is formed only in a predetermined region on the buffer layer, thereby forming a step corresponding to the substrate on which the transfer layer is to be transferred, thereby preventing edge open defects generated when the transfer layer is transferred.
따라서, 본 발명에 따른 레이저 열전사용 도너 기판에서는 버퍼층 상의 일정 영역에 자기조립 단분자막을 형성함으로써, 전사층의 전사 효율을 향상시키는 효과가 있다.Therefore, in the laser thermal transfer donor substrate according to the present invention, the self-assembled monomolecular film is formed in a predetermined region on the buffer layer, thereby improving the transfer efficiency of the transfer layer.
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KR20060017415A (en) * | 2004-08-20 | 2006-02-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | Donor film for laser induced thermal imaging method and method for fabricating organic electro-luminescence display device by the same |
KR20060044256A (en) * | 2004-11-11 | 2006-05-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | Organic electro-luminescence display and method for fabricating of the same |
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