KR100786296B1 - Donor substrate for laser induced thermal imaging, and method of fabricating thereof, and method of fabricating oled using the same - Google Patents

Donor substrate for laser induced thermal imaging, and method of fabricating thereof, and method of fabricating oled using the same Download PDF

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이선희
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Abstract

A donor substrate for laser induced thermal imaging, a manufacturing method thereof, and a manufacturing method of OLED using the same are provided to enhance imaging efficiency by forming a self-assembled monolayer on a buffer layer. A donor substrate for laser induced thermal imaging includes a base layer(100), a photothermal conversion layer(110), a buffer layer(120), a self-assembled monolayer(130), and an imaging layer(150). The photothermal layer is placed on the base layer. The buffer layer is made of hydric silicon, and is placed on the photothermal conversion layer. The self-assembled monolayer is placed on the buffer layer. The imaging layer is placed on the buffer layer and the self-assembled monolayer.

Description

레이저 전사용 도너 기판, 그의 제조 방법 및 이를 이용한 유기전계발광소자의 제조 방법{Donor substrate for Laser Induced Thermal Imaging, and Method of fabricating thereof, and method of fabricating OLED using the same}Donor substrate for laser transfer, method of manufacturing the same, and method for manufacturing an organic light emitting device using the same

도 1은 통상적인 레이저 열전사법으로 유기막층을 형성하는 메커니즘을 설명하기 위한 모식도이다.1 is a schematic diagram for explaining a mechanism for forming an organic film layer by a conventional laser thermal transfer method.

도 2a 및 도 2b는 본 발명의 실시 예1에 따른 레이저 열전사용 도너 기판의 단면도들이다.2A and 2B are cross-sectional views of a laser thermal transfer donor substrate according to Embodiment 1 of the present invention.

도 2c 및 도 2d는 본 발명의 실시 예1에 따른 레이저 열전사용 도너 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 모식도이다.2C and 2D are schematic views for explaining a method of manufacturing a laser thermal transfer donor substrate according to a first embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 실시 예2에 따른 유기전계발광표시장치의 단면도이다.3 is a cross-sectional view of an organic light emitting display device according to a second exemplary embodiment of the present invention.

<도면부호에 대한 간단한 설명><Brief Description of Drawings>

100 : 기재층 110 : 광열변환층100: base material layer 110: photothermal conversion layer

120 : 버퍼층 130 : 자기조립 단분자막120: buffer layer 130: self-assembled monolayer

150 : 전사층 200 : 기판150: transfer layer 200: substrate

210 : 화소정의막210: pixel definition layer

본 발명은 레이저 열전사용 도너 기판과 그의 제조 방법 및 이를 이용한 유기전계발광표시장치에 관한 것으로, 보다 자세하게는 도너 기판의 버퍼층 상의 일정 영역에 자기조립 단분자막을 형성하여, 상기 도너 기판의 전사층이 전사될 기판에 대응하는 패턴을 가지도록 함으로써, 전사 효율이 향상된 레이저 열전사용 도너 기판과 그의 제조 방법 및 이를 이용한 유기전계발광표시장치의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a laser thermal transfer donor substrate, a method of manufacturing the same, and an organic light emitting display device using the same. More specifically, a self-assembled monomolecular film is formed in a predetermined region on a buffer layer of a donor substrate, whereby a transfer layer of the donor substrate is transferred. By having a pattern corresponding to a substrate to be formed, the present invention relates to a laser thermal transfer donor substrate having improved transfer efficiency, a method of manufacturing the same, and a method of manufacturing an organic light emitting display device using the same.

평판표시장치(Flat panel display device)는 경량 및 박형 등의 특성으로 인해, 음극선관 표시장치(Cathode-ray tube display device)를 대체하는 표시장치로서 사용되고 있다. 이러한 평판표시장치의 대표적인 예로서 액정표시장치(Liquid Crystal Display Device; LCD)와 유기전계발광표시장치(Organic Light Emitting Diode; OLED)가 있다. 이 중, 유기전계발광표시장치는 액정표시장치에 비하여 휘도 특성 및 시야각 특성이 우수하고 백라이트(Back light)를 필요로 하지 않아 초박형으로 구현할 수 있는 장점이 있다.Flat panel display devices are being used as display devices replacing cathode ray-ray tube display devices due to their light weight and thinness. Representative examples of such a flat panel display include a liquid crystal display (LCD) and an organic light emitting diode (OLED). Among these, the organic light emitting display device has superior luminance and viewing angle characteristics as compared to the liquid crystal display device and does not require a back light.

이와 같은 유기전계발광표시장치는 유기박막에 음극(Cathode)과 양극(Anode)을 통하여 주입된 전자(Electron)와 정공(Hole)이 재결합하여 여기자를 형성하고, 형성된 여기자로부터의 에너지에 의해 특정한 파장의 빛이 발생되는 현상을 이용한 표시장치이다. 상기 유기박막은 적어도 발광층을 포함하며, 상기 발광층 외에 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층, 전자 주입층을 더 포함할 수도 있다. Such an organic light emitting display device combines electrons and holes injected through a cathode and an anode to an organic thin film to recombine to form excitons, and a specific wavelength is determined by energy from the excitons formed. The display device using the phenomenon that light is generated. The organic thin film may include at least a light emitting layer, and may further include a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, and an electron injection layer in addition to the light emitting layer.

상기 유기전계발광표시장치에 있어서, 풀칼라 유기전계발광표시장치를 구현 하기 위해서는 상기 유기박막을 패터닝하여야 하는데, 상기 유기박막을 패터닝하기 위한 방법으로는 미세 패턴 마스크를 사용하는 방법, 잉크-젯 프린팅(Ink-Jet Printing) 및 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging : LITI)이 있다. 이 중에서 상기 레이저 열전사법은 상기 유기박막을 미세하게 패터닝할 수 있으며, 건식 공정이라는 장점이 있다.In the organic light emitting display device, in order to implement a full color organic light emitting display device, the organic thin film should be patterned. As a method for patterning the organic thin film, a method using a fine pattern mask and ink-jet printing (Ink-Jet Printing) and Laser Induced Thermal Imaging (LITI). Among them, the laser thermal transfer method may finely pattern the organic thin film and has an advantage of being a dry process.

도 1은 통상적인 레이저 열전사법으로 유기막층을 형성하는 메커니즘을 설명하기 위한 모식도이다.1 is a schematic diagram for explaining a mechanism for forming an organic film layer by a conventional laser thermal transfer method.

도 1을 참조하면, 기재층(S1a), 광열변환층(S1b), 및 전사층(S2)을 포함하는 도너 기판을 하부 전극을 포함하는 기판(S3a) 상에 전사층(S2)이 기판(S3a)을 향하도록 하여 배치한다. 상기 기판(S3a) 상에는 발광 영역을 정의하는 개구부를 포함하는 화소정의막(S3b)이 형성될 수도 있다.Referring to FIG. 1, a donor substrate including a base layer S1a, a photothermal conversion layer S1b, and a transfer layer S2 is transferred onto a substrate S3a including a lower electrode. It arranges toward S3a). A pixel definition layer S3b including an opening defining an emission area may be formed on the substrate S3a.

이어서, 상기 도너 기판의 일정 영역에 레이저를 조사하면, 상기 기재층(S1a)을 통과한 레이저는 상기 광열변환층(S1b)에서 열로 변환되며, 상기 열은 광열변환층(S1b)과 전사층(S2) 사이의 제 1 접착력(W12)을 약화시켜 상기 전사층(S2)을 기판(S3a) 상에 전사시킨다.Subsequently, when a laser is irradiated to a predetermined region of the donor substrate, the laser beam passing through the substrate layer S1a is converted into heat in the photothermal conversion layer S1b, and the heat is converted into the photothermal conversion layer S1b and the transfer layer ( The first adhesive force W12 between S2 is weakened to transfer the transfer layer S2 onto the substrate S3a.

상기 레이저 열전사법의 전사 과정에서 전사층(S2)의 전사 특성은 상기 광열변환층(S1b)과 상기 전사층(S2) 사이의 제 1 접착력(W12), 상기 전사층(S2) 내부의 점착력(W22) 및 상기 전사층(S2)과 상기 기판(S3a) 사이의 제 2 접착력(W23)에 의해 달라진다. 상기 제 1 접착력(W12)이 작으면, 상기 도너 기판의 광열변환층(S1b)으로부터 상기 전사층(S2)이 쉽게 떨어져 나와, 상기 레이저가 전사되지 않은 영역 에서도 전사층(S2)이 전사되는 문제점이 발생한다.The transfer characteristics of the transfer layer S2 during the transfer of the laser thermal transfer method may include a first adhesive force W12 between the photothermal conversion layer S1b and the transfer layer S2, and an adhesive force inside the transfer layer S2. W22) and the second adhesive force W23 between the transfer layer S2 and the substrate S3a. When the first adhesive force W12 is small, the transfer layer S2 is easily separated from the photothermal conversion layer S1b of the donor substrate, and the transfer layer S2 is transferred even in a region where the laser is not transferred. This happens.

또한, 상기 유기전계발광표시장치의 발광 영역에서는 화소정의막(S3b)으로 인한 단차가 존재하기 때문에 상기 레이저 열전사법으로 유기막층을 형성하는 경우, 그 단차 부분에서 유기막층이 끊어져 전사되지 않는 문제점이 있다. 이를 에지 오픈 불량(또는 미전사 불량 ; E)라 하며, 이는 전사되는 부분의 두께가 두꺼워져 휘어지는 곡률 반경이 증가하기 때문에 발생한다.In addition, since there is a step due to the pixel defining layer S3b in the emission area of the organic light emitting display device, when the organic film layer is formed by the laser thermal transfer method, the organic film layer is cut off at the stepped portion, and thus, the organic film layer is not transferred. have. This is called edge open failure (or non-transfer failure; E), which occurs because the thickness of the portion to be transferred is thickened and the bending radius of curvature increases.

상기와 같은 에지 오픈 불량 및 전사되지 않아야 될 영역에서 전사층이 전사되는 현상은 유기전계발광표시장치의 효율과 수명 및 휘도 저하를 초래하게 된다.The failure of the edge open and the transfer of the transfer layer in the region that should not be transferred result in deterioration of efficiency, lifespan, and luminance of the organic light emitting display device.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 도너 기판의 버퍼층 상의 일정 영역에 자기조립 단분자막을 형성하여, 상기 도너 기판의 전사층이 전사될 기판에 대응하는 패턴을 가지도록 함으로써, 전사 효율이 향상된 레이저 열전사용 도너 기판과 그의 제조 방법 및 이를 이용한 유기전계발광표시장치의 제조 방법을 제공함에 본 발명의 목적이 있다.Accordingly, the present invention is to solve the above problems of the prior art, by forming a self-assembled monomolecular film in a predetermined region on the buffer layer of the donor substrate, so that the transfer layer of the donor substrate has a pattern corresponding to the substrate to be transferred Accordingly, an object of the present invention is to provide a laser thermal transfer donor substrate having improved transfer efficiency, a method of manufacturing the same, and a method of manufacturing an organic light emitting display device using the same.

본 발명의 상기 목적은 기재층; 상기 기재층 상에 위치하는 광열변환층; 상기 광열변환층 상에 위치하는 수소화된 실리콘으로 이루어진 버퍼층; 상기 버퍼층 상의 일정 영역에 위치하는 자기조립 단분자막; 및 상기 버퍼층과 상기 자기조립 단분자막 상에 위치하는 전사층을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 열전사용 도너 기판에 의해 달성된다.The object of the present invention is a base layer; A photothermal conversion layer on the base layer; A buffer layer made of hydrogenated silicon positioned on the photothermal conversion layer; A self-assembled monomolecular film positioned in a predetermined region on the buffer layer; And a transfer layer positioned on the buffer layer and the self-assembled monolayer.

또한, 본 발명의 상기 목적은 기재층을 제공하고, 상기 기재층 상에 광열변환층을 형성하고, 상기 광열변환층 상에 수소화된 실리콘으로 버퍼층을 형성하고, 상기 버퍼층 상의 일정 영역에 백색광을 이용하여 자기조립 단분자막을 형성하고, 상기 버퍼층과 상기 자기조립 단분자막 상에 전사층을 형성하는 것을 포함하는 레이저 열전사용 도너 기판의 제조 방법에 의해 달성된다.In addition, the object of the present invention is to provide a substrate layer, to form a photothermal conversion layer on the substrate layer, to form a buffer layer of hydrogenated silicon on the photothermal conversion layer, using a white light in a predetermined region on the buffer layer Thereby forming a self-assembled monomolecular film, and forming a transfer layer on the buffer layer and the self-assembled monomolecular film.

또한, 본 발명의 상기 목적은 기판을 제공하고, 상기 기판 상에 하부 전극을 형성하고, 상기 하부 전극 상에 기재층, 광열변환층, 버퍼층, 자기조립 단분자막 및 전사층을 포함하는 도너 기판을 이용한 레이저 열전사법으로 유기막 패턴을 형성하는 것을 포함하며, 상기 자기조립 단분자막은 상기 버퍼층 상에 형성되어, 상기 전사층이 상기 기판 상에 형성된 패턴에 대응하는 패턴을 가지도록 형성되는 것을 포함하는 유기전계발광표시장치의 제조 방법에 의해 달성된다.In addition, the object of the present invention is to provide a substrate, forming a lower electrode on the substrate, using a donor substrate comprising a substrate layer, a photothermal conversion layer, a buffer layer, a self-assembled monolayer and a transfer layer on the lower electrode Forming an organic layer pattern by a laser thermal transfer method, wherein the self-assembled monolayer is formed on the buffer layer, and the organic field includes forming the transfer layer to have a pattern corresponding to the pattern formed on the substrate. It is achieved by a method of manufacturing a light emitting display device.

본 발명의 상기 목적과 기술적 구성 및 그에 따른 작용효과에 관한 자세한 사항은 본 발명의 바람직한 실시 예를 도시하고 있는 도면을 참조한 이하 상세한 설명에 의해 보다 명확하게 이해될 것이다. 또한 도면들에 있어서, 층 및 영역의 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성 요소들을 나타낸다.Details of the above objects and technical configurations and the effects thereof according to the present invention will be more clearly understood by the following detailed description with reference to the drawings showing preferred embodiments of the present invention. In addition, in the drawings, the length, thickness, etc. of layers and regions may be exaggerated for convenience. Like numbers refer to like elements throughout.

(실시 예1)Example 1

도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 실시 예1에 따른 레이저 열전사용 도너 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도 및 모식도이다.2A to 2D are cross-sectional views and schematic views for explaining a method of manufacturing a laser thermal transfer donor substrate according to a first embodiment of the present invention.

도 2a를 참조하면, 기재층(100)을 제공하고, 상기 기재층(100) 상에 광열변 환층(110)을 형성한다. 상기 기재층(100)은 상기 광열변환층(110)에 빛을 전달하기 위하여 투명성을 가져야 하며, 지지 기판으로서 일정한 광학적 성질과 충분한 기계적 안정성을 가진 물질로 이루어질 수 있다. 상기 기재층(100)은 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylene terephthalate : PET)와 같은 폴리에스테르, 폴리아크릴, 폴리에폭시, 폴리에틸렌 및 폴리스틸렌으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 고분자 물질이거나 유리로 이루어질 수 있다. 더욱 바람직하게는 상기 기재층(100)은 폴리에틸렌 테레프탈레이트일 수 있다.Referring to FIG. 2A, a substrate layer 100 is provided, and a photothermal conversion layer 110 is formed on the substrate layer 100. The substrate layer 100 should have transparency in order to transmit light to the photothermal conversion layer 110, and may be made of a material having a constant optical property and sufficient mechanical stability as a supporting substrate. The base layer 100 may be made of glass or at least one polymer material selected from the group consisting of polyester such as polyethylene terephthalate (PET), polyacryl, polyepoxy, polyethylene, and polystyrene. More preferably, the base layer 100 may be polyethylene terephthalate.

상기 광열변환층(110)은 적외선-가시광선 영역의 빛을 흡수하여, 상기 빛의 일부를 열로 변환시키는 층으로, 일정한 광학밀도(Optical density)를 가져야 하고, 광흡수성 물질을 포함한다. 상기 광열변환층(110)은 알루미늄 산화물 또는 알루미늄 황화물을 상기 광흡수성 물질로 포함하는 금속막, 카본 블랙, 흑연이나 적외선 염료를 상기 광흡수성 물질로 포함하는 고분자 유기막일 수 있다. 이때, 상기 금속막의 경우는 진공 증착법, 전자빔 증착법 또는 스퍼터링(Sputtering)을 이용할 수 있으며, 상기 유기막은 통상적인 필름 코팅 방법으로서, 그라비아(Gravure), 압출(extrusion), 스핀(spin) 및 나이프(knife) 코팅방법 중에 하나의 방법에 의해 형성될 수 있다.The photothermal conversion layer 110 absorbs light in the infrared-visible light region and converts a part of the light into heat. The photothermal conversion layer 110 should have a constant optical density and include a light absorbing material. The photothermal conversion layer 110 may be a metal film including aluminum oxide or aluminum sulfide as the light absorbing material, and a polymer organic film including carbon black, graphite, or infrared dye as the light absorbing material. In this case, the metal film may be vacuum deposition, electron beam deposition, or sputtering, and the organic film may be a conventional film coating method, such as gravure, extrusion, spin, and knife. ) Can be formed by one of the coating method.

상기 광열변환층(110) 상에 실란(Silane), 실리콘 오일(Silicon oil) 등의 수소화된 실리콘으로 버퍼층(120)을 형성한다. 상기 버퍼층(120)은 상기 광열변환층(110) 상에 수소화된 실리콘을 진공증착법, 전자빔 증착법 또는 스퍼터링(Sputtering) 형성할 수 있다. 이와는 달리 상기 광열변환층(110) 상에 실리콘을 적층한 후, 상기 실리콘에 불소 등을 이용한 표면 처리하여 표면에 Si-H 결합이 형성된 표면이 수소화된 실리콘을 상기 버퍼층(120)으로 사용할 수도 있다. 상기 수소화된 실리콘은 후속 공정으로 상기 버퍼층 상에 자기조립 단분자막(130)을 형성하기 위한 것이다.A buffer layer 120 is formed on the photothermal conversion layer 110 by hydrogenated silicon such as silane and silicon oil. The buffer layer 120 may form hydrogenated silicon on the photothermal conversion layer 110 by vacuum deposition, electron beam deposition, or sputtering. Alternatively, after the silicon is deposited on the photothermal conversion layer 110, the surface-treated with fluorine or the like on the silicon may be used as the buffer layer 120 the hydrogenated silicon on which the Si-H bond is formed on the surface. . The hydrogenated silicon is intended to form a self-assembled monolayer 130 on the buffer layer in a subsequent process.

이어서, 마스크 패턴(140) 등을 이용하여 상기 버퍼층(120) 상의 일정 영역에 백색광을 조사함으로써, 도 2b에 도시된 바와 같이, 상기 버퍼층(120) 상의 일정 영역에 자기조립 단분자막(130)을 형성한다. 상기 자기조립 단분자막(130)은 상기 버퍼층(120)과 후속 공정으로 형성되는 전사층(150)의 접착력을 개선하기 위한 것으로, 상기 버퍼층(120)의 표면에 규칙적으로 정렬된 유기 분자막이 바람직하다. Subsequently, white light is irradiated to a predetermined region on the buffer layer 120 using a mask pattern 140, thereby forming a self-assembled monolayer 130 on a predetermined region on the buffer layer 120, as shown in FIG. 2B. do. The self-assembled monolayer 130 is to improve the adhesion between the buffer layer 120 and the transfer layer 150 formed in a subsequent process, preferably an organic molecular film regularly aligned on the surface of the buffer layer 120. .

상기 자기조립 단분자막(130)은 도 2c에 도시된 바와 같이, 상기 버퍼층(120)과 결합하는 머리 부분의 반응기와 규칙적인 분자 막 형성을 가능하게 하는 몸통 부분의 긴 알칸사슬과, 분자 막의 기능을 좌우하는 꼬리 부분의 작용기로 구성되어 있다. 즉, 상기 자기조립 단분자막(130)은 몸통 부분인 긴 알칸사슬과 상기 알칸사슬의 말단에 위치하며, 상기 전사층(150)의 표면과 상호 작용하여 공유 결합할 수 있는 작용기를 갖는 분자들은 머리 부분인 반응기를 통하여 버퍼층(120) 표면에 흡착, 결합하게 된다. 상기 버퍼층(120) 표면에 흡착, 결합된 상기 분자들은 상기 버퍼층(120)의 표면에서 분자들끼리 2차원적으로 정렬하는 자기조립 현상을 이용하여 기질의 표면에 일정하게 정렬하여 자기조립 단분자막(130)을 형성하게 된다.As shown in FIG. 2C, the self-assembled monomolecular film 130 has a function of a molecular membrane and a long alkane chain in the body portion that enables regular molecular film formation with a reactor of the head that couples with the buffer layer 120. Consists of functional groups of the tail portion. That is, the self-assembled monolayer 130 is located at the end of the long alkane chain which is a body part and the alkane chain, and molecules having functional groups that can covalently bond with the surface of the transfer layer 150 are the head part. The phosphorus reactor is adsorbed and bonded to the surface of the buffer layer 120. The molecules adsorbed and bonded to the surface of the buffer layer 120 are aligned on the surface of the substrate using a self-assembly phenomenon in which molecules are aligned two-dimensionally on the surface of the buffer layer 120 to form a self-assembled monolayer 130. ).

상기와 같은 방법으로 자기조립 단분자막(130)을 제조하는 경우에는 막 형성 과정을 분자 수준에서 조절할 수 있으며, 상기 자기조립 단분자막(130)을 형성하는 분자의 작용기를 선택적으로 다양하게 변화시킬 수도 있고, 또한, 그 조절도 가능하며, 상기 버퍼층(120) 표면과의 결합도 강하여 막의 안정성도 뛰어나고, 원하는 경우 쉽게 제거할 수도 있다.In the case of manufacturing the self-assembled monolayer 130 by the above method, the film forming process can be controlled at the molecular level, and the functional groups of the molecules forming the self-assembled monolayer 130 may be selectively changed in various ways. In addition, the adjustment is also possible, and the bond with the surface of the buffer layer 120 is also strong, excellent stability of the film, it can be easily removed if desired.

상기 자기조립 단분자막(130)의 형성물질은 지방산 등의 계면 활성제 분자, 알킬트리할로실란류, 알킬알콕사이드류 등의 유기 규소 분자, 알킬티올류 등의 유기황 분자, 알킬포스페이트 등의 유기 인산 분자 등을 들 수 있으며, 바람직하게는 일반식 CnH2n(n은 정수)으로 표시되는 에틸렌계 탄화수소 또는 일반식 CnH2n -2(단 n>2, n은 정수)으로 표시되는 아세틸렌계 탄화수소를 포함하는 물질을 사용할 수 있다. 더욱 바람직하게는 상기 일반식에서 n이 20이하의 정수인 상기 에틸렌계 탄화수소 또는 아세틸렌계 탄화수소를 포함하는 물질을 사용할 수 있다. 상기 일반식에서 n이 20을 초과하는 정수이면 구조 이성체로 인한 막 형성에 어려워지며, 체인들간의 표면적 증가로 인한 분자간의 반데르 발스 힘(van der Waals forces)이 증가하여, 상기 분자간의 정렬에 문제가 발생할 수 있기 때문이다. The material for forming the self-assembled monolayer 130 is a surfactant molecule such as fatty acid, an organosilicon molecule such as alkyltrihalosilanes or alkyl alkoxides, an organosulfur molecule such as alkylthiols, or an organic phosphate molecule such as alkyl phosphate. And ethylene-based hydrocarbons represented by general formula C n H 2n (n is an integer) or acetylene type represented by general formula C n H 2n -2 (where n> 2 and n are integers). Materials containing hydrocarbons can be used. More preferably, in the general formula, a material including the ethylene-based hydrocarbon or the acetylene-based hydrocarbon where n is an integer of 20 or less may be used. In the general formula, when n is an integer greater than 20, it is difficult to form a film due to structural isomers, and the intermolecular van der Waals forces due to the increase of the surface area between the chains increases, which is a problem in the alignment between the molecules. This can happen.

상기 에틸렌계 탄화수소는 알켄(Alkene)으로, 상기 아세틸렌계 탄화수소는 알킨(Alkyne)으로 표시될 수 있다.The ethylene hydrocarbon may be represented by alkene, and the acetylene hydrocarbon may be represented by alkyne.

상기 버퍼층(120)의 일정 영역 상에 상기 자기조립 단분자막(130)을 형성하는 것은 수소규소화(Hydrosilylation) 반응을 이용한다.Forming the self-assembled monolayer 130 on a predetermined region of the buffer layer 120 uses a hydrosilylation reaction.

도 2d는 상기 수소화된 실리콘과 알켄(Alkene)을 포함하는 물질과의 수소규 소화 반응을 나타내는 모식도이다.Figure 2d is a schematic diagram showing the hydrogen silicification reaction of the hydrogenated silicon and the material containing alken (Alkene).

도 2d를 참조하면, 상기 수소화된 실리콘에 백색광이 조사되면, 상기 백색광의 낮은 에너지로 인하여 여기자가 생성되며, 상기 여기자로부터 전자와 정공이 방출되게 된다. 상기 정공은 인접한 알켄에 전달되고, 전자는 상기 수소화된 실리콘에 전달되어서, 상기 수소화된 실리콘의 Si-H 결합을 깨뜨리는 동시에 상기 실리콘과 알켄을 결합하여 Si-C 결합을 형성하게 된다. 상기의 과정을 통해 상기 실리콘 표면에 알켄을 포함하는 물질이 결합되게 된다. 또한, 상기 도 2c에서는 알켄을 포함한 물질을 예로 들었으나, 알킨(Alkyne)을 포함한 물질도 상기와 같은 과정을 통해 수소화된 실리콘과 결합할 수 있다.Referring to FIG. 2D, when white hydrogen is irradiated onto the hydrogenated silicon, excitons are generated due to the low energy of the white light, and electrons and holes are emitted from the excitons. The holes are transferred to adjacent alkenes, and electrons are transferred to the hydrogenated silicon, which breaks the Si—H bond of the hydrogenated silicon while simultaneously bonding the silicon and alkenes to form an Si—C bond. Through the above process, the alkene-containing material is bonded to the silicon surface. In addition, although the material containing alkenes is exemplified in FIG. 2C, the material containing alkyne may be combined with the hydrogenated silicon through the above process.

상기와 같이 상기 자기조립 단분자막(130) 형성 물질에 노출된 상기 버퍼층(120) 상의 일정 영역에 백색광을 조사함으로써, 상기 버퍼층(120) 상의 일정 영역에서 자기조립 단분자막(130)을 형성할 수 있다.As described above, the self-assembled monolayer 130 may be formed in a predetermined region on the buffer layer 120 by irradiating white light to a predetermined region on the buffer layer 120 exposed to the material of forming the self-assembled monolayer 130.

계속해서 상기 자기조립 단분자막(130)을 포함하는 기재층(100) 상에 전사층(150)을 형성한다. 상기 전사층(150)은 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등의 유기막으로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 단층막 또는 하나 이상의 다층막으로 형성할 수 있으며, 상기 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등의 유기막은 통상적으로 사용되는 재료이면 모두 사용 가능하다.Subsequently, the transfer layer 150 is formed on the base layer 100 including the self-assembled monolayer 130. The transfer layer 150 may be formed of one single layer film or one or more multilayer films selected from the group consisting of organic films, such as a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, the hole injection layer The organic films, such as a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, can be used if it is a material normally used.

바람직하게는 상기 정공주입층으로는 아릴 아민계 화합물 및 스타버스터형 아민류등으로 이루어질 수 있다. 더욱 상세하게는 4,4',4"-트리스(3-메틸페닐페닐 아미노)트리페닐아미노(m-MTDATA), 1,3,5-트리스[4-(3-메틸페닐페닐아미노)페닐]벤젠(m-MTDATB) 및 프타로시아닌 구리(CuPc)등으로 이루어질 수 있다.Preferably, the hole injection layer may be composed of an aryl amine compound, a starburst type amine, and the like. More specifically, 4,4 ', 4 "-tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamino (m-MTDATA), 1,3,5-tris [4- (3-methylphenylphenylamino) phenyl] benzene ( m-MTDATB) and phthalocyanine copper (CuPc).

상기 정공수송층으로는 아릴렌 디아민 유도체, 스타버스트형 화합물, 스피로기를 갖는 비페닐디아민유도체 및 사다리형 화합물 등으로 이루어질 수 있다. 더욱 상세하게는 N,N-디페닐-N,N'-비스(4-메틸페닐)-1,1'-바이페닐-4,4'-디아민(TPD)이거나 4,4'-비스[N-(1-나프릴)-N-페닐아미노]비페닐(NPB)일 수 있다.The hole transport layer may include an arylene diamine derivative, a starburst compound, a biphenyldiamine derivative having a spiro group, a ladder compound, and the like. More specifically N, N-diphenyl-N, N'-bis (4-methylphenyl) -1,1'-biphenyl-4,4'-diamine (TPD) or 4,4'-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (NPB).

상기 발광층으로는 적색발광재료인 Alq3(호스트)/DCJTB(형광도펀트), Alq3(호스트)/DCM(형광도펀트) 또는 CBP(호스트)/PtOEP(인광 유기금속 착체) 등의 저분자 물질과 PFO계 고분자, PPV계 고분자 등의 고분자물질을 사용할 수 있으며, 녹색발광재료인 Alq3, Alq3(호스트)/C545t(도펀트), CBP(호스트)/IrPPY(인광 유기물 착체) 등의 저분자 물질과 PFO계 고분자, PPV계 고분자등의 고분자물질을 사용할 수 있다. 또한, 청색발광재료인 DPVBi, 스피로-DPVBi, 스피로-6P, 디스틸벤젠(DSB), 디스트릴아릴렌(DSA)등의 저분자 물질과 PFO계 고분자, PPV계 고분자 등의 고분자물질을 사용할 수 있다.As the light emitting layer, a low molecular material such as Alq3 (host) / DCJTB (fluorescent dopant), Alq3 (host) / DCM (fluorescent dopant) or CBP (host) / PtOEP (phosphorescent organometallic complex), which is a red light emitting material, and a PFO polymer High molecular weight materials such as Alq3, Alq3 (host) / C545t (dopant), CBP (host) / IrPPY (phosphorescent organic complex) which are green light emitting materials, and PFO polymer, PPV Polymeric materials, such as system type polymers, can be used. In addition, low molecular weight materials such as DPVBi, Spiro-DPVBi, Spiro-6P, Distylbenzene (DSB) and Distriarylene (DSA), which are blue light emitting materials, and polymer materials such as PFO-based polymers and PPV-based polymers may be used. .

상기 전자수송층으로는 유기발광층상부에 적층되며 전자가 잘 수용할 수 있는 금속화합물로 이루어지며, 캐소드 전극으로부터 공급된 전자를 안정하게 수송할 수 있는 특성이 우수한 8-하이드로퀴놀린 알루미늄염(Alq3)으로 이루어질 수 있다.The electron transport layer is formed of a metal compound that is stacked on the organic light emitting layer and can be easily accommodated by electrons, and has an excellent 8-hydroquinoline aluminum salt (Alq3) having excellent properties for transporting electrons supplied from the cathode electrode stably. Can be done.

상기 전자주입층으로는 1,3,4-옥시디아졸 유도체, 1,2,4-트리아졸 유도체 및 LiF로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 물질로 이루어질 수 있다.The electron injection layer may be made of one or more materials selected from the group consisting of 1,3,4-oxydiazole derivatives, 1,2,4-triazole derivatives, and LiF.

상기 전사층(150)은 압출, 스핀, 나이프 코팅방법, 진공 증착법, CVD등의 방 법에 의해 형성될 수 있다.The transfer layer 150 may be formed by extrusion, spin, knife coating, vacuum deposition, or CVD.

(실시 예2)Example 2

도 3은 본 발명의 실시 예2에 따른 유기전계발광표시장치의 단면도이다.3 is a cross-sectional view of an organic light emitting display device according to a second exemplary embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 유리나 합성 수지, 스테인레스 스틸 등의 재질로 형성된 기판(200) 상에 하부 전극(미도시)을 형성하고, 상기 하부 전극 상에 개구부를 포함하는 화소정의막(210)을 형성한다. 상기 기판과 하부 전극 사이에는 통상적인 방법에 의해 박막트랜지스터(미도시), 절연막(미도시) 및 캐패시터(미도시)가 형성될 수도 있다.Referring to FIG. 3, a lower electrode (not shown) is formed on a substrate 200 formed of glass, synthetic resin, stainless steel, or the like, and a pixel definition layer 210 including an opening is formed on the lower electrode. do. A thin film transistor (not shown), an insulating film (not shown), and a capacitor (not shown) may be formed between the substrate and the lower electrode by a conventional method.

다음으로, 레이저 열전사용 도너 기판을 상기 도너 기판의 전사층(150)이 기판(100)을 향하도록 배치한다. Next, a laser thermal transfer donor substrate is disposed so that the transfer layer 150 of the donor substrate faces the substrate 100.

상기 레이저 열전사용 도너 기판은, 앞서 설명한 실시 예1과 같이, 기재층(100), 광열변환층(110), 버퍼층(120), 자기조립 단분자막(130) 및 전사층(150)을 포함한다. 상기 버퍼층(120)은 수소화된 실리콘으로 형성하며, 상기 수소화된 실리콘은 후속 되는 자기조립 단분자막(130)을 형성하기 위한 것으로 실리콘을 적층한 후, 상기 실리콘을 표면 처리하여 수소화한 실리콘이라도 무관하다. The laser thermal transfer donor substrate includes a base layer 100, a photothermal conversion layer 110, a buffer layer 120, a self-assembled monolayer 130, and a transfer layer 150, as in the first embodiment described above. The buffer layer 120 is formed of hydrogenated silicon, and the hydrogenated silicon is used to form a subsequent self-assembled monolayer 130, and may be silicon that is surface-treated and hydrogenated silicon after lamination of silicon.

상기 자기조립 단분자막(130)은 백색광을 통한 수소규소화 반응을 이용하여 형성한다. 상기 자기조립 단분자막(130)은 상기 버퍼층(120)과 후속 되는 공정으로 형성되는 전사층(150)의 접착력을 제어한다. 또한, 상기 자기조립 단분자막(150)은 상기 전사층(150) 전사 시 에지 오픈 불량을 방지하기 위하여, 상기 전사층(150)이 전사되는 기판(100)의 패턴에 대응되는 패턴으로 형성된다. 상기 기판(200) 상에서 전사층(150)이 전사될 영역은 오목하게 된 영역이므로, 상기 도너 기판은 상기 전사층(150)이 전사될 영역의 하부에 자기조립 단분자막(130)을 형성하여, 상기 전사층(150)이 전사될 영역이 돌출 되어진 볼록한 패턴으로 형성한다. 상기 전사층(150)이 볼록한 패턴으로 형성되면 상기 기판(200)의 오목한 패턴에 대응되므로, 상기 전사층(150)의 전사 효율이 향상되며, 상기 기판(200)의 오목한 패턴에 의해 발생하였던 에지 오픈 불량을 방지할 수 있다.The self-assembled monolayer 130 is formed using hydrogen siliconization reaction through white light. The self-assembled monolayer 130 controls the adhesion between the buffer layer 120 and the transfer layer 150 formed in a subsequent process. In addition, the self-assembled monolayer 150 is formed in a pattern corresponding to the pattern of the substrate 100 to which the transfer layer 150 is transferred in order to prevent edge open defects during the transfer layer 150 transfer. Since the region on which the transfer layer 150 is to be transferred on the substrate 200 is a concave region, the donor substrate forms a self-assembled monolayer 130 under the region to which the transfer layer 150 is to be transferred. The transfer layer 150 is formed in a convex pattern in which a region to be transferred is protruded. When the transfer layer 150 is formed in a convex pattern, it corresponds to the concave pattern of the substrate 200. Therefore, the transfer efficiency of the transfer layer 150 is improved, and the edge generated by the concave pattern of the substrate 200. Open failure can be prevented.

상기 자기조립 단분자막(130)을 포함하는 기재층(100) 상에 전사층(150)을 형성한다. 상기 전사층(150)은 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등의 유기막으로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 단층막 또는 하나 이상의 다층막으로 형성할 수 있으며, 상기 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등의 유기막은 앞서 설명한 바와 같이 통상적으로 사용되는 재료이면 모두 사용 가능하다.The transfer layer 150 is formed on the base layer 100 including the self-assembled monolayer 130. The transfer layer 150 may be formed of one single layer film or one or more multilayer films selected from the group consisting of organic films, such as a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, the hole injection layer The organic films such as the hole transport layer, the light emitting layer, the electron transport layer, and the electron injection layer may be used as long as they are materials commonly used as described above.

계속해서, 상기 레이저 열전사용 도너 기판의 일정 영역에 레이저를 조사하여 상기 전사층(150) 및 자기조립 단분자막(130)을 전사시킴으로써, 상기 기판(200) 상에 유기막 패턴을 형성한다.Subsequently, a laser is irradiated to a predetermined region of the laser thermal transfer donor substrate to transfer the transfer layer 150 and the self-assembled monolayer 130 to form an organic layer pattern on the substrate 200.

전술한 본 발명의 실시 예에 따른 레이저 열전사용 도너 기판 및 이를 이용한 유기전계발광표시장치는 도너 기판의 버퍼층과 전사층 사이에 자기조립 단분자막을 형성하여, 전사층의 전사 효율을 향상시킨다. 또한, 상기 버퍼층 상의 일정 영역에만 자기조립 단분자막을 형성하여, 도너 기판 상에 전사층이 전사될 기판과 대응되는 단차를 형성함으로써, 상기 전사층의 전사 시 발생하는 에지 오픈 불량을 방지할 수 있다.The donor substrate and the organic light emitting display using the same according to the embodiment of the present invention form a self-assembled monomolecular film between the buffer layer and the transfer layer of the donor substrate, thereby improving the transfer efficiency of the transfer layer. In addition, the self-assembled monomolecular film is formed only in a predetermined region on the buffer layer, thereby forming a step corresponding to the substrate on which the transfer layer is to be transferred, thereby preventing edge open defects generated when the transfer layer is transferred.

따라서, 본 발명에 따른 레이저 열전사용 도너 기판에서는 버퍼층 상의 일정 영역에 자기조립 단분자막을 형성함으로써, 전사층의 전사 효율을 향상시키는 효과가 있다.Therefore, in the laser thermal transfer donor substrate according to the present invention, the self-assembled monomolecular film is formed in a predetermined region on the buffer layer, thereby improving the transfer efficiency of the transfer layer.

Claims (14)

기재층;Base layer; 상기 기재층 상에 위치하는 광열변환층;A photothermal conversion layer on the base layer; 상기 광열변환층 상에 위치하는 수소화된 실리콘으로 이루어진 버퍼층;A buffer layer made of hydrogenated silicon positioned on the photothermal conversion layer; 상기 버퍼층 상에 위치하는 자기조립 단분자막; 및A self-assembled monolayer on the buffer layer; And 상기 버퍼층과 상기 자기조립 단분자막 상에 위치하는 전사층을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 열전사용 도너 기판.And a transfer layer on the buffer layer and the self-assembled monolayer. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 자기조립 단분자막은 일반식 CnH2n(n은 정수)으로 표시되는 에틸렌계 탄화수소로 이루어진 것을 특징으로 하는 레이저 열전사용 도너 기판.The self-assembled monolayer film is a laser thermal transfer donor substrate, characterized in that consisting of ethylene-based hydrocarbon represented by the general formula C n H 2n (n is an integer). 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 자기조립 단분자막은 일반식 CnH2n -2(단 n>2, n은 정수)으로 표시되는 아세틸렌계 탄화수소로 이루어진 것을 특징으로 하는 레이저 열전사용 도너 기판.The self-assembled monomolecular film is a laser thermal transfer donor substrate, characterized in that made of acetylene hydrocarbon represented by the general formula C n H 2n -2 (where n> 2, n is an integer). 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,The method of claim 2 or 3, 상기 자기조립 단분자막은 상기 일반식에서 n이 20이하의 정수인 에틸렌계 탄화수소 또는 아세틸렌계 탄화수소인 것을 특징으로 하는 레이저 열전사용 도너 기판.The self-assembled monomolecular film is a laser thermal transfer donor substrate, characterized in that n is an ethylene-based hydrocarbon or an acetylene-based hydrocarbon in which n is an integer of 20 or less. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 자기조립 단분자막은 상기 버퍼층의 일정 영역 상에 위치하여, 상기 도너 기판이 상기 자기조립 단분자막이 위치한 영역에서 돌출 되어진 볼록한 패턴을 가지는 것을 특징으로 하는 레이저 열전사용 도너 기판.The donor substrate of claim 1, wherein the self-assembled monolayer is positioned on a predetermined region of the buffer layer, and the donor substrate has a convex pattern protruding from a region where the self-assembled monolayer is located. 기재층을 제공하고,Providing a base layer, 상기 기재층 상에 광열변환층을 형성하고,Forming a photothermal conversion layer on the substrate layer, 상기 광열변환층 상에 수소화된 실리콘으로 버퍼층을 형성하고,Forming a buffer layer of hydrogenated silicon on the photothermal conversion layer; 상기 버퍼층 상에 백색광을 이용하여 자기조립 단분자막을 형성하고,Forming a self-assembled monomolecular film using white light on the buffer layer, 상기 버퍼층과 상기 자기조립 단분자막 상에 전사층을 형성하는 것을 포함하는 레이저 열전사용 도너 기판의 제조 방법.And forming a transfer layer on the buffer layer and the self-assembled monolayer. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 자기조립 단분자막은 일반식 CnH2n(n은 정수)으로 표시되는 에틸렌계 탄화수소로 형성하는 것을 특징으로 하는 레이저 열전사용 도너 기판의 제조 방법.The self-assembled monomolecular film is a method of manufacturing a laser thermal transfer donor substrate, characterized in that formed from ethylene hydrocarbon represented by the general formula C n H 2n (n is an integer). 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 자기조립 단분자막은 일반식 CnH2n -2(단 n>2, n은 정수)으로 표시되는 아세틸렌계 탄화수소로 형성하는 것을 특징으로 하는 레이저 열전사용 도너 기판의 제조 방법.Wherein said self-assembled monomolecular film is formed of an acetylene hydrocarbon represented by the general formula C n H 2n -2 (where n> 2 and n is an integer). 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,The method according to claim 7 or 8, 상기 자기조립 단분자막은 상기 일반식에서 n이 20이하의 정수인 에틸렌계 탄화수소 또는 아세틸렌계 탄화수소인 것을 특징으로 하는 레이저 열전사용 도너 기판의 제조 방법.The self-assembled monomolecular film is a method for manufacturing a laser thermal transfer donor substrate, wherein n is an ethylene hydrocarbon or an acetylene hydrocarbon, wherein n is an integer of 20 or less. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 자기조립 단분자막을 상기 버퍼층 상의 일정 영역에 형성함으로써, 상기 도너 기판을 상기 자기조립 단분자막이 형성된 영역에서 돌출 되어진 볼록한 패턴으로 형성하는 것을 특징으로 하는 레이저 열전사용 도너 기판의 제조 방법.And forming the donor substrate in a convex pattern protruding from the region in which the self-assembled monomolecular film is formed by forming the self-assembled monomolecular film in a predetermined region on the buffer layer. 기판을 제공하고,Providing a substrate, 상기 기판 상에 하부 전극을 형성하고,Forming a lower electrode on the substrate, 상기 하부 전극 상에 기재층, 광열변환층, 버퍼층, 자기조립 단분자막 및 전사층을 포함하는 도너 기판을 이용한 레이저 열전사법으로 유기막 패턴을 형성하는 것을 포함하며,Forming an organic layer pattern on the lower electrode by laser thermal transfer using a donor substrate including a substrate layer, a photothermal conversion layer, a buffer layer, a self-assembled monolayer and a transfer layer, 상기 자기조립 단분자막은 상기 버퍼층 상에 형성되어, 상기 전사층이 상기 기판 상에 형성된 패턴에 대응하는 패턴을 가지도록 형성되는 것을 포함하는 유기전계발광표시장치의 제조 방법. The self-assembled monomolecular film is formed on the buffer layer, wherein the transfer layer is formed to have a pattern corresponding to the pattern formed on the substrate. 제 11 항에 있어서,The method of claim 11, 상기 유기막 패턴은 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층의 유기막들로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 단층막 또는 하나 이상의 다층막인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조 방법.The organic layer pattern may be a single layer film or at least one multilayer film selected from the group consisting of an organic layer of a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer and an electron injection layer, manufacturing an organic light emitting display device. Way. 제 11 항에 있어서,The method of claim 11, 상기 버퍼층은 백색광을 이용하여 자기조립 단분자막을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조 방법.The buffer layer is a method of manufacturing an organic light emitting display device, characterized in that to form a self-assembled monolayer using white light. 제 11 항에 있어서,The method of claim 11, 상기 도너 기판은 상기 기판 상에 상기 전사층이 전사될 영역 하부에 상기 자기조립 단분자막을 형성하여, 상기 전사층의 전사 될 영역이 돌출 된 볼록한 패턴으로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조 방법.The donor substrate may have the self-assembled monomolecular film formed under the region where the transfer layer is to be transferred on the substrate to form a convex pattern protruding from the region to be transferred of the transfer layer. Manufacturing method.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20060017415A (en) * 2004-08-20 2006-02-23 삼성에스디아이 주식회사 Donor film for laser induced thermal imaging method and method for fabricating organic electro-luminescence display device by the same
KR20060044256A (en) * 2004-11-11 2006-05-16 삼성에스디아이 주식회사 Organic electro-luminescence display and method for fabricating of the same

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060017415A (en) * 2004-08-20 2006-02-23 삼성에스디아이 주식회사 Donor film for laser induced thermal imaging method and method for fabricating organic electro-luminescence display device by the same
KR20060044256A (en) * 2004-11-11 2006-05-16 삼성에스디아이 주식회사 Organic electro-luminescence display and method for fabricating of the same

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