KR100785141B1 - Apparatus for liquid crystal display - Google Patents

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Abstract

본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것으로, 게이트 라인 및 데이터 라인이 다수개의 화소행을 형성하도록 매트릭스 형태로 형성된 하부기판과; 블랙매트릭스가 형성된 상부기판과; 상기 하부기판 또는 상부기판 내측면에 형성된 구동전극을 포함하는 액정 표시 장치에 있어서, 상기 하부기판 외측면에는 광원을 구비한 백라이트 장치가 배치되어 있되 상기 광원은 상기 백라이트 장치의 중앙부에 위치하여 확산판을 통해 상기 하부기판에 빛을 조사하며, 상기 백라이트에 최인접하는 수개의 화소행 화소에 해당하는 블랙매트릭스 크기가 타행 화소에 해당하는 블랙매트릭스 크기보다 크거나, 상기 백라이트에 최인접하는 수개의 화소행 화소에 해당하는 구동전극이 불투명 도전체로 형성되어 있거나, 상기 백라이트에 최인접하는 수개의 화소행 화소는 스토리지 커패시턴스가 큰 구동전극 패턴이거나, 또는 이들의 조합으로 구성되어 있는 것이며, 액정화면중 백라이트 바로 윗면에 위치한 수개 화소의 개구율을 감소시켜 액정화면 전체적으로 화면품위가 향상되는 것이며, 또한 빛샘방지 테이프를 사용하지 않아도 되므로 제조비용 절감 및 설계마진을 확보할 수 있는 것이다The present invention relates to a liquid crystal display device, comprising: a lower substrate formed in a matrix such that a gate line and a data line form a plurality of pixel rows; An upper substrate having a black matrix formed thereon; In the liquid crystal display device including a driving electrode formed on the inner surface of the lower substrate or the upper substrate, a backlight device having a light source is disposed on the outer surface of the lower substrate, the light source is located in the center of the backlight device diffusion plate Irradiates light to the lower substrate through the black matrix, and the size of the black matrix corresponding to the several pixel row pixels closest to the backlight is larger than the size of the black matrix corresponding to the other pixels, or the several pixel row pixels closest to the backlight. The driving electrode corresponding to the pixel is formed of an opaque conductor, or the pixel rows of pixels closest to the backlight are formed of a driving electrode pattern having a large storage capacitance, or a combination thereof. LCD screen by reducing the aperture ratio of several pixels The overall quality of the screen is improved, and also, it is possible to reduce the manufacturing cost and secure the design margin since there is no need to use the light leakage prevention tape.

Description

액정 표시 장치{APPARATUS FOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY}Liquid Crystal Display {APPARATUS FOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY}

도 1은 직하식 백라이트 장치의 단면도.1 is a cross-sectional view of a direct type backlight device.

도 2는 본 발명에 따른 직하식 백라이트 장치를 구비한 액정 패널의 사시도.2 is a perspective view of a liquid crystal panel having a direct backlight device according to the present invention;

도 3은 본 발명에 따른 블랙매트릭스로 화소의 일부가 가려진 단위화소의 평면도.3 is a plan view of a unit pixel in which part of a pixel is blocked by a black matrix according to the present invention;

도 4는 본 발명에 따른 불투명 도전체로 구성된 구동전극 패턴을 구비한 단위화소의 평면도.4 is a plan view of a unit pixel having a driving electrode pattern composed of an opaque conductor according to the present invention;

도 5는 본 발명에 따른 스토리지 온 게이트형 단위화소의 평면도.5 is a plan view of a storage on gate unit pixel according to the present invention;

도 6은 본 발명에 따른 스토리지 온 커먼형 단위화소의 평면도.6 is a plan view of a storage on common unit pixel according to the present invention;

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

1;몰드 프레임 3;램프 하우징1; mold frame 3; lamp housing

5;형광램프 7;러버 커넥터5; fluorescent lamp 7; rubber connector

9;확산판 11;하부기판9 diffuser plate

12;저개구율 영역 13;백라이트 장치12; low opening ratio region 13; backlight device

17;게이트 라인 19;데이터 라인17; gate line 19; data line

21;화소 23;블랙매트릭스21; pixel 23; black matrix

25;화소전극 26;불투명 도전체 패턴 25; pixel electrode 26; opaque conductor pattern                 

27;공통전극27; common electrode

본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 백라이트에 최인접하는 수개 화소의 개구율을 상대적으로 감소시켜 화소행의 밝기차를 보상하여 화면품위가 향상되는 액정 표시 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to a liquid crystal display device in which screen quality is improved by compensating for a difference in brightness of a pixel row by relatively reducing the aperture ratio of several pixels closest to a backlight.

일반적으로 액정 표시 장치란 박막트랜지스터를 스위칭 소자로 사용하는 화상 그래프 표시장치의 하나로서, 다른 화상 그래프 표시장치인 음극선관(CRT)에 비해 경박 단소형화 및 저소비전력을 실현할 수 있다는 장점이 있다.In general, a liquid crystal display device is one of an image graph display device using a thin film transistor as a switching element, and has an advantage of realizing a thin and small size and low power consumption compared to a cathode ray tube (CRT), which is another image graph display device.

종래의 액정 표시 장치의 구성을 대별하면, 메트릭스 형태로 배열된 게이트 라인 및 데이터 라인이 형성되어 있는 하부기판과, 컬러필터층이 형성되어 있는 상부기판과, 상기 상하부 기판사이에 개재된 액정층을 포함한다.The structure of a conventional liquid crystal display device includes a lower substrate on which gate lines and data lines arranged in a matrix form, an upper substrate on which a color filter layer is formed, and a liquid crystal layer interposed between the upper and lower substrates. do.

한편, 이와 같은 액정 표시 장치는 음극선과는 달리 스스로 빛을 내는 장치가 아니기 때문에 백라이트를 필요로 하며, 상기 하부기판상에는 스위칭 소자인 박막트랜지스터가 상기 게이트 라인 및 데이터 라인의 교차점 부근에 형성되어 있으며, 상기 하부기판 및/또는 상부기판 내측면에는 액정층내 액정분자들을 구동시키기 위한 구동전극(상대전극과 화소전극)이 형성되어 있다.On the other hand, since the liquid crystal display device does not emit light by itself unlike a cathode ray, a backlight is required. A thin film transistor, which is a switching element, is formed on the lower substrate near an intersection point of the gate line and the data line. Drive electrodes (relative electrodes and pixel electrodes) for driving liquid crystal molecules in the liquid crystal layer are formed on the inner side of the lower substrate and / or the upper substrate.

이와 같은 구조를 취하고 있는 종래의 액정 표시 장치는, 상기 게이트 라인중 어느 하나에 주사 신호가 인가되고 데이터 라인에 디스플레이 신호가 인가되면, 신호가 인가된 게이트 라인과 데이터 라인의 교차점 부근에 위치하는 박막트랜지스터가 턴 온(TURN ON)된다. 그러면, 상기 데이터 라인의 디스플레이 신호는 박막트랜지스터를 통하여 화소전극에 전달되고 상대전극에는 계속적으로 공통신호가 인가되므로, 상기 전극 사이에 전계가 발생된다.In the conventional liquid crystal display device having such a structure, when a scan signal is applied to any one of the gate lines and a display signal is applied to the data line, the thin film is positioned near the intersection of the gate line and the data line to which the signal is applied. The transistor is turned on. Then, the display signal of the data line is transmitted to the pixel electrode through the thin film transistor and the common signal is continuously applied to the counter electrode, so that an electric field is generated between the electrodes.

그리하면, 상기 액정층내 액정분자들이 유전율 이방성에 따라 전계에 대해 평행하거나(양의 유전율 이방성인 경우) 수직하게(음의 유전율 이방성의 경우) 배열되어 광을 누설시켜 소정의 화상을 구현하는 것이다.Then, the liquid crystal molecules in the liquid crystal layer are arranged parallel to the electric field (in the case of positive dielectric anisotropy) or perpendicularly (in the case of negative dielectric anisotropy) according to the dielectric anisotropy to leak light to implement a predetermined image.

그러나, 종래의 액정 표시 장치는 다음과 같은 문제점이 있다.However, the conventional liquid crystal display has the following problems.

종래의 액정 표시 장치에 있어서는 전단 게이트 라인에 동작 전압(Von) 펄스가 인가될 때는 다른 게이트 라인에는 정지 전압(Voff)이 인가된다. 만일, 행의 트랜지스터가 꺼진 상태, 즉 정지 전압(Voff)인 인가된 상태에서 전단 게이트 라인에 동작 전압(Von)이 인가되어 전단 게이트 라인의 전위(Vg)가 -7V에서 +20V로 변동하여 총 27V 상승하게 된다. 그러면, 그 행의 화소전극의 전위도 같이 상승하게 되어 액정용량(Clc) 및 기타 기생용량이 함께 변하여 액정 화면의 첫 번째 행의 밝기가 다른 행에 비하여 밝게 나타나게 되어 화면 품위가 떨어진다는 문제점이 있다.In the conventional liquid crystal display, when the operating voltage Von pulse is applied to the front gate line, the stop voltage Voff is applied to the other gate line. If the transistors in the row are turned off, that is, in a state where the stop voltage Voff is applied, the operating voltage Von is applied to the front gate line so that the potential Vg of the front gate line varies from -7V to + 20V. 27V rise. Then, the potential of the pixel electrodes of the row also increases, and the liquid crystal capacitance Clc and other parasitic capacitances change together, resulting in a brighter display of the first row of the liquid crystal display than other rows, resulting in deterioration of screen quality. .

이에, 본 발명은 종래 기술에 따른 액정 표시 장치의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 액정화면에 있어서 백라이트가 설치된 바로 위의 수개행의 화소의 개구율을 감소시켜 타행의 화소의 그것과의 차이를 줄여 화면품위가 향상된 액정 표시 장치를 제공함에 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the problems of the liquid crystal display according to the prior art, and an object of the present invention is to reduce the aperture ratio of several rows of pixels immediately above the backlight in the liquid crystal display, It is to provide a liquid crystal display device with improved screen quality by reducing the difference therefrom.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 액정 표시 장치는, 게이트 라인 및 데이터 라인이 다수개의 화소행을 형성하도록 매트릭스 형태로 형성된 하부기판과; 블랙매트릭스가 형성된 상부기판과; 상기 하부기판 또는 상부기판 내측면에 형성된 구동전극을 포함하는 액정 표시 장치에 있어서, 상기 하부기판 외측면에는 광원을 구비한 백라이트 장치가 배치되어 있되 상기 광원은 상기 백라이트 장치의 중앙부에 위치하여 확산판을 통해 상기 하부기판에 빛을 조사하며, 상기 백라이트에 최인접하는 수개의 화소행 화소에 해당하는 블랙매트릭스 크기가 타행 화소에 해당하는 블랙매트릭스 크기보다 크거나, 상기 백라이트에 최인접하는 수개의 화소행 화소에 해당하는 구동전극이 불투명 도전체로 형성되어 있거나, 상기 백라이트에 최인접하는 수개의 화소행 화소는 스토리지 커패시턴스가 큰 구동전극 패턴이거나, 또는 이들의 조합으로 구성되어 있는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal display device comprising: a lower substrate formed in a matrix form such that a gate line and a data line form a plurality of pixel rows; An upper substrate having a black matrix formed thereon; In the liquid crystal display device including a driving electrode formed on the inner surface of the lower substrate or the upper substrate, a backlight device having a light source is disposed on the outer surface of the lower substrate, the light source is located in the center of the backlight device diffusion plate Irradiates light to the lower substrate through the black matrix, and the size of the black matrix corresponding to the several pixel row pixels closest to the backlight is larger than the size of the black matrix corresponding to the other pixels, or the several pixel row pixels closest to the backlight. The driving electrode corresponding to the pixel is formed of an opaque conductor, or the several pixel row pixels closest to the backlight are formed of a driving electrode pattern having a large storage capacitance or a combination thereof.

이하, 본 발명에 따른 액정 표시 장치를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a liquid crystal display according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 직하식 백라이트 장치의 단면도이고, 도 2는 본 발명에 따른 직하식 백라이트 장치를 구비한 액정 패널의 사시도이고, 도 3은 본 발명에 따른 블랙매트릭스로 화소의 일부가 가려진 단위화소의 평면도이고, 도 4는 본 발명에 따른 불투명 도전체로 구성된 구동전극 패턴을 구비한 단위화소의 평면도이고, 도 5는 본 발명에 따른 스토리지 온 게이트형 단위화소의 평면도이고, 도 6은 본 발명에 따른 스토리지 온 커먼형 단위화소의 평면도이다. 1 is a cross-sectional view of a direct backlight device, FIG. 2 is a perspective view of a liquid crystal panel having a direct backlight device according to the present invention, and FIG. 3 is a plan view of a unit pixel in which a part of the pixels is covered with a black matrix according to the present invention. 4 is a plan view of a unit pixel having a driving electrode pattern composed of an opaque conductor according to the present invention, FIG. 5 is a plan view of a storage on gate type unit pixel according to the present invention, and FIG. 6 is a storage according to the present invention. A plan view of an on common unit pixel.                     

본 발명에 따른 액정 표시 장치는 백라이트 장치의 광원으로, 예를 들어, 형광램프(냉음극관;COLD CATHODE FLUORESCENT LAMP)를 사용하며, 상기 램프의 설치 위치에 따라 직하식 백라이트 장치와 에지-라이트식 백라이트 장치로 구분된다. 에지-라이트식 백라이트 장치는 형광램프의 빛을 도광판을 통해 액정패널에 입사시키는 구조로 되어 있으나, 본 발명에 따른 직하식 백라이트 장치는, 도 1에 도시된 바와 같이, 광원인 형광램프(5)가 램프 하우징(3) 중앙부에 위치하여 있고, 그 상부에는 하부기판(11)을 통해 빛을 통과시키기 위한 확산판(9)이 배치되어 있으며, 상기 하부기판(11)과 몰드 프레임(1)을 연결하는 러버 커넥터(7)를 포함하여 구성되어 있다.The liquid crystal display device according to the present invention uses, for example, a fluorescent lamp (COLD CATHODE FLUORESCENT LAMP) as a light source of the backlight device, and a direct backlight device and an edge-light backlight according to the installation position of the lamp. It is divided into devices. The edge-light backlight device has a structure in which light from the fluorescent lamp is incident on the liquid crystal panel through the light guide plate. However, the direct-type backlight device according to the present invention, as shown in FIG. Is located at the center of the lamp housing 3, and a diffusion plate 9 for passing light through the lower substrate 11 is disposed on the upper portion of the lamp housing 3, and the lower substrate 11 and the mold frame 1 are disposed. It is comprised including the rubber connector 7 to connect.

상기 직하식 백라이트 장치(13)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 하부기판(11) 외측면, 즉 하면에 배치되어 있는데, 상기 하부기판(11) 내측면, 즉 상면에는 게이트 라인(17)과 데이터 라인(19)이 다수개의 화소행을 형성하도록 매트릭스 형태로 형성되어 있다.As shown in FIG. 2, the direct backlight device 13 is disposed on an outer surface of the lower substrate 11, that is, on a lower surface thereof, and a gate line 17 on an inner surface of the lower substrate 11, that is, on an upper surface thereof. ) And the data line 19 are formed in a matrix form to form a plurality of pixel rows.

한편, 상기 하부기판상에는, 도 2에는 도시되지 않았지만, 블랙매트릭스가 형성된 상부기판이 액정층 개재하에 배치되어 액정 패널을 형성하고 있다. 한편, 상기 하부기판(11) 내측면에는 상대전극과 화소전극으로 이루어진 구동전극(미도시)이 형성되어 있다. 여기서, 상기 상부기판(미도시)에도 구동전극이 형성될 수도 있다.Meanwhile, although not shown in FIG. 2, the upper substrate on which the black matrix is formed is disposed on the lower substrate under the liquid crystal layer to form a liquid crystal panel. Meanwhile, a driving electrode (not shown) including a counter electrode and a pixel electrode is formed on an inner surface of the lower substrate 11. Here, a driving electrode may also be formed on the upper substrate.

본 발명에 따른 액정 표시 장치는, 도 2에 도시된 바와 같이, 백라이트 장치(13)가 상기 하부기판(11) 외측면중 중앙부에 위치하여, 상기 백라이트 장치(13)로부터 나오는 광이 확산판(9)을 경유하여 상기 하부기판(11)에 조사되는 것이다. 여기서, 도면부호 12의 저개구율 영역과 같이 상기 백라이트 장치(13)에 최인접하는 화소행 화소의 개구율을 떨어뜨리기 위하여, 본 발명에서는 이하와 같이 액정 표시 장치를 구성한다.In the liquid crystal display according to the present invention, as shown in FIG. 2, the backlight device 13 is located at the center of the outer surface of the lower substrate 11 so that the light emitted from the backlight device 13 is diffused. It is irradiated to the lower substrate 11 via 9). Here, in order to reduce the aperture ratio of the pixel row pixels closest to the backlight device 13 as in the low-opening area indicated by reference numeral 12, the liquid crystal display device is constructed as follows in the present invention.

본 발명에 따른 백라이트 장치에 최인접하는 수개 화소행 화소의 개구율을 떨어뜨리기 위한 구성은, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 백라이트 장치에 최인접하는 화소행 화소(21)에 해당하는 블랙매트릭스(23) 크기를 타행 화소에 해당하는 블랙매트릭스 크기보다 크게 한 것이다. 여기서, 상기 블랙매트릭스(23)는 상부기판에 형성되는 것이 통상적이나, 본 발명에 있어서는 상기 하부기판(11) 내측면에 형성되어 있을 수도 있다.A configuration for reducing the aperture ratio of several pixel row pixels closest to the backlight device according to the present invention is, as shown in FIG. 3, the black matrix 23 corresponding to the pixel row pixels 21 closest to the backlight device. The size is larger than the size of the black matrix corresponding to the other pixel. Here, the black matrix 23 is typically formed on the upper substrate, but in the present invention, may be formed on the inner surface of the lower substrate 11.

본 발명에 따른 백라이트 장치에 최인접하는 수개 화소행 화소의 개구율을 떨어뜨리기 위한 또 다른 구성은, 도 4에 도시된 바와 같이, 게이트 라인(17)과 데이터 라인(19)에 의해 한정되며 상기 백라이트에 최인접하는 화소행 화소내의 구동전극, 더욱 자세하게는 화소전극(25)의 일정부분(26)이 불투명 도전체로 형성되어 있는 것이다. 상기 화소전극(25)의 일정부분(26)이 불투명 도전체, 바람직하게는 알루미늄(Al), 티민(Ti) 또는 몰리브덴(Mo) 등으로 구성되어 있으면 빛이 투과되는 양이 감소하여 개구율이 감소되는 것이다.Another configuration for lowering the aperture ratio of several pixel row pixels closest to the backlight device according to the present invention is defined by the gate line 17 and the data line 19, as shown in FIG. The driving electrode in the pixel row pixel closest to the pixel, more specifically, the predetermined portion 26 of the pixel electrode 25 is formed of an opaque conductor. When the predetermined portion 26 of the pixel electrode 25 is made of an opaque conductor, preferably aluminum (Al), thymine (Ti), or molybdenum (Mo), the amount of light transmitted is reduced to decrease the aperture ratio. Will be.

본 발명에 따른 백라이트 장치에 최인접하는 수개 화소행 화소의 개구율을 떨어뜨리기 위한 또 다른 구성은, 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 스토리지 커패시턴스가 큰 구동전극 패턴이 형성되어 있는 것이다. Another configuration for reducing the aperture ratio of several pixel row pixels closest to the backlight device according to the present invention is that a driving electrode pattern having a large storage capacitance is formed as shown in FIGS. 5 and 6.                     

스토리지 커패시턴스(STORAGE CAPACITANCE)는 하기와 같이 2가지 패턴에 의해 형성된다.STORAGE CAPACITANCE is formed by two patterns as follows.

본 발명에 따른 스토리지 커패시턴스가 큰 첫 번째 패턴(스토리지 온 게이트;STORAGE ON GATE)은, 도 5에 도시된 바와 같이, 상대적으로 폭이 큰 게이트 라인(17)과 화소전극(25)이 상호 일부 중첩되어 스토리지 커패시턴스가 형성되는 것이다. 상기와 같은 구조에 있어서는, 상기 게이트 라인(17)이 상대적으로 크게 형성되어 개구율을 떨어뜨리는 것이다.In the first pattern (STORAGE ON GATE) having a large storage capacitance according to the present invention, as shown in FIG. 5, the relatively wide gate line 17 and the pixel electrode 25 partially overlap each other. Thus, storage capacitance is formed. In the above structure, the gate line 17 is formed relatively large to lower the aperture ratio.

본 발명에 따른 스토리지 커패시턴스가 큰 두 번째 패턴(스토리지 온 커먼;STORAGE ON COMMON)은, 도 6에 도시된 바와 같이, 단위화소내에 별도로 형성된 공통전극(27)과 화소전극(25)이 일부 중첩되어 형성되는 것이다. 상기와 같은 구조에 있어서는, 상기 공통전극(27)이 단위화소내에 형성되어 있으므로 개구율이 떨어지는 것이다.In the second pattern (STORAGE ON COMMON) having a large storage capacitance according to the present invention, as shown in FIG. 6, the common electrode 27 and the pixel electrode 25 formed separately in the unit pixel are partially overlapped. It is formed. In the above structure, since the common electrode 27 is formed in the unit pixel, the aperture ratio is lowered.

또한, 본 발명에 따른 백라이트 장치에 최인접하는 수개 화소행 화소의 개구율을 떨어뜨리기 위한 또 다른 구성은, 상기 각각의 구성을 조합한 구성일 수도 있다.Further, another configuration for lowering the aperture ratio of several pixel row pixels closest to the backlight device according to the present invention may be a combination of the respective configurations.

한편, 본 발명에 있어서, 상기 백라이트 장치에 최인접하는 수개의 화소행 수는 1 내지 3개인 것이 바람직하며, 또한 상기 백라이트 장치에 최인접하는 수개의 화소행 화소의 개구율은 타행 화소의 개구율의 40 내지 70%정도 되는 것이 바람직하다.Meanwhile, in the present invention, it is preferable that the number of several pixel rows closest to the backlight device is 1 to 3, and the aperture ratio of several pixel row pixels closest to the backlight device is 40 to 70 of the aperture ratio of the other row pixels. It is preferably about%.

본 발명의 원리와 정신에 위배되지 않는 범위에서 여러 실시예는 당해 발명 이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 뿐만 아니라 용이하게 실시할 수 있다. 따라서, 본원에 첨부된 특허청구범위는 이미 상술된 것에 한정되지 않으며, 하기 특허청구범위는 당해 발명에 내재되어 있는 특허성 있는 신규한 모든 사항을 포함하며, 아울러 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해서 균등하게 처리되는 모든 특징을 포함한다.Various embodiments can be easily carried out as well as obvious to those skilled in the art without departing from the spirit and spirit of the present invention. Accordingly, the claims appended hereto are not limited to those already described above, and the following claims are intended to cover all of the novel and patented matters inherent in the invention, and are also common in the art to which the invention pertains. Includes all features that are processed evenly by the knowledgeable.

이상에서 살펴 본 바와 같이, 본 발명에 따른 액정 표시 장치는 다음과 같은 효과가 있다.As described above, the liquid crystal display according to the present invention has the following effects.

본 발명에 있어서는 액정화면중 백라이트 바로 윗면에 위치한 수개 화소의 개구율을 감소시켜 액정화면 전체적으로 화면품위가 향상되는 것이다. In the present invention, the screen quality of the entire LCD screen is improved by reducing the aperture ratio of several pixels located immediately above the backlight of the LCD screen.

또한, 본 발명에 있어서는 빛샘방지 테이프를 사용하지 않아도 되므로 제조비용 절감 및 설계마진을 확보할 수 있는 것이다.In addition, in the present invention, it is not necessary to use the light leakage preventing tape, thereby reducing the manufacturing cost and ensuring the design margin.

Claims (6)

게이트 라인 및 데이터 라인이 다수개의 화소행을 형성하도록 매트릭스 형태로 형성된 하부기판과; 블랙매트릭스가 형성된 상부기판과; 상기 하부기판 또는 상부기판 내측면에 형성된 구동전극을 포함하는 액정 표시 장치에 있어서,A lower substrate formed in a matrix so that the gate line and the data line form a plurality of pixel rows; An upper substrate having a black matrix formed thereon; In the liquid crystal display device including a driving electrode formed on the inner surface of the lower substrate or the upper substrate, 상기 하부기판 외측면에는 광원을 구비한 백라이트 장치가 배치되어 있되 상기 광원은 상기 백라이트 장치의 중앙부에 위치하여 확산판을 통해 상기 하부기판에 빛을 조사하며, 상기 백라이트에 최인접하는 수개의 화소행 화소에 해당하는 블랙매트릭스 크기가 타행 화소에 해당하는 블랙매트릭스 크기보다 크거나, 상기 백라이트에 최인접하는 수개의 화소행 화소에 해당하는 구동전극이 불투명 도전체로 형성되어 있거나, 상기 백라이트에 최인접하는 수개의 화소행 화소는 스토리지 커패시턴스가 큰 구동전극 패턴이거나, 또는 이들의 조합으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.A backlight device having a light source is disposed on an outer surface of the lower substrate, wherein the light source is positioned at the center of the backlight device to irradiate light onto the lower substrate through a diffusion plate, and to close the backlight to several pixel rows. The black matrix corresponding to the pixel is larger than the size of the black matrix corresponding to the other pixel, or the driving electrodes corresponding to the pixel rows of the pixels closest to the backlight are formed of an opaque conductor, or several images adjacent to the backlight. The attenuating pixel is a drive electrode pattern having a large storage capacitance, or a combination thereof. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 불투명 도전체는 알루미늄, 티민, 또는 몰리브덴을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.And the opaque conductor comprises aluminum, thymine, or molybdenum. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 스토리지 커패시턴스가 큰 구동전극 패턴은 화소전극과 게이트 라인이 일부 중첩되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.The driving electrode pattern having the large storage capacitance is formed by partially overlapping pixel electrodes and gate lines. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 스토리지 커패시턴스가 큰 구동전극 패턴은 화소전극과 단위화소내에 별도로 형성된 공통전극으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.And a driving electrode pattern having a large storage capacitance comprises a pixel electrode and a common electrode formed separately in the unit pixel. 제 1항 내지 제 4항의 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 4, 상기 백라이트에 최인접하는 수개의 화소행의 수는 1 내지 3인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.The number of several pixel rows closest to the backlight is 1 to 3, the liquid crystal display device. 제 1항 내지 제 4항의 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 4, 상기 백라이트에 최인접하는 화소행 화소의 개구율은 타행 화소의 개구율의 40 내지 70 %인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.And an aperture ratio of the pixel row pixels closest to the backlight is 40 to 70% of the aperture ratio of the other row pixels.
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