KR100780825B1 - The capacitance type humidity sensor and fabrication method thereof - Google Patents

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Abstract

본 발명은 용량형 습도센서 및 그 제조방법에 관한 것으로, 반도체 공정을 이용하여 용량형 습도센서를 제조하되, 상부전극이 감습용 폴리머층과 하부전극의 대전판을 모두 덮도록 설계하여 습기입자가 상부전극의 입자를 경유하여 이동하도록 구조를 강제 형성시킴으로써 히스테리시스를 감소시키는 특성을 갖도록 유도할 수 있으며, 습도변화에 따라 일정한 용량값 변화를 갖는 균일한 습도센서를 제조할 수 있다.The present invention relates to a capacitive humidity sensor and a method for manufacturing the same, wherein a capacitive humidity sensor is manufactured using a semiconductor process, and the upper electrode is designed to cover both the polymer layer for moisture absorption and the charging plate of the lower electrode so that the moisture particles By forcibly forming the structure to move through the particles of the upper electrode can be induced to have a characteristic of reducing hysteresis, it is possible to manufacture a uniform humidity sensor having a constant capacitance value change in accordance with the humidity change.

용량형, 습도센서, 감습, 폴리머, 유도전하, 히스테리시스 Capacitive Type, Humidity Sensor, Humidity, Polymer, Inductive Charge, Hysteresis

Description

용량형 습도센서 및 그 제조방법 {The capacitance type humidity sensor and fabrication method thereof}The capacitance type humidity sensor and fabrication method

도 1과 도 2는 종래기술에 따른 일반적인 용량형 습도센서의 구조를 보여주는 단면도.1 and 2 is a cross-sectional view showing the structure of a conventional capacitive humidity sensor according to the prior art.

도 3a 내지 도 3c는 각각 본 발명의 용량형 습도센서의 제조방법을 설명하기 위한 각 단계별 공정단면도.Figures 3a to 3c is a cross-sectional view of each step for explaining the manufacturing method of the capacitive humidity sensor of the present invention.

도 4는 본 발명의 일실시형태에 따른 정전용량형 습도센서의 개략사시도.4 is a schematic perspective view of a capacitive humidity sensor according to one embodiment of the present invention;

도 5는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 정전용량형 습도센서의 개략사시도.5 is a schematic perspective view of a capacitive humidity sensor according to another embodiment of the present invention.

※ 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ※※ Explanation of code about main part of drawing ※

20 : 기판 22 : 하부전극20: substrate 22: lower electrode

24 : 감습용 폴리머층 26 : 상부전극24: polymer layer for dampening 26: upper electrode

28a, 28b : 비도전 구조28a, 28b: non-conductive structure

본 발명은 용량형 습도센서(capacitance type humidity sensor) 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히 박막을 반도체 패터닝 기법으로 가공하여 전극 및 감 습용 폴리머층을 동일한 기판에 제조함으로써 히스테리시스(hysteresis)를 감소시키는 구조를 갖는 용량형 습도센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a capacitance type humidity sensor and a method for manufacturing the same. In particular, a thin film is processed by semiconductor patterning to fabricate an electrode and a moisture-sensitive polymer layer on the same substrate, thereby reducing hysteresis. It relates to a capacitive humidity sensor and a method of manufacturing the same.

일반적으로, 용량형 습도센서는 양단의 전극사이에 감습용 폴리머층을 형성시킴으로써 전극 양단에 유도되는 전하량의 변화가 감습용 폴리머층의 감습에 의해 유전율 변화 및 이에 따른 유도전하의 변화에 의존하도록 제조한 것이다. In general, the capacitive humidity sensor is manufactured so that the change in the amount of charge induced on both ends of the electrode depends on the change in dielectric constant and the change in induced charge due to the damping of the polymer layer. It is.

이러한 용량형 습도센서는 양단에 전압을 인가하여 습도에 의해 변화되는 저항의 변화를 이용하여 습도를 측정하는 저항형 습도센서에 비해 제조공정이 상대적으로 복잡하고 제조단가가 비싸지만, 그 특성의 안정성과 신뢰성이 높은 이유로 고가의 측정용에 많이 활용되고 있다.The capacitive humidity sensor has a relatively complicated manufacturing process and a high manufacturing cost compared to a resistive humidity sensor that measures humidity by applying a voltage at both ends, and uses a change in resistance that is changed by humidity. It is widely used for expensive measurement because of its high reliability.

도 1과 도 2는 종래기술에 따른 일반적인 용량형 습도센서의 구조를 보여주는 단면도로서, 기판(10)상에 하부전극(12)과, 감습재료가 되는 감습용 폴리머층(14)과, 상기 하부전극(12)보다 작은 면적을 갖는 상부전극(16)을 차례로 형성시키게 된다. 1 and 2 are cross-sectional views showing a structure of a general capacitance type humidity sensor according to the prior art, a lower electrode 12 on the substrate 10, a moisture-sensitive polymer layer 14 to be a moisture-sensitive material, and the lower portion The upper electrode 16 having an area smaller than that of the electrode 12 is sequentially formed.

기존에는 도 1에 도시된 바와 같이 감습용 폴리머층(14)을 하부전극(12)보다 작게 제조하였으나, 최근에는 도 2에 도시된 바와 같이 제조시 공정안정화를 위하여 하부전극(12)을 완전히 덮도록 감습용 폴리머층(14)을 형성하고 있다.Conventionally, the moisture-sensitive polymer layer 14 is made smaller than the lower electrode 12 as shown in FIG. 1, but recently, as shown in FIG. 2, the lower electrode 12 is completely covered for process stabilization during manufacturing. The moisture-sensitive polymer layer 14 is formed.

상기 용량형 습도센서의 구조에서, 용량값은 상부전극 면적에 의존하게 되는데, 이것은 감습용 폴리머층의 제조 공정, 즉 스크린 프린팅 공정상 두께의 변화를 일정하게 조절하지 못하기 때문이며, 결과적으로 감습용 폴리머층 제어결과에 의한 두께변화는 용량값의 변화 및 히스테리시스 변화에 영향을 주게 된다.In the structure of the capacitive humidity sensor, the capacitance value depends on the area of the upper electrode, because it is not able to constantly adjust the change of thickness in the manufacturing process of the moisture-sensitive polymer layer, that is, the screen printing process. The change in thickness due to the polymer layer control result affects the change in capacitance value and the hysteresis change.

이러한 문제점을 극복하기 위한 한가지 방안으로, 선진업체들은 감습용 폴리머층 두께 조절관리에 중점을 두지 않고, 센서제조가 완료된 이후에 측정한 용량값에 따라 상부전극의 면적중 일부를 레이저로 절단함으로써 목표 용량값을 맞추는 공정을 구사하고 있다. As a way to overcome this problem, developed companies do not focus on controlling the thickness of the moisture-sensitive polymer layer, but instead aim to laser cut some of the area of the upper electrode according to the capacitance value measured after the sensor manufacturing is completed. The process of matching the capacity value is used.

그러나, 상부전극이 하부전극을 덮는 구조를 갖는 습도센서의 경우에(도 2 참조), 상부전극이 하부전극을 가리기 때문에 용량값 조절을 위한 커팅면적을 확인할 수가 없고, 이에 따라 필수적으로 상부전극의 면적은 하부전극보다 작아야만 한다. 다시 말해서, 용량값 조절을 위한 레이저 커팅 기술에도 불구하고, 상부전극이 감싸지 않은 감습용 폴리머층 박막의 측면으로 이동하는 습도입자 및 상부전극과 하부전극의 면적크기 차이에 기인하는 기생용량에 의해 습도센서의 히스테리시스가 쉽게 개선되지 않는 문제점을 가지고 있다. 또한, 이러한 커팅 공정은 고가의 레이저 커팅 장비가 필요하게 될 뿐만 아니라 공정단계의 증가로 인한 제조단가의 상승을 피할 수 없다.However, in the case of the humidity sensor having a structure in which the upper electrode covers the lower electrode (see FIG. 2), since the upper electrode covers the lower electrode, it is not possible to confirm the cutting area for adjusting the capacitance value. The area should be smaller than the bottom electrode. In other words, despite the laser cutting technology for adjusting the capacitance value, the humidity due to the parasitic capacitance due to the difference in the area of the upper electrode and the lower electrode and the humidity particles moving to the side of the film layer for the moisture-sensitive polymer layer is not wrapped The hysteresis of the sensor is not easily improved. In addition, such a cutting process not only requires expensive laser cutting equipment, but also increases the manufacturing cost due to the increase in process steps.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점들을 해결하기 위해 안출된 것으로, 히스테리시스 특성을 감소시키기 위해 하부전극보다 큰 면적을 갖는 감습용 폴리머층을 형성하고, 상부전극이 감습용 폴리머층을 완전히 덮는 면적을 갖되, 하부전극과 도통방지 구조를 갖는 용량형 습도센서 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다. Accordingly, the present invention has been made to solve the above problems, to form a moisture-sensitive polymer layer having a larger area than the lower electrode in order to reduce the hysteresis characteristics, the area where the upper electrode completely covers the moisture-sensitive polymer layer. The present invention provides a capacitive humidity sensor having a lower electrode and an anti-conduction structure, and a method of manufacturing the same.

또한, 본 발명은 절연성 기판 상에 상하부 전극 및 감습용 폴리머층으로 이루어진 각각의 3개 층을 개별 패터닝하여 형성시키는 반도체 공정을 적용시킴으로 써 히스테리시스를 효과적으로 감소시키는 구조를 갖는 습도센서를 기판 상에 집적할 수 있는 용량형 습도센서, 및 그 제조방법을 제공하는데 다른 목적이 있다. In addition, the present invention integrates a humidity sensor having a structure that effectively reduces hysteresis by applying a semiconductor process in which each of the three layers of the upper and lower electrodes and the moisture-sensitive polymer layer is formed on the insulating substrate. Another object is to provide a capacitive humidity sensor, and a method of manufacturing the same.

상술한 기술적 과제를 달성하기 위해서, 본 발명의 용량형 습도센서 제조방법은, 소정의 기판 상에 하부전극을 형성하는 단계; 상기 하부전극을 완전히 덮도록 상기 하부전극 상에 감습용 폴리머층을 형성하는 단계; 및 상기 감습용 폴리머층을 완전히 덮도록 상기 감습용 폴리머층 상에 상부전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 상부전극은 상기 감습용 폴리머층이 형성되지 않은 상기 기판의 평면에 대하여 돌출된 부분을 가지는 것을 특징으로 한다,In order to achieve the above technical problem, the capacitive humidity sensor manufacturing method of the present invention, forming a lower electrode on a predetermined substrate; Forming a moisture-sensitive polymer layer on the lower electrode to completely cover the lower electrode; And forming an upper electrode on the moisture absorbing polymer layer to completely cover the moisture absorbing polymer layer, wherein the upper electrode has a portion protruding with respect to a plane of the substrate on which the moisture absorbing polymer layer is not formed. It is characterized by having

또한, 본 발명의 용량형 습도센서는, 소정의 기판 상에 형성되는 하부전극; 상기 하부전극을 완전히 덮도록 상기 하부전극 상에 형성되는 감습용 폴리머층; 및 상기 감습용 폴리머층을 완전히 덮도록 상기 감습용 폴리머층 상에 형성되는 상부전극을 포함하며, 상기 상부전극은 상기 감습용 폴리머층이 형성되지 않은 상기 기판의 평면에 대하여 돌출된 부분을 가지는 것을 특징으로 한다.In addition, the capacitive humidity sensor of the present invention, the lower electrode formed on a predetermined substrate; A moisture-sensitive polymer layer formed on the lower electrode to completely cover the lower electrode; And an upper electrode formed on the moisture sensitive polymer layer so as to completely cover the moisture sensitive polymer layer, wherein the upper electrode has a portion protruding with respect to the plane of the substrate on which the moisture sensitive polymer layer is not formed. It features.

바람직하게, 상기 상부전극은 상기 하부전극과 도전되지 않는 비도전 구조를 더 포함한다.Preferably, the upper electrode further includes a non-conductive structure that is not conductive with the lower electrode.

상기 비도전 구조는 상기 하부전극 리드상의 상기 감습용 폴리머의 일부를 노출시켜 형성되거나 또는 상기 하부전극의 리드의 일부를 추가로 덮는 상기 감습용 폴리머층의 돌출부에 의해 형성된다.The non-conductive structure is formed by exposing a portion of the moisture-sensitive polymer on the lower electrode lead or by a protrusion of the moisture-sensitive polymer layer further covering a portion of the lead of the lower electrode.

또한, 상기 상부전극은 약 4㎛ 미만의 입자를 갖도록 습기입자의 이동경로를 형성시키는 것을 특징으로 한다.In addition, the upper electrode is characterized in that for forming the movement path of the moisture particles to have a particle of less than about 4㎛.

이하, 도면을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시형태를 보다 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 3a 내지 도 3c는 각각 본 발명의 용량형 습도센서의 제조방법을 설명하기 위한 각 단계별 공정단면도를 도시한다. 본 실시예에서는 반도체 공정에서의 박막 증착법 및 감광액을 이용한 패터닝 기법에 의한 리프트오프(lift-off) 방식을 제시하고 있으나, 이는 일실시예를 도시한 것이며, 예를들어 제조공정 변화로 동일결과를 유도시킬 수 있다.3A to 3C are cross-sectional views of each step for explaining a method of manufacturing the capacitive humidity sensor of the present invention, respectively. In the present embodiment, a lift-off method by a thin film deposition method and a patterning method using a photoresist in a semiconductor process is presented, but this is an example of an embodiment, for example, the same result due to a change in a manufacturing process. Can be induced.

도 3a를 참조하면, 먼저 소정의 기판(20) 상에 하부전극(22)을 형성하게 된다.Referring to FIG. 3A, first, a lower electrode 22 is formed on a predetermined substrate 20.

다음에, 도 3b와 같이, 상기 하부전극(22) 상에 감습용 폴리머층(24)을 형성한다. 이때, 상기 감습용 폴리머층(24)은 상기 하부전극(22)을 완전히 덮은 구조를 가져야 한다.Next, as shown in FIG. 3B, a moisture-sensitive polymer layer 24 is formed on the lower electrode 22. In this case, the moisture-sensitive polymer layer 24 should have a structure completely covering the lower electrode 22.

다음에, 도 3c와 같이, 상기 감습용 폴리머층(24) 상에 상부전극(26)을 형성시킨다. 여기서, 상기 상부전극(26)은 상기 감습용 폴리머층(24)을 모두 덮는 단면구조를 가져야 하며, 특히 상기 감습용 폴리머층(24)이 형성되지 않은 상기 기판의 평면에 대하여 돌출된 부분(26a)을 가진다.Next, as shown in FIG. 3C, the upper electrode 26 is formed on the moisture-sensitive polymer layer 24. Here, the upper electrode 26 should have a cross-sectional structure covering all of the moisture-sensitive polymer layer 24, and in particular, a portion 26a protruding from the plane of the substrate on which the moisture-sensitive polymer layer 24 is not formed. )

도 4는 상기의 제조공정 순서에 의해 형성되는 본 발명의 일실시형태에 따른 정전용량형 습도센서의 개략사시도이고, 도 5는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 정전용량형 습도센서의 개략사시도로서, 절연체의 기판(20), 전하 유도를 위한 대 전판(22a)과, 유도된 전하를 전기로 인출시키기 위한 리드(22b)와, 외부로 전기를 연결하기 위한 패드(22c)로 이루어진 하부전극(22), 감습용 폴리머층(24), 및 상부전극(26)을 포함한다.Figure 4 is a schematic perspective view of a capacitive humidity sensor according to an embodiment of the present invention formed by the above manufacturing process sequence, Figure 5 is a schematic perspective view of a capacitive humidity sensor according to another embodiment of the present invention. The lower electrode includes a substrate 20 of an insulator, an electrode plate 22a for inducing charge, a lead 22b for drawing the induced charge into electricity, and a pad 22c for connecting electricity to the outside. 22), the moisture-sensitive polymer layer 24, and the upper electrode 26.

먼저, 도 4를 참조하면, 상기 감습용 폴리머층(30)은 상기 하부전극(22)의 대전판(22a)을 완전히 덮되, 상기 하부전극(22) 리드(22b)의 일부와 패드(22c)는 덮지 않도록 형성시키는 것이 바람직하다.First, referring to FIG. 4, the moisture-sensitive polymer layer 30 completely covers the charging plate 22a of the lower electrode 22, and a part of the lower electrode 22 lead 22b and the pad 22c. It is preferable to form so that it may not cover.

또한, 상기 상부전극(26)은 상기 감습용 폴리머층(24)을 모두 덮도록 형성하되, 상기 하부전극(22)과 도전되지 않는 비도전 구조(28a)를 더 포함하며, 앞서 언급한 바와 같이 상기 감습용 폴리머층(24)이 형성되지 않은 상기 기판의 평면에 대하여 돌출된 부분(26a)을 가진다. 미설명 부호 26b는 외부로 전기를 연결하기 위한 패드를 나타낸다.In addition, the upper electrode 26 is formed to cover all of the moisture-sensitive polymer layer 24, and further includes a non-conductive structure 28a that is not conductive with the lower electrode 22, as mentioned above It has a portion 26a protruding with respect to the plane of the substrate on which the moisture-sensitive polymer layer 24 is not formed. Reference numeral 26b denotes a pad for connecting electricity to the outside.

상기 비도전 구조(28a)는 상기 하부전극(22) 리드(22b) 상에 위치하는 상기 감습용 폴리머층(20)의 일부를 노출시킴으로써 형성되는데, 예를들면 상기 상부전극(26)의 제조시 소정의 패터닝 공정에 의해 달성될 수 있다. 여기서, 상기 상부전극(26)은 감습용 폴리머층(24)의 일부를 드러내는 구조를 갖되, 하부전극(22)의 대전판(22a)을 드러내지 않도록 형성시키는 것이 바람직하다. 또한, 상기 상부전극(24)은 약 4㎛ 미만의 입자를 갖도록 하여 습기입자의 이동경로를 형성시키는 것이 바람직하다. 예를들면, 이러한 상부전극의 입자 형성방법으로는 스퍼터링 방법이 적합하다.The non-conductive structure 28a is formed by exposing a portion of the moisture-sensitive polymer layer 20 positioned on the lower electrode 22 lead 22b, for example, in manufacturing the upper electrode 26. May be achieved by any patterning process. Here, the upper electrode 26 has a structure exposing a part of the moisture-sensitive polymer layer 24, it is preferably formed so as not to expose the charging plate (22a) of the lower electrode (22). In addition, the upper electrode 24 preferably has a particle size of less than about 4㎛ to form a movement path of the moisture particles. For example, a sputtering method is suitable as a method for forming particles of such an upper electrode.

이러한 상기 비도전 구조(28a)는 하부전극(22)과 상부전극(26)이 도통되지 않도록 하는 구조로서, 도 4c의 확대 사시도와 도 4d의 확대 평면도를 통하여 더욱 상세히 이해가능할 것이다.The non-conductive structure 28a is a structure for preventing the lower electrode 22 and the upper electrode 26 from conducting, and it will be understood in more detail through an enlarged perspective view of FIG. 4C and an enlarged plan view of FIG. 4D.

도 5를 참조하면, 도 4의 정전용량형 습도센서와 비교할 때, 도 4의 비도전 구조(28a)와 유사한 비도전 구조(28b)를 포함한다는 차이를 가진다.Referring to FIG. 5, there is a difference in that it includes a nonconductive structure 28b similar to the nonconductive structure 28a of FIG. 4 when compared to the capacitive humidity sensor of FIG. 4.

도 5에서, 상기 비도전 구조(28b)는 상기 하부전극(22) 리드(22b)의 일부를 추가로 덮는 상기 감습용 폴리머층(24)의 돌출부(24a)에 의해 형성된다. 여기서, 상기 상부전극(26)의 구조는 하부전극(22)의 리드(22b)를 덮는 감습용 폴리머층(24)의 돌출부(24a)보다 짧게 설계하는 것이 바람직하다.In FIG. 5, the non-conductive structure 28b is formed by the protrusion 24a of the moisture-sensitive polymer layer 24 which further covers a part of the lead 22b of the lower electrode 22. In this case, the structure of the upper electrode 26 is preferably shorter than the protrusion 24a of the moisture-sensitive polymer layer 24 covering the lead 22b of the lower electrode 22.

본 발명의 기술사상은 상기 바람직한 실시 예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술사상의 범위에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.Although the technical spirit of the present invention has been described in detail according to the above-described preferred embodiment, it should be noted that the above embodiment is for the purpose of description and not of limitation. In addition, those skilled in the art will understand that various embodiments are possible within the scope of the technical idea of the present invention.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 반도체 공정을 이용하여 용량형 습도센서를 제조하되, 상부전극이 감습용 폴리머층과 하부전극의 대전판을 모두 덮도록 설계하여 습기입자가 상부전극의 입자를 경유하여 이동하도록 구조를 강제 형성시키므로 히스테리시스를 감소시키는 특성을 갖도록 유도할 수 있으며, 습도변화에 따라 일정한 용량값을 갖는 균일한 습도센서를 제조할 수 있다. As described above, according to the present invention, a capacitive humidity sensor is manufactured by using a semiconductor process, but the upper electrode is designed to cover both the polymer layer for moisture absorption and the charging plate of the lower electrode, thereby allowing the moisture particles to absorb the particles of the upper electrode. Since the structure is forcibly formed to move through the gas, it can be induced to have a characteristic of reducing hysteresis, and a uniform humidity sensor having a constant capacitance value can be manufactured according to the humidity change.

또한, 제조공정이 반도체 공정과 동일하여 미리 집적 제조된 구동회로상에 습도센서를 제조한다면 구동회로와 일체화된 용량형 습도센서를 제시할 수 있고, 다른 센서와의 통합접맥도 가능하다는 장점을 제공한다.In addition, if the manufacturing process is the same as the semiconductor process, if the humidity sensor is manufactured on a pre-fabricated drive circuit, the capacitive humidity sensor integrated with the drive circuit can be proposed, and the integrated connection with other sensors can be provided. do.

Claims (10)

소정의 기판 상에 반도체 공정에서의 박막 증착법 및 감광액을 이용한 패터닝 기법으로 하부전극을 형성하는 단계;Forming a lower electrode on a predetermined substrate by a thin film deposition method in a semiconductor process and a patterning method using a photoresist; 박막 증착법 및 감광액을 이용한 패터닝 기법에 의해 상기 하부전극을 완전히 덮도록 상기 하부전극 상에 감습용 폴리머층을 형성하는 단계; 및Forming a polymer layer on the lower electrode so as to completely cover the lower electrode by a thin film deposition method and a patterning method using a photoresist; And 박막 증착법 및 감광액을 이용한 패터닝 기법에 의해 상기 감습용 폴리머층을 완전히 덮도록 상기 감습용 폴리머층 상에 상부전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 상부전극은 상기 감습용 폴리머층이 형성되지 않은 상기 기판의 평면에 대하여 돌출된 부분을 가지는 것을 특징으로 하는 용량형 습도센서 제조방법.And forming an upper electrode on the moisture absorbing polymer layer to completely cover the moisture absorbing polymer layer by a thin film deposition method and a patterning method using a photoresist, wherein the upper electrode does not have the moisture absorbing polymer layer formed thereon. Capacitive humidity sensor manufacturing method characterized in that it has a portion protruding with respect to the plane of the substrate. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 상부전극을 형성하는 단계는 상기 하부전극과 도전되지 않는 비도전 구조를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 용량형 습도센서 제조방법.Forming the upper electrode further comprises the step of forming a non-conductive structure that is not conductive with the lower electrode. 청구항 2에 있어서,The method according to claim 2, 상기 비도전 구조는 상기 하부전극 리드상의 상기 감습용 폴리머의 일부를 노출시켜 형성되는 것을 특징으로 하는 용량형 습도센서 제조방법.The nonconductive structure is a method of manufacturing a capacitive humidity sensor, characterized in that formed by exposing a portion of the moisture-sensitive polymer on the lower electrode lead. 청구항 2에 있어서,The method according to claim 2, 상기 비도전 구조는 상기 하부전극의 리드의 일부를 추가로 덮는 상기 감습 용 폴리머층의 돌출부에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 용량형 습도센서 제조방법.The nonconductive structure is formed by the protrusion of the moisture-sensitive polymer layer further covering a portion of the lead of the lower electrode capacitive humidity sensor manufacturing method. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 상부전극은 4㎛ 미만의 입자를 갖도록 습기입자의 이동경로를 형성시키는 것을 특징으로 하는 용량형 습도센서 제조방법.The upper electrode is a capacitive humidity sensor manufacturing method, characterized in that for forming a movement path of the moisture particles to have a particle less than 4㎛. 소정의 기판 상에 박막 증착법 및 감광액을 이용한 패터닝 기법에 의해 형성되는 하부전극;A lower electrode formed on a predetermined substrate by a thin film deposition method and a patterning method using a photoresist; 박막 증착법 및 감광액을 이용한 패터닝 기법에 의해 상기 하부전극을 완전히 덮도록 상기 하부전극 상에 형성되는 감습용 폴리머층; 및A moisture sensitive polymer layer formed on the lower electrode so as to completely cover the lower electrode by a thin film deposition method and a patterning method using a photoresist; And 박막 증착법 및 감광액을 이용한 패터닝 기법에 의해 상기 감습용 폴리머층을 완전히 덮도록 상기 감습용 폴리머층 상에 형성되는 상부전극을 포함하며, 상기 상부전극은 상기 감습용 폴리머층이 형성되지 않은 상기 기판의 평면에 대하여 돌출된 부분을 가지는 것을 특징으로 하는 용량형 습도센서.And an upper electrode formed on the moisture absorbing polymer layer to completely cover the moisture absorbing polymer layer by a thin film deposition method and a patterning technique using a photoresist, wherein the upper electrode of the substrate is not formed with the moisture absorbing polymer layer. Capacitive humidity sensor, characterized in that it has a portion protruding with respect to the plane. 청구항 6에 있어서,The method according to claim 6, 상기 상부전극은 상기 하부전극과 도전되지 않는 비도전 구조를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 용량형 습도센서.The upper electrode further comprises a non-conductive structure that is not conductive with the lower electrode. 청구항 7에 있어서,The method according to claim 7, 상기 비도전 구조는 상기 하부전극 리드상의 상기 감습용 폴리머의 일부를 노출시켜 형성되는 것을 특징으로 하는 용량형 습도센서.The nonconductive structure is a capacitance type humidity sensor, characterized in that formed by exposing a portion of the moisture-sensitive polymer on the lower electrode lead. 청구항 7에 있어서,The method according to claim 7, 상기 비도전 구조는 상기 하부전극의 리드의 일부를 추가로 덮는 상기 감습용 폴리머층의 돌출부에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 용량형 습도센서.The non-conductive structure is a capacitive humidity sensor, characterized in that formed by the protrusion of the moisture-sensitive polymer layer further covering a portion of the lead of the lower electrode. 청구항 6 또는 청구항 7에 있어서,The method according to claim 6 or 7, 상기 상부전극은 4㎛ 미만의 입자를 갖도록 습기입자의 이동경로를 형성시키는 것을 특징으로 하는 용량형 습도센서.The upper electrode is a capacitive humidity sensor, characterized in that for forming the movement path of the moisture particles to have a particle less than 4㎛.
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KR920704130A (en) * 1989-09-27 1992-12-19 원본미기재 Capacitance Humidity Detector
KR20040024134A (en) * 2002-09-13 2004-03-20 학교법인 한양학원 High-precise capacitive humidity sensor and methodo of manufacturing the same
KR20040092270A (en) * 2003-04-25 2004-11-03 엘지전자 주식회사 Thin film type humidity sensor

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