KR100779841B1 - Apparatus and methode for surface treatment by atmospheric plasma - Google Patents

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Abstract

본 발명은 대기압 저온 평판 플라즈마 표면처리에 관한 것으로, 특히 대기압 상온 플라즈마 건식세정장치에 관한 것으로, DBD(Dielectric Barrier Discharge)기술을 이용하여 고비용의 진공시스템이 없어도 고밀도의 산소원자 라디칼을 이용하여 물질의 표면을 처리하는 장치 및 방법이다. 전형적인 평판 플라즈마 표면처리에서 방전전력이 상승할 때 발생하는 스트리머 혹은 아크현상의 제어를 위하여 접지전극을 파워전극의 맞은편과 처리물질의 하단부에 각각 설치하여 플라즈마 생성을 위한 공간과 표면처리를 위한 공간을 설치한다. 표면처리시에 물질의 표면으로 발생할 수 있는 스트리머를 플라즈마 생성을 위한 공간에서 먼저 발생하게 하여 물질의 표면에는 손상을 입히지 않도록 한다. 방전전력의 공급은 시중에 흔히 공급되어지는 수십∼수백kHz의 주파수를 가지는 MF(Midium Frequency) 파워를 사용하며, 방전유지를 위하여 아르곤을 사용하거나 비용이 저렴한 질소와 표면처리에 활성 산소원자를 이용하기 위한 산소를 사용하여 물질의 표면을 처리한다.

Figure 112004517305964-pat00001

대기압, 플라즈마, MF(Midium Frequency) 전원, 건식세정, DBD(Dielectric Barrier Discharge)

The present invention relates to atmospheric pressure low temperature plate plasma surface treatment, and more particularly to atmospheric pressure plasma dry cleaning device, using a high-density oxygen atom radical without using a high-cost vacuum system using DBD (Dielectric Barrier Discharge) technology Apparatus and method for treating surfaces. In order to control the streamer or arc phenomenon that occurs when the discharge power increases in a typical flat plate plasma surface treatment, a ground electrode is installed on the opposite side of the power electrode and at the bottom of the treatment material, respectively, for space and surface treatment. Install a space. The streamer, which may occur on the surface of the material during the surface treatment, is first generated in the space for plasma generation so as not to damage the surface of the material. The supply of discharge power uses MF (Midium Frequency) power, which has a frequency of several tens to hundreds of kHz, which is commonly supplied in the market, and uses argon for maintaining the discharge or active oxygen atom for inexpensive nitrogen and surface treatment. Oxygen is used to treat the surface of the material.

Figure 112004517305964-pat00001

Atmospheric pressure, Plasma, Medium Frequency (MF) Power, Dry Cleaning, Dielectric Barrier Discharge (DBD)

Description

대기압 플라즈마 발생 장치{Apparatus and methode for surface treatment by atmospheric plasma}Apparatus and methode for surface treatment by atmospheric plasma

다음에 상세히 기술할 설명은 여기 나열하는 도식을 참조하므로 서 본 발명을 더욱 쉽게 이해할 수 있다.The following description will be made in detail with reference to the schemes listed here for better understanding of the present invention.

도 1은 본 발명의 블록 다이어그램,1 is a block diagram of the present invention,

도 2는 본 발명의 구체화한 한 예로 도1의 방전기 개념도,2 is a conceptual diagram of the discharger of FIG. 1 as an embodiment of the present invention;

도 3은 본 발명의 구체화한 한 예로 도1의 방전기 측면도,3 is a side view of the discharger of FIG. 1 as an embodiment of the present invention;

도 4는 본 발명의 한 처리예로서 섬유 필름을 플라즈마 처리하여 염색성이 향상된 예를 나타낸 사진,4 is a photograph showing an example in which dyeability is improved by plasma treatment of a fiber film as an example of treatment of the present invention;

본 발명은 대기압 저온 평판 플라즈마 표면처리에 관한 것으로, 특히 대기압 상온 플라즈마 건식세정장치에 관한 것으로, DBD(Dielectric Barrier Discharge)기술을 이용하여 복잡하고 고비용의 진공시스템이 없어도 고밀도의 산소원자 라디칼을 이용하여 물질의 표면을 처리하는 장치 및 방법이다. 반도체 기판의 오염물질은 크게 유기 오염물, 금속 불순물, 자연산화막 및 파티클로 나눌 수 있으며 이 오염 물질을 제거하기 위해 반도체 세정기술은 발달하여왔다. 반도체 표면 세정은 크게 습식과 건식세정 기술로 나눌 수 있고 습식세정은 반도체 산업이 태동하던 시대부터 꾸준히 연구되어 왔으며, 70년대 W. Kern이 RCA 습식세정법을 발표하면서 그 방법을 기본으로 하여 발전하여 왔다. 이 습식 세정의 기초는 과산화수소(H2O2)를 기초로 하여 오염물질을 산화시키고 OH-기를 이용하여 표면을 약하게 식각시키는 것이 주 내용이다. 건식세정 방법은 습식세정시 발생하는 많은 폐화학액의 문제점이 심각해지고 또한 습식세정으로는 세정이 어려운 분야를 보완하기 위해 80년대부터 연구가 시작되었으며 지금은 환경오염 문제와 관련해 환경친화적인 세정방법 개발이 관심을 끌면서 더욱더 중요한 연구 과제로 인식되어 왔다. 기존의 습식세정에는 환경오염을 유발 시키는 화학 약품을 사용하며, 최근에 기술 개발되고 있는 초고집적 반도체 공정에서 요구되는 나노파티클 제거가 불가능하기 때문에 이러한 습식 세정법의 단점을 보완 할수 있는 기술이 필요하다. 이에 대한 기술로 플라즈마 세정법을 들 수 있으며, 특히 진공장비를 사용하지 않는 대기압 상온 플라즈마에 의한 표면처리, 건식세정에 많은 연구들이 시행되어 왔다. 플라즈마 표면처리에 의한 건식세정은 DBD(Dielectric Barrier Discharge) 방법으로 1992-0002680, 1997-0074970 등에 의해서 이미 제안되어진 기술이지만 평행판의 전극사이에서만이 플라즈마 처리가 가능하여 처리물의 크기와 발생할 수 있는 플라즈마 부피가 제한적이다. 2004-0021955, 2002-0085320 에서는 플라즈마 분사형으로 표면을 처리하는 장치를 개발하였지만, 전력의 상승 운전에서 스트리머 현상에 의한 샘플의 극부적인 손상 을 제어할 수는 없다. 2002-0019526 에서는 RF(13.56MHz)전원을 사용하여 표면을 처리하는 장치를 개발하였다. 기본적으로 위의 방법들과 유사한 DBD방식을 사용하였는데, 플라즈마를 발생할 수 있는 영역과 분사 후에 처리영역이 분리되어 스트리머를 제어하는 형태로 개발되었다. 하지만 RF전원에서는 전극에 인가할 수 있는 전압이 낮아서 사용할 수 있는 가스가 아르곤으로 제한되는 단점을 가지게 된다.The present invention relates to atmospheric pressure low temperature plate plasma surface treatment, and in particular to atmospheric pressure plasma dry cleaning apparatus, using high density oxygen atom radicals without the complicated and expensive vacuum system using DBD (Dielectric Barrier Discharge) technology Apparatus and method for treating the surface of a material. Contaminants in semiconductor substrates can be broadly divided into organic contaminants, metal impurities, natural oxide films and particles, and semiconductor cleaning techniques have been developed to remove the contaminants. Semiconductor surface cleaning can be divided into wet and dry cleaning technologies. Wet cleaning has been studied since the dawn of the semiconductor industry. In the 70's, W. Kern developed RCA wet cleaning. . The basis of this wet cleaning is to oxidize contaminants on the basis of hydrogen peroxide (H 2 O 2 ) and to slightly etch the surface using OH − groups. The dry cleaning method has been started since the 1980s to compensate for the problems of many waste chemical liquids that occur during wet cleaning and difficult to clean with wet cleaning, and is now an environmentally friendly cleaning method for environmental pollution. Development has attracted attention and has been recognized as an increasingly important research task. Conventional wet cleaning uses chemicals that cause environmental pollution, and since it is impossible to remove nanoparticles required in the ultra-high-density semiconductor process, which is being recently developed, a technology that can compensate for the disadvantages of the wet cleaning method is required. As a technique for this, a plasma cleaning method may be used. In particular, many studies have been conducted on surface treatment and dry cleaning using an atmospheric pressure plasma without using vacuum equipment. Dry cleaning by plasma surface treatment is a technique already proposed by 1992-0002680, 1997-0074970, etc. as DBD (Dielectric Barrier Discharge) method. The volume is limited. Although 2004-0021955 and 2002-0085320 have developed a surface treatment apparatus using plasma spraying, it is not possible to control the extreme damage of the sample due to the streamer phenomenon in the power operation. In 2002-0019526, a surface treatment device was developed using an RF (13.56 MHz) power supply. Basically, the DBD method similar to the above method was used, but the plasma generating area and the processing area after the injection were separated to control the streamer. However, in the RF power supply, the voltage that can be applied to the electrode is low, so that the usable gas is limited to argon.

본 발명에서는 플라즈마를 발생시키는 영역과 직접적으로 샘플의 표면에 플라즈마가 접촉하는 영역으로 이루어져있어서, 전원이 높게 인가되었을 때 DBD에서 발생할 수 있는 스트리머현상이 발생되면 상대적으로 거리가 작은 곳에서 먼저 발생하여 샘플이 존재하는 영역에서는 글로우 상태를 계속 유지하는 방법으로 스트리머를 제어한다.In the present invention, the plasma generating area and the area directly contacting the plasma surface of the sample, so that the streamer phenomenon that can occur in the DBD when the power is applied high occurs first in a relatively small distance The streamer is controlled by maintaining the glow state in the region where the sample is present.

전원은 수십∼수백kHz의 진동수를 가지는 MF 소스를 선택하여 전극간에 3∼4kVRMS 전압을 인가하므로서 플라즈마를 유지하기위한 가스의 사용을 아르곤의 제한에서 벗어나 질소를 사용할 수 있도록 하여 공정시 상대적으로 값이 비싼 아르곤, 헬륨 대신에 케리어 가스로서 질소를 선택할 수 있도록 한 것이다.The power source selects an MF source with a frequency of several tens to hundreds of kHz and applies 3 to 4 kVRMS voltage between the electrodes, so that the use of gas to maintain the plasma can be free from argon and nitrogen can be used. Instead of expensive argon and helium, it was possible to choose nitrogen as the carrier gas.

플라즈마 처리후에 발생할 수 있는 오존 및 기타 가스들을 제거하기 위한 별도의 배기 시스템을 설치하여 운전하는 방법을 채택하여 작업장의 환경을 개선하는 데에도 기여할 수 있다.Adopting and operating a separate exhaust system to remove ozone and other gases that may occur after plasma treatment can also contribute to improving the workplace environment.

본 발명은 TFT-LCD 표면세정이나 반도체 wafer의 표면 및 PCB 원판이나 여러 공정에서 습식세정을 대치하여 사용할 수 있는 건식세정의 장치 및 방법으로 본 발명의 원리와 작동방법을 도면에 따라 기술한다.The present invention describes the principle and operation method of the present invention by the apparatus and method of dry cleaning that can be used to replace the wet cleaning in the TFT-LCD surface cleaning or the surface of the semiconductor wafer, PCB disc or various processes according to the drawings.

도면을 참조하여 상세히 설명하면, 도1은 본 발명의 블록 다이어그램으로서 방전을 유지하기 위한 아르곤 또는 질소가스와 표면처리에 직접적으로 영향을 미치는 산소가스를 혼합 및 공급을 제어할 수 있는 가스제어부(12)에서 플라즈마 반응기에(14) 가스를 공급하며, 수십∼수백kHz의 진동수를 가지는 MF(Midium Frequency) 전원을 공급하는 전원부(10)로부터 전원을 인가받아서 플라즈마 반응기에서(14) 플라즈마를 발생한다. 이렇게 발생된 플라즈마는 샘플의 표면을 세정처리하며(18) 고주파 방전에 의한 오존의 발생과 사용 후의 가스들은 전극주위의 별도 배기시스템에(16) 의해서 외부로 배출한다. 상기 전극은(20,22,24) 알루미늄합금, 스테인레스 스틸등의 금속으로 제작하고, 특히 파워전극은(20) 텅스텐으로 제작할 수도 있으며, 그 두께와 폭은 사용하고자 하는 용도에 따라 최적의 플라즈마를 발생시킬 수 있도록 설계할 수 있는데, 본 발명에서는 그 폭은 70mm에서 300mm까지 제작할 수 있다. 상기 전극에(20) 인가되는 MF전원은(10) 수십∼수백kHz의 진동수를 가지며, 수kVRMS의 인가전압을 공급할 수 있어야 하며 일반적으로 전극의 간극이(36) 1mm일 때 20kHz, 3∼4kVRMS의 파워를 공급한다.Referring to the drawings in detail, Figure 1 is a block diagram of the present invention is a gas control unit 12 that can control the mixing and supply of argon or nitrogen gas for maintaining the discharge and oxygen gas directly affecting the surface treatment (14) to supply a plasma to the plasma reactor, and receives the power from the power supply unit 10 for supplying MF (Midium Frequency) power having a frequency of several tens to hundreds of kHz generates plasma in the plasma reactor (14). The generated plasma cleans the surface of the sample (18), and ozone generation by the high frequency discharge and the gases after use are discharged to the outside by a separate exhaust system 16 around the electrode. The electrode may be made of metal such as aluminum alloy, stainless steel, or the like, and the power electrode may be made of tungsten, and the thickness and width of the electrode may be optimized depending on the intended use. It can be designed to generate, in the present invention, the width can be manufactured from 70mm to 300mm. The MF power source applied to the electrode 20 has a frequency of several tens to hundreds of kHz, and can supply an applied voltage of several kV RMS , and generally 20 kHz and 3 to 3 mm when the electrode gap is 36 mm. Supply 4kV RMS power.

상기 유전체는(28,30) 파워전극(20)과 마주 보는 접지전극(22) 사이에 한쪽 혹은 양쪽 내벽에 설치하여 아크가 발생하는 것을 방지하며, 재질로는 알루미나(Al2O3), 석영(SiO2), 보론나이트라이드(BN)를 사용하며, 일반적으로 알루 미나를 선호한다. 본 발명에서 공급하는 가스로는 질소, 질소와 미량의 산소, 압축공기 등이 사용되어 질 수 있으며 일반적으로 질소를 케리어 가스로 선택하며, 3％이하 미량의 산소를 반응가스로 공급한다. 아르곤 혹은 헬륨 가스를 케리어 가스로 사용가능하나 MF전원(10)은 수kVRMS 이상의 높은 전압을 인가할 수 있으므로 비활성가스를 사용해야 하는 특수한 용도의 경우를 제외하고는 질소를 케리어 가스로 사용하는 것이 경제적이다.The dielectric is installed between one or both inner walls between the power electrodes 20 and the ground electrodes 22 facing the dielectrics 28 and 30 to prevent the occurrence of arcs. The materials include alumina (Al 2 O 3 ) and quartz. (SiO 2 ), boron nitride (BN) is used, and alumina is generally preferred. As the gas supplied in the present invention, nitrogen, nitrogen and a small amount of oxygen, compressed air, and the like may be used. Generally, nitrogen is selected as a carrier gas, and less than 3% of oxygen is supplied as a reaction gas. Although argon or helium gas can be used as the carrier gas, the MF power supply 10 can apply a high voltage of several kV RMS or higher, so it is economical to use nitrogen as the carrier gas except in the special use where inert gas must be used. to be.

도2는 본 발명의 플라즈마 반응기를(14) 나타내며 전원부(10)로부터 파워전극에(20) MF전원을 인가하고 맞은편에 접지전극(22)을 설치하여 가스제어부로부터(12) 공급받은 가스(32)로부터 플라즈마를(36) 발생하게 된다. 이때 두전극의 표면은 적어도 하나 이상의 유전체를(28,30) 접합시켜서 아크발생을 직접적으로 제어한다. 이러한 형식의 전극구조는 전형적인 유전체장벽방전(DBD)이며 본 장치는 DBD시스템을 기본 모형으로 이루어져있다. MF전원은 전압을 수kV까지 두 전극사이에 인가할 수 있으므로 별도의 점화장치가 없어도 플라즈마를 발생할 수 있다. 평행판 전극의 하단부에는 샘플을(34) 위치할 수 있는 접지 전극이(24) 존재하며 이 위치에서 글로우 플라즈마를(38) 형성하여 샘플의 표면에 플라즈마가(38) 직접 접촉하게 된다. 플라즈마를 발생시키는 영역에서의 전극의 간격보다(36) 샘플과 접촉하는 영역에서의 전극 간격은(38) 상대적으로 커서 전원이 높게 인가되었을 때 DBD에서 발생할 수 있는 스트리머현상이 발생되면 상대적으로 거리가 작은 곳에서(36) 먼저 발생하여 샘플이 존재하는 영역에서는(38) 글로우 상 태를 계속 유지할 수 있다.FIG. 2 shows a plasma reactor 14 of the present invention, which supplies MF power from the power supply unit 10 to the power electrode 20 and installs a ground electrode 22 opposite the gas supplied from the gas control unit 12. The plasma 36 is generated from 32. At this time, the surfaces of the two electrodes are directly bonded to at least one dielectric (28, 30) to control the arc generation. This type of electrode structure is a typical dielectric barrier discharge (DBD) and the device is based on a DBD system. The MF power source can apply a voltage between two electrodes up to several kV, thus generating plasma even without a separate ignition device. At the lower end of the parallel plate electrode there is a ground electrode 24 for positioning the sample 34, in which a glow plasma 38 is formed, which causes the plasma 38 to directly contact the surface of the sample. The electrode spacing in the area in contact with the sample (38) is larger than the spacing of the electrodes in the area generating plasma (38) and is relatively large when a streamer phenomenon that can occur in the DBD occurs when power is applied higher. Is small (36) occurs first and can remain glow in the region where the sample is present (38).

도3은 도2의 개념도를 측면에서 본 것으로 공급되는 가스의 흐름으로 본 발명의 장치와 방법을 구체적으로 이해할 수 있다. 먼저 마주보는 두 전극(20,22)사이에서 플라즈마를(36) 발생시키며 플라즈마 플레임을 하단부로 공급하게 되며, 파워전극과(20) 하단의 접지전극(24) 사이에 위치한 샘플의(34) 표면에 플라즈마를(38) 발생시켜서 표면처리를 할 수 있다. 이미 사용한 가스와 고주파 방전에서 발생할 수 있는 오존은 하단 접지전극(24)의 좌우로 설치하는 배기시스템에(16) 의해서 외부로 배출 할 수 있다.FIG. 3 can specifically understand the apparatus and method of the present invention with the flow of gas supplied from the side view of the conceptual diagram of FIG. 2. First, a plasma 36 is generated between the two electrodes 20 and 22 facing each other, and the plasma flame is supplied to the lower end, and the surface of the sample 34 located between the power electrode and the ground electrode 24 at the bottom of the electrode 20 is provided. The plasma 38 can be generated to perform surface treatment. Ozone, which can be generated from the gas used and the high frequency discharge, can be discharged to the outside by the exhaust system 16 installed to the left and right of the lower ground electrode 24.

가스공급부에는(12) 별도의 히팅시스템을 설치하여 경우에 따라서 가스의 온도를 일정량 증가시켜 MF전원에서(10) 낮은 전압을 전극에 인가하여 플라즈마를 발생시킬 수도 있다. 고온의 가스와 방전전압과의 관계는 이상기체 상태방정식으로부터 다음과 같이 나타낼 수 있으며In the gas supply unit 12, a separate heating system may be installed to increase the temperature of the gas in some cases, thereby generating a plasma by applying a low voltage to the electrode 10 in the MF power supply. The relationship between high temperature gas and discharge voltage can be expressed as follows from the ideal gas state equation.

Figure 112004517305964-pat00002
Figure 112004517305964-pat00002

E는 인가되는 전기장으로 V/cm로 표현되고, Ec는 방전을 위한 임계전기장 으로 교류에서 질소의 경우 22,800VRMS/cm이며, p는 압력으로 1기압에서는 760Torr이다. 또한 Tr과 Tg는 각각 상온에서의 절대온도 및 증가된 가스의 절대온도를 나타낸다. 식1에서 보는 바와 같이 절대온도가 2배 증가할 때 방전 전압이 반으로 감소하는 것을 알 수 있다. "H.S.Uhm, Phys. Plasmas 7(11) (2000) p4748", "H.S.Uhm, Phys. Plasmas 6(2) (1999) p623", "J.G.Kang et al.Surface and Coatings Tech. 171 (2003) p144"E is the applied electric field, expressed in V / cm, E c is the critical electric field for discharge, 22,800 V RMS / cm for nitrogen at alternating current, and p is 760 Torr at 1 atm. In addition, T r and T g represent the absolute temperature at room temperature and the absolute temperature of the increased gas, respectively. As shown in Equation 1, the discharge voltage decreases in half when the absolute temperature increases by two times. "HSUhm, Phys. Plasmas 7 (11) (2000) p4748", "HSUhm, Phys. Plasmas 6 (2) (1999) p623", "JGKang et al. Surface and Coatings Tech. 171 (2003) p144"

반도체 세정 기술 개발은 기본적인 경향인 저온 공정과 화학 용액 사용량을 줄이는 추세에 맞춰 초 청정 기술에 기반을 둔 환경친화적인 공정개발 방향으로 진행될 것이다. 이와 같은 조건을 동시에 만족시키는 방법은 건식세정법으로서 그 중에서도 원거리 플라즈마 세정 방법이 모든 조건을 가장 잘 만족시키는 공정이다. 현재 많은 곳에서 대기압 플라즈마 건식세정을 제안하지만, 스트리머 발생과 공정가스의 비용 상승의 부담 등의 문제가 필연적이다. 본 발명에서는 공정가스의 비용 하락과 스트리머에 의한 샘플손상의 최소화를 제안하며 따라서 본 발명은 현재 많은 관심을 갖고 연구를 시작하려는 분야로서 새로운 가능성을 제시하는 것으로 학계 및 산업계에 큰 영향을 주게 될 것이고 특히 많은 장비 업체에서 관심을 갖게 될 것이다.The development of semiconductor cleaning technology will proceed toward the development of environmentally friendly processes based on ultra clean technology in line with the trend of reducing the low temperature process and chemical solution usage, which are basic trends. The method of simultaneously satisfying such conditions is a dry cleaning method, among which the far plasma cleaning method satisfies all the conditions best. At present, many places propose atmospheric plasma dry cleaning, but problems such as streamer generation and burden of process gas cost increase are inevitable. The present invention proposes to reduce the cost of the process gas and to minimize sample damage caused by the streamer. Therefore, the present invention presents a new possibility as a field to start research with a great interest, which will have a great influence on the academia and industry. It will be of particular interest to many equipment manufacturers.

Claims (9)

MF(Midium Frequency)전원이(10) 인가되는 파워전극과(20) 이와 마주보는 접지전극이(22) 평행판을 이루는 두 전극사이에 가스를(32) 유입하여 전기 방전에 의해 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생부와(36),A plasma is generated by electric discharge by introducing gas (32) between a power electrode to which a MF (Midium Frequency) power source (10) is applied (20) and a ground electrode (22) facing the same (22). A plasma generator 36, 상기 플라즈마 플레임이 토출되는 전극의 하단부에 또 다른 접지전극을(24) 위치하여 샘플의(34) 표면에 플라즈마를(38) 안정적으로 접촉시키고 플라즈마 발생단에서 스트리머 발생시 샘플의 표면 손상을 일으키지 않으며,Another ground electrode 24 is positioned at the lower end of the electrode from which the plasma flame is discharged, thereby stably contacting the plasma 38 with the surface of the sample 34 and does not cause surface damage when the streamer is generated at the plasma generating stage. , 플라즈마 발생공간의 두 전극중(20,22) 적어도 어느 한 전극에는 유전체가(28,30) 도포된 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마 발생장치.At least one of the two electrodes of the plasma generating space (20, 22) Atmospheric pressure plasma generating apparatus characterized in that the dielectric (28, 30) is applied. 삭제delete 제 1항에 있어서, MF전원은(10) 10∼100kHz의 진동수를 가지며, 1∼10kVrms의 전압을 파워전극에(20) 공급할 수 있는 장치이고, 플라즈마 발생을 위해서 공급되는 가스는(32) 질소가스 또는 아르곤가스가 주된 가스이며 상기 공급되는 가스에 0.1∼5％정도 부피를 차지하는 산소를 첨가하여 플라즈마를 발생 시키는 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마 발생 장치.The MF power supply according to claim 1, wherein the MF power supply (10) has a frequency of 10 to 100 kHz and is capable of supplying a voltage of 1 to 10 kV rms to the power electrode (20), and the gas supplied for plasma generation (32). Nitrogen gas or argon gas is the main gas and atmospheric pressure plasma generating apparatus characterized in that the plasma is generated by adding oxygen occupying a volume of about 0.1 to 5% to the supplied gas. 삭제delete 제 1항에 있어서 플라즈마 반응기로 가스가 들어가기 전에 가스를 100∼200℃의 예열을 하여 다소 낮은 공급전압에서도 플라즈마 발생을 용이하게 하는 장치와 하단의 접지전극(24) 외부에 강제적으로 가스를 흡입하여 고주파 방전에서 발생할 수 있는 오존 및 기타 가스들을 외부로 배출할 수 있는 장치를 부착되는 것을 특징으로하는 대기압 플라즈마 발생장치.According to claim 1, the gas is preheated to 100 ~ 200 ℃ before the gas enters the plasma reactor to facilitate the generation of plasma even at a somewhat low supply voltage and forced to suck the gas outside the lower ground electrode 24 Atmospheric pressure plasma generator characterized in that the device for attaching the ozone and other gases that can be generated from high frequency discharge to the outside. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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