KR100777222B1 - Apparatus for controlling the power of the wafer burn-in system - Google Patents
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Abstract
Description
도 1은 종래의 웨이퍼 번인 시스템을 위한 전원 공급 장치의 기능 블록도를 도시하고 있다.1 shows a functional block diagram of a power supply for a conventional wafer burn-in system.
도 2는 본 발명에 따른 웨이퍼 번인 시스템을 위한 전원 제어 장치의 기능 블록도를 도시하고 있다.Figure 2 shows a functional block diagram of a power supply control apparatus for a wafer burn-in system according to the present invention.
도 3은 본 발명에 따른 전원 제어부를 보다 구체적으로 도시하고 있는 기능 블록도이다.3 is a functional block diagram showing in more detail the power control unit according to the present invention.
도 4는 보상부가 교류 전원 제어부에 통합되어 있는 교류 전원 제어부의 회로도의 일 예를 도시하고 있다.4 illustrates an example of a circuit diagram of an AC power control unit in which a compensator is integrated in an AC power control unit.
본 발명은 웨이퍼 번인(Wafer Burn-in) 시스템에 관한 것으로, 보다 구체적으로 웨이퍼 번인 시스템에 공급되는 전원이 순간 정전시 웨이퍼 번인 시스템의 전원을 제어하는 웨이퍼 번인 시스템의 전원 제어 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
일반적으로 웨이퍼 번인 검사는 반도체 집적회로의 공정이 완료된 후 패키징 상태에서 이루어지는 PBI(Package Burn-in)와 웨이퍼 상태에서 이루어지는 WBI(Wafer Burn-in)으로 나누어진다. 전통적으로 PBI의 방법이 사용되어 왔으나 PBI를 위해서는 긴 시간이 소요되고 집적회로의 입/출력 수가 증가하는 최근의 경향에 따라 번인 보드에 있어서 소켓의 밀도가 감소하여 번인을 위한 비용이 증가하는 문제점이 있어 WBI 방법이 최근 많이 사용되고 있다. 상기 웨이퍼 번인 공정은 반도체 소자를 웨이퍼 상태에서 최종 소비자에게 공급하기 이전에 제품이 사용될 조건보다 더 악화된 고온(약 125℃)의 환경에서 통상의 사용 전압(0.5V)보다 높은 전압을 인가하여 칩의 이상 유무를 판별하는 테스트 공정으로서, 주로 반도체 제조 후 공정에서 수행된다. 그리고 이러한 웨이퍼 번인 공정을 수행함으로써 반도체 소자에 대한 신뢰성과 생산성을 조기에 확보할 수 있다.In general, wafer burn-in inspection is divided into package burn-in (PBI) in a packaged state and wafer burn-in (WBI) in a wafer state after processing of a semiconductor integrated circuit is completed. Traditionally, the PBI method has been used, but the PBI has a long time and the recent trend of increasing the number of inputs / outputs of integrated circuits causes the burn-in board to decrease the density of the socket and increase the cost for burn-in. The WBI method has been used a lot lately. The wafer burn-in process is performed by applying a voltage higher than the normal use voltage (0.5V) in an environment of high temperature (about 125 ° C.) that is worse than the conditions under which the product will be used before supplying the semiconductor device to the end consumer in a wafer state. As a test process for determining the abnormality of, it is mainly performed in the semiconductor manufacturing process. In addition, by performing the wafer burn-in process, reliability and productivity of the semiconductor device can be secured at an early stage.
이와 관련하여 종래의 일반적인 웨이퍼 번인 시스템에 대한 전반적인 구성은 컴퓨터, 웨이퍼 로딩 장치, 성능 측정 보드 및 메인 테스트 장치를 포함하여 구성되며, 이러한 각각의 장치는 통상적으로 독립적인 개별 장치로 구성된다. 즉, 웨이퍼 로딩장치, 성능 측정 보드, 메인 테스트 장치는 각각 독립적인 개별 장치로 구성되며, 소정의 접속 방식에 의해 상호 연결되어 웨이퍼 번인 공적을 수행하게 된다. In this regard, the overall configuration of a conventional wafer burn-in system in the prior art includes a computer, a wafer loading device, a performance measurement board, and a main test device, each of which is typically composed of independent individual devices. That is, the wafer loading apparatus, the performance measurement board, and the main test apparatus are each composed of independent individual apparatuses, and are interconnected by a predetermined connection method to perform wafer burn-in achievements.
각 구성수단의 기능에 대해 설명하면 먼저 컴퓨터는 통상의 개인용 컴퓨터나 워크스테이션으로 구성되어 사용자의 조작에 의해 웨이퍼 번인 공정에 대한 실행 조건 및 명령을 입력하여 후술하는 메인 테스트 장치에 제공함으로써 웨이퍼 번인 공정을 실행 제어하며, 그에 따른 공정의 진행 상태를 감시하기 위한 수단이다. 웨이퍼 로딩 장치는 테스트를 진행할 웨이퍼를 후술하는 성능측정 보드로 이송하여 로딩 및 정렬하는 기능과 테스트가 완료된 웨이퍼를 언로딩하는 기능을 수행한다. 성능 측정 보드는 웨이퍼 로딩장치에 의해 로딩된 웨이퍼를 테스트하는 수단으로써, 번인 테스트를 수행하기 위해 필요한 다수의 측정 디바이스와 웨이퍼를 접속시키기 위한 다수의 핀 그리고 테스트 진행 상태를 표시하기 위한 표시수단 등을 포함하여 구성되며, 후술하는 메인 테스트 장치로부터 제공되는 제어신호에 의거하여 번인 공정에 따른 소정의 전압과 각종 테스트 신호 등을 다수의 핀을 통해 웨이퍼에 제공한다. 그리고 이에 대항하여 웨이퍼로부터 출력되는 신호를 메인 테스트 장치로 전송한다.The function of each constituent means will be described. First, the computer is composed of a general personal computer or a workstation, and the wafer burn-in process is performed by inputting execution conditions and instructions for the wafer burn-in process by a user's operation to the main test apparatus described later. It is a means for controlling the execution and monitoring the progress of the process accordingly. The wafer loading apparatus transfers and loads and aligns the wafer to be tested to a performance measurement board, which will be described later, and unloads the tested wafer. The performance measuring board is a means for testing a wafer loaded by a wafer loading apparatus, and includes a plurality of measuring devices necessary for performing burn-in test, a plurality of pins for connecting the wafer, and a display means for displaying the test progress. And a predetermined voltage and various test signals according to the burn-in process are provided to the wafer through a plurality of pins based on a control signal provided from a main test apparatus described later. In response thereto, a signal output from the wafer is transmitted to the main test apparatus.
메인 테스트 장치는 상술한 컴퓨터를 통해 입력되는 실행 명령에 의거하여 웨이퍼 번인 공정에 따른 전반적인 테스트 과정을 수행 및 제어하는 메인 구성 수단으로서, 상술한 성능 측정 보드와 연결되어 테스트를 수행하기 위한 소정의 전압 및 각종 테스트 신호를 발생하여 성능측정 보드로 제공한다. 그리고 다시 성능측정 보드로부터 제공되는 출력 신호를 조합하여 그에 상응하는 테스트 결과 신호를 경보 발생 장치로 제공하거나 자체 모니터 또는 컴퓨터로 전송한다. 따라서 메인 테스트 장치는 웨이퍼 번인 테스트를 실행하기 위한 각종 구성수단을 포함하여 구성되는데, 예를 들면 복수개의 타이밍 클록 발생 수단과 테스트 파형 발생 수단 및 실행을 위한 제어 명령을 저장하는 메모리 수단, 파형 모니터링 수단, 구동 드라이버 및 DC 파라미터 측정 수단 및 이러한 각각의 구성 수단의 동작 및 검출 신호 분석을 위한 CPU와 전반적인 공정 상태를 디스플레이하기 위한 디스플레이 수단을 포 함하여 구성된다.The main test apparatus is a main constituent means for performing and controlling the overall test process according to the wafer burn-in process based on the execution command inputted through the above-described computer. The main test apparatus is connected to the above-described performance measurement board and has a predetermined voltage for performing the test. And various test signals are generated and provided to the performance measurement board. The output signal from the performance measurement board is then combined to provide a corresponding test result signal to the alarm generator or transmitted to its own monitor or computer. Therefore, the main test apparatus includes various configuration means for executing a wafer burn-in test, for example, a plurality of timing clock generation means, a test waveform generation means and memory means for storing control commands for execution, and waveform monitoring means. Drive means and DC parameter measuring means, and a CPU for displaying the operation and detection signals of each of these constituent means and a display means for displaying the overall process status.
도 1은 종래의 웨이퍼 번인 시스템에 대한 전원 공급 장치의 기능 블록도를 도시하고 있다.1 shows a functional block diagram of a power supply for a conventional wafer burn-in system.
도 1을 참고로, 종래의 웨이퍼 번인 시스템의 전원 공급 장치는 교류 전원( 예를 들어, AC 208V, 3상, 3선 전원)을 입력받아 웨이퍼 번인 시스템의 각 모듈에 필요한 전원을 공급하는 교류전원 제어부(1), 교류전원 제어부(1)로부터 입력된 교류전원을 직류전원으로 변환하는 정류부(3), 정류부(3)에서 정류된 직류전원을 각 테스트 보드의 정격전원으로 변환하여 공급하는 전원 공급부(5), 정류부(3) 또는 전원 공급부(5)의 이상 동작 상태를 모니터링하여 정류부(3) 또는 전원 공급부(5)로 입력되는 전원을 제어하는 전원 제어부(7) 및 전원 제어부(7)의 제어에 의해 상기 교류 전원 제어부(1)를 통해 입력되는 교류 전원을 차단 제어하는 차단부(9)를 포함하고 있다.Referring to FIG. 1, a power supply apparatus of a conventional wafer burn-in system receives an AC power supply (for example, an AC 208V, three-phase, three-wire power supply) to supply an AC power supply to each module of the wafer burn-in system. Rectifier 3 for converting AC power input from
상기 교류 전원 제어부(1)는 내부에 누전 차단기, 자기 접촉기(magnetic contactor)를 포함하고 있으며, 입력된 교류 전원은 누전 차단기, 자기 접촉기를 통과하여 정류부(3)로 제공된다. 한편, 자기 접촉기의 교류 전원은 교류-직류 변환기(A/D converter)와 변환기(transformer)를 각각 통과하여 차단부(9)로 제공된다. The AC
상기 설명한 종래의 웨이퍼 번인 시스템의 전원 공급 장치에서 자기 접촉기의 코일에 전원이 인가되면 자기 접촉기의 접점은 온(on)되면서 교류 전원이 웨이 퍼 번인 시스템으로 인가된다. 그러나 순간 정전이 발생하는 경우, 외부에서 인가되는 교류 전원이 차단되면서 웨이퍼 번인 시스템으로 인가되는 교류 전원도 차단된다. When power is applied to the coil of the magnetic contactor in the power supply of the conventional wafer burn-in system described above, the contact of the magnetic contactor is turned on and the AC power is applied to the wafer burn-in system. However, when a momentary power failure occurs, the AC power applied from the outside is cut off and the AC power applied to the wafer burn-in system is also cut off.
순간 정전으로 인해 웨이퍼 번인 시스템으로 인가되는 교류 전원이 순간적으로 차단되는 경우, 전원 공급부(5)는 정상적이지 않은 상태에서 오프(off)되며 이로 인해 웨이퍼 번인 시스템에 여러 가지 문제점을 야기한다. 또한, 사용자는 웨이퍼 번인 시스템의 전원을 다시 온(on)시키고 장비의 이상 유무를 파악하기 위해 전원 공급부(5), 전원 제어부(7), 각 테스트 보드 등과 같은 웨이퍼 번인 시스템의 각 모듈을 일일이 검사하여야 하는 불편함이 있다. When the AC power applied to the wafer burn-in system is momentarily cut off due to the instantaneous power failure, the
따라서 본 발명이 이루고자 하는 목적은 웨이퍼 번인 시스템에 인가되는 교류 전원이 순간 정전으로 인해 순간적으로 차단되는 경우 일정 시간 웨이퍼 번인 시스템에 제공되는 전원을 보상하여 순간 정전으로부터 웨이퍼 번인 시스템의 보호하기 위한 웨이퍼 번인 시스템의 전원 제어 장치를 제공하는 것이다.Therefore, an object of the present invention is to provide a wafer burn-in to protect the wafer burn-in system from the instantaneous power failure by compensating the power provided to the wafer burn-in system for a certain time when the AC power applied to the wafer burn-in system is momentarily interrupted due to the instantaneous power failure It is to provide a power control device of the system.
상기 본 발명에 따른 웨이퍼 번인 시스템의 전원 제어 장치는 순간 정전 발생시 정류부, 전원 공급부, 전원 제어부 및 차단부의 전원을 보상하는 보상부를 포함하며, 전원 제어부는 순간 정전의 발생시 보상부의 전원을 이용하여 순간 정전 상태를 계속하여 모니터링하고 순간 정전의 지속 시간에 기초하여 전원 공급부의 동작 상태를 제어한다.The power control apparatus of the wafer burn-in system according to the present invention includes a compensator for compensating the power of the rectifier, the power supply, the power controller, and the shut-off unit when a momentary power failure occurs, and the power controller uses the power supply of the compensator when the momentary power failure occurs. The condition is continuously monitored and the operating state of the power supply is controlled based on the duration of the momentary power failure.
바람직하게, 본 발명에 따른 전원 제어부는 순간 정전의 발생시 순간 정전 상태를 모니터링하는 모니터링부, 모니터링부를 통해 모니터링된 순간 정전의 지속 시간을 카운트하는 카운트부 및 카운트된 순간 정전의 지속 시간에 기초하여 상기 전원 공급부의 동작 상태를 제어하는 동작 상태 제어부를 포함한다.Preferably, the power control unit according to the present invention is based on the monitoring unit for monitoring the instantaneous power failure state when the momentary power failure occurs, the counting unit for counting the duration of the instantaneous power failure monitored by the monitoring unit and the counted duration of the instantaneous power failure An operation state control unit controls an operation state of the power supply unit.
이하 첨부된 도면을 참고로 본 발명에 따른 웨이퍼 번인 시스템의 전원 제어 장치에 대해 보다 구체적으로 설명한다.Hereinafter, a power control apparatus of the wafer burn-in system according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 발명에 따른 웨이퍼 번인 시스템을 위한 전원 제어 장치의 기능 블록도를 도시하고 있다.Figure 2 shows a functional block diagram of a power supply control apparatus for a wafer burn-in system according to the present invention.
도 2를 참고로, 본 발명에 따른 웨이퍼 번인 시스템의 전원 제어 장치는 교류 전원 제어부(10), 정류부(11), 전원 공급부(12), 차단부(13), 전원 제어부(14) 및 보상부(15)를 포함하고 있다.Referring to FIG. 2, the power control apparatus of the wafer burn-in system according to the present invention includes an AC
순간 정전이 발생하지 않고 정상적으로 교류 전원이 웨이퍼 번인 시스템에 인가되는 경우, 교류전원 제어부(10)는 자기 접촉기의 코일에 교류 전원(예를 들어, AC 208V, 3상, 3선 전원)이 인가되어 자기 접촉기의 접점이 온되면 웨이퍼 번인 시스템의 각 모듈에 필요한 전원을 공급한다. 정류부(11)는 교류전원 제어부(10)로부터 입력된 교류전원을 직류전원으로 변환하고 전원 공급부(12)는 정류부(11)에서 정류된 직류전원을 각 테스트 보드의 정격전원으로 변환한다.When no instantaneous power failure occurs and the AC power is normally applied to the wafer burn-in system, the AC
웨이퍼 번인 시스템에 정상적인 전원이 인가되는 도중 순간 정전이 발생하는 경우, 보상부(15)는 자기 접촉기의 코일에 인가되는 전원을 보상하여 코일의 전원을 일정 시간 동안 지속시켜주며, 차단부(13)와 메인 컴퓨터(미도시)로 구동 전원을 보상한다. 보상부(15)는 정류부(11)와 전원 공급부(12)로 인가되는 전원을 보 상하는 제1 보상부, 차단부(13)의 구동 전원을 보상하는 제2 보상부 및 웨이퍼 번인 시스템의 웨이퍼 번인 공정을 실행 제어하는 메인 컴퓨터의 구동 전원을 보상하는 제3 보상부를 포함한다. 본 발명이 적용되는 분야에 따라 보상부(15)는 교류 전원 제어부(10)에 통합되어 하나의 모듈로 제작될 수 있으며 이는 본 발명의 범위에 속한다. When a momentary power failure occurs while the normal power is applied to the wafer burn-in system, the
전원 제어부(14)는 보상부(15)의 보상 전원을 이용하여 순간 정전 상태를 계속하여 모니터링하며 순간 정전의 지속 시간에 기초하여 전원 공급부(12)의 동작 상태를 제어하기 위한 신호를 생성한다.The
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 전원 제어부(14)를 보다 구체적으로 도시하고 있는 기능 블록도이다.3 is a functional block diagram illustrating in more detail the
도 3을 참고로, 모니터링부(21)는 교류 전원 제어부(10)로 인가되는 전원을 모니터링하고 모니터링되는 인가 전원의 크기에 기초하여 순간 정전이 발생하였는지 판단한다. 순간 정전이 발생하는 경우, 카운트부(23)는 순간 정전의 지속 시간을 카운트한다. 동작 상태 제어부(25)는 카운트된 순간 정전의 지속 시간에 기초하여 전원 공급부(12)의 동작 상태를 제어한다. Referring to FIG. 3, the
동작 상태 제어부(25)는 제1 임계 시간 내에서 순간 정전이 발생하는 경우, 전원 공급부(12)가 오프되지 않고 계속하여 온 상태를 유지시킨다. 또한, 동작 상태 제어부(25)는 제2 임계 시간 내에서 순간 정전이 발생하는 경우 전원 공급부(12)의 전원을 오프시키며 제 3 임계 시간이 경과 후 자동으로 전원 공급부(12)의 전원을 온시키기 위한 제어 신호를 생성한다. 차단부(13)는 동작 상태 제어 부(25)의 제어 신호에 응답하여 전원 공급부(12)의 전원을 오프시키며 제3 임계 시간이 경과 후 전원 공급부(12)의 전원을 자동으로 온시킨다. The
바람직하게, 동작 상태 제어부(25)는 상기 제2 임계 시간 내에서 순간 정전이 발생하는 경우 이를 알리기 위한 알림 신호를 생성하며, 생성된 알림 신호에 응답하여 웨이퍼 번인 시스템에 장착된 LED 또는 스피커는 LED를 온시키거나 알림 소리를 출력하여 순간 정전의 발생을 사용자에게 알려준다.Preferably, the
동작 상태 제어부(25)의 다른 실시 예로 동작 상태 제어부(25)는 제1 임계 시간 이상의 순간 정전이 발생하는 동안 전원 공급부(12)의 동작 상태에 이상이 감지되는 경우, 전원 공급부(12)의 동작 상태를 바로 오프 제어하며 제3 임계 시간 경과 후 자동으로 전원 공급부(12)의 동작 상태를 온 제어한다.In another embodiment of the
한편, 제 4 임계 시간 경과 후, 동작 상태 제어부(25)는 웨이퍼 번인 시스템의 동작 상태를 자가 진단시키기 위한 자가 진단 신호를 생성하여 메인 컴퓨터로 송신하며, 메인 컴퓨터는 자가 진단 신호에 응답하여 웨이퍼 번인 시스템의 동작 상태를 자가 진단한다.On the other hand, after the fourth threshold time, the operation
바람직하게, 제1 임계 시간, 제2 임계 시간, 제3 임계 시간 및 제4 임계 시간은 각각 100ms, 1000ms, 10000ms 및 30000ms인 것을 특징으로 한다.Preferably, the first threshold time, the second threshold time, the third threshold time, and the fourth threshold time are 100 ms, 1000 ms, 10000 ms, and 30000 ms, respectively.
도 4는 보상부가 교류 전원 제어부에 통합되어 있는 교류 전원 제어부의 회로도에 대한 일 예를 도시하고 있다.4 illustrates an example of a circuit diagram of an AC power control unit in which a compensator is integrated in an AC power control unit.
도 4를 참고로, 누전차단기(ELCB1) 출력단은 터미널 블록(TB108)에 의하여 3상 전원이 노이즈필터(LF1)에 연결되고 퓨즈(F1/F2)와 제1 보상부(Non-trip)가 순 차적으로 연결되어 있으며 터미널블록(TB105)을 통하여 스위치(SW1, SW2)에 연결되어 있다. 스위치(SW1, SW2) 접점은 병렬로 자기 접촉기(MC1)의 코일에 연결되며 자기 접촉기(MC1) 코일의 일 측에는 터미널블록(TB108)의 출력단이 연결되어 있으며 타측에는 터미널블록(TB107)과 터미널블록(TB101)이 연결되어 정류부와 전원 제어부의 전원을 보상한다. Referring to FIG. 4, the three-phase power supply is connected to the noise filter LF1 by the terminal block TB108 and the fuses F1 / F2 and the first compensation unit (Non-trip) are sequentially connected by the terminal block TB108. It is connected to the vehicle and is connected to the switches SW1 and SW2 through the terminal block TB105. Switch (SW1, SW2) contact is connected in parallel to the coil of the magnetic contactor (MC1), the output terminal of the terminal block (TB108) is connected to one side of the magnetic contactor (MC1) coil, the terminal block (TB107) and the terminal block on the other side TB101 is connected to compensate the power of the rectifier and the power controller.
터미널블록(TB107)에 의해 분배된 전원은 배선용 차단기(NFB1), 터미널블록(TB106), 제2 보상부(PSO300V), AC/DC 컨버터(PSO-12V/3A) 및 터미널블록(TB104)에 순차적으로 연결되어 차단부의 구동 전원을 보상한다.The power distributed by the terminal block TB107 is sequentially supplied to the circuit breaker NFB1, the terminal block TB106, the second compensation unit PSO300V, the AC / DC converter PSO-12V / 3A, and the terminal block TB104. Is connected to compensate the driving power of the breaker.
한편, 터미널블록(TB106)에 의해 분배된 전원은 3개의 DSP(Dynamic Sagvoltage Protector)로 구성된 제3 보상부를 거쳐 터미널블록(TB104)에 연결되어 메인 컴퓨터의 구동 전원을 보상한다.On the other hand, the power distributed by the terminal block TB106 is connected to the terminal block TB104 via a third compensation unit including three dynamic sagvoltage protectors (DSPs) to compensate for the driving power of the main computer.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 등록청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.Although the present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, this is merely exemplary, and it will be understood by those skilled in the art that various modifications and equivalent other embodiments are possible. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the technical spirit of the appended claims.
본 발명에 따른 웨이퍼 번인 시스템의 전원 제어 장치는 순간 정전이 발생하는 경우 웨이퍼 번인 시스템의 전원 공급 장치에 전원을 보상해줌으로써, 순간 정전으로 인해 웨이퍼 번인 시스템이 비정상정으로 전원 오프되는 것을 방지해준다.The power control device of the wafer burn-in system according to the present invention compensates power to the power supply of the wafer burn-in system when a momentary power failure occurs, thereby preventing the wafer burn-in system from being abnormally powered off due to the momentary power failure.
또한, 본 발명에 따른 웨이퍼 번인 시스템의 전원 제어 장치는 순간 정전이 발생하는 경우 웨이퍼 번인 시스템의 전원을 정상적으로 오프시키며 일정 시간 경과 후 자동으로 웨이퍼 번인 시스템을 전원 온시킨 후 자가 진단함으로써, 사용자가 일일이 웨이퍼 번인 시스템의 전원을 온시킨 후 웨이퍼 번인 시스템의 동작 이상 유무를 확인하지 않더라도 자동으로 웨이퍼 번인 시스템의 이상 유무를 확인한다.In addition, the power control apparatus of the wafer burn-in system according to the present invention normally turns off the power of the wafer burn-in system when a momentary power failure occurs and automatically turns on the wafer burn-in system after a predetermined time, and then self-diagnoses the user. After turning on the wafer burn-in system, the wafer burn-in system is automatically checked even if the wafer burn-in system is not operated.
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Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060103646A KR100777222B1 (en) | 2006-10-24 | 2006-10-24 | Apparatus for controlling the power of the wafer burn-in system |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060103646A KR100777222B1 (en) | 2006-10-24 | 2006-10-24 | Apparatus for controlling the power of the wafer burn-in system |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR100777222B1 true KR100777222B1 (en) | 2007-11-19 |
Family
ID=39080018
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020060103646A KR100777222B1 (en) | 2006-10-24 | 2006-10-24 | Apparatus for controlling the power of the wafer burn-in system |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR100777222B1 (en) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH06102312A (en) * | 1992-09-17 | 1994-04-15 | Fujitsu Ltd | Burn-in method and device |
KR20040064163A (en) * | 2003-01-09 | 2004-07-16 | 김동앙 | Dynamic voltage-dip controller |
-
2006
- 2006-10-24 KR KR1020060103646A patent/KR100777222B1/en active IP Right Grant
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