KR100776970B1 - A method of ultra water repellent surface formed by a plasma treatment - Google Patents

A method of ultra water repellent surface formed by a plasma treatment Download PDF

Info

Publication number
KR100776970B1
KR100776970B1 KR1020060085329A KR20060085329A KR100776970B1 KR 100776970 B1 KR100776970 B1 KR 100776970B1 KR 1020060085329 A KR1020060085329 A KR 1020060085329A KR 20060085329 A KR20060085329 A KR 20060085329A KR 100776970 B1 KR100776970 B1 KR 100776970B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
plasma
workpiece
electrode
forming
etching
Prior art date
Application number
KR1020060085329A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
나종주
정용수
문성모
이구현
Original Assignee
한국기계연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국기계연구원 filed Critical 한국기계연구원
Priority to KR1020060085329A priority Critical patent/KR100776970B1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100776970B1 publication Critical patent/KR100776970B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065Plasma etching; Reactive-ion etching
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/18Materials not provided for elsewhere for application to surfaces to minimize adherence of ice, mist or water thereto; Thawing or antifreeze materials for application to surfaces

Abstract

A method for forming an ultra water repellent surface by using a plasma treatment is provided to improve productivity and to reduce remarkably a manufacturing cost by adding a hydrophobic property to a treating target. A treating target installation process is performed to install a treating target at an upper side of an electrode which is installed in an inside of a vacuum chamber(S100). A vacuum forming process is performed to compose the inside of the vacuum chamber as vacuum atmosphere(S200). A plasma generation process is performed to generate plasma by supplying power to the electrode(S300). A surface etching process is performed to etch a surface of the treating target by controlling a time for supplying voltage and power to be supplied to the electrode(S400). A hydrophobic member is inserted into the vacuum chamber in order to be coupled with the surface of the treating target by using the plasma(S500).

Description

플라즈마 처리를 통한 초발수 표면 형성방법 {A method of ultra water repellent surface formed by a plasma treatment} A method of ultra water repellent surface formed by a plasma treatment}

도 1 은 본 발명에 의한 플라즈마 처리를 통한 초발수 표면 형성방법에 적용되는 진공 플라즈마 장치의 내부 구성을 보인 개략도.1 is a schematic view showing the internal configuration of a vacuum plasma apparatus applied to the method of forming a super water-repellent surface through the plasma treatment according to the present invention.

도 2 는 본 발명에 의한 플라즈마 처리를 통한 초발수 표면 형성방법에 적용되는 대기압 플라즈마 장치의 내부 구성을 보인 개략도.Figure 2 is a schematic diagram showing the internal configuration of the atmospheric pressure plasma apparatus applied to the method of forming a super water-repellent surface through the plasma treatment according to the present invention.

도 3a 는 본 발명에 의한 플라즈마 처리를 통한 초발수 표면 형성방법에서 진공 분위기에서 실시되는 공정을 보인 흐름도.Figure 3a is a flow chart showing a process performed in a vacuum atmosphere in the method of forming a super water-repellent surface through the plasma treatment according to the present invention.

도 3b 는 본 발명에 의한 플라즈마 처리를 통한 초발수 표면 형성방법에서 대기 분위기에서 실시되는 공정을 보인 흐름도.Figure 3b is a flow chart showing a process carried out in the atmosphere in the super water-repellent surface forming method through the plasma treatment according to the present invention.

도 4 는 본 발명에 의한 플라즈마 처리를 통한 초발수 표면 형성방법에 따라 표면 처리된 테프론의 물에 대한 접촉각을 보인 사진.Figure 4 is a photograph showing the contact angle of the Teflon surface treated with water according to the method of forming a super water-repellent surface through the plasma treatment according to the present invention.

도 5 는 도 4에서 테프론 표면의 거칠기를 보인 사진.FIG. 5 is a photograph showing the roughness of the Teflon surface in FIG. 4. FIG.

도 6 은 본 발명에 의한 플라즈마 처리를 통한 초발수 표면 형성방법에 따라 표면 처리된 아크릴의 물에 대한 접촉각을 보인 사진.Figure 6 is a photograph showing the contact angle of the surface treated acrylic water according to the method of forming a super water-repellent surface through the plasma treatment according to the present invention.

도 7 은 도 6에서 아크릴 표면의 거칠기를 보인 사진.7 is a photograph showing the roughness of the acrylic surface in FIG.

도 8 은 도 6의 아크릴에 1주일간 UV를 조사(照射) 후 물에 대한 접촉각을 보인 사진.FIG. 8 is a photograph showing a contact angle with respect to water after UV irradiation for one week on acrylic of FIG. 6.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

10. 전극 20. 롤러10. Electrode 20. Roller

22. 제1롤러 24. 제2롤러22. First roller 24. Second roller

30. 전원공급장치 40. 안테나30. Power supply 40. Antenna

50. 반응가스유입구 60. 소수성부재유입구50. Reaction gas inlet 60. Hydrophobic member inlet

70. 유전체 C. 진공챔버70. Dielectric C. Vacuum Chamber

S100. 피처리물설치단계 S200. 진공형성단계S100. Workpiece installation step S200. Vacuum forming step

S300. 플라즈마발생단계 S400. 표면에칭단계S300. Plasma generating step S400. Surface etching step

S500. 소수화단계 W . 피처리물S500. Hydrophobicization step. Treated matter

본 발명은 진공 또는 대기압에서 피처리물의 표면에 플라즈마를 발생시켜 거칠게 가공한 후 피처리물의 표면에 소수성부재를 결합시킴으로써 초발수성을 가지도록 하는 플라즈마 처리를 통한 초발수 표면 형성방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of forming a super water-repellent surface through a plasma treatment to generate a plasma on the surface of the workpiece under vacuum or atmospheric pressure, and then roughly process the bonded hydrophobic member to the surface of the workpiece.

발수성은 물과의 친화력이 적은 성질인 소수성(疏水性)과 일맥 상통하는 성질을 일컫는 것으로, 일상 생활에서도 관찰할 수 있다. 즉, 연꽃잎에 물방울이 떨어졌을 때 잎이 젖지 않고 물방울이 굴러 떨어지도록 하는 것은 발수성의 좋은 예가 될 수 있다.Water repellency refers to a property that is in common with hydrophobicity (인 水性), which has a low affinity for water, and can be observed in everyday life. In other words, when the water droplets fall on the lotus leaf, the leaf does not get wet and the water droplets roll off may be a good example of water repellency.

이러한 현상은 연꽃잎 표면에 쌓여 있던 이물질을 물방울과 함께 제거함으로써 자기세정효과를 유발하게 되는데, 과학자들은 이를 유심히 관찰함으로써 연꽃잎의 표면에 수~수십㎛의 돌기가 형성되어 있는 것을 발견했으며, 이 돌기들의 표면에는 수십∼수백㎚ 크기의 돌기가 분포되어 있는 것을 발견하였다. 그리고, 이러한 돌기는 물에 대한 접촉각이 140°이상을 가진다는 것을 밝혀냈다.This phenomenon causes the self-cleaning effect by removing the foreign matter accumulated on the surface of the lotus leaf with water droplets. Scientists have observed this carefully and found that projections of several to several micrometers are formed on the surface of the lotus leaf. On the surface of the projections, it was found that the projections of several tens to hundreds of nm in size were distributed. And, these projections were found to have a contact angle with water of 140 ° or more.

참고로, 공기는 물에 대한 접촉각이 180°이다.For reference, air has a contact angle of 180 ° with respect to water.

그리고 1930년대 들어서는 이러한 자기 세정효과와, 표면에 오염물이 쉽게 흡착되지 않는 특성을 공학적으로 연구하기 시작했으며, 발수성 표면에 대한 연구가 계속되고 있다.In the 1930s, the researchers began to study the self-cleaning effect and the property that contaminants are not easily adsorbed on the surface.

이러한 연구의 일환으로 대한민국 공개특허공보 1996-0033562에는 '실리콘고무의 소수성 코팅방법 및 소수성코팅재'가 개시되어 있다.As part of this research, Korean Patent Publication No. 1996-0033562 discloses a 'hydrophobic coating method and a hydrophobic coating material of silicone rubber'.

이를 간단히 살펴보면, 실리콘고무의 표면을 플라즈마 에칭으로 활성화 개질시켜 친수성으로 수식된 고무 표면을 얻고, 수식된 표면에 프라이머(접착력을 증대시키기 위한 부재) 처리 후 소수성을 갖는 폴리우레탄코팅재를 코팅함으로써 내마모성, 인쇄성 및 논슬립성(anti skid)이 뛰어나고 감촉이 좋은 박막을 갖는 실리콘고무의 표면을 조성하고자 하는 발명이다.Looking briefly, the surface of the silicone rubber is activated and modified by plasma etching to obtain a hydrophilic rubber surface, and the hydrophobic polyurethane coating material is coated on the modified surface by applying a hydrophobic polyurethane coating material after the primer (member for increasing adhesion). The invention is intended to form a surface of a silicone rubber having a thin film that is excellent in printability and anti-slip and has a good feel.

그러나 상기한 바와 같은 구성을 가지는 종래 기술에서는 다음과 같은 문제점이 있다.However, the prior art having the configuration as described above has the following problems.

즉, 플라즈마 에칭을 통한 피처리물 표면의 활성화와, 활성화된 피처리물 표면의 프라이머 처리 및 폴리우레탄코팅재 코팅 등 다양한 공정을 통해 피처리물은 소수성을 갖게 되며, 폴리우레탄코팅재의 코팅 공정에서는 코팅 두께를 일정하게 관리하기 힘든 문제점이 있다.In other words, the workpiece is hydrophobic through various processes such as activation of the surface of the workpiece through plasma etching, primer treatment of the surface of the activated workpiece, and coating of the polyurethane coating material, and coating in the coating process of the polyurethane coating material. There is a problem that is difficult to manage the thickness constant.

또한, 상기한 방법에 적용 가능한 피처리물의 크기가 제한적이므로 대면적을 가지는 피처리물의 소수성 처리에는 부적합하며, 불량율이 증가하게 되는 문제점이 있다.In addition, since the size of the workpiece to be applied to the above method is limited, it is not suitable for hydrophobic treatment of the workpiece having a large area, and there is a problem that the defective rate increases.

뿐만 아니라, 피처리물이 소수성을 가지는 재질로 형성되더라도 반드시 폴리우레탄코팅재를 코팅해야 하므로 제조 원가가 상승하게 되어 가격 경쟁력이 저하되는 문제점이 있다.In addition, even if the workpiece is formed of a material having a hydrophobicity, the polyurethane coating material must be coated, so that manufacturing cost increases, thereby lowering the price competitiveness.

따라서 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 진공 또는 대기압에서 피처리물의 표면에 플라즈마를 발생시켜 거칠게 가공한 후 피처리물의 표면에 소수성부재를 결합시킴으로써 초발수성을 가지도록 하는 플라즈마 처리를 통한 초발수 표면 형성방법을 제공하는 것에 있다.Accordingly, an object of the present invention for solving the above problems is to generate a plasma on the surface of the workpiece under vacuum or atmospheric pressure, and then roughly process the plasma treatment to combine the hydrophobic member on the surface of the workpiece. It is to provide a method of forming a super water-repellent surface through.

본 발명의 다른 목적은, 피처리물의 소수성 또는 친수성에 관계없이 플라즈마를 통해 소수성을 가지도록 함으로써 생산성이 향상되며, 대면적 및 균일한 표면 거칠기를 가지는 피처리물의 형성이 가능하도록 하는 플라즈마 처리를 통한 초발수 표면 형성방법을 제공하는 것에 있다.Another object of the present invention is to improve the productivity by having a hydrophobicity through the plasma irrespective of the hydrophobicity or hydrophilicity of the workpiece, through the plasma treatment to enable the formation of the workpiece having a large area and uniform surface roughness It is to provide a method of forming a super water-repellent surface.

상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 플라즈마 처리를 통한 초발수 표면 형성방법은, 진공챔버 내부에 구비된 전극 상측에 피처리물을 설치하는 피처리물설치단계와; 상기 진공챔버 내부를 진공 분위기로 조성하는 진공형성단계와; 상기 전극에 전원을 공급하여 플라즈마를 발생시키는 플라즈마발생단계와; 상기 전극에 가해지는 전압 및 전원공급시간을 제어하여 상기 피처리물의 표면을 에칭하는 표면에칭단계와; 상기 진공챔버 내부에 소수성부재를 유입시키고, 플라즈마를 이용하여 상기 피처리물의 표면에 상기 소수성부재를 결합시키는 소수화단계; 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.Method for forming a super water-repellent surface through the plasma treatment according to the present invention for achieving the object as described above comprises the steps of installing the workpiece to install the workpiece on the electrode provided inside the vacuum chamber; A vacuum forming step of forming an inside of the vacuum chamber in a vacuum atmosphere; A plasma generation step of generating a plasma by supplying power to the electrode; A surface etching step of etching the surface of the object by controlling the voltage and power supply time applied to the electrode; Introducing a hydrophobic member into the vacuum chamber and coupling the hydrophobic member to the surface of the object by using a plasma; Characterized in that configured to include.

대기 분위기에서 전극에 부착된 유전체 하측에 피처리물을 설치하는 피처리물설치단계와; 상기 전극에 전원을 공급하여 플라즈마를 발생시키는 플라즈마발생단계와; 상기 전극에 가해지는 전압 및 전원공급시간을 제어하여 상기 피처리물의 표면을 에칭하는 표면에칭단계와; 상기 피처리물 하측에 이격 설치된 다른 전극과 상기 피처리물 사이에 소수성부재를 유입시키고, 플라즈마를 이용하여 상기 피처리물의 표면에 상기 소수성부재를 결합시키는 소수화단계;를 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.A to-be-processed object installing step of installing a to-be-processed object under the dielectric attached to the electrode in an air atmosphere; A plasma generation step of generating a plasma by supplying power to the electrode; A surface etching step of etching the surface of the object by controlling the voltage and power supply time applied to the electrode; And a hydrophobic step of introducing a hydrophobic member between the other electrode spaced below the workpiece and the workpiece, and coupling the hydrophobic member to the surface of the workpiece by using a plasma. .

상기 소수성부재는, 불소기, 메틸기 및 염소기 중 적어도 어느 하나를 포함한 가스 또는 분자임을 특징으로 한다.The hydrophobic member is characterized in that the gas or molecule containing at least one of fluorine group, methyl group and chlorine group.

상기 표면에칭단계에서는, 상기 피처리물의 에칭을 활성화하기 위한 반응가스가 선택적으로 부가됨을 특징으로 한다.In the surface etching step, a reaction gas for activating the etching of the workpiece is selectively added.

상기 반응가스는, 산소, 질소, 수분, 아르곤, 헬륨, 탄화불소, 탄화염소 중에서 적어도 어느 하나를 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.The reaction gas is characterized in that it comprises at least any one of oxygen, nitrogen, moisture, argon, helium, fluorine carbide, chlorine carbide.

상기 표면에칭단계는, 롤러에 감긴 상기 피처리물을 다른 롤러에 권취하여 진행시킴으로써 상기 피처리물의 표면을 연속적으로 에칭하는 과정임을 특징으로 한다.The surface etching step may be a process of continuously etching the surface of the object by winding the object to be wound around the roller on another roller.

이와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의하면, 피처리물의 표면 거칠기를 형성하는 데 필요한 공정수가 감소하며, 균일하고 넓은 거칠기 표면을 가지는 피처리물을 제조 가능한 이점이 있다.According to the present invention having such a configuration, the number of processes required to form the surface roughness of the workpiece is reduced, and there is an advantage in that the workpiece can be manufactured having a uniform and wide roughness surface.

이하에서는 본 발명에 적용된 플라즈마 장치의 구성을 첨부된 도 1 및 도 2를 참조하여 상세히 살펴보기로 한다.Hereinafter, a configuration of a plasma apparatus applied to the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 and 2.

도 1에는 본 발명에 의한 플라즈마 처리를 통한 초발수 표면 형성방법에 적용되는 진공 플라즈마 장치의 내부 구성을 보인 개략도가 도시되어 있고, 도 2에는 본 발명에 의한 플라즈마 처리를 통한 초발수 표면 형성방법에 적용되는 대기압 플라즈마 장치의 내부 구성을 보인 개략도가 도시되어 있다.Figure 1 is a schematic diagram showing the internal configuration of the vacuum plasma apparatus applied to the method of forming a super water-repellent surface through the plasma treatment according to the present invention, Figure 2 is a method of forming a super water-repellent surface through the plasma treatment according to the present invention A schematic diagram showing the internal construction of an atmospheric pressure plasma apparatus applied is shown.

이들 도면에 도시된 바와 같이, 본 발명에 의한 플라즈마 처리를 통한 초발수 표면을 형성하기 위해서는 도 1과 같이 진공챔버 내부에서 피처리물의 표면에 플라즈마를 발생시키거나, 대기 분위기에서 피처리물(W)의 표면에 플라즈마를 발생시킴으로써 가능하다.As shown in these figures, in order to form the super water-repellent surface through the plasma treatment according to the present invention, as shown in Figure 1 to generate a plasma on the surface of the workpiece inside the vacuum chamber, or to the workpiece (W) This is possible by generating a plasma on the surface.

상기 피처리물(W)의 표면에 플라즈마를 발생시키기 위한 플라즈마 장치의 구성을 살펴보면, 먼저 상기 피처리물(W)의 주위를 진공 분위기로 만들기 위한 한 쌍의 진공챔버(C)가 요구되며, 상기 한 쌍의 진공챔버(C)는 내부가 서로 연통되도록 설치된다.Looking at the configuration of the plasma apparatus for generating a plasma on the surface of the workpiece (W), first, a pair of vacuum chamber (C) for making the surroundings of the workpiece (W) in a vacuum atmosphere is required, The pair of vacuum chambers C are installed to communicate with each other inside.

그리고, 상기 진공챔버(C) 내부에는 진공챔버(C)로부터 전기적으로 절연되고 선택적으로 전원 인가가 가능한 전극(10)이 각각 설치된다.The vacuum chamber C is provided with electrodes 10 electrically insulated from the vacuum chamber C and capable of selectively applying power.

상기 전극(10)은 진공챔버(C)의 외부에 구비된 전원공급장치(30)로부터 음 (-)의 바이어스[bias]를 인가받아 플라즈마를 발생하는 것으로, 상기 전극(10)의 상측에는 표면을 에칭하고자 하는 피처리물(W)이 위치하게 된다.The electrode 10 generates a plasma by applying a negative bias from the power supply device 30 provided outside the vacuum chamber C. The surface of the electrode 10 has a surface above the electrode 10. The workpiece W to be etched is positioned.

그리고, 상기 피처리물(W)의 표면은 진공챔버(C) 내부에 발생된 플라즈마에 의해 연속적으로 에칭되며 이를 위해 상기 한 쌍의 진공챔버(C) 내부에는 롤러(20)가 구비된다. The surface of the workpiece W is continuously etched by the plasma generated inside the vacuum chamber C. For this purpose, the roller 20 is provided inside the pair of vacuum chambers C.

즉, 상기 롤러(20)는 외주면에 에칭될 피처리물(W)이 권취되어 공급하며 한 쌍의 롤러(20) 중 좌측에 위치한 제1롤러(22)와, 상기 제1롤러(22)에서 공급되어 에칭된 피처리물(W)이 권취되는 제2롤러(24)를 포함하여 구성된다.That is, the roller 20 is the first roller 22 located on the left side of the pair of rollers 20 is wound and supplied to the workpiece (W) to be etched on the outer circumferential surface, and in the first roller 22 It is comprised including the 2nd roller 24 by which the to-be-processed object W which was supplied and etched was wound up.

따라서, 상기 진공챔버(C) 내부에 플라즈마가 발생시에 플라즈마에 포함된 양이온은 상기 제1롤러(22)에서 제2롤러(24)로 유동하는 피처리물(W)의 표면을 에칭하게 되어 상기 피처리물(W)의 연속적인 에칭이 가능하게 된다.Therefore, when plasma is generated in the vacuum chamber C, the cations included in the plasma etch the surface of the workpiece W flowing from the first roller 22 to the second roller 24. Continuous etching of the workpiece W becomes possible.

그리고, 상기 진공챔버(C) 내부에는 플라즈마를 발생시키기 위해 다양한 구성이 선택적으로 구비되어 질 수도 있다. In addition, various configurations may be selectively provided in the vacuum chamber C to generate plasma.

즉, 상기 진공챔버(C) 내부의 플라즈마 밀도를 높이기 위하여 별도의 전극(10)을 더 구비할 수도 있으며, 상기 전극(10)으로부터 이격된 상측에 안테나(40)를 구비하고 상기 안테나(40)를 외부의 전원공급장치(30)와 연결하여 플라즈마를 발생시킬 수도 있을 것이다. 또한, 전자레인지에서 일반적으로 사용되는 마이크로웨이브를 상기 진공챔버(C) 외부에서 가하여 플라즈마를 발생시킬 수도 있을 것이다.That is, a separate electrode 10 may be further provided to increase the plasma density inside the vacuum chamber C. The antenna 40 may be provided above the electrode 10 and the antenna 40 may be spaced apart from the electrode 10. It may be connected to the external power supply device 30 to generate a plasma. In addition, a microwave generally used in a microwave oven may be applied outside the vacuum chamber C to generate plasma.

상기 진공챔버(C)의 상단부에는 진공챔버(C)의 내부가 외부와 연통되도록 중 앙부가 천공되며 선택적으로 차폐 가능한 반응가스유입구(50)가 구비된다. 상기 반응가스유입구(50)는 플라즈마를 이용하여 피처리물(W)의 표면을 에칭시에 에칭효율을 높이기 위한 구성이다.The upper end of the vacuum chamber (C) is provided with a reaction gas inlet (50) that is centrally punctured and selectively shielded so that the interior of the vacuum chamber (C) communicates with the outside. The reaction gas inlet 50 is configured to increase the etching efficiency when etching the surface of the workpiece W using plasma.

즉, 상기 반응가스유입구(50)는 산소, 질소, 물(수분), 아르곤, 헬륨, 수소, 탄화불소 및 이들의 혼합가스로 이루어진 반응가스(미도시)가 상기 진공챔버(C) 내부로 유입되도록 안내하는 역할을 수행한다.That is, the reaction gas inlet 50 is a reaction gas (not shown) made of oxygen, nitrogen, water (moisture), argon, helium, hydrogen, fluorine carbide, and a mixed gas thereof flows into the vacuum chamber (C). The role is to guide.

따라서, 상기 반응가스유입구(50)를 통해서 진공챔버(C) 내부로 반응가스가 유입되면 상기 안테나(40)와 전극(10) 사이에 발생되는 플라즈마는 피처리물(W)의 표면 에칭을 더욱 활성화하게 된다.Therefore, when the reaction gas is introduced into the vacuum chamber C through the reaction gas inlet 50, the plasma generated between the antenna 40 and the electrode 10 further performs surface etching of the workpiece W. Will be activated.

상기 진공챔버(C) 중 우측의 진공챔버(C) 상단부에는 상기 진공챔버(C) 내부가 외부와 연통되도록 형성된 소수성부재유입구(60)가 구비된다. 상기 소수성부재유입구(60)는 상기 피처리물(W)의 표면 에칭시에 주위 분위기가 진공이거나 대기인 것과 관계없이 상기 피처리물(W)의 표면에 결합되는 소수성부재가 유입되도록 안내하는 것으로, 상기 진공챔버(C)의 내부를 외부와 연통시키게 된다. A hydrophobic member inlet 60 is formed at an upper end of the vacuum chamber C on the right side of the vacuum chamber C so that the inside of the vacuum chamber C communicates with the outside. The hydrophobic member inlet 60 guides the hydrophobic member coupled to the surface of the workpiece W to be introduced regardless of whether the ambient atmosphere is a vacuum or an atmosphere when the surface of the workpiece W is etched. The interior of the vacuum chamber (C) is in communication with the outside.

즉, 상기 피처리물(W)의 재료가 소수성일 경우에는 플라즈마에 의한 표면의 에칭만으로 초소수성을 가질 수 있지만(필요에 따라 소수성부재의 코팅 필요), 상기 피처리물(W)의 재료가 친수성일 경우에는 플라즈마 에칭에 의한 돌기 형성만으로는 소수성을 가지도록 성질 변경이 불가능하게 되므로, 소수성을 가지는 소수성부재를 피처리물(W)의 표면에 부착시켜 결합시키게 된다.That is, when the material of the workpiece W is hydrophobic, it may have superhydrophobicity only by etching the surface by plasma (coating of the hydrophobic member, if necessary), but the material of the workpiece W is In the case of hydrophilicity, it is impossible to change the properties so as to have hydrophobicity only by forming the protrusions by plasma etching. Therefore, the hydrophobic member having hydrophobicity is attached to the surface of the workpiece W to be bonded.

상기 소수성부재는 불소기, 메틸기 및 염소기 중 적어도 어느 하나를 포함한 가스 또는 분자로 이루어지며, 상기 소수성부재유입구(60)를 통해 상기 피처리물(W)의 상측에 유입되어지게 된다.The hydrophobic member is composed of a gas or a molecule including at least one of a fluorine group, a methyl group, and a chlorine group, and is introduced to the upper side of the object W through the hydrophobic member inlet 60.

도 2에는 대기 분위기에서 플라즈마를 발생시키는 장치가 개략적으로 도시되어 있는데, 대기 분위기에서 플라즈마를 이용하여 피처리물(W)의 표면을 에칭하기 위해서는 대면하는 한 쌍의 전극(10)이 이격된 상태로 상/하에 위치하며, 상기 전극(10)의 한쪽 면에는 유전체(70)가 구비되고 상기 유전체(70)의 하면에는 피처리물(W)이 설치된다.FIG. 2 schematically shows a device for generating a plasma in an atmospheric atmosphere. In order to etch the surface of the workpiece W using the plasma in the atmospheric atmosphere, a pair of facing electrodes 10 are spaced apart from each other. Located above and below the furnace, one side of the electrode 10 is provided with a dielectric 70, and the lower surface of the dielectric 70 is provided with the workpiece (W).

즉, 도 2에 도시된 개략도는 디비디(Dielectric Barrier Discharge)방법으로 널리 알려져 있는 플라즈마 발생장치를 도시한 것으로, 플라즈마 발생중에 이를 안정화시키기 위해 상기 전원공급장치(30) 내부 일측에는 전원공급장치(30)에 아크가 발생시 전원을 선택적으로 차단하는 전원차단수단(미도시)이 구비됨이 일반적이며, 상세한 설명은 생략한다.That is, the schematic diagram shown in FIG. 2 illustrates a plasma generating apparatus which is widely known as a Dielectric Barrier Discharge (DIV) method. In order to stabilize the plasma generating apparatus, a power supply unit 30 is provided at one side of the power supply 30. ) Is generally provided with a power cut-off means (not shown) to selectively cut off power when an arc occurs, and detailed description thereof will be omitted.

다만, 도 2와 같이 대기 분위기에서 플라즈마를 발생시켜 피처리물(W)의 표면을 에칭시에도 역시 한 쌍의 롤러(20)를 구비하여 연속적으로 작업이 가능하도록 구성됨이 바람직하며, 이때 상기 피처리물(W)의 상면은 한 쌍의 전극(10) 중 상측에 위치한 전극(10)의 하면에 부착된 유전체(70)와 근접하도록 설치됨이 바람직하다.However, as shown in FIG. 2, the plasma is generated in an air atmosphere, and when the surface of the workpiece W is etched, a pair of rollers 20 may also be provided to continuously work. The upper surface of the processed material W is preferably installed to be close to the dielectric 70 attached to the lower surface of the electrode 10 located above the pair of electrodes 10.

이하에서는 상기와 같이 구성되는 플라즈마 발생장치를 이용하여 피처리물(W)의 표면에 거칠기를 형성하는 제1실시예를 도 1, 도 3a, 도 4 및 도 5 를 참조하여 살펴본다.Hereinafter, a first embodiment of forming a roughness on the surface of the workpiece W using the plasma generator configured as described above will be described with reference to FIGS. 1, 3A, 4, and 5.

도 3a에는 본 발명에 의한 플라즈마 처리를 통한 초발수 표면 형성방법에서 진공 분위기에서 실시되는 공정을 보인 흐름도가 도시되어 있다.Figure 3a is a flow chart showing a process performed in a vacuum atmosphere in the method of forming a super water-repellent surface through the plasma treatment according to the present invention.

본 발명의 제1실시예에서 피처리물(W)은 테프론(PTFE)수지로 형성되었으며, 상기 피처리물(W)은 진공챔버(C) 내부에 설치되어 진공 분위기에서 에칭이 실시되었다. In the first embodiment of the present invention, the workpiece (W) is formed of a Teflon (PTFE) resin, and the workpiece (W) is installed in the vacuum chamber (C) and etched in a vacuum atmosphere.

먼저 상기 피처리물(W)을 전극(10) 상면에 안착시키는 피처리물설치단계(S100)를 실시하게 된다. 상기 피처리물(W)이 전극(10) 상면에 설치되면, 상기 진공챔버(C) 내부의 진공도를 2×10-6 torr 이하로 유지하여 진공형성단계(S200)가 진행된다.First, the processing object installation step (S100) for mounting the processing object W on the upper surface of the electrode 10 is performed. When the workpiece W is installed on the upper surface of the electrode 10, the vacuum forming step S200 is performed by maintaining the degree of vacuum in the vacuum chamber C at 2 × 10 −6 torr or less.

이후 상기 전극(10)에 150W의 전원 및 -11V/㎠의 음의 바이어스를 인가하여 플라즈마를 발생시키는 플라즈마발생단계(S300)를 실시하게 된다.Thereafter, a plasma generation step (S300) is performed to generate a plasma by applying a 150 W power source and a negative bias of −11 V / cm 2 to the electrode 10.

상기 플라즈마발생단계(S300)가 실시됨과 동시에 상기 피처리물(W)의 표면은 에칭되어 표면에칭단계(S400)를 거치게 되며, 상기 표면에칭단계(S400)는 두 시간동안 진행된다. At the same time as the plasma generation step (S300) is performed, the surface of the workpiece (W) is etched to go through the surface etching step (S400), the surface etching step (S400) is carried out for two hours.

이때, 상기 표면에칭단계(S400)에서는 제1롤러(22)에 감긴 피처리물(W)을 제2롤러(24)에 권취시킴으로써 상기 피처리물(W)의 표면이 연속적으로 에칭될 수 있도록 한다.At this time, in the surface etching step (S400) by winding the workpiece W wound on the first roller 22 to the second roller 24 so that the surface of the workpiece (W) can be continuously etched. do.

상기 표면에칭단계(S400) 이후에는 소수성부재유입구(60)를 통해 상기 진공챔버(C) 내부에 소수성부재(미도시)를 유입시키고 플라즈마를 이용하여 피처리 물(W) 표면에 소수성부재를 결합시키는 소수화단계(S500)가 실시된다.After the surface etching step S400, a hydrophobic member (not shown) is introduced into the vacuum chamber C through the hydrophobic member inlet 60, and the hydrophobic member is coupled to the surface of the workpiece W using a plasma. Hydrophobization step (S500) is performed.

본 발명의 제1실시예에서 소수성부재는 CHF3가 적용되었으며, 상기 소수성부재를 진공챔버(C)에 15분 동안 유입시키는 동안 상기 진공챔버(C) 내부의 진공도는 8~9×10-2 torr로 유지하였다. 그리고, 상기 전극(10)에 150W의 전원 및 -15V/㎠의 음의 바이어스를 인가하여 플라즈마를 발생시켰다.In the first embodiment of the present invention, the hydrophobic member is CHF 3, and the degree of vacuum in the vacuum chamber C is 8 to 9 × 10 −2 torr while the hydrophobic member is introduced into the vacuum chamber C for 15 minutes. Was maintained. Then, 150W of power and a negative bias of −15V / cm 2 were applied to the electrode 10 to generate plasma.

상기한 제1실시예에 의해 형성된 피처리물(W)의 표면에 물방울을 떨어뜨려 접촉각을 측정한 결과 도 4 에 도시된 바와 같이 150°를 나타내었으며, 피처리물(W)의 표면 거칠기는 도 4와 같이 중심선 평균 거칠기로 봤을 때 3.15㎛임을 알 수 있다.As a result of measuring the contact angle by dropping water droplets on the surface of the workpiece W formed by the first embodiment described above, as shown in FIG. 4, the surface roughness of the workpiece W was 150 °. As shown in FIG. 4, it can be seen that the average roughness is 3.15 μm.

따라서, 상기 제1실시예를 통한 피처리물(W)의 표면은 물과의 접촉각이 140°이상을 이루므로 상기 피처리물(W)의 표면은 초소소성을 가지는 것으로 확인 가능하다.Therefore, the surface of the workpiece W according to the first embodiment has a contact angle with water of 140 ° or more, so that the surface of the workpiece W has a superplasticity.

이하에서는 상기와 같이 구성되는 플라즈마 발생장치를 이용하여 피처리물(W)의 표면에 거칠기를 형성하는 제2실시예를 도 2, 도 3b, 도 6 및 도 7 을 참조하여 살펴본다.Hereinafter, a second embodiment of forming a roughness on the surface of the workpiece W using the plasma generator configured as described above will be described with reference to FIGS. 2, 3B, 6 and 7.

본 발명의 제2실시예에서 피처리물(W)은 아크릴(PMMA)수지로 형성된 판재가 적용되었으며, 상기 피처리물(W) 표면의 플라즈마 에칭과정은 대기 분위기에서 실시되었다.In the second embodiment of the present invention, the workpiece (W) is applied to a plate formed of acrylic (PMMA) resin, the plasma etching process of the surface of the workpiece (W) was performed in the atmosphere.

제2실시예를 통한 피처리물(W) 표면의 거칠기 형성과정을 살펴보면, 먼저 상 기 유전체(70)의 하측에 피처리물(W)이 위치하도록 설치하는 피처리물설치단계(S100)를 실시하게 된다.Looking at the roughness forming process of the surface of the workpiece (W) according to the second embodiment, first to install the workpiece (S100) to be installed so that the workpiece (W) is located below the dielectric (70). Will be implemented.

상기 피처리물(W)이 유전체(70) 하측에 설치 완료되면 상기 한 쌍의 전극(10) 중 상측에 위치한 전극(10)에 0.8kV∼2.5kV의 전원을 인가하여 10분동안 플라즈마를 발생시키게 된다.(플라즈마발생단계:S300)When the workpiece W is installed under the dielectric 70, 0.8 kV to 2.5 kV of power is applied to the electrode 10 located above the pair of electrodes 10 to generate plasma for 10 minutes. (Plasma generation step: S300).

상기 피처리물(W)의 하측에 플라즈마가 발생됨과 동시에 상기 피처리물(W)의 하면은 에칭되며(표면에칭단계:S400), 제1실시예에서 전술한 바와 같이 제2실시예에서도 상기 롤러(20)를 회전시켜 피처리물(W)을 제2롤러(24)에 권취시킴으로써 연속적인 에칭이 가능하게 된다.Plasma is generated below the workpiece W and at the same time, the bottom surface of the workpiece W is etched (surface etching step S400), as described above in the first embodiment. By rotating the roller 20, the object W is wound on the second roller 24, thereby enabling continuous etching.

이후 상기 한 쌍의 전극(10) 사이에 소수성부재를 유입시키고 플라즈마를 이용하여 상기 피처리물(W)의 표면 보다 정확하게는 상기 피처리물(W)의 하면에 소수성부재를 결합시키는 소수화단계(S500)가 선택적으로 실시된다.After the hydrophobic member is introduced between the pair of electrodes 10 and the hydrophobic step of coupling the hydrophobic member to the lower surface of the workpiece (W) more precisely than the surface of the workpiece (W) by using a plasma ( S500) is optionally performed.

이때, 상기 소수성부재는 불소기를 포함하는 CHF3 가스가 적용되었으며, 상기 소수화단계(S500)는 5분 동안 유지하였다.At this time, the hydrophobic member was applied CHF3 gas containing a fluorine group, the hydrophobization step (S500) was maintained for 5 minutes.

상기한 과정으로 이루어지는 제2실시예에 의해 형성된 피처리물(W)이 표면에 물방울을 떨어뜨려 접촉각을 측정한 결과 도 6에 도시된 바와 같이 160°를 나타내었으며, 피처리물(W)의 표면 거칠기는 도 7 같이 중심선 평균 거칠기로 봤을 때 38.6㎚임을 알 수 있다.As a result of measuring the contact angle by dropping water droplets on the surface of the workpiece W formed by the second embodiment of the above process, as shown in FIG. It can be seen that the surface roughness is 38.6 nm when viewed as the centerline average roughness as shown in FIG. 7.

따라서, 상기 제2실시예를 통해서 거친 표면이 형성된 피처리물(W)은 물과 접촉시에 접촉각이 140°이상이므로 상기 피처리물(W)은 초소수성을 나타내게 된 다.Therefore, the workpiece W having the rough surface formed through the second embodiment has a contact angle of 140 ° or more when contacted with water, thereby causing the workpiece W to exhibit superhydrophobicity.

한편, 본 발명의 제2실시예를 통해 만들어진 아크릴수지의 안정성을 검증하기 위하여 상기 피처리물(W)의 표면에 UV를 조사한 후 물에 대한 접촉각을 측정하였다.On the other hand, in order to verify the stability of the acrylic resin made through the second embodiment of the present invention, after the UV irradiation on the surface of the workpiece (W) was measured the contact angle to water.

이때, UV를 조사하는 과정 중에 185㎚ 파장의 램프 1개와 254㎚ 파장의 램프 2개가 동시에 사용되었으며, 조사 기간은 1주일 동안 유지하였다.At this time, one lamp of 185nm wavelength and two lamps of 254nm wavelength were used simultaneously during the UV irradiation process, and the irradiation period was maintained for one week.

상기한 UV조사 과정을 거친 피처리물(W)의 표면에 물방울을 떨어뜨려 접촉각을 측정한 결과, 도 8에 도시된 바와 같이 접촉각은 154°를 나타냈으며, UV를 조사하기 전인 160°와 비교했을 때 미세한 접촉각의 변화만을 보이고 있음을 알 수 있다.As a result of measuring the contact angle by dropping water droplets on the surface of the workpiece W subjected to the above UV irradiation process, as shown in FIG. 8, the contact angle was 154 °, compared with 160 ° before UV irradiation. It can be seen that only a slight change in the contact angle is shown.

이러한 본 발명의 범위는 상기에서 예시한 실시예에 한정하지 않고, 상기와 같은 기술범위 안에서 당업계의 통상의 기술자에게 있어서는 본 발명을 기초로 하는 다른 많은 변형이 가능할 것이다.The scope of the present invention is not limited to the above-exemplified embodiments, and many other modifications based on the present invention may be made by those skilled in the art within the above technical scope.

예를 들어 본 발명의 실시예에서는 플라즈마를 발생시키기 위한 환경으로 진공 또는 대기압하에서 실시하였으나, 플라즈마를 통해서 피처리물(W)의 표면이 에칭되도록 하는 범위내에서 어떠한 구성도 적용 가능함은 물론이다.For example, in the embodiment of the present invention, although the vacuum or atmospheric pressure was performed as an environment for generating plasma, any configuration may be applied within a range in which the surface of the workpiece W is etched through the plasma.

또한, 본 발명의 실시예에서 피처리물은 아크릴수지 및 테프론수지만 채용되어 있으나, 플라즈마를 이용하여 표면 에칭이 가능한 재질의 범위 내에서 어떠한 것도 적용 가능함은 물론이다. In addition, in the embodiment of the present invention, the object to be treated is only acrylic resin and teflon resin, but any one may be applied within the range of the material which can be etched using plasma.

위에서 상세히 설명한 바와 같이 본 발명에 의한 플라즈마 처리를 통한 초발수 표면 형성방법에서는, 진공 또는 대기압에서 피처리물의 표면에 플라즈마를 발생시켜 표면을 거칠게 가공함으로써 물과의 접촉각이 140°이상을 가질 수 있도록 하였다.In the method of forming a super water-repellent surface through the plasma treatment according to the present invention as described in detail above, by generating a plasma on the surface of the workpiece under vacuum or atmospheric pressure to roughen the surface so that the contact angle with water can be 140 ° or more It was.

따라서, 간단한 공정만으로 피처리물의 소수성을 부여할 수 있게 되므로, 생산성이 향상되며 제조 원가가 현저히 절감되는 이점이 있다.Therefore, since it is possible to impart hydrophobicity of the processing object by a simple process, there is an advantage that productivity is improved and manufacturing cost is significantly reduced.

또한, 본 발명에 의하면, 피처리물은 그 재질의 소수성 또는 친수성에 관계없이 플라즈마를 통해 소수성을 가지도록 구성된다.Further, according to the present invention, the workpiece is configured to have hydrophobicity through the plasma regardless of the hydrophobicity or hydrophilicity of the material.

따라서, 대면적 및 균일한 표면 거칠기를 가지는 피처리물의 형성이 가능하며 다양한 분야에 용이하게 적용 가능한 이점이 있다.Therefore, it is possible to form a workpiece having a large area and a uniform surface roughness, and there is an advantage that can be easily applied to various fields.

Claims (6)

진공챔버 내부에 구비된 전극 상측에 피처리물을 설치하는 피처리물설치단계와;A to-be-processed object installing step of installing a to-be-processed object above the electrode provided in the vacuum chamber; 상기 진공챔버 내부를 진공 분위기로 조성하는 진공형성단계와;A vacuum forming step of forming an inside of the vacuum chamber in a vacuum atmosphere; 상기 전극에 전원을 공급하여 플라즈마를 발생시키는 플라즈마발생단계와;A plasma generation step of generating a plasma by supplying power to the electrode; 상기 전극에 가해지는 전압 및 전원공급시간을 제어하여 상기 피처리물의 표면을 에칭하는 표면에칭단계와;A surface etching step of etching the surface of the object by controlling the voltage and power supply time applied to the electrode; 상기 진공챔버 내부에 소수성부재를 유입시키고, 플라즈마를 이용하여 상기 피처리물의 표면에 상기 소수성부재를 결합시키는 소수화단계;를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 플라즈마 처리를 통한 초발수 표면 형성방법A hydrophobic step of introducing a hydrophobic member into the vacuum chamber and coupling the hydrophobic member to the surface of the object by using a plasma; 대기 분위기에서 전극에 부착된 유전체 하측에 피처리물을 설치하는 피처리물설치단계와;A to-be-processed object installing step of installing a to-be-processed object under the dielectric attached to the electrode in an air atmosphere; 상기 전극에 전원을 공급하여 플라즈마를 발생시키는 플라즈마발생단계와;A plasma generation step of generating a plasma by supplying power to the electrode; 상기 전극에 가해지는 전압 및 전원공급시간을 제어하여 상기 피처리물의 표면을 에칭하는 표면에칭단계와;A surface etching step of etching the surface of the object by controlling the voltage and power supply time applied to the electrode; 상기 피처리물 하측에 이격 설치된 다른 전극과 상기 피처리물 사이에 소수성부재를 유입시키고, 플라즈마를 이용하여 상기 피처리물의 표면에 상기 소수성부재를 결합시키는 소수화단계;를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 플라즈마 처리를 통한 초발수 표면 형성방법And a hydrophobic step of introducing a hydrophobic member between the other electrode spaced below the workpiece and the workpiece, and coupling the hydrophobic member to the surface of the workpiece using a plasma. Super water-repellent surface formation method through plasma treatment 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 소수성부재는,The hydrophobic member according to claim 1 or 2, 불소기, 메틸기 및 염소기 중 적어도 어느 하나를 포함한 가스 또는 분자임을 특징으로 하는 플라즈마 처리를 통한 초발수 표면 형성방법.Method for forming a super water-repellent surface through a plasma treatment, characterized in that the gas or molecule containing at least one of fluorine group, methyl group and chlorine group. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 표면에칭단계에서는,The method of claim 1 or 2, wherein in the surface etching step, 상기 피처리물의 에칭을 활성화하기 위한 반응가스가 선택적으로 부가됨을 특징으로 하는 플라즈마 처리를 통한 초발수 표면 형성방법.A method of forming a super water-repellent surface through plasma treatment, characterized in that a reaction gas for activating the etching of the workpiece is selectively added. 제 4 항에 있어서, 상기 반응가스는,The method of claim 4, wherein the reaction gas, 산소, 질소, 수분, 아르곤, 헬륨, 탄화불소, 탄화염소 중에서 적어도 어느 하나를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 플라즈마 처리를 통한 초발수 표면 형성방법.A method of forming a super water-repellent surface by plasma treatment, comprising at least one of oxygen, nitrogen, moisture, argon, helium, fluorine carbide, and chlorine carbide. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 표면에칭단계는,According to claim 1 or 2, wherein the surface etching step, 롤러에 감긴 상기 피처리물을 다른 롤러에 권취하여 진행시킴으로써 상기 피처리물의 표면을 연속적으로 에칭하는 과정임을 특징으로 하는 플라즈마 처리를 통한 초발수 표면 형성방법.A method of forming a super water-repellent surface by plasma treatment, characterized in that the process of continuously etching the surface of the workpiece by winding the workpiece to be wound on another roller.
KR1020060085329A 2006-09-05 2006-09-05 A method of ultra water repellent surface formed by a plasma treatment KR100776970B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060085329A KR100776970B1 (en) 2006-09-05 2006-09-05 A method of ultra water repellent surface formed by a plasma treatment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060085329A KR100776970B1 (en) 2006-09-05 2006-09-05 A method of ultra water repellent surface formed by a plasma treatment

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100776970B1 true KR100776970B1 (en) 2007-11-21

Family

ID=39079895

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060085329A KR100776970B1 (en) 2006-09-05 2006-09-05 A method of ultra water repellent surface formed by a plasma treatment

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100776970B1 (en)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100929374B1 (en) 2008-06-05 2009-12-02 한국기계연구원 An ultra water repellent film execution equipment and execution method of using of the same
CN102409527A (en) * 2011-10-20 2012-04-11 浙江理工大学 Plasma finishing method for endowing fabric durable super-hydrophobic property
KR20160066590A (en) 2014-12-02 2016-06-13 한양대학교 에리카산학협력단 method of fabricating superhydrophobic metal structure
KR20160071500A (en) 2014-12-11 2016-06-22 신우산업주식회사 Manufacturing method for super water-repellent and Photocatalyst surface
KR20200029084A (en) 2018-09-07 2020-03-18 한국세라믹기술원 Super water-repellent coating method
KR20210057323A (en) 2019-11-12 2021-05-21 현대자동차주식회사 Manufacturing method of plastic surface with super water repellent property

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0524887A (en) * 1991-07-15 1993-02-02 Nissan Motor Co Ltd Glass of water-repellent treatment
KR19980055922A (en) * 1996-12-28 1998-09-25 김영환 Metal layer formation method of semiconductor device
KR0166950B1 (en) * 1996-08-13 1999-01-15 전영식 Process of drainage coating
KR20060001011A (en) * 2004-06-30 2006-01-06 한국과학기술연구원 Method and apparatus for treating metal surfaces to improve hydrophobic property
KR20060034903A (en) * 2004-10-20 2006-04-26 한국화학연구원 Method for modifying surface of silica

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0524887A (en) * 1991-07-15 1993-02-02 Nissan Motor Co Ltd Glass of water-repellent treatment
KR0166950B1 (en) * 1996-08-13 1999-01-15 전영식 Process of drainage coating
KR19980055922A (en) * 1996-12-28 1998-09-25 김영환 Metal layer formation method of semiconductor device
KR20060001011A (en) * 2004-06-30 2006-01-06 한국과학기술연구원 Method and apparatus for treating metal surfaces to improve hydrophobic property
KR20060034903A (en) * 2004-10-20 2006-04-26 한국화학연구원 Method for modifying surface of silica

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100929374B1 (en) 2008-06-05 2009-12-02 한국기계연구원 An ultra water repellent film execution equipment and execution method of using of the same
CN102409527A (en) * 2011-10-20 2012-04-11 浙江理工大学 Plasma finishing method for endowing fabric durable super-hydrophobic property
KR20160066590A (en) 2014-12-02 2016-06-13 한양대학교 에리카산학협력단 method of fabricating superhydrophobic metal structure
KR20160071500A (en) 2014-12-11 2016-06-22 신우산업주식회사 Manufacturing method for super water-repellent and Photocatalyst surface
KR20200029084A (en) 2018-09-07 2020-03-18 한국세라믹기술원 Super water-repellent coating method
KR20210057323A (en) 2019-11-12 2021-05-21 현대자동차주식회사 Manufacturing method of plastic surface with super water repellent property
KR20210113119A (en) 2019-11-12 2021-09-15 현대자동차주식회사 Manufacturing method of plastic surface with super water repellent property

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100776970B1 (en) A method of ultra water repellent surface formed by a plasma treatment
KR20060121888A (en) Replaceable plate expanded thermal plasma apparatus and method
US9209032B2 (en) Electric pressure systems for control of plasma properties and uniformity
EP2033207B1 (en) Method for cleaning, etching, activation and subsequent treatment of glass surfaces, glass surfaces coated by metal oxides, and surfaces of other sio2-coated materials
EP2205049A1 (en) Apparatus and method for treating an object
CA2598717A1 (en) Method and system for coating sections of internal surfaces
US20030138573A1 (en) Method and Apparatus for Applying Material to Glass
JP2013049819A (en) Method of producing surface-modified fluororesin film, and surface-modified fluororesin film
CN1848376A (en) Semiconductor processing system reaction chamber
EP3142467B1 (en) Large area, uniform, atmospheric pressure plasma processing device and method using the device
Gao et al. Modification of polyethylene terephthalate (PET) films surface with gradient roughness and homogenous surface chemistry by dielectric barrier discharge plasma
WO2017087991A1 (en) Method and device for promoting adhesion of metallic surfaces
Kim et al. Facile dry surface cleaning of graphene by UV treatment
JP2008177479A (en) Component used for plasma processing apparatus and its manufacturing method
JP2524942B2 (en) Plasma surface treatment equipment
US20030168009A1 (en) Plasma processing within low-dimension cavities
JP5008622B2 (en) Plasma generating electrode and plasma generating method
WO2004100287A2 (en) Fuel cell component with lyophilic surface
JP3558320B2 (en) Pattern forming method and pattern forming apparatus
US20140335285A1 (en) System of surface treatment and the method thereof
Yang et al. A flexible paper-based microdischarge array device for maskless patterning on nonflat surfaces
JP2010168604A (en) Plasma film deposition system and plasma film deposition method
KR101325557B1 (en) Method of Amorphous Carbon Film
KR20120063725A (en) Method of forming protruding patterns using a polymer layer as a etching protection layer
KR100693818B1 (en) Cold atmospheric pressure plasma generator for a wide surface plasma treatment

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121109

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131017

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140917

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150909

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160907

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170907

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190918

Year of fee payment: 13