KR100776902B1 - Photo mask and method for manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 포토 마스크 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명은 포토 마스크의 크롬 패턴이 없는 지역에 더미 패턴을 개재시킨다. 따라서, 본 발명에서는 셀 지역 및 주변회로 지역 중 어느 하나의 지역에만 크롬 패턴이 형성되어 있는 층들에 대해서 해상력이 극대화된 감광막을 사용하면서 감광막 찌꺼기 발생 및 콘택홀이 오픈되지 않는 현상 등을 방지할 수 있다. The present invention relates to a photomask and a method for manufacturing the same, and the present invention includes a dummy pattern in an area where there is no chrome pattern of the photomask. Therefore, the present invention can prevent the occurrence of photoresist debris and the phenomenon that the contact hole does not open while using the photoresist film having the maximum resolution for the layers where the chromium pattern is formed in only one of the cell area and the peripheral circuit area. have.

포토 마스크, 감광막, 크롬, 더미 패턴Photo mask, photoresist, chrome, dummy pattern

Description

포토 마스크 및 그 제조방법{PHOTO MASK AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}PHOTO MASK AND MANUFACTURING METHOD THEREOF {PHOTO MASK AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 포토 마스크를 설명하기 위하여 도시한 평면도이다. 1 is a plan view illustrating a photo mask according to a preferred embodiment of the present invention.

도 2a 및 도 2b는 도 1에 도시된 포토 마스크의 제조방법을 설명하기 위하여 도시된 단면도들이다. 2A and 2B are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the photomask shown in FIG. 1.

도 3은 도 5에 도시된 포토 마스크의 패턴 밀도 분포를 설명하기 위하여 분포도이다. FIG. 3 is a distribution diagram for describing a pattern density distribution of the photo mask illustrated in FIG. 5.

도 4는 도 1에 도시된 포토 마스크의 패턴 밀도 분포를 설명하기 위하여 도시한 분포도이다. FIG. 4 is a distribution diagram illustrating the pattern density distribution of the photomask illustrated in FIG. 1.

도 5는 종래기술에 따른 포토 마스크를 설명하기 위하여 도시한 평면도이다. 5 is a plan view illustrating a photo mask according to the prior art.

도 6은 도 5에 도시된 포토 마스크를 이용한 노광공정 및 현상공정시 감광막에 발생되는 찌거기(residue)를 도시한 도면이다. FIG. 6 is a view illustrating residue generated in a photosensitive film during an exposure process and a development process using the photomask illustrated in FIG. 5.

도 7은 도 5에 도시된 포토 마스크를 이용한 노광공정 및 현상공정시 발생되는 콘택홀 오픈(contact hole open) 불량을 설명하기 위하여 도시된 도면이다. FIG. 7 is a view illustrating a contact hole open defect generated during an exposure process and a developing process using the photomask illustrated in FIG. 5.

〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉<Explanation of symbols for main parts of drawing>

10, 110 : 셀 지역 10, 110: cell area                 

20, 120 : 주변회로 지역20, 120: peripheral circuit area

11, 111 : 메인 패턴11, 111: main pattern

121 : 더미 패턴121: dummy pattern

101 : 마스크 본체101: the mask body

102 : 마스크용 차광막 102: light shielding film for mask

본 발명은 포토 마스크 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 셀 지역 및 주변회로 지역 중 어느 하나의 지역에만 크롬 패턴이 형성되어 있는 층들에 대해서 해상력이 극대화된 감광막을 사용하면서 감광막 찌꺼기(residue) 발생 및 콘택홀이 오픈되지 않는 현상 등을 방지할 수 있는 포토 마스크 및 그 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to a photo mask and a method of manufacturing the same, and in particular, to produce photoresist residues while using a photoresist film in which resolution is maximized with respect to layers in which a chromium pattern is formed only in one of a cell region and a peripheral circuit region. The present invention relates to a photomask and a method of manufacturing the same, which can prevent a phenomenon in which a contact hole does not open.

일반적으로, 반도체 소자의 제조공정에서는 웨이퍼 상에 소정의 패턴을 형성하기 위하여 포토 리소그래피(photo-lithography) 공정이 사용된다. 포토 리소그래피 공정에서는 패턴 전사용 마스크로 포토 마스크(photo mask)가 사용된다. 포토 마스크는 석영 등과 같은 투명체로 구성된 마스크 본체 표면에 전사하고자 하는 패턴이 형성된 금속성의 크롬 차광막으로 이루어져 있다. 이러한 금속 차광막은 빛을 포토 마스크에 조사할 때, 조사되는 빛을 완전히 차단하여 패턴이 형성된 부분만이 반도체 기판 상의 감광막(photo resist)에 전사됨으로써 웨이퍼 상에 패턴을 형성 하도록 한다. In general, a photo-lithography process is used to form a predetermined pattern on a wafer in a semiconductor device manufacturing process. In the photolithography process, a photo mask is used as a mask for pattern transfer. The photo mask is made of a metallic chromium light shielding film in which a pattern to be transferred is formed on a surface of a mask body made of a transparent material such as quartz. When the metal light shielding film is irradiated with light to the photo mask, the irradiated light is completely blocked so that only the portion where the pattern is formed is transferred to the photoresist on the semiconductor substrate, thereby forming a pattern on the wafer.

도 5는 종래기술에 따른 포토 마스크를 설명하기 위하여 간략하게 도시된 평면도이다. 이를 참조하면, 종래기술에 따른 포토 마스크는 중앙부에 밀집된 패턴(11)들이 형성된 셀 지역(cell region, 10)과, 이 패턴(11)들을 둘러싸고 있는 주변회로 지역(Peri region, 20)을 포함한다. 5 is a plan view briefly shown to explain a photo mask according to the prior art. Referring to this, the photomask according to the related art includes a cell region 10 in which dense patterns 11 are formed in a central portion, and a peripheral circuit region 20 surrounding the patterns 11. .

이처럼, 셀 지역(10)에만 패턴들이 존재하는 포토 마스크를 이용하여 웨이퍼를 패터닝하고자 할 때, 하기의 화학식1과 같이 ESCAP 타입(type)의 해상력이 극대화된 감광막을 사용하게 되면 높은 해상력과 넓은 촛점심도를 가지게 되지만, 패턴이 없는 주변회로 지역(20)에서 현상액의 젖음(wettability) 불량이 발생하게 되고, 이로 인해 도 6에 도시된 바와 같이 패턴이 없는 지역에 감광막 찌꺼기(residue)가 남거나, 도 7에 도시된 바와 같이 콘택홀(contact hole)이 오픈(open)되지 않는 현상이 유발되게 된다. As such, when a wafer is patterned by using a photomask in which patterns exist only in the cell region 10, high resolution and wide focus can be achieved by using a photoresist film of which ESCAP type resolution is maximized as shown in Formula 1 below. Although it has a depth, the wettability of the developer occurs in the peripheral circuit region 20 having no pattern, which causes a photoresist residue in the region having no pattern, as shown in FIG. As shown in FIG. 7, a phenomenon in which a contact hole is not opened is caused.

Figure 112004039418014-pat00001
Figure 112004039418014-pat00001

이처럼 셀 지역 또는 주변회로 지역에만 패턴이 형성된 경우, 혹은 패턴이 없는 지역 간의 피치(pitch)가 어느 한계치를 초과하게 되는 경우 비노광 지역(즉, 크롬 패턴이 없는 지역)에 도포되어진 감광막 현상액의 젖음이 저하되어 여러가지 결함을 유발하게 된다. 이러한 결함으로 패턴이 있는 층들에 대해서는 해상력이 극대화된 감광막을 사용할 수 없게 된다. 결국, 해상력은 다소 떨어지지만 젖음이 개선되어진 감광막을 사용할 수 밖에 없는 실정이다. 즉, 공정마진(예컨대, 촛점 심도, 패턴 프로파일, 식각비 및 노광 에너지 여유도 등) 감소를 초래하는 감광막을 불가피하게 사용할 수 밖에 없다. Thus, when the pattern is formed only in the cell region or the peripheral circuit region, or when the pitch between regions without the pattern exceeds a certain threshold, wetting of the photoresist developer applied to the non-exposed region (that is, the region without the chrome pattern) This lowers and causes various defects. This defect prevents the use of photoresist films with maximum resolution for patterned layers. As a result, although the resolution is slightly reduced, we have no choice but to use a photosensitive film having improved wettability. That is, a photoresist film that inevitably reduces process margins (eg, depth of focus, pattern profile, etching ratio, exposure energy margin, etc.) is inevitably used.

따라서, 본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 셀 지역 및 주변회로 지역 중 어느 하나의 지역에만 크롬 패턴이 형성되어 있는 층들에 대해서 해상력이 극대화된 감광막을 사용하면서 감광막 찌꺼기 발생 및 콘택홀이 오픈되지 않는 현상 등을 방지할 수 있는 포토 마스크 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다. Accordingly, the present invention has been made to solve the above-mentioned problems, the photoresist film generation and contact while using a photoresist film with a maximum resolution for the layer in which the chromium pattern is formed only in any one of the cell area and the peripheral circuit area It is an object of the present invention to provide a photomask and a method of manufacturing the same, which can prevent a phenomenon in which a hole is not opened.

상기한 목적을 구현하기 위한 본 발명의 일측면에 따르면, 셀 패턴이 형성된 제1 지역과, 셀 패턴보다 넓은 주변 패턴이 형성된 제2 지역을 포함하는 포토 마스크에 있어서, 제2 지역은 셀 패턴의 밀도보다 낮은 밀도로 주변 패턴이 형성되어, 노광공정시 제2 지역에 대응되는 부위의 감광막의 OH기가 활성화될 정도의 크기 및 패턴 밀도를 갖도록 하는 더미 패턴을 포함하는 포토 마스크가 제공된다.According to an aspect of the present invention for realizing the above object, in the photo mask including a first region in which a cell pattern is formed, and a second region in which a peripheral pattern wider than the cell pattern is formed, the second region is a A photomask including a dummy pattern is formed so that the peripheral pattern is formed at a density lower than the density, and has a size and pattern density such that the OH group of the photosensitive film of the portion corresponding to the second region is activated during the exposure process.

또한, 상기한 목적을 구현하기 위한 본 발명의 다른 측면에 따르면, 메인 패턴이 형성될 제1 지역과, 상기 메인 패턴이 형성되지 않을 제2 지역으로 정의된 마스크 본체를 제공하는 단계와, 상기 마스크 본체 상에 마스크용 차광막을 형성하는 단계와, 상기 마스크용 차광막을 패터닝하여 상기 제1 지역에 상기 메인 패턴을 형 성하고, 상기 제2 지역에 더미 패턴을 형성하되, 상기 제2 지역에 비해 상기 제1 지역에서 패턴 밀도가 높고, 상기 메인 패턴은 상기 더미 패턴의 크기보다 크도록 형성하는 단계를 포함하는 포토 마스크 제조방법이 제공된다. In addition, according to another aspect of the present invention for achieving the above object, providing a mask body defined by the first region in which the main pattern is to be formed, the second region in which the main pattern is not formed, and the mask Forming a mask pattern on the main body, patterning the mask pattern on the mask to form the main pattern in the first region, and forming a dummy pattern in the second region, compared to the second region A method of manufacturing a photomask is provided, wherein the pattern density is high in a first region and the main pattern is larger than a size of the dummy pattern.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록하며 통상의 지식을 가진자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described a preferred embodiment of the present invention. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but may be implemented in various forms, and only the present embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention and to those skilled in the art. It is provided for complete information.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 포토 마스크를 설명하기 위하여 도시된 평면도이다. 한편, 하기에서 설명되는 셀 지역(110)은 반도체 메모리 소자에서 메모리 셀이 형성되는 지역이고, 주변회로 지역(120)은 메모리 셀을 구동시키기 위한 트랜지스터가 형성되는 지역이다. 1 is a plan view illustrating a photo mask according to a preferred embodiment of the present invention. Meanwhile, the cell region 110 described below is an area in which memory cells are formed in the semiconductor memory device, and the peripheral circuit area 120 is an area in which a transistor for driving the memory cell is formed.

도 1을 참조하면, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 포토 마스크에는 패턴들이 형성되지 않는 주변회로 지역(120)에 더미 패턴(dummy pattern, 121)이 개재된다. Referring to FIG. 1, a dummy pattern 121 is interposed in a peripheral circuit region 120 in which no patterns are formed in a photo mask according to an exemplary embodiment of the present invention.

더미 패턴(121)은 셀 지역(110)에 형성된 메인 패턴(111)의 크기보다 작게 형성한다. 예컨대, 메인 패턴(111) 크기의 40% 내지 80% 범위 내의 크기로 형성할 수 있다. 이는, 후속 노광공정시 더미 패턴(121)이 형성된 부위에 대응되는 부위에서 실제로 감광막이 패터닝되지 않도록 하고, 단지 노광 에너지에 의해 감광막의 OH기가 활성화될 정도가 되도록 하기 위함이다. 즉, 더미 패턴(121)의 크기는 후속 노광공정시 감광막이 패터닝되지 않고, 감광막의 OH기가 활성화될 정도의 범위 내에서 결정된다. The dummy pattern 121 is formed smaller than the size of the main pattern 111 formed in the cell region 110. For example, the size of the main pattern 111 may be in the range of 40% to 80%. This is to prevent the photoresist film from actually being patterned at a portion corresponding to the portion where the dummy pattern 121 is formed in a subsequent exposure process, and to only activate the OH group of the photoresist film by exposure energy. That is, the size of the dummy pattern 121 is determined within a range such that the photoresist film is not patterned in a subsequent exposure process and the OH group of the photoresist film is activated.

전술한 바와 같이, 더미 패턴(121)은 실제적으로 감광막을 패터닝시키지 않고, 감광막의 OH기를 활성화시킨다. 감광막의 OH기를 활성화시키는 메카니즘(mechanism)은 하기의 화학식2와 같다. As described above, the dummy pattern 121 does not actually pattern the photoresist film, but activates the OH group of the photoresist film. Mechanism for activating the OH group of the photosensitive film is shown in the following formula (2).

Figure 112004039418014-pat00002
Figure 112004039418014-pat00002

화학식2는 감광막의 수지(resin)가 PAG(Photo Acid Generator)에 의해 발생된 H+에 어떻게 반응하는지를 보여준다. 즉, PAG에 의해 발생된 H+(H+는 노광 에너지에 의해 발생함)는 수지와 반응하여 총 4가지 종류의 부산물(즉, OH기, 이산화 탄소, 메틸기 및 H+)을 생성한다. 여기서, H+는 또 다른 수지와 반응하여 연쇄적인 반응을 일으키게 된다. 한편, H+와 수지의 반응에 의해 생성되는 OH기는 친수성이 높아 현상공정시 현상액 속의 물과 친하게 반응한다. 따라서, 현상액의 젖음 특성 을 개선시킬 수 있다. Formula 2 shows how the resin of the photoresist reacts with H + generated by the PAG (Photo Acid Generator). That is, H + generated by PAG (H + is generated by the exposure energy) reacts with the resin to produce a total of four kinds of by-products (ie, OH groups, carbon dioxide, methyl groups and H + ). Here, H + reacts with another resin to cause a chain reaction. On the other hand, the OH group generated by the reaction of H + and the resin has high hydrophilicity and reacts with water in the developing solution in a friendly manner. Therefore, the wetting characteristics of the developer can be improved.

한편, 주변회로 지역(120)에서의 더미 패턴(121)의 밀도(intensity)는 패터닝이 이루어지는 선폭의 기준이 되는 패턴 밀도(이하, '최소 패턴 밀도'(threshold pattern intensity)라 함)에 비해 낮은 패턴 밀도를 갖도록 형성하고, 더미 패턴(121)이 형성되지 않는 지역에 비해서는 높은 패턴 밀도를 갖도록 형성하는 것이 바람직하다. On the other hand, the density of the dummy pattern 121 in the peripheral circuit area 120 is lower than the pattern density (hereinafter, referred to as 'threshold pattern intensity'), which is a reference for the line width on which the patterning is performed. It is preferable to form it to have a pattern density, and to form it to have a high pattern density compared with the area | region where the dummy pattern 121 is not formed.

도 3 및 도 4은 실제 더미 패턴(121)이 존재하는 경우와 더미 패턴(121)이 존재하지 않는 경우의 주변회로 지역(120)에서의 패턴 밀도를 나타낸 패턴 밀도 분포도이다. 여기서, 도 3은 도 5에 도시된 포토 마스크의 A-A 부위를 측정한 패턴 밀도 분포도이고, 도 4는 도 1에 도시된 포토 마스크의 B-B 부위를 측정한 패턴 밀도 분포도이다. 3 and 4 are pattern density distribution diagrams showing the pattern density in the peripheral circuit region 120 when the actual dummy pattern 121 is present and when the dummy pattern 121 is not present. 3 is a pattern density distribution chart of measuring the A-A portion of the photomask shown in FIG. 5, and FIG. 4 is a pattern density distribution chart of the B-B portion of the photomask illustrated in FIG. 1.

도 3에 도시된 바와 같이, 더미 패턴(121)이 존재하지 않는 주변회로 지역(120)에서의 패턴 밀도 분포(도시된 원형안 참조)는 거의 '0'에 가깝다. 즉, H+가 수지와 거의 반응하지 않는다. 이에 반해, 도 4에 도시된 바와 같이 더미 패턴(121)이 존재하는 주변회로 지역(120)에서의 패턴 밀도 분포(도시된 원형안 참조)는 웨이퍼에 패터닝되는 최소 패턴 밀도에 도달하지는 않지만, 최소 패턴 밀도에 매우 가깝게 더미 패턴(121)을 형성한다. 이로써, 더미 패턴(121)이 형성된 주변회로 지역(120)에 대응되는 부위의 감광막에서 H+와 수지 간의 반응이 일어나게 된다. 즉, 더미 패턴(121)을 통해 H+와 수지와의 반응을 활성화시키지만 패터닝은 이루어 지지 않도록 하여 감광막의 젖음 특성을 개선하는 것이다. As shown in FIG. 3, the pattern density distribution (see circular diagram shown) in the peripheral circuit region 120 where the dummy pattern 121 does not exist is nearly '0'. That is, H + hardly reacts with the resin. In contrast, as shown in FIG. 4, the pattern density distribution in the peripheral circuit area 120 where the dummy pattern 121 is present (see the circular diagram shown) does not reach the minimum pattern density patterned on the wafer, but is at a minimum. The dummy pattern 121 is formed very close to the pattern density. As a result, a reaction between H + and the resin occurs in the photoresist of the portion corresponding to the peripheral circuit region 120 in which the dummy pattern 121 is formed. That is, the activation of the reaction between the H + and the resin through the dummy pattern 121 but not patterning to improve the wettability of the photosensitive film.

이러한 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 더미 패턴 스킴(scheme)은 크롬 패턴이 존재하지 않는 주변회로 지역과 크롬 패턴이 존재하는 셀 지역 간의 비율이 1:1 이상인 모든 포토 마스크에 적용할 수 있다. 통상적으로, 필드 폴래리트(field polarity)가 어둡고(dark), 마스크의 유효 노광지역의 바탕이 하프톤(halftone) PSM(Phase Shift Mask) 물질로 이루어지며, 그 위에 스페이스 패턴(space pattern)을 형성한 마스크에 해당한다. 또한, 더미 패턴 스킴은 셀 지역 및 주변회로 지역 중 어느 하나의 지역에만 패턴이 있는 경우, 또는 셀 지역과 주변회로 지역에 모두 패턴이 있지만 각 패턴 간의 간격이 1.2㎛(마스크 상에서의 간격) 이상인 마스크에서도 적용할 수 있다. The dummy pattern scheme according to the preferred embodiment of the present invention may be applied to all photo masks having a ratio of 1: 1 or more between the peripheral circuit region where the chromium pattern is not present and the cell region where the chromium pattern is present. Typically, field polarity is dark, and the effective exposure area of the mask is made of halftone PSM (Phase Shift Mask) material, and a space pattern is formed thereon. Corresponds to the formed mask. In addition, the dummy pattern scheme is a mask in which there is a pattern in only one of the cell region and the peripheral circuit region, or a pattern in which both the cell region and the peripheral circuit region have a pattern but the spacing between the patterns is 1.2 m or more (gap on the mask) This can also be applied.

이하에서는 도 2a 및 도 2b를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 포토 마스크 제조방법을 설명하기로 한다. 도 2a 및 도 2b는 도 1에 도시된 B-B 부위를 절단한 단면도들이다. Hereinafter, a photomask manufacturing method according to an exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 2A and 2B. 2A and 2B are cross-sectional views cut along the portion B-B shown in FIG. 1.

도 2a를 참조하면, 셀 지역(110)과 주변회로 지역(120)으로 정의된 마스크 본체(101)가 제공된다. 그리고, 마스크 본체(101) 상에는 마스크용 차광막(102)이 형성된다. 여기서, 마스크 본체(101)는 사각 판 상의 형태를 가지고 있어, 완전한 투명체인 석영(quartz)으로 형성된다. 마스크용 차광막(102)은 크롬(Cr)으로 형성되며, 100% 광을 차단하는 광차단막 역할을 한다. 이러한 마스크용 차광막(102)은 금속 증착법(metal evaporating), 금속 스퍼터링(metal sputtering) 또는 물리 기상 증착법(Physical Vapor Deposition, PVD)을 이용하여 형성할 수 있다. 또한, 마 스크용 차광막(102)은 무전해 도금(electrolysis plating)과 같은 전기 화학적 방법 등으로 형성할 수도 있다. Referring to FIG. 2A, a mask body 101 defined by a cell region 110 and a peripheral circuit region 120 is provided. Then, a mask light shielding film 102 is formed on the mask body 101. Here, the mask body 101 has a rectangular plate shape, and is formed of quartz, which is a complete transparent body. The light shielding film 102 for mask is formed of chromium (Cr), and serves as a light blocking film that blocks 100% light. The mask light blocking film 102 may be formed using metal evaporating, metal sputtering, or physical vapor deposition (PVD). In addition, the mask light shielding film 102 may be formed by an electrochemical method such as electrolysis plating.

도 2b를 참조하면, 전자빔(E-beam)을 이용한 장치(E-beam lithographer)를 이용하여 마스크용 차광막(102)을 패터닝한다. 이로써, 셀 지역(110)에 메인 패턴(111)이 형성되고, 주변회로 지역(120)에는 더미 패턴(121)이 형성된다. 이때, 더미 패턴(121)은 메인 패턴(111)의 크기보다 작게 형성하는 것이 바람직하다. 예컨대, 메인 패턴(111) 크기의 40% 내지 80% 범위 내의 크기로 형성한다. 또한, 더미 패턴(121)의 패턴 밀도는 메인 패턴(111)의 패턴 밀도보다 낮게 형성하는 것이 바람직하다. Referring to FIG. 2B, the light shielding film 102 for a mask is patterned by using an E-beam lithographer. As a result, the main pattern 111 is formed in the cell region 110, and the dummy pattern 121 is formed in the peripheral circuit region 120. In this case, the dummy pattern 121 may be formed smaller than the size of the main pattern 111. For example, it is formed in a size in the range of 40% to 80% of the size of the main pattern 111. In addition, the pattern density of the dummy pattern 121 is preferably lower than the pattern density of the main pattern 111.

상기에서 설명한 본 발명의 기술적 사상은 바람직한 실시예에서 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명은 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.Although the technical spirit of the present invention described above has been described in detail in a preferred embodiment, it should be noted that the above-described embodiment is for the purpose of description and not of limitation. In addition, the present invention will be understood by those skilled in the art that various embodiments are possible within the scope of the technical idea of the present invention.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 포토 마스크의 크롬 패턴이 없는 지역에 더미 패턴을 개재시킴으로써 셀 지역 및 주변회로 지역 중 어느 하나의 지역에만 크롬 패턴이 형성되어 있는 층들에 대해서 해상력이 극대화된 감광막을 사용하면서 감광막 찌꺼기 발생 및 콘택홀이 오픈되지 않는 현상 등을 방지할 수 있다. As described above, according to the present invention, the resolution is maximized with respect to the layers in which the chromium pattern is formed only in any one of the cell region and the peripheral circuit region by interposing a dummy pattern in the chromium pattern-free region of the photomask. By using the photoresist film, it is possible to prevent the occurrence of photoresist dregs and the phenomenon that the contact hole does not open.

Claims (8)

제1 지역에 형성되며, 상기 제1 지역에 대응되는 감광막을 패터닝하기 위한 제1 패턴; 및A first pattern formed in the first region and configured to pattern the photoresist film corresponding to the first region; And 제2 지역에 형성되고, 상기 제2 지역에 대응되는 감광막이 패터닝되지 않으면서 상기 감광막의 OH기가 활성화되도록 상기 제1 패턴보다 낮은 밀도로 형성된 제2 패턴을 포함하는 포토 마스크.And a second pattern formed in a second region, the second pattern being formed at a lower density than the first pattern so that the OH group of the photosensitive layer is activated without patterning the photoresist layer corresponding to the second region. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제1 패턴과 상기 제2 패턴 간의 간격이 적어도 1.2㎛인 포토 마스크.The photo mask of claim 1, wherein a spacing between the first pattern and the second pattern is at least 1.2 μm. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제2 패턴은 상기 제1 패턴의 40% 내지 80%의 크기를 갖는 포토 마스크.The second pattern has a size of 40% to 80% of the first pattern. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제2 패턴은 노광공정시 상기 제2 패턴에 의해 상기 제2 지역에 대응되는 부위의 감광막이 패터닝되지 않을 정도의 크기 및 패턴 밀도를 갖도록 형성된 포토 마스크.The second pattern may have a size and a pattern density such that the photoresist of a portion corresponding to the second region is not patterned by the second pattern during the exposure process. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 하나의 항에 있어서, The method according to any one of claims 1 to 4, 상기 제1 패턴 및 상기 제2 패턴은 크롬으로 이루어진 포토 마스크.The first pattern and the second pattern is a photo mask made of chromium. 메인 패턴이 형성될 제1 지역과, 더미 패턴이 형성될 제2 지역으로 정의된 마스크 본체가 제공되는 단계;Providing a mask body defined by a first region where a main pattern is to be formed and a second region where a dummy pattern is to be formed; 상기 마스크 본체 상에 마스크용 차광막을 형성하는 단계; 및 Forming a light shielding film for a mask on the mask body; And 상기 마스크용 차광막의 상기 제1 지역에는 감광막을 패터닝 하기 위한 상기 메인 패턴을 형성하고, 상기 제2 지역에는 상기 제2 지역에 대응되는 상기 감광막이 패터닝되지 않으면서 상기 감광막의 OH기가 활성화 되도록 상기 메인 패턴보다 낮은 밀도로 상기 더미 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 포토 마스크 제조방법.The main pattern for patterning the photoresist layer is formed in the first region of the light shielding layer for the mask, and the main region is activated such that the OH group of the photoresist layer is activated without patterning the photoresist layer corresponding to the second region in the second region. And forming the dummy pattern at a lower density than the pattern. 제 6 항에 있어서, The method of claim 6, 상기 마스크용 차광막이 크롬인 포토 마스크 제조방법. The said light shielding film for masks is a chromium photomask manufacturing method. 삭제delete
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