KR100776258B1 - Plasma generator - Google Patents

Plasma generator Download PDF

Info

Publication number
KR100776258B1
KR100776258B1 KR1020060087661A KR20060087661A KR100776258B1 KR 100776258 B1 KR100776258 B1 KR 100776258B1 KR 1020060087661 A KR1020060087661 A KR 1020060087661A KR 20060087661 A KR20060087661 A KR 20060087661A KR 100776258 B1 KR100776258 B1 KR 100776258B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
lower electrode
electrode support
plasma
cover
support bracket
Prior art date
Application number
KR1020060087661A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
임경춘
임순규
이상호
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020060087661A priority Critical patent/KR100776258B1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100776258B1 publication Critical patent/KR100776258B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32568—Relative arrangement or disposition of electrodes; moving means

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

A plasma generator is provided to prevent cracks of each electrode due to thermal expansion by thermally expanding upper and lower electrodes without resistance in receiving high voltage, to facilitate disassembling, and to reduce the maintenance and repair time. A plasma generator(300) includes a cover(310) having a gas passage(311) for guiding process gas; upper and lower electrodes(350,360) for generating plasma from the process gas by receiving high voltage; a lower electrode support bracket(320) combined to the lower part of the cover to form a plasma generating chamber(330) containing the upper and lower electrodes; and an electrode support member(340) formed at the plasma generating chamber and combined to the lower electrode support bracket to form a lower electrode support space(343) between the electrode support member and the lower electrode support bracket. The periphery of the lower electrode is joined in the lower electrode support space to expand outward.

Description

플라즈마 발생장치{Plasma generator}Plasma generator

도 1은 종래 플라즈마 발생장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing a conventional plasma generator.

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 플라즈마 발생장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.2 is a cross-sectional view schematically showing a plasma generating apparatus according to a preferred embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 플라즈마 발생장치의 작용을 나타낸 단면도이다.3 is a cross-sectional view showing the operation of the plasma generating apparatus according to a preferred embodiment of the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호 설명><Description of Signs of Major Parts of Drawings>

300...플라즈마 발생장치 310...커버300 ... plasma generator 310 ... cover

311...가스유로 312...끼움홈311.Gas flow path 312.

320...하부전극 지지브라켓 321...끼움돌기320.Lower electrode support bracket 321

330...플라즈마 발생챔버 340...전극 지지부재330 plasma generating chamber 340 electrode support member

341...고정부 342...지지부341 ... Government 342 ... Supporters

343...하부전극 지지공간 350...상부전극 343 Lower electrode support space 350 Upper electrode

360...하부전극 361...통공360 lower electrode 361

본 발명은 플라즈마 발생장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 전극의 지지구조를 개선하여 장치의 수명연장 및 유지보수 시간을 단축시킬 수 있는 플라즈마 발생장치에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma generator, and more particularly, to a plasma generator that can improve the support structure of the electrode to shorten the life and maintenance time of the device.

플라즈마 발생장치는 기체 상태의 물질에 계속 열을 가하여 이온핵과 자유전자로 이루어진 입자들의 집합체인 플라즈마 가스를 발생시키는 장치로, 현재 반도체 제조 등 다양한 산업분야에 이용되고 있다.Plasma generators are devices that generate a plasma gas, which is a collection of particles composed of ion nuclei and free electrons, by continuously applying heat to a gaseous material.

도 1은 기판을 식각하는데 사용되는 종래 플라즈마 발생장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view of a conventional plasma generator used to etch a substrate.

도 1에 도시된 것과 같이, 종래 플라즈마 발생장치(100)는, 가스유로(111)가 형성된 커버(110)와, 고전압을 인가받는 상부전극(120) 및 하부전극(130)과, 하부전극(130)을 지지하는 하부전극 지지브라켓(140)을 포함한다.As shown in FIG. 1, the conventional plasma generator 100 includes a cover 110 in which a gas flow path 111 is formed, an upper electrode 120 and a lower electrode 130 to which a high voltage is applied, and a lower electrode ( It includes a lower electrode support bracket 140 for supporting 130.

커버(110)는 플라스틱 재질로 이루어지는 것으로 플라즈마 발생장치(100)의 몸체를 이루며, 공정가스가 외부로 새는 것을 방지한다. 커버(110)의 내부에 구비되는 가스유로(111)는 커버(110)로 유입된 공정가스를 상부전극(120) 및 하부전극(130)으로 안내한다.The cover 110 is made of a plastic material to form a body of the plasma generating apparatus 100, and prevents the process gas from leaking to the outside. The gas flow passage 111 provided in the cover 110 guides the process gas introduced into the cover 110 to the upper electrode 120 and the lower electrode 130.

상부전극(120) 및 하부전극(130)은 세라믹으로 이루어지고, 고전압을 인가받아 공정가스를 고온으로 가열한다.The upper electrode 120 and the lower electrode 130 are made of ceramic and are heated with a high voltage by applying a high voltage.

하부전극 지지브라켓(140)은 알루미늄으로 이루어지고, 하부전극(130)을 지지함과 동시에 하부전극(130)의 접지 역할을 한다.The lower electrode support bracket 140 is made of aluminum, and supports the lower electrode 130 and serves as a ground of the lower electrode 130.

이러한 구성으로 이루어지는 종래 플라즈마 발생장치(100)는, 커버(110)의 내부로 공정가스가 유입되면, 유입된 공정가스가 상부전극(120) 및 하부전극(130) 쪽으로 이어진 가스유로(111)를 따라 상부전극(120) 및 하부전극(130)의 사이로 유동된다. 이렇게 상부전극(120) 및 하부전극(130)의 사이로 공정가스가 유입되면 고전압을 인가받는 상부전극(120)과 하부전극(130)의 사이에서 플라즈마 가스가 발생되고, 플라즈마 가스는 외부로 분사되어 하부전극(130)의 하부에 위치하는 기판(200)을 식각하게 된다.In the conventional plasma generating apparatus 100 having such a configuration, when a process gas is introduced into the cover 110, the introduced gas flows through the gas passage 111 where the introduced process gas is connected to the upper electrode 120 and the lower electrode 130. Therefore, the upper electrode 120 and the lower electrode 130 flows between. When the process gas flows between the upper electrode 120 and the lower electrode 130, plasma gas is generated between the upper electrode 120 and the lower electrode 130 to which a high voltage is applied, and the plasma gas is injected to the outside. The substrate 200 positioned below the lower electrode 130 is etched.

그리고, 기판(200)의 식각이 완료되면 커버(110)의 내부로 공정가스의 유입이 중단되고, 상부전극(120) 및 하부전극(130)으로의 고전압 인가가 중단된다. 이러한 플라즈마 발생장치(100)는 상부전극(120) 및 하부전극(130)으로의 고전압 인가시 장치의 온도가 급상승하다가 고전압 인가가 중단되면 장치의 온도가 떨어지게 된다.When the etching of the substrate 200 is completed, the inflow of the process gas into the cover 110 is stopped, and the application of the high voltage to the upper electrode 120 and the lower electrode 130 is stopped. The plasma generator 100 rapidly increases the temperature of the device when the high voltage is applied to the upper electrode 120 and the lower electrode 130, and the temperature of the device drops when the high voltage is stopped.

그런데, 이러한 구성으로 이루어지는 종래 플라즈마 발생장치(100)는, 하부전극 지지브라켓(140)이 장치를 둘러싸는 형태로 커버(110)에 일체형으로 부착되어 있어서 열팽창에 취약한 구조이고, 하부전극(130)은 하부전극 지지브라켓(140)에 고정되어 있기 때문에 열팽창시 하부전극 지지브라켓(140)에 의해 자유도가 구속된다. 따라서, 고전압 인가시 온도 상승에 의해 하부전극(130)은 바깥쪽으로 팽창하는데 반해 커버(110)에 부착되어 있는 하부전극 지지브라켓(140)은 바깥쪽으로 팽창하지 못하기 때문에, 하부전극(130)에 응력집중 현상이 발생되어 하부전극(130)에 크랙이 발생하게 된다.However, the conventional plasma generator 100 having such a configuration has a structure in which the lower electrode support bracket 140 is integrally attached to the cover 110 in a form surrounding the apparatus, and thus is vulnerable to thermal expansion, and the lower electrode 130. Since the silver is fixed to the lower electrode support bracket 140, the degree of freedom is limited by the lower electrode support bracket 140 during thermal expansion. Therefore, the lower electrode 130 expands to the outside due to the temperature rise when the high voltage is applied, whereas the lower electrode support bracket 140 attached to the cover 110 does not expand to the outside, so that the lower electrode 130 does not expand to the lower electrode 130. A stress concentration phenomenon is generated and cracks are generated in the lower electrode 130.

또한, 종래 플라즈마 발생장치(100)는, 커버(110), 하부전극 지지브라켓(140), 하부전극(130)이 일체로 부착되어 있기 때문에, 분해가 쉽지 않아 장치의 세정 및 수리 등 유지보수가 어렵고, 하부전극(130)의 파손시 플라즈마 발생장치(100) 전체를 교체해야 하는 문제점이 있다.In addition, since the plasma generator 100 has the cover 110, the lower electrode support bracket 140, and the lower electrode 130 integrally attached to each other, the plasma generator 100 is not easily disassembled. It is difficult and there is a problem that the entire plasma generating apparatus 100 must be replaced when the lower electrode 130 is broken.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 전극의 지지구조를 개선하여 장치의 수명연장 및 유지보수 시간을 단축시킬 수 있는 플라즈마 발생장치를 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above problems, and an object thereof is to provide a plasma generating apparatus capable of shortening the lifespan and maintenance time of an apparatus by improving an electrode support structure.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 플라즈마 발생장치는, 공정가스를 안내하는 가스유로를 갖는 커버와, 고전압을 인가받아 공정가스로부터 플라즈마를 발생시키는 상부 및 하부전극과, 상기 커버의 하부에 결합되어 상기 상부 및 하부전극이 수용되는 플라즈마 발생챔버를 형성하고 상기 하부전극을 지지하는 하부전극 지지브라켓을 포함하고, 상기 플라즈마 발생챔버에는 상기 하부전극 지지브라켓에 결합되어 상기 하부전극 지지브라켓과의 사이에 하부전극 지지공간을 형성하는 전극 지지부재가 구비되고, 상기 하부전극은 상기 하부전극 지지공간에 그 둘레가 외측으로 팽창 가능하게 결합되는 것을 특징으로 한다.Plasma generator according to the present invention for achieving the above object, the cover having a gas flow path for guiding the process gas, the upper and lower electrodes for generating a plasma from the process gas is applied to a high voltage, and coupled to the bottom of the cover And forming a plasma generating chamber in which the upper and lower electrodes are accommodated, and including a lower electrode supporting bracket for supporting the lower electrode, wherein the plasma generating chamber is coupled to the lower electrode supporting bracket and between the lower electrode supporting bracket. An electrode support member is formed in the lower electrode support space, and the lower electrode is characterized in that its periphery is coupled to the lower electrode support space so as to expand outwardly.

여기에서, 상기 상부전극은 그 둘레가 외측으로 팽창가능하도록 상기 전극 지지부재의 상부면에 놓이는 것이 좋다.Here, the upper electrode is preferably placed on the upper surface of the electrode support member so that the periphery thereof is expandable outward.

그리고, 상기 커버에는 끼움홈이 구비되고, 상기 하부전극 지지브라켓에는 상기 끼움홈에 대응하는 끼움돌기가 구비되어, 상기 하부전극 지지브라켓은 상기 커버에 끼움 결합되는 것이 좋다.The cover may include a fitting groove, and the lower electrode support bracket may include a fitting protrusion corresponding to the fitting groove, and the lower electrode support bracket may be fitted to the cover.

또한, 상기 전극 지지부재는 상기 하부전극 지지브라켓에 나사 결합되는 것이 좋다.In addition, the electrode support member is preferably screwed to the lower electrode support bracket.

또한, 상기 전극 지지부재는 세라믹으로 이루어지는 것이 좋다.In addition, the electrode support member is preferably made of ceramic.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 플라즈마 발생장치에 대하여 설명한다.Hereinafter, a plasma generating apparatus according to a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 플라즈마 발생장치를 개략적으로 나타낸 단면도이고, 도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 플라즈마 발생장치의 작용을 나타낸 단면도이다.2 is a cross-sectional view schematically showing a plasma generating apparatus according to a preferred embodiment of the present invention, Figure 3 is a cross-sectional view showing the operation of the plasma generating apparatus according to a preferred embodiment of the present invention.

도 2에 도시된 것과 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 플라즈마 발생장치(300)는, 공정가스를 안내하는 가스유로(311)를 갖는 커버(310)와, 커버(310)의 하부에 결합되는 하부전극 지지브라켓(320)과, 하부전극 지지브라켓(320)에 결합되어 하부전극 지지공간(343)을 형성하는 전극 지지부재(340)와, 고전압을 인가받아 공정가스로부터 플라즈마를 발생시키는 상부전극(350) 및 하부전극(360)을 포함한다.As shown in FIG. 2, the plasma generating apparatus 300 according to the preferred embodiment of the present invention includes a cover 310 having a gas flow path 311 for guiding a process gas and a lower portion of the cover 310. The lower electrode support bracket 320, the electrode support member 340 coupled to the lower electrode support bracket 320 to form the lower electrode support space 343, and an upper part configured to generate a plasma from the process gas by applying a high voltage. The electrode 350 and the lower electrode 360 are included.

커버(310)는 플라스틱 재질로 이루어지고, 플라즈마 발생장치(300)의 몸체를 이룬다. 커버(310)에 구비되는 가스유로(311)는 외부에서 공급된 공정가스를 커버(310) 하부에 구비되는 플라즈마 발생챔버(330)로 안내한다. 커버(310)의 하부 둘레에는 끼움홈(312)이 구비된다.The cover 310 is made of a plastic material, and forms the body of the plasma generator 300. The gas flow passage 311 provided in the cover 310 guides the process gas supplied from the outside to the plasma generating chamber 330 provided under the cover 310. A fitting groove 312 is provided at a lower circumference of the cover 310.

하부전극 지지브라켓(320)은 알루미늄 재질로 이루어지고, 하부전극(360)을 지지함과 동시에 하부전극(360)을 접지시키는 역할을 한다. 하부전극 지지브라켓(320)은 커버(310)의 하부에 결합되고, 커버(310) 하부전극 지지브라켓(320)의 사이에는 플라즈마 발생챔버(330)가 형성된다. 하부전극 지지브라켓(320)의 상부 둘레에는 커버(310)의 끼움홈(312)에 대응하는 끼움돌기(321)가 구비되어, 하부전극 지지브라켓(320)은 이 끼움돌기(321)가 커버(310)의 끼움홈(312)에 삽입됨으로써 커버(310)에 끼움 결합된다. 하부전극 지지브라켓(320)과 커버(310)의 결합시 끼움돌기(321)는 공정가스의 누출이 방지되도록 끼움홈(312)에 억지 끼움될 수 있다.The lower electrode support bracket 320 is made of aluminum and serves to support the lower electrode 360 and ground the lower electrode 360. The lower electrode support bracket 320 is coupled to the lower portion of the cover 310, and a plasma generation chamber 330 is formed between the cover 310 and the lower electrode support bracket 320. The upper periphery of the lower electrode support bracket 320 is provided with a fitting protrusion 321 corresponding to the fitting groove 312 of the cover 310, the lower electrode support bracket 320 is the fitting protrusion 321 is a cover ( It is fitted to the cover 310 by being inserted into the fitting groove 312 of the 310. When the lower electrode support bracket 320 and the cover 310 are coupled to each other, the fitting protrusion 321 may be inserted into the fitting groove 312 so as to prevent leakage of the process gas.

전극 지지부재(340)는 상부전극(350) 및 하부전극(360)과 같은 세라믹 재질로 이루어지고, 플라즈마 발생챔버(330)의 내부에 설치된다. 전극 지지부재(340)는 하부전극 지지브라켓(320)에 고정되는 고정부(341)와, 하부전극(360)을 지지할 수 있도록 고정부(341)에 일체로 결합되는 지지부(342)로 이루어진다. 고정부(341)는 분리가 용이하도록 고정나사(S)에 의해 하부전극 지지브라켓(320)에 나사 결합된다. 고정부(341)가 하부전극 지지브라켓(320)에 결합되면 지지부(342)와 하부전극 지지브라켓(320)의 내측면 사이에는 하부전극(360)의 외측 둘레가 놓이는 하부전극 지지공간(343)이 형성된다. 하부전극 지지공간(343)은 하부전극(360)이 외측으로 팽창 가능하게 지지되는 부분이다.The electrode support member 340 is made of a ceramic material such as the upper electrode 350 and the lower electrode 360, and is installed in the plasma generating chamber 330. The electrode support member 340 includes a fixing part 341 fixed to the lower electrode support bracket 320 and a support part 342 integrally coupled to the fixing part 341 so as to support the lower electrode 360. . The fixing part 341 is screwed to the lower electrode support bracket 320 by a fixing screw S to facilitate separation. When the fixing part 341 is coupled to the lower electrode support bracket 320, a lower electrode support space 343 in which an outer periphery of the lower electrode 360 is placed between the support part 342 and the inner surface of the lower electrode support bracket 320 is provided. Is formed. The lower electrode support space 343 is a portion in which the lower electrode 360 is expandably supported to the outside.

상부전극(350)은 세라믹 재질로 이루어지고, 고전압을 인가받는다. 상부전극(350)은 플라즈마 발생챔버(330)의 내부에 수용되도록 전극 지지부재(340)의 지 지부(342) 상부면에 놓인다. 상부전극(350)의 외측 둘레와 전극 지지부재(340)의 고정부(341) 사이는 일정 간격 이격되어 있어서 상부전극(350)의 열팽창시 상부전극(350)의 외측 둘레는 고정부(341) 쪽으로 팽창될 수 있다.The upper electrode 350 is made of a ceramic material and receives a high voltage. The upper electrode 350 is placed on the upper surface of the supporting portion 342 of the electrode support member 340 to be accommodated in the plasma generating chamber 330. The outer periphery of the upper electrode 350 and the fixing portion 341 of the electrode support member 340 are spaced apart by a predetermined interval so that the outer periphery of the upper electrode 350 is fixed portion 341 during thermal expansion of the upper electrode 350. Can be expanded to the side.

하부전극(360)은 세라믹 재질로 이루어지고, 상부전극(350)의 하부에 놓인다. 하부전극(360)은 고전압을 인가받아 상부전극(350)과 함께 플라즈마 발생챔버(330)의 내부로 유입된 공정가스를 가열하여 플라즈마 가스를 발생시킨다. 하부전극(360)은 그 외측 둘레가 하부전극 지지공간(343)에 놓이도록 하부전극 지지브라켓(320)과 전극 지지부재(340)의 사이에 설치된다. 하부전극(360)에는 플라즈마 상태로 이온화된 공정가스가 통과할 수 있는 복수의 통공(361)이 구비된다. 이에 의해, 상부전극(350)과 하부전극(360)의 사이에서 발생된 플라즈마 가스는 이 통공(361)을 통해 플라즈마 발생챔버(330)의 외부로 분사된다. 하부전극(360)은 고전압을 인가받아 가열되면 그 외측 둘레가 하부전극 지지공간(343)에서 전극 지지부재(340)의 고정부(341) 쪽으로 팽창된다.The lower electrode 360 is made of a ceramic material and is placed below the upper electrode 350. The lower electrode 360 receives a high voltage to heat the process gas introduced into the plasma generation chamber 330 together with the upper electrode 350 to generate the plasma gas. The lower electrode 360 is installed between the lower electrode support bracket 320 and the electrode support member 340 so that the outer periphery thereof is placed in the lower electrode support space 343. The lower electrode 360 is provided with a plurality of through holes 361 through which the process gas ionized in the plasma state can pass. As a result, the plasma gas generated between the upper electrode 350 and the lower electrode 360 is injected to the outside of the plasma generation chamber 330 through the through hole 361. When the lower electrode 360 is heated by applying a high voltage, an outer circumference thereof expands toward the fixing part 341 of the electrode support member 340 in the lower electrode support space 343.

이하, 도 3을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 플라즈마 발생장치(300)의 작용에 대하여 설명한다.Hereinafter, the operation of the plasma generating apparatus 300 according to the preferred embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 3.

도 3에 도시된 것과 같이, 공정가스가 커버(310)의 내부로 유입되면 유입된 공정가스는 가스유로(311)를 통해 플라즈마 발생챔버(330)로 안내된다. 이때, 상부전극(350) 및 하부전극(360)에는 고전압이 인가되고, 플라즈마 발생챔버(330)의 내부로 안내된 공정가스는 상부전극(350)과 하부전극(360)의 사이에서 가열된다. 그리고, 상부전극(350) 및 하부전극(360)의 작용에 의해 플라즈마 발생챔버(330)의 내부에서 발생되는 플라즈마 가스는 하부전극(360)의 통공(361)을 통해 장치의 외부로 분사된다.As shown in FIG. 3, when the process gas is introduced into the cover 310, the introduced process gas is guided to the plasma generation chamber 330 through the gas flow path 311. In this case, a high voltage is applied to the upper electrode 350 and the lower electrode 360, and the process gas guided into the plasma generation chamber 330 is heated between the upper electrode 350 and the lower electrode 360. In addition, the plasma gas generated in the plasma generation chamber 330 by the action of the upper electrode 350 and the lower electrode 360 is injected to the outside of the apparatus through the through hole 361 of the lower electrode 360.

이렇게 플라즈마 가스가 발생되는 동안 고전압을 인가받는 상부전극(350) 및 하부전극(360)은 열팽창하게 된다. 따라서, 상부전극(350)은 그 외측 둘레가 전극 지지부재(340)의 고정부(341) 쪽으로 팽창하고, 하부전극(360)은 그 외측 둘레가 하부전극 지지공간(343) 내부에서 전극 지지부재(340)의 고정부(341) 쪽으로 팽창하게 된다. 이때, 상부전극(350) 및 하부전극(360)의 각 외측 둘레와 전극 지지부재(340)의 고정부(341) 사이는 일정 간격 이격되어 있으므로, 상부전극(350) 및 하부전극(360)이 별다른 저항없이 원활하게 팽창할 수 있다.In this way, the upper electrode 350 and the lower electrode 360 to which a high voltage is applied while the plasma gas is generated are thermally expanded. Accordingly, the outer periphery of the upper electrode 350 expands toward the fixing portion 341 of the electrode support member 340, and the outer periphery of the lower electrode 360 has an electrode support member in the lower electrode support space 343. It expands toward the fixing portion 341 of 340. At this time, since the outer periphery of the upper electrode 350 and the lower electrode 360 and the fixing portion 341 of the electrode support member 340 are spaced at a predetermined interval, the upper electrode 350 and the lower electrode 360 are It can expand smoothly without any resistance.

플라즈마 가스의 분사가 완료되면 공정가스의 공급이 중단되고, 상부전극(350) 및 하부전극(360)으로의 고전압 인가가 종료된다. 이때, 열팽창되었던 상부전극(350) 및 하부전극(360)은 본래 상태로 복귀된다.When the injection of the plasma gas is completed, the supply of the process gas is stopped, and the application of the high voltage to the upper electrode 350 and the lower electrode 360 is terminated. At this time, the thermally expanded upper electrode 350 and the lower electrode 360 is returned to its original state.

한편, 세정이나 상부전극(350) 또는 하부전극(360)의 교체 등 유지보수가 필요한 경우, 커버(310)에 끼워맞춤되어 있는 하부전극 지지브라켓(320)을 커버(310)로부터 분리하고, 고정나사(S)를 풀어 전극 지지부재(340)를 하부전극 지지브라켓(320)으로부터 분리시킴으로써 장치를 손쉽게 분해할 수 있다.On the other hand, when maintenance is required, such as cleaning or replacing the upper electrode 350 or the lower electrode 360, the lower electrode support bracket 320 fitted to the cover 310 is separated from the cover 310 and fixed. The device can be easily disassembled by releasing the screw S to separate the electrode support member 340 from the lower electrode support bracket 320.

이상에서 설명한 본 발명에 의하면, 하부전극은 하부전극 지지브라켓과 전극 지지부재의 사이에 그 외측 둘레가 팽창 가능하게 지지되고, 상부전극은 전극 지지부재의 상부에 그 외측 둘레가 팽창 가능하게 지지되기 때문에, 상부전극 및 하부 전극은 고전압을 인가받을 때 별다른 저항없이 열팽창할 수 있다. 따라서, 각 전극이 구속되어 있는 종래와 같이 열팽창에 의해 각 전극에 크랙이 발생되는 문제가 발생되지 않고 장치의 수명이 연장된다.According to the present invention described above, the lower electrode is supported between the lower electrode support bracket and the electrode support member so that the outer periphery is expandable, the upper electrode is supported by the upper side of the electrode support member to be expandable Therefore, the upper electrode and the lower electrode can be thermally expanded without any resistance when a high voltage is applied. Therefore, the problem that cracks occur in each electrode by thermal expansion does not occur as in the conventional art in which each electrode is constrained, and the life of the device is extended.

또한, 본 발명에 의하면, 커버와 하부전극 지지브라켓이 끼움 결합되어 있고, 상부전극 및 하부전극을 지지하는 전극 지지부재가 하부전극 지지브라켓에 나사 결합되어 있기 때문에, 장치의 분해가 용이하며, 장치의 유지보수 시간을 줄일 수 있는 효과가 있다.Further, according to the present invention, since the cover and the lower electrode support bracket are fitted and the electrode support members for supporting the upper electrode and the lower electrode are screwed to the lower electrode support bracket, the device is easily disassembled, It is effective to reduce the maintenance time.

이상에서 설명한 본 발명은 도면화되고 설명된 그대로의 구성 및 작용으로 한정되는 것이 아니다. 즉, 본 발명은 기재된 특허청구범위의 사상 및 범위 내에서 다양한 변경 및 수정이 가능하다.The present invention described above is not limited to the configuration and operation as illustrated and described. That is, the present invention is capable of various changes and modifications within the spirit and scope of the appended claims.

Claims (5)

공정가스를 안내하는 가스유로를 갖는 커버와, 고전압을 인가받아 공정가스로부터 플라즈마를 발생시키는 상부 및 하부전극과, 상기 커버의 하부에 결합되어 상기 상부 및 하부전극이 수용되는 플라즈마 발생챔버를 형성하고 상기 하부전극을 지지하는 하부전극 지지브라켓을 포함하는 플라즈마 발생장치에 있어서,Forming a cover having a gas flow path for guiding the process gas, upper and lower electrodes for generating a plasma from the process gas by applying a high voltage, and a plasma generating chamber coupled to the lower part of the cover to accommodate the upper and lower electrodes; In the plasma generating apparatus comprising a lower electrode support bracket for supporting the lower electrode, 상기 플라즈마 발생챔버에는 상기 하부전극 지지브라켓에 결합되어 상기 하부전극 지지브라켓과의 사이에 하부전극 지지공간을 형성하는 전극 지지부재가 구비되고, 상기 하부전극은 상기 하부전극 지지공간에 그 둘레가 외측으로 팽창 가능하게 결합되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치.The plasma generating chamber is provided with an electrode support member coupled to the lower electrode support bracket to form a lower electrode support space between the lower electrode support bracket, and the lower electrode has an outer circumference outside the lower electrode support space. Plasma generator, characterized in that coupled to expandable. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 상부전극은 그 둘레가 외측으로 팽창가능하도록 상기 전극 지지부재의 상부면에 놓이는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치.And the upper electrode is placed on an upper surface of the electrode support member so that its periphery is expandable outward. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 커버에는 끼움홈이 구비되고, 상기 하부전극 지지브라켓에는 상기 끼움홈에 대응하는 끼움돌기가 구비되어, 상기 하부전극 지지브라켓은 상기 커버에 끼움 결합되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치.The cover is provided with a fitting groove, the lower electrode support bracket is provided with a fitting protrusion corresponding to the fitting groove, the lower electrode support bracket is characterized in that the plasma generator is fitted to the cover. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 전극 지지부재는 상기 하부전극 지지브라켓에 나사 결합되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치.And the electrode support member is screwed to the lower electrode support bracket. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 전극 지지부재는 세라믹으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치.And the electrode support member is made of ceramic.
KR1020060087661A 2006-09-11 2006-09-11 Plasma generator KR100776258B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060087661A KR100776258B1 (en) 2006-09-11 2006-09-11 Plasma generator

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060087661A KR100776258B1 (en) 2006-09-11 2006-09-11 Plasma generator

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100776258B1 true KR100776258B1 (en) 2007-11-15

Family

ID=39061974

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060087661A KR100776258B1 (en) 2006-09-11 2006-09-11 Plasma generator

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100776258B1 (en)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040019109A (en) * 2001-08-03 2004-03-04 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Suspended gas distribution manifold for plasma chamber
JP2004095725A (en) 2002-08-30 2004-03-25 Tokyo Electron Ltd Plasma processing apparatus
KR20070036844A (en) * 2005-09-30 2007-04-04 코스텍시스템(주) Plasma enhanced chemical vapor deposition chamber for the fabrication of semiconductor and liquid crystal display panel

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040019109A (en) * 2001-08-03 2004-03-04 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Suspended gas distribution manifold for plasma chamber
JP2004095725A (en) 2002-08-30 2004-03-25 Tokyo Electron Ltd Plasma processing apparatus
KR20070036844A (en) * 2005-09-30 2007-04-04 코스텍시스템(주) Plasma enhanced chemical vapor deposition chamber for the fabrication of semiconductor and liquid crystal display panel

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5829509B2 (en) Mounting table and plasma processing apparatus
JP6026620B2 (en) Mounting table, plasma processing apparatus, and manufacturing method of mounting table
KR20100067654A (en) Mounting table structure, and treating apparatus
KR20100109489A (en) Gas flow path structure and substrate processing apparatus
JP2005277442A (en) Plasma etching apparatus
US20140190635A1 (en) Plasma chamber and apparatus for treating substrate
KR102604063B1 (en) Electrostatic chuck assembly and substrate treating apparatus including the assembly
KR102013668B1 (en) Apparatus for treating substrate and test method
WO2013078420A2 (en) Symmetric rf return path liner
JP2019012656A (en) Plasma generating unit and plasma processing apparatus
TW201203446A (en) Substrate attachment and detachment method
JP2006287152A (en) Plasma processing device
KR100776258B1 (en) Plasma generator
KR101670457B1 (en) Support unit and apparatus for treating substrate with the support unit
CN110913552B (en) Plasma synthetic jet actuator used under wide air pressure condition
KR20080046822A (en) Apparatus for plasma process having a control electrode in a focus ring
JP7129307B2 (en) Substrate support assembly, plasma processing apparatus, and plasma processing method
KR101568722B1 (en) Plasma reactor and control method thereof
KR20130062722A (en) Apparutus for manufacturing substrate
KR20130127151A (en) A baffle and an apparatus for treating a substrate with the baffle
TW202139231A (en) Lower electrode assembly, mounting method thereof and plasma processing device
KR101453860B1 (en) Plasma heater
KR100845508B1 (en) Apparatus for connecting a poewr-supply rod to a radio frequency electrode chuck for fixing wafer
KR100812216B1 (en) Apparatus for connecting a power-supplying rod to a heater of electrostatic chuck for fixing wafer
JP2021077809A (en) Plasma processing apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121031

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131031

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141031

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151030

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181031

Year of fee payment: 12