KR100774832B1 - Cleaning pipe structure of depositing apparatus for manufacturing semiconductor - Google Patents

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Abstract

A cleaning pipe structure of a semiconductor device manufacturing apparatus is provided to prevent a wafer scrap by removing pollutants from an electro-static chuck. A cleaning pipe structure of a semiconductor device manufacturing apparatus includes a dome(130), cleaning gas pipes(141a,141b,142a,142b), and purge gas pipes(151a,151b,152a,152b). An RF(Radio Frequency) coil is wound around the dome, so that plasma is generated in the dome. The cleaning gas pipes are arranged in vertical and horizontal directions around a perimeter of the dome and form cleaning gas spraying paths from a cleaning gas supply to the dome. The purge gas pipes are arranged in vertical and horizontal directions around a perimeter of the dome and form purge gas spraying paths from a purge gas supply to the dome. The purge gas pipes are separated from the cleaning gas pipes to prevent the cleaning gas from being mixed with the purge gas.

Description

반도체 제조장치의 클리닝 배관 구조{Cleaning pipe structure of depositing apparatus for manufacturing semiconductor}Cleaning pipe structure of depositing apparatus for manufacturing semiconductor

도 1은 종래의 프로세스 챔버에서 클리닝하는 상태를 보여주는 개략도,1 is a schematic view showing a state of cleaning in a conventional process chamber,

도 2는 본 발명의 일실시예를 보여주는 프로세스 챔버의 클리닝 배관 구조를 보여주는 개략도, 2 is a schematic view showing a cleaning piping structure of a process chamber showing one embodiment of the present invention;

도 3은 본 발명의 일실시예를 보여주는 클리닝가스배관과 퍼지가스배관 상세구조를 보여주는 개략도.Figure 3 is a schematic diagram showing a detailed structure of the cleaning gas pipe and purge gas pipe showing an embodiment of the present invention.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *

1 : 챔버 110 : 클리닝가스공급부1: chamber 110: cleaning gas supply unit

120 : 퍼지가스공급부 130 : 돔120: purge gas supply unit 130: dome

141,142 : 클리닝가스배관 143,144 : 클리닝가스가스분출구141,142: Cleaning gas pipe 143,144: Cleaning gas gas outlet

151,152 : 퍼지가스배관 153,154 : 퍼지가스가스분출구151,152: purge gas pipe 153,154: purge gas gas outlet

본 발명은 반도체 제조장치의 클리닝 배관 구조에 관한 것으로, 보다 상세하 게는 반도체 제조를 위한 증착공정시 프로세스 진행 후 돔 내부에 잔존하는 부산물을 효율적으로 클리닝하고 퍼지하기 위한 반도체 제조장치의 클리닝 배관 구조에 관한 것이다.The present invention relates to a cleaning piping structure of a semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly, to a cleaning piping structure of a semiconductor manufacturing apparatus for efficiently cleaning and purging a by-product remaining in a dome after a process in a deposition process for semiconductor manufacturing. It is about.

기판의 프로세싱에서, 예를 들어, 폴리실리콘, 실리콘 산화물, 알루미늄 및/또는 텅스텐 실리사이드와 같은 반도체, 절전체 및 도전체 재료는 화학기상증착(CVD), 물리기상증착(PVD), 산화 및 질화 프로세스에 의해 기판 상에 형성된다.In the processing of substrates, for example, semiconductor, power saving and conductor materials such as polysilicon, silicon oxide, aluminum and / or tungsten silicide are used for chemical vapor deposition (CVD), physical vapor deposition (PVD), oxidation and nitriding processes. Is formed on the substrate.

예를 들어, CVD 프로세스에서, 반응가스는 기판 상에 재료를 증착시키도록 사용되고, PVD 프로세스에서 타켓은 기판상에 재료를 증착시키도록 스퍼터링(sputtering)된다. 산화 및 질화 프로세스에서, 산화물 또는 질화물 재료, 전형적으로는 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물은 각각 기판을 적절한 기체 상태 환경에 노출시킴으로써 상기 기판상에 형성된다. 종래의 에칭 프로세스에서, 포토레지스트(photoresist)의 패턴화된 마스크 또는 산화물 하드 마스크는 리소그래픽방법에 의해 기판 상에 형성되고, 기판의 노출부분은 에너지화된 가스에 의해 전형적으로 에칭되어 게이트, 비아, 콘택트 홀 또는 상호접속 라인의 패턴을 형성한다. For example, in a CVD process, the reactant gas is used to deposit material onto a substrate, and in the PVD process the target is sputtered to deposit material onto the substrate. In the oxidation and nitridation process, an oxide or nitride material, typically silicon oxide or silicon nitride, is formed on the substrate by exposing the substrate to a suitable gaseous environment, respectively. In a conventional etching process, a patterned mask or oxide hard mask of a photoresist is formed on a substrate by a lithographic method, and an exposed portion of the substrate is typically etched by an energized gas to form gates, vias Form a pattern of contact holes or interconnect lines.

이러한 프로세스 동안, 프로세스 잔류물(residue)은 챔버 내에서 벽, 구성부품 및 다른 표면 상에 종종 증착한다. 상기 프로세스 잔류물은 이들이 증착되는 기판을 플레이크 오프(flake off)시키거나 또는 오염시킬 수 있으므로 불필요하다. 따라서 프로세스 후 클리닝(cleaning)과 퍼지(purge)과정을 통해 잔류물을 제거할 필요가 있다.During this process, process residues often deposit on walls, components and other surfaces within the chamber. The process residues are unnecessary as they may flake off or contaminate the substrate on which they are deposited. Therefore, it is necessary to remove the residue through the process of cleaning and purging.

도 1은 종래의 프로세스 챔버에서 클리닝하는 상태를 보여주는 개략도이다. 상부에 웨이퍼가 놓인 정전척(ESC, 10)은 프로세스 종료 후 하강된 상태를 보여주고 있고, 정전척(10)에는 DC1200V가 가해져 웨이퍼가 척킹되어 있다.1 is a schematic view showing a state of cleaning in a conventional process chamber. The electrostatic chuck (ESC) 10 on which the wafer is placed is shown in a lowered state after the process is finished, and the wafer is chucked by applying DC1200V to the electrostatic chuck 10.

돔(Dome;30)의 내부에는 프로세스가스(SIH4, AR, O2 등)가 공급되는 프로세스가스공급인젝터(20)가 돔(30)의 내부 원둘레를 따라 총 8개가 설치되어, 이를 통해 프로세스가스가 분사되고 돔(30)상부를 둘러싼 RF코일(도면에 미도시)을 통해 RF가 켜지면 웨이퍼 상에 증착(Deposition) 및 식각(etching)이 이루어지게 된다.A total of eight process gas supply injectors 20 are provided along the inner circumference of the dome 30 to supply process gases (SIH4, AR, O2, etc.) to the inside of the dome 30. Deposition and etching are performed on the wafer when the RF is turned on through an RF coil (not shown) surrounding the dome 30.

상기 프로세스 종료 후 챔버(1) 내에 잔존하는 부산물을 제거하기 위해, 클리닝가스공급인젝터(40)를 통하여 클리닝가스와 퍼지가스가 분사되어 내부 클리닝을 수행하고, RF가 꺼진 후 챔버(1) 내부를 퍼지(purge)하게 된다.In order to remove the by-products remaining in the chamber 1 after the end of the process, cleaning gas and purge gas are injected through the cleaning gas supply injector 40 to perform internal cleaning, and after the RF is turned off, the inside of the chamber 1 is removed. Purge.

그러나 상기와 같은 구조에 의하면, 클리닝가스와 퍼지가스의 플로우 방향이 상방향으로 되어 있고, 하나의 인젝터를 통하여 클리닝가스와 퍼지가스가 분사되는 구조이어서 챔버(1) 내부의 클리닝이 원활히 되지 않아 프로세서 진행 중 돔(30)상의 부산물 낙하(drop), 프로세스가스공급인젝터(20)에 파우더(powder)정체, 챔버(1) 내부에 파우더 및 부산물 등이 날리어 웨이퍼에 파티클의 원인이 되며, 정전척(10) 위에 부산물이 정체되어 웨이퍼 척 불량발생으로 멜팅(melting)원인이 되어 웨이퍼 스크랩(scrap)을 유발하며, 그로 인해 생산성이 저하되는 문제점이 있다.However, according to the above structure, since the flow direction of the cleaning gas and the purge gas is upward, and the cleaning gas and the purge gas are injected through one injector, the cleaning inside the chamber 1 is not smooth and the processor Drops of by-products on the dome 30, powder stagnation in the process gas supply injector 20, powders and by-products in the chamber 1, etc., cause particles on the wafer. (10) By-products stagnate on the wafer chuck defects cause the melting (wafer) causes wafer scrap (scrap), there is a problem that the productivity is lowered.

본 발명은 상술한 제반 문제점을 해결하고자 안출된 것으로, 프로세스 챔버 내부의 클리닝을 위한 클리닝가스와 퍼지가스가 혼합되지 않도록 하고 클리닝 및 퍼지가스의 흐름방향을 아래방향으로 함으로써, 프로세스 후 돔이나 챔버 내부의 부산물이나 파우더를 원활히 클리닝하여 웨이퍼상의 파티클, 정전척 위의 부산물 정체로 인한 멜팅 원인을 감소시키고 웨이퍼의 생산성을 증가시킬 수 있는 반도체 제조장치의 클리닝 배관 구조를 제공하고자 함에 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and do not mix the cleaning gas and purge gas for cleaning in the process chamber, and the flow direction of the cleaning and purge gas downward, after the process dome or chamber inside The purpose of the present invention is to provide a cleaning piping structure of a semiconductor manufacturing apparatus that can smoothly clean by-products or powders of the wafer, thereby reducing the cause of melting caused by the by-products on the wafer and the electrostatic chuck and increasing the productivity of the wafer.

상술한 바와 같은 목적을 구현하기 위한 본 발명의 반도체 제조장치의 클리닝 배관 구조는, 외부에 알에프코일이 감겨져 프로세스 진행 시 내부에서 플라즈마가 형성되는 돔; 상기 돔의 둘레를 따라 수평방향 및 수직방향으로 다수 열 설치되어 클리닝가스공급부로부터 돔의 내부로 클리닝가스가 분사되는 경로를 형성하는 클리닝가스배관; 상기 돔의 둘레를 따라 수평방향 및 수직방향으로 다수 열 설치되어 퍼지가스공급부로부터 돔의 내부로 퍼지가스가 분사되는 경로를 형성하며, 상기 클리닝가스와 퍼지가스가 혼합되는 것을 방지하기 위해 클리닝가스배관과 분리설치된 퍼지가스배관; 을 포함하여 이루어진다.Cleaning pipe structure of the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention for realizing the object as described above, the RF coil is wound around the outside dome is plasma is formed inside the process proceeds; A plurality of cleaning gas pipes arranged in a horizontal direction and a vertical direction along a circumference of the dome to form a path through which the cleaning gas is injected from the cleaning gas supply unit into the dome; A plurality of rows are installed along the circumference of the dome in a horizontal direction and a vertical direction to form a path through which purge gas is injected from the purge gas supply part into the dome, and to prevent the cleaning gas and the purge gas from being mixed. A purge gas pipe installed and separated; It is made, including.

이 경우 상기 수평방향 및 수직방향으로 설치된 클리닝가스배관과 퍼지가스배관은 하나씩 교대로 배열된 것이 바람직하다.In this case, the cleaning gas pipes and the purge gas pipes installed in the horizontal and vertical directions are preferably arranged one by one.

또한 상기 수평방향으로 설치된 클리닝가스배관과 퍼지가스배관의 가스분출구는 수직선상에서 중첩되는 것을 방지하기 위해 엇갈리게 형성되는 것이 바람직하다.In addition, the gas outlets of the cleaning gas pipe and the purge gas pipe installed in the horizontal direction are preferably staggered to prevent overlapping on the vertical line.

상기 수직방향으로 설치된 클리닝가스배관과 퍼지가스배관의 가스분출구는 배관 양측으로 형성되는 것이 바람직하다.Preferably, the gas outlets of the cleaning gas pipe and the purge gas pipe installed in the vertical direction are formed at both sides of the pipe.

또한 상기 수직방향으로 설치된 클리닝가스배관과 퍼지가스배관의 가스분출구는 아래방향을 향하도록 하는 것이 바람직하다.In addition, the gas outlet of the cleaning gas pipe and the purge gas pipe installed in the vertical direction is preferably directed downward.

이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 구성 및 작용을 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the configuration and operation of the preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 일실시예를 보여주는 프로세스 챔버의 클리닝 배관 구조를 보여주는 개략도이고, 도 3은 본 발명의 일실시예를 보여주는 클리닝가스배관과 퍼지가스배관 상세구조를 보여주는 개략도이다.2 is a schematic view showing a cleaning piping structure of a process chamber showing an embodiment of the present invention, Figure 3 is a schematic diagram showing a detailed structure of the cleaning gas pipe and purge gas piping showing an embodiment of the present invention.

본 발명은, 외부에 알에프코일이 감겨져 프로세스 진행 시 내부에서 플라즈마가 형성되는 돔(130), 상기 돔(130)의 둘레를 따라 수평방향 및 수직방향으로 다수 열 설치되어 클리닝가스공급부(110)로부터 돔(130)의 내부로 클리닝가스(예를 들어 NH3)가 분사되는 경로를 형성하는 클리닝가스배관(141,142), 상기 돔(130)의 둘레를 따라 수평방향 및 수직방향으로 다수 열 설치되어 퍼지가스공급부(120)로부터 돔(130)의 내부로 퍼지가스(예를 들어 N2 또는 Ar)가 분사되는 경로를 형성하며 상기 클리닝가스와 퍼지가스가 혼합되는 것을 방지하기 위해 클리닝가스배관(141,142)과 분리설치된 퍼지가스배관(151,152)을 포함하여 이루어진다.According to the present invention, an RF coil is wound on the outside and a plasma is formed therein during the process, and a plurality of rows are installed in a horizontal direction and a vertical direction along the circumference of the dome 130 so that the cleaning gas supply unit 110 is installed. Cleaning gas pipes 141 and 142 forming a path through which the cleaning gas (eg, NH 3) is injected into the dome 130, and a plurality of rows are installed in horizontal and vertical directions along the circumference of the dome 130 to purge gas. A purge gas (for example, N2 or Ar) is injected into the dome 130 from the supply unit 120 and separated from the cleaning gas pipes 141 and 142 to prevent the cleaning gas and the purge gas from being mixed. It includes a purge gas pipe (151, 152) installed.

상기 클리닝가스공급부(110)와 퍼지가스공급부(120)에서는 유량조절기를 통해 공급유량을 조절하면서 클리닝가스 및 퍼지가스를 각각 돔(130) 내부로 공급하게 된다. 상기 클리닝가스공급부(110)와 퍼지가스공급부(120)는 돔(130) 상부의 가스포트(125)에 연결되는데, 상기 가스포트(125) 내부에서는 클리닝가스와 퍼지가스 가 혼합되지 않도록 분리되어 있다.The cleaning gas supply unit 110 and the purge gas supply unit 120 supply the cleaning gas and the purge gas to the dome 130, respectively, while controlling the supply flow rate through the flow controller. The cleaning gas supply unit 110 and the purge gas supply unit 120 are connected to the gas port 125 above the dome 130, and the cleaning gas and the purge gas are separated from each other so that the cleaning gas and the purge gas are not mixed. .

상기 클리닝가스배관(141,142)은 수직방향의 배관과 수평방향의 배관으로 구분되고, 클리닝가스공급부(110)로부터 공급된 클리닝가스를 가스포트(125)를 경유하여 돔(130) 내부로 분사하기 위한 배관이다. 수직방향의 클리닝가스배관(141)은 돔(130)의 둘레를 따라 수직방향으로 다수 열 일정 간격으로 배열되고(141a,141b 등), 수평방향의 클리닝가스배관(142)은 돔(130)의 둘레를 따라 수평방향으로 다수 열 일정 간격으로 배열되어 있다(142a,142b 등).The cleaning gas pipes 141 and 142 are divided into vertical pipes and horizontal pipes, and are used to spray the cleaning gas supplied from the cleaning gas supply unit 110 into the dome 130 via the gas port 125. It is plumbing. The cleaning gas pipes 141 in the vertical direction are arranged at regular intervals in a plurality of rows in the vertical direction along the circumference of the dome 130 (141a, 141b, etc.), and the cleaning gas pipes 142 in the horizontal direction are formed of the dome 130. A plurality of rows are arranged at regular intervals in the horizontal direction along the circumference (142a, 142b, etc.).

상기 퍼지가스배관(151,152)은 수직방향의 배관과 수평방향의 배관으로 구분되고, 퍼지가스공급부(120)로부터 공급된 퍼지가스를 가스포트(125)를 경유하여 돔(130) 내부로 분사하기 위한 배관이다. 수직방향의 퍼지가스배관(151)은 돔(130)의 둘레를 따라 수직방향으로 다수 열 일정 간격으로 배열되고(151a,151b 등), 수평방향의 퍼지가스배관(152)은 돔(130)의 둘레를 따라 수평방향으로 다수 열 일정 간격으로 배열되어 있다(152a,152b 등).The purge gas pipes 151 and 152 are divided into vertical pipes and horizontal pipes, and are used to inject the purge gas supplied from the purge gas supply unit 120 into the dome 130 via the gas port 125. It is plumbing. The purge gas pipe 151 in the vertical direction is arranged in a plurality of rows at regular intervals in the vertical direction along the circumference of the dome 130 (151a, 151b, etc.), and the horizontal purge gas pipe 152 of the dome 130 A plurality of rows are arranged at regular intervals in the horizontal direction along the circumference (152a, 152b, etc.).

상기 수직방향의 클리닝가스배관(141a,141b 등)과 수직방향의 퍼지가스배관(151a,151b 등)은 한 줄씩 교대로 배치되고, 수평방향의 클리닝가스배관(142a,142b 등)과 수평방향의 퍼지가스배관(152a,152b 등)도 돔(130)의 상부에서부터 한 줄씩 교대로 배치되어 있다.The vertical cleaning gas pipes 141a and 141b and the vertical purge gas pipes 151a and 151b are alternately arranged one by one, and the horizontal cleaning gas pipes 142a and 142b and the horizontal direction are alternately arranged. The purge gas pipes 152a and 152b are also alternately arranged line by line from the top of the dome 130.

돔(130)의 내부에 클리닝가스배관(141,142)과 퍼지가스배관(151,152)이 노출되어 있는 경우에는 RF의 영향으로 부식이 되므로, 상기 클리닝가스배관(141,142)과 퍼지가스배관(151,152)은 돔(130)의 벽속에 파묻혀 있고 클리닝가스배 관(141,142)으로부터 돌출된 클리닝가스분출구(143,144)와 퍼지가스배관(151,152)으로부터 돌출된 퍼지가스분출구(153,154)만 돔(130)의 내부에 노출되는 것으로 구성하였다.When the cleaning gas pipes 141 and 142 and the purge gas pipes 151 and 152 are exposed to the inside of the dome 130, the cleaning gas pipes 141 and 142 and the purge gas pipes 151 and 152 are corroded under the influence of RF. Only the cleaning gas outlets 143 and 144 buried in the wall of the 130 and protruding from the cleaning gas pipes 141 and 142 and the purge gas outlets 153 and 154 protruding from the purge gas pipes 151 and 152 are exposed to the interior of the dome 130. It consisted of.

또한 상기 수평방향으로 설치된 클리닝가스배관(142)의 가스분출구(144a,144b)와 수평방향으로 설치된 퍼지가스배관(152)의 가스분출구(154a,154b)는 수직선상에서 가스흐름이 중첩되는 것을 방지하기 위해 엇갈리게 형성되어 있다.In addition, the gas outlets 144a and 144b of the cleaning gas pipe 142 installed in the horizontal direction and the gas outlets 154a and 154b of the purge gas pipe 152 installed in the horizontal direction prevent the gas flow from overlapping on a vertical line. To form a staggered.

상기 수직방향으로 설치된 클리닝가스배관(141)의 가스분출구(143a,143b)와 수직방향으로 설치된 퍼지가스배관(151)의 가스분출구(153a,153b)는 각각 좌우 양측으로 돌출되어 설치되고, 이 경우 가스분출구(143a,143b,153a,153b)는 클리닝가스와 퍼지가스의 흐름이 아래방향을 향하도록 형성되도록 하였다.The gas ejection openings 143a and 143b of the cleaning gas piping 141 installed in the vertical direction and the gas ejection openings 153a and 153b of the purge gas piping 151 provided in the vertical direction are respectively protruded from both sides. Gas outlets 143a, 143b, 153a, and 153b are formed such that the flow of the cleaning gas and the purge gas is directed downward.

한편 프로세스가스공급인젝터는 종래와 동일하게 돔(130)의 내부 원둘레를 따라 총 8개가 설치되어 프로세서가스를 돔(130) 내부로 분사하게 된다.Meanwhile, a total of eight process gas supply injectors are installed along the inner circumference of the dome 130 to spray the processor gas into the dome 130.

상기와 같은 구성으로 이루어진 본 발명의 작용을 설명한다.The operation of the present invention having the configuration as described above will be described.

돔(130) 내부에 프로세스가스가 공급되고 RF가 형성되어 증착 또는 식각 프로세스가 이루어지면, 정전척(10)은 하강하고, 클리닝가스공급부(110)로부터 클리닝가스가 공급되어 수직방향의 클리닝가스배관(141a,141b 등)과 수평방향의 클리닝가스배관(142a,142b 등)의 가스분출구(143a,143b,144a,144b)를 통해 클리닝가스가 분사되어 돔(130)의 부산물과 챔버 내부 및 정전척(10)의 부산물, 파우더 등을 원활히 제거하게 된다. 이 경우 클리닝가스의 흐름은 모두 아래방향을 향하게 함으로 써 클리닝이 원활히 이루어지게 된다.When the process gas is supplied to the dome 130 and the RF is formed to form a deposition or etching process, the electrostatic chuck 10 is lowered and the cleaning gas is supplied from the cleaning gas supply unit 110 so that the cleaning gas pipe in the vertical direction is provided. (141a, 141b, etc.) and the cleaning gas is injected through the gas outlets (143a, 143b, 144a, 144b, etc.) of the horizontal cleaning gas pipes (142a, 142b, etc.), and the by-products of the dome 130 and the interior of the chamber and the electrostatic chuck By-products, powders, etc. of (10) are smoothly removed. In this case, the cleaning gas flows downwards so that the cleaning is smoothly performed.

클리닝이 완료되면 RF는 오프(OFF)되고 클리닝가스공급부(110)로부터 클리닝가스 공급이 중단된다. 이후 퍼지가스공급부(120)로부터 퍼지가스가 공급되어 수직방향의 퍼지가스배관(151a,151b 등)과 수평방향의 퍼지가스배관(152a,152b 등)의 가스분출구(153a,153b,154a,154b)를 통해 퍼지가스가 분사되어 퍼지(purge)를 실시하게 된다.When the cleaning is completed, the RF is turned off (OFF) and the cleaning gas supply from the cleaning gas supply unit 110 is stopped. Thereafter, purge gas is supplied from the purge gas supply unit 120, and the gas outlets 153a, 153b, 154a, and 154b of the vertical purge gas pipes 151a, 151b and the horizontal purge gas pipes 152a, 152b, etc. The purge gas is injected through the purge.

이상, 본 발명을 실시 예를 사용하여 설명하였으나 이들 실시예는 예시적인 것에 불과하며 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 지닌 자라면 본 발명의 사상에서 벗어나지 않으면서 다양한 수정과 변경을 가할 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. As described above, the present invention has been described using embodiments, but these embodiments are merely exemplary, and those skilled in the art may make various modifications and changes without departing from the spirit of the present invention. I can understand that.

이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 제조장치의 클리닝 배관 구조에 의하면, RF클리닝시 클리닝가스의 배관이 수직방향과 수평방향으로 배치되어 있어 챔버 내부 및 돔 자체의 클리닝이 원활하게 이루어져 챔버 내부의 부산물이나 돔의 부산물의 드롭(drop)이 방지와 더불어 프로세서가스인젝터에 파우더 형성이 최소화되며, 다음 웨이퍼 프로세스시 웨이퍼에 파티클을 사전에 예방하여 수율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다. 또한 정전척 위의 부산물 제거가 가능하여 웨이퍼의 멜팅방지로 스크랩 감소와 그 밖의 챔버 내부에 정체되어 있는 부산물이나 파우더 등을 제거하여 생산성을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.As described in detail above, according to the cleaning piping structure of the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention, since the cleaning gas pipes are arranged in the vertical direction and the horizontal direction during the RF cleaning, the chamber and the dome itself may be smoothly cleaned. In addition to preventing the by-products of the internal by-products or the by-products of the dome, the formation of powder in the processor gas injector is minimized, and the yield is improved by preventing particles on the wafer in advance during the next wafer process. In addition, by-products on the electrostatic chuck can be removed, thereby reducing the scraping of the wafer and eliminating the by-products and powders remaining in the chamber, thereby improving productivity.

Claims (5)

외부에 알에프코일이 감겨져 프로세스 진행 시 내부에서 플라즈마가 형성되는 돔;An RF coil wound around the dome to form a plasma therein during the process; 상기 돔의 둘레를 따라 수평방향 및 수직방향으로 다수 열 설치되어 클리닝가스공급부로부터 돔의 내부로 클리닝가스가 분사되는 경로를 형성하는 클리닝가스배관;A plurality of cleaning gas pipes arranged in a horizontal direction and a vertical direction along a circumference of the dome to form a path through which the cleaning gas is injected from the cleaning gas supply unit into the dome; 상기 돔의 둘레를 따라 수평방향 및 수직방향으로 다수 열 설치되어 퍼지가스공급부로부터 돔의 내부로 퍼지가스가 분사되는 경로를 형성하며, 상기 클리닝가스와 퍼지가스가 혼합되는 것을 방지하기 위해 클리닝가스배관과 분리설치된 퍼지가스배관;A plurality of rows are installed along the circumference of the dome in a horizontal direction and a vertical direction to form a path through which purge gas is injected from the purge gas supply part into the dome, and to prevent the cleaning gas and the purge gas from being mixed. A purge gas pipe installed and separated; 을 포함하여 이루어진 반도체 제조장치의 클리닝 배관 구조.Cleaning piping structure of the semiconductor manufacturing apparatus comprising a. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 수평방향 및 수직방향으로 설치된 클리닝가스배관과 퍼지가스배관은 한 줄씩 교대로 배열된 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치의 클리닝 배관 구조.The cleaning gas pipes and the purge gas pipes installed in the horizontal and vertical direction are arranged in a row alternately cleaning piping structure of a semiconductor manufacturing apparatus. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 수평방향으로 설치된 클리닝가스배관의 가스분출구와 퍼지가스배관의 가스분출구는 가스흐름이 중첩되는 것을 방지하기 위해 엇갈리게 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치의 클리닝 배관 구조.And a gas outlet of the cleaning gas pipe installed in the horizontal direction and a gas outlet of the purge gas pipe are staggered to prevent gas flows from overlapping each other. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 수직방향으로 설치된 클리닝가스배관과 퍼지가스배관의 가스분출구는 각각 배관 양측으로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치의 클리닝 배관 구조.And a gas outlet of the cleaning gas pipe and the purge gas pipe installed in the vertical direction, respectively, formed on both sides of the pipe. 제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 수직방향으로 설치된 클리닝가스배관과 퍼지가스배관의 가스분출구는 아래방향을 향하도록 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치의 클리닝 배관 구조.And a gas outlet of the cleaning gas pipe and the purge gas pipe installed in the vertical direction to face downward.
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