KR100769993B1 - 투명체의 홀 형성 방법 - Google Patents

투명체의 홀 형성 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명에 따르면, 투명체에 레이저 빔의 초점을 상기 투명체의 홀이 형성될 부분의 하단부로부터 상단부로 이동하면서 상기 홀이 형성될 부분의 테두리를 조사하여 홀의 윤곽을 형성하는 홀윤곽형성단계; 및 홀윤곽형성단계에서 홀의 윤곽이 형성된 투명체에 레이저 빔의 초점을 상단부로부터 하단부로 이동하면서 홀이 형성될 부분의 내부를 레이저로 조사하여 홀을 형성하는 홀형성단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명체의 홀 형성 방법이 개시된다. 개시된 투명체의 홀 형성 방법에 의하면, 레이저를 이용하여 투명체에 홀을 형성하는 작업을 수행할 때에 투명체가 부서지는 현상을 방지할 뿐만 아니라 크랙이 발생되지 않으므로 홀을 형성하는 데 있어 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
투명체, 크랙

Description

투명체의 홀 형성 방법{Method for forming hole of clear material}
도 1a 내지 도 1c는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 레이저 빔의 초점을 투명체의 하단부로부터 상단부로 이동하면서 홀이 형성될 부분의 테두리를 조사하는 흐름을 나타낸 사시도들,
도 2는 도 1에 도시된 레이저 빔의 초점을 투명체의 하단부로부터 상단부로 이동하면서 홀이 형성될 부분의 테두리를 조사하는 흐름을 나타낸 정단면도,
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 홀의 윤곽이 형성된 투명체에 상기 레이저 빔의 초점을 상단부로부터 하단부로 이동하면서 상기 홀이 형성될 부분의 내부를 레이저로 조사하는 흐름을 나타낸 사시도들,
도 4는 도 3에 도시된 홀의 윤곽이 형성된 투명체에 상기 레이저 빔의 초점을 상단부로부터 하단부로 이동하면서 상기 홀이 형성될 부분의 내부를 레이저로 조사하는 흐름을 나타낸 정단면도,
도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 투명체에 홀이 형성되는 흐름을 나타낸 평단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
110...투명체 120...홀이 형성될 부분의 테두리
130...홈 140...홀
본 발명은 투명체의 홀 형성 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 레이저를 이용하여 투명체에 홀을 형성하는 방법에 관한 것이다.
일반적으로 미세전자기계시스템(Micro Electro Mechanical System: MEMS)이란 입체적인 미세구조와 회로, 센서와 액추에이터를 실리콘 기판 위에 집적화시킨 것으로서 소형이면서도 복잡하여 고도의 동작을 하는 시스템을 말한다.
상기 미세전자기계시스템(MEMS)의 가공기술로는 희생층(sacrificial layer)을 식각(etching)으로 제거함으로써 기판 위에 기계적으로 움직이는 구조, 또는 경첩으로 서 있는 구조를 만드는 기술인 표면 미세가공(surface micromachining), 반응성 이온 식각법(RIE; reactive ion etching) 등으로 깊게 식각하거나 양극접합이라고 부르는 방법인 몸체 미세가공(bulk micromachining), 나노머시닝(nanomachining), 레이저 미세가공(laser micromachining), LIGA(Lithographie, Galvanoformung, Abformung), 방전 미세가공(electro discharge micromachining) 등이 있다.
상기에서 기술한 미세전자기계시스템 중에서 글래스를 사용한 미세전자기계시스템(Micro Electro Mechanical System: MEMS) 패키징의 웨이퍼 레벨 형태는 소자의 전기적인 신호처리를 위하여 비아홀 가공이 반드시 요구된다.
그러나 웨이퍼 레벨에서 일반적인 비아홀 가공시에는 글래스 표면에 비아홀 을 패터닝한 후, 샌드블러스팅을 통해 형성하므로, 글래스의 특성에 의해 언더컷의 발생 및 비아홀 표면이 거칠어지는 문제점이 있었다. 특히, 직경이 작은 비아홀을 가공해야 하는 경우에는 식각 깊이에 비해 홀이 너무 작아 식각이 어려울 뿐만 아니라 심각한 언더컷 문제가 발생한다.
따라서, 일반적인 공정에 의해서 비아홀 하단부에 언더컷이 발생하는 것을 줄이기 위하여 CMP(Chemical mechanical Polishing)공정을 사용하거나 금속막을 두껍게 증착하여 전기적인 연결을 통해 언터컷 문제를 해결하였다.
그러나, 상기와 같이 금속막을 증착하는 경우에는 소자의 제조공정 증가 및 제조비용이 상승하는 문제점을 가진다.
또한, CMP 공정을 이용하는 경우에는 글래스 표면 일부가 전체적으로 제거되므로 미세한 글래스 표면이 중요한 인자로 작용하는 패키징시 소자의 특성을 해칠 수 있는 위험성을 갖게 될 뿐만 아니라 샌드블러스트를 이용한 비아홀 가공은 비아홀 표면이 거칠어질 뿐만 아니라 미세한 크랙이 발생되는 문제점을 갖는다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 창안된 것으로, 비아홀의 형성시에 크랙이 발생하는 현상을 방지할 뿐만 아니라 홀이 형성될 부분의 테두리를 조사하여 용이하게 홀을 형성할 수 있도록 그 구조를 개선한 투명체의 홀 형성 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 다른 목적 및 장점들은 하기에 설명될 것이며, 본 발명의 실시예에 의해 알게 될 것이다. 또한, 본 발명의 목적 및 장점들은 특허청구범위에 나타 낸 수단 및 조합에 의해 실현될 수 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 투명체의 홀 형성 방법은 투명체에 레이저 빔의 초점을 상기 투명체의 홀이 형성될 부분의 하단부로부터 상단부로 이동하면서 상기 홀이 형성될 부분의 테두리를 조사하여 홀의 윤곽을 형성하는 홀윤곽형성단계; 및 상기 홀윤곽형성단계에서 홀의 윤곽이 형성된 투명체에 상기 레이저 빔의 초점을 상단부로부터 하단부로 이동하면서 상기 홀이 형성될 부분의 내부를 레이저로 조사하여 홀을 형성하는 홀형성단계를 포함한다.
여기서, 상기 홀윤곽형성단계에서, 조사되는 레이저 빔의 세기는 상기 홀형성단계에서 조사되는 레이저 빔의 세기보다 약한 것이 바람직하다.
또한, 상기 레이저는 엑시머 레이저 또는 엔디야그(Nd:YAG) 레이저인 것이 바람직하다.
한편, 상기 투명체는 글래스 웨이퍼인 것이 바람직하다.
이하, 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
이에 앞서, 본 명세서 및 청구 범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
따라서, 본 명세서에 기재된 실시 예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시 예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형 예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
도 1a 내지 도 1c는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 레이저 빔의 초점을투명체의 하단부로부터 상단부로 이동하면서 홀이 형성될 부분의 테두리를 조사하는 흐름을 나타낸 사시도들, 도 2는 도 1에 도시된 레이저 빔의 초점을 투명체의 하단부로부터 상단부로 이동하면서 홀이 형성될 부분의 테두리를 조사하는 흐름을 나타낸 정단면도, 도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 홀의 윤곽이 형성된 투명체에 상기 레이저 빔의 초점을 상단부로부터 하단부로 이동하면서 상기 홀이 형성될 부분의 내부를 레이저로 조사하는 흐름을 나타낸 사시도들, 도 4는 도 3에 도시된 홀의 윤곽이 형성된 투명체에 상기 레이저 빔의 초점을 상단부로부터 하단부로 이동하면서 상기 홀이 형성될 부분의 내부를 레이저로 조사하는 흐름을 나타낸 정단면도를 나타낸다.
도 1a 내지 도 1c 및 도 3a 내지 도 3c에 도시된 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 투명체의 홀 형성 방법은 홀윤곽형성단계(S100) 및 홀형성단계(S110)를 포함한다.
먼저, 도 1a 내지 도 1c 및 도 2를 참조하면, 상기 투명체(110)에 레이저 빔의 초점을 상기 투명체(110)의 홀(140)이 형성될 부분의 하단부로부터 상단부로 이동하면서 상기 홀(140)이 형성될 부분의 테두리(120)를 조사하여 홀의 윤곽을 형성 한다(S100).
일반적으로, 알루미늄과 같은 금속 등에 홀을 형성하는 방법은 상기 알루미늄에 홀이 형성될 위치의 초점을 맞춘 후, 드릴이나 펀치 등을 사용하여 상기 알루미늄에 홀을 형성할 수 있다. 또한, 프레스 공정을 거침으로써 자동으로 홀이 형성되도록 구성될 수도 있다.
그러나, 레이저를 사용하여 글래스(glass), 크리스탈(crystal) 등과 같은 비결정질 재료에 홀을 형성하는 방법은 상기 레이저의 특성상 열이 많이 발생할 뿐만 아니라 크랙이 발생하기 때문에 홀이 형성되기 전에 비결정질 재료가 부서지게 되는 문제점이 발생한다.
따라서, 상기 본 발명은 상기 글래스, 크리스탈 등과 같은 비결정질 재료가 부서지는 현상을 방지하기 위하여 홀이 형성될 부분의 테두리(120)를 먼저 조사하는 구성을 채용하였다.
상기의 구성에 대하여 보다 구체적으로 예를 들어 설명하면, 모양이 있는 쿠키를 만들기 위해서 반죽을 만들고, 만들어진 반죽을 얇게 펴서 별이나 하트 등의 모양을 갖는 틀을 사용하여 반죽 위에 모양을 형성한다. 상기와 같이 틀을 사용하여 모양을 형성한 반죽은 쿠키가 될 부분과 아닌 부분을 용이하게 분리할 수 있는 장점이 있다.
이와 같이 상기에서 예를 들어 설명한 원리와 동일하게 상기 본 발명은 투명체(110)에 홀이 형성될 부분의 테두리(120)를 먼저 조사함으로써 홀을 형성하는 데 있어 용이하게 형성할 수 있는 장점이 있다.
한편, 이하에서는 본 발명의 홀이 형성될 부분의 테두리(120)가 조사된다는 의미에 대해서 설명하도록 한다.
상기 홀이 형성될 부분의 테두리(120)가 조사된다는 말은 홀의 형성될 부분의 테두리(120)에 크랙이 발생된다는 의미와 동일하다. 즉, 레이저로 조사되는 부분이 크랙이 발생된 부분과 동일하다는 것을 뜻한다.
이때, 상기 홀이 형성될 부분의 테두리(120)를 조사하기 위하여 사용되는 레이저 빔의 세기는 소정의 세기인 것이 바람직하며, 여기서 상기 소정의 세기란 시스템 운영자에 의해서 결정되는 기준이 되는 세기를 말하며 조사되는 레이저 빔의 성질, 상기 투명체(110)의 성분 및 두께에 따라 상기 투명체(110)에 조사되는 레이저 빔의 세기가 달라지는 것이 바람직하다.
만약, 조사되는 레이저 빔의 세기가 너무 강하다면, 상기 투명체(110)에 형성될 홀의 테두리(120)의 영역을 벗어나서 조사될 수 있을 뿐만 아니라 작게는 주변에 있는 홀(140)에 영향을 미치며 크게는 상기 투명체(110) 전체가 부서질 수 있다.
한편, 본 발명의 실시예에서 상기 투명체는 글래스 웨이퍼인 것이 바람직하다.
즉, 상기 글래스 웨이퍼는 투명체의 한 종류로서 글래스로 형성된 기판을 말하며, 미세전자기계시스템(MEMS)에 이용된다.
다음으로, 도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 투명체에 홀이 형성되는 흐름을 나타낸 평단면도를 나타낸다.
먼저, 도 3a 내지 도 3c, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 투명체(110)에 레이저 빔의 초점을 상기 투명체(110)의 홀(140)이 형성될 부분의 하단부로부터 상단부로 이동하면서 상기 홀이 형성될 부분의 테두리(120)를 조사하여 홀의 윤곽을 형성하는 단계(S100)를 수행한 후, 상기 홀윤곽형성단계(S100)에서 홀의 윤곽이 형성된 투명체(110)에 상기 레이저 빔의 초점을 상단부로부터 하단부로 이동하면서 상기 홀(140)이 형성될 부분의 내부를 레이저로 조사하여 홀을 형성한다(S110).
즉, 상기 투명체(110)에 홀이 형성될 부분의 테두리(120)를 조사하여 홀의 윤곽을 형성하는 과정(S100)을 수행한 후, 상기 레이저를 조사하여 상기 투명체(110)의 상단부로부터 홈(130)을 형성하기 시작한다. 상기와 같이 순차적으로 홈(130)이 형성되는 과정이 완료되면 상기 투명체(110)에 홀(140)이 형성된다.
이때, 상기와 같이 상기 투명체(110)에 홀(140)을 형성하는 것도 가능하지만, 소정의 깊이의 홈(130)이 형성되기 원한다면 소정의 깊이만큼 레이저로 조사하여 상기 소정의 깊이의 홈(130)이 형성되도록 구성하는 것도 가능하다.
여기서, 상기 레이저 빔의 세기는 상기의 홀윤곽형성단계(S100)에서 조사되는 레이저 빔의 세기보다 센 것이 바람직하다.
상기의 내용에 대하여 보다 구체적으로 설명하면, 상기 홀윤곽형성단계(S100)에서는 홀이 형성될 부분의 테두리(120)만 조사하면 되기 때문에 상기 레이저 빔의 세기가 상기 홀형성단계(S110)의 레이저 빔의 세기보다 약한 것이 가능하나, 상기 홀형성단계(S110)에서는 홀이 형성될 부분의 테두리(120)가 형성된 홀 의 내부를 조사하여 홀(140)이 형성되기 때문에 상기 레이저 빔의 세기는 상기 홀윤곽형성단계(S100)에서 사용하는 레이저 빔의 세기보다 센 것이 바람직하다.
이때, 상기 홀형성단계(S110)에서 조사되는 레이저 빔의 세기도 상기 레이저 빔의 성질, 상기 투명체(110)의 성분 및 두께에 따라서 달라지는 것이 바람직하다.
또한, 상기 투명체(110)를 조사하기 위하여 사용되는 레이저는 엑시머 레이저 또는 엔디야그(Nd:YAG) 레이저인 것이 바람직하다.
여기서, 상기 엑시머 레이저란 들뜬 상태에 있는 원자와 기저 상태에 있는 원자가 만드는 엑시머라는 들뜬 상태의 분자가 빛을 내어 해리(解離) 상태로 돌아가는 것을 이용한 레이저로서 단파장, 고출력 및 고효율 등의 특징이 있다.
참고로 야그(YAG)는 레이저빔 발생을 위한 발진기를 만들 때 이트륨(Yttrium), 알루미늄(Aluminum), 가넷(Garnet)을 사용하는 방법이고 여기에 네오디뮴(Nd:neodymium)을 첨가한 것이 엔디야그이다. 상기 엔디야그 레이저는 강력한 순간출력을 비교적 안정적으로 낼 수 있으므로 펄스형 레이저로 널리 사용된다.
한편, 상기의 레이저 소스는 엑시머 레이저와 엔디야그 레이저에 한정되지 않으며, CO2 레이저, UV 레이저, 그린 레이저, 펨토초 레이저 등과 같은 다양한 레이저를 사용하여 상기 투명체(110)에 홀(140)을 형성할 수 있다.
이상과 같이, 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술 사상과 아래에 기재될 특허청구범위의 균등 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능함은 물론이다.
상술한 바와 같이 본 발명의 투명체의 홀 형성 방법은 다음과 같은 효과를 제공한다.
투명체에 홀을 형성하기 전에 레이저 빔의 초점을 투명체의 하단부로부터 상단부로 이동하면서 홀이 형성될 부분의 테두리를 먼저 조사하기 때문에 용이하게 홀을 형성할 수 있을 뿐만 아니라 레이저로 인한 투명체의 부서짐을 방지할 수 있다.
또한, 크랙 및 언더컷이 발생되지 않으므로 홀을 형성하는 데 있어 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

Claims (4)

  1. 글래스 웨이퍼인 투명체에 레이저 빔의 초점을 상기 투명체의 홀이 형성될 부분의 하단부로부터 상단부로 이동하면서 상기 홀이 형성될 부분의 테두리를 조사하여 홀의 윤곽을 형성하는 홀윤곽형성단계; 및
    상기 홀윤곽형성단계에서 홀의 윤곽이 형성된 투명체에 상기 레이저 빔의 초점을 상단부로부터 하단부로 이동하면서 상기 홀이 형성될 부분의 내부를 레이저로 조사하여 홀을 형성하는 홀형성단계를 포함하되,
    상기 홀윤곽형성단계에서 조사되는 레이저 빔의 세기는 상기 홀형성단계에서 조사되는 레이저 빔의 세기보다 약하고,
    상기 레이저는 엑시머 레이저인 것을 특징으로 하는 투명체의 홀 형성 방법.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103212865A (zh) * 2012-01-23 2013-07-24 三星钻石工业股份有限公司 脆性材料基板的激光加工方法以及激光加工装置
KR101621375B1 (ko) * 2014-07-16 2016-05-17 주식회사 엘아이에스 기판 관통홀 형성방법
KR20240018970A (ko) 2022-08-03 2024-02-14 유한회사 바슬러코리아 비파괴형 투명체 가공 깊이 측정장치
KR20240055384A (ko) 2022-10-20 2024-04-29 주식회사 에스에프에이 비파괴형 투명체 가공 깊이 측정장치

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100325949B1 (ko) 1999-06-29 2002-02-27 배홍갑 레이저를 이용한 천공방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100325949B1 (ko) 1999-06-29 2002-02-27 배홍갑 레이저를 이용한 천공방법

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103212865A (zh) * 2012-01-23 2013-07-24 三星钻石工业股份有限公司 脆性材料基板的激光加工方法以及激光加工装置
KR101621375B1 (ko) * 2014-07-16 2016-05-17 주식회사 엘아이에스 기판 관통홀 형성방법
KR20240018970A (ko) 2022-08-03 2024-02-14 유한회사 바슬러코리아 비파괴형 투명체 가공 깊이 측정장치
KR20240055384A (ko) 2022-10-20 2024-04-29 주식회사 에스에프에이 비파괴형 투명체 가공 깊이 측정장치

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