KR100760340B1 - A method and apparatus for controlling a balance of a substrate by torque control - Google Patents

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성만영
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최승우
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도현정
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(주) 비앤피 사이언스
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    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/85Investigating moving fluids or granular solids

Abstract

A method and an apparatus for controlling balance of a substrate using torque control is provided to decrease an aligning error of a stamp and a substrate by controlling torque of a motor. A stamp(2) with a pattern to be transferred is fixed by an upper support(1) using vacuum pressure. A substrate support(4) is installed at a position opposite to the upper support to fix a substrate(3) with vacuum pressure. The substrate support is supported by a lower support(7), and a tilting member(5) is interposed between the substrate support and the lower support to tilt the substrate support forwardly on the lower support. The lower support is moved by a motor(8). A vacuum port(6) is formed on the lower support, and the tilting member is positioned on the tilting member.

Description

토크 제어를 이용한 기판 평형도 제어 방법 및 장치{A METHOD AND APPARATUS FOR CONTROLLING A BALANCE OF A SUBSTRATE BY TORQUE CONTROL}Substrate balance control method and apparatus using torque control {A METHOD AND APPARATUS FOR CONTROLLING A BALANCE OF A SUBSTRATE BY TORQUE CONTROL}

도 1은 통상적인 나노 임프린트 리소그래피 공정의 개략도.1 is a schematic diagram of a conventional nanoimprint lithography process.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 토크 제어를 이용한 기판 평형도 제어 장치의 개략적인 단면도.2 is a schematic cross-sectional view of a substrate balance control apparatus using torque control according to an embodiment of the present invention.

도 3 내지 도 4는 도 2에 도시한 토크 제어를 이용한 기판 평형도 제어 장치의 작업 공정을 나타내는 개략적인 단면도.3 to 4 are schematic cross-sectional views showing the operation process of the substrate balance control device using the torque control shown in FIG.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 토크 제어를 이용한 기판 평형도 제어 장치의 모터 토크 변화도.5 is a motor torque change diagram of the substrate balance control device using torque control according to an embodiment of the present invention.

〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉<Explanation of symbols for main parts of drawing>

1: 상부 지지대 2: 스탬프1: upper support 2: stamp

3: 기판 4: 기판 지지대3: substrate 4: substrate support

5: 틸팅 수단 6: 진공 포트5: tilting means 6: vacuum port

7: 하부 지지대 8: 모터7: lower supporter 8: motor

본 발명은 토크 제어를 이용한 기판 평형도 제어 방법 및 장치에 관한 것으로, 더 상세하게는 스탬프 또는 기판이 장착된 지지대를 이동시키기 위한 모터의 토크를 제어하여 스탬프와 기판의 정렬 오차를 줄이기 위한 것이다. 본 발명의 장치와 방법은 나노 임프린트 리소그래피 공정과 같은 리소그래피 공정에서 이용되는 정밀 웨이퍼 정렬 시스템(Precision Wafer alignment System)Y에 가장 효과적으로 적용될 수 있다.The present invention relates to a method and apparatus for controlling the balance of a substrate using torque control, and more particularly, to reduce the alignment error between the stamp and the substrate by controlling the torque of a motor for moving the support on which the stamp or substrate is mounted. The apparatus and method of the present invention can be most effectively applied to Precision Wafer alignment System Y used in lithography processes such as nanoimprint lithography processes.

리소그래피(Lithography) 기술은 반도체 웨이퍼 상에 집적회로를 정의하는 복잡한 패턴을 인쇄하여 형성하는 기술로서, 리소그래피 기술의 발전은 오늘날 집적회로의 고 집적도를 가능하게 하였다.Lithography is a technology for printing and forming complex patterns that define integrated circuits on semiconductor wafers. Advances in lithography technology have enabled the high integration of today's integrated circuits.

기존에 널리 사용되던 광학 리소그래피는, 감광막이 도포된 반도체 웨이퍼 상에 고정밀 광학계를 이용하여 축소된 마스크 상의 패턴을 이미지화한다. 이러한 광학 리소그래피는, g-line(435㎚), i-line(365㎚)을 거쳐서 현재 248㎚ DUV(Deep Ultraviolet)를 생성하는 KrF(Krypton Fluoride) 엑시머 레이저를 광원으로 사용하고, 해상도를 증가시키기 위한 각종 주변 기술을 접목하여, 현재 125㎚보다 작은 크기의 게이트 선폭을 가지는 트랜지스터의 양산이 가능하도록 하였다.Background Art [0002] Optical lithography, which is widely used in the past, images a pattern on a reduced mask by using a high precision optical system on a semiconductor wafer coated with a photosensitive film. This optical lithography uses Krypton Fluoride (KrF) excimer lasers, currently producing 248 nm Deep Ultraviolet (DUV) via g-line (435 nm) and i-line (365 nm) as light sources, increasing resolution By incorporating various peripheral technologies, it is possible to mass-produce a transistor having a gate line width smaller than 125 nm.

그러나 Moore의 법칙에 따라 IC의 생산성은 광학 리소그래피의 기술보다 더 빠른 속도로 발전하기 때문에 ArF(Argon Fluoride) 193㎚ 레이저 또는 F2(Fluorine) 157㎚ 레이저 등 KrF보다 더 짧은 파장의 광원을 사용한다고 하더라도 기존의 광학 리소그래피를 이용해서는 70㎚ 이하의 초 극미세 패턴형성은 한계가 있다.But according to Moore's law, the productivity of ICs develops faster than optical lithography, so even if you use light sources with shorter wavelengths than KrF, such as ArF (Argon Fluoride) 193 nm lasers or Fluorine (F2) 157 nm lasers, Using conventional optical lithography, ultra-fine pattern formation below 70 nm is limited.

다시 말해, 광학 리소그래피로는 집적회로의 비약적 발전에 따라 곧 요구될 0.1um 이하의 선폭을 형성하는 것이 불가능하게 된다(실제로 256Mb DRAM을 만들기 위해서는 최소 0.25micron의 패턴을 만들 수 있어야 하며, 이보다 집적도가 16배 향상된 4Gb DRAM을 만들기 위해서는 최소 0.13micron의 패턴을 만들어야 한다).In other words, optical lithography makes it impossible to form a line width of less than 0.1 um, which will be required soon due to the rapid development of integrated circuits (actually, to make 256Mb DRAM, it is necessary to make a pattern of at least 0.25 micron, To make a 16x improvement in 4Gb DRAM, we need to create a pattern of at least 0.13 microns).

이러한 광학 리소그래피의 한계를 극복하기 위해, 이른바 차세대 리소그래피(Next-Generation Lithographies, NGLs)라고 불리는 기술들이 개발되고 있으며, EUV 리소그래피(EUVL), X-ray 리소그래피, Ion-beam Projection 리소그래피, Electron-Beam 리소그래피, Dip pen 리소그래피, AFM(Atomic Force Microscope) 및 STM(Scanning Tunneling Microscope)을 이용한 Proximal Probe 리소그래피 등이 제안되어 있으며, 그 중에서 10~14㎚ 범위의 파장을 갖는 극자외선(EUV, Extreme Ultraviolet)을 사용하는 EUVL은 선두의 NGL 기술로 알려져 있다.To overcome this limitation of optical lithography, so-called Next-Generation Lithographies (NGLs) are being developed, and EUV lithography (EUVL), X-ray lithography, Ion-beam Projection lithography, Electron-Beam lithography. , Dip pen lithography, AFM (Atomic Force Microscope) and Proximal Probe Lithography using Scanning Tunneling Microscope (STM) have been proposed, including extreme ultraviolet (EUV) having a wavelength in the range of 10-14 nm. EUVL is known as the leading NGL technology.

이러한 EUV 리소그래피(EUVL)는 광학 리소그래피와 많은 유사점을 가지나, EUV가 거의 모든 물질에서 강하게 흡수되기 때문에 EUV의 사용은 진공에서 이루어져야 하고 기존의 굴절형 광학계가 아닌 반사형 광학 시스템을 사용하여 이루어져야 한다. 그러나 정사 입사각에서는 EUV의 반사율이 매우 낮기 때문에 반사표면을 Distributed Bragg Reflect로 알려진 박막으로 다층 코팅해야 하며, 완벽한 거울이 필요하기 때문에 매우 발달된 연마와 계측기술이 필요하다.Such EUV lithography (EUVL) has many similarities to optical lithography, but since EUV is strongly absorbed in almost all materials, the use of EUV should be done in vacuum and using reflective optical systems rather than conventional refractive optics. However, due to the very low reflectance of EUV at orthogonal angles of incidence, the reflective surface must be multi-layer coated with a thin film known as Distributed Bragg Reflect, and a complete mirror is required, requiring very advanced polishing and metrology techniques.

또한, 일반적인 광 포토 레지스트에서의 EUV 흡수율이 매우 높기 때문에 새로운 레지스트와 공정기술이 적용되어야 하므로, 많은 기술적 어려움과 복잡한 제작과정에 의해 이 기술이 상용화되기 위해서는 아직 많은 연구들이 선행되어야 한 다.In addition, since EUV absorption in general photo-resist is very high, new resists and process technologies have to be applied, and many studies have yet to be made before this technology can be commercialized by many technical difficulties and complicated manufacturing processes.

X-ray 리소그래피의 경우, 25㎚의 초 극미세 패턴의 형성이 가능하나 고출력의 소스(싱크로트론 소스 등) 제작이 필요함으로 인해 공정 비용이 많이 소모될 뿐만 아니라, 광학시스템 및 마스크의 제조가 기술적으로 어렵고 고가이므로 상용화가 어려울 것으로 보인다.In the case of X-ray lithography, it is possible to form an ultra-fine pattern of 25 nm, but the production cost of the high power source (such as synchrotron source) is not only expensive, but also the manufacturing of optical system and mask is technically required. It is difficult and expensive, so commercialization is unlikely.

Ion-beam 리소그래피는 이온빔을 집속하면서 마스크의 패턴을 레지스트에 축소하여 투영하는 방법으로서, 색수차와 공간전하에 의한 이온빔 단면의 변형문제를 기술적으로 극복하기 어려워 아직까지 1um 정도의 해상도 밖에 이루지 못하고 있으므로 이 기술이 나노 소자의 제조에 적용되기에는 많은 문제가 있다.Ion-beam lithography is a method of focusing ion beams to reduce the projection of the mask pattern onto the resist, and it is difficult to technically overcome the problem of deformation of the ion beam cross-section due to chromatic aberration and space charge. There are many problems for the technology to be applied to the fabrication of nanodevices.

Electron-Beam(e-beam) 리소그래피는, X-ray 리소그래피에 비해 상대적으로 저렴한 비용으로 초 극미세 패턴을 형성할 수는 있으나 시간당 처리량(throughput)이 작아 실제 생산 현장에서 대량 생산에 사용되기는 본질적으로 한계를 갖고 있다.Electron-Beam (e-beam) lithography can form ultra-fine patterns at a relatively lower cost than X-ray lithography, but has a low throughput per hour, so it is essentially used for mass production in production. There is a limit.

Dip pen 리소그래피 및 AFM 및 STM을 이용한 Proximal Probe 리소그래피는, 수 ㎚ 또는 원자 및 분자 크기의 패턴형성이 가능하기는 하나 생산성 및 기술적 완성도가 낮아 아직 생산 현장에 사용하기에는 무리가 있다.Dip pen lithography and Proximal Probe lithography using AFM and STM, although capable of patterning in the order of nanometers or atoms and molecules, are still difficult to use on production sites due to their low productivity and technical maturity.

이와 같이, 상기한 리소그래피 방법은, 최대 패터닝 면적이 작고, 패터닝 속도 및 처리량이 너무 낮을 뿐만 아니라 비용이 과도히 소모된다는 문제점이 있어 나노패턴의 경제적인 대량생산이라는 측면에 문제가 있다. 또한, 적용하기 위해서 다단계의 전처리 과정을 거치거나 복잡한 장치를 필요로 하거나, 패턴의 높이가 마 스크로 사용될 수 없을 정도로 작다는 등의 이유로 실제 나노패턴 공정에서의 적용은 지극히 비현실적이다. As described above, the lithographic method has a problem in that the maximum patterning area is small, the patterning speed and throughput are too low, and the cost is excessively consumed, resulting in economic mass production of nanopatterns. In addition, the application in the actual nanopattern process is extremely unrealistic because it requires a multi-step pretreatment process, requires a complicated device, or the pattern is too small to be used as a mask.

이러한 리소그래피 방법들에 반해, 프린스턴 대학의 Stephen Chou교수에 의해 제안된 나노 임프린트 리소그래피 방법은, 나노 구조물 및 나노 소자의 경제적인 대량생산을 위한 기술로 각광받고 있다. 위에서 제안된 나노 임프린트 리소그래피 방법이란, PMMA(Polymethylmethacrylate) 등의 열가소성 폴리머 등으로 코팅한 기판표면을 나노 크기의 구조물(100㎚ 이하)을 갖는 스탬프(stamp)로 압착하여 기판상의 폴리머 레지스트(resist) 표면 위에 스탬프의 패턴을 옮기는 방법이다. 이때, 레지스트에 각인된 나노구조는 스탬프의 형상과 동일하게 형성되며, 스탬프는 주로 나노 크기의 패턴을 가진 실리콘, 실리콘 산화물 등으로 제작된다.In contrast to these lithographic methods, the nanoimprint lithography method proposed by Professor Stephen Chou of Princeton University is in the spotlight as a technology for economic mass production of nanostructures and nanodevices. The proposed nanoimprint lithography method is a surface of a polymer resist coated on a substrate by compressing a substrate surface coated with a thermoplastic polymer such as polymethylmethacrylate (PMMA) with a stamp having a nano-sized structure (100 nm or less). This is how you move the pattern on the stamp. At this time, the nanostructures stamped on the resist is formed in the same shape as the stamp, the stamp is mainly made of silicon, silicon oxide, etc. having a nano-size pattern.

이러한 나노 임프린트 리소그래피 공정을, 도 1을 참조하여 간략하게 설명하면 다음과 같다.Such a nanoimprint lithography process will be briefly described with reference to FIG. 1 as follows.

실리콘 웨이퍼로 형성된 기판(10) 위에 PMMA 등의 열가소성 폴리머 등을 코팅하여 레지스트 층(20)을 형성하고, 미리 제작된 나노 패턴을 갖는 스탬프(30)를 레지스트 층(20)을 향해 가압하여 스탬프(30)의 나노 패턴을 레지스트(20)로 전사 또는 임프린트한다. 이렇게 임프린트 하는 동안 레지스트(20)에 자외선을 투사하여 레지스트를 응고시키는 방법(자외선 나노 임프린트 리소그래피법) 또는 레지스트(20)를 유리전이온도 이상으로 가열하는 방법( 나노 임프린트 리소그래피법)을 이용하여 스탬프(30)의 패턴이 레지스트(20)에 잘 각인되도록 한 다음, 스탬프(30)를 레지스트(20)로부터 분리시키고, 잔류하는 레지스트가 있을 경우 반응성이온에칭 (RIE)과 같은 등방성 에칭 방법으로 이를 제거함으로써 고분자 마스크를 형성한다.A thermoplastic polymer such as PMMA is coated on the substrate 10 formed of a silicon wafer to form a resist layer 20, and a stamp 30 having a pre-fabricated nanopattern is pressed toward the resist layer 20 to obtain a stamp ( The nano pattern of 30 is transferred or imprinted into the resist 20. During the imprinting, a stamp (using a method of solidifying the resist by projecting ultraviolet rays onto the resist 20 (ultraviolet nanoimprint lithography) or a method of heating the resist 20 above the glass transition temperature (nanoimprint lithography) The pattern of 30) is well imprinted into the resist 20, and then the stamp 30 is separated from the resist 20, and if there is any remaining resist, it is removed by an isotropic etching method such as reactive ion etching (RIE). Form a polymer mask.

이와 같은 나노 임프린트 리소그래피 공정에서는 기판(10)과 스탬프(30)의 정렬 즉, 평형도 유지가 매우 정밀하게 수행되어야 하며, 이러한 정렬 내지 평형도 유지가 정밀하지 않을 경우 스탬프(30)에서 기판(10)으로의 패턴의 전사가 불완전하게 될 수 있다.In such a nanoimprint lithography process, alignment of the substrate 10 and the stamp 30, that is, maintaining balance, should be performed very precisely. If such alignment or balance is not precise, the substrate 10 may be separated from the stamp 30. The transfer of the pattern to) may be incomplete.

평형도 유지를 위해, 종래에는 서보제어기구를 이용하여 기판(10)과 스탬프(30)가 장착된 가동 지지대들을 위치 제어방법으로 이동시켰다. 이러한 방법의 경우, 새로운 스탬프(30)와 기판(10)을 가동 지지대에 장착할 때마다 스탬프(30)와 기판(10)의 두께를 제어 프로그램에 변수로 입력해야 하기 때문에, 정확하게 기판(10)과 스탬프(30)의 소프트 컨택(soft contact)을 형성하기 어려워 스탬프(30)와 기판(10)의 정렬 오차 범위가 넓었으며, 이에 따라 패턴의 전사 중에 패턴의 변형이 발생할 뿐 아니라 전체 공정에서 번거로운 변수 입력 단계가 계속 반복되는 단점이 있었다.In order to maintain the balance, conventionally, the movable supports on which the substrate 10 and the stamp 30 are mounted are moved by a servo control mechanism in a position control method. In this method, since the thickness of the stamp 30 and the substrate 10 must be input to the control program every time the new stamp 30 and the substrate 10 are mounted on the movable support, the substrate 10 is accurately It is difficult to form a soft contact of the stamp 30 and the stamp 30 has a wide range of alignment error between the stamp 30 and the substrate 10, thereby resulting in not only the deformation of the pattern during the transfer of the pattern but also cumbersome in the whole process The disadvantage is that the variable input step is repeated repeatedly.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 스탬프 또는 기판이 장착된 지지대를 이동시키기 위한 모터의 토크를 제어하여 스탬프와 기판의 정렬 오차를 줄이고 보다 정확한 소프트 컨택을 형성함으로써 패턴의 변형을 방지하고 불필요한 변수 입력 단계를 제거하여 공정 효율을 제고하기 위한 것이다.The present invention has been made to solve the above problems, an object of the present invention is to control the torque of the motor for moving the support on which the stamp or substrate is mounted to reduce the alignment error between the stamp and the substrate and to provide a more accurate soft contact This is to prevent deformation of the pattern and to eliminate the unnecessary variable input step, thereby improving process efficiency.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 토크 제어를 이용한 기판 평형도 제어 장치로서, 스탬프(2)를 진공압으로 고정하기 위한 상부 지지대(1); 상부 지지대(1)과 마주보는 위치에 설치되어 기판(3)을 진공압으로 고정하기 위한 기판 지지대(4); 기판 지지대(4)를 지지하기 위한 하부 지지대(7); 기판 지지대(4)의 중심영역을 하부 지지대(7) 상에 전방향으로 자유롭게 틸팅될 수 있도록 연결하기 위한 틸팅 수단(5); 하부 지지대(7)를 이동시키기 위한 모터(8); 및 모터(8)를 제어하기 위한 제어부(미도시)로 이루어진다.The present invention for achieving the above object, the substrate balance control device using torque control, the upper support (1) for fixing the stamp (2) in a vacuum pressure; A substrate support (4) installed at a position facing the upper support (1) to fix the substrate (3) with vacuum pressure; A lower support 7 for supporting the substrate support 4; Tilting means (5) for connecting the central area of the substrate support (4) to be freely tilted forwardly on the lower support (7); A motor 8 for moving the lower support 7; And a controller (not shown) for controlling the motor 8.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 또 하나의 본 발명은, 스탬프(2)를 진공압으로 고정하기 위한 상부 지지대(1); 상부 지지대(1)과 마주보는 위치에 설치되어 기판(3)을 진공압으로 고정하기 위한 기판 지지대(4); 기판 지지대(4)를 지지하기 위한 하부 지지대(7); 기판 지지대(4)의 중심영역을 하부 지지대(7) 상에 전방향으로 자유롭게 틸팅될 수 있도록 연결하기 위한 틸팅 수단(5); 하부 지지대(7)를 이동시키기 위한 모터(8); 및 모터(8)를 제어하기 위한 제어부(미도시)를 포함하는 장치에서 모터의 토크를 제어하여 기판 평형도를 제어하는 방법으로서, 상부 지지대(1)에 진공압으로 스탬프(2)를 고정하고, 상부 지지대(1)와 마주보는 기판 지지대(4)에 진공압으로 기판(3)을 고정하는 단계; 제어부가 모터(8)를 가동하여 하부 지지대(7)와 하부 지지대(7) 상에 구비된 틸팅 수단(5), 기판 지지대(4) 및 기판(3)을 상부 지지대(1) 측으로 이동시키는 단계; 및 기판(3)과 스탬프(2)가 소프트 컨택을 이루는 상태에서 모터(8)를 미세하게 구동하여 틸팅 수단((5)으로 하여금 기판(3)과 스탬프(2) 사이에 평형을 이루도록 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.Another invention for achieving the above object, the upper support (1) for fixing the stamp (2) in a vacuum pressure; A substrate support (4) installed at a position facing the upper support (1) to fix the substrate (3) with vacuum pressure; A lower support 7 for supporting the substrate support 4; Tilting means (5) for connecting the central area of the substrate support (4) to be freely tilted forwardly on the lower support (7); A motor 8 for moving the lower support 7; And a control unit (not shown) for controlling the motor 8. The method of controlling the substrate balance by controlling the torque of the motor, wherein the stamp 2 is fixed to the upper support 1 by vacuum pressure. Fixing the substrate 3 to the substrate support 4 facing the upper support 1 by vacuum pressure; Controlling the motor 8 to move the tilting means 5, the substrate support 4, and the substrate 3 provided on the lower support 7 and the lower support 7 to the upper support 1 side; ; And finely driving the motor 8 in a state where the substrate 3 and the stamp 2 are in soft contact so that the tilting means 5 equilibrates between the substrate 3 and the stamp 2. Characterized in that it comprises a.

이하, 첨부 도면에 도시된 본 발명의 일 실시예를 통해 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail through an embodiment of the present invention shown in the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 토크 제어를 이용한 기판 평형도 제어 장치의 개략적인 단면도이고, 도 3 내지 도 4는 도 2에 도시한 토크 제어를 이용한 기판 평형도 제어 장치의 작업 공정을 나타내는 개략적인 단면도이다.FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a substrate balance control device using torque control according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 3 to 4 illustrate a process of operating the substrate balance control device using the torque control shown in FIG. 2. It is a schematic sectional drawing which shows.

도 2에서, 본 실시예의 토크 제어를 이용한 기판 평형도 제어 장치는 나노 임프린트 리소그래피 공정에서 스탬프(2)와 기판(3)을 미세하게 정렬시키기 위한 장치이다. 이 장치는, 스탬프(2)를 진공압으로 고정하기 위한 상부 지지대(1); 상부 지지대(1)과 마주보는 위치에 설치되어 기판(3)을 진공압으로 고정하기 위한 기판 지지대(4); 기판 지지대(4)를 지지하기 위한 하부 지지대(7); 기판 지지대(4)의 중심영역을 하부 지지대(7) 상에 전방향으로 자유롭게 틸팅될 수 있도록 연결하기 위한 틸팅 수단(5); 하부 지지대(7)를 이동시키기 위한 모터(8); 및 모터(8)를 제어하기 위한 제어부(미도시)로 이루어진다.In Fig. 2, the substrate balance control apparatus using torque control of the present embodiment is a device for finely aligning the stamp 2 and the substrate 3 in the nanoimprint lithography process. The apparatus comprises an upper support 1 for fixing the stamp 2 with vacuum pressure; A substrate support (4) installed at a position facing the upper support (1) to fix the substrate (3) with vacuum pressure; A lower support 7 for supporting the substrate support 4; Tilting means (5) for connecting the central area of the substrate support (4) to be freely tilted forwardly on the lower support (7); A motor 8 for moving the lower support 7; And a controller (not shown) for controlling the motor 8.

틸팅 수단(5)은 하부 지지대(7)의 상측에 형성된 진공 포트(6) 상에 놓이며, 진공 포트(6)와 틸팅 수단(5)은 정수압의 원리를 통해 하부 지지대(7)에 인가되는 힘을 기판 지지대(4)로 균일하게 전달하게 된다. 이에 따라 기판 지지대(4)는 하부 지지대(7) 상에서 방향과 각도에 제한받지 않고 자유로이 틸팅되므로 기판 지지대(4) 상의 기판(2)이 스탬프(2)와 접촉하게 되면 기판 지지대(4)가 평형 상태를 유 지하도록 기판 지지대(4)의 위치가 보정된다. 이어서 진공 포트(5)가 진공압으로 틸팅 수단(5)을 고정하게 되면, 이후 기판 지지대(4)가 이동하더라도 평형 상태가 계속 유지된다.The tilting means 5 is placed on the vacuum port 6 formed above the lower support 7, and the vacuum port 6 and the tilting means 5 are applied to the lower support 7 via the principle of hydrostatic pressure. Force is uniformly transmitted to the substrate support 4. Accordingly, since the substrate support 4 is freely tilted on the lower support 7 without being restricted in direction and angle, the substrate support 4 is in equilibrium when the substrate 2 on the substrate support 4 comes into contact with the stamp 2. The position of the substrate support 4 is corrected to maintain the state. Subsequently, when the vacuum port 5 fixes the tilting means 5 with vacuum pressure, the equilibrium state is maintained even after the substrate support 4 is moved.

이하에서는 본 실시예의 토크 제어를 이용한 기판 평형도 제어 장치를 사용하여 스탬프의 패턴을 기판에 전사하는 공정을 설명한다.Hereinafter, the process of transferring the pattern of a stamp to a board | substrate using the board | substrate balance control apparatus using the torque control of a present Example is demonstrated.

도 2와 같이, 상부 지지대(1)의 하면에 스탬프(2)를 위치시키면, 제어부(미도시)는 상부 지지대(1)을 가동하여 스탬프(2)를 고정한다. 제어부는 토크 제어를 이용한 기판 평형도 제어 장치의 동작을 전반적으로 제어하며, 전용 또는 범용의 메모리, 마이크로프로세서 및 관련 서보기구들로 구성된다. 상부 지지대(1)에는 다수의 가스 홀로 구성된 포트(미도시)가 제공될 수 있으며, 제어부에 의한 가스압의 조절(예컨대, 흡입)을 통해 스탬프(2)가 상부 지지대(1)에 고정될 수 있다.As shown in FIG. 2, when the stamp 2 is positioned on the lower surface of the upper support 1, the controller (not shown) operates the upper support 1 to fix the stamp 2. The control unit generally controls the operation of the substrate balance control device using torque control, and is composed of a dedicated or general-purpose memory, a microprocessor and related servo mechanisms. The upper support 1 may be provided with a port (not shown) composed of a plurality of gas holes, and the stamp 2 may be fixed to the upper support 1 by adjusting the gas pressure (eg, suction) by the control unit. .

이어서, 기판 지지대(4)의 상면에 기판(3)을 올려놓으면, 제어부가 기판 지지대(4)를 가동하여 기판(3)을 고정한다. 기판(3) 상에는 PMMA 등의 열가소성 폴리머가 미리 코팅되어 레지스트 층을 형성할 수 있다. 기판 지지대(4)의 경우에도 다수의 가스 홀로 구성된 포트(미도시)가 제공될 수 있으며, 제어부에 의한 가스압의 조절(예컨대, 흡입)을 통해 기판(3)이 기판 지지대(4)에 고정될 수 있다.Subsequently, when the board | substrate 3 is mounted on the upper surface of the board | substrate support 4, the control part moves the board | substrate support 4, and fixes the board | substrate 3 to it. On the substrate 3, a thermoplastic polymer such as PMMA may be coated in advance to form a resist layer. In the case of the substrate support 4, a port (not shown) including a plurality of gas holes may be provided, and the substrate 3 may be fixed to the substrate support 4 by adjusting the gas pressure (eg, suction) by the controller. Can be.

스탬프(2)와 기판(3)이 각기 고정된 상태에서, 도 3과 같이 제어부가 모터(8)를 가동하여 하부 지지대(7)를 상부 지지대(1) 측으로 이동시킨다. 하부 지지대(7)의 이동에 따라 하부 지지대(7) 상에 구비된 틸팅 수단(5), 기판 지지대(4) 및 기판(3)이 함께 이동되는데, 이때 기판(3)과 스탬프(5) 사이에 평형이 완전하게 이루어지지 않은 초기이므로 도 3과 같이 기판(3)이 기울어진 채로 이동하게 된다.In a state where the stamp 2 and the substrate 3 are fixed, the control unit operates the motor 8 to move the lower support 7 to the upper support 1 side as shown in FIG. 3. As the lower support 7 moves, the tilting means 5, the substrate support 4, and the substrate 3 provided on the lower support 7 move together, wherein the substrate 3 and the stamp 5 are moved together. Since the initial equilibrium is not completely achieved, the substrate 3 moves inclined as shown in FIG. 3.

이어서, 기판(3)의 적어도 일부가 스탬프(2)의 적어도 일부에 접촉한 상태, 즉, 소프트 컨택 상태에서 모터(8)를 미세하게 좀 더 구동하면, 틸팅 수단((5)에 의해 기판 지지대(4)가 정수압의 원리에 의해 하부 지지대(7) 상에서 전방향으로 자유롭게 틸팅되면서, 도 4에서와 같이 기판(3)과 스탬프(2) 사이 및 상부 지지대(1)과 기판 지지대(4) 사이에 평형이 이루어지게 되고, 기판(3)과 스탬프(2)가 완전하게 접촉 즉, 하드 컨택 및 정렬된다.Subsequently, when the motor 8 is driven slightly further in a state in which at least a part of the substrate 3 is in contact with at least a part of the stamp 2, that is, in a soft contact state, the substrate support is supported by the tilting means 5. 4 is freely tilted forwardly on the lower support 7 by the principle of hydrostatic pressure, as shown in FIG. 4, between the substrate 3 and the stamp 2 and between the upper support 1 and the substrate support 4. The substrate 3 and the stamp 2 are in perfect contact, i.e., hard contact and aligned.

도 5는 상기 실시예에서의 기판 평형도 제어 방법의 각 단계에서의 모터 토크 변화를 도시하고 있다.Fig. 5 shows the motor torque change at each step of the substrate balance control method in the above embodiment.

도 5에서, A 단계는 모터(8)의 무부하 상태로서, 도 2에 도시된 바와 같이 하부 지지대(7)를 이동시키기 전의 모터(8)의 토크를 도시하고 있다.In FIG. 5, step A is the no-load state of the motor 8, which shows the torque of the motor 8 before moving the lower support 7 as shown in FIG. 2.

B 단계는 모터(8)가 하부 지지대(7)를 이동시켜 도 3의 소프트 컨택 상태가 되기 직전까지의 모터(8)의 토크를 도시하고 있으며, A 단계에 비해 모터(8)의 토크가 증가했음을 볼 수 있다.Step B shows the torque of the motor 8 until just before the motor 8 moves the lower support 7 to the soft contact state of FIG. 3, and the torque of the motor 8 increases compared to the step A. You can see that.

C 단계는 도 3의 소프트 컨택을 형성한 후부터 도 4의 하드 컨택이 이루어지기까지의 모터(8)의 토크를 도시하고 있으며, B 단계에 비해 모터(8)의 토크가 크게 증가했음을 볼 수 있다.Step C shows the torque of the motor 8 from the soft contact of FIG. 3 to the hard contact of FIG. 4, and it can be seen that the torque of the motor 8 increased significantly compared to the B step. .

본 발명에서는 자중에 의한 토크 부하량의 값이 테스트를 통해 설정되는 특징이 있다. 예를 들어, 모터(8)의 무부하 토크를 T0, 최대 토크 부하량을 Tmax라 하고, 소프트 컨택이 형성되기 전 상태인 B 단계에서의 토크 부하량을 T1, 소프트 컨택후 하드 컨택이 이루어지기까지의 토크 부하량을 T2라 할 때, T0, Tmax는 모터의 제원에 의해 주어지지만 T1, T2는 기판 재료, 크기 등에 따라 다르게 결정된다.In the present invention, the value of the torque load due to its own weight is set through a test. For example, the no-load torque of the motor 8 is T0 and the maximum torque load amount is Tmax, and the torque load amount in the stage B before the soft contact is formed is T1 and the torque until the hard contact is made after the soft contact. When the load amount is T2, T0 and Tmax are given by the specifications of the motor, but T1 and T2 are determined differently depending on the substrate material, size, and the like.

복수의 테스트를 통해 주어진 기판에 적합한 T1, T2 값을 결정할 수 있으며, 이때 본 발명의 기판 평형도 제어 장치의 오동작 방지를 위해서는 T1과 T2 값의 범위가 중복되지 않고 상당한 차이가 있어야 한다. 즉, T0 ≪ T1 ≪ T2 < Tmax 이어야 한다. 예컨대, 소프트 컨택이 형성되기 전의 B 단계에서의 부하량의 범위 T1을 200 ~ 700[N·m] 정도로 세팅하고, C 단계에서 하드 컨택했을 때 모터를 정지 시키라는 신호를 주기 위한 부하량 T2를 1500[N·m]으로 설정함으로써, 각 단계마다 부하량의 범위 차이를 확연히 두어 제어시에 에러가 일어나지 않도록 하는 것이 바람직하다.Through a plurality of tests, it is possible to determine T1 and T2 values suitable for a given substrate. In this case, in order to prevent malfunction of the substrate balance control apparatus of the present invention, the ranges of T1 and T2 values do not overlap and there must be considerable difference. That is, T0 <T1 <T2 <Tmax. For example, the load range T1 in the B stage before the soft contact is formed is set to about 200 to 700 [N · m], and the load amount T2 for signaling the motor to stop when the hard contact is made in the C stage is set to 1500 [. N · m], it is preferable to make the difference in the range of the load amount significantly in each step so that an error does not occur at the time of control.

이상의 실시예에서 설명한 바와 같이 본 발명의 토크 제어를 이용한 기판 평형도 제어 방법 및 장치는, 스탬프 또는 기판이 장착된 지지대를 이동시키기 위한 모터의 토크를 제어하기 때문에, 스탬프와 기판의 정렬 오차를 효과적으로 감소시키고 보다 정확한 소프트 컨택을 형성할 수 있으며, 이에 따라 패턴의 변형이 방지된다.As described in the above embodiments, the method and apparatus for controlling the substrate balance using the torque control of the present invention effectively control the torque of the motor for moving the support on which the stamp or substrate is mounted, thereby effectively reducing the alignment error between the stamp and the substrate. Can be reduced and more accurate soft contacts can be formed, thereby avoiding deformation of the pattern.

또한, 본 발명의 토크 제어를 이용한 기판 평형도 제어 방법 및 장치는, 스탬프 또는 기판이 장착된 지지대를 이동시키기 위한 모터의 토크를 제어하기 때문에, 기판과 스탬프의 두께 변화에 따른 불필요한 변수 입력 단계를 제거할 수 있으 므로 전체 공정 효율이 제고된다.In addition, the substrate balance control method and apparatus using the torque control of the present invention, because it controls the torque of the motor for moving the stamp or the support on which the substrate is mounted, the unnecessary variable input step according to the thickness change of the substrate and the stamp Elimination can increase overall process efficiency.

또한, 본 발명의 토크 제어를 이용한 기판 평형도 제어 방법 및 장치에 따르면, 스탬프와 기판의 접촉시에 정렬 오차가 감소되고 평형이 유지되어, 이후의 공정에 따라 스탬프와 기판이 이격되어야 하는 경우에도 스탬프와 기판이 평형 상태를 유지하면서 이격될 수 있다.In addition, according to the method and apparatus for controlling the substrate balance using the torque control of the present invention, when the contact between the stamp and the substrate, the alignment error is reduced and the equilibrium is maintained, so that the stamp and the substrate must be spaced according to a subsequent process. The stamp and substrate may be spaced apart while maintaining equilibrium.

본 발명의 토크 제어를 이용한 기판 평형도 제어 장치와 방법은 나노 임프린트 리소그래피, 포토 리소그래피 등의 공정에서 임의의 두 기판의 평형도를 유지하기 위해 컨택이 이루어진 후 컨택된 위치값을 0으로 하여 특정값만큼 기판 사이에 갭을 주어야 하는 경우에 다양하게 이용될 수 있다,Substrate balance control apparatus and method using the torque control of the present invention is a specific value by setting the contact position to 0 after the contact is made to maintain the balance of any two substrates in a process such as nanoimprint lithography, photolithography, etc. As long as it is necessary to give a gap between the substrate can be used in various ways,

이상에서는 본 발명을 특정의 실시예를 이용하여 도시하고 설명하였으나, 당업자는 특허청구의 범위에서 청구하는 본 발명의 범위를 벗어나지 않는 한 본 발명을 다양하게 변형하고 개량할 수 있을 것이다. While the invention has been shown and described with reference to specific embodiments, those skilled in the art will be able to make various modifications and improvements to the invention without departing from the scope of the invention as claimed in the claims.

Claims (6)

삭제delete 전사될 패턴이 형성된 스탬프;A stamp in which a pattern to be transferred is formed; 상기 스탬프를 진공압으로 고정하기 위한 상부 지지대;An upper support for fixing the stamp with a vacuum pressure; 상기 상부 지지대와 마주보는 위치에 설치되어 기판을 진공압으로 고정하기 위한 기판 지지대;A substrate support installed at a position facing the upper support to fix the substrate by vacuum pressure; 상기 기판 지지대를 지지하기 위한 하부 지지대;A lower support for supporting the substrate support; 상기 기판 지지대와 상기 하부 지지대 사이에 구비되어 상기 기판 지지대를 상기 하부 지지대 상에 전방향으로 자유롭게 틸팅될 수 있도록 연결하는 틸팅 수단;Tilting means provided between the substrate support and the lower support to connect the substrate support freely tiltable on the lower support in all directions; 상기 하부 지지대를 이동시키기 위한 모터; 및A motor for moving the lower support; And 상기 모터를 제어하기 위한 제어부를 포함하며,A control unit for controlling the motor, 상기 제어부는 상기 모터에 걸리는 부하에 따라 상기 모터의 토크를 제어하며,The control unit controls the torque of the motor in accordance with the load on the motor, 상기 하부 지지대의 상측에는 진공 포트가 형성되어 있으며,The upper side of the lower support is formed with a vacuum port, 상기 틸팅 수단은 상기 진공 포트 상에 놓이며,The tilting means lies on the vacuum port, 상기 진공 포트와 상기 틸팅 수단은 정수압의 원리를 통해 상기 하부 지지대에 인가되는 힘을 상기 기판 지지대로 균일하게 전달하는 것을 특징으로 하는 토크 제어를 이용한 기판 평형도 제어 장치.And said vacuum port and said tilting means uniformly transmit a force applied to said lower support to said substrate support through the principle of hydrostatic pressure. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 토크 제어를 이용한 기판 평형도 제어 장치는 나노 임프린트 리소그래피 장비인 것을 특징으로 하는 토크 제어를 이용한 기판 평형도 제어 장치.The substrate balance control apparatus using the torque control is a substrate imbalance control apparatus using torque control, characterized in that the nanoimprint lithography equipment. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 토크 제어를 이용한 기판 평형도 제어 장치는 정밀 웨이퍼 정렬 시스템에 적용되는 것을 특징으로 하는 토크 제어를 이용한 기판 평형도 제어 장치.The substrate balance control device using the torque control is applied to a precision wafer alignment system, the substrate balance control device using torque control. 전사될 패턴이 형성된 스탬프, 상기 스탬프를 진공압으로 고정하기 위한 상부 지지대, 상기 상부 지지대와 마주보는 위치에 설치되어 기판을 진공압으로 고정하기 위한 기판 지지대, 상기 기판 지지대를 지지하기 위한 하부 지지대, 상기 기판 지지대와 상기 하부 지지대 사이에 구비되어 상기 기판 지지대를 상기 하부 지지대 상에 전방향으로 자유롭게 틸팅될 수 있도록 연결하는 틸팅 수단, 상기 하부 지지대를 이동시키기 위한 모터 및 상기 모터를 제어하기 위한 제어부를 포함하는 기판 평형도 제어 장치에서 토크 제어를 이용하여 기판 평형도를 제어하는 방법으로서,A stamp having a pattern to be transferred, an upper support for fixing the stamp with a vacuum pressure, a substrate support for fixing the substrate with a vacuum pressure at a position facing the upper support, a lower support for supporting the substrate support, A tilting means provided between the substrate support and the lower support so as to freely tilt the substrate support on the lower support in all directions, a motor for moving the lower support, and a control unit for controlling the motor. A method of controlling substrate balance using torque control in a substrate balance control apparatus comprising: 상기 상부 지지대에 진공압으로 상기 스탬프를 고정하고, 상기 기판 지지대에 진공압으로 상기 기판을 고정하는 단계;Fixing the stamp to the upper support by vacuum pressure, and fixing the substrate to the substrate support by vacuum pressure; 상기 제어부가 상기 모터를 구동하여 상기 하부 지지대와 상기 하부 지지대 상에 구비된 상기 틸팅 수단, 상기 기판 지지대 및 상기 기판을 상기 상부 지지대 측으로 이동시키는 단계; 및Driving the motor by the controller to move the tilting means, the substrate support, and the substrate provided on the lower support and the lower support to the upper support; And 상기 기판과 상기 스탬프가 소프트 컨택을 이루는 상태에서 상기 모터를 미세하게 구동하여 상기 틸팅 수단으로 하여금 상기 기판과 상기 스탬프 사이에 평형을 이루도록 하는 단계를 포함하며,Finely driving the motor in a state where the substrate and the stamp make soft contacts, thereby causing the tilting means to equilibrate between the substrate and the stamp, 상기 제어부는 상기 각 단계에서 상기 모터에 걸리는 부하에 따라 상기 모터의 토크를 제어하는 것을 특징으로 하는 토크 제어를 이용한 기판 평형도 제어 방법.And the control unit controls torque of the motor according to the load applied to the motor in each step. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, 상기 제어부의 모터 토크 제어 단계는 A, B, C 단계를 포함하며,The motor torque control step of the control unit includes A, B, C steps, 상기 A 단계는 상기 모터가 상기 하부 지지대에 동력을 인가하기 전의 무부하 상태로서, 상기 모터의 토크는 무부하 상태의 토크 T0이며,Step A is a no-load state before the motor is applied to the lower support, the torque of the motor is a torque T0 of no-load state, 상기 B 단계는 상기 모터가 상기 하부 지지대를 이동시켜 상기 스탬프와 상기 기판이 접촉하기 전까지의 상태로서, 상기 A 단계에 비해 상기 모터의 토크가 T1으로 증가하며,The step B is a state until the motor moves the lower support to contact the stamp and the substrate, the torque of the motor is increased to T1 compared to the step A, 상기 C 단계는 상기 스탬프와 상기 기판이 점차 접촉하기 시작하여 완전히 접촉되고, 상기 모터에 소정의 부하가 걸릴 때까지 상태로서, 상기 B 단계에 비해 상기 모터의 토크가 T2로 증가하며,The step C is a state in which the stamp and the substrate gradually contact each other and completely contact each other, until the predetermined load is applied to the motor, and the torque of the motor increases to T2 compared to the step B, T0 ≪ T1 ≪ T2 인 것을 특징으로 하는 토크 제어를 이용한 기판 평형도 제 어 방법.T0 << T1 << T2 The substrate balance control method using the torque control characterized by the above-mentioned.
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KR20050072196A (en) * 2004-01-06 2005-07-11 한국기계연구원 A nano imprint lithography system

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