KR100759447B1 - Flat display panel and preparing method of same - Google Patents

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신혜원
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Abstract

본 발명은 평판 표시 장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 상기 평판 표시 장치는 서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판, 상기 제1 기판과 제2 기판 사이의 공간에 배치되어 방전 셀들을 구획하는 격벽들, 상기 각 방전 셀 내에 형성되는 형광체층, 상기 제2 기판에서 일방향을 따라 형성되는 어드레스 전극들, 상기 제2 기판에서 어드레스 전극들을 덮으며 형성되는 제2 유전층, 상기 제1 기판에서 상기 어드레스 전극과 교차하는 방향을 따라 형성되며, 상기 각 방전 셀에서 적어도 한 쌍이 대향하여 형성되는 표시 전극들 및 상기 제1 기판에서 표시 전극들을 덮으며 형성되는 제1 유전층을 포함하며, 상기 제1 유전층상에 실리카 표면처리된 탄소계 물질을 포함하는 전자 증폭층이 형성된다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a flat panel display and a method of manufacturing the flat panel display, wherein the flat panel display is disposed in a space between the first and second substrates facing each other, and is spaced between the first and second substrates to partition discharge cells. Barrier ribs, a phosphor layer formed in each of the discharge cells, address electrodes formed along one direction on the second substrate, a second dielectric layer covering the address electrodes on the second substrate, and the address on the first substrate. And a first dielectric layer formed along the direction crossing the electrodes, the display electrodes being formed to face each other at least one pair in the discharge cells, and covering the display electrodes on the first substrate. An electron amplification layer including a silica-treated carbon-based material is formed.

본 발명에 따른 평판 표시 장치는, 공정중 탄소계 물질의 산화 없이 용이하게 전자 증폭층의 형성이 가능하고, 평판 표시 장치 내부에서의 이온에 의한 2차 전자 방출 계수가 증대되어 방전 특성 및 휘도 특성을 현저히 향상시킬 수 있다.In the flat panel display device according to the present invention, the electron amplification layer can be easily formed without oxidation of a carbonaceous material during the process, and the secondary electron emission coefficient due to the ions inside the flat panel display device is increased, resulting in discharge characteristics and luminance characteristics. Can be significantly improved.

플라즈마 디스플레이, 유전층, 탄소계 물질, 전자 증폭층, 휘도, 방전 효율 Plasma display, dielectric layer, carbonaceous material, electron amplification layer, brightness, discharge efficiency

Description

평판 표시 장치 및 그 제조방법{FLAT DISPLAY PANEL AND PREPARING METHOD OF SAME}Flat display device and manufacturing method therefor {FLAT DISPLAY PANEL AND PREPARING METHOD OF SAME}

도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 평판 표시 장치를 개략적으로 도시한 분해 사시도이고,1 is an exploded perspective view schematically showing a flat panel display device according to an embodiment of the present invention;

도 2는 실시예 1에서의 실리카 표면 처리된 카본 나노 튜브를 나타낸 SEM 사진이다.FIG. 2 is a SEM photograph showing the carbon nanotubes treated with silica in Example 1. FIG.

도 3은 실시예 3에서의 실리카 표면 처리된 카본 나노 튜브를 나타낸 SEM 사진이다.FIG. 3 is a SEM photograph showing the carbon nanotubes treated with silica in Example 3. FIG.

[기술분야][Technical Field]

본 발명은 우수한 방전 특성 및 휘도 특성을 나타내는 평판 표시 장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a flat panel display having excellent discharge characteristics and luminance characteristics, and a manufacturing method thereof.

[종래기술][Private Technology]

표시 장치는 크게 CRT(Cathod Ray Tube)와 FDP(Flat Display Panel)로 나눌수 있다. FDP는 브라운관과 같은 CRT에 비해 두께가 얇고, 휴대가 간편하며 소모 전력이 작아서 브라운관을 대체할 수 있는 대표적인 표시 장치로 부각되고 있다.Display devices can be broadly classified into a cathode ray tube (CRT) and a flat display panel (FDP). Compared to CRTs such as CRTs, FDP is becoming a representative display device that can replace CRTs due to its thickness, portability, and low power consumption.

FDP는 크게 액정표시장치(Liquid Crystal Display, 이하 LCD라 함)와 플라즈마 표시 패널(Plasma Display Panel, 이하 PDP라 함), 장 방출 표시 장치(Field Emission Display) 등으로 나눌 수 있는데, LCD는 대화면을 형성하기 어려운 반면, PDP는 대화면 형성에 유리하여 LCD의 단점을 보완하면서도 휘도 향상을 꾀할 수 있는 광 증배기 튜브(Photo Multiplier Tube, 이하 PMT라 함)와 마이크로 채널판(MicroChannel Plate, 이하 MCP라 함)과 같은 광 증폭 소자를 구비한다.FDP can be classified into liquid crystal display (LCD), plasma display panel (PDP), and field emission display (LCD). While it is difficult to form, PDP is called Photo Multiplier Tube (PMT) and MicroChannel Plate (MCP), which can improve the brightness while compensating for the LCD's disadvantages due to the formation of a large screen. An optical amplification element such as) is provided.

이중에서 PDP는 기체방전을 통하여 얻어진 플라즈마로부터 방사되는 진공자외선(VUV: Vacuum Ultra-Violet)이 형광체를 여기시킴으로서 발생되는 적(R), 녹(G), 청(B)의 가시광을 이용하여 영상을 구현하는 디스플레이 소자이다. 이러한 PDP는 60인치 이상의 초대형 화면을 불과 10㎝ 이내의 두께로 구현할 수 있고, CRT와 같은 자발광 디스플레이 소자이므로 색재현력 및 시야각에 따른 왜곡현상이 없는 특성을 가지며, 또한 LCD 등에 비해 제조공법이 단순하여 생산성 및 원가 측면에서도 강점을 갖는 TV 및 산업용 평판 디스플레이로 각광 받고 있다.Among them, PDP uses the visible light of red (R), green (G) and blue (B) generated by vacuum ultraviolet (VUV: Vacuum Ultra-Violet) emitted from the plasma obtained through gas discharge to excite the phosphor. It is a display element to implement. The PDP can realize a 60-inch or larger screen with a thickness of only 10 cm or less, and since it is a self-luminous display device such as a CRT, it has no characteristic of distortion due to color reproduction and viewing angle, and also has a simple manufacturing method compared to LCD. It is gaining attention as a TV and industrial flat panel display that have strengths in terms of productivity and cost.

상기와 같은 PDP는 방전 셀 내에서 플라즈마에 의하여 분리된 이온이 충돌되었을 때 이차전자의 방출량을 증대시켜 휘도를 향상시킬 것이 요구되며, 이를 위하여 카본 나노 튜브(carbon nano tube)를 이용하는 기술들이 많이 개발되고 있다. The PDP is required to improve the brightness by increasing the emission amount of secondary electrons when the ions separated by the plasma in the discharge cell collided, for this purpose, many technologies using carbon nanotubes have been developed. It is becoming.

한국 특허 출원 제2001-0077686호는 2차 전자 방출을 극대화하고, 휘도 향상 및 구동 전압의 감소시키기 위하여 카본 나노 튜브를 사용하여 2차 전자 증폭 구조체를 형성하여 포함하는 플라즈마 표시 패널에 대해 개시하고 있으며, 한국 특허출 원 제2002-0036888호는 카본 나노 튜브를 이용한 전자 증폭 적층물을 구비한 평판 표시 장치 및 그 제조 방법에 관해 개시하고 있다.Korean Patent Application No. 2001-0077686 discloses a plasma display panel including forming a secondary electron amplifying structure using carbon nanotubes to maximize secondary electron emission, improve luminance, and reduce driving voltage. , Korean Patent Application No. 2002-0036888 discloses a flat panel display device having an electron amplifying laminate using carbon nanotubes and a method of manufacturing the same.

본 발명의 목적은 우수한 방전 특성 및 휘도 특성을 나타내는 평판 표시 장치를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a flat panel display device which exhibits excellent discharge characteristics and luminance characteristics.

본 발명의 또 다른 목적은 상기 평판 표시 장치의 제조방법을 제공하는 것이다. Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing the flat panel display.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판, 상기 제1 기판과 제2 기판 사이의 공간에 배치되어 방전 셀들을 구획하는 격벽들, 상기 각 방전 셀 내에 형성되는 형광체층, 상기 제2 기판에서 일방향을 따라 형성되는 어드레스 전극들, 상기 제2 기판에서 어드레스 전극들을 덮으며 형성되는 제2 유전층, 상기 제1 기판에서 상기 어드레스 전극과 교차하는 방향을 따라 형성되며, 상기 각 방전 셀에서 적어도 한 쌍이 대향하여 형성되는 표시 전극들, 및 상기 제1 기판에서 표시 전극들을 덮으며 형성되는 제1 유전층을 포함하며, 상기 제1 유전층상에 실리카 표면처리된 탄소계 물질을 포함하는 전자 증폭층이 형성되는 평판 표시 장치를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a first substrate and a second substrate disposed to face each other, partition walls disposed in the space between the first substrate and the second substrate to partition the discharge cells, formed in each discharge cell A phosphor layer, an address electrode formed along one direction on the second substrate, a second dielectric layer formed covering the address electrodes on the second substrate, and formed along a direction crossing the address electrode on the first substrate; At least one pair of display electrodes facing each other in the discharge cells, and a first dielectric layer covering the display electrodes on the first substrate, wherein the carbon-based material is silica-treated on the first dielectric layer. Provided is a flat panel display including an electron amplification layer formed thereon.

바람직하게는 상기 평판 표시 장치는 플라즈마 디스플레이 패널(PDP)이다.Preferably, the flat panel display is a plasma display panel (PDP).

상기 전자 증폭층은 제1 유전층의 전면에 형성될 수도 있고, 제1 유전층위 표시 전극 형성 영역에 대응하는 부분에 형성될 수도 있다. 또한 상기 전자 증폭 층은 방전 셀에 노출되는 것이 바람직하다. The electron amplification layer may be formed on the entire surface of the first dielectric layer, or may be formed on a portion corresponding to the display electrode formation region on the first dielectric layer. In addition, the electron amplification layer is preferably exposed to the discharge cell.

상기 실리카 표면처리된 탄소계 물질은 제1 유전층 상에서 방전 셀을 향하여 배열되는 것이 바람직하며, 상기 탄소계 물질로는 카본 나노 튜브, 그래파이트 나노 파이버, 카본 나노 파이버, 카본 나노 팁 및 카본 나노 로드로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 것을 사용할 수 있다.The silica surface-treated carbon-based material is preferably arranged toward the discharge cell on the first dielectric layer, and the carbon-based material includes carbon nanotubes, graphite nanofibers, carbon nanofibers, carbon nanotips, and carbon nanorods. One or more selected from the group can be used.

상기 평판 표시 장치는 상기 제1 유전층상에 불화물막 및 산화물막으로 이루어진 군에서 선택되는 1층 이상의 보호막을 더 포함할 수 있으며, 보다 바람직하게는 MgO, MgF2, CaF2, LiF, Al2O3, ZnO, CaO, SrO, SiO2 및 La2O3로 이루어진 군에서 선택되는 1층 이상의 보호막을 더 포함할 수도 있다. The flat panel display may further include at least one protective film selected from the group consisting of a fluoride film and an oxide film on the first dielectric layer, more preferably MgO, MgF 2 , CaF 2 , LiF, Al 2 O 3 , ZnO, CaO, SrO, SiO 2 and La 2 O 3 It may further include at least one protective film selected from the group consisting of.

본 발명은 또한 제1 기판용 기판위에 표시 전극을 형성하는 단계, 상기 제1 기판상에 상기 표시 전극을 덮는 제1 유전층을 형성하는 단계, 상기 제1 유전층상에 실리카 표면처리된 탄소계 물질을 포함하는 전자 증폭층을 형성하여 제1기판을 제조하는 단계, 제2 기판용 기판위에 어드레스 전극을 형성하는 단계, 상기 제2 기판상에 상기 어드레스 전극을 덮는 제2 유전층을 형성하고, 상기 어드레스 전극 사이의 상기 제2 유전층상에 방전 셀을 구획하는 격벽을 형성하는 단계, 상기 방전 셀 내에 형광체층을 형성하여 제2기판을 제조하는 단계, 및 상기 형성된 제1 기판 및 제2 기판을 상호 봉착, 배기 및 밀봉하는 단계를 포함하는 평판 표시 장치의 제조방법을 제공한다.The present invention also provides a method of forming a display electrode on a substrate for a first substrate, forming a first dielectric layer covering the display electrode on the first substrate, and depositing a silica-based carbon-based material on the first dielectric layer. A method of manufacturing a first substrate by forming an electron amplification layer, including forming an address electrode on a substrate for a second substrate, forming a second dielectric layer covering the address electrode on the second substrate, and forming the address electrode. Forming a partition wall partitioning a discharge cell on the second dielectric layer therebetween, forming a phosphor layer in the discharge cell to manufacture a second substrate, and sealing the formed first substrate and the second substrate to each other; It provides a method of manufacturing a flat panel display device comprising the step of evacuating and sealing.

상기 실리카 표면처리된 탄소계 물질로는 졸-겔 법 또는 중합-겔 법에 의해 제조된 것을 사용하는 것이 바람직하다. The silica-based carbon-based material is preferably prepared by the sol-gel method or polymerization-gel method.

상기 전자 증폭층 형성 단계는 상기 제1 유전층 상에 실리카 표면 처리된 탄소계 물질을 플렌팅하여 전자 증폭층을 형성할 수 있다. In the forming of the electron amplification layer, an electron amplification layer may be formed by plying a silica-based carbon-based material on the first dielectric layer.

상기 제조 방법은 또한 상기 전자 증폭층 형성 후 불화물막 및 산화물막으로 이루어진 군에서 선택되는 1층 이상의 보호막을 형성하는 단계를 더 포함할 수도 있다.The manufacturing method may further include forming at least one protective film selected from the group consisting of a fluoride film and an oxide film after the electron amplification layer is formed.

이하 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail.

평판 표시 장치는 기판 상에 격벽을 형성하여 플라즈마 방전 셀을 만들어 방전함으로써 영상을 표시하게 된다. 일반적으로 평판 표시 장치는 방전 셀 내에서 2차 전자를 방출하여 전극들 간에 인가되는 방전 전압을 낮추고, 또한 패널 내부에 있는 전극을 보호하기 위하여 MgO 등을 포함하는 보호막을 포함하고 있다. 그러나, 평판 표시 장치에 사용되는 보호막은 2차 전자 방출 계수가 낮기 때문에 2차 전자 증폭율이 낮다. 이와 같이 낮은 2차 전자 증폭율은 방전 전압 증가 및 휘도 저하의 원인이 된다.A flat panel display displays an image by forming a barrier rib on a substrate to form a plasma discharge cell and discharge the same. In general, a flat panel display includes a protective film including MgO to discharge secondary electrons in a discharge cell to lower the discharge voltage applied between the electrodes and to protect the electrodes inside the panel. However, the protective film used for the flat panel display device has a low secondary electron emission coefficient because of its low secondary electron emission coefficient. Such a low secondary electron amplification factor causes an increase in discharge voltage and a decrease in luminance.

이와 같은 문제를 해결하기 위하여, 카본 나노 튜브(carbon nano tube)를 이용하여 평판 표시 장치의 방전 셀 내 플라즈마에 의해 분리된 이온 충돌에 의한 2차 전자의 방출량을 증대시키기도 한다. 카본 나노 튜브는 종횡비(aspect ratio)가 높고(예, 직경 수 nm에 대하여 길이 수 미크론 m 정도), 금속 내지 반도체적인 성질을 갖기 때문에, 카본 나노 튜브의 선단 부분에는 전계가 집중하기 쉽다. 또한, 카본 나노 튜브는 저항이 매우 낮기 때문에 상기 전극에 낮은 구동 전압을 인 가하여도 강전계가 인가되는 만큼의 전자의 방출을 유도할 수 있다. 이에 따라 많은 양의 플라즈마 방전을 얻을 수 있으며, 또한 형성된 방전이 안정화되기 쉽다. 또한 카본 나노 튜브는 기계적 강도가 크고, 화학적 내성이 강하며, 수명이 길다. 따라서 카본 나노 튜브와 같은 2차 전자 증폭 수단을 평판 표시 장치에 적용하면, 평판 표시 장치 내부에서의 이온에 의한 2차 전자 방출 계수가 증대되므로 우수한 휘도 특성, 발광 효율을 얻을 수 있다. 또한, 방전 전압, 특히 어드레스 전압을 감소시킬 수 있으며, 이에 따라 소비 전력 및 드리이버(driver)IC의 구동전압을 낮출 수 있어 보다 염가의 저전압 IC를 사용할 수 있기 때문에, 저비용인 플라즈마 디스플레이를 제작할 수 있다.In order to solve such a problem, a carbon nano tube may be used to increase the emission amount of secondary electrons due to ion collision separated by plasma in a discharge cell of a flat panel display. Since carbon nanotubes have a high aspect ratio (for example, about several microns in length with respect to several nm in diameter) and have metallic or semiconducting properties, electric fields tend to concentrate on the tip portion of the carbon nanotubes. In addition, since the carbon nanotube has a very low resistance, even when a low driving voltage is applied to the electrode, the carbon nanotube may induce the emission of electrons as much as a strong electric field is applied. As a result, a large amount of plasma discharge can be obtained, and the formed discharge is easily stabilized. Carbon nanotubes also have high mechanical strength, strong chemical resistance, and long life. Therefore, when the secondary electron amplifying means such as carbon nanotubes is applied to the flat panel display device, the secondary electron emission coefficient due to ions inside the flat panel display device is increased, so that excellent luminance characteristics and luminous efficiency can be obtained. In addition, it is possible to reduce the discharge voltage, in particular the address voltage, thereby lowering the power consumption and the driving voltage of the driver IC, so that a cheaper low-voltage IC can be used, thereby making a low-cost plasma display possible. .

그러나, 이와 같은 카본 나노 튜브는 제조공정중 유전층상에 도포시 특히, 플렌팅(planting)시 쉽게 산화된다는 문제가 있다. 이 때문에 카본 나노 튜브의 산화를 막기 위해서는 카본 나노 튜브를 질소 분위기에서 소성하여야 한다. 이에 반해 유전층은 평판 표시 장치 형성시 산소 분위기 하에서 소성을 하여야 한다. 따라서, 카본 나노 튜브를 포함하는 평판 표시 장치의 제조시 그 제조 공정이 복잡하였다. 또한 카본 나노 튜브는 분산이 용이하지 않아 카본 나노 튜브가 일부분씩 뭉쳐 도포될 수 있으며, 이에 따라 전계가 일부분에 집중되어 방전 균일성(uniformity)이 나빠진다는 문제점이 있었다.However, there is a problem that such carbon nanotubes are easily oxidized when applied onto the dielectric layer during the manufacturing process, in particular, during planting. Therefore, in order to prevent oxidation of the carbon nanotubes, the carbon nanotubes should be fired in a nitrogen atmosphere. In contrast, the dielectric layer should be fired under an oxygen atmosphere when the flat panel display is formed. Therefore, the manufacturing process of the flat panel display device including the carbon nanotubes is complicated. In addition, the carbon nanotubes are not easy to disperse, so that the carbon nanotubes may be applied to be partially agglomerated, and thus, electric fields may be concentrated on a portion, resulting in poor uniformity of discharge.

이에 대해 본 발명에서는, 평판 표시 장치 제조시 실리카 표면처리된 탄소계 물질을 사용함으로써, 제조 공정이 용이하고 방전 셀 내에서의 전자 방출을 극대화하여 플라즈마 디스프레이의 휘도 및 효율을 향상시키고 방전 유지 전압을 감소시 킬 수 있었다.On the other hand, in the present invention, by using a silica-treated carbon-based material in the manufacture of a flat panel display device, the manufacturing process is easy and the electron emission in the discharge cell is maximized, thereby improving the brightness and efficiency of the plasma display and increasing the discharge sustain voltage. Could be reduced.

즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 평판 표시 장치는, That is, the flat panel display device according to an embodiment of the present invention,

서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판;A first substrate and a second substrate disposed to face each other;

상기 제1 기판과 제2 기판 사이의 공간에 배치되어 방전 셀들을 구획하는 격벽들;Barrier ribs disposed in a space between the first substrate and the second substrate to partition discharge cells;

상기 각 방전 셀 내에 형성되는 형광체층;A phosphor layer formed in each discharge cell;

상기 제2 기판에서 일방향을 따라 형성되는 어드레스 전극들;Address electrodes formed in one direction on the second substrate;

상기 제2 기판에서 어드레스 전극들을 덮으며 형성되는 제2 유전층;A second dielectric layer formed on the second substrate to cover address electrodes;

상기 제1 기판에서 상기 어드레스 전극과 교차하는 방향을 따라 형성되며, 상기 각 방전 셀에서 적어도 한 쌍이 대향하여 형성되는 표시 전극들; 및Display electrodes formed on the first substrate in a direction crossing the address electrodes, and at least one pair of the display electrodes facing each other in the discharge cells; And

상기 제1 기판에서 표시 전극들을 덮으며 형성되는 제1 유전층을 포함하며,A first dielectric layer covering the display electrodes on the first substrate,

상기 제1 유전층 상에 실리카 표면처리된 탄소계 물질을 포함하는 전자 증폭층이 형성된다.An electron amplification layer including a silica-treated carbon-based material is formed on the first dielectric layer.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시예를 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, various embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 평판 표시 장치를 개략적으로 도시한 분해 사시도이다.1 is an exploded perspective view schematically illustrating a flat panel display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

이 도면을 참조하여 평판 표시 장치를 개략적으로 설명하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 평판 표시 장치는 제1 기판(1, 이하에서 전면기판이라 한다)과 제2 기판(3, 이하에서 배면기판이라 한다)을 상호 면 대향 봉착하고, 이 전면기판(1)과 배면기판(3) 사이에 방전 가스를 충전하여 형성된다. 이 전면기판(1)과 배면기판(3) 사이에 형성되는 공간에는 다수의 격벽(5)들이 배치되어 복수의 방전 셀(7R, 7G, 7B)을 형성한다. 이 방전 셀(7R, 7G, 7B) 내에는 적(R), 녹(G), 청(B)색의 형광체가 형성되어 있다.Referring to the drawings, a flat panel display device will be described in brief. According to an embodiment of the present invention, a flat panel display device includes a first substrate (1, hereinafter referred to as a front substrate) and a second substrate (3, hereinafter, a back substrate). And the discharge gas is filled between the front substrate 1 and the back substrate 3, respectively. In the space formed between the front substrate 1 and the rear substrate 3, a plurality of partition walls 5 are arranged to form a plurality of discharge cells 7R, 7G, 7B. Red (R), green (G), and blue (B) color phosphors are formed in these discharge cells 7R, 7G, and 7B.

상기 전면기판(1) 상에는 도면의 x 축 방향을 따라 표시 전극(9, 11)들이 형성되고, 이 표시 전극(9, 11)들은 y 축 방향으로 각 방전 셀(7R, 7G, 7B)에 상응하는 간격으로 배치된다. 그리고, 배면기판(3) 상에는 상기 표시 전극(9, 11)들과 교차하는 방향(도면의 y축 방향)을 따라 어드레스 전극(13)들이 형성되고, 이 어드레스 전극(13)들은 도면의 x 축 방향으로 각 방전 셀(7R, 7G, 7B)에 상응하는 간격으로 배치된다. 즉, 표시 전극(9, 11)들과 어드레스 전극(13)들은 각 방전 셀(7R, 7G, 7B)에 교차하면서 대응하는 구조로 배치된다.Display electrodes 9 and 11 are formed on the front substrate 1 along the x-axis direction of the drawing, and the display electrodes 9 and 11 correspond to the respective discharge cells 7R, 7G and 7B in the y-axis direction. Are arranged at intervals. In addition, address electrodes 13 are formed on the rear substrate 3 in a direction intersecting the display electrodes 9 and 11 (y-axis direction in the drawing), and the address electrodes 13 are formed on the x-axis of the drawing. In the direction corresponding to each discharge cell 7R, 7G, 7B. That is, the display electrodes 9 and 11 and the address electrodes 13 are arranged in a corresponding structure while crossing the discharge cells 7R, 7G, and 7B.

이와 같은 전면기판(1)과 배면기판(3) 사이에 구비되는 격벽(5)들은 서로 이웃하는 다른 격벽(5)들과 평행하게 배치되어, 전면기판(1)과 배면기판(3)을 소정의 간격으로 배치되어 이들 사이의 공간에 플라즈마 방전에 필요한 방전 셀 (7R, 7G, 7B)들을 구획 형성한다. The partition walls 5 provided between the front substrate 1 and the rear substrate 3 are arranged in parallel with the other partition walls 5 adjacent to each other, thereby defining the front substrate 1 and the rear substrate 3. Discharge cells 7R, 7G, and 7B, which are required for plasma discharge, are arranged in the space between them to form partitions.

도 1에서는 어드레스 전극(13)들과 나란한 방향(도면의 y 축 방향)으로 형성된 격벽(5)들로만 형성되는 스트라이프형 격벽 구조를 예시하고 있으나, 본 발명의 격벽 구조는 상기 격벽 구조에 한정되지 않는다. 본 발명의 일 실시예에 따른 격벽 구조는, 어드레스 전극(13)들과 나란한 방향(도면의 y 축 방향)으로 형성되는 격벽(5)들과 이 격벽(5)들과 교차하는 방향(도면의 x 축 방향)으로 형성되는 격벽( 미도시)들에 의하여 방전 셀(7R, 7G, 7B)들을 각각 독립적으로 폐쇄하여 구획하는 폐쇄형 격벽 구조를 포함할 수도 있고, 상기 방전 셀 (7R, 7G, 7B)을 4각으로 형성하는 폐쇄형 격벽 구조와 6각 및 8각으로 형성하는 폐쇄형 격벽 구조를 포함할 수도 있다.Although FIG. 1 illustrates a stripe-type barrier rib structure formed only of barrier ribs 5 formed in parallel with the address electrodes 13 (y-axis direction in the drawing), the barrier rib structure of the present invention is not limited to the barrier rib structure. . The barrier rib structure according to an embodiment of the present invention includes barrier ribs 5 formed in parallel with the address electrodes 13 (y-axis direction in the drawing) and a direction in which the barrier ribs 5 intersect the barrier ribs 5 (in the drawing). It may also include a closed partition structure for closing and partitioning the discharge cells (7R, 7G, 7B) independently by partitions (not shown) formed in the x-axis direction, the discharge cells (7R, 7G, It may also include a closed bulkhead structure that forms 7B) in quadrangles and a closed bulkhead structure that forms in hexagons and octagons.

상기 어드레스 전극(13)들은 통상적으로 배면기판(3)에 형성되므로 본 실시예는 어드레스 전극(13)들을 배면기판(3)에 형성한 구성을 예시하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고 어드레스 전극(13)들을 전면기판(1)이나 격벽(5) 등에 형성한 구성들을 모두 포함한다. 상기, 어드레스 전극(13)들은 방전 셀 (7R, 7G, 7B)에서 벽전하를 형성하여 어드레스 방전을 일으키도록 제2 유전층(15)으로 덮여지고, 상기 격벽(5)은 상기 제2 유전층(15) 상에 형성된다.Since the address electrodes 13 are typically formed on the rear substrate 3, the present embodiment exemplifies a configuration in which the address electrodes 13 are formed on the rear substrate 3, but the present invention is not limited thereto. (13) includes all of the configuration formed on the front substrate (1), the partition (5) or the like. The address electrodes 13 are covered with a second dielectric layer 15 to form wall charges in the discharge cells 7R, 7G, and 7B to cause an address discharge, and the partition wall 5 is covered with the second dielectric layer 15. ) Is formed on.

상기 표시 전극(9, 11)들은 방전 셀 (7R, 7G, 7B)의 양측에 대향하는 유지전극 및 주사전극(9, 11)으로 이루어져, 전면기판(1)에 형성된다. 또한, 본 실시 예에서는 전면기판(1)에 유지전극 및 주사전극(9, 11)을 구비하는 것을 예시하고 있지만, 스캔 및 어드레싱을 위하여 전면기판(1)에 상기한 표시 전극(9, 11)과 별도의 중간 전극(미도시)을 유지전극 및 주사전극(9, 11) 사이에 더 구비하는 것도 포함할 수 있다.The display electrodes 9 and 11 are formed on the front substrate 1 by being formed of sustain electrodes and scan electrodes 9 and 11 opposing both sides of the discharge cells 7R, 7G and 7B. In addition, in the present exemplary embodiment, the front substrate 1 includes the sustain electrodes and the scanning electrodes 9 and 11, but the display electrodes 9 and 11 described above on the front substrate 1 for scanning and addressing. And a separate intermediate electrode (not shown) may be further provided between the sustain electrode and the scan electrodes 9 and 11.

상기 유지전극 및 주사전극(9, 11)들은 도 1에 도시된 바와 같이 각각 투명전극(9a, 11a)과 버스전극(9b, 11b)으로 형성될 수 있으며, 투명전극(9a, 11a)이나 버스전극(9b, 11b)만으로 각각 형성될 수도 있다. 중간전극(미도시)이 구비될 경우, 제작 공정을 단순하게 하도록 이 중간전극도 이 유지전극 및 주사전극(9, 11) 과 같은 재료 같은 구조로 형성되는 것이 바람직하다. 이 투명전극(9a, 11a)은 어드레스 전극(13)과 교차하는 방향(도면의 x 축 방향)으로 형성되는 스트라이프 타입으로 형성될 수 있다. 또한, 이 투명전극(9a, 11a)은 방전 셀 (7R, 7G, 7B)의 내부에서 면방전을 일으키는 부분으로써 방전 셀 (7R, 7G, 7B)의 상당한 면적을 차단하기 때문에 가시광의 차단을 최소화하여 휘도를 확보할 수 있도록 투명한 재질로 형성되는 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 ITO(Indium Tin Oxide) 전극으로 형성될 수 있다.As shown in FIG. 1, the sustain electrodes and the scan electrodes 9 and 11 may be formed of transparent electrodes 9a and 11a and bus electrodes 9b and 11b, respectively. It may be formed only by the electrodes 9b and 11b, respectively. When an intermediate electrode (not shown) is provided, the intermediate electrode is preferably formed of the same material as the sustain electrode and the scan electrodes 9 and 11 so as to simplify the manufacturing process. The transparent electrodes 9a and 11a may be formed in a stripe type formed in a direction crossing the address electrode 13 (the x-axis direction in the drawing). In addition, since the transparent electrodes 9a and 11a block surface areas of the discharge cells 7R, 7G and 7B as part of causing surface discharge inside the discharge cells 7R, 7G and 7B, the blocking of visible light is minimized. It is preferably formed of a transparent material so as to secure the brightness, and more preferably may be formed of an indium tin oxide (ITO) electrode.

그리고, 상기 버스전극(9b, 11b)은 투명전극(9a, 11a)의 높은 저항을 보상하여 투명전극(9a, 11a)의 통전성을 확보하기 위한 것으로써, 전기의 전도성이 우수한 금속 재질로 형성되는 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 Al 전극으로 형성될 수 있다. 이러한 버스전극(9b, 11b)은 전면기판(1)상에 형성되는 투명전극(9a, 11a)에 적층 구조로 형성되어 어드레스 전극(13)과 교차하는 방향(도면의 x 축 방향)으로 형성된다. 또한, 이 버스전극(9b, 11b)은 불투명 재질로 형성되므로 격벽(5)에 대응하여 배치되고, 격벽(5)의 폭보다 좁은 폭으로 형성되어 방전 셀 (7R, 7G, 7B)에서 발광하는 가시광의 차단을 최소화하는 것이 바람직하다.In addition, the bus electrodes 9b and 11b are made of a metal material having excellent electrical conductivity by compensating for the high resistance of the transparent electrodes 9a and 11a to ensure the electrical conductivity of the transparent electrodes 9a and 11a. It is preferable, and more preferably, it can be formed with an Al electrode. The bus electrodes 9b and 11b are formed in a laminated structure on the transparent electrodes 9a and 11a formed on the front substrate 1 and are formed in a direction intersecting with the address electrode 13 (x-axis direction in the drawing). . In addition, since the bus electrodes 9b and 11b are formed of an opaque material, the bus electrodes 9b and 11b are disposed to correspond to the partition walls 5, and are formed to have a width smaller than that of the partition walls 5 to emit light from the discharge cells 7R, 7G, and 7B. It is desirable to minimize the blocking of visible light.

상기와 같이 형성되는 표시 전극(9, 11)들은 벽전하의 축적을 위하여 제1 유전층(17)에 의해 덮여진다. 상기 제1 유전층(17)은 가시광의 투과율을 향상시키도록 투명 유전체로 형성되는 것이 바람직하다. The display electrodes 9 and 11 formed as described above are covered by the first dielectric layer 17 to accumulate wall charges. The first dielectric layer 17 is preferably formed of a transparent dielectric to improve the transmittance of visible light.

상기 제1 유전층(17) 위에는 실리카 표면처리된 탄소계 물질을 포함하는 전자 증폭층(21)이 형성될 수 있다. 이와 같은 전자 증폭층 (21)은 유지전극 및 주 사전극(9, 11) 중 어느 한 전극(통상 주사전극)과 어드레스 전극(13) 간의 어드레싱과 가시광의 발광을 방해하지 않으면서, 이차 전자의 방출량을 더욱 증가시켜 소비 전력에 대한 휘도의 비, 즉 효율을 향상시키고 이로 인하여 휘도를 좋게 한다.An electron amplification layer 21 including a silica-treated carbon-based material may be formed on the first dielectric layer 17. The electron amplifying layer 21 is a secondary electron of the secondary electrons without interfering with the addressing and the emission of visible light between one of the sustain electrodes and the main electrodes 9 and 11 (usually the scanning electrode) and the address electrode 13. The emission amount is further increased to improve the ratio of the luminance to the power consumption, that is, the efficiency, thereby improving the luminance.

이에 따라 상기 전자증폭층(21)은 2차 전자가 방전공간으로 이탈하기 용이하도록 방전공간에 노출되는 것이 바람직하다. Accordingly, the electron amplification layer 21 is preferably exposed to the discharge space so that the secondary electrons can easily escape to the discharge space.

상기 전자증폭층(21)은 제1 유전층(17)의 전면에 형성될 수도 있고, 제1 유전층(17) 위 표시 전극이 형성된 영역에 대응하는 부분에만 형성될 수도 있다. 또한 상기 전자 증폭층(21)은 제1 유전층에 특정 패턴을 가지고 형성될 수도 있다. 또한 상기 제1 유전층(17)이 상부 유전층과 하부 유전층의 복층 구조를 가질 경우 그 사이에 전자 증폭층(21)이 개재된 형태로 형성될 수도 있다. 이 경우 상기 전자 증폭층은 하부 유전층의 전면에 도포되며, 상부 유전층으로 덮여지는 부분과 상기 표시 전극의 방전 셀 중심을 향하는 끝단부에 대응되도록 형성되며, 상부 유전층의 개구(opening) 패턴에 의하여 상부 유전층 밖으로 노출 부분을 갖는 것이 바람직하다. The electron amplifying layer 21 may be formed on the entire surface of the first dielectric layer 17, or may be formed only on a portion corresponding to the region where the display electrode is formed on the first dielectric layer 17. In addition, the electron amplification layer 21 may be formed with a specific pattern on the first dielectric layer. In addition, when the first dielectric layer 17 has a multilayer structure of an upper dielectric layer and a lower dielectric layer, an electron amplification layer 21 may be interposed therebetween. In this case, the electron amplification layer is applied to the entire surface of the lower dielectric layer, and is formed to correspond to a portion covered with the upper dielectric layer and an end portion toward the center of the discharge cell of the display electrode, and formed by the opening pattern of the upper dielectric layer. It is desirable to have exposed portions out of the dielectric layer.

상기 전자 증폭층(21)은 실리카 표면처리된 탄소계 물질을 제1 유전층상에 도포하여 형성될 수 있으며, 보다 바람직하게는 실리카 표면 처리된 탄소계 물질을 플렌팅(planting)하여 형성될 수 있다. The electron amplification layer 21 may be formed by applying a silica-treated carbon-based material onto the first dielectric layer, and more preferably, may be formed by planting a silica-treated carbon-based material. .

이에 따라 형성된 전자 증폭층(21)내에 포함되는 실리카 표면처리된 탄소계 물질은 제1 유전층상에서 방전 셀을 향하여 배열되는 것이 바람직하다. The silica surface-treated carbon-based material included in the electron amplification layer 21 thus formed is preferably arranged toward the discharge cell on the first dielectric layer.

상기 탄소계 물질에 표면처리되는 실리카는 전자 증폭층 형성시 탄소계 물 질의 산화를 방지하는 역할을 한다. 상기 실리카 표면 처리된 탄소계 물질로는 졸-겔 법 또는 중합 겔 법에 의해 제조된 것을 사용하는 것이 바람직하다. Silica surface-treated on the carbon-based material serves to prevent oxidation of the carbon-based material when the electron amplification layer is formed. As the carbon-based material treated with the silica surface, one prepared by the sol-gel method or the polymerized gel method is preferably used.

이때 상기 탄소계 물질로는 카본 나노 튜브, 그래파이트 나노 파이버, 카본 나노 파이버, 카본 나노 팁, 카본 나노 로드 및 다이아몬드(diamond)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 것을 사용할 수 있으며, 보다 바람직하게는 카본 나노 튜브를 사용할 수 있다. 또한 상기 탄소계 물질로는 큰 종횡비를 갖는 것을 사용하는 것이 바람직하다. 종횡비가 클수록 탄소계 물질의 선단 부분에 전계가 집중하기 쉬워 방전 전압을 감소시킬 수 있다.In this case, the carbonaceous material may be one or more selected from the group consisting of carbon nanotubes, graphite nanofibers, carbon nanofibers, carbon nanotips, carbon nanorods, and diamond, more preferably carbon. Nanotubes can be used. In addition, it is preferable to use a carbonaceous material having a large aspect ratio. The greater the aspect ratio, the easier the electric field is to concentrate on the tip portion of the carbon-based material can reduce the discharge voltage.

본 발명의 일 실시예에 따른 평판 표시 장치는 상기 제1 유전층 상에 불화물막 및 산화물막으로 이루어진 군에서 선택되는 1층 이상의 막을 더 포함할 수도 있다. 보다 바람직하게는 MgO, MgF2, CaF2, LiF, Al2O3, ZnO, CaO, SrO, SiO2 및 La2O3로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 것을 포함하는 보호막(19)을 1층 이상 더 포함할 수도 있다. The flat panel display according to the exemplary embodiment may further include one or more layers selected from the group consisting of a fluoride layer and an oxide layer on the first dielectric layer. More preferably, the protective film 19 including at least one selected from the group consisting of MgO, MgF 2 , CaF 2 , LiF, Al 2 O 3 , ZnO, CaO, SrO, SiO 2, and La 2 O 3 is obtained. It may further comprise more than one layer.

상기 보호막(19)은 분리된 원자의 이온이 제1 유전층(17)에 충돌하여 이 유전층(17)을 손상시키는 것을 방지하고, 이온이 부딪혔을 때 이차전자의 방출을 좋게 한다.The protective film 19 prevents the ions of the separated atoms from colliding with the first dielectric layer 17 and damaging the dielectric layer 17 and, when ions collide with, release the secondary electrons.

상기한 구조를 갖는 본 발명의 일 실시예에 따른 평판 표시 장치는, 어드레스 전극과 교차하는 방향으로 나란하게 형성된 주사 및 유지 전극 사이에 방전 개시 전압 이상의 전압이 인가되는 경우, 방전 셀에 면 방전이 일어나면서 2차 전자 를 대량으로 방출시킬 수 있다. 이는 주사 및 유지 전극 간에 전압이 인가되면서 방전 셀에 대량의 플라즈마 방전 상태가 형성됨을 의미한다. 이것은 또 방전 셀에 주입된 방전 가스가 동일한 인가 전압에서 종래 보다 많이 이온화됨을 의미하기도 한다. 따라서, 방전 셀내에서 보다 많은 양의 자외선이 방출되고, 방출된 자외선은 형광막을 여기시키므로, 형광막으로부터 방출되는 광은 종래보다 훨씬 많아지게 된다. 따라서, 화상의 휘도를 현저히 향상시킬 수 있다.In the flat panel display according to the exemplary embodiment of the present invention having the above-described structure, when a voltage equal to or more than the discharge start voltage is applied between the scan and sustain electrodes formed side by side in a direction crossing the address electrode, surface discharge is applied to the discharge cell. As it happens, it can release secondary electrons in large quantities. This means that a large amount of plasma discharge is formed in the discharge cells while a voltage is applied between the scan and sustain electrodes. This also means that the discharge gas injected into the discharge cell is ionized more than before at the same applied voltage. Therefore, a larger amount of ultraviolet light is emitted in the discharge cell, and the emitted ultraviolet light excites the fluorescent film, so that the light emitted from the fluorescent film is much more than conventional. Therefore, the brightness of the image can be significantly improved.

본 발명의 일 실시예에 따른 평판 표시 장치는 바람직하게는 플라즈마 디스플레이 패널이다.The flat panel display according to the exemplary embodiment of the present invention is preferably a plasma display panel.

본 발명의 일 실시예에 따른 평판 표시 장치는, 제1 기판용 기판위에 표시 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 기판상에 상기 표시 전극을 덮는 제1 유전층을 형성하는 단계; 상기 제1 유전층 상에서 실리카 표면 처리된 탄소계 물질을 포함하는 전자 증폭층을 형성하여 제1기판을 제조하는 단계; 제2 기판용 기판위에 어드레스 전극을 형성하는 단계; 상기 제2 기판상에 상기 어드레스 전극을 덮는 제2 유전층을 형성하고, 상기 어드레스 전극 사이의 상기 제2 유전층상에 방전 셀을 구획하는 격벽을 형성하는 단계; 상기 방전 셀 내에 형광체층을 형성하여 제2기판을 제조하는 단계; 및 상기 형성된 제1 기판 및 제2 기판을 상호 봉착, 배기 및 밀봉하는 단계를 포함하는 제조방법에 의해 제조될 수 있다.A flat panel display device according to an embodiment of the present invention, forming a display electrode on a substrate for a first substrate; Forming a first dielectric layer covering the display electrode on the first substrate; Forming a first substrate by forming an electron amplification layer including a silica-treated carbon-based material on the first dielectric layer; Forming an address electrode on the substrate for the second substrate; Forming a second dielectric layer covering the address electrode on the second substrate, and forming a partition wall on the second dielectric layer between the address electrodes to partition a discharge cell; Manufacturing a second substrate by forming a phosphor layer in the discharge cell; And sealing, exhausting, and sealing the formed first and second substrates.

본 발명의 일 실시예에 따른 평판 표시 장치 공정에 있어서, 탄소계 물질의 표면처리 방법 및 전자 증폭층 형성 방법을 제외한 나머지 평판 표시 장치의 제조 방법은 당해 분야에 널리 알려진 내용이어서 당해 분야에 종사하는 사람들에게는 충분히 이해될 수 있는 내용이므로 본 명세서에서 상세한 설명은 생략한다 이러한 실시예는 본 발명을 단지 예시하기 위한 것이며, 본 발명이 여기에 한정되는 것은 아니다.In the flat panel display device process according to an embodiment of the present invention, except for the surface treatment method of the carbon-based material and the method of forming the electron amplification layer, the manufacturing method of the other flat panel display devices are well known in the art, The detailed description is omitted herein because it is a content that can be sufficiently understood by people. These embodiments are only intended to illustrate the present invention, but the present invention is not limited thereto.

먼저, 제1 기판용 기판위에 투명전극과 버스전극으로 이루어지는 표시 전극을 형성한 후에, 상기 표시 전극 상에 제1 유전층을 형성한다. 유전층의 형성방법은 통상의 형성 방법에 의해 형성될 수 있으며, 바람직하게는 10 내지 20㎛의 두께로 형성될 수 있다.First, a display electrode including a transparent electrode and a bus electrode is formed on a substrate for a first substrate, and then a first dielectric layer is formed on the display electrode. The method of forming the dielectric layer may be formed by a conventional forming method, and preferably may be formed to a thickness of 10 to 20㎛.

다음으로, 상기 제1 유전층상에 실리카 표면 처리된 탄소계 물질을 이용하여 전자 증폭층을 형성한다. Next, an electron amplification layer is formed on the first dielectric layer by using a silica-based carbon-based material.

상기 실리카 표면 처리된 탄소계 물질은 졸-겔 법 또는 중합-겔 법에 의해 제조될 수 있다. The silica-based carbon-based material may be prepared by a sol-gel method or a polymerization-gel method.

보다 상세하게는, 상기 졸-겔 법은 탄소계 물질을 실리카 졸에 분산시켜 분산액을 제조하고, 상기 분산액을 원심 분리하여 침전물을 얻고, 상기 침전물을 알코올로 세척하여 실리카 표면처리된 탄소계 물질을 제조하는 단계를 포함한다.More specifically, the sol-gel method is to prepare a dispersion by dispersing a carbon-based material in a silica sol, to obtain a precipitate by centrifuging the dispersion liquid, and to wash the precipitate with alcohol to obtain a carbon-based surface-treated carbon-based material Manufacturing step.

이때 상기 실리카 졸은 알코올, 실리콘알콕사이드 및 물을 포함하며, 보다 바람직하게는 알코올 45 내지 65중량%, 실리콘 알콕사이드 25 내지 35중량% 및 잔부의 물을 포함할 수 있다. 실리카 졸에 포함되는 각 성분의 함량 범위가 상기 범위 내에서는 탄소계 물질에 대한 표면 처리 효율이 높아 바람직하고, 상기 범위를 벗어날 경우 탄소계 물질에 대한 표면 처리 효율이 저하될 우려가 있어 바람직하지 않다.In this case, the silica sol may include alcohol, silicon alkoxide and water, and more preferably 45 to 65% by weight of alcohol, 25 to 35% by weight of silicon alkoxide and the balance of water. If the content range of each component included in the silica sol is within the above range, the surface treatment efficiency for the carbon-based material is high, and if it is out of the above range, the surface treatment efficiency for the carbon-based material may be lowered. .

상기 알코올로는 에탄올 또는 메탄올 등을 사용할 수 있으며, 또한 실리콘 알콕사이드로는 테트라에틸오르토실리케이트(tetraethylorthosilicate: TEOS) 등을 사용할 수 있다.Ethanol or methanol may be used as the alcohol, and tetraethylorthosilicate (TEOS) may be used as the silicon alkoxide.

또한 상기 탄소계 물질은 앞서 설명한 바와 동일하며, 탄소계 물질과 실리콘알콕사이드는 13:1 내지 16:1의 중량비로 혼합되는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 14:1 내지 15:1로 혼합될 수 있다. 상기 혼합비 범위내에서는 탄소계 물질에 대한 표면 처리 효율이 높아 바람직하고, 상기 범위를 벗어날 경우 탄소계 물질에 대한 표면 처리 효율이 저하될 우려가 있어 바람직하지 않다.In addition, the carbon-based material is the same as described above, the carbon-based material and silicon alkoxide is preferably mixed in a weight ratio of 13: 1 to 16: 1, more preferably 14: 1 to 15: 1 can be mixed. have. Within the mixing ratio range, the surface treatment efficiency for the carbon-based material is high, and thus, the surface treatment efficiency for the carbon-based material may be lowered.

상기 탄소계 물질을 실리카 졸에 분산시킨 후 분산도를 높이기 위하여 초음파 처리를 더 실시할 수도 있다. 이때 초음파 처리는 30 내지 50kHz, 50 내지 150Watt의 조건에서 1 내지 2시간 동안 실시하는 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 40kHz, 50 내지 100Watt에서 1시간 동안 실시할 수 있다. After dispersing the carbonaceous material in a silica sol, sonication may be further performed to increase the degree of dispersion. At this time, the ultrasonic treatment is preferably carried out for 1 to 2 hours at the conditions of 30 to 50kHz, 50 to 150Watt, more preferably 40kHz, 50 to 100Watt can be carried out for 1 hour.

이어서 상기 분산액을 원심분리한다. 원심분리는 4000 내지 6000rpm에서 실시하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 5000rpm에서 실시할 수 있다. 또한 원심 분리는 80 내지 120분간 실시하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 100분 내지 120분간 실시할 수 있다. 이와 같은 원심 분리에 의해 침전물이 생성된다.The dispersion is then centrifuged. Centrifugation is preferably performed at 4000 to 6000 rpm, more preferably at 5000 rpm. In addition, centrifugation is preferably performed for 80 to 120 minutes, more preferably 100 minutes to 120 minutes. This centrifugation produces a precipitate.

생성된 침전물을 알코올로 세척을 하여 실리카 표면 처리된 탄소계 물질을 얻을 수 있다. The resulting precipitate may be washed with alcohol to obtain a silica-based carbonaceous material.

이때 사용되는 알코올의 농도는 실리카 표면 처리층의 두께에 영향을 미치게 되므로, 10 내지 25M의 알코올을 사용하는 것이 바람직하다.At this time, since the concentration of the alcohol used affects the thickness of the silica surface treatment layer, it is preferable to use an alcohol of 10 to 25M.

탄소계 물질을 실리카 표면 처리하는 또 다른 방법으로는 중합-겔 법이 있다.Another method of surface treating carbon-based materials with silica is the polymerization-gel method.

상기 중합 겔 법은 탄소계 물질을 실리카 겔 용액에 분산시켜 분산액을 제조하고, 상기 분산액을 원심분리하여 침전물을 생성시킨 후 이를 알코올로 세척하여 실리카 표면처리된 탄소계 물질을 제조하는 단계를 포함한다.The polymerized gel method includes preparing a dispersion by dispersing a carbonaceous material in a silica gel solution, generating a precipitate by centrifuging the dispersion, and washing it with alcohol to prepare a carbonaceous material treated with silica. .

이때 상기 실리카 겔은 알코올 및 실리콘 알콕사이드를 포함하며, 보다 바람직하게는 알코올: 실리콘 알콕사이드를 17:1 내지 21:1의 중량비로 포함하는 것이 바람직하고, 가장 바람직하게는 20:1로 포함할 수 있다. 실리카 겔에 포함되는 각 성분의 중량비가 상기 범위 내에서는 탄소계 물질에 대한 표면 처리 효율이 우수하여 바람직하고, 상기 범위를 벗어날 경우 탄소계 물질에 대한 실리카 표면 처리 효율이 저하될 우려가 있어 바람직하지 않다.In this case, the silica gel may include alcohol and silicon alkoxide, more preferably alcohol: silicon alkoxide in a weight ratio of 17: 1 to 21: 1, and most preferably 20: 1. . The weight ratio of each component included in the silica gel is preferable because the surface treatment efficiency for the carbon-based material is excellent within the above range, and if it is outside the above range, the silica surface treatment efficiency for the carbon-based material may be lowered. not.

또한 상기 탄소계 물질은 앞서 설명한 바와 동일하며, 탄소계 물질과 실리콘알콕사이드는 22:1 내지 26:1의 중량비로 혼합되는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 25:1로 혼합될 수 있다. 상기 혼합비 범위내에서는 탄소계 물질에 대한 표면 처리 효율이 높아 바람직하고, 상기 범위를 벗어날 경우 탄소계 물질에 대한 표면 처리 효율이 저하될 우려가 있어 바람직하지 않다.In addition, the carbon-based material is the same as described above, the carbon-based material and silicon alkoxide is preferably mixed in a weight ratio of 22: 1 to 26: 1, more preferably may be mixed in 25: 1. Within the mixing ratio range, the surface treatment efficiency for the carbon-based material is high, and thus, the surface treatment efficiency for the carbon-based material may be lowered.

이후 원심분리 및 알코올을 이용한 세척 공정은 앞서 졸-겔 법과 동일하다.After centrifugation and washing with alcohol is the same as the sol-gel method.

상기와 같이 하여 제조된 실리카 표면처리된 탄소계 물질을 스프레이 분사 또는 스포이드 적하법 등 통상의 도포 방법에 의해 제1 유전층상에 도포하여 전자 증폭층을 형성할 수 있다. 보다 바람직하게는 플렌팅 방법을 이용하여 전자 증폭 층을 형성하는 것이 좋다. The silica surface-treated carbon-based material prepared as described above may be applied onto the first dielectric layer by a conventional coating method such as spray spraying or dropper dropping to form an electron amplifying layer. More preferably, the electron amplification layer is formed by using a planting method.

도포시 상기 실리카 표면처리된 탄소계 물질은 제1 유전층의 전면(全面)에 도포될 수도 있고, 제1 유전층위 표시 전극이 형성된 영역에 대응하는 부분에 도포될 수도 있다.In the coating, the carbon-based material having the silica surface treatment may be applied to the entire surface of the first dielectric layer, or may be applied to a portion corresponding to the region where the display electrode on the first dielectric layer is formed.

상기 실리카 표면 처리된 탄소계 물질을 슬러리 코팅하여 전자 증폭층을 형성할 경우, 상기 실리카 표면처리된 탄소계 물질을 포함하는 전자 증폭층 형성용 조성물은 조성물 총 중량에 대하여 실리카 표면 처리된 탄소계 물질을 40중량%이하로 포함하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.1 내지 40중량%, 보다 더 바람직하게는 5 내지 30중량%로 포함할 수 있다. 실리카 표면처리된 탄소계 물질의 함량이 상기 함량 범위 내에서는 우수한 휘도 및 효율 향상 효과, 및 방전 유지 전압 감소 효과를 얻을 수 있다. 그러나, 상기 함량 범위를 벗어날 경우 전자 증폭 효과가 미비하거나 또는 경제적인 면에서 바람직하지 않다.When the silica surface-treated carbon-based material is slurry coated to form an electron amplification layer, the composition for forming an electron amplification layer including the silica-treated carbon-based material may be a silica-based carbon-based material treated with respect to the total weight of the composition. It is preferable to include less than 40% by weight, more preferably 0.1 to 40% by weight, still more preferably 5 to 30% by weight. When the content of the silica-treated carbon-based material is within the above content range, it is possible to obtain an excellent brightness and efficiency improvement effect and a discharge sustain voltage reduction effect. However, if the content is out of the above range, the electron amplification effect is insufficient or economically undesirable.

이후 산소 분위기하 430 내지 600℃, 보다 바람직하게는 450 내지 580℃에서 소성을 실시한다. 소성 온도가 430℃ 미만이면 유전층이 완전히 소성되지 않을 우려가 있고, 또한 600℃를 초과하면 탄소계 물질이 타버릴 우려가 있어 바람직하지 않다. 또한 상기 소성 공정은 산소 분위기하에서 실시하는 것이 보다 바람직하다.Thereafter, firing is performed at 430 to 600 ° C, more preferably at 450 to 580 ° C, in an oxygen atmosphere. If the firing temperature is lower than 430 ° C., the dielectric layer may not be completely fired. If the firing temperature is higher than 600 ° C., the carbon-based material may burn out, which is not preferable. Moreover, it is more preferable to perform the said baking process in oxygen atmosphere.

이와 같이 하여 제조된 전자 증폭층 내에 포함된 실리카 표면 처리된 탄소계 물질은 방전 셀을 향하여 배열되는 것이 바람직하다.The silica surface-treated carbon-based material contained in the electron amplification layer thus prepared is preferably arranged toward the discharge cell.

이와 같이 상기 평판 표시 장치의 제조방법은 실리카 표면처리된 탄소계 물질을 전자 증폭 물질로서 사용함으로써, 탄소계 물질에 대한 질소분위기 하에서의 소성 처리를 하지 않고서도 탄소계 물질의 산화 없이 산소 분위기 하에서의 유전층 및 전자 증폭층의 동시 소성이 가능하다. As described above, the method of manufacturing the flat panel display device uses a silica surface-treated carbon-based material as an electron amplifying material, so that the dielectric layer in an oxygen atmosphere without oxidation of the carbon-based material and without calcination in a nitrogen atmosphere for the carbon-based material and Simultaneous firing of the electron amplification layer is possible.

또한 상기 제조방법은 전자 증폭층의 형성 후 불화물막, 및 산화물막으로 이루어진 군에서 선택되는 1층 이상의 보호막을 형성하는 단계를 더 포함할 수도 있다. In addition, the manufacturing method may further include forming at least one protective film selected from the group consisting of a fluoride film and an oxide film after formation of the electron amplification layer.

구체적으로는 상기 보호막은 MgF2, CaF2 또는 LiF와 같은 불화물막; 및 MgO, Al2O3, ZnO, CaO, SrO, SiO2 또는 La2O3와 같은 산화물막으로 이루어진 군에서 선택되는 1층 이상의 보호막을 더 형성할 수도 있다.Specifically, the protective film is MgF 2 , CaF 2 Or a fluoride film such as LiF; And one or more protective films selected from the group consisting of oxide films such as MgO, Al 2 O 3 , ZnO, CaO, SrO, SiO 2 or La 2 O 3 .

상기 보호막의 형성방법 역시 특별히 한정되는 것은 아니나, 페이스트를 이용한 후막 인쇄법과 플라즈마를 이용한 증착법으로 형성될 수 있으며, 이 중에서 증착법은 이온의 충격에 의한 스퍼터링에 상대적으로 강하고, 2차 전자 방출에 의한 방전 유지 전압과 방전 개시 전압을 감소시킬 수 있어 바람직하다. The method of forming the protective film is also not particularly limited, but may be formed by a thick film printing method using a paste and a deposition method using a plasma. Among them, the deposition method is relatively strong against sputtering due to the impact of ions, and discharge by secondary electron emission. It is preferable because the sustain voltage and the discharge start voltage can be reduced.

상기 플라즈마 증착법으로 보호막을 형성하는 방법은 마그네트론 스퍼터링법, 전자빔 증착법, IBAD(ion beam assisted deposition, 이온빔지원퇴적법), CVD(chemical vapor deposition, 화학기상증착법), 졸-겔(sol-gel)법, 또는 증발되는 입자를 이온화하여 성막시키는 방법으로 보호막의 밀착성과 결정성에 대해서 스퍼터링법과 비슷한 특성을 가지지만 증착을 8nm/s의 고속으로 행할 수 있는 이점을 가진 이온 플레이팅법(ion plating) 등을 사용할 수 있으며, 이중에서도 전자빔 증착법이 가장 바람직하다.The method of forming the protective film by the plasma deposition method is magnetron sputtering, electron beam deposition, IBAD (ion beam assisted deposition), CVD (chemical vapor deposition), sol-gel (sol-gel) method Or ion plating to form a film by ionizing the evaporated particles. However, the ion plating method, which has similar characteristics to the sputtering method for the adhesion and crystallinity of the protective film, can be deposited at a high speed of 8 nm / s. Among these, electron beam deposition is most preferred.

이와 같이 방전 셀에 실리카 표면처리된 탄소계 물질과 같은 2차 전자 증폭 수단을 구비하는 본 발명의 일 실시예에 따른 평판 표시 장치를 이용하는 경우, 공정중 탄소계 물질의 산화 및 분산의 어려움 등의 문제없이 용이하게 전자 증폭층의 형성이 가능하다. 또한, 평판 표시 장치 내부에서의 이온에 의한 2차 전자 방출 계수가 증대되어 글로우 방전에 요구되는 전자를 용이하게 공급할 수 있어 방전 셀내 전자 밀도를 높일 수 있고, 방전 모드 변경에 따른 방전 특성 및 휘도 특성을 현저히 향상시킬 수 있다. As described above, in the case of using the flat panel display according to the exemplary embodiment of the present invention including the secondary electron amplifying means such as the carbon-based material treated with silica on the discharge cell, it is difficult to oxidize and disperse the carbon-based material during the process. The electron amplification layer can be easily formed without any problem. In addition, the secondary electron emission coefficient due to ions inside the flat panel display device is increased, so that electrons required for glow discharge can be easily supplied, so that the electron density in the discharge cell can be increased, and discharge characteristics and luminance characteristics due to the change of the discharge mode Can be significantly improved.

이하 본 발명의 바람직한 실시예 및 비교예를 기재한다. 그러나 하기한 실시예는 본 발명의 바람직한 일 실시예일뿐 본 발명이 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, preferred examples and comparative examples of the present invention are described. However, the following examples are only preferred embodiments of the present invention and the present invention is not limited to the following examples.

[실시예 1] 실리카 표면처리된 탄소계 물질의 제조Example 1 Preparation of Carbon-Based Material Treated with Silica

에탄올 60중량%, 테트라에틸오르토실리케이트 30중량% 및 물 15중량%(4:2:1의 중량비)를 혼합하여 실리카 졸을 제조하였다. 테트라에틸오르토실리케이트:카본 나노 튜브의 혼합 중량비가 15:1이 되도록 하는 양으로 카본 나노 튜브를 상기 실리카 졸에 첨가하여 분산시키고, 이후 40kHz, 100Watt로 1 내지 2시간 동안 초음파 처리하였다. 다음으로 5000rpm에서 100분동안 원심분리하여 침전물을 얻었다. 얻어진 침전물을 15M의 에탄올로 4회 반복하여 세척하여 실리카 표면 처리된 카본 나노 튜브를 제조하였다. Silica sol was prepared by mixing 60% by weight of ethanol, 30% by weight of tetraethylorthosilicate and 15% by weight of water (weight ratio of 4: 2: 1). Carbon nanotubes were added and dispersed in the silica sol in an amount such that the mixing weight ratio of tetraethylorthosilicate: carbon nanotubes was 15: 1, followed by sonication at 40 kHz and 100 Watts for 1 to 2 hours. Next, the precipitate was obtained by centrifugation at 5000 rpm for 100 minutes. The obtained precipitate was washed four times with 15 M of ethanol repeatedly to prepare a silica nanotube treated carbon nanotubes.

[실시예 2] 실리카 표면처리된 탄소계 물질의 제조 Example 2 Preparation of Carbon-Based Material Treated with Silica

에탄올:테트라에틸오르토실리케이트를 20:1의 중량비로 혼합하여 실리카 겔 을 제조하였다. 테트라에틸오르토실리케이트:카본 나노 튜브의 혼합 중량비가 25:1이 되도록 하는 양으로 카본 나노 튜브를 상기 실리카 겔에 첨가하여 분산시키고, 이후 40kHz, 100Watt로 1 내지 2시간 동안 초음파 처리하였다. 다음으로 5000rpm에서 100분동안 원심분리하여 침전물을 얻었다. 얻어진 침전물을 15M 에탄올로 4회 반복하여 세척하여 실리카 표면 처리된 카본 나노 튜브를 제조하였다.Silica gel was prepared by mixing ethanol: tetraethylorthosilicate in a weight ratio of 20: 1. Carbon nanotubes were added to the silica gel in an amount such that the mixed weight ratio of tetraethylorthosilicate: carbon nanotube was 25: 1, and then dispersed, and sonicated at 40 kHz and 100 Watts for 1 to 2 hours. Next, the precipitate was obtained by centrifugation at 5000 rpm for 100 minutes. The obtained precipitate was washed four times with 15M ethanol repeatedly to prepare a silica nanotube treated carbon nanotubes.

[실시예 3] 실리카 표면처리된 탄소계 물질의 제조Example 3 Preparation of Silica Surface-treated Carbon-Based Material

에탄올 73중량%, 테트라에틸오르토실리케이트 18중량% 및 물 9중량%(8:2:1의 중량비)을 혼합하여 실리카 졸을 제조하여 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 실시하여 실리카 표면처리된 카본 나노 튜브를 제조하였다.Silica sol was prepared by mixing 73% by weight of ethanol, 18% by weight of tetraethylorthosilicate and 9% by weight of water (weight ratio of 8: 2: 1) to prepare a silica sol. Surface-treated carbon nanotubes were prepared.

[실시예 4] 플라즈마 디스플레이 패널의 제조Example 4 Fabrication of Plasma Display Panel

소다석회 유리의 기판 위에 인듐 틴 옥사이드를 스퍼터링한 후 드라이 필름 레지스트(DFR)를 라미네이팅하였다. 상기 DFR 위에 패턴 형성된 포토 마스크를 더욱 라미네이팅 한 후 고압 수은등을 이용하여 노광하고, Na2CO3 0.4% 알칼리 수용액을 이용하여 현상하고 건조하여 투명 전극 형상으로 패터닝하였다. 이후 염산과 질산을 이용하여 에칭한 후 NaOH 5.0% 수용액을 이용하여 DFR 패턴 부분을 박리한 후 소성하여 투명 전극을 형성하였다. 투명 전극 상에 Ag를 포함하는 감광성 버스 전극 형성용 페이스트를 도포하였다. 도포된 Ag 함유 감광성 페이스트를 레벨링하고 건조한 후 DI(direct imaging) 노광기를 이용하여 노광하였다. 상기 건조와 노광 공정을 5회 이상 반복 실시한 후, Na2CO3 0.4% 알칼리 수용액을 이용하여 현상 하고 소성하여 스트라이프 상으로 버스 전극을 형성함으로써 상기 투명 전극 및 버스 전극을 포함하는 표시 전극을 제조하였다. Dry film resist (DFR) was laminated after sputtering indium tin oxide on a substrate of soda lime glass. The patterned photomask was further laminated on the DFR, and then exposed using a high pressure mercury lamp, developed using Na 2 CO 3 0.4% aqueous alkali solution, dried, and patterned into a transparent electrode shape. After etching using hydrochloric acid and nitric acid, the DFR pattern portion was peeled off using a NaOH 5.0% aqueous solution and then fired to form a transparent electrode. The paste for forming the photosensitive bus electrode containing Ag was apply | coated on the transparent electrode. The applied Ag-containing photosensitive paste was leveled, dried and exposed using a direct imaging (DI) exposure machine. After repeating the drying and exposure processes five times or more, a display electrode including the transparent electrode and the bus electrode was manufactured by developing and baking using an aqueous Na 2 CO 3 0.4% alkali solution to form a bus electrode on a stripe. .

이어서, 28.4wt%의 SiO2, 69.8wt%의 PbO 및 1.8w%의 B2O3로 이루어진 유전체 페이스트를 상기 표시 전극이 형성된 기판 전면에 걸쳐 표면처리하고 산소 분위기 하에서 소성하여 제1 유전층을 형성하였다. Subsequently, a dielectric paste consisting of 28.4 wt% SiO 2 , 69.8 wt% PbO, and 1.8 w% B 2 O 3 was surface-treated over the entire surface of the substrate on which the display electrode was formed and baked in an oxygen atmosphere to form a first dielectric layer. It was.

이후 상기 제1 유전층상에 상기 실시예 1에서 제조된 실리카 표면처리된 카본 나노 튜브를 플렌팅하여 전자 증폭층을 형성하였다. Thereafter, the silica surface-treated carbon nanotubes prepared in Example 1 were formed on the first dielectric layer to form an electron amplification layer.

다음으로 보호막 증착실에 넣고 이온 플레이팅법을 이용하여 MgO를 포함하는 보호막을 증착 형성하여 제1 기판을 제조하였다. 증착실 내부의 경우, 기본압력을 1×10-4Pa로, 증착 형성시의 압력을 5.3×10-2Pa로 하였으며, 산소를 100sccm(유량부피단위)로 공급하면서 기판을 200±5℃로 유지하였다. Next, the first substrate was manufactured by depositing a protective film containing MgO by using an ion plating method in a protective film deposition chamber. In the deposition chamber, the basic pressure was 1 × 10 -4 Pa, the deposition formation pressure was 5.3 × 10 -2 Pa, and the substrate was brought to 200 ± 5 ° C. while supplying oxygen at 100 sccm (flow volume unit). Maintained.

별도로, 소다석회 유리의 기판 위에 유전층, 격벽 및 형광체층을 형성하여 제2기판을 제조하였다. 이를 앞서 제조된 제1 기판과 함께 조립, 봉착하고 방전 셀 내의 공기를 배기한 후 400Torr의 조건으로 방전가스를 주입하여 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하였다.Separately, a second substrate was manufactured by forming a dielectric layer, a partition, and a phosphor layer on a substrate of soda lime glass. The plasma display panel was manufactured by assembling and encapsulating the first substrate together with the previously prepared substrate, exhausting the air in the discharge cell, and then injecting the discharge gas under the condition of 400 Torr.

[비교예 1] 플라즈마 디스플레이 패널의 제조Comparative Example 1 Manufacture of Plasma Display Panel

전자증폭층을 형성하지 않는 것을 제외하고는 상기 실시예 4와 동일하게 실시하여 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하였다.A plasma display panel was manufactured in the same manner as in Example 4, except that the electron amplification layer was not formed.

[비교예 2] 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 Comparative Example 2 Manufacture of Plasma Display Panel

소다석회 유리의 기판 위에 인듐 틴 옥사이드를 스퍼터링한 후 드라이 필름 레지스트(DFR)를 라미네이팅하였다. 상기 DFR 위에 패턴 형성된 포토 마스크를 더욱 라미네이팅 한 후 고압 수은등을 이용하여 노광하고, Na2CO3 0.4% 알칼리 수용액을 이용하여 현상하고 건조하여 투명 전극 형상으로 패터닝하였다. 이후 염산과 질산을 이용하여 에칭한 후 NaOH 5.0% 수용액을 이용하여 DFR 패턴 부분을 박리한 후 소성하여 투명 전극을 형성하였다. 투명 전극 상에 Ag를 포함하는 감광성 버스 전극 형성용 페이스트를 도포하였다. 도포된 Ag 함유 감광성 페이스트를 레벨링하고 건조한 후 DI(direct imaging) 노광기를 이용하여 노광하였다. 상기 건조와 노광 공정을 5회 이상 반복 실시한 후, Na2CO3 0.4% 알칼리 수용액을 이용하여 현상하고 소성하여 스트라이프 상으로 버스 전극을 형성함으로써 상기 투명 전극 및 버스 전극을 포함하는 표시 전극을 제조하였다. Dry film resist (DFR) was laminated after sputtering indium tin oxide on a substrate of soda lime glass. The patterned photomask was further laminated on the DFR, and then exposed using a high pressure mercury lamp, developed using Na 2 CO 3 0.4% aqueous alkali solution, dried, and patterned into a transparent electrode shape. After etching using hydrochloric acid and nitric acid, the DFR pattern portion was peeled off using a NaOH 5.0% aqueous solution and then fired to form a transparent electrode. The paste for forming the photosensitive bus electrode containing Ag was apply | coated on the transparent electrode. The applied Ag-containing photosensitive paste was leveled, dried and exposed using a direct imaging (DI) exposure machine. After repeating the drying and exposure processes five times or more, a display electrode including the transparent electrode and the bus electrode was manufactured by developing and baking using an aqueous Na 2 CO 3 0.4% alkali solution to form a bus electrode on a stripe. .

이어서, 28.4wt%의 SiO2, 69.8wt%의 PbO 및 1.8w%의 B2O3로 이루어진 유전체 페이스트를 상기 표시 전극이 형성된 기판 전면에 걸쳐 표면처리하고 산소 분위기 하에서 소성하여 제1 유전층을 형성하였다. Subsequently, a dielectric paste consisting of 28.4 wt% SiO 2 , 69.8 wt% PbO, and 1.8 w% B 2 O 3 was surface-treated over the entire surface of the substrate on which the display electrode was formed and baked in an oxygen atmosphere to form a first dielectric layer. It was.

이후 상기 제1 유전층상에 표면 처리되지 않은 카본 나노 튜브 20중량%를 포함하는 전자 증폭층 형성용 조성물을 스크린 인쇄한 후 질소 분위기 하에서 소성하여 전자 증폭층을 형성하였다. Thereafter, an electron amplification layer-forming composition including 20 wt% of untreated carbon nanotubes on the first dielectric layer was screen printed, and then fired in a nitrogen atmosphere to form an electron amplification layer.

다음으로 보호막 증착실에 넣고 이온 플레이팅법을 이용하여 MgO를 포함하는 보호막을 증착 형성하여 제1 기판을 제조하였다. 증착실 내부의 경우, 기본압력을 1×10-4Pa로, 증착 형성시의 압력을 5.3×10-2Pa로 하였으며, 산소를 100sccm(유량부피단위)로 공급하면서 기판을 200±5℃로 유지하였다. Next, the first substrate was manufactured by depositing a protective film containing MgO by using an ion plating method in a protective film deposition chamber. In the deposition chamber, the basic pressure was 1 × 10 -4 Pa, the deposition formation pressure was 5.3 × 10 -2 Pa, and the substrate was brought to 200 ± 5 ° C. while supplying oxygen at 100 sccm (flow volume unit). Maintained.

별도로, 소다석회 유리의 기판 위에 유전층, 격벽 및 형광체층을 형성하여 제2기판을 제조하였다. 이를 앞서 제조된 제1 기판과 함께 조립, 봉착하고 방전 셀 내의 공기를 배기한 후 400Torr의 조건으로 방전가스를 주입하여 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하였다.Separately, a second substrate was manufactured by forming a dielectric layer, a partition, and a phosphor layer on a substrate of soda lime glass. The plasma display panel was manufactured by assembling and encapsulating the first substrate together with the previously prepared substrate, exhausting the air in the discharge cell, and then injecting the discharge gas under the condition of 400 Torr.

상기 실시예 1 및 3에서 제조된 실리카 표면처리 카본 나노 튜브에 대하여 주사전자 현미경(scanning electron microscope: SEM) 사진을 촬영하였다. 그 결과를 도 2 및 3에 나타내었다.Scanning electron microscope (SEM) photographs were taken of the silica surface-treated carbon nanotubes prepared in Examples 1 and 3. The results are shown in FIGS. 2 and 3.

도 2는 실시예 1에서 제조된 실리카 표면처리 카본 나노 튜브의 SEM 사진이고, 도 3은 실시예 3에서 제조된 실리카 표면처리 카본 나노 튜브의 SEM 사진이다.FIG. 2 is an SEM photograph of the silica surface-treated carbon nanotubes prepared in Example 1, and FIG. 3 is an SEM photograph of the silica surface-treated carbon nanotubes prepared in Example 3. FIG.

도 2 및 도 3에 나타난 바와 같이, 실시예 1의 실리카 표면 처리층의 두께는 약 45nm 이었으나, 실시예 3의 실리카 표면 처리층의 두께는 50nm 이었다. 이는 카본 나노 튜브에 대한 실리카 표면 처리시 사용되는 에탄올의 농도에 따른 차이로 에탄올의 농도가 높을수록 실리카 표면 처리층의 두께가 두꺼워 짐을 알 수 있었다.As shown in FIG. 2 and FIG. 3, the thickness of the silica surface treatment layer of Example 1 was about 45 nm, but the thickness of the silica surface treatment layer of Example 3 was 50 nm. This is a difference depending on the concentration of ethanol used in the silica surface treatment on the carbon nanotubes, the higher the concentration of ethanol, the thicker the silica surface treatment layer was found.

상기 실시예 4 및 비교예 1, 2로 부터 제조된 플라즈마 디스플레이 패널에 대하여 휘도 특성을 평가하였다.The luminance characteristics of the plasma display panels manufactured from Example 4 and Comparative Examples 1 and 2 were evaluated.

결과 실리카 표면 처리된 카본 나노 튜브의 전자 증폭층을 포함하는 실시예 4의 플라즈마 디스플레이 패널은, 전자 증폭층을 포함하지 않는 비교예 1의 플라즈마 디스플레이 패널에 비해 현저히 우수한 휘도 특성을 나타내었다. 또한 실시예 4의 플라즈마 디스플레이 패널은 카본 나노 튜브의 전자 증폭층을 포함하는 비교예 2의 플라즈마 디스플레이 패널에 비해서도 우수한 휘도 특성을 나타내었다. 이는 비교예 2의 플라즈마 디스플레이 패널의 전자 증폭층내 포함된 카본 나노 튜브의 일부가 제조공정중 산화되었기 때문에, 전자 방출 효과가 그만큼 감소하고 이에 따라 플라즈마 디스플레이 패널의 휘도 특성도 낮아진 것임을 것을 알 수 있다. Results The plasma display panel of Example 4 including the electron amplification layer of silica surface treated carbon nanotubes showed remarkably superior luminance characteristics as compared to the plasma display panel of Comparative Example 1 containing no electron amplification layer. In addition, the plasma display panel of Example 4 exhibited excellent luminance characteristics compared to the plasma display panel of Comparative Example 2 including the electron amplifying layer of carbon nanotubes. This is because some of the carbon nanotubes included in the electron amplification layer of the plasma display panel of Comparative Example 2 was oxidized during the manufacturing process, it can be seen that the electron emission effect is reduced by that, the luminance characteristics of the plasma display panel is also lowered.

본 발명에 따른 평판 표시 장치는, 공정중 탄소계 물질의 산화 없이 용이하게 전자 증폭층의 형성이 가능하고, 평판 표시 장치 내부에서의 이온에 의한 2차 전자 방출 계수가 증대되어 방전 특성 및 휘도 특성을 현저히 향상시킬 수 있다. In the flat panel display device according to the present invention, the electron amplification layer can be easily formed without oxidation of a carbonaceous material during the process, and the secondary electron emission coefficient due to the ions inside the flat panel display device is increased, resulting in discharge characteristics and luminance characteristics. Can be significantly improved.

Claims (23)

서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판;A first substrate and a second substrate disposed to face each other; 상기 제1 기판과 제2 기판 사이의 공간에 배치되어 방전 셀들을 구획하는 격벽들;Barrier ribs disposed in a space between the first substrate and the second substrate to partition discharge cells; 상기 각 방전 셀 내에 형성되는 형광체층;A phosphor layer formed in each discharge cell; 상기 제2 기판에서 일방향을 따라 형성되는 어드레스 전극들;Address electrodes formed in one direction on the second substrate; 상기 제2 기판에서 어드레스 전극들을 덮으며 형성되는 제2 유전층;A second dielectric layer formed on the second substrate to cover address electrodes; 상기 제1 기판에서 상기 어드레스 전극과 교차하는 방향을 따라 형성되며, 상기 각 방전 셀에서 적어도 한 쌍이 대향하여 형성되는 표시 전극들; Display electrodes formed on the first substrate in a direction crossing the address electrodes, and at least one pair of the display electrodes facing each other in the discharge cells; 상기 제1 기판에서 표시 전극들을 덮으며 형성되는 제1 유전층;A first dielectric layer covering the display electrodes on the first substrate; 상기 제1 유전층 상에 실리카 표면처리된 탄소계 물질을 포함하는 전자 증폭층; 및An electron amplification layer including a carbon-based material having a silica surface treatment on the first dielectric layer; And 상기 전자 증폭층상에 형성되며, 불화물막 및 산화물막으로 이루어진 군에서 선택되는 1층 이상의 보호막을 포함하는 것인 평판 표시 장치.And at least one protective film formed on the electron amplification layer and selected from the group consisting of a fluoride film and an oxide film. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 전자 증폭층은 제1 유전층 위 전면에 형성되는 것인 평판 표시 장치.And the electron amplifying layer is formed on the entire surface of the first dielectric layer. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 전자 증폭층은 제1 유전층 위 표시 전극이 형성된 영역에 대응하여 형성된 것인 평판 표시 장치.And the electron amplifying layer is formed corresponding to a region where a display electrode is formed on the first dielectric layer. 삭제delete 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 실리카 표면처리된 탄소계 물질은 제1 유전층 상에서 방전 셀을 향하여 배열된 것인 평판 표시 장치.The silica surface-treated carbon-based material is arranged toward the discharge cell on the first dielectric layer. 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 탄소계 물질은 카본 나노 튜브, 그래파이트 나노 파이버, 카본 나노 파이버, 카본 나노 팁, 카본 나노 로드, 다이아몬드, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 것인 평판 표시 장치.The carbonaceous material is selected from the group consisting of carbon nanotubes, graphite nanofibers, carbon nanofibers, carbon nanotips, carbon nanorods, diamonds, and mixtures thereof. 삭제delete 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 보호막은 MgF2, CaF2, LiF, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 불화물막; 및 MgO, Al2O3, ZnO, CaO, SrO, SiO2, La2O3, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 산화물막으로 이루어진 군에서 선택되는 1층 이상의 것인 포함하는 평판 표시 장치.The protective film is a fluoride film selected from the group consisting of MgF 2 , CaF 2 , LiF, and mixtures thereof; And at least one layer selected from the group consisting of MgO, Al 2 O 3 , ZnO, CaO, SrO, SiO 2 , La 2 O 3 , and mixtures thereof. . 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 평판 표시 장치는 플라즈마 디스플레이 패널인 평판 표시 장치.And the flat panel display is a plasma display panel. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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