KR100751339B1 - Organic light emitting diode and method for fabricating the same - Google Patents
Organic light emitting diode and method for fabricating the same Download PDFInfo
- Publication number
- KR100751339B1 KR100751339B1 KR1020050069634A KR20050069634A KR100751339B1 KR 100751339 B1 KR100751339 B1 KR 100751339B1 KR 1020050069634 A KR1020050069634 A KR 1020050069634A KR 20050069634 A KR20050069634 A KR 20050069634A KR 100751339 B1 KR100751339 B1 KR 100751339B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- organic
- electrode
- substrate
- film
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 76
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 47
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 193
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- 229920001665 Poly-4-vinylphenol Polymers 0.000 claims description 13
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 claims description 10
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 10
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 10
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 claims description 10
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 9
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 9
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 8
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 claims description 8
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 7
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 claims description 5
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 4
- 230000001629 suppression Effects 0.000 claims description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 113
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 24
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 11
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 8
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 8
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Inorganic materials [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 8
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 7
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 7
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 6
- -1 polyethylene naphthalate Polymers 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 3
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N coronene Chemical compound C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CLYVDMAATCIVBF-UHFFFAOYSA-N pigment red 224 Chemical compound C=12C3=CC=C(C(OC4=O)=O)C2=C4C=CC=1C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C4=CC=C3C1=C42 CLYVDMAATCIVBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- VLDPXPPHXDGHEW-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-2-dichlorophosphoryloxybenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1OP(Cl)(Cl)=O VLDPXPPHXDGHEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSOFREOFMHUMMZ-UHFFFAOYSA-N 3,4-dicarbamoylnaphthalene-1,2-dicarboxylic acid Chemical compound C1=CC=CC2=C(C(O)=N)C(C(=N)O)=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C21 GSOFREOFMHUMMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NAZODJSYHDYJGP-UHFFFAOYSA-N 7,18-bis[2,6-di(propan-2-yl)phenyl]-7,18-diazaheptacyclo[14.6.2.22,5.03,12.04,9.013,23.020,24]hexacosa-1(23),2,4,9,11,13,15,20(24),21,25-decaene-6,8,17,19-tetrone Chemical compound CC(C)C1=CC=CC(C(C)C)=C1N(C(=O)C=1C2=C3C4=CC=1)C(=O)C2=CC=C3C(C=C1)=C2C4=CC=C3C(=O)N(C=4C(=CC=CC=4C(C)C)C(C)C)C(=O)C1=C23 NAZODJSYHDYJGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002301 cellulose acetate Polymers 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 125000006159 dianhydride group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- MZYHMUONCNKCHE-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,2,3,4-tetracarboxylic acid Chemical compound C1=CC=CC2=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C21 MZYHMUONCNKCHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- UGQZLDXDWSPAOM-UHFFFAOYSA-N pyrrolo[3,4-f]isoindole-1,3,5,7-tetrone Chemical compound C1=C2C(=O)NC(=O)C2=CC2=C1C(=O)NC2=O UGQZLDXDWSPAOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegallium Chemical compound [Te]=[Ga] OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N triacetic acid Chemical compound CC(=O)CC(=O)CC(O)=O ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/468—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics
- H10K10/474—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics the gate dielectric comprising a multilayered structure
- H10K10/476—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics the gate dielectric comprising a multilayered structure comprising at least one organic layer and at least one inorganic layer
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/80—Constructional details
- H10K10/82—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
- H10K50/171—Electron injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/18—Carrier blocking layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/125—Active-matrix OLED [AMOLED] displays including organic TFTs [OTFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/18—Deposition of organic active material using non-liquid printing techniques, e.g. thermal transfer printing from a donor sheet
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12044—OLED
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
본 발명은 화소를 한정하는 개구부를 갖는 게이트 절연막과 유기막을레이저전사법으로 동시에 형성하는 유기발광 표시장치 및 그의 제조방법을 개시한다.The present invention discloses an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same, which simultaneously form a gate insulating film and an organic film having an opening defining a pixel by a laser transfer method.
본 발명의 유기발광 표시장치의 제조방법은 소오스/드레인 전극 및 하부전극 그리고 반도체층을 구비하는 기판을 제공하는 단계와; 상기 기판에 대응하여 절연물질과 유기물질을 전사층으로 구비하는 도너필름을 마련하는 단계와; 상기 도너필름의 전사층을 상기 기판으로 전사시켜, 기판상에 상기 하부전극의 일부분을 노출시키는 개구부를 구비하는 제1절연막과 유기막층을 동시에 형성하는 단계와; 기판상에 게이트를 형성하는 단계와; 기판상에 상부전극을 형성하는 단계를 포함한다.A method of manufacturing an organic light emitting display device may include providing a substrate including a source / drain electrode, a lower electrode, and a semiconductor layer; Providing a donor film having an insulating material and an organic material as a transfer layer corresponding to the substrate; Transferring the transfer layer of the donor film to the substrate to simultaneously form a first insulating film and an organic film layer having an opening on the substrate to expose a portion of the lower electrode; Forming a gate on the substrate; Forming an upper electrode on the substrate.
Description
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 단면도,1 is a cross-sectional view of an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention;
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 단면도,2A to 2C are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention;
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 단면도,3 is a cross-sectional view of an organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention;
도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 단면도,4A to 4C are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention;
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 단면도,5 is a cross-sectional view illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention;
도 6a 내지 도 6c는 본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시장치에 있어서, 게이트절연막의 개구부패턴의 일예를 도시한 도면,6A to 6C illustrate an example of an opening pattern of a gate insulating film in an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention;
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
100, 200 : 유기발광 표시장치 110, 210 : 기판 100, 200: organic light
130, 230 : 반도체층 140, 240 : 게이트 절연막130 and 230:
121, 125, 221, 225 : 소오스/드레인 전극121, 125, 221, 225: source / drain electrodes
145, 245 : 개구부 150, 250 : 게이트 145, 245: opening 150, 250: gate
본 발명은 평판표시장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 화소를 한정하는 개구부를 구비하는 게이트절연막과 유기막층을 레이저전사법으로 동시에 형성하는 유기전계 발광표시장치 및 그의 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a flat panel display, and more particularly, to an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same, which simultaneously form a gate insulating film and an organic film layer having an opening defining a pixel by a laser transfer method.
유기 박막 트랜지스터는 차세대 디스플레이장치의 구동소자로서 활발한 연구가 진행되고 있다. 유기 박막 트랜지스터(OTFT, organic thin film transistor)는 반도체층으로 실리콘막 대신에 유기막을 사용하는 것으로서, 유기막의 재료에 따라 올리고티오펜(oligothiophene), 펜타센(pentacene) 등과 같은 저분자 유기물과 폴리티오펜(polythiophene) 계열 등과 같은 고분자 유기물로 분류된다. Organic thin film transistors are being actively researched as driving elements of next generation display devices. Organic thin film transistors (OTFTs) use organic films instead of silicon films as semiconductor layers. Depending on the materials of the organic films, low molecular weight organic materials such as oligothiophene, pentacene, and polythiophene may be used. It is classified into high molecular organic substance such as (polythiophene) series.
통상적으로, 플렉서블 유기전계 발광표시장치는 기판으로 플렉서블 기판을 사용하고, 상기 플렉서블 기판은 플라스틱 기판 등을 포함한다. 플라스틱 기판은 열안정성이 매우 취약하여 저온공정을 이용하여 유기 전계 발광표시장치를 제조하는 것이 요구되고 있다. 이에 따라 반도체층으로 유기막을 사용하는 유기 박막 트랜지스터는 저온공정이 가능하므로, 플렉서블 유기전계 발광표시장치의 스위칭소자로서 각광을 받고 있다.In general, a flexible organic light emitting display device uses a flexible substrate as a substrate, and the flexible substrate includes a plastic substrate. Since plastic substrates have very poor thermal stability, it is required to manufacture organic light emitting display devices using low temperature processes. Accordingly, an organic thin film transistor using an organic film as a semiconductor layer is capable of a low temperature process, and thus has been in the spotlight as a switching element of a flexible organic light emitting display device.
종래의 유기 박막 트랜지스터를 구비한 유기전계 발광표시장치는 기판상에 소오스/드레인 전극, 반도체층 및 게이트를 구비하는 박막 트랜지스터가 형성되고, 상기 박막 트랜지스터상부에 보호막이 형성되며, 보호막상에 하부전극, 유기막층 및 상부전극을 구비하는 유기발광소자가 형성되는 구조를 갖는다. In a conventional organic light emitting display device having an organic thin film transistor, a thin film transistor including a source / drain electrode, a semiconductor layer, and a gate is formed on a substrate, a protective film is formed on the thin film transistor, and a lower electrode is formed on the protective film. , An organic light emitting device including an organic layer and an upper electrode is formed.
상기 박막 트랜지스터의 소오스/드레인 전극과 게이트사이에는 게이트절연막이 형성된다. 상기 하부전극은 보호막에 형성된 비어홀을 통해 상기 박막 트랜지스터의 소오스/드레인 전극중 하나에 연결된다. 화소분리막은 하부전극의 일부분을 노출시켜 주는 개구부를 구비하며, 상기 개구부의 화부전극상에 유기막층이 형성되고 그위에 상부전극이 형성된다.A gate insulating film is formed between the source / drain electrodes and the gate of the thin film transistor. The lower electrode is connected to one of the source / drain electrodes of the thin film transistor through a via hole formed in the passivation layer. The pixel isolation layer has an opening that exposes a portion of the lower electrode, and an organic layer is formed on the bud electrode of the opening, and an upper electrode is formed thereon.
상기한 바와같은 종래의 유기전계 발광표시장치는 유기막층으로부터의 광이 발광되는 경로에 따라 배면발광구조, 전면발광구조 그리고 양면발광구조를 갖는다. 배면발광형 유기전계 발광표시장치에서는 유기발광층으로부터 발광되는 광이 기판쪽으로 방출되고, 전면발광형 유기전계 발광표시장치에서는 유기발광층으로부터 발광되는 광이 기판반대방향으로 방출되며, 양면발광형 유기전계 발광표시장치에서는 유기발광층으로부터 광이 기판과 기판반대방향으로 동시에 방출된다.The conventional organic light emitting display device as described above has a back light emitting structure, a top light emitting structure, and a double light emitting structure according to a path from which light from an organic layer is emitted. In the bottom emission type organic light emitting display device, light emitted from the organic light emitting layer is emitted toward the substrate. In the top emission type organic light emitting display device, the light emitted from the organic light emitting layer is emitted to the opposite side of the substrate. In the display device, light is simultaneously emitted from the organic light emitting layer in a direction opposite to the substrate.
상기한 바와같은 유기전계 발광표시장치는 소오스/드레인 전극, 반도체층 및 게이트를 구비하는 박막 트랜지스터를 형성하는 공정과, 보호막을 형성한 다음 마스크공정을 통해 비어홀을 형성하는 공정과, 보호막상에 비어홀을 통해 박막 트랜지스터에 연결되는 하부전극을 형성하는 공정과, 상기 하부전극상에 화소분리막을 증착한 다음 마스크공정을 통해 화소전극을 노출시키기 위한 개구부를 형성하는 공정과, 유기막 및 상부전극을 형성하는 공정을 포함하므로, 공정이 매우 복잡한 문제점이 있었다.The organic light emitting display device as described above includes a process of forming a thin film transistor including a source / drain electrode, a semiconductor layer, and a gate, a process of forming a via hole through a mask process after forming a passivation layer, and a via hole on the passivation layer. Forming a lower electrode connected to the thin film transistor through the deposition process, depositing a pixel separation layer on the lower electrode, and then forming an opening for exposing the pixel electrode through a mask process; forming an organic layer and an upper electrode Since the process is included, the process has a very complicated problem.
또한, 상기 화소분리막에 개구부를 형성할 때 사진식각공정을 통하여 형성하 는 경우에는 포토레지스트의 잔존물이 남게 되고, 이로 인하여 패턴불량등을 유발하는 문제점이 있었다. In addition, when the opening is formed in the pixel separation layer, the residue of the photoresist remains when the photoetching process is formed, thereby causing a pattern defect.
본 발명은 상기한 바와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 화소분리막으로 이용되는 게이트 절연막과 유기막층을 레이저전사법으로 동시에 형성하여 공정을 단순화한 평판표시장치 및 그의 제조방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.The present invention is to solve the problems of the prior art as described above, to provide a flat panel display device and a method of manufacturing the same by simplifying the process by simultaneously forming a gate insulating film and an organic film layer used as a pixel separation film by a laser transfer method The purpose is.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 소오스/드레인 전극 및 상기 소오스/드레인 전극중 하나에 연결되는 하부전극 그리고 상기 소오스/드레인 전극과 콘택되는 반도체층을 구비하는 기판을 제공하는 단계와; 상기 기판에 대응하여 절연물질과 유기물질을 전사층으로 구비하되, 상기 절연물질은 상기 하부전극에 대응하는 부분을 제외한 유기물질의 표면에 배열되도록 패터닝된 도너필름을 마련하는 단계와; 상기 도너필름의 전사층을 상기 기판으로 전사시켜, 기판상에 상기 하부전극의 일부분을 노출시키는 개구부를 구비하는 제1절연막과 유기막층을 동시에 형성하는 단계와; 상기 반도체층에 대응하는 기판상에 게이트를 형성하는 단계와; 상기 기판의 전면상에 상부전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기발광 표시장치의 제조방법을 제공하는 것을 특징으로 한다.To achieve the above object, the present invention provides a method comprising: providing a substrate having a source / drain electrode, a lower electrode connected to one of the source / drain electrodes, and a semiconductor layer in contact with the source / drain electrode; Providing a donor film including an insulating material and an organic material as a transfer layer corresponding to the substrate, wherein the insulating material is arranged on the surface of the organic material except for a portion corresponding to the lower electrode; Transferring the transfer layer of the donor film to the substrate to simultaneously form a first insulating film and an organic film layer having an opening on the substrate to expose a portion of the lower electrode; Forming a gate on a substrate corresponding to the semiconductor layer; It provides a method of manufacturing an organic light emitting display device comprising the step of forming an upper electrode on the front surface of the substrate.
상기 도너필름의 전사층중 절연물질은 상기 제1절연막의 개구부에 대응하는 개구부를 구비하도록 패터닝된다. The insulating material in the transfer layer of the donor film is patterned to have an opening corresponding to the opening of the first insulating film.
상기 제1절연막은 게이트절연막으로 작용함과 동시에 상기 하부전극을 한정하는 화소분리막으로 작용하며, 바람직하게는 상기 제1절연막은 SiO2, 폴리이미드(polyimide), 폴리비닐페놀(PVP, poly vinyl phenol), PVA(polyvinyl alcohol), PVC(polyvinyl chloride), PMMA(poly methylmethacrylate), 파릴렌(parylene) 및 PI/Al2O3 을 포함하는 그룹으로부터 선택되는 적어도 하나이상의 막을 포함한다.The first insulating layer serves as a gate insulating layer and at the same time serves as a pixel isolation layer defining the lower electrode. Preferably, the first insulating layer is formed of SiO 2, polyimide, or polyvinyl phenol (PVP). At least one membrane selected from the group consisting of polyvinyl alcohol (PVA), polyvinyl chloride (PVC), poly methylmethacrylate (PMMA), parylene, and PI / Al2O3.
상기 유기물질은 정공주입층, 정공수송층, 전자수송층, 전자주입층 및 정공억제층으로부터 선택되는 적어도 하나의 층을 포함하는 공통층과, 발광층을 포함한다.The organic material includes a common layer including at least one layer selected from a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and a hole suppression layer, and a light emitting layer.
본 발명의 유기발광표시장치의 제조방법은 상기 게이트를 형성하는 단계 다음에, 게이트와 상부전극을 절연시켜주기 위한 제2절연막을 형성하는 단계를 더 포함한다. 상기 제2절연막은 유기절연막 또는 무기절연막을 포함하거나 또는 유기-무기 하이브리드막을 포함한다.The method of manufacturing an organic light emitting display device according to the present invention further includes forming a second insulating layer for insulating the gate from the upper electrode after forming the gate. The second insulating layer may include an organic insulating layer, an inorganic insulating layer, or an organic-inorganic hybrid layer.
상기 반도체층은 유기반도체물질을 포함하며, 상기 소오스/드레인 전극은 서로 다른 물질로 이루어지고, 상기 하부전극은 소오스/드레인 전극중 하나의 전극으로부터 연장형성된다.The semiconductor layer includes an organic semiconductor material, the source / drain electrodes are formed of different materials, and the lower electrode extends from one of the source / drain electrodes.
상기 반도체층은 유기반도체물질을 포함하며, 상기 소오스/드레인 전극과 하부전극은 서로 다른 물질을 포함하며, 상기 하부전극은 상기 소오스/드레인 전극중 하나의 전극에 연결된다.The semiconductor layer includes an organic semiconductor material, and the source / drain electrode and the lower electrode include different materials, and the lower electrode is connected to one of the source / drain electrodes.
또한, 본 발명은 기판과; 상기 기판상에 형성된 소오스전극 및 드레인 전극과; 상기 소오스/드레인 전극과 콘택되는 반도체층과; 상기 반도체층에 대응하는 상기 기판상에 형성된 게이트와; 상기 소오스/드레인 전극과 게이트사이에 형성되고, 개구부를 구비하는 제1절연막과; 상기 제1절연막상에 형성된 유기막층과; 상기 제1절연막의 개구부에 의해 일부분이 노출되는 하부전극과; 상기 기판의 전면상에 형성된 상부전극과; 상기 게이트와 상기 상부전극사이에 형성되어 이들을 절연시켜 주기 위한 제2절연막을 포함하며, 상기 제1절연막과 유기막층은 레이저 전사법에 의해 동시에 형성된 유기발광 표시장치를 제공하는 것을 특징으로 한다.In addition, the present invention is a substrate; A source electrode and a drain electrode formed on the substrate; A semiconductor layer in contact with the source / drain electrode; A gate formed on the substrate corresponding to the semiconductor layer; A first insulating layer formed between the source / drain electrode and the gate and having an opening; An organic film layer formed on the first insulating film; A lower electrode partially exposed by the opening of the first insulating layer; An upper electrode formed on the front surface of the substrate; And a second insulating layer formed between the gate and the upper electrode to insulate the gate electrode, wherein the first insulating layer and the organic layer are formed simultaneously by a laser transfer method.
이하 본 발명의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 단면도를 도시한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치(100)는 기판상에 매트릭스형태로 배열되는 다수의 화소를 구비하며, 각 화소는 2개의 박막 트랜지스터, 스위칭 박막 트랜지스터와 구동 박막 트랜지스터 그리고 캐패시터와 유기발광소자를 구비한다. 도 1에는 유기발광소자와 상기 유기발광소자를 구동하기 위한 구동박막트랜지스터에 대하여 한정 도시한 것이다.1 is a cross-sectional view of an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention. The organic light
도 1을 참조하면, 기판(110)상에 소오스/드레인 전극(121), (125)이 형성되고, 하부전극(160)이 상기 소오스/드레인 전극(121), (125)중 하나의 전극, 예를 들어 드레인 전극(125)으로부터 연장형성된다. 상기 하부전극(160)은 각 화소의 화소전극으로 작용한다. 상기 소오스/드레인 전극(121), (125)과 콘택되도록 반도체층(130)이 형성된다. Referring to FIG. 1, source /
기판상에 게이트 절연막(140)이 형성된다. 상기 게이트 절연막(140)은 상기 하부전극(160)에 대응하는 부분에 개구부(145)를 구비하여 하부전극(160)을 한정하는 화소분리막의 역할을 한다. 상기 개구부(145)의 하부전극(160) 및 게이트절연막(145)상에 유기막층(170)이 형성된다. The
상기 유기막층(170)상에 게이트(150)가 형성되며, 기판상에 상부전극(180)이 형성된다. 상기 게이트(150)와 상부전극(180)사이에는 이들사이를 절연시켜 주기 위한 절연막(155)이 개재된다. 도면상에는 도시되지 않았으나, 기판(110)과 소오스전극(121) 및 드레인전극(125)사이에 버퍼막을 더 구비할 수도 있다.The
상기 유기막층(170)은 정공주입층, 정공수송층, 전자수송층, 전자주입층 및 정공억제층으로부터 선택되는 하나이상의 공통층과 유기 발광층을 포함한다. 도면상에는 도시되지 않았으나, 상기 공통층은 인접하는 화소간에 서로 연결되거나 또는 분리되도록 형성될 수 있으며, 상기 발광층은 화소전극상의 개구부상에 형성되어 인접하는 화소간에는 서로 분리되도록 형성되는 것이 바람직하다.The
상기 기판(110)은 글라스기판, 플라스틱기판 또는 금속기판을 포함한다. 상기 금속기판은 바람직하게는 SUS(steel use stainless)를 포함한다. 상기 플라스틱기판은 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenen napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET, polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(PC), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propinonate: CAP)로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 플라스틱 필름을 포함한다. The
상기 반도체층(130)은 유기 반도체층을 포함하며, 펜타센(pentacene), 테트라센(tetracene), 안트라센(anthracene), 나프탈렌(naphthalene), 알파-6-티오펜, 페릴렌(perylene) 및 그 유도체, 루브렌(rubrene) 및 그 유도체, 코로넨(coronene) 및 그 유도체, 페릴렌 테트라카르복실릭디이미드(perylene tetracarboxylic diimide) 및 그 유도체, 페릴렌테트라카르복실릭 디안하이드라이드(perylene tetracarboxylic dianhydride) 및 그 유도체, 폴리티오펜 및 그 유도체, 폴리파라페릴렌비닐렌 및 그 유도체, 폴리플로렌 및 그 유도체, 폴리티오펜비닐렌 및 그 유도체, 폴리파라페닐렌 및 그 유도체, 폴리티오펜-헤테로고리방향족 공중합체 및 그 유도체, 나프탈렌의 올리고아센 및 이들의 유도체, 알파-5-티오펜의 올리고티오펜 및 이들의 유도체, 금속을 함유하거나 함유하지 않은 프탈로시아닌 및 이들의 유도체, 파이로멜리틱 디안하이드라이드 및 그 유도체, 파이로멜리틱 디이미드 및 이들의 유도체, 퍼릴렌테트라카르복실산 디안하이드라이드 및 그 유도체, 나프탈렌 테트라카르복시산 디이미드 및 이들의 유도체, 나프탈렌 테트라카르복시산 디안하이드라이드 및 이들의 유도체로부터 선택되는 유기막을 포함한다.The
한편, 상기 반도체층(130)은 비정질 실리콘막 또는 다결정 실리콘막과 같은 실리콘막을 포함하며, 상기 소오스/드레인 전극(121), (125)과 콘택되는 부분에 고농도 불순물이 도핑된 소오스/드레인 영역을 포함할 수도 있다.Meanwhile, the
상기 게이트 절연막(140)은 레이저전사가 가능한 물질로서, 유기절연막, 무기절연막 또는 유기-무기 하이브리드막을 포함하며, 단일막 또는 다층막으로 이루어진다. 게이트 절연막(140)은 SiO2, 폴리이미드(polyimide), 폴리비닐페놀(PVP, poly vinyl phenol), PVA(polyvinyl alcohol), PVC(polyvinyl chloride), PMMA(poly methylmethacrylate), 파릴렌(parylene) 및 PI/Al2O3 을 포함하는 그룹으로부터 선택되는 막을 포함한다. The
일 실시예에 따른 유기발광 표시장치(100)에서, 소오스전극(121)과 드레인 전극(125)은 서로 다른 물질로 이루어진다. 소오스전극(121)은 반도체층(130)과의 콘택저항이 중요하므로, 상기 반도체층(130)보다 일함수가 큰 전극물질을 포함하며, Au, Pt 및 Pd 으로부터 선택되는 금속전극물질을 포함한다. In the organic light emitting
한편, 상기 드레인 전극(125)은 게이트 절연막(140)에 의해 노출되는 부분이 하부전극(160) 즉, 애노드전극으로 작용하므로, 드레인 전극은 하부전극물질을 포함하는 것이 바람직하다.Meanwhile, since the portion of the
예를 들어, 상기 유기발광 표시장치(100)가 배면발광구조를 갖는 경우, 상기 하부전극(160)은 투과전극을 포함하는 것이 바람직하다. 하부전극(160)은 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 와 같은 투명도전막을 포함하는 것이 바람직하다. 한편, 전면발광구조를 갖는 경우에는, 상기 하부전극(160)은 반사전극을 포함하며, 바람직하게는 하부전극(160)은 투명도전막과, 상기 투명도전막의 하부에 반사율이 우수한 반사막을 구비한다. 상기 하부전극(160)을 위한 투명도전막은 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등을 포함하고, 반사막으로는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 또는 이들의 화합물 등을 포함한다. For example, when the organic light emitting
상기 상부전극(180)은 배면발광구조를 갖는 경우에는 반사전극을 포함하며, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg 또는 이들의 화합물 등을 포함한다. 한편, 전면발광구조를 갖는 경우에는 상부전극(180)은 투과전극을 포함하며, 금속막과 투명도전막의 적층구조를 갖는다. 상기 상부전극(180)을 위한 금속막은 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg 또는 이들의 화합물 등을 포함하고, 투명도전막은 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등을 포함한다.The
절연막(155)은 산화막 또는 질화막 등과 같은 무기 절연막을 포함하거나, 폴리이미드, 파릴렌등, PVP 등과 같은 유기절연막을 포함하거나 또는 유기-무기 하이브리드막을 포함할수도 있다. The insulating
도 6a 내지 도 6c는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치에 있어서, 게이트 절연막(140)의 개구부(145)의 패턴예를 도시한 것이다. 본 발명의 유기발광 표시장치(100)는 다수의 게이트라인(101)과 다수의 데이트라인(103)이 기판(110)상에 배열되고, 상기 다수의 게이트라인(101)과 다수의 데이터라인(103)에 의해 한정되는 다수의 화소영역(105)을 구비한다. 6A to 6C illustrate examples of patterns of the
각 화소영역(105)에는 도 1에 도시된 바와같은 하부전극(160)인 화소전극을 구비하는 유기발광소자와, 상기 유기발광소자를 구동하기 위한 박막 트랜지스터가 배열된다. 또한, 전원전압을 공급하기 위한 전원라인(도면상에는 도시되지 않음) 이 배열되는데, 상기 게이트라인(105)과는 교차하고 상기 데이터라인과는 나란하게 배열될 수 있다.In each
도 6a 내지 도 6c에는 게이트라인(101), 데이터라인(103) 및 화소영역(105)에 배열되는 화소전극(160)에 한정하여 개략적으로 도시한 것이다. 본 발명의 실시예에서는 각 화소영역(105)에 화소전극(160)을 구동하기 위한 하나의 박막 트랜지스터에 대하여만 도시한 것이다.6A through 6C schematically illustrate the
도 6a 내지 도 6c를 참조하면, 게이트 절연막(140)은 각 화소영역(105)에 배열되는 화소전극(160)의 일부분을 각각 노출시키는 개구부(145)가 메쉬형태로 배열 되거나 또는 다수의 화소영역(105)에 배열되는 화소전극(160)중 일방향으로 배열되는 화소전극, 즉 데이터라인 또는 게이트라인을 따라 배열되는 화소전극의 일부분을 노출시키도록 라인형태로 배열된다.6A through 6C, the
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 전사법을 이용한 유기전계 발광표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 단면도를 도시한 것이다.2A to 2C are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display device using a laser transfer method according to an embodiment of the present invention.
도 2a를 참조하면, 기판(110)상에 소오스전극(121)과 드레인 전극(125)을 형성하고, 상기 소오스전극(121) 및 드레인 전극(125)과 콘택되도록 반도체층(130)을 형성한다. 기판(110)은 플라스틱기판, 글라스기판 또는 금속기판을 사용한다. 상기 반도체층(130)은 유기반도체층을 포함한다. 또한, 상기 반도체층(130)은 실리콘막을 포함할 수도 있다.Referring to FIG. 2A, the
도면상에는 도시되지 않았으나, 소오스전극(121)을 형성한 다음 드레인전극(125)을 형성하거나 또는 드레인전극(125)을 형성한 다음 소오스전극(121)을 형성할 수도 있다. 바람직하게는, 드레인전극의 일부분이 후속공정에서 노출되어 화소전극으로 작용하므로, 화소전극의 표면손상 또는 표면오염을 방지하기 위하여 소오스전극을 형성한 다음에 형성하는 것이 바람직한다. Although not shown in the drawing, the
상기 소오스전극(121)은 반도체층(130)과의 콘택저항을 감소시키기 위한 물질, 예를 들어 Au, Pd 또는 Pt 등을 포함한다. 상기 드레인 전극(125)은 유기전계 발광소자의 하부전극으로 사용되므로, 투과전극물질을 포함하거나 또는 반사전극물질을 포함한다. 예를 들어, 드레인 전극(125)은 투과전극으로 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등을 포함하거나, 또는 반사전극으로서 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 또는 이들의 화합물 등의 반사전극물질과 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등의 투명도전막의 적층막을 포함한다. The
이어서, 게이트 절연막과 유기막층을 형성하기 위한 도너필름(10)을 준비한다. 도너필름(10)은 베이스필름(11), 광-열변환층(12) 및 전사층(13)을 구비한다. 상기 베이스필름(11)은 지지필름으로서의 역할을 하며, 투명성 고분자를 포함한다. 예를 들어, 상기 베이스필름(11)은 폴리에틸린 테레프탈레이트와 같은 폴리에스테르, 폴리아크릴, 폴리에폭시, 폴리에틸렌, 폴리스티렌 등을 포함한다. Next, the
상기 광-열변환층(12)은 적외선-가시광선영역의 광을 흡수하는 광흡수성 물질을 포함한다. 상기 전사층(13)은 기판(110)상에 형성될 게이트 절연막을 위한 절연물질(13-2) 및 유기막층을 위한 유기물질(13-1)이 증착 또는 코팅공정을 통해 광-열변환층(12)상에 형성된다. 상기 전사층(13)중 게이트 절연물질(13-2)은 유기절연물질 또는 무기절연막을 포함하거나 또는 유기-무기 하이브리드막을 포함한다. 유기막층(13-1)은 유기 공통층과 유기발광층을 포함한다.The light-heat conversion layer 12 includes a light absorbing material that absorbs light in the infrared-visible light region. The
상기 도너필름(10)은 도 2a 에 도시된 구조에 한정되는 것이 아니라, 반사에 의해 전사층(13)의 특성이 저하되는 것을 방지하기 위하여 반사방지(anti-reflection)용 코팅처리를 하거나 또는 필름의 감도를 향상시키기 위하여 광-열변환층(12)하부에 개스생성층을 더 구비하는 등 다양한 구조를 가질 수 있다. The
도 2b를 참조하면, 상기 도너필름(10)을 기판(110)에 접착시킨 다음 개구부(145)가 형성될 부분과 그이외 부분에 대해 조사되는 레이저광의 광량을 서로 다르게 하여 도너필름(10)으로 레이저를 조사하면 상기 전사층(13)이 기판상에 전사된 다. 이로써, 상기 드레인 전극(125)의 일부분을 노출시키는 개구부(145)를 구비하는 게이트 절연막(140)과 유기막층(170)이 동시에 형성된다. 즉, 도너필름(10)중 게이트 절연막(140)의 개구부(145)에 해당되는 부분에는 상대적으로 큰 레이저광이 조사되도록 하여 상기 게이트 절연막(140)을 위한 전사층(13-2)이 식각되어 없어지도록 하고, 반면에 개구부(145)에 대응하는 부분을 제외한 도너필름(10)으로는 레이저 전사가 가능한 만큼의 레이저광이 조사되도록 하여 게이트 절연막(140)과 유기막층(170)을 동시에 형성하도록 한다. Referring to FIG. 2B, the
상기 게이트 절연막(140)은 도 6a 내지 도 6c에 도시된 바와같은 형태의 개구부(145)를 구비한다. 상기 드레인 전극(125)중 게이트 절연막(140)의 개구부(145)에 노출되는 부분은 애노드전극인 하부전극(160)이 된다. 따라서, 상기 게이트 절연막(140)은 개구부(145)에 의해 하부전극(160)을 한정하는 화소정의막으로도 작용한다.The
도 2c를 참조하면, 상기 유기막층(170)중 반도체층(130)에 대응하는 부분에 게이트(150)를 형성하고, 상기 게이트(150)를 덮도록 절연막(155)을 형성한 다음 기판상에 상부전극(180)을 형성하면 도 1에 도시된 바와같은 일 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치(100)가 제조된다. 상부전극(180)은 투과전극 또는 반사전극을 포함한다. 상기 절연막(155)은 산화막 또는 질화막 등과 같은 무기 절연막을 포함하거나, 폴리이미드, 파릴렌등, PVP 등과 같은 유기절연막을 포함하거나 또는 유기-무기 하이브리드막을 포함할수도 있다. Referring to FIG. 2C, a
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치의 단면도를 도 시한 것이다. 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치(200)는 기판상에 매트릭스형태로 배열되는 다수의 화소를 구비하며, 각 화소는 2개의 박막 트랜지스터, 스위칭 박막 트랜지스터와 구동 박막 트랜지스터 그리고 캐패시터와 유기발광소자를 구비한다. 도 3에는 유기발광소자와 유기발광소자를 구동하기 위한 구동 박막 트랜지스터에 한정하여 도시한 것이다.3 is a cross-sectional view of an organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention. According to another exemplary embodiment, an organic light emitting
도 3을 참조하면, 기판(210)상에 소오스/드레인 전극(221), (225)이 형성되고, 하부전극(260)이 상기 소오스/드레인 전극(221), (225)중 하나의 전극, 예를 들어 드레인 전극(225)에 연결되도록 기판상에 형성된다. 상기 하부전극(360)은 각 화소의 화소전극으로 작용한다. 상기 소오스/드레인 전극(221), (225)과 콘택되도록 반도체층(230)이 형성된다. Referring to FIG. 3, the source /
기판상에 게이트 절연막(240)이 형성된다. 상기 게이트 절연막(240)은 상기 하부전극(260)에 대응하는 부분에 개구부(245)를 구비하여 하부전극(260)을 한정하는 화소분리막의 역할을 한다. 상기 개구부(245)의 하부전극(260) 및 게이트절연막(245)상에 유기막층(270)이 형성된다. The
상기 유기막층(270)상에 게이트(250)가 형성되며, 기판상에 상부전극(280)이 형성된다. 상기 게이트(250)와 상부전극(280)사이에는 이들사이를 절연시켜 주기 위한 절연막(255)이 개재된다. 도면상에는 도시되지 않았으나, 기판(210)과 소오스전극(221) 및 드레인전극(225)사이에 버퍼막을 더 구비할 수도 있다.The
도면상에는 도시되지 않았으나, 상기 유기막층(270)은 정공주입층, 정공수송층, 전자수송층, 전자주입층 및 정공억제층으로부터 선택되는 하나이상의 유기막을 포함하는 공통층과 유기발광층을 포함한다. 상기 유기공통층은 이웃하는 화소전간에 서로 분리되거나 또는 연결되도록 형성될 수 있으며, 상기 유기발광층은 이웃하는 화소간에 서로 분리되도록 형성되는 것이 바람직한다.Although not shown in the drawing, the
상기 기판(210)은 일 실시예에서와 마찬가지로 글라스기판, 플라스틱기판 또는 금속기판을 포함하며, 상기 반도체층(230)은 유기반도체막 또는 실리콘막을 포함한다. As in the exemplary embodiment, the
상기 게이트 절연막(240)은 상기 하부전극(260)을 노출시키기 위한 개구부(245)를 구비한다. 개구부(245)는 도 6a 내지 도 6c에 도시된 바와 같이 메쉬형태 또는 라인형태로 배열되는 구조를 갖는다. The
상기 게이트 절연막(240)은 레이저전사가 가능한 물질로서, 유기절연막, 무기절연막 또는 유기-무기 하이브리드막을 포함하며, 단일막 또는 다층막으로 이루어진다. 게이트 절연막(240)은 SiO2, 폴리이미드(polyimide), 폴리비닐페놀(PVP, poly vinyl phenol), PVA(polyvinyl alcohol), PVC(polyvinyl chloride), PMMA(poly methylmethacrylate), 파릴렌(parylene) 및 PI/Al2O3 을 포함하는 그룹으로부터 선택되는 막을 포함한다. The
상기 소오스/드레인 전극(221), (225)은 반도체층(230)과의 콘택저항이 중요하므로, 상기 소오스/드레인 전극(221), (225)은 유기반도체층(230)보다 일함수가 큰 전극물질을 포함하며, Au, Pt 및 Pd 으로부터 선택되는 금속전극물질을 포함한다. Since the source /
상기 하부전극(260)은 상기 유기전계 발광표시장치(200)가 배면발광구조를 갖는 경우, 투과전극을 포함하는 것이 바람직하다. 하부전극(260)은 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 와 같은 투명도전막을 포함하는 것이 바람직하다. 한편, 전면발광구조를 갖는 경우에는, 상기 하부전극(260)은 반사전극을 포함하며, 바람직하게는 하부전극(260)은 투명도전막과, 상기 투명도전막의 하부에 반사율이 우수한 반사막을 구비한다. 상기 하부전극(260)을 위한 투명도전막은 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등을 포함하고, 반사막으로는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 또는 이들의 화합물 등을 포함한다. The
상기 상부전극(280)은 배면발광구조를 갖는 경우에는 반사전극을 포함하며, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg 또는 이들의 화합물 등을 포함한다. 한편, 전면발광구조를 갖는 경우에는 상부전극(280)은 투과전극을 포함하며, 금속막과 투명도전막의 적층구조를 갖는다. 상기 상부전극(280)을 위한 금속막은 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg 또는 이들의 화합물 등을 포함하고, 투명도전막은 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등을 포함한다.When the
상기 절연막(255)은 산화막 또는 질화막 등과 같은 무기 절연막을 포함하거나, 폴리이미드, 파릴렌등, PVP 등과 같은 유기절연막을 포함하거나 또는 유기-무기 하이브리드막을 포함할수도 있다. The insulating
도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 단면도를 도시한 것이다.4A to 4C are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention.
도 4a를 참조하면, 기판(210)상에 소오스전극(221)과 드레인 전극(225)을 형성하고, 상기 소오스/드레인 전극(221), (225)중 하나의 전극, 예를 들어 드레인 전극(225)에 연결되는 하부전극(260)과, 상기 소오스전극(221) 및 드레인 전극(225)과 콘택되도록 반도체층(230)을 형성한다. 기판(210)은 플라스틱기판, 글라스기판 또는 금속기판을 사용한다. 상기 반도체층(230)은 유기반도체층을 포함한다. 또한, 상기 반도체층(230)은 실리콘막을 포함할 수도 있다.Referring to FIG. 4A, a
상기 소오스/드레인 전극(221), (225)은 반도체층(230)과의 콘택저항을 감소시키기 위한 물질, 예를 들어 Au, Pd 또는 Pt 등을 포함한다. 상기 하부전극(260)은 투과전극물질을 포함하거나 또는 반사전극물질을 포함한다. 예를 들어, 하부전극(260)은 투과전극으로 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등을 포함하거나, 또는 반사전극으로서 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 또는 이들의 화합물 등의 반사전극물질과 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등의 투명도전막의 적층막을 포함한다. The source /
이어서, 게이트 절연막을 형성하기 위한 도너필름(20)을 준비한다. 도너필름(20)은 일 실시예에 따른 도너필름(10)과 동일한 구조를 갖으며, 베이스필름(21), 광-열변환층(22) 및 전사층(23)을 구비한다. 상기 전사층(23)은 상기 게이트 절연막을 위한 절연물질(23-2)과 유기층을 위한 유기물질(23-1)을 포함한다.Next, the
도 4b를 참조하면, 상기 도너필름(20)을 기판(210)에 접착시킨 다음 개구부(245)가 형성될 부분과 그이외 부분에 대해 조사되는 레이저광의 광량을 서로 다르게 하여 도너필름(20)으로 레이저를 조사하면 상기 전사층(23)이 기판상에 전사된다. 이로써, 상기 하부전극(260)의 일부분을 노출시키는 개구부(245)를 구비하는 게이트 절연막(240)과 유기막층(270)이 동시에 형성된다. 서로 다른 광량을 조사하여 pdlxm 절연막(240)과 유기막층(270)을 형성하는 공정은 일 실시예와 동일하다.Referring to FIG. 4B, the
게이트 절연막(240)의 개구부(245)는 도 6a 내지 도 6c에 도시된 바와같은 메쉬형태 또는 라인형태로 배열된다. 따라서, 상기 게이트 절연막(240)은 개구부(245)에 의해 하부전극(260)을 한정하는 화소정의막으로도 작용한다.The
도 4c를 참조하면, 상기 유기막층(270)중 반도체층(230)에 대응하는 부분에 게이트(250)를 형성하고, 이어서 게이트(250)를 덮도록 절연막(255)을 형성한 다음 기판상에 상부전극(280)을 형성하면 도 3에 도시된 바와 같은 다른 실시예에 따른 유기발광 표시장치(200)가 제조된다. Referring to FIG. 4C, a
도 5은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 단면도를 도시한 것으로서, 도 2a에 도시된 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치(200)과 동일한 구조를 갖는다. 다만, 도너필림(10)이 도 2a에 도시된 일 실시예에서는 패터닝되지 않았으나, 도 5에 도시된 다른 실시예에서는 기판상에 형성되는 게이트절연막과 유기막층과 동일한 구조로 패터닝되는 것만 다르다. 따라서, 도너필름(30)의 전사층(33)중 게이트절연막을 위한 절연물질(33-2)은 도 6a 내지 도 6c에 도시된 바와같은 형태의 개구부(33-2a)를 갖으며, 유기물질(33-1)은 유기막층과 동일한 형태를 갖는다.FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention, and has the same structure as the organic light emitting
본 발명의 실시예에서는 박막 트랜지스터를 구비하는 유기전계 발광표시장치에 있어서, 게이트절연막을 화소전극을 한정하는 화소분리막으로 사용하는 구조를 예시하였으나, 이에 반드시 국한되는 것이 아니라 박막 트랜지스터를 스위칭소자로서 사용하는 액정표시장치 등과 같은 평판표시장치에도 적용할 수 있음은 물론이다.In the exemplary embodiment of the present invention, in the organic light emitting display device having the thin film transistor, a structure in which the gate insulating film is used as the pixel isolation layer defining the pixel electrode is illustrated, but the present invention is not necessarily limited thereto, and the thin film transistor is used as the switching element. Of course, the present invention can be applied to a flat panel display such as a liquid crystal display.
본 발명의 실시예에서는 탑게이트방식의 박막 트랜지스터를 구비하는 유기전계 발광표시장치에 대하여 설명하였으나, 이에 반드시 한정되는 것이 아니라 게이트 절연막을 화소정의막으로 공유하는 구조에는 모두 적용가능하다.In the exemplary embodiment of the present invention, the organic light emitting display device including the top gate thin film transistor has been described. However, the present invention is not limited thereto, and the organic light emitting display device is not limited thereto.
또한, 본 발명은 화소영역에 배열되는 하나의 화소구조로 구동 박막 트랜지스터 및 유기발광소자만을 예시하였으나, 이에 반드시 국한되는 것이 아니라 다양한 형태의 화소구조를 갖는 유기전계 발광표시장치에 적용할 수 있다.Further, the present invention exemplifies only the driving thin film transistor and the organic light emitting device as one pixel structure arranged in the pixel region. However, the present invention is not limited thereto, and the present invention can be applied to an organic light emitting display device having various pixel structures.
상기한 바와같은 본 발명의 실시예의 유기전계 발광표시장치와 그의 제조방법에 따르면, 게이트 절연막이 상기 화소전극을 한정하는 화소분리막으로 작용하므로, 화소전극과 박막 트랜지스터의 소오스/드레인 전극중 하나의 전극과의 연결시켜주는 비어홀을 형성하기 위한 마스크공정과 화소전극의 발광영역을 한정하는 화소정의막을 형성하기 위한 공정이 배재된다. 이로써 소자의 구조 및 공정이 단순화할 수 있다. According to the organic light emitting display device and the method of manufacturing the same according to the embodiment of the present invention as described above, since the gate insulating film serves as a pixel separation film defining the pixel electrode, one electrode of the pixel electrode and the source / drain electrode of the thin film transistor And a mask process for forming a via hole for connecting to the substrate and a process for forming a pixel definition layer defining a light emitting region of the pixel electrode. This can simplify the structure and process of the device.
또한, 본 발명에서는 레이저 전사법을 이용하여 화소전극을 정의하기 위한 개구부를 구비하는 게이트절연막과 유기막층을 동시에 형성하므로, 공정을 단순화할 수 있을 뿐만 아니라 통상적인 화소분리막의 개구부를 형성하기 위한 사진식각공정이 배제되어 감광성 물질의 잔존물에 의한 패턴불량을 방지할 수 있다.In addition, in the present invention, since the gate insulating film and the organic film layer having the openings for defining the pixel electrodes are formed at the same time by using the laser transfer method, not only the process can be simplified but also the picture for forming the openings of the conventional pixel separation film. The etching process is excluded to prevent pattern defects caused by the residue of the photosensitive material.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the above has been described with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be able to variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below. It will be appreciated.
Claims (14)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050069634A KR100751339B1 (en) | 2005-07-29 | 2005-07-29 | Organic light emitting diode and method for fabricating the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050069634A KR100751339B1 (en) | 2005-07-29 | 2005-07-29 | Organic light emitting diode and method for fabricating the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20070014737A KR20070014737A (en) | 2007-02-01 |
KR100751339B1 true KR100751339B1 (en) | 2007-08-22 |
Family
ID=38080461
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020050069634A KR100751339B1 (en) | 2005-07-29 | 2005-07-29 | Organic light emitting diode and method for fabricating the same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100751339B1 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101073566B1 (en) | 2009-12-07 | 2011-10-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | Method for fabricating organic light emitting display |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19990067067A (en) * | 1996-08-27 | 1999-08-16 | 야스카와 히데아키 | Removing method, transfer method of thin film device, and thin film device, thin film integrated circuit device, and liquid crystal display device |
KR20040104225A (en) * | 2003-06-03 | 2004-12-10 | 삼성에스디아이 주식회사 | Full color organic electroluminescent device and method for manufacturing the same |
KR20050029426A (en) * | 2003-09-22 | 2005-03-28 | 삼성에스디아이 주식회사 | Full color oled having color filter layer or color conversion medium |
-
2005
- 2005-07-29 KR KR1020050069634A patent/KR100751339B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19990067067A (en) * | 1996-08-27 | 1999-08-16 | 야스카와 히데아키 | Removing method, transfer method of thin film device, and thin film device, thin film integrated circuit device, and liquid crystal display device |
KR20040104225A (en) * | 2003-06-03 | 2004-12-10 | 삼성에스디아이 주식회사 | Full color organic electroluminescent device and method for manufacturing the same |
KR20050029426A (en) * | 2003-09-22 | 2005-03-28 | 삼성에스디아이 주식회사 | Full color oled having color filter layer or color conversion medium |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20070014737A (en) | 2007-02-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7518140B2 (en) | Flat panel display and method of fabricating the same | |
KR100647693B1 (en) | Organic tft, method for fabricating the same and flat panel display with otft | |
JP4137915B2 (en) | ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND FLAT DISPLAY DEVICE PROVIDED WITH THIS ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR | |
KR100829743B1 (en) | Organic thin film transistor and method of manufacturing the same, flat display apparatus comprising the same | |
KR100626082B1 (en) | Flat panel display | |
US7919778B2 (en) | Making organic thin film transistor array panels | |
KR100719547B1 (en) | Method for patterning organic semiconductor layer, OTFT and Fabrication method using the same and flat panel display with OTFT | |
JP4455517B2 (en) | Thin film transistor manufacturing method | |
KR20060064318A (en) | Method for fabricating conductive pattern, tft and fabrication method thereof using the same | |
KR100670349B1 (en) | Flat panel display and method for fabricating the same | |
KR100751339B1 (en) | Organic light emitting diode and method for fabricating the same | |
KR100708694B1 (en) | Flat panel display and method for fabricating the same | |
KR100751360B1 (en) | Method of manufacturing organic thin film transistor, organic thin film transistor manufactured by the method, and a flat panel display comprising the same | |
KR100708695B1 (en) | Flat panel display and method for fabricating the same | |
KR100822209B1 (en) | Method of manufacturing organic emitting display apparatus | |
KR100730188B1 (en) | Method of manufacturing organic thin film transistor and organic thin film transistor manufactured by the method | |
KR100670376B1 (en) | Organic thin film transistor, method for preparing the same and flat panel display device comprising the same | |
KR101117713B1 (en) | Organic TFT, method for fabricating the same and flat panel display with OTFT | |
KR100730193B1 (en) | Method of manufacturing organic light emitting display apparatus | |
KR100669328B1 (en) | Organic thin film transistor, method of manufacturing the same and flat panel display device with the organic thin film transistor | |
KR100730189B1 (en) | Method of manufacturing organic thin film transistor, organic thin film transistor manufactured by the method, and a flat panel display comprising the same | |
KR100637251B1 (en) | Organic light emitting display apparatus and method of manufacturing the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E90F | Notification of reason for final refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120730 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130731 Year of fee payment: 7 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |