KR100745330B1 - Organic electroluminescent display and manufacturing method thereof - Google Patents

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KR100745330B1 KR1020060052161A KR20060052161A KR100745330B1 KR 100745330 B1 KR100745330 B1 KR 100745330B1 KR 1020060052161 A KR1020060052161 A KR 1020060052161A KR 20060052161 A KR20060052161 A KR 20060052161A KR 100745330 B1 KR100745330 B1 KR 100745330B1
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Abstract

본 발명은 제1 기판 및 제2 기판의 측면에 프릿을 형성한 후 프릿의 측면 방향으로 레이저를 조사하여 프릿을 경화시키는 유기 전계 발광표시장치 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 유기 전계 발광표시장치는 유기 전계 발광소자가 형성된 제1 기판과, 상기 제1 기판의 유기 전계 발광소자와 소정간격 이격되어 봉착되는 제2 기판과, 상기 제1 및 제2 기판의 측면에 각각 형성되는 제1 프릿 및 제2 프릿; 및 상기 제1 및 제2 프릿의 측면에 형성되어 상기 제1 기판 및 제2 기판을 밀봉시키는 제3 기판을 포함한다. The present invention relates to an organic electroluminescent display and a method of manufacturing the organic electroluminescent display for curing the frit by forming a frit on the side of the first substrate and the second substrate and irradiating a laser in the lateral direction of the frit. The display device includes a first substrate having an organic electroluminescent element formed thereon, a second substrate encapsulated with a predetermined distance from the organic electroluminescent element of the first substrate, and a first formed on side surfaces of the first and second substrates, respectively. Frits and second frits; And a third substrate formed on side surfaces of the first and second frits to seal the first substrate and the second substrate.

Description

유기 전계 발광표시장치 및 그의 제조방법{Organic Light Emitting Display Device and Fabrication Method for the same} Organic Light Emitting Display Device and Fabrication Method for The Same

도 1은 종래기술에 따른 유기 전계 발광표시장치를 도시한 평면도.1 is a plan view illustrating an organic light emitting display device according to the related art.

도 2는 도 1의 Ⅰ- Ⅱ를 도시한 단면도.FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating the II of FIG. 1. FIG.

도 3은 종래기술에 따른 프릿 하부에 형성된 금속 배선을 나타내는 전자현미경 사진.3 is an electron micrograph showing a metal wiring formed under the frit according to the prior art.

도 4은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기 전계 발광표시장치를 도시한 평면도.4 is a plan view illustrating an organic light emitting display device according to a first embodiment of the present invention.

도 5는 도 4의 Ⅰ'- Ⅱ'를 도시한 단면도.FIG. 5 is a sectional view taken along line I′-II ′ of FIG. 4. FIG.

도 6a 내지 6c는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기 전계 발광표시장치의 제조방법 공정 순서도.6A to 6C are flowcharts illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display device according to a first embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기 전계 발광표시장치의 단면도. 7 is a cross-sectional view of an organic light emitting display device according to a second embodiment of the present invention.

♣ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ♣♣ Explanation of symbols for the main parts of the drawing ♣

210 : 제1 기판 220 : 유기 전계 발광소자   210: first substrate 220: organic EL device

230 : 제1 프릿 240 : 제2 프릿   230: first frit 240: second frit

250 : 제2 기판 260 : 제3 기판   250: second substrate 260: third substrate

본 발명은 유기 전계 발광표시장치 및 그의 제조방법에 관한 기술로서, 더욱 상세하게는 제1 기판 및 제2 기판의 측면에 프릿을 형성한 후 프릿의 측면 방향으로 레이저를 조사하여 프릿을 경화시킴으로써, 프릿 하부에 형성된 금속 배선의 손상을 방지할 수 있는 유기 전계 발광표시장치 및 그의 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same, and more particularly, by forming a frit on the side of the first substrate and the second substrate and irradiating a laser in the side direction of the frit to cure the frit, The present invention relates to an organic light emitting display device capable of preventing damage to the metal wiring formed under the frit, and a manufacturing method thereof.

최근, 유기 전계 발광표시장치는 가장 광범위하게 응용되며, 상대적으로 간단한 구조를 가진다. 유기 전계 발광표시장치는 유기 전계 발광소자라고도 하며, 유기막층을 발광층으로 사용하는 자기 발광형 소자로서, 액정 디스플레이와 달리 발광을 위한 별도의 백라이트(Back light)가 필요 없으므로, 유기전계 발광표시장치 자체의 두께가 얇고, 무게가 가벼운 장점이 있다. 따라서, 최근에는 유기전계 발광표시장치가 이동 컴퓨터, 휴대용 전화기, 휴대용 게임 장치, 전자 서적 등 휴대용 정보 단말기의 표시 패널로써 활발히 개발되고 있다.Recently, the organic light emitting display device is the most widely applied, and has a relatively simple structure. The organic light emitting display device, also called an organic light emitting display device, is a self-emission device using an organic layer as a light emitting layer. Unlike a liquid crystal display, an organic light emitting display device does not need a separate backlight for emitting light, and thus the organic light emitting display device itself. The thickness of the thin, light weight has the advantage. Therefore, in recent years, organic light emitting display devices have been actively developed as display panels of portable information terminals such as mobile computers, portable telephones, portable game devices, and electronic books.

하지만, 이와 같은 유기 전계 발광표시장치는 주변 환경으로부터 수분이나 산소가 소자 내부로 유입될 경우, 전극 물질의 산화, 박리 등으로 소자 수명이 단축되고, 발광 효율이 저하될 뿐만 아니라 발광색의 변질 등과 같은 문제점들이 발생한다.However, in the organic electroluminescent display device, when moisture or oxygen flows into the device from the surrounding environment, the device life is shortened due to oxidation and peeling of the electrode material, and the luminous efficiency is lowered, and the emission color is changed. Problems arise.

따라서, 유기 전계 발광표시장치의 제조에 있어서, 소자를 외부로부터 격리하여 수분이 침투하지 못하도록 밀봉(sealing) 처리가 통상적으로 수행되고 있다. 이와 같은 밀봉 처리 방법으로써, 통상적으로는 유기 전계 발광소자의 음극 상부에 PET(polyester) 등의 유기 고분자를 라미네이팅하거나, 흡습제를 포함하는 금속이나 유리로 커버 또는 캡(cap)을 형성하고, 그 내부에 질소가스를 충진시킨 후, 상기 커버 또는 캡의 테두리를 에폭시와 같은 밀봉재로 캡슐 봉합하는 방법이 사용되고 있다.Therefore, in the manufacture of the organic light emitting display device, a sealing process is typically performed to isolate the device from the outside and prevent moisture from penetrating. As such a sealing treatment method, typically, an organic polymer such as PET (polyester) is laminated on a cathode of an organic EL device, or a cover or cap is formed of metal or glass containing a moisture absorbent, and the inside thereof. After filling with nitrogen gas, a method of encapsulating the edge of the cover or cap with a sealing material such as epoxy is used.

그러나, 이러한 방법은 외부에서 소자 내부로 들어오는 수분과 산소를 완전하게 방지하거나 제거하지 못하기 때문에 소자가 열화 및 변질되는 문제점이 발생한다.However, this method does not completely prevent or remove the moisture and oxygen coming into the device from the outside, causing the device to deteriorate and deteriorate.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 밀봉재로 프릿을 사용하여 소자 기판과 캡 간의 방습성을 향상시키는 캡슐 봉합 방법이 고안되었다.In order to solve the above problems, a method of encapsulating a capsule using a frit as a sealing material to improve moisture resistance between the device substrate and the cap has been devised.

유리 기판에 프릿(frit)을 도포하여 유기 전계 발광소자를 밀봉하는 구조가 개시된 미국 공개특허 공보 [제20040207314호]에 의하면 프릿을 사용함으로써, 제1 기판과 제2 기판 사이가 완전하게 밀봉되므로 더욱 효과적으로 유기 전계 발광소자를 보호할 수 있다. According to US Patent Publication No. 20040207314, which discloses a structure in which a frit is applied to a glass substrate to seal an organic electroluminescent device, the use of the frit completely seals between the first substrate and the second substrate. The organic EL device can be effectively protected.

이하에서는 종래 기술에 따른 유기 전계 발광표시장치를 설명하도록 한다. Hereinafter, an organic light emitting display device according to the related art will be described.

도 1은 종래기술에 따른 유기 전계 발광표시장치를 도시한 평면도이고, 도 2는 도 1의 Ⅰ- Ⅰ'를 도시한 단면도이다. 1 is a plan view illustrating an organic light emitting display device according to the prior art, and FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating II ′ of FIG. 1.

도 1 및 도 2를 참조하면, 종래 기술에 따른 유기전계 발광 표시장치(100)는, 제1 기판(110)과, 유기 전계 발광소자(120), 제2 기판(140) 및 프릿(130)으로 구성된다. 1 and 2, the organic light emitting display device 100 according to the related art includes a first substrate 110, an organic light emitting diode 120, a second substrate 140, and a frit 130. It consists of.

제1 기판(110)은 적어도 하나의 유기 전계 발광소자(120)를 포함하는 화소영역(150)과, 화소영역(150) 외연에 형성되는 비화소 영역(160)으로 형성된다. The first substrate 110 is formed of a pixel region 150 including at least one organic electroluminescent element 120 and a non-pixel region 160 formed at an outer edge of the pixel region 150.

한편, 비화소 영역(160)에는 금속 배선들이 구동 드라이버인 스캔 구동 드라이버(170) 및 데이터 구동 드라이버(180)의 금속배선(121)이 화소 영역(150)에 형성된 박막 트랜지스터의 소스/드레인 전극 및 게이트 전극과 연결되어 형성된다. In the non-pixel region 160, a scan driving driver 170 in which metal wires are driving drivers, and a metal wiring 121 of the data driving driver 180 are formed in the pixel region 150. It is formed in connection with the gate electrode.

또한, 제1 기판(110)을 밀봉시키기 위해 제1 기판(110)에 형성된 유기 전계 발광소자(120)를 포함하는 화소영역(150)의 외곽 영역 즉, 제1 기판(110)의 비화소 영역과 대응되는 제2 기판(140)에 프릿(130)을 도포한다. 제2 기판(140)을 제1 기판(110) 상에 봉착시킨 후, 프릿(130)에 레이저 빔 또는 자외선 등을 조사하여 경화시킨다. In addition, an outer region of the pixel region 150 including the organic electroluminescent element 120 formed on the first substrate 110 to seal the first substrate 110, that is, a non-pixel region of the first substrate 110. The frit 130 is applied to the second substrate 140 corresponding to the. After sealing the second substrate 140 on the first substrate 110, the frit 130 is irradiated with a laser beam or ultraviolet rays and cured.

제2 기판(140)은 제1 기판(110) 상부에 구비되며, 프릿(130)에 의해 제1 기판(110)과 합착된다. 제2 기판(140)은 제1 기판(110)에 합착됨으로써, 제1 기판(110) 상에 형성된 유기 전계 발광소자(120)를 산소 및 수분으로부터 보호할 수 있다. The second substrate 140 is provided on the first substrate 110 and bonded to the first substrate 110 by the frit 130. The second substrate 140 may be bonded to the first substrate 110 to protect the organic EL device 120 formed on the first substrate 110 from oxygen and moisture.

도 3은 종래기술에 따른 프릿 하부에 형성된 금속 배선을 나타내는 전자현미경 사진이다. 도 3을 참조하면, 레이저 조사에 따른 금속 배선의 손상을 확인할 수 있다. 특히, 금속 배선의 표면을 나타내는 "A"를 살펴보면, "A"의 표면은 갈라지거나 및 돌기가 나타난다. 3 is an electron micrograph showing a metal wiring formed under the frit according to the prior art. Referring to FIG. 3, it is possible to confirm the damage of the metal wiring due to the laser irradiation. In particular, looking at "A" representing the surface of the metal wiring, the surface of "A" is cracked and projections appear.

이와 같이, 영역 "A"의 표면을 측정해 본 바에 따르면, 프릿(130)을 용융시키기 위해 프릿(130)의 상부 방향에서 레이저를 조사할 때, 프릿(130) 하부에 형성된 금속 라인(121)에도 레이저가 조사되어 금속 라인(121)에 손상을 주기 때문이다. As described above, the surface of the area “A” is measured. When the laser is irradiated from the upper direction of the frit 130 to melt the frit 130, the metal line 121 formed under the frit 130 is formed. This is because the laser is irradiated to damage the metal line 121.

전술한 바와 같이, 프릿 하부에 형성된 금속 배선이 열에 직접적으로 노출됨에 따라, 금속 배선은 갈라지거나 자체 저항값 및 전기적 특성 변화로 유기 전계 발광표시장치의 전기적 특성 및 신뢰성을 저하시키는 문제점을 갖는다. As described above, as the metal wires formed under the frit are directly exposed to heat, the metal wires have a problem of deterioration of electrical characteristics and reliability of the organic light emitting display device due to cracking or changes in self resistance and electrical characteristics.

따라서, 본 발명은 전술한 종래의 문제점들을 해소하기 위해 도출된 발명으로, 제1 기판 및 제2 기판의 측면에 프릿을 형성한 후 프릿의 측면 방향으로 레이저를 조사하여 프릿을 경화시킴으로써, 프릿 하부에 형성된 금속 배선의 손상 방지하는 것을 목적으로 한다. Therefore, the present invention is derived to solve the above-mentioned conventional problems, by forming a frit on the side of the first substrate and the second substrate and irradiating a laser in the lateral direction of the frit to harden the frit, An object of the present invention is to prevent damage to the metal wiring formed on the substrate.

전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따르면, 본 발명의 유기 전계 발광표시장치는 유기 전계 발광소자가 형성된 제1 기판과, 상기 제1 기판의 유기 전계 발광소자와 소정간격 이격되어 봉착되는 제2 기판과, 상기 제1 및 제2 기판의 측면에 각각 형성되는 제1 프릿 및 제2 프릿 및 상기 제1 및 제2 프릿의 측면에 형성되어 상기 제1 기판 및 제2 기판을 밀봉시키는 제3 기판을 포함한다. According to an aspect of the present invention for achieving the above object, the organic electroluminescent display device of the present invention is sealed at a predetermined interval from the first substrate and the organic electroluminescent device of the first substrate is formed. A second substrate and a first frit and a second frit formed on side surfaces of the first and second substrates and side surfaces of the first and second frits, respectively, to seal the first substrate and the second substrate. And a third substrate.

바람직하게, 상기 제3 기판은 산화 실리콘(SiO2), 실리콘 나이트라이드(SiNx), 실리콘 옥시나이트라이드(SiOxNy) 중 하나로 형성되며, 상기 제2 기판은 판 형상이며, 상기 프릿은 레이저 또는 적외선에 의해 용융되어 상기 제 3 기판과 접착되며, 상기 제1 프릿 및 제2 프릿은 K2O, Fe2O3, Sb2O3, ZnO, P2O5, V2O5, TiO2, Al2O3, B2O3, WO3, SnO 및 PbO 중 하나로 이루어진다.Preferably, the third substrate is formed of one of silicon oxide (SiO 2 ), silicon nitride (SiNx), and silicon oxynitride (SiOxNy), and the second substrate has a plate shape, and the frit is formed by laser or infrared light. Melted and adhered to the third substrate, and the first and second frits are K 2 O, Fe 2 O 3 , Sb 2 O 3 , ZnO, P 2 O 5 , V 2 O 5 , TiO 2 , Al 2 O 3 , B 2 O 3 , WO 3 , SnO and PbO.

본 발명의 다른 일 측면에 따르면, 본 발명의 유기 전계 발광표시장치는 유기 전계 발광소자가 형성된 제1 기판 및 상기 제1 기판의 유기 전계 발광소자와 소정간격 이격되어 상기 제1 기판의 측면에 부착되어 상기 제1 기판을 덮는 제2 기판을 포함하며, 상기 제1 기판의 측면과 제2 기판 사이에 프릿이 구비된다. According to another aspect of the invention, the organic electroluminescent display device of the present invention is attached to the side of the first substrate spaced apart from the first substrate and the organic electroluminescent device of the first substrate formed with the organic electroluminescent device And a second substrate covering the first substrate, wherein a frit is provided between the side surface of the first substrate and the second substrate.

이하에서는, 본 발명의 실시 예를 도시한 도면을 참조하여, 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다. Hereinafter, with reference to the drawings showing an embodiment of the present invention, the present invention will be described in more detail.

도 4은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기 전계 발광표시장치를 도시한 평면도이고, 도 5는 도 4의 Ⅰ'- Ⅱ'를 도시한 단면도이다. 4 is a plan view illustrating an organic light emitting display device according to a first exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating I′-II ′ of FIG. 4.

도 4 및 5를 참조하면, 유기 전계 발광표시장치(200)는 유기 전계 발광소자(220)가 형성된 제1 기판(210)과, 상기 제1 기판(210)의 유기 전계 발광소자(220)와 소정간격 이격되어 봉착되는 제2 기판(250)과, 상기 제1 및 제2 기판(210,250)의 측면에 각각 형성되는 제1 및 제2 프릿(230,240)과, 상기 제1 및 제2 프릿(230,240)의 측면에 형성되어 상기 제1 기판(210) 및 제2 기판(250)을 밀봉시키는 제3 기판(260)을 포함한다. 4 and 5, the organic light emitting display device 200 includes a first substrate 210 on which the organic light emitting diode 220 is formed, an organic light emitting diode 220 of the first substrate 210, and A second substrate 250 spaced apart by a predetermined interval, first and second frits 230 and 240 formed on side surfaces of the first and second substrates 210 and 250, and the first and second frits 230 and 240, respectively. The third substrate 260 is formed on the side surface of the substrate to seal the first substrate 210 and the second substrate 250.

제1 기판(210)은 유리, 플라스틱, 실리콘 또는 합성수지와 같은 절연성을 띠는 재질로 이루어질 수 있으며, 유리 기판과 같은 투명 기판이 바람직하다. 제1 기판(210) 상에는 반도체층(221), 게이트 전극(222) 및 소스/드레인 전극(223)을 포함하는 박막 트랜지스터와 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된 유기 전계 발광소자(220)가 형성된다. 유기 전계 발광소자(220)는 제1 전극층(224), 발광층(225) 및 제2 전극층(226)을 포함한다. 이 때, 제1 기판(210)은 유기 전계 발광소자(220)가 형성된 화소 영역(270)과 화소 영역(270)을 둘러싸는 비화소 영역(280)으로 형성된다. 여기서, 화소 영역(270)은 주사라인 및 데이터라인 사이에 매트릭스 방식으로 배치된 다수의 유기 전계 발광소자(220)가 형성되며, 비화소 영역(280)에는 화소영역(270)의 주사라인 및 데이터 라인으로부터 연장된 주사라인 및 데이터 라인(227), 유기 전계 발광소자(220)의 동작을 위한 전원 공급라인 및 주사라인 및 데이터 라인으로 신호를 공급해주는 주사구동부(281) 및 데이터 구동부(282)를 형성된다. The first substrate 210 may be made of an insulating material such as glass, plastic, silicon, or synthetic resin, and a transparent substrate such as a glass substrate is preferable. A thin film transistor including a semiconductor layer 221, a gate electrode 222, and a source / drain electrode 223 and an organic light emitting diode 220 electrically connected to the thin film transistor are formed on the first substrate 210. The organic EL device 220 includes a first electrode layer 224, a light emitting layer 225, and a second electrode layer 226. In this case, the first substrate 210 is formed of a pixel region 270 in which the organic light emitting diode 220 is formed and a non-pixel region 280 surrounding the pixel region 270. Here, in the pixel region 270, a plurality of organic light emitting diodes 220 arranged in a matrix manner are formed between the scan line and the data line, and the scan line and the data of the pixel region 270 are formed in the non-pixel region 280. A scan line and data line 227 extending from the line, a power supply line for the operation of the organic light emitting device 220, and a scan driver 281 and a data driver 282 for supplying signals to the scan line and the data line. Is formed.

제2 기판(250)은 제1 기판(210)의 유기 전계 발광소자(220)와 소정간격 이격되어 제1 기판(210) 상부에 봉착된다. 제2 기판(250)은 산화 실리콘(SiO2), 실리콘 나이트라이드(SiNx), 실리콘 옥시나이트라이드(SiOxNy)으로 구성된 군에서 선택된 적어도 하나의 재료로 형성된다. 이 때, 제2 기판(250)은 판 형태(BARE GLASS)로 형성된다. The second substrate 250 is spaced apart from the organic electroluminescent device 220 of the first substrate 210 by a predetermined interval and sealed on the first substrate 210. The second substrate 250 is formed of at least one material selected from the group consisting of silicon oxide (SiO 2 ), silicon nitride (SiNx), and silicon oxynitride (SiOxNy). At this time, the second substrate 250 is formed in a plate shape (BARE GLASS).

제1 프릿(frit:230) 및 제2 프릿(240)은 제1 기판(210) 및 제2 기판(250)의 측면에 각각 형성된다. 제1 프릿(230) 및 제2 프릿(240)은 제1 기판(210)과 제3 기판(260) 및 제2 기판(250)과 제3 기판(260) 사이에 각각 구비되며, 제3 기 판(260)을 제1 기판(210) 및 제2 기판(250)에 접착시킨다. 제1 프릿(230) 및 제2 프릿(240)은 일반적으로 파우더 형태의 유리 원료를 의미하지만, 본 발명에서는 레이저 흡수재, 유기 바인더, 열팽창 계수를 감소시키기 위한 필러(Filler) 등이 포함된 페이스트(paste) 상태의 프릿이 레이저나 적외선에 의해 용융된 상태를 의미할 수 있다. 이러한, 제1 프릿(230) 및 제2 프릿(240)은 K2O, Fe2O3, Sb2O3, ZnO, P2O5, V2O5, TiO2, Al2O3, B2O3, WO3, SnO 및 PbO 중 하나로 형성된다. The first frit 230 and the second frit 240 are formed on side surfaces of the first substrate 210 and the second substrate 250, respectively. The first frit 230 and the second frit 240 are provided between the first substrate 210 and the third substrate 260, and between the second substrate 250 and the third substrate 260, respectively. The plate 260 is attached to the first substrate 210 and the second substrate 250. The first frit 230 and the second frit 240 generally refer to a glass raw material in powder form, but in the present invention, a paste including a laser absorber, an organic binder, a filler to reduce the coefficient of thermal expansion, etc. The frit in the paste state may mean a state in which the frit is melted by laser or infrared light. The first frit 230 and the second frit 240 include K 2 O, Fe 2 O 3 , Sb 2 O 3 , ZnO, P 2 O 5 , V 2 O 5 , TiO 2 , Al 2 O 3 , It is formed of one of B 2 O 3 , WO 3 , SnO and PbO.

제3 기판(260)은 제1 프릿(230) 및 제2 프릿(240)에 의해 제 1기판(210) 및 제2 기판(250)과 합착된다. 이처럼, 제1 기판(210), 제2 기판(250) 및 제3 기판(260)이 합착됨으로써, 유기 전계 발광소자(120)가 밀봉되어 산소 및 수분에 취약한 유기 전계 발광소자(220)를 보호할 수 있다. 또한, 제3 기판(260)은 제1 프릿(230) 및 제2 프릿(240) 외측면에 형성되어 제1 프릿(230) 및 제2 프릿(240)이 깨지는 것을 방지한다. 제3 기판(260)은 산화 실리콘(SiO2), 실리콘 나이트라이드(SiNx), 실리콘 옥시나이트라이드(SiOxNy)으로 구성된 군에서 선택된 적어도 하나의 재료로 형성된다. The third substrate 260 is bonded to the first substrate 210 and the second substrate 250 by the first frit 230 and the second frit 240. As such, when the first substrate 210, the second substrate 250, and the third substrate 260 are bonded together, the organic EL device 120 is sealed to protect the organic EL device 220 that is vulnerable to oxygen and moisture. can do. In addition, the third substrate 260 is formed on the outer surfaces of the first frit 230 and the second frit 240 to prevent the first frit 230 and the second frit 240 from being broken. The third substrate 260 is formed of at least one material selected from the group consisting of silicon oxide (SiO 2 ), silicon nitride (SiNx), and silicon oxynitride (SiOxNy).

도 6a 내지 6c는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기 전계 발광표시장치의 제조방법 공정 순서도이다.6A through 6C are flowcharts illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display device according to a first embodiment of the present invention.

도 6a를 참조하면, 제1 기판(210) 상에는 박막 트랜지스터가 형성되며, 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된 유기 전계 발광소자가 형성된다. 이러한, 박막 트랜지스터는 반도체층(221), 게이트 전극(223) 및 소스/드레인 전극(223)을 포함하며, 유기 전계 발광소자는 제 1 전극(224), 유기층(225) 및 제 2 전극(226)을 포함한다. Referring to FIG. 6A, a thin film transistor is formed on the first substrate 210, and an organic EL device electrically connected to the thin film transistor is formed. The thin film transistor includes a semiconductor layer 221, a gate electrode 223, and a source / drain electrode 223, and the organic EL device includes a first electrode 224, an organic layer 225, and a second electrode 226. ).

제1 기판(210) 상에 버퍼층을 형성한다. 버퍼층은 선택적 구성요소로 질화막 또는 산화막 등을 이용하여 형성된다. 버퍼층 상에는 반도체층(221)이 소정패턴으로 형성된다. 이 후, 반도체층(221)이 형성된 버퍼층 전면에는 게이트 절연층을 형성한다. A buffer layer is formed on the first substrate 210. The buffer layer is formed using a nitride film or an oxide film as an optional component. The semiconductor layer 221 is formed in a predetermined pattern on the buffer layer. Thereafter, a gate insulating layer is formed on the entire buffer layer on which the semiconductor layer 221 is formed.

반도체층(221) 상부의 게이트 절연층 상에는 게이트 전극(222)이 형성된다. 이 때, 게이트 전극(222)이 형성된 화소 영역(270)에는 게이트 전극(222)과 연결되는 주사라인이 형성되고, 비화소 영역에는 화소영역의 주사라인으로부터 연장되는 주사라인 및 외부로부터 입력되는 신호를 공급받기 위한 패드가 형성된다. 게이트 전극(222)을 포함하는 게이트 절연층 상에 층간 절연층을 형성한다. The gate electrode 222 is formed on the gate insulating layer on the semiconductor layer 221. In this case, a scan line connected to the gate electrode 222 is formed in the pixel region 270 where the gate electrode 222 is formed, and a scan line extending from the scan line of the pixel region and a signal input from outside are provided in the non-pixel region. The pad for receiving the supply is formed. An interlayer insulating layer is formed on the gate insulating layer including the gate electrode 222.

그리고 층간 절연층 및 게이트 절연층의 소정영역이 노출되도록 콘택홀을 형성하고, 콘택홀을 통해 반도체층(221)과 전기적으로 연결된 소스/드레인 전극(223)을 형성한다. 소스/드레인 전극(223)을 형성된 화소영역에는 소스 및 드레인 전극(223)과 연결되는 데이터 라인이 형성되고, 비화소 영역에는 데이터 라인으로부터 연장되는 데이터 라인(227) 및 외부로부터 입력되는 신호를 공급받기 위한 패드가 형성된다. 이러한, 게이트 전극(222), 소스/드레인 전극(223), 주사라인, 데이터 라인 및 패드는 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al) 등의 금속, 또는 이들 금속의 합금이나 적층 구조로 형성한다. A contact hole is formed to expose a predetermined region of the interlayer insulating layer and the gate insulating layer, and a source / drain electrode 223 electrically connected to the semiconductor layer 221 is formed through the contact hole. Data lines connected to the source and drain electrodes 223 are formed in the pixel region where the source / drain electrodes 223 are formed, and data lines 227 extending from the data lines and signals input from the outside are supplied to the non-pixel regions. A pad for receiving is formed. The gate electrode 222, the source / drain electrode 223, the scan line, the data line, and the pad may be formed of a metal such as molybdenum (Mo), tungsten (W), titanium (Ti), aluminum (Al), or these metals. It is formed of an alloy or a laminated structure.

이 후, 소스/드레인 전극(223) 전면에 평탄화층을 형성하여 표면을 평탄화시킨다. 그리고 평탄화층의 소정 영역을 노출시켜 비아홀을 형성하고, 이러한 비아홀을 통해 소스/드레인 전극 중 하나와 전기적으로 연결된 제1 전극층(224)을 형성한다. 제1 전극층(224) 상에 개구부를 갖는 화소정의막을 형성한 후 개구부 상에 발광층(225)을 형성한다. 발광층(225)을 포함하는 화소정의막 상에 제2 전극층(226)을 형성한다. Thereafter, a planarization layer is formed on the entire surface of the source / drain electrode 223 to planarize the surface. A via hole is formed by exposing a predetermined region of the planarization layer, and a first electrode layer 224 electrically connected to one of the source / drain electrodes is formed through the via hole. After the pixel defining layer having the opening is formed on the first electrode layer 224, the light emitting layer 225 is formed on the opening. The second electrode layer 226 is formed on the pixel definition layer including the emission layer 225.

도 6b를 참조하면, 제1 기판(210) 상에 형성된 유기 전계 발광소자를 밀봉시키기 위해 제1 기판(210) 상부와 소정간격 이격된 위치에 제2 기판(250)을 봉착시킨다. 이 후, 제1 기판(210) 및 제2 기판(250)의 측면에 프릿을 각각 도포한다. 예를 들어, 스크린 프린팅 또는 디스펜싱 방법으로 적어도 한 종류의 전이 금속이 도핑된 페이스트(paste) 상태의 유리 프릿을 10 ~ 15㎛ 정도의 높이 및 0.4 ~ 1.0㎜ 정도의 폭으로 도포한다. 이에 따라, 제1 기판(210)의 측면에 제1 프릿(230)이 형성되며, 제2 기판(250)의 측면에는 제2 프릿(240)이 형성된다. Referring to FIG. 6B, the second substrate 250 is sealed at a position spaced apart from the upper portion of the first substrate 210 to seal the organic light emitting diode formed on the first substrate 210. Thereafter, frits are applied to side surfaces of the first and second substrates 210 and 250, respectively. For example, a glass frit in a paste state doped with at least one kind of transition metal is applied by screen printing or dispensing to a height of about 10 to 15 μm and a width of about 0.4 to 1.0 mm. Accordingly, the first frit 230 is formed on the side of the first substrate 210, and the second frit 240 is formed on the side of the second substrate 250.

제1 기판(210) 및 제2 기판(250)의 측면에 각각 젤 상태의 제1 프릿(230) 및 제2 프릿(240)이 형성되면, 제1 프릿(230) 및 제2 프릿(240) 측면에 제3 기판(260)을 접착시킨다. When the first frit 230 and the second frit 240 in a gel state are formed on the side surfaces of the first substrate 210 and the second substrate 250, respectively, the first frit 230 and the second frit 240 are formed. The third substrate 260 is attached to the side surface.

도 6c를 참조하면, 제1 프릿(230) 및 제2 프릿(240)을 경화시키기 위해, 제1 프릿(230) 및 제2 프릿(240)이 형성된 제3 기판(260)의 측면에서 레이저 또는 적외선을 조사한다. 이에 따라, 제1 프릿(230) 및 제2 프릿(240)은 용융된 후 경화되어 제1 기판(210)과 제3 기판(260) 및 제2 기판(250)과 제3 기판(260)을 밀봉시킨 다. Referring to FIG. 6C, in order to cure the first frit 230 and the second frit 240, a laser or a side surface of the third substrate 260 on which the first frit 230 and the second frit 240 are formed. Irradiate the infrared. Accordingly, the first frit 230 and the second frit 240 are melted and cured to form the first substrate 210, the third substrate 260, the second substrate 250, and the third substrate 260. Seal.

보다 상세하게는, 로봇 팔 등을 이용하여 합착된 제1 기판(210), 제2 기판(250) 및 제3 기판(260)을 측면으로 세운 후, 제3 기판(260) 상부에 제1 프릿(230) 및 제2 프릿(240)과 대응되는 영역에 개구부가 형성하는 마스크(290)를 위치시킨다. 이 후, 레이저 빔을 36 내지 38W 정도의 파워로 조절하여 조사하며, 300℃ 내지 700℃의 용융 온도 및 접착력이 유지되도록 일정한 속도로 이동시킨다. 제1 프릿(230) 및 제2 프릿(240)을 소성하는 온도가 300℃이하일 경우 소성 공정을 진행하더라도 유기물이 잘 소멸되지 않으며, 소성 온도가 700℃ 이상일 경우 소성 온도의 증가에 따른 레이저빔의 세기가 비례하여 커지기 때문에 프릿을 용융시키는 온도는 300℃ 내지 700℃가 가장 바람직하다. More specifically, after the first substrate 210, the second substrate 250, and the third substrate 260, which are bonded to each other by using a robot arm or the like, are erected to the side, the first frit is placed on the third substrate 260. A mask 290 having an opening is positioned in an area corresponding to the 230 and the second frit 240. Thereafter, the laser beam is adjusted to a power of about 36 to 38 W and irradiated, and the laser beam is moved at a constant speed so as to maintain a melting temperature of 300 ° C to 700 ° C and adhesion. If the firing temperature of the first frit 230 and the second frit 240 is 300 ° C. or less, the organic matter does not disappear well even if the firing process is performed. If the firing temperature is 700 ° C. or higher, the laser beam may increase with increasing firing temperature. Since the intensity increases in proportion, the temperature at which the frit is melted is most preferably 300 ° C to 700 ° C.

이와 같이, 제1 프릿(230) 및 제2 프릿(240)을 용융시킬 때, 금속 배선이 형성된 제1 프릿(230) 및 제2 프릿(240)의 상부면이 아닌 제1 프릿(230) 및 제2 프릿(240)의 측면 방향에서 레이저를 조사함으로써, 제1 프릿(230) 및 제2 프릿(240) 하부에 형성된 금속 배선 즉, 게이트 전극, 소스/드레인 전극, 주사 라인 및 데이터 라인의 손상을 방지할 수 있다. As such, when the first frit 230 and the second frit 240 are melted, the first frit 230 and not the upper surfaces of the first frit 230 and the second frit 240 in which metal wires are formed. Irradiation of the laser in the lateral direction of the second frit 240 damages the metal wires formed under the first frit 230 and the second frit 240, that is, the gate electrode, the source / drain electrode, the scan line, and the data line. Can be prevented.

도 7은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기 전계 발광표시장치의 단면도이다. 7 is a cross-sectional view of an organic light emitting display device according to a second embodiment of the present invention.

도 7을 참조하면, 유기 전계 발광표시장치(300)는 유기 전계 발광소자(320)가 형성된 제1 기판(310) 및 제1 기판(310)의 유기 전계 발광소자(320)와 소정간격 이격되어 제1 기판(310)의 측면에 부착되어 제1 기판(310)을 덮는 제2 기판(340)을 포함하며, 제1 기판(310)의 측면과 제2 기판(340) 사이에 프릿(330)을 구비한다. Referring to FIG. 7, the organic light emitting display device 300 is spaced apart from the first substrate 310 on which the organic light emitting diode 320 is formed and the organic light emitting diode 320 of the first substrate 310 by a predetermined distance. And a second substrate 340 attached to the side of the first substrate 310 to cover the first substrate 310, and the frit 330 between the side of the first substrate 310 and the second substrate 340. It is provided.

제1 기판(310)은 유리, 플라스틱, 실리콘 또는 합성수지와 같은 절연성을 띠는 재질로 이루어질 수 있으며, 유리 기판과 같은 투명 기판이 바람직하다. 제1 기판(310) 상에는 제 1 전극, 발광층 및 제 2 전극으로 구성되는 유기 전계 발광소자(320)가 형성된 화소 영역과 화소 영역을 둘러싸는 비화소 영역을 포함한다. 여기서, 비화소 영역에는 화소영역의 주사라인 및 데이터 라인으로부터 연장된 주사라인 및 데이터 라인(321), 유기 전계 발광소자(320)의 동작을 위한 전원 공급라인 및 주사라인 및 데이터 라인으로 신호를 공급해주는 주사구동부 및 데이터 구동부가 형성된다. The first substrate 310 may be made of an insulating material such as glass, plastic, silicon, or synthetic resin, and a transparent substrate such as a glass substrate is preferable. The first substrate 310 includes a pixel region in which the organic light emitting diode 320 including the first electrode, the light emitting layer, and the second electrode is formed, and a non-pixel region surrounding the pixel region. In this case, a signal is supplied to the non-pixel region from the scan line and the data line 321 extending from the scan line and the data line of the pixel region, the power supply line for the operation of the organic light emitting device 320, the scan line and the data line. The scan driver and the data driver are formed.

제2 기판(340)은 제1 기판(310)의 전면 및 측면을 덮을 수 있는 엣지 형상(edge glass)으로 형성된다. 이러한 제2 기판(340)은 제1 기판(310)의 측면과 대응되는 제2 기판(340) 내측면의 일 영역에 도포된 프릿(330)에 의해 제1 기판(310)과 합착된다. 이와 같이, 제2 기판(340)은 제1 기판(310)을 밀봉시킴으로써, 제1 기판(310) 상에 형성된 유기 전계 발광소자(320)를 외부의 산소 및 수분으로부터 보호할 수 있다. 제2 기판(340)은 산화 실리콘(SiO2), 실리콘 나이트라이드(SiNx), 실리콘 옥시나이트라이드(SiOxNy) 으로 구성된 군에서 선택된 적어도 하나의 재료로 형성된다. The second substrate 340 is formed of an edge glass that can cover the front and side surfaces of the first substrate 310. The second substrate 340 is bonded to the first substrate 310 by a frit 330 applied to a region of an inner surface of the second substrate 340 corresponding to the side surface of the first substrate 310. As such, the second substrate 340 may seal the first substrate 310, thereby protecting the organic EL device 320 formed on the first substrate 310 from external oxygen and moisture. The second substrate 340 is formed of at least one material selected from the group consisting of silicon oxide (SiO 2 ), silicon nitride (SiNx), and silicon oxynitride (SiOxNy).

프릿(330)은 제1 기판(310)의 측면과 제2 기판(340) 사이에 형성된다. 이러 한 프릿(330)은 제1 기판(310)의 측면과 제2 기판(340) 사이에 구비되어 제1 기판(310)과 제2 기판(340)을 밀봉시킨다. 프릿(330)은 일반적으로 파우더 형태의 유리 원료를 의미하지만, 본 발명에서는 레이저 흡수재, 유기 바인더, 열팽창 계수를 감소시키기 위한 필러(Filler) 등이 포함된 페이스트(paste) 상태의 프릿이 레이저나 적외선에 의해 용융된 상태를 의미할 수 있다. 이러한, 프릿(330)은 K2O, Fe2O3, Sb2O3, ZnO, P2O5, V2O5, TiO2, Al2O3, B2O3, WO3, SnO 및 PbO 중 하나로 형성된다. The frit 330 is formed between the side of the first substrate 310 and the second substrate 340. The frit 330 is provided between the side of the first substrate 310 and the second substrate 340 to seal the first substrate 310 and the second substrate 340. The frit 330 generally refers to a glass raw material in powder form, but in the present invention, a frit in a paste state including a laser absorber, an organic binder, a filler for reducing the coefficient of thermal expansion, or the like is used. It may mean a molten state by. Such, frit 330 is K 2 O, Fe 2 O 3 , Sb 2 O 3 , ZnO, P 2 O 5 , V 2 O 5 , TiO 2 , Al 2 O 3 , B 2 O 3 , WO 3 , SnO And PbO.

본 발명의 제2 실시 예에서는 프릿을 제1 기판의 측면과 대응되는 제2 기판의 내측면에 도포하였으나, 제1 기판의 측면에 도포할 수 있음은 물론이다. In the second embodiment of the present invention, the frit is applied to the inner side surface of the second substrate corresponding to the side surface of the first substrate, but it can be applied to the side surface of the first substrate.

이상 본 발명을 상세히 설명하였으나 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 본 발명이 속하는 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 많은 변형할 수 있은 물론이다. Although the present invention has been described in detail above, the present invention is not limited thereto, and many modifications can be made by those skilled in the art within the technical idea to which the present invention pertains.

이상과 같이, 본 발명에 의하면, 제1 기판 및 제2 기판의 측면에 프릿을 형성한 후 프릿의 측면 방향으로 레이저를 조사하여 프릿을 경화시킴으로써, 프릿 하부에 형성된 금속 배선의 손상을 방지한다. As described above, according to the present invention, the frit is formed on the side surfaces of the first substrate and the second substrate, and the laser is irradiated in the lateral direction of the frit to cure the frit, thereby preventing damage to the metal wiring formed under the frit.

Claims (13)

유기 전계 발광소자가 형성된 제1 기판;A first substrate on which an organic EL device is formed; 상기 제1 기판의 유기 전계 발광소자와 소정간격 이격되어 봉착되는 제2 기판;A second substrate sealed to be spaced apart from the organic EL device of the first substrate by a predetermined distance; 상기 제1 및 제2 기판의 측면에 각각 형성되는 제1 프릿 및 제2 프릿; 및First and second frits formed on side surfaces of the first and second substrates, respectively; And 상기 제1 및 제2 프릿의 측면에 형성되어 상기 제1 기판 및 제2 기판을 밀봉시키기는 제3 기판을 포함하는 유기 전계 발광표시장치.And a third substrate formed on side surfaces of the first and second frits to seal the first substrate and the second substrate. 제1 항에 있어서, 상기 제3 기판은 산화 실리콘(SiO2), 실리콘 나이트라이드(SiNx), 실리콘 옥시나이트라이드(SiOxNy) 중 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광표시장치.The organic light emitting display device of claim 1, wherein the third substrate is formed of one of silicon oxide (SiO 2 ), silicon nitride (SiNx), and silicon oxynitride (SiOxNy). 제1 항에 있어서, 상기 제2 기판은 판 형상인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광표시장치.The organic light emitting display device of claim 1, wherein the second substrate has a plate shape. 제1 항에 있어서, 상기 프릿은 레이저 또는 적외선에 의해 경화되어 상기 제 3 기판과 접합되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광표시장치.The organic light emitting display device as claimed in claim 1, wherein the frit is cured by a laser or infrared light and bonded to the third substrate. 제1 항에 있어서, 상기 제1 프릿 및 제2 프릿은 K2O, Fe2O3, Sb2O3, ZnO, P2O5, V2O5, TiO2, Al2O3, B2O3, WO3, SnO 및 PbO 중 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광표시장치.The method of claim 1, wherein the first frit and the second frit are K 2 O, Fe 2 O 3 , Sb 2 O 3 , ZnO, P 2 O 5 , V 2 O 5 , TiO 2 , Al 2 O 3 , B An organic electroluminescent display device comprising one of 2 O 3 , WO 3 , SnO, and PbO. 제1 기판 상에 유기 전계 발광소자를 형성하는 단계;Forming an organic EL device on the first substrate; 상기 제1 기판 상부에 제2 기판을 배치시키는 단계;Disposing a second substrate on the first substrate; 상기 제1 및 제2 기판 측면에 각각 제1 프릿 및 제2 프릿을 형성하는 단계;Forming a first frit and a second frit on side surfaces of the first and second substrates, respectively; 상기 제1 및 제2 프릿의 측면에 제3 기판을 형성하는 단계; 및Forming a third substrate on side surfaces of the first and second frits; And 상기 제1 및 제2 프릿의 측면에서 레이저 또는 적외선을 조사하여 상기 제3 기판을 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판에 접합시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광표시장치의 제조방법. And bonding the third substrate to the first substrate and the second substrate by irradiating a laser or infrared rays from the side surfaces of the first and second frits. 삭제delete 유기 전계 발광소자가 형성된 제1 기판; 및A first substrate on which an organic EL device is formed; And 상기 제1 기판의 유기 전계 발광소자와 소정간격 이격되어 상기 제1 기판의 측면에 부착되어 상기 제1 기판을 덮는 제2 기판을 포함하며, A second substrate attached to a side surface of the first substrate and spaced apart from the organic electroluminescent device of the first substrate to cover the first substrate, 상기 제1 기판의 측면과 상기 제2 기판 사이에 프릿이 구비되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광표시장치. And a frit between the side of the first substrate and the second substrate. 제8 항에 있어서, 상기 제2 기판은 엣지 형상인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광표시장치. The organic light emitting display device of claim 8, wherein the second substrate has an edge shape. 제8 항에 있어서, 상기 프릿은 레이저 또는 적외선에 의해 용융되어 상기 제 1 기판과 접착되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광표시장치.The organic light emitting display device of claim 8, wherein the frit is melted by laser or infrared light and adhered to the first substrate. 제8 항에 있어서, 상기 프릿은 K2O, Fe2O3, Sb2O3, ZnO, P2O5, V2O5, TiO2, Al2O3, B2O3, WO3, SnO 및 PbO 중 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광표시장치.The method of claim 8, wherein the frit is K 2 O, Fe 2 O 3 , Sb 2 O 3 , ZnO, P 2 O 5 , V 2 O 5 , TiO 2 , Al 2 O 3 , B 2 O 3 , WO 3 Organic light emitting display device comprising: SnO and PbO. 제1 기판 상에 유기 전계 발광소자를 형성하는 단계;Forming an organic EL device on the first substrate; 상기 제1 기판 상부에 상기 제1 기판의 전면 및 측면을 덮는 엣지 형상의 제2 기판을 위치시키는 단계; Positioning an edge-shaped second substrate on the first substrate to cover the front and side surfaces of the first substrate; 상기 제1 기판의 측면과 대응되는 상기 제2 기판 내측면의 일 영역에 프릿을 형성하는 단계;Forming a frit on one region of an inner side surface of the second substrate corresponding to a side surface of the first substrate; 상기 프릿에 의해 상기 제1 기판이 밀봉되도록 상기 제2 기판을 상기 제1 기판의 측면에 합착시키는 단계; 및Bonding the second substrate to a side of the first substrate such that the first substrate is sealed by the frit; And 상기 프릿의 측면에 레이저 또는 적외선을 조사하여 상기 프릿을 경화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광표시장치의 제조방법. And irradiating a side of the frit with a laser or infrared rays to cure the frit. 삭제delete
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