KR100743454B1 - Polishing end-point detector for chemical mechanical polishing apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
도 1은 종래 화학적 기계적 연마장비의 연마 종점 검출장치의 분리 사시도이다.1 is an exploded perspective view of a polishing endpoint detecting apparatus of a conventional chemical mechanical polishing apparatus.
도 2는 도 1에서 A-A' 방향의 단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 1.
도 3은 본 발명 화학적 기계적 연마장비의 연마 종점 검출장치의 바람직한 실시예에 따른 분리 사시도이다.Figure 3 is an exploded perspective view according to a preferred embodiment of the polishing endpoint detection apparatus of the present invention chemical mechanical polishing equipment.
도 4는 도 3에서 B-B' 방향의 단면도이다.4 is a cross-sectional view taken along the line BB ′ in FIG. 3.
도 5는 본 발명의 주요 부분의 분리 사시도이다.5 is an exploded perspective view of the main part of the present invention.
도 6은 본 발명에 적용된 연마 패드의 다른 실시 단면도이다.6 is another embodiment of the polishing pad applied to the present invention.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *
10:플래튼 상판 20:광센서부10: platen top plate 20: light sensor
30:광투과부 40:연마 패드30: Light transmission part 40: Polishing pad
41:광투과 및 정렬확인부 50:회전 결합기재41: light transmission and alignment check unit 50: rotary coupling base
본 발명은 화학적 기계적 연마장비의 연마 종점 검출장치에 관한 것으로, 특히 광을 이용하여 연마 대상막의 두께를 검출하여 연마 종점을 검출하는 화학적 기계적 연마장비의 종점 검출장치에 관한 것이다.The present invention relates to an end point detection device for chemical mechanical polishing equipment, and more particularly, to an end point detection device for chemical mechanical polishing equipment for detecting a polishing end point by detecting a thickness of a polishing target film using light.
일반적으로, 화학적 기계적 연마장비는 연마패드와 반도체 웨이퍼를 기계적으로 마찰시킴과 아울러 연마재를 사용하여 화학적으로 반도체 웨이퍼의 연마 대상 막을 연마한다.In general, chemical mechanical polishing equipment mechanically polishes a polishing pad and a semiconductor wafer, as well as polishing the target film of the semiconductor wafer chemically using an abrasive.
상기 연마패드 및 슬러리의 기계적 화학적인 작용에 의해 연마되는 반도체 웨이퍼의 연마 대상 막은 정해진 두께를 가질 때까지 연마가 이루어져야 한다.The film to be polished of the semiconductor wafer to be polished by the mechanical and chemical action of the polishing pad and the slurry should be polished until it has a predetermined thickness.
즉, 연마를 중단해야 할 연마 종점을 검출해야 하며, 이를 위해서 광을 이용하여 연마되는 연마 대상 막의 두께를 검출하는 검출장치가 개발되었다.That is, the polishing end point to stop the polishing should be detected, and for this purpose, a detection device for detecting the thickness of the polishing target film to be polished using light has been developed.
상기와 같은 종래 연마 종검 검출장치를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.When described in detail with reference to the accompanying drawings, the conventional abrasive longitudinal detection device as described above.
도 1은 종래 화학적 기계적 연마장비의 연마 종점 검출장치의 분리 사시도이고, 도 2는 도 1에서 A-A'방향의 결합상태 단면도이다.1 is an exploded perspective view of an apparatus for detecting a polishing endpoint of a conventional chemical mechanical polishing apparatus, and FIG.
도 1 및 도 2를 각각 참조하면, 종래 화학적 기계적 연마장비의 연마 종점 검출장치는 주변부에 두 개의 관통공을 구비하는 원판형의 플래튼(Platen) 상판(1)과, 상기 플래튼 상판(1)의 관통공에 각각 삽입되는 광센서부(2)와, 상기 광센서부(2)의 상단에 접하며, 상기 플래튼 상판(1)의 상부로 돌출되는 돌출부재(3')를 구비하는 광투과 및 체결부(3)와, 상기 플래튼 상판(1)의 상부에 위치하여 반도체 웨이퍼의 연마 대상막과의 마찰면을 제공하며, 상기 광투과 및 체결부(3)의 돌출부재(3')에 대응하는 관통공이 마련된 연마 패드(4)로 구성된다.Referring to FIGS. 1 and 2, the apparatus for detecting the polishing endpoint of a conventional chemical mechanical polishing apparatus includes a plate-shaped platen
이하, 상기와 같은 종래 화학적 기계적 연마장비의 연마 종점 검출장치의 구성과 작용에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, the configuration and operation of the polishing end point detection device of the conventional chemical mechanical polishing equipment as described above will be described in detail.
먼저, 플래튼 상판(1)은 반지름이 반도체 웨이퍼보다 큰 원판 형태이며, 슬러리의 공급을 위한 슬러리 공급구를 구비할 수 있으며, 그 중앙을 중심으로 상호 대칭인 두 관통공을 구비한다.First, the platen
상기 관통공에는 플래튼 상판(1)의 저면 측에서 광센서부(2)가 삽입되며, 이 광센서부(2)는 발광부와 수광부를 구비하는 것일 수 있다.The
또한, 상기 광센서부(2)는 광신호를 전달할 수 있는 광섬유일 수 있으며, 그 광섬유인 광센서부(2)는 상판(1)과는 별도의 위치에 마련된 발광부의 광을 플래튼 상판(1)의 상부측으로 발산하고, 반도체 웨이퍼의 연마 대상 막에서 반사되는 광을 별도의 위치에 마련된 수광부에 전달하는 역할을 하도록 구성할 수 있다.In addition, the
이와 같은 광센서부(2)의 구성은 특정되지 않고, 발광 및 수광이 가능하며, 그 수광된 광의 파장을 이용하여 연마 대상 막의 두께를 측정할 수 있는 구성이면 사용할 수 있다.Such a configuration of the
상기 광센서부(2)의 상면에는 광투과 및 체결부(3)가 위치한다. 상기 광투과 및 체결부(3)는 투명한 재질이며, 상기 플래튼 상판(1)의 관통공에 기밀을 유지하며 끼움 결합 된다.The light transmission and fastening
또한, 상기 광투과 및 체결부(3)의 상면에는 플래튼 상판(1)의 상부측으로 돌출되는 돌출부재(3')가 구비된다.In addition, the upper surface of the light transmission and
상기 돌출부재(3')는 플래튼 상판(1)의 상면에 실장되는 연마 패드(4)의 실장위치를 정하기 위한 것이다.The protruding member 3 'is for determining the mounting position of the
상기 연마 패드(4)에는 상기 돌출부재(3')에 대응하는 위치에 두 개의 관통공이 마련되어 있으며, 그 관통공을 지나는 반도체 웨이퍼의 연마 대상 막의 두께를 측정하게 된다.The
따라서 상기 돌출부재(3')는 연마 패드(4)의 관통공에 정확하게 삽입되어야 하며, 정위치에 연마 패드(4)가 실장되지 않으면 연마 종점 검출이 이루어지지 않으며, 상기 연마 패드(4)와 플래튼 상판(1)에 마련된 슬러리 공급구의 위치가 정합되지 않아 슬러리 공급에 이상이 발생하게 된다.Therefore, the protruding member 3 'must be inserted into the through hole of the
상기와 같이 종래 화학적 기계적 연마장비의 연마 종점 검출장치는 연마 패드(4)의 관통공에 광투과 및 체결부(3)의 돌출부재(3')가 정확하게 삽입되도록 실장하여야 하기 때문에 연마 패드(4)를 실장하기가 용이하지 않은 문제점이 있었다.As described above, the polishing end point detection apparatus of the conventional chemical mechanical polishing equipment is required to be mounted so that the light transmission and the protruding member 3 'of the
또한, 연마 패드(4)는 반도체 웨이퍼의 연마 대상 막과의 마찰에 의하여 상면이 연마되며, 그 연마 패드(4)의 관통공에 삽입되어진 돌출부재(3') 또한 연마된다.In addition, the upper surface of the
따라서 수명이 다한 연마 패드(4)를 교체할 때, 상기 돌출부재(3')가 연마된 광투과 및 체결부(3)도 교체해야 하나, 상기 광투과 및 체결부(3)가 플래튼 상판(1)에 끼움 결합이 되어 있어 교체가 용이하지 않은 문제점이 있었다. Therefore, when replacing the
상기와 같이 연마 패드(4)의 실장과 광투과 및 체결부(3)의 교체가 용이하지 않음에 따라 화학적 기계적 연마장비의 유휴시간이 길어져 공정 시간이 지연되며, 생산성이 저하되는 문제점이 있었다.As described above, as the mounting and the light transmission and the
상기와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 연마 패드의 실장이 용이하며, 광투과 및 체결부의 수명을 연장시킴과 아울러 교체가 용이한 화학적 기계적 연마장비의 연마 종점 검출장치를 제공함에 그 목적이 있다.In view of the above problems, an object of the present invention is to provide a polishing end point detection device of a chemical mechanical polishing device that is easy to mount a polishing pad, extends the life of light transmission and fastening parts, and is easy to replace.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명 화학적 기계적 연마장비의 연마 종점 검출장치는 광센서부가 삽입되는 관통공과, 상기 관통공 주변에 상부에 마련된 체결홈을 포함하는 플래튼 상판과, 상기 플래튼 상판의 체결홈에 결합되며 중앙에 관통공이 마련된 결합기재와, 상기 결합기재의 관통공에 끼움 결합되어, 상기 체결홈에 결합기재가 결합된 상태에서 상기 광센서부가 삽입된 플래튼 상판의 관통공 상부를 밀폐하는 광투과부와, 상기 결합기재가 결합된 플래튼 상판 상에 고정되며, 상기 광센서부의 광이 반도체 웨이퍼에 도달할 수 있도록 하며, 반사된 광이 상기 광센서부에 수광될 수 있도록 하는 연마 패드를 포함한다.In order to achieve the above object, the present invention provides an end point detecting apparatus for a chemical mechanical polishing apparatus comprising a platen top plate including a through hole into which an optical sensor unit is inserted, and a fastening groove provided at an upper portion of the through hole, and the platen top plate. A coupling base coupled to the coupling groove of the coupling member having a through hole in the center and fitted into the through hole of the coupling substrate, and the upper part of the through hole of the platen top plate into which the optical sensor unit is inserted while the coupling substrate is coupled to the coupling groove. And a light transmitting part sealing the light emitting part, and fixed to the platen top plate to which the coupling substrate is coupled, allowing the light of the light sensor part to reach the semiconductor wafer, and allowing the reflected light to be received by the light sensor part. And a polishing pad.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세하게 설명하기로 한다. 그러나 이하의 실시예는 이 기술 분야에서 통상적인 지식을 가진 자에게 본 발명이 충분히 이해되도록 제공되는 것으로서 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 기술되는 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the following embodiments are provided to those skilled in the art to fully understand the present invention, and may be modified in various forms, and the scope of the present invention is limited by the embodiments described below. It doesn't happen. Like numbers refer to like elements in the figures.
도 3은 본 발명 화학적 기계적 연마장비의 연마 종점 검출장치 바람직한 실시예에 따른 분리 사시도이고, 도 4는 도 3에서 B-B' 방향의 결합상태 단면도이다.Figure 3 is an exploded perspective view according to a preferred embodiment of the polishing endpoint detection device of the chemical mechanical polishing apparatus of the present invention, Figure 4 is a cross-sectional view of the bonding state in the direction B-B 'in FIG.
도 3과 도 4를 각각 참조하면, 본 발명 화학적 기계적 연마장비의 연마 종점 검출장치의 바람직한 실시예는 연마 종점 검출을 위한 두 개의 관통공이 마련되며, 그 관통공들 주변에 회전 체결홈이 마련된 플래튼 상판(10)과, 상기 플래튼 상판(10)의 관통공에 삽입된 광센서부(20)와, 상기 플래튼 상판(10)의 회전 체결홈에 회전결합되며, 중앙부에 단차를 가지는 관통공이 마련된 회전 결합기재(50)와, 상기 회전 결합기재(50)의 관통공 내에 끼움 결합되어, 상기 회전 결합기재(50)와 플래튼 상판(10)의 결합에 의해 상기 광센서부(20)의 상부에 위치하는 광투과부(30)와, 상기 플래튼 상판(10)의 상부에 실장되며, 상기 광투과부(30)의 상부측 및 그 주변부 일부에 해당하는 상면의 일부에 광투과 및 정렬확인부(41)를 구비하는 연마 패드(40)를 포함한다.3 and 4, a preferred embodiment of the polishing end point detection device of the chemical mechanical polishing apparatus of the present invention is provided with two through holes for the polishing end point detection, the plate is provided with a rotation fastening groove around the through holes Rotatingly coupled to the
상기 회전 결합기재(50)의 상면에는 회전 결합기재(50)의 탈부착이 용이하도록 홈(53)이 마련될 수 있다.
이하, 상기와 같이 구성되는 본 발명 화학적 기계적 연마장비의 연마 종점 검출장치 바람직한 일실시예의 구성 및 작용을 더 상세하게 설명한다.Hereinafter, the configuration and operation of the polishing end point detection device of the present invention chemical mechanical polishing equipment is configured as described above in more detail.
먼저, 플래튼 상판(10)은 중앙을 중심으로 상호 대칭인 위치에 두 관통공을 구비한다. 이와 같은 관통공의 쌍은 다수로 마련될 수 있다.First, the platen
상기 플래튼 상판(10)의 관통공의 주변부에는 상기 회전 결합기재(50)가 회전 결합 될 수 있는 회전 체결홈이 마련되어 있다.At the periphery of the through hole of the platen
상기 회전 체결홈은 플래튼 상판(10)의 상면에서 소정의 깊이로 위치하여, 상기 회전 결합기재(50)가 결합되었을 때, 그 회전 결합기재(50)의 일면과 상기 플 래튼 상판(10)의 상면이 평행하게 되도록 한다.The rotation fastening groove is located at a predetermined depth on the upper surface of the platen
그리고, 회전 체결홈의 내주면과 회전 결합기재(50)의 외주면에는 상호 회전에 의한 치합이 가능하도록 나사산이 마련되어 있다.In addition, a screw thread is provided on the inner circumferential surface of the rotary fastening groove and the outer circumferential surface of the
상기 회전 결합기재(50)는 하나의 실시예이며, 상기 플래튼 상판(10)과 견고하게 결합되며, 탈부착이 용이한 구조이면 그 구조에 의해 본 발명은 제한되지 않는다.The
상기 플래튼 상판(10)의 관통공의 내측에는 광센서부(20)가 위치한다.The
상기 광센서부(20)는 발광부와 수광부를 구비하는 것일 수 있으며, 별도의 위치에 마련된 발광부의 광을 관통공을 통해 반도체 웨이퍼에 조사하고, 반사되는 광을 수광부에 전달하기 위한 광섬유일 수 있다.The
상기 플래튼 상판(10)의 회전 체결홈에는 광투과부(30)가 결합된 회전 결합기재(50)가 회전결합되며, 그 구조를 도 5에 도시하였다.The rotary coupling groove of the
도 5는 플래튼 상판(10)과 연마 패드(20)를 제외한 본 발명에 따른 연마 종점 검출장치의 분해 사시도이다.5 is an exploded perspective view of the polishing endpoint detecting apparatus according to the present invention except for the platen
도 5를 참조하면, 상기 회전 체결홈에 체결되는 회전 결합기재(50)는 그 중앙부에 광투과부(30)가 끼움 결합될 수 있는 관통공이 마련된다. 특히 관통공은 단차가 마련된 것으로, 상기 회전 결합기재(50)가 플래튼 상판(10)에 마련된 회전 체결홈에 체결되었을 때 광투과부(30)의 이탈을 방지할 수 있게 된다.Referring to FIG. 5, the
즉, 광투과부(30)는 중앙부의 직경이 더 크도록 외경에 단차를 가지는 것이며, 그 광투과부(30)의 형상에 부합하도록 회전 결합기재(50)의 관통공에 단차가 마련된다.That is, the
상기 광투과부(30)가 끼움 결합에 의해 고정된 회전 결합기재(50)는 회전결합에 의해 상기 플래튼 상판(10)의 회전 체결홈에 체결된다.The
이때, 상기 회전 결합기재(50)의 저면과 플래튼 상판(10)의 회전 체결홈이 접하는 면의 일부에는 오링(51)이 구비되며, 회전 결합기재(50)의 저면부에는 상기 오링(51)이 삽입되는 오링 삽입홈(52)이 마련되어, 상기 회전 결합기재(50)와 플래튼 상판(10)의 사이를 통해 탈이온수 등의 유체가 유입되는 것을 방지한다.In this case, an o-
상기 탈이온수 등의 유체가 유입되면 광센서부(20)를 손상시킬 수 있으며, 오링(51)을 사용하여 유체의 유입을 방지할 수 있게 된다.When the fluid, such as the deionized water, is introduced, the
상기 회전 결합기재(50)의 결합에 의해 광투과부(30)의 저면은 상기 광센서부(20)의 상부에 접하게 되며, 그 회전 결합기재(50)와 광투과부(30)의 상면은 상기 플래튼 상판(10)의 상면과 평행하게 된다.The bottom of the
상기 회전 결합기재(50)의 상면에는 회전 결합기재(50)의 탈부착이 용이하도록 홈(53)을 마련할 수 있으며, 이와 같은 구조는 화학적 기계적 연마공정에 의해 상기 광투과부(30)가 직접 연마되지 않아 교체주기를 보다 길게 할 수 있다.The upper surface of the
그리고 상기 구조의 상부에 연마 패드(40)가 실장된다. 상기 연마 패드(40)에는 상기 회전 결합기재(50)에 대응하는 위치의 상부 일부에 광투과 및 정렬확인부(41)가 매립되어 위치한다.And the
상기 광투과 및 정렬확인부(41)의 저면에는 얇은 연마 패드(40)가 위치하며, 수지재질의 연마 패드(40)는 광의 손실을 최소화 할 수 있도록 가능한 범위에서 얇은 두께가 되도록 한다.A
상기 광투과 및 정렬확인부(41)의 면적은 종래 연마 패드(40)의 관통공에 비해 그 면적이 더 넓은 것이며, 상기 광센서부(20)에서 광이 발산하는 상태에서 상기 광투과 및 정렬확인부(41)를 통해 그 광센서부(20)의 광이 확인되는 위치에 연마 패드(40)를 실장한다.The area of the light transmission and
상기와 같은 방법으로 보다 용이하게 연마 패드(40)를 플래튼 상판(10)의 상부에 정렬시킬 수 있게 된다.In the above manner, the
상기 광투과 및 정렬확인부(41)와 광투과부(30)의 재질은 동일한 것이며, 높은 광투과도를 가지며, 연성이면 그 재질에 관계없이 사용할 수 있다.The materials of the light transmission and
상기 광투과 및 정렬확인부(41)의 형상은 반도체 웨이퍼의 연마가 진행되는 동안 연마 패드(40)로부터 이탈되지 않도록 다양한 형상을 가질 수 있다.The shape of the light transmission and
도 6은 상기 광투과 및 정렬확인부(41)의 다른 실시 단면도이다.6 is another sectional view of the light transmission and
도 6을 참조하면, 상기 광투과 및 정렬확인부(41)는 상면과 저면에 비하여 중앙부의 직경이 작은 원판형의 구조이며, 연마 패드(40)에 마련된 홈에 삽입되어 이탈이 용이하지 않게 된다.Referring to FIG. 6, the light transmission and
상기 광투과 및 정렬확인부(41)의 형상은 상기의 예들에 국한되지 않고, 연마 패드(40)의 상부측에 마련된 홈에 삽입되어 이탈이 용이하지 않은 형상이면 그 형상에 의해 본 발명이 제한되지 않는다.The shape of the light transmission and
이상에서는 본 발명을 특정의 바람직한 실시예들을 들어 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시 예들에 한정되지 않으며 본 발명의 개념을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능하다.The present invention has been shown and described with reference to certain preferred embodiments, but the present invention is not limited to the above embodiments and has ordinary skill in the art to which the present invention pertains without departing from the concept of the present invention. Various changes and modifications are possible by the user.
상기한 바와 같이 본 발명 화학적 기계적 연마장비의 연마 종점 검출장치는 연마 대상 막의 두께 검출을 위한 광센서의 상부측을 상부면이 평탄하며, 탈부착이 용이한 투명재질의 광투과부를 사용하여, 연마 공정에서 그 광투과부가 연마되는 것을 방지하여 수명을 연장할 수 있는 효과가 있다.As described above, the polishing end point detection apparatus of the chemical mechanical polishing apparatus of the present invention uses a transparent light transmitting part having a flat upper surface and an easily attachable and detachable light transmissive portion to detect the thickness of the film to be polished. In the light transmission is prevented from grinding is effective to extend the life.
또한, 상기 광투과부의 교체가 용이하여 연마 공정의 중단 시간을 최소화할 수 있어 생산성을 향상시키는 효과가 있다.In addition, the light transmitting part may be easily replaced to minimize downtime of the polishing process, thereby improving productivity.
그리고, 연마 패드의 일부에 상기 광투과부를 통해 발산되는 광을 작업자가 직접 눈으로 확인하면서 연마 패드를 정위치에 정렬시킬 수 있어, 연마 패드의 정렬에 드는 시간을 줄임과 아울러 오정렬에 의한 공정 오류발생을 방지할 수 있는 효과가 있다.In addition, the operator can directly see the light emitted through the light transmitting part of the polishing pad while the operator can visually align the polishing pad in place, thereby reducing the time required for the alignment of the polishing pad and also causing a process error due to misalignment. There is an effect that can prevent the occurrence.
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100889084B1 (en) | 2007-07-06 | 2009-03-17 | 두산메카텍 주식회사 | End point detecting apparatus for semiconductor wafer polishing process |
CN115297997A (en) * | 2020-03-23 | 2022-11-04 | 胜高股份有限公司 | Double-side polishing device for workpiece |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001105308A (en) | 1999-10-04 | 2001-04-17 | Asahi Kasei Corp | Polishing device with light transmission path |
-
2006
- 2006-07-05 KR KR1020060062798A patent/KR100743454B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001105308A (en) | 1999-10-04 | 2001-04-17 | Asahi Kasei Corp | Polishing device with light transmission path |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100889084B1 (en) | 2007-07-06 | 2009-03-17 | 두산메카텍 주식회사 | End point detecting apparatus for semiconductor wafer polishing process |
CN115297997A (en) * | 2020-03-23 | 2022-11-04 | 胜高股份有限公司 | Double-side polishing device for workpiece |
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