KR100741922B1 - CMOS image sensor and method of manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 다수개의 포토 다이오드가 형성된 반도체 기판의 전면에 층간 절연층을 형성하는 공정; 상기 층간 절연층 상에 상기 각 포토 다이오드와 대응되게 컬러 필터층을 형성하는 공정; 상기 컬러 필터층 상에 평탄화층을 형성하는 공정; 상기 평탄화층 상에서 상기 각 포토다이오드와 대응되게 마이크로 렌즈를 형성하는 공정; 및 상기 마이크로 렌즈를 포함한 반도체 기판 전면에 광 굴절층을 형성하는 공정을 포함하여 이루어진 씨모스 이미지 센서의 제조방법, 및 그에 의해 제조된 씨모스 이미지 센서에 관한 것으로서, The present invention provides a process for forming an interlayer insulating layer on an entire surface of a semiconductor substrate on which a plurality of photodiodes are formed; Forming a color filter layer on the interlayer insulating layer to correspond to each photodiode; Forming a planarization layer on the color filter layer; Forming a microlens on the planarization layer to correspond to each photodiode; And a method of manufacturing a CMOS image sensor, and a CMOS image sensor manufactured thereby, comprising: forming a light refraction layer on a front surface of a semiconductor substrate including the micro lens.

본 발명에 따르면 마이크로 렌즈 사이에 차광층을 형성함으로써 마이크로 렌즈 사이로 포커싱 되지 않는 빛이 통과하지 못하도록 하여 씨모스 이미지 센서의 특성이 저하되지 않는다. According to the present invention, the light blocking layer is formed between the microlenses so that unfocused light does not pass between the microlenses so that the characteristics of the CMOS image sensor are not deteriorated.

CMOS, 굴절층 CMOS, refractive layer

Description

씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법{CMOS image sensor and method of manufacturing the same}CMOS image sensor and method of manufacturing the same

도 1은 종래 기술에 의한 씨모스 이미지 센서를 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a CMOS image sensor according to the prior art.

도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 일 실시예에 따른 씨모스 이미지 센서의 제조공정을 나타낸 단면도이다.2A to 2E are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of the CMOS image sensor according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 렌즈를 형성하는 공정을 나타낸 단면도이다. 3A to 3D are cross-sectional views illustrating a process of forming a micro lens according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 씨모스 이미지 센서의 개략적인 단면도이다.4 is a schematic cross-sectional view of a CMOS image sensor according to an embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

110 : 반도체 기판 120 : 포토 다이오드110 semiconductor substrate 120 photodiode

130 : 층간 절연층 140 : 컬러 필터층130: interlayer insulation layer 140: color filter layer

150 : 평탄화층 160 : 마이크로 렌즈 150: planarization layer 160: micro lens

170 : 광 굴절층 170: light refraction layer

본 발명은 이미지 센서에 관한 것으로, 특히 이미지 센서의 수광 능력을 향상시키도록 한 씨모스 이미지 센서에 관한 것이다.The present invention relates to an image sensor, and more particularly to a CMOS image sensor to improve the light receiving capability of the image sensor.

일반적으로 이미지 센서는 광학 영상(optical image)을 전기적인 신호로 변환시키는 반도체 장치로써, CCD(Charge Coupled Device) 이미지 센서 소자와 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 이미지 센서 소자로 크게 나눌 수 있다.In general, an image sensor is a semiconductor device that converts an optical image into an electrical signal, and may be broadly classified into a charge coupled device (CCD) image sensor device and a complementary metal oxide semiconductor (CMOS) image sensor device.

상기 CMOS 이미지 센서는 조사되는 빛을 감지하는 포토 다이오드부와 감지된 빛을 전기적인 신호로 처리하여 데이터화하는 CMOS 로직 회로부로 구성되는데, 상기 포토 다이오드의 수광량이 많을수록 상기 이미지 센서의 광 감도(Photo Sensitivity) 특성이 양호해진다.The CMOS image sensor includes a photodiode unit for detecting irradiated light and a CMOS logic circuit unit for converting the detected light into an electrical signal and converting the data into electrical signals. As the amount of light received by the photodiode increases, the photosensitivity of the image sensor is increased. ) The characteristics become good.

이와 같이 광 감도를 높이기 위해서는 이미지 센서의 전체 면적 중에서 포토 다이오드가 차지하는 비율(Fill Factor)을 크게 하거나, 포토다이오드 이외의 영역으로 입사되는 광의 경로를 변경하여 상기 포토 다이오드로 집광시켜 주는 기술이 사용된다.In order to increase the light sensitivity, a technique in which the fill factor of the photodiode in the entire area of the image sensor is increased, or the path of light incident to a region other than the photodiode is changed to focus the photodiode. .

상기 집광 기술의 대표적인 예가 마이크로 렌즈를 형성하는 것인데, 이는 포토 다이오드 상부에 광투과율이 좋은 물질로 통상적으로 볼록형 마이크로렌즈를 만들어 입사광의 경로를 굴절시켜 보다 많은 양의 빛을 포토 다이오드 영역으로 조사하는 방법이다.A representative example of the condensing technique is to form a microlens, which is a method of irradiating a larger amount of light to a photodiode by refracting the path of incident light by making a convex microlens with a material having a high light transmittance on the photodiode. to be.

이하, 첨부된 도면을 참고하여 종래 기술에 의한 씨모스 이미지 센서를 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the CMOS image sensor according to the related art will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 종래 기술에 의한 씨모스 이미지 센서를 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a CMOS image sensor according to the prior art.

도 1에 도시한 바와 같이, 종래의 씨모스 이미지 센서는, 반도체 기판(11), 포토 다이오드(12), 층간 절연층(13), 컬러 필터층(14), 평탄화층(15), 및 마이크로 렌즈(16)를 포함하여 이루어진다. As shown in FIG. 1, the conventional CMOS image sensor includes a semiconductor substrate 11, a photodiode 12, an interlayer insulating layer 13, a color filter layer 14, a planarization layer 15, and a microlens. It consists of 16.

상기 포토 다이오드(12)는 상기 반도체 기판(11) 상에 적어도 하나 이상 형성되어 입사되는 광량에 따른 전하를 생성하는 역할을 한다. At least one photodiode 12 is formed on the semiconductor substrate 11 to generate charges according to the amount of incident light.

상기 층간 절연층(13)은 상기 포토 다이오드(12)를 포함한 반도체 기판(11)의 전면에 형성되어 된다. The interlayer insulating layer 13 is formed on the entire surface of the semiconductor substrate 11 including the photodiode 12.

상기 컬러 필터층(14)은 상기 층간 절연층(13)상에 형성되어 각각 특정의 파장대의 빛을 통과시키는 R, G, B로 이루어진다. The color filter layer 14 is formed of the R, G, and B formed on the interlayer insulating layer 13 to pass light of a specific wavelength band, respectively.

상기 평탄화층(15)은 상기 컬러 필터층(14)상에 형성되어 기판 전면을 평탄화시키는 역할을 한다. The planarization layer 15 is formed on the color filter layer 14 to planarize the entire surface of the substrate.

상기 마이크로 렌즈(16)는 상기 평탄화층(15)상에 일정 곡률을 갖는 볼록 형태로 구성되어 대응하는 칼라 필터층(14)을 투과하여 포토 다이오드(12)로 빛을 집광하는 역할을 한다. The microlens 16 has a convex shape having a predetermined curvature on the planarization layer 15 to pass through the corresponding color filter layer 14 to condense light to the photodiode 12.

여기서, 상기 마이크로 렌즈(16)는 포토 레지스트(photo resist)를 열 리플로우(thermal reflow) 시켜서 형성하게 된다. 이때, 상기 마이크로 렌즈(16) 사이에는 마이크로 렌즈(16)간의 접촉을 방지하기 위해서 소정의 틈(도 1의 d 참조)이 형성되어 있다. In this case, the microlens 16 is formed by thermal reflow of a photoresist. At this time, a predetermined gap (see d in FIG. 1) is formed between the micro lenses 16 to prevent contact between the micro lenses 16.

즉, 마이크로 렌즈(16)가 서로 접촉하게 되면 인접 컬러 필터의 색 정보가 혼합되어 들어와 색 재현성 및 콘트라스트(contrast)가 나빠지게 되므로 마이크로 렌즈(16) 사이에는 대략 0.2 ~ 0.5㎛로 틈을 형성하게 된다. That is, when the microlenses 16 are in contact with each other, color information of adjacent color filters is mixed and color reproducibility and contrast deteriorate, so that a gap is formed between the microlenses 16 by about 0.2 to 0.5 μm. do.

그러나, 이와 같이 마이크로 렌즈(16) 사이에 틈이 형성되기 때문에 상기 틈으로 포커싱 되지 않은 빛이 통과하고 그 빛이 하부의 포토 다이오드(12)에 센싱됨으로써(도 1의 stray beam 참조) 이미지 센서의 특성이 저하되는 문제점이 있다. However, since a gap is formed between the microlenses 16 as described above, the unfocused light passes through the gap and the light is sensed by the lower photodiode 12 (see the stray beam of FIG. 1). There is a problem that the characteristics are degraded.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서,The present invention has been made to solve the above problems,

본 발명의 제1목적은 마이크로 렌즈 사이의 틈으로 포커싱 되지 않는 빛이 통과하지 못하도록 하여 이미지 센서의 특성이 저하되지 않도록 하는 씨모스 이미지 센서의 제조방법을 제공하는 것이다. It is a first object of the present invention to provide a method of manufacturing a CMOS image sensor which prevents light that is not focused into a gap between microlenses from passing through so that the characteristics of the image sensor are not degraded.

본 발명의 제2목적은 마이크로 렌즈 사이의 틈으로 포커싱 되지 않는 빛이 통과하지 못하도록 하여 이미지 센서의 특성이 저하되지 않도록 하는 씨모스 이미지 센서를 제공하는 것이다. It is a second object of the present invention to provide a CMOS image sensor which prevents unfocused light from passing through a gap between micro lenses so that the characteristics of the image sensor are not degraded.

상기 제1목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 다수개의 포토 다이오드가 형성된 반도체 기판의 전면에 층간 절연층을 형성하는 공정; 상기 층간 절연층 상에 상기 각 포토 다이오드와 대응되게 컬러 필터층을 형성하는 공정; 상기 컬러 필터층 상에 평탄화층을 형성하는 공정; 상기 평탄화층 상에서 상기 각 포토다이오드와 대응되게 마이크로 렌즈를 형성하는 공정; 및 상기 마이크로 렌즈를 포함한 반도체 기판 전면에 광 굴절층을 형성하는 공정을 포함하여 이루어진 씨모스 이미지 센서 의 제조방법을 제공한다.In order to achieve the first object, the present invention comprises the steps of forming an interlayer insulating layer on the front surface of the semiconductor substrate formed with a plurality of photodiodes; Forming a color filter layer on the interlayer insulating layer to correspond to each photodiode; Forming a planarization layer on the color filter layer; Forming a microlens on the planarization layer to correspond to each photodiode; And forming a light refraction layer on the entire surface of the semiconductor substrate including the micro lens.

즉, 본 발명은 마이크로 렌즈 상부에 광 굴절층을 추가로 형성함으로써 마이크로 렌즈 사이로 포커싱 되지 않는 빛이 통과하지 못하도록 한 것이다. That is, the present invention further forms a light refraction layer on the microlenses so that unfocused light does not pass between the microlenses.

여기서, 상기 광 굴절층은 공기의 굴절률과 마이크로 렌즈의 굴절률 사이의 굴절률을 갖는 물질, 바람직하게는 SiO2로 형성하는 것이 바람직하다. Here, the optical refraction layer is preferably formed of a material having a refractive index between the refractive index of the air and the refractive index of the micro lens, preferably SiO 2 .

또한, 상기 마이크로 렌즈를 형성하는 공정은 상기 평탄화층 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정; 마스크를 이용하여 상기 포토 레지스트의 소정 영역에 광을 조사하는 공정; 상기 광 조사후 포토 레지스트를 현상하는 공정; 및 상기 포토 레지스트를 열 리플로우하는 공정으로 이루어진 것이 바람직하다. In addition, the step of forming the micro lens may include applying a photoresist on the planarization layer; Irradiating light to a predetermined region of the photoresist using a mask; Developing the photoresist after the light irradiation; And thermally reflowing the photoresist.

상기 제2목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 다수개의 포토 다이오드가 형성된 반도체 기판; 상기 반도체 기판의 전면에 형성된 층간 절연층; 상기 층간 절연층 상에 상기 각 포토 다이오드와 대응되게 형성된 컬러 필터층; 상기 컬러 필터층 상에 형성된 평탄화층; 상기 평탄화층 상에서 상기 각 포토다이오드와 대응되게 형성된 마이크로 렌즈; 및 상기 마이크로 렌즈를 포함한 기판 전면에 형성된 광 굴절층을 포함하여 이루어진 씨모스 이미지 센서를 제공한다.In order to achieve the second object, the present invention provides a semiconductor substrate including a plurality of photodiodes; An interlayer insulating layer formed on the entire surface of the semiconductor substrate; A color filter layer formed on the interlayer insulating layer to correspond to each photodiode; A planarization layer formed on the color filter layer; A micro lens formed on the planarization layer to correspond to each of the photodiodes; And it provides a CMOS image sensor comprising a light refraction layer formed on the front surface of the substrate including the micro lens.

이하 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하기로 한다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 일 실시예에 따른 씨모스 이미지 센서의 제조공정을 나타낸 단면도이고, 도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 렌즈를 형성하는 공정을 나타낸 단면도이다. 2A to 2E are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of a CMOS image sensor according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 3A to 3D are cross-sectional views illustrating a process of forming a micro lens according to an embodiment of the present invention. .

우선, 도 2a와 같이, 다수개의 포토 다이오드(120)가 형성된 반도체 기판(110)의 전면에 층간 절연층(130)을 형성한다.First, as shown in FIG. 2A, the interlayer insulating layer 130 is formed on the entire surface of the semiconductor substrate 110 on which the plurality of photodiodes 120 are formed.

상기 층간 절연층(130)은 다층으로 형성할 수도 있다. The interlayer insulating layer 130 may be formed in multiple layers.

다음, 도 2b와 같이, 상기 층간 절연층(130) 상에 상기 각 포토 다이오드(120)와 대응되게 컬러 필터층(140)을 형성한다. Next, as shown in FIG. 2B, the color filter layer 140 is formed on the interlayer insulating layer 130 to correspond to each photodiode 120.

상기 컬러 필터층(140)은 가염성 레지스트를 도포한 후, 노광 및 현상 공정을 통해 각각의 파장대별로 빛을 필터링하는 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 컬러 필터층으로 형성한다.The color filter layer 140 is formed of a color filter layer of red (R), green (G), and blue (B) that filters light for each wavelength band through an exposure and development process after applying a salty resist.

다음, 도 2c와 같이, 상기 컬러 필터층(140) 상에 평탄화층(150)을 형성한다. Next, as shown in FIG. 2C, the planarization layer 150 is formed on the color filter layer 140.

상기 평탄화층(150)은 컬러 필터층(140)을 포함한 반도체 기판(110)의 전면에 형성되어 신뢰성(reliability) 및 패키지(package)시 EMC, 외부로부터의 수분이나 중금속 침투를 방지하는 역할도 수행하며, 실리콘 나이트라이드(silicon nitride)막으로 형성될 수 있다. The planarization layer 150 is formed on the front surface of the semiconductor substrate 110 including the color filter layer 140 to prevent the penetration of moisture or heavy metals from EMC and the outside during reliability and packaging. It may be formed of a silicon nitride film.

한편, 이미지 센서는 광학적인 투과가 매우 중요하기 때문에 상기 평탄화층(150)의 두께에 의한 박막들의 간섭 현상을 배제하기 위하여 상기 평탄화층(150)은 1000 ~ 6000Å의 두께로 형성하는 것이 바람직하다.On the other hand, in the image sensor, since the optical transmission is very important, the planarization layer 150 may be formed to have a thickness of 1000 to 6000 kV in order to exclude interference of thin films due to the thickness of the planarization layer 150.

다음, 도 2d와 같이, 상기 평탄화층(150) 상에 상기 각 포토다이오드(120)와 대응되게 마이크로 렌즈(160)를 형성한다. Next, as shown in FIG. 2D, the microlens 160 is formed on the planarization layer 150 to correspond to each photodiode 120.

상기 마이크로 렌즈(160)를 형성하는 구체적인 공정에 대해서는 도 3a 내지 도 3d를 참조하여 설명한다. A detailed process of forming the microlens 160 will be described with reference to FIGS. 3A to 3D.

도 3a와 같이, 상기 평탄화층(150) 상에 포토 레지스트(160)를 도포한다. 상기 포토 레지스트(170)는 5000Å정도의 두께로 도포하는 것이 바람직하다. As shown in FIG. 3A, a photoresist 160 is coated on the planarization layer 150. The photoresist 170 is preferably applied in a thickness of about 5000 kPa.

도 3b와 같이, 마스크(180)를 이용하여 상기 포토 레지스트(160)의 소정 영역에 광을 조사한다. As shown in FIG. 3B, light is irradiated to a predetermined region of the photoresist 160 using the mask 180.

도 3c와 같이, 상기 광 조사후 포토 레지스트(160)를 현상한다. As shown in FIG. 3C, the photoresist 160 is developed after the light irradiation.

현상공정에 의해 상기 포토 레지스트(160)가 소정 간격으로 이격되면서 사다리꼴 형상으로 형성되게 된다. By the developing process, the photoresist 160 is formed in a trapezoidal shape while being spaced at a predetermined interval.

도 3d와 같이, 상기 포토 레지스트(160)를 열 리플로우 하여 볼록 렌즈 형상의 마이크로 렌즈(160)를 완성한다. As shown in FIG. 3D, the photoresist 160 is thermally reflowed to complete the convex lens-shaped microlens 160.

상기 열 리플로우 공정은 핫 플레이트(hot plate)에서 150℃ 이상의 열처리공정으로 이루어지며, 열 리플로우 공정에 의해 볼록 렌즈 형상의 마이크로렌즈(160)가 완성된다.The thermal reflow process is performed by a heat treatment process of 150 ° C. or higher on a hot plate, and the convex lens-shaped microlens 160 is completed by the thermal reflow process.

상기 리플로우 공정 이후에는 마이크로 렌즈(160)를 쿨링(cooling) 처리하는 공정을 추가로 포함할 수 있다. After the reflow process, the microlens 160 may be further cooled.

다음, 도 2e와 같이, 상기 마이크로 렌즈(160)를 포함한 반도체 기판 전면에 광 굴절층(170)을 형성한다. Next, as shown in FIG. 2E, the light refraction layer 170 is formed on the entire surface of the semiconductor substrate including the microlens 160.

상기 광 굴절층(170)은 공기의 굴절률과 마이크로 렌즈(160)의 굴절률 사이의 굴절률을 갖는 물질, 바람직하게는 SiO2로 형성하는 것이 바람직하다. The light refractive layer 170 is preferably formed of a material having a refractive index between the refractive index of the air and the refractive index of the micro lens 160, preferably SiO 2 .

상기 SiO2로 광 굴절층(170)을 형성할 경우에는 SiO2를 증착한 후 증착된 SiO2를 평탄화하여 광 굴절층(170)을 형성한다. When forming the light-refractive layer 170 in the SiO 2 has an SiO 2 to flatten the deposited after depositing SiO 2 to form a light-refractive layer 170.

이와 같이, 광 굴절층(170)을 형성함으로써, 도시한 바와 같이 마이크로 렌즈(160) 사이로 입사되는 빛이 굴절됨으로써 모든 빛이 포커싱되어 포토 다이오드(120)에 집광되게 된다. As such, by forming the light refraction layer 170, as shown in FIG. 2, the light incident between the microlenses 160 is refracted so that all the light is focused and focused on the photodiode 120.

이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 씨모스 이미지 센서의 구조에 대해서 설명하기로 한다. Hereinafter will be described the structure of the CMOS image sensor according to an embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 씨모스 이미지 센서의 개략적인 단면도이다.4 is a schematic cross-sectional view of a CMOS image sensor according to an embodiment of the present invention.

도 4에서 알 수 있듯이, 본 발명의 일 실시예에 따른 씨모스 이미지 센서는 반도체 기판(110), 포토 다이오드(120), 층간 절연층(130), 컬러 필터층(140), 평탄화층(150), 마이크로 렌즈(160), 및 광 굴절층(170)을 포함하여 이루어진다. As can be seen in Figure 4, CMOS image sensor according to an embodiment of the present invention is a semiconductor substrate 110, photodiode 120, interlayer insulating layer 130, color filter layer 140, planarization layer 150 , A micro lens 160, and a light refraction layer 170.

상기 포토 다이오드(120)는 상기 반도체 기판(110)에 다수개가 형성되어 입사되는 광량에 따른 전하를 생성하는 역할을 한다. 도면에는 3개만을 도시하였지만, 이에 한정되는 것은 아니다. A plurality of photodiodes 120 is formed on the semiconductor substrate 110 to generate charges according to the amount of incident light. Although only three are shown in the figure, it is not limited thereto.

상기 층간 절연층(130)은 상기 반도체 기판(110)의 전면에 형성되어 배선 층 등을 절연시키는 역할을 한다. The interlayer insulating layer 130 is formed on the entire surface of the semiconductor substrate 110 to insulate the wiring layer and the like.

상기 컬러 필터층(140)은 상기 층간 절연층(130) 상에서 상기 포토 다이오드(120)와 대응되는 R, G, B의 컬러 필터로 형성된다. The color filter layer 140 is formed of color filters of R, G, and B corresponding to the photodiode 120 on the interlayer insulating layer 130.

상기 평탄화층(150)은 상기 컬러 필터층(140) 상에 형성되며, 실리콘 나이트라이드(silicon nitride)막으로 형성될 수 있다. The planarization layer 150 may be formed on the color filter layer 140 and may be formed of a silicon nitride layer.

상기 마이크로 렌즈(160)는 상기 평탄화층(150) 상에서, 상기 각 포토다이오드(120)와 대응되게 형성된다. The microlens 160 is formed on the planarization layer 150 to correspond to each photodiode 120.

상기 광 굴절층(170)은 공기의 굴절률과 마이크로 렌즈(160)의 굴절률 사이의 굴절률을 갖는 물질, 바람직하게는 SiO2로 형성하는 것이 바람직하다. The light refractive layer 170 is preferably formed of a material having a refractive index between the refractive index of the air and the refractive index of the micro lens 160, preferably SiO 2 .

이상과 같은 본 발명에 따르면 마이크로 렌즈 상에 광 굴절층을 추가로 형성함으로써 마이크로 렌즈 사이로 포커싱 되지 않는 빛이 통과하지 못하도록 하여 씨모스 이미지 센서의 특성이 저하되지 않는다. According to the present invention as described above by forming an additional optical refraction layer on the micro-lens to prevent the non-focused light passes between the micro-lens does not deteriorate the characteristics of the CMOS image sensor.

Claims (10)

다수개의 포토 다이오드가 형성된 반도체 기판의 전면에 층간 절연층을 형성하는 공정;Forming an interlayer insulating layer on the entire surface of the semiconductor substrate on which the plurality of photodiodes are formed; 상기 층간 절연층 상에 상기 각 포토 다이오드와 대응되게 컬러 필터층을 형성하는 공정;Forming a color filter layer on the interlayer insulating layer to correspond to each photodiode; 상기 컬러 필터층 상에 평탄화층을 형성하는 공정;Forming a planarization layer on the color filter layer; 상기 평탄화층 상에서 상기 각 포토다이오드와 대응되게 마이크로 렌즈를 형성하는 공정; 및Forming a microlens on the planarization layer to correspond to each photodiode; And 상기 마이크로 렌즈를 포함한 반도체 기판 전면에 SiO2를 증착한 후, 상기 증착된 SiO2를 평탄화하여 광 굴절층을 형성하는 공정을 포함하여 이루어진 씨모스 이미지 센서의 제조방법.And depositing SiO 2 on the entire surface of the semiconductor substrate including the microlens, and then planarizing the deposited SiO 2 to form an optical refraction layer. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 광 굴절층은 공기의 굴절률과 마이크로 렌즈의 굴절률 사이의 굴절률을 갖는 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조방법. And the optical refraction layer is formed of a material having a refractive index between the refractive index of the air and the refractive index of the micro lens. 삭제delete 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 마이크로 렌즈를 형성하는 공정은The process of forming the micro lens 상기 평탄화층 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정;Applying a photoresist on the planarization layer; 마스크를 이용하여 상기 포토 레지스트의 소정 영역에 광을 조사하는 공정;Irradiating light to a predetermined region of the photoresist using a mask; 상기 광 조사후 포토 레지스트를 현상하는 공정; 및Developing the photoresist after the light irradiation; And 상기 포토 레지스트를 열 리플로우하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조방법.And a method for thermally reflowing the photoresist. 제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 열 리플로우 공정 이후에 쿨링 공정을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조방법. And a cooling process after the thermal reflow process. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 평탄화층은 실리콘 나이트라이드(silicon nitride)막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조방법. And the planarization layer is formed of a silicon nitride film. 다수개의 포토 다이오드가 형성된 반도체 기판;A semiconductor substrate on which a plurality of photodiodes are formed; 상기 반도체 기판의 전면에 형성된 층간 절연층;An interlayer insulating layer formed on the entire surface of the semiconductor substrate; 상기 층간 절연층 상에 상기 각 포토 다이오드와 대응되게 형성된 컬러 필터층;A color filter layer formed on the interlayer insulating layer to correspond to each photodiode; 상기 컬러 필터층 상에 형성된 평탄화층;A planarization layer formed on the color filter layer; 상기 평탄화층 상에서 상기 각 포토다이오드와 대응되게 형성된 마이크로 렌즈; 및A micro lens formed on the planarization layer to correspond to each of the photodiodes; And 상기 마이크로 렌즈를 포함한 기판 전면에 SiO2로 이루어진 광 굴절층을 포함하여 이루어진 씨모스 이미지 센서.CMOS image sensor comprising a light refractive layer made of SiO 2 on the front surface of the substrate including the micro lens. 제7항에 있어서, The method of claim 7, wherein 상기 광 굴절층은 공기의 굴절률과 마이크로 렌즈의 굴절률 사이의 굴절률을 갖는 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서. And the optical refraction layer is formed of a material having a refractive index between the refractive index of the air and the refractive index of the micro lens. 삭제delete 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 평탄화층은 실리콘 나이트라이드(silicon nitride)막으로 이루어진 것 을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서. And the planarization layer is formed of a silicon nitride film.
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