KR100741133B1

KR100741133B1 - Organic light emitting display apparatus

Info

Publication number: KR100741133B1
Application number: KR1020060062408A
Authority: KR
Inventors: 정종한
Original assignee: 삼성에스디아이 주식회사
Priority date: 2006-07-04
Filing date: 2006-07-04
Publication date: 2007-07-20

Abstract

An OLED(Organic Light Emitting Display) is provided to obtain a high electric characteristic and simplify a structure by including a organic thin film diode using vanadium oxide. An OLED includes a thin film diode(110), and an organic light-emitting device(130). The thin film diode(110) has a first electrode formed on a substrate, a metal-insulator phase change channel layer made of vanadium oxide and electrically conducting with or insulating from the first electrode, and a second electrode formed on the metal-insulator phase change channel layer. The organic light-emitting device(130) is electrically connected to one end of the thin film diode(110), and includes a pixel electrode, a counter electrode, and an intermediate layer having at least a light-emitting layer and interposed between the pixel electrode and the counter electrode.

Description

Organic light emitting display apparatus

도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시 예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치의 디스플레이부의 일부를 개략적으로 도시하는 회로도이다.1 is a circuit diagram schematically illustrating a part of a display unit of an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 일 부화소를 개략적으로 도시한 제1 실시 예의 단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view of a first embodiment schematically showing a part of the pixel of FIG. 1.

도 3은 도 1의 일 부화소를 개략적으로 도시한 제2 실시 예의 단면도이다.FIG. 3 is a cross-sectional view of a second embodiment schematically showing a part of the pixel of FIG. 1.

도 4는 도 1의 일 부화소를 개략적으로 도시한 제3 실시 예의 단면도이다.FIG. 4 is a cross-sectional view of a third embodiment schematically showing a part of the pixel of FIG. 1.

도 5는 도 1의 일 부화소를 개략적으로 도시한 제4 실시 예의 단면도이다.FIG. 5 is a cross-sectional view of a fourth embodiment schematically showing some of the subpixels of FIG. 1.

도 6 바나듐 옥사이드를 이용한 박막 다이오드의 전류/전압 특성을 보이는 파형도이다.6 is a waveform diagram showing current / voltage characteristics of a thin film diode using vanadium oxide.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for main parts of the drawings>

101: 데이터 라인 103: 스캔 라인 101: data line 103: scan line

110: 박막 다이오드 111: 제1 전극110: thin film diode 111: first electrode

112: 금속-절연체 상전이 채널 층 113: 제2 전극112: metal-insulator phase transition channel layer 113: second electrode

130: 유기 발광 소자 131: 화소 전극130: organic light emitting element 131: pixel electrode

132: 중간층 133: 대향 전극132: intermediate layer 133: counter electrode

140: 페시베이션층 131: 화소 정의막140: passivation layer 131: pixel defining layer

본 발명은 유기 발광 디스플레이 장치에 관한 것으로서, 더 상세하게는 구조가 단순하여 제조가 용이하며 전기적 특성이 뛰어난 유기 발광 디스플레이 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display device, and more particularly, to an organic light emitting display device having a simple structure, which is easy to manufacture, and which has excellent electrical characteristics.

유기 발광 디스플레이 소자에 사용되는 박막 트랜지스터(thin film transistor)는 각 픽셀의 동작을 제어하는 스위칭 소자 또는 픽셀의 구동을 제어하는 구동 소자 등으로 사용된다.The thin film transistor used in the organic light emitting display device is used as a switching device for controlling the operation of each pixel or a driving device for controlling the driving of the pixel.

이러한 박막 트랜지스터는 서로 이격된 소스 전극 및 드레인 전극과, 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 형성된 채널 영역을 갖는 반도체층을 구비하며, 이 소스 전극, 드레인 전극 및 반도체층과 절연되는 게이트 전극과, 게이트 전극을 소스 전극, 드레인 전극 및 반도체층으로부터 절연시키는 게이트 절연막을 구비한다.The thin film transistor includes a source electrode and a drain electrode spaced apart from each other, a semiconductor layer having a channel region formed between the source electrode and the drain electrode, the gate electrode insulated from the source electrode, the drain electrode and the semiconductor layer, and the gate electrode. A gate insulating film which insulates the semiconductor layer from the source electrode, the drain electrode, and the semiconductor layer.

이와 같은 박막 트랜지스터는 3단자형으로서, 구조가 복잡하고 다단계에 걸쳐 제조되며 제조시 비용이 많이 들고 수율이 낮다는 문제점이 있다. 특히 최근에는 각 부화소의 발광여부를 제어하기 위해 구비되는 박막 트랜지스터의 개수가 증가함에 따라, 화소 회로의 어레이에 더욱 문제가 있으며, 더울이 상술한 바와 같은 문제점의 해결 필요성이 더욱 대두되고 있다.Such a thin film transistor is a three-terminal type, the structure is complicated, manufactured in multiple stages, there is a problem that the manufacturing cost is high and the yield is low. In particular, as the number of thin film transistors provided to control light emission of each subpixel increases, there is a further problem in the array of pixel circuits, and the need for solving the problems as described above is increasing.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 바나듐 옥사이드를 채용한 유기박막 다이오드를 구비하여 제조가 용이하 며 전기적 특성이 뛰어날 뿐 아니라, 보다 단순한 구조가 가능한 유기 발광 디스플레이 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention is to solve the various problems including the above problems, the organic light emitting display device having an organic thin film diode employing vanadium oxide is easy to manufacture and excellent electrical characteristics, simple structure The purpose is to provide.

상기와 같은 목적 및 그 밖의 여러 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 기판 상에 형성된 제1전극과, 바나듐 옥사이드로 구성되어 상기 제1전극과 통전 또는 절연되는 금속-절연체 상전이 채널층 및 상기 금속-절연체 상전이 채널층 상에 형성된 제2전극을 구비하는 박막 다이오드; 및In order to achieve the above object and various other objects, the present invention, the first electrode formed on the substrate, the metal-insulator phase transition channel layer and the metal which is composed of vanadium oxide and electrically or insulated from the first electrode A thin film diode having a second electrode formed on the insulator phase transition channel layer; And

상기 박막 다이오드의 일단에 전기적으로 연결된 것으로, 화소 전극, 대향 전극 및 화소 전극과 대향 전극 사이에 개재된 적어도 발광층을 포함하는 중간층을 구비하는 유기 발광 소자를 포함하는 것이 바람직하다.It is preferable to include an organic light emitting device that is electrically connected to one end of the thin film diode and includes an intermediate layer including a pixel electrode, an opposite electrode, and at least an emission layer interposed between the pixel electrode and the opposite electrode.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1을 참조하면, 데이터 라인(101)과 스캔 라인(103)이 상호 교차하도록 배열되어 매트릭스(matrix) 형태를 이루고 있다. 데이터 라인(101)과 스캔 라인(103)이 교차하는 각 지점이 각 부화소에 대응하는데, 각 부화소는 박막 다이오드(TFD: thin film diode, 110)와 이 박막 다이오드(110)의 일단에 전기적으로 연결된 유기 발광 소자(130)를 구비한다. 더 상세하게는, 박막 다이오드(110)의 일단은 유기 발광 소자(130)에 전기적으로 연결되며, 박막 다이오드(110)의 타단은 스캔 라인(101)에 전기적으로 연결된다.Referring to FIG. 1, the data line 101 and the scan line 103 are arranged to cross each other to form a matrix. Each point where the data line 101 and the scan line 103 intersect corresponds to each subpixel, and each subpixel is electrically connected to a thin film diode (TFD) 110 and one end of the thin film diode 110. The organic light emitting element 130 is connected to. More specifically, one end of the thin film diode 110 is electrically connected to the organic light emitting element 130, and the other end of the thin film diode 110 is electrically connected to the scan line 101.

도 2는 도 1의 일 부화소를 개략적으로 도시하는 단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view schematically illustrating a part of the pixel of FIG. 1.

도 2를 참조하면, 본 실시예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치의 박막 다이오드(110) 및 유기 발광 소자는 기판(100) 상에 구비된다. 기판(110)은 아크릴, 폴리이미드, 폴리카보네이트, 폴리에스테르, 미라르(mylar) 기타 플라스틱 잴료가 사용될 수 있는데, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, SUS, 텅스텡 등과 같은 금속 호일도 사용 가능하고, 글라스재도 사용가능하다. 상기 기판(110)으로는 플렉시블(flexible)한 기판이 바람직하다. 물론 본 발명에 따른 유기 발광 디스플레이 장치에 구비되는 기판이 이에 한정되는 것은 아니다. 기판(100) 상에는 필요에 따라 절연물질로 이루어진 버퍼층(미도시) 등이 구비될 수도 있다.Referring to FIG. 2, the thin film diode 110 and the organic light emitting diode of the organic light emitting diode display according to the present exemplary embodiment are provided on the substrate 100. The substrate 110 may be acrylic, polyimide, polycarbonate, polyester, mylar or other plastics, but is not limited thereto, and metal foils such as SUS and tungsten may be used. Ash is also available. As the substrate 110, a flexible substrate is preferable. Of course, the substrate provided in the organic light emitting display device according to the present invention is not limited thereto. If necessary, a buffer layer (not shown) made of an insulating material may be provided on the substrate 100.

기판(100) 상에는 박막 다이오드(110) 및 이 박막 다이오드(110)의 일단에 전기적으로 연결된 유기 발광 소자(130)가 구비된다. 박막 다이오드(110)는 제1 전극(111)과 제2 전극(113), 그리고 제1 전극(111)과 제2 전극(113) 사이에 개재된 금속-절연체 상전이 채널 층(112)을 구비한다. On the substrate 100, a thin film diode 110 and an organic light emitting element 130 electrically connected to one end of the thin film diode 110 are provided. The thin film diode 110 includes a first electrode 111 and a second electrode 113, and a metal-insulator phase transition channel layer 112 interposed between the first electrode 111 and the second electrode 113. .

애노드 전극으로써의 제1 전극(111)은 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 등과 같은 투명 도전성 물질로 이루어진 투명 전극일 수도 있고, Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물을 포함하는 반사 전극과, 그 위에 형성되는 투명 전극으로 구성될 수도 있으며, 이는 스캔 라인(도 1의 103)에 전기적으로 연결된다. The first electrode 111 as the anode electrode may be a transparent electrode made of a transparent conductive material such as ITO, IZO, ZnO, or In 2 O 3, and may be Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr. And a reflective electrode including the compound thereof, and a transparent electrode formed thereon, which is electrically connected to the scan line 103 of FIG. 1.

금속-절연체 상전이 채널 층(112)은 전기장에 변화에 따라 금속에서 절연체 로 또는 절연체에서 금속으로 그 상태가 변화하는 채널 층을 말한다. 금속-절연체 상전이 채널 층(112)은 제1 전극(111) 및 제2 전극(113) 사이에 위치하며, 이들에 접한다. 금속-절연체 상전이 채널 층(112)은 일례로 VO₂(바나듐 옥사이드)를 사용하여 두께, 길이 및 폭이 각각 90 내지 100 nm, 3 ㎛ 및 10 ㎛가 되도록 형성될 수 있다. 제1전극(111)에 일정한 전압이 인가되면, 금속-절연체 상전이 채널 층(113) 내부에 충전 캐리어(hole)의 유기 및 금속-절연체 상전이가 발생하여, 상당량의 전류가 흐르는 전도성 채널이 형성된다.The metal-insulator phase transition channel layer 112 refers to a channel layer whose state changes from metal to insulator or from insulator to metal as the electric field changes. The metal-insulator phase transition channel layer 112 is positioned between and abuts the first electrode 111 and the second electrode 113. The metal-insulator phase transition channel layer 112 may be formed using, for example, VO ₂ (vanadium oxide) such that the thickness, length, and width are 90 to 100 nm, 3 μm, and 10 μm, respectively. When a constant voltage is applied to the first electrode 111, organic and metal-insulator phase transitions of the charge carriers are generated in the metal-insulator phase transition channel layer 113, thereby forming a conductive channel through which a considerable amount of current flows. .

충전 캐리어(hole)의 유기에 관한 이론은 "Hyun-Tak Kim, NATO Science Series (Kluwer, 2002) Vol II/67 p137; http://xxx.lanl.gov/abs/cond-mat/0110112", 및 "N. F. Mott, Metal-Insulator Transition, Chapter 3, (Taylor & Frances, 2nd edition, 1990)"에 기재되어 있다.The theory on the induction of filled carriers is described in "Hyun-Tak Kim, NATO Science Series (Kluwer, 2002) Vol II / 67 p137; http://xxx.lanl.gov/abs/cond-mat/0110112", And "NF Mott, Metal-Insulator Transition, Chapter 3, (Taylor & Frances, 2nd edition, 1990)".

도 6에 도시된 바와 같이 금속-절연체 상전이 채널 층(112)으로 구성된 박막 다이오드(110)의 제1 전극(111)에 10[V]∼30[V] 범위의 전압을 가하게 되면, 임의의 임계전압 이상에서 금속-절연체 상전이 채널 층(112)에 전도성 채널이 형성되어 박막 다이오드(110)가 턴-온 되고, 상기 전압 범위를 벗어나게 되면 금속-절연체 상전이 채널 층(112)은 절연체 상태가 되어 박막 다이오드(110)가 턴-오프 된다. 이와 같이, 바나듐 옥사이드로 구성된 박막 다이오드(110)는 온/오프 영역이 명확한 전류/전압 특성을 갖게 된다.When a voltage in the range of 10 [V] to 30 [V] is applied to the first electrode 111 of the thin film diode 110 composed of the metal-insulator phase transition channel layer 112 as shown in FIG. Above the voltage, the conductive channel is formed in the metal-insulator phase transition channel layer 112 so that the thin film diode 110 is turned on. When the voltage is out of the voltage range, the metal-insulator phase transition channel layer 112 becomes an insulator state. Diode 110 is turned off. As such, the thin film diode 110 composed of vanadium oxide has a definite current / voltage characteristic in the on / off region.

캐소드 전극으로써 제2 전극(113)은 유기 발광 소자(130)에 전기적으로 연결 되는데, 구체적으로는 유기 발광 소자(130)의 화소 전극(131)에 전기적으로 연결된다. 또한 도 3에 도시된 바와 같이 제2 전극(113)과 화소 전극(131)은 필요에 따라 일체로 구비될 수도 있다.As the cathode electrode, the second electrode 113 is electrically connected to the organic light emitting element 130. Specifically, the second electrode 113 is electrically connected to the pixel electrode 131 of the organic light emitting element 130. In addition, as illustrated in FIG. 3, the second electrode 113 and the pixel electrode 131 may be integrally provided as necessary.

또한 도 4에 도시된 바와 같이 화소 전극(131)은 투명 전극 또는 반사형 전극으로 구비될 수 있다. 화소 전극(131)이 투명전극으로 사용될 때에는 제2 전극(113)은 ITO, IZO, ZnO 또는 In₂O₃로 구비될 수 있고, 반사형 전극으로 사용될 때에는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 또는 이들의 화합물 등으로 반사막을 형성한 후, 그 위에 ITO, IZO, ZnO 또는 In₂O₃를 형성할 수 있다.In addition, as illustrated in FIG. 4, the pixel electrode 131 may be provided as a transparent electrode or a reflective electrode. When the pixel electrode 131 is used as a transparent electrode, the second electrode 113 may be formed of ITO, IZO, ZnO, or In ₂ O ₃ , and when used as a reflective electrode, Ag, Mg, Al, Pt, Pd, After forming a reflective film with Au, Ni, Nd, Ir, Cr, or a compound thereof, ITO, IZO, ZnO, or In ₂ O ₃ can be formed thereon.

박막 다이오드(110)의 상부로는 SiO₂, 아크릴 또는 폴리이미드 등으로 이루어진 패시베이션막(140) 또는 화소 정의막(150)이 구비될 수 있다. 이 화소 정의막(150)은 박막 다이오드(110)를 보호하는 보호막의 역할을 할 수도 있고, 그 상면을 평탄화시키는 평탄화막의 역할을 할 수도 있으며, 각 부화소의 영역을 한정하는 역할을 할 수도 있다.The passivation layer 140 or the pixel defining layer 150 made of SiO ₂ , acryl, polyimide, or the like may be provided on the thin film diode 110. The pixel defining layer 150 may serve as a protective film for protecting the thin film diode 110, may serve as a planarization film for planarizing an upper surface thereof, and may define a region of each subpixel. .

도 2의 경우, 박막 다이오드(110)를 형성한 후에 그 상부에 화소 전극(131)을 형성하고, 절연막으로써 화소 정의막(150)을 형성한 후, 화소 정의막(150)에 개구부(151)를 형성하고 유기 발광 소자(130)의 중간층(132) 및 대향전극(133)을 형성하고 있다.2, after forming the thin film diode 110, the pixel electrode 131 is formed thereon, the pixel defining layer 150 is formed as an insulating layer, and then the opening 151 is formed in the pixel defining layer 150. And the intermediate layer 132 and the counter electrode 133 of the organic light emitting element 130 are formed.

도 5의 경우, 박막 다이오드(110) 형성한 후 페시베이션막(140)을 형성한 후, 그 상부에 유기 발광 소자(130)의 화소전극(131)을 형성하고 있는데, 박막 다 이오드(110) 및 유기 발광 소자(130)의 전기적 소통을 위해 비어홀(160)이 형성되어 있다.In FIG. 5, after the thin film diode 110 is formed, the passivation film 140 is formed, and the pixel electrode 131 of the organic light emitting device 130 is formed on the thin film diode 110. And via holes 160 for electrical communication between the organic light emitting element 130.

한편, 박막 다이오드(110)의 상부에는 박막 다이오드(110)와 전기적으로 연결된 유기 발광 소자(130)가 형성된다. 유기 발광 소자(130)는 상호 대향된 화소 전극(131) 및 대향 전극(133)과, 이 전극들 사이에 개재된 적어도 발광층을 포함하는 중간층(132)을 구비한다. 대향 전극(133)은 데이터 라인(도 1의 101 참조)에 전기적으로 연결된다.On the other hand, the organic light emitting element 130 electrically connected to the thin film diode 110 is formed on the thin film diode 110. The organic light emitting element 130 includes a pixel electrode 131 and a counter electrode 133 which are opposed to each other, and an intermediate layer 132 including at least a light emitting layer interposed therebetween. The opposite electrode 133 is electrically connected to the data line (see 101 in FIG. 1).

한편, 도 2에는 중간층(132)이 부화소에만 대응되도록 패터닝된 것으로 도시되어 있으나 이는 부화소의 구성을 설명하기 위해 편의상 그와 같이 도시한 것이며, 중간층(132)은 인접한 부화소의 중간층과 일체로 형성될 수도 있음은 물론이다. 또한 중간층(132) 중 일부의 층은 각 부화소별로 형성되고, 다른 층은 인접한 부화소의 중간층과 일체로 형성될 수도 있는 등 그 다양한 변형이 가능하다.Meanwhile, although the intermediate layer 132 is illustrated in FIG. 2 so as to correspond only to the subpixels, this is illustrated for convenience of description of the configuration of the subpixels, and the intermediate layer 132 is integral with the intermediate layer of the adjacent subpixels. Of course, it may be formed as. In addition, some layers of the intermediate layer 132 may be formed for each subpixel, and other layers may be integrally formed with an intermediate layer of an adjacent subpixel.

화소 전극(131)은 애노드 전극의 기능을 하고, 대향 전극(133)은 캐소드 전극의 기능을 한다. The pixel electrode 131 functions as an anode electrode, and the opposite electrode 133 functions as a cathode electrode.

화소 전극(131)은 투명 전극 또는 반사형 전극으로 구비될 수 있다. 투명전극으로 사용될 때에는 ITO, IZO, ZnO 또는 In₂O₃로 구비될 수 있고, 반사형 전극으로 사용될 때에는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 또는 이들의 화합물 등으로 반사막을 형성한 후, 그 위에 ITO, IZO, ZnO 또는 In₂O₃를 형성할 수 있다.The pixel electrode 131 may be provided as a transparent electrode or a reflective electrode. When used as a transparent electrode may be provided with ITO, IZO, ZnO or In ₂ O ₃ , when used as a reflective electrode Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr or a compound thereof After the reflection film is formed, or the like, ITO, IZO, ZnO, or In ₂ O ₃ can be formed thereon.

대향 전극(133)도 투명 전극 또는 반사형 전극으로 구비될 수 있는데, 투명 전극으로 사용될 때는 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg 또는 이들의 화합물이 중간층(132)을 향하도록 증착한 후, 그 위에 ITO, IZO, ZnO 또는 In₂O₃ 등의 투명 전극 형성용 물질로 보조 전극이나 버스 전극 라인을 형성할 수 있다. 그리고, 반사형 전극으로 사용될 때에는 위 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg 또는 이들의 화합물을 전면(全面) 증착하여 형성한다.The counter electrode 133 may also be provided as a transparent electrode or a reflective electrode. When used as the transparent electrode, Li, Ca, LiF / Ca, LiF / Al, Al, Mg, or a compound thereof is directed toward the intermediate layer 132. After the deposition, the auxiliary electrode or the bus electrode line may be formed on the transparent electrode forming material such as ITO, IZO, ZnO or In ₂ O ₃ . And, when used as a reflective electrode is formed by depositing the entire surface of Li, Ca, LiF / Ca, LiF / Al, Al, Mg or their compounds.

화소 전극(131)과 대향 전극(133) 사이에 구비되는 중간층(132)은 저분자 또는 고분자 유기물로 구비될 수 있다. 저분자 유기물을 사용할 경우 홀 주입층(HIL: hole injection layer), 홀 수송층(HTL: hole transport layer), 유기 발광층(EML: emission layer), 전자 수송층(ETL: electron transport layer), 전자 주입층(EIL: electron injection layer) 등이 단일 혹은 복합의 구조로 적층되어 형성될 수 있으며, 사용 가능한 유기 재료도 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), N,N-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘 (N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine: NPB) , 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등을 비롯해 다양하게 적용 가능하다. 이들 저분자 유기물은 마스크들을 이용하여 진공증착의 방법으로 형성될 수 있다.The intermediate layer 132 provided between the pixel electrode 131 and the counter electrode 133 may be formed of low molecular weight or high molecular organic material. In case of using low molecular weight organic material, hole injection layer (HIL), hole transport layer (HTL), organic emission layer (EML), electron transport layer (ETL), electron injection layer (EIL) The electron injection layer may be formed by stacking a single or complex structure, and the usable organic materials may be copper phthalocyanine (CuPc), N, N-di (naphthalen-1-yl) -N, N '-Diphenyl-benzidine (N, N'-Di (naphthalene-1-yl) -N, N'-diphenyl-benzidine: NPB), tris-8-hydroxyquinoline aluminum ( Alq3) can be used in various ways. These low molecular weight organics can be formed by the vacuum deposition method using masks.

고분자 유기물의 경우에는 대개 홀 수송층(HTL) 및 발광층(EML)으로 구비된 구조를 가질 수 있으며, 이 때, 상기 홀 수송층으로 PEDOT를 사용하고, 발광층으로 PPV(Poly-Phenylenevinylene)계 및 폴리플루오렌(Polyfluorene)계 등 고분자 유기물질을 사용한다.In the case of the polymer organic material, the structure may include a hole transporting layer (HTL) and a light emitting layer (EML). In this case, PEDOT is used as the hole transporting layer, and PPV (Poly-Phenylenevinylene) and polyfluorene are used as the light emitting layer. Polymer organic materials such as (Polyfluorene) are used.

기판(100) 상에 형성된 유기 발광 소자는, 대향 부재(미도시)에 의해 밀봉된다. 대향부재는 기판(100)과 동일하게 글라스재, 플라스틱재 또는 금속재등으로 형성되어 구비될 수 있다.The organic light emitting element formed on the substrate 100 is sealed by an opposing member (not shown). The opposing member may be formed of a glass material, a plastic material, or a metal material in the same manner as the substrate 100.

이와 같은 구조에 있어서, 박막 다이오드(110)의 전기적 비선형성을 이용하여 유기 발광 소자(130)의 발광을 제어할 수 있다. 즉, 바나듐 옥사이드 물질의 금속-절연체 상전이 채널층(112)을 구비한 박막 다이오드(110)에 10[V]∼30[V] 범위의 전압이 인가되면, 임의의 임계전압 이상에서 턴-온 되어 화소 전극(131)에 전기적 신호가 인가된다. 스캔 라인(103)을 통해 제1 전극(111)에 임계 전압 이하의 전압이 인가되는 경우에는 제1 전극(111)과 제2 전극(113) 사이의 금속-절연체 상전이 채널층(112)의 고 저항에 의해 유기 발광 소자(130)로의 전기적 신호를 차단한다. 이러한 박막 다이오드(110)의 구조는 종래의 3단자 구조인 박막 트랜지스터와 달리 매우 간단하기에, 화소 구조를 단순화시킬 수 있어 제조 공정을 단순화하여 제조비용을 절감하며, 수율을 높일 수 있게 된다.In such a structure, light emission of the organic light emitting diode 130 may be controlled by using the electrical nonlinearity of the thin film diode 110. That is, when a voltage in the range of 10 [V] to 30 [V] is applied to the thin film diode 110 including the metal-insulator phase transition channel layer 112 of vanadium oxide material, it is turned on above a certain threshold voltage. An electrical signal is applied to the pixel electrode 131. When a voltage below a threshold voltage is applied to the first electrode 111 through the scan line 103, the high voltage of the metal-insulator phase transition channel layer 112 between the first electrode 111 and the second electrode 113 is increased. The resistance cuts off an electrical signal to the organic light emitting element 130. Since the structure of the thin film diode 110 is very simple, unlike the conventional three-terminal thin film transistor, it is possible to simplify the pixel structure to simplify the manufacturing process to reduce the manufacturing cost and increase the yield.

상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 유기 발광 디스플레이 장치에 따르면, 바나듐 옥사이드를 채용한 박막 다이오드를 구비하여 제조가 용이하며 전기적 특성이 뛰어난 유기 발광 디스플레이 장치를 구현할 수 있다.According to the organic light emitting display device of the present invention made as described above, it is possible to implement an organic light emitting display device having a thin film diode employing vanadium oxide is easy to manufacture and excellent electrical characteristics.

본 발명은 도면에 도시된 실시 예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.Although the present invention has been described with reference to the embodiments illustrated in the drawings, this is merely exemplary, and it will be understood by those skilled in the art that various modifications and equivalent other embodiments are possible. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the technical spirit of the appended claims.

Claims

A thin film diode having a first electrode formed on a substrate, a metal-insulator phase transition channel layer composed of vanadium oxide and electrically energized or insulated from the first electrode, and a second electrode formed on the metal-insulator phase transition channel layer; And

And an organic light emitting device electrically connected to one end of the thin film diode, the organic light emitting device including a pixel electrode, a counter electrode, and an intermediate layer including at least a light emitting layer interposed between the pixel electrode and the counter electrode.

The method of claim 1,

And a scan line disposed on the substrate and electrically connected to the other end of the thin film diode.

The method of claim 2,

And the scan line is integrally provided with the first electrode or the second electrode.

The method of claim 1, wherein the thin film diode

An organic light emitting display device characterized by being energized above a threshold voltage among voltages in a range of 10 [V] to 30 [V].

The method of claim 1,

And one end of the thin film diode is electrically connected to the pixel electrode.

The method of claim 5,

And the second electrode and the pixel electrode are integrally provided.

The method of claim 5,

And the second electrode is provided as a reflective electrode, the pixel electrode is positioned on the second electrode, and the pixel electrode and the counter electrode are provided as transparent electrodes.

The method of claim 1,

An insulating film covering the thin film diode,

And the organic light emitting element is on the insulating layer.

The method of claim 1,

And an insulating film covering the thin film diode and having an opening, wherein the organic light emitting element is on the opening.