KR100730157B1 - Organic thin film transistor and organic light emitting apparatus comprising the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 소스 전극 및 드레인 전극과 유기 반도체층 사이의 컨택 저항을 줄이면서도 소스 전극 및 드레인 전극과 유기 반도체층 사이의 접합이 더욱 확실한 유기 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 유기 발광 디스플레이 장치를 위하여, 소스 전극 및 드레인 전극과, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 각각에 전기적으로 연결된 유기 반도체층과, 상기 소스 전극과 상기 유기 반도체층 사이 및 상기 드레인 전극과 상기 유기 반도체층 사이에 각각 개재된, 두께가 10Å 이상 100Å 이하인 전도성 고분자 물질층과, 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 유기 반도체층으로부터 절연된 게이트 전극과, 상기 게이트 전극을 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 유기 반도체층으로부터 절연시키는 게이트 절연막을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 The present invention for the source electrode and the drain electrode and the organic semiconductor junction is more reliable organic thin film between the line of contact resistance, yet the source electrode and the drain electrode and the organic semiconductor layer layer transistor and the organic light-emitting display device including the same, a source electrode, and a drain electrode, the source electrode and the electrical organic semiconductor layer coupled to the drain electrode, respectively, the source electrode and the organic semiconductor layer between and over the intervening respectively between the drain electrode and the organic semiconductor layer, the thickness of 10Å 100Å or less conductivity comprising a polymer material layer, the source electrode, the drain electrode and the gate insulating film for insulating the gate electrode, the gate electrode insulated from the organic semiconductor layer from the source electrode, the drain electrode and the organic semiconductor layer organic characterized in that 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 유기 발광 디스플레이 장치를 제공한다. It provides a thin film transistor and the organic light-emitting display device having the same.

Description

유기 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 유기 발광 디스플레이 장치{Organic thin film transistor and organic light emitting apparatus comprising the same} The organic thin film transistor and the organic light-emitting display device having the same {Organic thin film transistor and organic light emitting apparatus comprising the same}

도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 유기 박막 트랜지스터를 개략적으로 도시하는 단면도이다. 1 is a sectional view schematically showing an organic thin film transistor according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 바람직한 다른 일 실시예에 따른 유기 박막 트랜지스터를 개략적으로 도시하는 단면도이다. Figure 2 is a sectional view schematically showing an organic thin film transistor according to another preferred embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 바람직한 또 다른 일 실시예에 따른 유기 박막 트랜지스터를 개략적으로 도시하는 단면도이다. 3 is a sectional view schematically showing an organic thin film transistor according to another preferred embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 바람직한 또 다른 일 실시예에 따른 유기 박막 트랜지스터를 개략적으로 도시하는 단면도이다. Figure 4 is a sectional view schematically showing an organic thin film transistor according to another preferred embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 바람직한 또 다른 일 실시예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이다. Figure 5 is a sectional view schematically showing an organic light emitting display device according to another preferred embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명> <Description of the Related Art>

110: 기판 121: 게이트 전극 110: substrate 121: gate electrode

122: 게이트 절연막 123: 소스 전극 122: Gate insulating film 123: source electrode

124: 드레인 전극 125, 125a, 125b: 전도성 고분자 물질층 124: drain electrodes 125, 125a, 125b: conductive polymer material layer

127: 유기 반도체층 127: organic semiconductor layer

본 발명은 유기 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 유기 발광 디스플레이 장치에 관한 것으로서, 더 상세하게는 소스 전극 및 드레인 전극과 유기 반도체층 사이의 컨택 저항을 줄이면서도 소스 전극 및 드레인 전극과 유기 반도체층 사이의 접합이 더욱 확실한 유기 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 유기 발광 디스플레이 장치에 관한 것이다. The invention bonding between the organic thin film transistor, and relates to an organic light emitting display device having the same, and more specifically the source electrode and the drain electrode and reduces the contact resistance between the organic semiconductor layer, yet the source electrode and the drain electrode and the organic semiconductor layer this relates to a more reliable organic thin-film transistor and the organic light-emitting display device having the same.

반도체 특성을 나타내는 공액성 유기 고분자인 폴리아세틸렌이 개발된 이후, 유기물의 특징, 즉 합성 방법이 다양하고 섬유나 필름 형태로 용이하게 성형할 수 있다는 특징과, 유연성, 전도성 및 저렴한 생산비 등의 장점 때문에, 유기물을 이용한 트랜지스터에 대한 연구가 기능성 전자소자 및 광소자 등의 광범위한 분야에서 활발히 이루어지고 있다. Since this ball-component organic polymer is polyacetylene showing semiconductor properties developed, the characteristics of organic matter, that is, the synthesis method is due to the advantages of the features that can be varied and easily formed into fibers or a film form and, flexibility, conductivity, and low production costs, etc. , the study of the transistor using an organic material has been actively conducted in various fields such as functional electronic devices and optical devices.

종래의 실리콘 박막 트랜지스터는 고농도의 불순물로 도핑된 소스 영역 및 드레인 영역과 상기 두 영역의 사이에 형성된 채널 영역을 갖는 반도체층을 구비하며, 상기 반도체층과 절연되어 상기 채널 영역에 대응되는 영역에 위치하는 게이트 전극과, 상기 소스 영역 및 드레인 영역에 각각 접하는 소스 전극 및 드레인 전극을 갖는다. A conventional silicon thin film transistor includes a semiconductor layer having a channel region formed between the source region and the drain region and the two regions doped with a high concentration of impurities, the insulating and the semiconductor layer located in the region corresponding to the channel region It has a gate electrode, each in contact with a source electrode and a drain electrode to the source region and the drain region.

그러나 상기와 같은 구조의 기존의 실리콘 박막 트랜지스터에는 제조 비용이 많이 들고, 외부의 충격에 의해 쉽게 깨지며, 300℃ 이상의 고온 공정에 의해 생산되기 때문에 플라스틱 기판 등을 사용할 수 없다는 등의 문제점이 있었다. However, there is a problem such as a conventional silicon thin film transistor constructed as above, with a lot in manufacturing cost, said easily broken by an external impact, since the production by more than 300 ℃ high-temperature process can not be used for such a plastic substrate.

특히 액정 디스플레이 장치나 유기발광 디스플레이 장치 등의 평판 디스플레이 장치에는 각 화소의 동작을 제어하는 스위칭 소자 및 각 화소의 구동 소자로 박막 트랜지스터가 사용되는 바, 이러한 평판 디스플레이 장치에 있어서 최근 요구되고 있는 대형화 및 박형화와 더불어 플렉서블(flexible) 특성을 만족시키기 위해, 기존의 글라스재가 아닌 플라스틱재 등으로 구비되는 기판을 사용하려는 시도가 계속되고 있다. In particular, flat panel displays such as liquid crystal display devices or organic light-emitting display device, the device is large-sized, which is recently required for the switching element, and this flat bar, which is used by a thin film transistor as a drive element of the pixel display device for controlling the operation of each pixel and for addition to reducing the thickness to satisfy the flexible (flexible) properties, there is a continued attempt to use a substrate which is provided with a plastic material such as non-conventional glass material. 그러나 플라스틱 기판을 사용할 경우에는 전술한 바와 같이 고온 공정이 아닌 저온 공정을 사용해야 한다. However, when using a plastic substrate, a low temperature process should be used instead of high-temperature process, as described above. 따라서, 종래의 실리콘 박막 트랜지스터를 사용하기가 어려운 문제가 있었다. Accordingly, there is a difficult problem to use a conventional silicon thin film transistors.

반면, 박막 트랜지스터의 반도체층으로 유기막을 사용할 경우에는 이러한 문제점들을 해결할 수 있기 때문에, 최근 유기막을 반도체층으로 사용하는 유기 박막 트랜지스터(organic thin film transistor)에 대한 연구가 활발히 이루어지고 있다. On the other hand, in the case of using an organic film as a semiconductor layer of the thin film transistors have been made because it can solve the above problems, a recent study on the active organic film The organic thin film transistor using a semiconductor layer (organic thin film transistor).

그러나 유기 박막 트랜지스터의 경우 소스 전극 및 드레인 전극과 유기 반도체층 사이의 접촉 저항이 크며, 또한 소스 전극 및 드레인 전극과 유기 반도체층 사이의 접합력이 약하다는 문제점이 있었다. However, the organic thin film transistor is large and the contact resistance between the source electrode and the drain electrode and the organic semiconductor layer, and a weak bonding force between the source electrode and the drain electrode and the organic semiconductor layer, there has been a problem. 즉, 종래의 실리콘 박막 트랜지스터에 구비된 실리콘 반도체층과 달리 유기 박막 트랜지스터에 구비된 유기 반도체층에는 고농도의 도핑을 실시할 수 없으며, 이에 따라 소스 전극 및 드레인 전극과 유기 반도체층 사이의 접촉 저항이 크다는 문제점이 있었다. That is, the contact resistance between the organic semiconductor layer comprising the organic thin film transistor, unlike the silicon semiconductor layer included in the conventional silicon thin film transistors can not be made a high concentration of doping, and thus the source electrode and the drain electrode and the organic semiconductor layer there was a bigger problem. 또한, 무기물인 소스 전극 및 드레인 전극과 유기물인 유기 반도체층 사이의 접합력이 약하여 박리 등이 발생함에 따라, 불량률이 증가하고 수명이 저하된다는 문제점이 있었다. Further, there is a problem in that the increase in the defect rate is lowered and the life as the bonding strength between the inorganic substance of the source and drain electrodes and an organic material of the organic semiconductor layer is weak, such as peeling occurs.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 소스 전극 및 드레인 전극과 유기 반도체층 사이의 컨택 저항을 줄이면서도 소스 전극 및 드레인 전극과 유기 반도체층 사이의 접촉이 더욱 확실한 유기 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 유기 발광 디스플레이 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. The present invention to solve various problems including the above-mentioned problems, a source electrode and a drain electrode, an organic reduce contact resistance between the semiconductor layer, yet the source electrode and is more reliable organic contact between the drain electrode and the organic semiconductor layer and an object thereof is to provide a thin film transistor and the organic light-emitting display device having the same.

상기와 같은 목적 및 그 밖의 여러 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 소스 전극 및 드레인 전극과, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 각각에 전기적으로 연결된 유기 반도체층과, 상기 소스 전극과 상기 유기 반도체층 사이 및 상기 드레인 전극과 상기 유기 반도체층 사이에 각각 개재된, 두께가 10Å 이상 100Å 이하인 전도성 고분자 물질층과, 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 유기 반도체층으로부터 절연된 게이트 전극과, 상기 게이트 전극을 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 유기 반도체층으로부터 절연시키는 게이트 절연막을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터를 제공한다. In order to achieve the objectives and many other objectives as described above, the present invention, the source electrode and the drain electrode, the source electrode and the electrical organic semiconductor layer coupled to the drain electrode, respectively, the source electrode and the organic semiconductor layer It said gate electrode and between the gate electrode isolated from said drain electrode and each interposed between the organic semiconductor layer, with a thickness of 10Å or more 100Å or less conductive polymer layer, the source electrode, the drain electrode and the organic semiconductor layer; to provide an organic thin film transistor comprising: a gate insulating film for insulating from the source electrode, the drain electrode and the organic semiconductor layer.

이러한 본 발명의 다른 특징에 의하면, 상기 전도성 고분자 물질층은 폴리에틸렌디옥시티오펜(PEDOT; polyethylenedioxythiophene) 또는 폴리아닐린(PANI; polyaniline)으로 구비되는 것으로 할 수 있다. According to the various embodiments of the invention, the conductive polymer layer is a polyethylene dioxythiophene may be provided with;; (polyaniline PANI) (PEDOT polyethylenedioxythiophene) or polyaniline.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 전도성 고분자 물질층은 비저항(比抵抗, resistivity)이 10 5 Ω㎝ 이상 10 14 Ω㎝ 이하인 것으로 할 수 있다. According to a further feature of the invention, the conductive polymer material layer can be not more than the specific resistance (比抵抗, resistivity) at least 10 5 Ω㎝ 10 14 Ω㎝.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 전도성 고분자 물질층은 비저항(比抵抗, resistivity)이 10 5 Ω㎝ 이상인 PEDOT으로 구비되는 것으로 할 수 있다. According to a further feature of the invention, the conductive polymer material layer can be provided with a specific resistance (比抵抗, resistivity) is 10 5 or more Ω㎝ PEDOT.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 소스 전극과 상기 유기 반도체층 사이 및 상기 드레인 전극과 상기 유기 반도체층 사이에 각각 개재된 전도성 고분자 물질층은 일체로 구비되는 것으로 할 수 있다. According to a further feature of the invention, each interposed between the conductive polymer material between the source electrode and the organic semiconductor layer and the drain electrode and the organic semiconductor layer layer may be provided integrally.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 유기 반도체층은 인접한 박막 트랜지스터와 구별되도록 패터닝되어 구비되며, 상기 전도성 고분자 물질층은 상기 유기 반도체층과 동일하게 패터닝되어 구비되는 것으로 할 수 있다. According to a further feature of the invention, the organic semiconductor layer is provided is patterned to distinguish it from an adjacent thin film transistor, and the conductive polymer material layer can be provided to be patterned in the same manner as in the organic semiconductor layer.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 전도성 고분자 물질층은 복수개의 박막 트랜지스터들에 있어서 일체로 구비되는 것으로 할 수 있다. According to a further feature of the invention, the conductive polymer layer may be provided integrally in a plurality of thin film transistors.

본 발명은 또한 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 상기와 같은 유기 박막 트랜지스터와, 상기 유기 박막 트랜지스터에 전기적으로 연결된 유기 발광 소자를 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치를 제공한다. The invention also to attain the above object, there is provided an organic light emitting display device comprising the organic light-emitting device electrically connected to the organic thin film transistor as described above, the organic thin film transistor.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다. Described in detail below, the preferred embodiment of the invention with reference to the accompanying drawings as follows.

도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 유기 박막 트랜지스터를 개략적으로 도시하는 단면도이다. 1 is a sectional view schematically showing an organic thin film transistor according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판(110) 상에 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)과, 이 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124) 각각에 전기적으로 연결된 유기 반도체층(127)이 구비된다. And 1, a substrate 110, a source electrode 123 and drain electrode 124, the source electrode 123 and drain electrode 124 are provided electrically to the organic semiconductor layer 127 are connected to each do. 기판(110)으로는 글라스재 기판뿐만 아니라 아크릴과 같은 다양한 플라스틱재 기판을 사용할 수도 있으며, 더 나아가 금속판을 사용할 수도 있다. Substrate 110 as may be not only a glass substrate material for a variety of plastic material substrates, such as acrylic, it is also possible to use the further plate. 물론 본 발명에 따른 유기 박막 트랜지스터가 구비되는 기판이 이에 한정되는 것은 아니다. Of course, not the substrate that is provided with an organic thin film transistor according to the present invention is not limited thereto.

소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)은 기판(110) 상에 다양한 도전성 재료로 형성되는데, 예컨대 도전층을 기판(110)의 전면(全面)에 증착 등을 통해 형성하고 이를 포토리소그래피법 등을 이용하여 패터닝하거나, 마스크를 이용하여 기판(110)의 소정 영역에만 도전성 물질을 증착하여 패터닝된 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하거나 또는 잉크젯 프린팅법을 이용하는 등, 다양한 방법을 이용하여 형성할 수 있다. Source electrode 123 and drain electrode 124 are formed of various conductive materials on the substrate 110, for example, is formed through vapor deposition, such as a conductive layer on the front (全面) of the substrate 110 and the like do this photolithographic method a it has to be patterned, or formed by forming a predetermined area conductive depositing material to a patterned source and drain electrodes only of the substrate 110 using a mask or using various methods such as using an ink jet printing method using .

한편, 후술하는 바와 같이 유기 박막 트랜지스터는 평판 디스플레이 장치의 화소부에 구비될 수도 있는데, 이 경우 각 화소의 일 전극에 유기 박막 트랜지스터의 소스 전극(123) 또는 드레인 전극(124)이 전기적으로 연결되게 된다. On the other hand, an organic thin film transistor, as will be described later is there may be provided in the pixel portion of the flat panel display device, in this case to be the source electrode 123 or the drain electrode 124 of the organic thin film transistor is electrically connected to one electrode of each pixel do. 이때, 필요에 따라 유기 박막 트랜지스터의 소스 전극(123) 또는 드레인 전극(124)과 화소의 일 전극을 일체로 형성할 수도 있으며, 그 화소 전극이 투명해야 할 경우에는 소스 전극(123) 또는 드레인 전극(124) 역시 투명한 물질로 형성되게 된다. At this time, if necessary, and to form the one electrode of the source electrode 123 or the drain electrode 124 and the pixel of the organic thin-film transistors integrally, if that should be a pixel electrode is transparent to the source electrode 123 or the drain electrode 124 is to be also formed of a transparent material. 이러한 투명한 물질로는 ITO, IZO, ZnO 또는 In 2 O 3 등을 들 수 있다. For this transparent material, and the like can be ITO, IZO, ZnO or In 2 O 3.

소스 전극(123) 및 드레인 전극(124) 각각에 전기적으로 연결된 유기 반도체층(127)은 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)에 직접 컨택하고 있는 것이 아니라, 소스 전극(123)과 유기 반도체층(127) 사이 및 드레인 전극(124)과 상기 유기 반도체층(127) 사이에 각각 개재된 전도성 고분자 물질층(125a, 125b)을 통해 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)에 전기적으로 연결된다. Source electrode 123 and drain electrode 124 is electrically to the organic semiconductor layer 127 are connected to each rather than in direct contact to the source electrode 123 and drain electrode 124, source electrode 123 and the organic semiconductor electrically connected to the layer 127 and between the drain electrode 124 and the organic semiconductor layer 127, the source electrode 123 through the conductive polymer layer (125a, 125b) disposed respectively in and between the drain electrode 124 do. 따라서 도 1에 도시된 것과 같은 스태거드형(staggered) 유기 박막 트랜지스터의 경우, 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)을 기판(110) 상에 형성한 후, 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)의 상부에 전도성 고분자 물질층(125a, 125b)을 형성한다. Therefore, the staggered deuhyeong (staggered) in the organic thin film transistor, after forming the source electrode 123 and drain electrode 124 on the substrate 110, source electrode 123 and drain electrode as shown in FIG. 1 to form a conductive polymer layer (125a, 125b) on top of the 124. 그리고 그 후 유기 반도체층(127)을 형성한다. And after forming the organic semiconductor layer 127.

전도성 고분자 물질층(125a, 125b)은 폴리에틸렌디옥시티오펜(PEDOT; polyethylenedioxythiophene) 또는 폴리아닐린(PANI; polyaniline)으로 구비될 수 있는데, 바람직하게는 비저항(比抵抗, resistivity)이 10 5 Ω㎝ 이상 10 14 Ω㎝ 이하인 물질로 구비되도록 하는 것이 바람직하다. The conductive polymer material layer (125a, 125b) is a polyethylene dioxythiophene (PEDOT; polyethylenedioxythiophene) or polyaniline; may be provided with (polyaniline PANI), preferably the specific resistance (比抵抗, resistivity) at least 5 10 10 14 Ω㎝ it is preferred that such materials having a Ω㎝ or less. 그러한 물질로는 예컨대 PEDOT 등을 들 수 있다. Such a material includes but is not limited to such as PEDOT. 이 전도성 고분자 물질층은 두께가 100Å 이하인 것이 바람직한데, 전도성 고분자 물질층(125)의 두께가 100Å보다 커지면 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)과 유기 반도체층(127) 사이의 거리가 100Å보다 커지게 되고, 그에 따라 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)과 유기 반도체층(127) 사이의 전기 전도가 원활하게 이루어지지 않을 수 있기 때문이다. The conductive polymer layer is preferred that the thickness is not more than 100Å, the distance between the conductive the thickness of the polymer material layer 125 becomes greater than 100Å source electrode 123 and drain electrode 124 and the organic semiconductor layer (127) 100Å This is because the electrical conduction between the more becomes large, whereby the source electrode 123 and drain electrode 124 and the organic semiconductor layer 127 may not be smoothly performed. 또한 이 전도성 고분자 물질층은 두께가 10Å 이상인 것이 바람직한데, 이보다 얇게 만들 경우 불량률이 현저하게 증가 하고 제조비용이 상승하는 문제점이 발생하기 때문이다. The conductive polymer layer and is due to a problem that error rate is significantly increased and the manufacturing cost is increased occurs when it is preferred to make a thickness of 10Å or greater, than thinner.

이러한 전도성 고분자 물질층(125a, 125b)은 잉크젯 프린팅법 등을 비롯한 다양한 방법을 이용하여 형성할 수 있는데, 특히 디핑(dipping)법이나 스핀 코팅법 등을 이용하는 것이 공정의 단순화 및 소요시간의 단축 등의 면에서 바람직하다. The conductive polymer layer (125a, 125b) is may be formed using a variety of methods including a such as ink-jet printing method, in particular a dipping (dipping) simplification and shortening of the time required to process using such method or a spin coating method, etc. it is preferred from the viewpoint.

유기 반도체층(127)은 반도체 특성을 갖는 유기물로 이루어지는데, 예컨대 펜타센(pentacene), 테트라센(tetracene), 안트라센(anthracene), 나프탈렌(naphthalene), 알파-6-티오펜, 알파-4-티오펜, 페릴렌(perylene) 및 그 유도체, 루브렌(rubrene) 및 그 유도체, 코로넨(coronene) 및 그 유도체, 페릴렌테트라카르복실릭디이미드(perylene tetracarboxylic diimide) 및 그 유도체, 페릴렌테트라카르복실릭디안하이드라이드(perylene tetracarboxylic dianhydride) 및 그 유도체, 폴리티오펜 및 그 유도체, 폴리파라페닐렌비닐렌 및 그 유도체, 폴리파라페닐렌 및 그 유도체, 폴리플로렌 및 그 유도체, 폴리티오펜비닐렌 및 그 유도체, 폴리티오펜-헤테로고리방향족 공중합체 및 그 유도체, 나프탈렌의 올리고아센 및 이들의 유도체, 알파-5-티오펜의 올리고티오펜 및 이들의 유도체, 금속을 함유하거나 함 The organic semiconductor layer 127 through interaction with the organic semiconductor properties, such as pentacene (pentacene), tetracene (tetracene), anthracene (anthracene), naphthalene (naphthalene), alpha-6-thiophene, alpha-4 thiophene, perylene (perylene) and its derivatives, rubrene (rubrene) and its derivatives, coronene (coronene) and derivatives thereof, perylene tetra carboxylic diimide (perylene tetracarboxylic diimide) and its derivatives, perylene tetracarboxylic carboxylic dianhydride (perylene tetracarboxylic dianhydride) and its derivatives, polythiophene and its derivative, polyparaphenylene vinylene and its derivatives, polyparaphenylene and its derivatives, Paul ripple Lauren and its derivatives, polythiophene vinylene and its derivatives, polythiophene-heterocyclic aromatic copolymer and its derivatives of the oligonucleotides, Assen naphthalene and derivatives thereof, oligo- of alpha-5-thiophene-thiophene and derivatives thereof, containing metals or also 하지 않은 프탈로시아닌 및 이들의 유도체, 파이로멜리틱 디안하이드라이드 및 그 유도체, 파이로멜리틱 디이미드 및 이들의 유도체, 퍼릴렌테트라카르복시산 디안하이드라이드 및 그 유도체, 및 퍼릴렌테트라카르복실릭 디이미드 및 이들의 유도체 중 적어도 어느 하나를 구비하는 물질일 수 있다. To not phthalocyanine and derivatives thereof, pastries are pyromellitic dianhydride and a derivative thereof, a pie Meli tick diimide and derivatives thereof, perylene tetracarboxylic acid dianhydride and its derivatives, and perylene tetra carboxylic diimide and it may be at least a material having any one of the derivatives thereof. 이러한 유기 반도체층(127)은 잉크젯 프린팅법, 디핑법 또는 스핀 코팅법 등의 다양한 방법으로 형성될 수 있다. The organic semiconductor layer 127 may be formed in a variety of ways, such as ink-jet printing method, a dipping method or a spin coating method.

유기 반도체층(127) 상에는 게이트 절연막(122)이 구비된다. A gate insulating film 122 is formed on the organic semiconductor layer 127 is provided. 게이트 절연막 (122)은 그 상부에 구비되는 게이트 전극(121)을 소스 전극(123), 드레인 전극(124) 및 유기 반도체층(127)으로부터 절연시키는 것으로, 실리콘 옥사이드 또는 실리콘 나이트라이드 등과 같은 무기물을 이용하여 형성될 수도 있고, 완성된 후의 박막 트랜지스터의 플렉서블 특성을 강화하기 위해 파릴렌(parylene), 에폭시(epoxy), PVC, BCB 또는 CYPE 등과 같은 유기물을 이용하여 형성될 수도 있다. A gate insulating film 122 is shown to insulate the gate electrode 121 which is provided on its upper portion from the source electrode 123, drain electrode 124 and the organic semiconductor layer 127, an inorganic material such as silicon oxide or silicon nitride It may be formed using, and to enhance the flexible characteristics of the thin film transistor after the completion may be formed using an organic material such as parylene (parylene), epoxy (epoxy), PVC, BCB or CYPE. 이 게이트 절연막(122) 상에는 도전성 물질로 형성된 게이트 전극(121)이 구비된다. A gate insulating film 122 is provided with a gate electrode 121 formed of a conductive material formed on.

전술한 바와 같이 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)과 유기 반도체층(127) 사이의 컨택 저항이 높기에, 유기 박막 트랜지스터의 온 커런트의 크기가 작고 점멸비(on/off ratio)가 낮다는 문제점이 있었다. In the contact resistance between the source electrode 123 and drain electrode 124 and the organic semiconductor layer 127 is high as described above, low in the on-current size of the organic thin film transistor of a small off ratio (on / off ratio) there is a problem. 따라서 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)과 유기 반도체층(127) 사이에 전도성 고분자 물질층(125a, 125b)이 개재되도록 함으로써, 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)의 페르미 레벨(fermi level)과 유기 반도체층(127)의 호모(HOMO: highest occupied molecular orbit) 에너지 레벨 또는 루모(lowest unoccupied molecular orbit) 에너지 레벨의 차이에 기인한 포텐셜 장벽(potential barrier)을 줄일 수 있으며, 결과적으로 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)과 유기 반도체층(127) 사이의 컨택 저항을 낮춰 유기 박막 트랜지스터의 특성을 대폭 개선할 수 있다. Thus, the Fermi level of the source electrode 123 and drain electrode 124 and the organic semiconductor layer 127 by making the through the conductive polymer layer (125a, 125b) between the source electrode 123 and drain electrode 124 ( fermi level) and homopolymer (HOMO of the organic semiconductor layer (127) can reduce the highest occupied molecular orbit) energy level or rumo (lowest unoccupied molecular orbit) the potential barrier (potential barrier) due to the difference in energy levels and, as a result, lowering the contact resistance between the source electrode 123 and drain electrode 124 and the organic semiconductor layer 127 can significantly improve the properties of the organic thin film transistor.

또한, 무기물인 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)과 유기물인 유기 반도체층(127) 사이에 전도성 고분자 물질층(125a, 125b)이 개재되도록 함으로써, 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)과 유기 반도체층(127) 사이의 접합력이 약하여 박리 등이 발생하는 것을 방지할 수 있으며, 이에 따라 불량률을 낮추고 유기 박막 트랜지스터의 장수명화를 도모할 수 있다. Further, the inorganic material of the source electrode 123 and drain electrode 124 and the organic material is an organic semiconductor layer 127 on the conductive polymer material between the layers (125a, 125b), a source electrode 123 and the drain electrode (124 by ensuring that the intervening ) and has a coupling force between the organic semiconductor layer 127 can be prevented from occurring, such as the separation is weak, thereby lowering the failure rate can be reduced for longer life of the organic thin film transistor.

도 2는 본 발명의 바람직한 다른 일 실시예에 따른 유기 박막 트랜지스터를 개략적으로 도시하는 단면도이다. Figure 2 is a sectional view schematically showing an organic thin film transistor according to another preferred embodiment of the present invention.

본 실시예에 따른 유기 박막 트랜지스터가 전술한 실시예에 따른 유기 박막 트랜지스터와 다른 점은, 전술한 실시예에 따른 유기 박막 트랜지스터의 경우에는 소스 전극과 드레인 전극 각각에 대응하도록 패터닝된 전도성 고분자 물질층(도 1의 125a, 125b 참조)이 구비되었으나, 본 실시예에 따른 유기 박막 트랜지스터의 경우에는 소스 전극(123)과 유기 반도체층(127) 사이 및 드레인 전극(124)과 유기 반도체층(127) 사이에 각각 개재된 전도성 고분자 물질층(125)이 일체로 구비되어 있다는 것이다. The organic thin film transistor and another point according to the embodiment in which the organic thin film transistor described above according to the present embodiment, in the case of the organic thin film transistor according to the above-described embodiment, the patterned so as to correspond to the source and drain electrodes, respectively the conductive polymer material layer (see Fig. 125a, 125b 1) is, in the case of the organic thin film transistor according to this embodiment, the source electrode 123 and the organic semiconductor layer 127 and between the drain electrode 124 and the organic semiconductor layer 127, but having It is that the conductive polymer material layer 125 is interposed between each are provided integrally.

전술한 바와 같이 전도성 고분자 물질층(125)은 폴리에틸렌디옥시티오펜(PEDOT; polyethylenedioxythiophene) 또는 폴리아닐린(PANI; polyaniline)으로 구비될 수 있는데, 바람직하게는 비저항(比抵抗, resistivity)이 10 5 Ω㎝ 이상 10 14 Ω㎝ 이하인 PEDOT으로 구비되도록 할 수 있다. The conductive polymer material layer 125, as described above, polyethylene dioxythiophene (PEDOT; polyethylenedioxythiophene) or polyaniline; may be provided with (polyaniline PANI), preferably the specific resistance (比抵抗, resistivity) of 10 5 or more Ω㎝ not more than 10 Ω㎝ 14 can be provided so that the PEDOT.

비저항이 10 5 Ω㎝ 이상인 것이 바람직한 것은, 이러한 비저항을 갖는 물질을 이용함으로써 그 측면 방향, 즉 소스 전극(123)과 드레인 전극(124) 사이의 방향으로는 전도가 이루어지지 않게 할 수 있기 때문이다. It is not less than the specific resistance is 10 5 Ω㎝ desired, by using a material having such a specific resistance in the direction between the lateral direction, that is, the source electrode 123 and drain electrode 124 is that it can not be made the conduction . 유기 박막 트랜지스터는 게이트 전극(121)에 인가된 소정의 전기적 신호에 따라 소스 전극(123)과 드레인 전극(124) 사이에 전기적 신호가 소통될 수 있도록 하는 스위칭 소자 또는 구동 소자로 서 이용되는 바, 따라서 게이트 전극(121)에 소정의 전기적 신호가 인가될 경우에만 유기 반도체층(127) 내에 채널이 형성되어 소스 전극(123)과 드레인 전극(124) 사이에 전기적 신호가 소통되어야 한다. The organic thin film transistor is a bar which is standing in use as a switching element or the driving element to make the electrical signal between the source electrode 123 and drain electrode 124 may communicate in accordance with a predetermined electric signal applied to the gate electrode 121, Therefore, the channel is formed in only the organic semiconductor layer 127 when subjected to a predetermined electric signal to the gate electrode 121 to be an electrical signal communication between the source electrode 123 and drain electrode 124. 그러나 비저항이 10 5 Ω㎝보다 작게 되면, 전도성 고분자 물질층(125)이 일체로 형성될 경우 유기 반도체층(127)에 채널이 형성되지 않았을 경우에도 소스 전극(123)과 드레인 전극(124) 사이에 전기적 신호가 소통될 수 있다. However, between when the specific resistance is smaller than 10 5 Ω㎝, the conductive polymer material layer 125 is an organic semiconductor layer 127 even when the channel is not formed in the source electrode 123 and drain electrode 124. In the case be formed integrally to have an electric signal can be communicated. 따라서 전도성 고분지 물질층(125)의 비저항이 10 5 Ω㎝ 이상인 것이 바람직하다. Therefore, it is preferable that the specific resistance of the conductive high-branched material layer 125 or more 10 5 Ω㎝.

특히 비저항(比抵抗, resistivity)이 10 5 Ω㎝ 이상인 PEDOT을 사용할 경우, 전도성 고분자 물질층(125)의 두께가 100Å 이하이므로 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)과 유기 반도체층(127) 사이의 거리가 100Å 이하가 되어 그 방향으로의 전기 전도는 용이하게 이루어지지만, 소스 전극(123)과 드레인 전극(124) 사이의 거리는 상대적으로 멀기에 비저항이 10 5 Ω㎝ 이상일 경우 그 방향으로는 전도가 이루어지지 않는다. In particular, the specific resistance (比抵抗, resistivity) is 10 5 or more Ω㎝ PEDOT, a conductive polymer material layer 125 having a thickness of 100Å or less because it is the source electrode 123 and drain electrode 124 and the organic semiconductor layer 127 that are possible with a If the distance is not more than 100Å is done, but to facilitate an electrical conductivity in that direction, a source electrode 123 and drain electrode 124, the distance relative to the specific resistance 10 to 5 Ω㎝ far greater than that between the between the direction not performed is conducted. 따라서 전도성 고분자 물질층(125)은 패터닝되지 않고 일체로 형성되더라도 유기 박막 트랜지스터는 스위칭 소자 또는 구동 소자로서 기능을 유지하면서도 그 제조를 용이하게 할 수 있다. Therefore, the conductive polymer material layer 125 are formed integrally, even if not patterned organic thin film transistor can be produced easily while maintaining its function as a switching element or the driving element.

그러나 전도성 고분자 물질층(125)의 비저항이 10 14 Ω㎝ 이상일 경우에는 고분자 물질층(125) 자체의 저항으로 인하여 유기 박막 트랜지스터의 소스 전극과 드레인 전극 사이의 전기적 소통이 이루어지지 않게 되므로, 따라서 전도성 고분자 물질층(125)의 비저항은 10 14 Ω㎝ 이하인 것이 바람직하다. However, if the conductive polymer material layer 125, the resistivity is 10 14 Ω㎝ or more of a loose polymer material layer 125 is not supported due to its own resistance achieved is electrical communication between the source electrode of the organic thin film transistor, and a drain electrode, and thus the conductive specific resistance of the polymer material layer 125 is preferably not more than 10 14 Ω㎝.

한편, 복수개의 유기 박막 트랜지스터들이 어레이 형태로 구비될 경우, 인접한 유기 박막 트랜지스터들 사이의 크로스 토크를 방지하기 위해 유기 반도체층(127)이 인접한 박막 트랜지스터와 구별되도록 패터닝되는 것이 바람직하다. On the other hand, it is preferable that the patterned to distinguish from thin film transistors are adjacent to the organic semiconductor layer 127 for, if a plurality of organic thin film transistors are to be provided in an array form, to prevent cross-talk between adjacent organic thin film transistors. 이 경우, 전도성 고분자 물질층(125)은 유기 반도체층(127)과 인접한 층이므로, 유기 반도체층(127)을 패터닝하면서 그와 동일하게 패터닝되도록 할 수도 있다. In this case, since the conductive polymer material layer 125 is a layer adjacent to the organic semiconductor layer 127 may be patterned to be the same as that while patterning the organic semiconductor layer 127. 물론 전술한 바와 같이 전도성 고분자 물질층(125)은 반드시 패터닝될 필요가 없으므로, 복수개의 박막 트랜지스터들에 있어서 일체로 구비되도록 할 수도 있다. Of course, the conductive polymer material layer 125, as described above, there is no necessarily need to be patterned, may be provided to be integral with in a plurality of thin film transistors.

한편 상기 실시예들에 있어서는 게이트 전극이 소스 전극 및 드레인 전극의 상부에 배치된 스태거드형 유기 박막 트랜지스터를 기준으로 설명하였으나, 이 외의 다양한 형태의 유기 박막 트랜지스터들에도 본 발명이 적용될 수 있음은 물론이다. On the other hand that the embodiments In the gate electrode has been described based on the stagger deuhyeong organic thin-film transistor disposed over the source electrode and the drain electrode, the number is to be applied the present invention in the organic thin film transistor of various forms other than a, as well as to be. 예컨대 도 3에 도시된 것과 같이 게이트 전극(121)이 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)의 하부에 구비된 인버티드 코플래나형(inverted coplanar) 유기 박막 트랜지스터는 물론, 도 4에 도시된 것과 같이 코플래나형 유기 박막 트랜지스터와 달리 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)이 유기 반도체층(127)의 상부에 배치된 인버티드 스태거드형(inverted staggered) 유기 박막 트랜지스터에도 본 발명이 적용될 수 있다. For example, the road as shown on the third gate electrode 121 is an inverted nose flash nahyeong (inverted coplanar) The organic thin film transistor provided in the lower portion of the source electrode 123 and drain electrode 124, as well shown in Figure 4 that as nose flash nahyeong Unlike the organic thin film transistor source electrode 123 and drain electrode 124, the inverter disposed in an upper portion of the organic semiconductor layer 127 suited staggered deuhyeong (inverted staggered) the organic thin film transistor to apply the invention can.

도 5는 본 발명의 바람직한 또 다른 일 실시예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이다. Figure 5 is a sectional view schematically showing an organic light emitting display device according to another preferred embodiment of the present invention.

전술한 바와 같은 유기 박막 트랜지스터들은 플렉서블 특성이 좋은 바, 따라서 박막 트랜지스터를 구비하는 다양한 플렉서블 평판 디스플레이 장치에 이용될 수 있다. The organic thin film transistor as described above can be used in various flexible flat panel display apparatus which is provided with a good bar, and thus a flexible thin film transistor characteristics. 이러한 평판 디스플레이 장치로서 액정 디스플레이 장치 및 유기 발광 디스플레이 장치 등 다양한 디스플레이 장치들이 있는 바, 특히 디스플레이 소자가 유기물로 형성된 유기 발광 디스플레이 장치의 경우 그 효용이 크다. As such a flat panel display device for liquid crystal display devices, and organic light-emitting display device including organic light-emitting display device is a bar, in particular display devices with various display devices formed of organic material is greater its effectiveness.

상술한 실시예들에 따른 유기 박막 트랜지스터들을 구비하는 유기 발광 디스플레이 장치의 경우, 유기 박막 트랜지스터 및 유기 발광 소자는 기판(210) 상에 구비된다. For the organic light-emitting display device having the organic thin film transistor according to the embodiments described above, the organic thin film transistor and an organic light emitting element is provided on the substrate 210.

유기 발광 디스플레이 장치는 다양한 형태의 것이 적용될 수 있는 데, 본 실시예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치는 유기 박막 트랜지스터를 구비한 능동 구동형(AM: active matrix) 발광 디스플레이 장치이다. The organic light emitting display device to which can be applied to various types of organic light emitting display device according to this embodiment is provided with an active matrix-type organic thin film transistor: an (active matrix AM) display device.

각 부화소들은 도 5에서 볼 수 있는 바와 같은 적어도 하나의 유기 박막 트랜지스터(TFT)를 구비한다. Each sub-pixels are provided with at least one organic thin film transistor (TFT), as can be seen in Figure 5. 도 5를 참조하면, 기판(210) 상에 필요에 따라 SiO 2 등으로 버퍼층(미도시)이 형성될 수 있고, 그 상부로 전술한 바와 같은 유기 박막 트랜지스터가 구비된다. 5, as necessary on a substrate 210 may be a buffer layer (not shown) formed in the SiO 2 or the like, is provided with an organic thin film transistor as described above by a top. 물론 도 5에는 전술한 실시예들 및 그 변형예들 중 어느 하나의 경우의 유기 박막 트랜지스터가 도시된 것이며, 이에 본 발명이 한정되는 것은 아니다. Of course Fig. 5 will have the organic thin film transistor in the case of any of the above embodiments and the modified example, one shown, but is not limited thereto the present invention.

유기 박막 트랜지스터의 상부로는 SiO 2 등으로 이루어진 패시베이션막(228)이 형성되고, 패시베이션막(228)의 상부에는 아크릴, 폴리이미드 등에 의한 화소정 의막(229)이 형성되어 있다. To the top of the organic thin film transistor has a predetermined uimak screen 229 due to the SiO 2 passivation film 228 made of a formed, such as, the top of the passivation film 228 is an acrylic, a polyimide is formed. 패시베이션막(228)은 유기 박막 트랜지스터를 보호하는 보호막의 역할을 할 수도 있고, 그 상면을 평탄화시키는 평탄화막의 역할을 할 수도 있다. The passivation film 228 may serve as a protective film that protects the organic thin film transistor may also be a planarizing film serves to flatten the upper surface thereof.

그리고 비록 도면으로 도시하지는 않았지만, 유기 박막 트랜지스터에는 적어도 하나의 커패시터가 연결될 수 있다. And although not shown in the drawings, the organic thin film transistor may have at least one capacitor is connected. 그리고, 이러한 유기 박막 트랜지스터를 포함하는 회로는 반드시 도 5에 도시된 예에 한정되는 것은 아니며, 다양하게 변형 가능함은 물론이다. Then, the circuit including such an organic thin film transistor is not necessarily limited to the example shown in Figure 5, and various modifications are possible as well.

한편, 드레인 전극(224)에 유기 발광 소자가 연결된다. On the other hand, the organic light emitting element is connected to the drain electrode 224. 유기 발광 소자는 상호 대향된 화소 전극(231) 및 대향 전극(234)과, 이 전극들 사이에 개재된 적어도 발광층을 포함하는 중간층(233)을 구비한다. The organic light emitting device comprising at least an intermediate layer 233 including a light-emitting layer interposed between the mutually facing a pixel electrode 231 and the counter electrode 234, the electrode. 대향 전극(234)은 복수개의 화소들에 있어서 공통으로 형성될 수도 있는 등 다양한 변형이 가능하다. A counter electrode 234 is capable of various modifications such as that may be formed in common in a plurality of pixels.

한편, 도 5에는 중간층(233)이 부화소에만 대응되도록 패터닝된 것으로 도시되어 있으나 이는 부화소의 구성을 설명하기 위해 편의상 그와 같이 도시한 것이며, 중간층(233)은 인접한 부화소의 중간층과 일체로 형성될 수도 있음은 물론이다. On the other hand, Fig. 5, but is shown patterned so as to correspond only to the pixels the intermediate layer 233, the portion which will illustrated as convenience that for the explanation of the construction of the sub-pixel, the middle layer 233 is integral with the intermediate layer of the sub-pixels adjacent It may be formed in that as a matter of course. 또한 중간층(233) 중 일부의 층은 각 부화소별로 형성되고, 다른 층은 인접한 부화소의 중간층과 일체로 형성될 수도 있는 등 그 다양한 변형이 가능하다. In addition, some of the layers of intermediate layer 233 is formed for each sub-pixel, the other layer is capable of various modifications, such as those which may be formed integrally with the intermediate layer and of the adjacent sub-pixels.

화소 전극(231)은 애노드 전극의 기능을 하고, 대향 전극(234)은 캐소드 전극의 기능을 한다. The pixel electrode 231 is a function of the anode electrode and the counter electrode 234 functions as a cathode electrode. 물론, 이 화소 전극(231)과 대향 전극(234)의 극성은 반대로 되어도 무방하다. Of course, the polarities of the pixel electrode 231 and the counter electrode 234 but may be reversed. 또한 화소 전극(231)과 드레인 전극(224)은 전기적으로 연결되는 바, 이들은 일체로 형성될 수도 있다. In addition, the pixel electrode 231 and the drain electrode 224 is electrically connected to a bar, which may be integrally formed.

화소 전극(231)은 투명 전극 또는 반사형 전극으로 구비될 수 있다. The pixel electrode 231 may be provided as a transparent electrode or a reflective electrode. 투명전극으로 사용될 때에는 ITO, IZO, ZnO 또는 In 2 O 3 로 구비될 수 있고, 반사형 전극으로 사용될 때에는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물 등으로 반사막을 형성한 후, 그 위에 ITO, IZO, ZnO 또는 In 2 O 3 를 형성할 수 있다. When used as a transparent electrode ITO, IZO, ZnO or In 2 O 3 may be included in, when used as a reflective electrode Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, and combinations thereof after forming the reflective film, etc., it is possible to form the ITO, IZO, ZnO or in 2 O 3 thereon.

대향 전극(234)도 투명 전극 또는 반사형 전극으로 구비될 수 있는데, 투명 전극으로 사용될 때는 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg 및 이들의 화합물이 중간층(233)을 향하도록 증착한 후, 그 위에 ITO, IZO, ZnO 또는 In 2 O 3 등의 투명 전극 형성용 물질로 보조 전극이나 버스 전극 라인을 형성할 수 있다. A counter electrode 234 also may be provided with a transparent electrode or a reflective electrode, when used as a transparent electrode is Li, Ca, LiF / Ca, LiF / Al, Al, Mg, and combinations thereof so as to face the intermediate layer 233 after depositing, thereon to form an auxiliary electrode or a bus electrode line formed of a material for a transparent electrode such as ITO, IZO, ZnO or in 2 O 3. 그리고, 반사형 전극으로 사용될 때에는 위 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg 및 이들의 화합물을 전면(全面) 증착하여 형성한다. And, when used as a reflective electrode to form the above Li, Ca, LiF / Ca, LiF / Al, Al, Mg, and combinations thereof to the front (全面) deposition.

화소 전극(231)과 대향 전극(234) 사이에 구비되는 중간층(233)은 저분자 또는 고분자 유기물로 구비될 수 있다. The middle layer 233 is provided between the pixel electrode 231 and the counter electrode 234 may be provided with a low-molecular or polymer organic material. 저분자 유기물을 사용할 경우 홀 주입층(HIL: hole injection layer), 홀 수송층(HTL: hole transport layer), 유기 발광층(EML: emission layer), 전자 수송층(ETL: electron transport layer), 전자 주입층(EIL: electron injection layer) 등이 단일 혹은 복합의 구조로 적층되어 형성될 수 있으며, 사용 가능한 유기 재료도 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), N,N-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘 (N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine: NPB) , 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등을 비롯해 다양하게 적용 가능하다. When using a low molecular organic material hole injection layer (HIL: hole injection layer), a hole transport layer (HTL: hole transport layer), an organic emission layer (EML: emission layer), an electron transport layer (ETL: electron transport layer), an electron injection layer (EIL : electron injection layer) and so on are formed may be laminated to the structure of the single or multiple, of available organic materials are copper phthalocyanine (CuPc: copper phthalocyanine), N, N- di (naphthalene-1-yl) -N, N '- diphenyl-benzidine (N, N'-di (naphthalene-1-yl) -N, N'-diphenyl-benzidine: NPB), tris-8-hydroxyquinoline aluminum (tris-8-hydroxyquinoline aluminum) ( including such as Alq3) are available for various applications. 이들 저 분자 유기물은 마스크들을 이용하여 진공증착의 방법으로 형성될 수 있다. These low-molecular organic materials may be formed using the mask by means of vacuum deposition.

고분자 유기물의 경우에는 대개 홀 수송층(HTL) 및 발광층(EML)으로 구비된 구조를 가질 수 있으며, 이 때, 상기 홀 수송층으로 PEDOT를 사용하고, 발광층으로 PPV(Poly-Phenylenevinylene)계 및 폴리플루오렌(Polyfluorene)계 등 고분자 유기물질을 사용한다. For a polymer organic material it is typically may have a structure having a hole transport layer (HTL) and a light emitting layer (EML), this time, the use of PEDOT in the hole transport layer and the light emitting layer PPV (Poly-Phenylenevinylene) based and polyfluorene (Polyfluorene) system, etc. and a polymer organic material.

기판(210) 상에 형성된 유기 발광 소자는, 대향 부재(미도시)에 의해 밀봉된다. The organic light emitting element formed on the substrate 210, is sealed by a facing member (not shown). 대향부재는 기판(210)과 동일하게 글라스재, 플라스틱재 또는 금속재등으로 형성되어 구비될 수 있다. Opposed member may be provided are formed in the same manner as substrate 210, a glass material, a plastic material or a metal material or the like.

이와 같은 유기 발광 디스플레이 장치에 있어서 전술한 실시예들 및 그 변형예들에 따른 유기 박막 트랜지스터들이 구비되도록 함으로써, 입력된 영상신호에 따라 정확하게 이미지를 구현하는 발광 디스플레이 장치를 제조할 수 있게 된다. By ensuring that this organic light-emitting display apparatus of the above embodiment according to the example, and an organic thin film according to the modified example having such transistors, it is possible to manufacture a light emitting display device that correctly implement the image according to the input video signal.

상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 유기 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 유기 발광 디스플레이 장치에 따르면, 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다. According to the organic thin film transistor and the organic light-emitting display apparatus including the same of the present invention made as described above, the following effects can be obtained.

첫째, 소스 전극 및 드레인 전극과 유기 반도체층 사이에 전도성 고분자 물질층이 구비되도록 함으로써, 소스 전극 및 드레인 전극과 유기 반도체층 사이의 컨택 저항을 대폭 감소시킬 수 있다. First, by having such a conductive polymer layer between the source electrode and the drain electrode and the organic semiconductor layer, it is possible to significantly reduce the contact resistance between the source electrode and the drain electrode and the organic semiconductor layer.

둘째, 소스 전극 및 드레인 전극과 유기 반도체층 사이에 전도성 고분자 물질층이 구비되도록 함으로써, 소스 전극 및 드레인 전극과 유기 반도체층 사이의 접합력을 대폭 향상시킬 수 있다. Second, by having such a conductive polymer layer between the source electrode and the drain electrode and the organic semiconductor layer, it is possible to significantly improve the bonding strength between the source electrode and the drain electrode and the organic semiconductor layer.

넷째, 전도성 고분자 물질층이 패터닝되지 않아도 되므로, 제조 공정이 단순해지고 제조비용을 절감시킬 수 있으며 수율을 대폭 향상시킬 수 있다. Fourth, since the conductive polymer material layer is not required patterning, the manufacturing process can be simple and reduce the manufacturing cost, and can greatly improve the yield.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. The present invention has been described for the embodiment shown in the drawings as it will be understood that it is the only, and those skilled in the art from which the various modifications and other embodiments equivalent to be illustrative. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다. Therefore, the true technical protection scope of the invention as defined by the technical spirit of the appended claims.

Claims (8)

  1. 소스 전극 및 드레인 전극; A source electrode and a drain electrode;
    상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 각각에 전기적으로 연결된 유기 반도체층; The source electrode and the drain electrode an organic semiconductor layer is electrically connected to, respectively;
    상기 소스 전극과 상기 유기 반도체층 사이 및 상기 드레인 전극과 상기 유기 반도체층 사이에 각각 개재된, 두께가 10Å 이상 100Å 이하인 전도성 고분자 물질층; Respectively interposed between the source electrode and the organic semiconductor layer and the drain electrode and the organic semiconductor layer, at least 10Å in thickness 100Å or less conductive polymer layer;
    상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 유기 반도체층으로부터 절연된 게이트 전극; A gate electrode insulated from the source electrode, the drain electrode and the organic semiconductor layer; And
    상기 게이트 전극을 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 유기 반도체층으로부터 절연시키는 게이트 절연막;을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터. The organic thin film transistor comprising: a; a gate insulating film for insulating the gate electrode from the source electrode, the drain electrode and the organic semiconductor layer.
  2. 제 1항에 있어서, According to claim 1,
    상기 전도성 고분자 물질층은 폴리에틸렌디옥시티오펜(PEDOT; polyethylenedioxythiophene) 또는 폴리아닐린(PANI; polyaniline)으로 구비되는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터. The conductive polymer layer is a polyethylene dioxythiophene organic thin film transistor being provided with;; (polyaniline PANI) (PEDOT polyethylenedioxythiophene) or polyaniline.
  3. 제 1항에 있어서, According to claim 1,
    상기 전도성 고분자 물질층은 비저항(比抵抗, resistivity)이 10 5 Ω㎝ 이상 10 14 Ω㎝ 이하인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터. The conductive polymer layer has a specific resistance (比抵抗, resistivity) The organic thin film transistor according to claim 10 or less than 5 Ω㎝ 10 14 Ω㎝.
  4. 제 1항에 있어서, According to claim 1,
    상기 전도성 고분자 물질층은 비저항(比抵抗, resistivity)이 10 5 Ω㎝ 이상 10 14 Ω㎝ 이하인 PEDOT으로 구비되는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터. The conductive polymer layer has a specific resistance (比抵抗, resistivity) The organic thin film transistor according to claim 10 which is provided with a 5 Ω㎝ more than 10 14 or less Ω㎝ PEDOT.
  5. 제 1항에 있어서, According to claim 1,
    상기 소스 전극과 상기 유기 반도체층 사이 및 상기 드레인 전극과 상기 유기 반도체층 사이에 각각 개재된 전도성 고분자 물질층은 일체로 구비되는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터. The organic thin film transistor which is characterized in that comprises the source electrode and the organic semiconductor layer and between each of the conducting polymer is interposed between the drain electrode and the organic semiconductor layer is a layer of material in one piece.
  6. 제 5항에 있어서, 6. The method of claim 5,
    상기 유기 반도체층은 인접한 박막 트랜지스터와 구별되도록 패터닝되어 구비되며, 상기 전도성 고분자 물질층은 상기 유기 반도체층과 동일하게 패터닝되어 구비되는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터. The organic semiconductor layer is provided is patterned to distinguish it from an adjacent thin film transistor, the conductive polymer layer is an organic thin film transistor which is characterized in that having been patterned in the same manner as in the organic semiconductor layer.
  7. 제 5항에 있어서, 6. The method of claim 5,
    상기 전도성 고분자 물질층은 복수개의 박막 트랜지스터들에 있어서 일체로 구비되는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터. The conductive polymer layer is an organic thin film transistor characterized in that the integrally provided in the plurality of thin film transistors.
  8. 제 1항 내지 제 7항 중 어느 한 항의 유기 박막 트랜지스터; To claim 1, wherein any one of the organic thin film transistor of claim 7; And
    상기 유기 박막 트랜지스터에 전기적으로 연결된 유기 발광 소자;를 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 디스플레이 장치. The organic light emitting display device comprising the; organic light-emitting device electrically connected to the organic thin film transistor.
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