KR100735223B1 - 외부 화학 기상 증착 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 외부 기상 증착 방법은, (a) 실린더 형상의 시작 부재를 제공하는 과정과; (b) 상기 시작 부재를 회전시키는 과정과; (c) 적어도 하나의 버너를 이용하여 화염 가수분해에 의한 수트 스트림을 생성하는 과정과; (d) 생성된 수트 스트림이 상기 시작 부재의 증착 구간 내에서 반복적으로 왕복 이송되도록 함으로써 상기 시작 부재의 외주면 상에 수트를 증착하는 과정을 포함하며, 상기 (d) 과정 동안에, 상기 증착 구간을 상기 시작 부재의 길이 방향을 따라 적어도 1회 이동시킨다.
수트 모재, 외부 기상 증착, 광섬유 모재, 버너, 수트 패턴

Description

외부 화학 기상 증착 방법{OUTSIDE VAPOR PHASE DEPOSITION METHOD}
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 외부 기상 증착 방법을 나타내는 흐름도,
도 2 내지 도 4는 도 1에 도시된 내측 수트층의 형성 과정을 설명하기 위한 도면들,
도 5는 본 발명의 비교예를 나타내는 도면,
도 6은 수트층의 외경 변화에 따른 표면 성장 속도, 이송 속도 및 회전 속도의 변화들을 나타내는 도면.
본 발명은 광섬유 모재(optical fiber preform)의 제조 방법에 관한 것으로서, 특히 외부 기상 증착(outside vapor phase deposition: OVD) 방법에 관한 것이다.
외부 기상 증착 방법은, 시작 부재(starting member)의 외주면 상에 버너 (burner)를 이용하여 수트(soot)를 증착함으로써, 수트 모재(soot preform)를 얻는 방법이다. 이후, 상기 시작 부재를 상기 수트 모재로부터 제거하고, 상기 중공 수트 모재에 소결(sintering) 공정 등을 수행하여 투명한 광섬유 모재를 얻는다.
이러한 외부 기상 증착 방법에서는, 시작 부재를 회전시키고, 상기 회전하는 시작 부재의 증착 구간 내에서 버너로부터 분사된 수트 스트림(soot stream)을 반복적으로 왕복 이송시킴으로써, 상기 시작 부재의 외주면 상에 수트를 증착한다. 이때, 상기 버너로부터 분사되는 수트 스트림의 중심이 상기 시작 부재의 외주면과 나선형 경로(spiral path)를 따라 충돌함에 따라서, 상기 시작 부재의 외주면 상에는 나선형 패턴(spiral pattern)이 형성된다. 상기 시작 부재 상에 형성된 수트층(soot layer)은 고밀도 부분과 그 주변의 저밀도 부분으로 이루어지고, 나선형 패턴은 상기 고밀도 부분으로 이루어진다. 이러한 나선형 패턴은 특히 내측 수트층(inner soot layer)에서 문제가 되며, 이러한 수트 모재에 소결 공정(sintering process) 등을 수행하여 얻어진 광섬유 모재의 코어(core)에 불투명한 부분들 또는 미세 기포들(micro bubble)이 발생하게 된다. 상기 수트 모재에서 상기 내측 수트층은 상기 광섬유 모재의 코어에 해당하며, 상기 내측 수트층을 둘러싸는 외측 수트층(outer soot layer)은 상기 광섬유 모재의 클래드(clad)에 해당한다.
이러한 문제점을 해결하기 위해, George E. Berkey에 의해 발명되어 특허허여된 미국특허번호 제4,486,212호{DEVITRIFICATION RESISTANT FLAME HYDROLYSIS PROCESS}는 후술하는 다양한 방법들을 제안하고 있다.
첫 째, 상기 특허는, 도 9에 도시된 바와 같이, 내측 수트층을 형성할 때, 버너에 제공되는 원료 물질(source material) 또는 연료 물질(fuel material)의 유량을 감소시키는 방법을 개시한다.
둘째, 상기 특허는, 도 10에 도시된 바와 같이, 버너를 수트 모재의 길이 방향과 수직한 방향으로 이동시킴으로써 상기 버너로부터 분사되는 수트 스트림의 중심을 시작 부재의 중심에서 이격시키는, 즉 수트 스트림의 가장자리만이 상기 시작 부재의 외주면과 충돌하도록 하는 방법을 개시한다.
그러나 상술한 바와 같은 종래기술은 아래와 같은 문제점들을 갖는다.
상술한 유량 조절 방법은, 외측 수트층을 증착하기 위해 버너에 제공되는 원료 물질 또는 연료 물질의 유량을 증가시키는 과정에서 오버 슈트(over shoot)(즉, 원료 물질 또는 연료 물질이 과도하게 공급되는 현상)가 발생하기 쉬우며, 이로 인해 상기 수트 모재가 길이 방향으로 불균일한 특성을 가질 수 있다는 문제점이 있다.
상술한 버너 이동 방법은, 외측 수트층을 증착하기 위해 버너를 이동시키는 과정에서 정렬 오차가 발생하기 쉬우며, 이로 인해 수트의 증착률이 변동되어 품질 저하를 가져올 수 있다는 문제점이 있다.
본 발명은 상술한 종래의 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로서, 본 발명의 목적은 수트층에 수트 패턴이 발생하는 것을 억제하고, 증착률을 향상시킬 수 있는 외부 기상 증착 방법을 제공함에 있다.
상기한 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명에 따른 외부 기상 증착 방법은, (a) 실린더 형상의 시작 부재를 제공하는 과정과; (b) 상기 시작 부재를 회전시키는 과정과; (c) 적어도 하나의 버너를 이용하여 화염 가수분해에 의한 수트 스트림을 생성하는 과정과; (d) 생성된 수트 스트림이 상기 시작 부재의 증착 구간 내에서 반복적으로 왕복 이송되도록 함으로써 상기 시작 부재의 외주면 상에 수트를 증착하는 과정을 포함하며, 상기 (d) 과정 동안에, 상기 증착 구간을 상기 시작 부재의 길이 방향을 따라 적어도 1회 이동시킨다.
이하에서는 첨부도면들을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지기능이나 구성에 대한 구체적인 설명은 본 발명의 요지를 모호하지 않게 하기 위하여 생략한다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 외부 기상 증착 방법을 나타내는 흐름도이다. 상기 외부 기상 증착 방법은, 하기하는 (a) 내지 (d) 과정을 포함한다.
상기 (a) 과정(S1)은 실린더(cylinder) 형상을 갖는 시작 부재를 제공하는 과정이다. 상기 시작 부재는 선반(lathe)에 탑재될 수 있으며, 상기 선반은 상기 시작 부재를 이송(transfer) 및 회전(rotation)시킬 수 있다. 상기 선반은 그 양측에 구비된 척들(chuck)을 이용하여 상기 시작 부재의 양단부를 지지한 상태로 상기 시작 부재를 회전시키고, 상기 척들을 전체적으로 이동시킴으로써 상기 시작 부재 를 그 길이 방향을 따라 이송할 수 있다.
상기 (b) 과정(S2)은 상기 시작 부재를 회전시키는 과정이다. 상기 시작 부재의 회전 속도는 수트 증착 동안에 변화한다.
상기 (c) 과정(S3)은 적어도 하나의 버너를 이용하여 화염 가수분해에 의한 수트 스트림을 생성하는 과정이다. 상기 버너는 상기 시작 부재의 외주면을 향해 화염(flame)을 분사하며, 분사된 화염 내에서 원료 물질이 가수분해(hydrolysis)됨에 따라 수트 스트림이 생성되고, 생성된 수트 스트림은 상기 시작 부재의 외주면과 충돌한다. 상기 버너에는 원료 물질, 연료 물질 등이 제공되며, 상기 원료 물질은 SiCl4와 같은 유리 형성 물질과, 선택적으로 POCl3, BCl3 또는 GeCl4로 이루어진 굴절률 제어 물질로 구성될 수 있다. 이때, 게르마늄 및 인은 굴절률을 증가시키고, 붕소는 굴절률을 감소시킨다. 상기 연료 물질은 수소 및 산소로 구성될 수 있다. 상기 버너로서는 통상의 동축 다중 포트 버너를 사용할 수 있다. 예를 들어, 상기 버너로서 동축 4-포트 버너(coaxial 4-port burner)를 사용하는 경우에, 상기 버너의 중심 포트에 원료 물질을 제공하고, 제1 외측 포트에 수소를 제공하며, 제2 외측 포트에 불활성 가스를 제공하고, 제3 외측 포트에 산소를 제공할 수 있다. 이때, 상기 중심 포트와 상기 제1 내지 제3 외측 포트는 상기 버너의 중심으로부터 외측으로 차례로 배치된다.
상기 (d) 과정(S4)은 상기 버너에 의해 생성된 수트 스트림이 상기 회전하는 시작 부재의 증착 구간 내에서 반복적으로 왕복 이송되도록 함으로써, 상기 시작 부재의 외주면 상에 수트를 증착하는 과정이다. 상기 (d) 과정 동안에, 상기 증착 구간을 상기 시작 부재의 길이 방향을 따라 적어도 1회 이동시킨다. 이때, 상기 증착 구간의 이동은, 수트 스트림의 동일한 이송 방향에 대해, 이동 전의 수트 패턴과 이동 후의 수트 패턴이 중첩되지 않도록 수행된다. 또한, 상기 (d) 과정 동안에, 상기 시작 부재의 회전 속도 및 이송 속도를 램핑(ramping) 제어한다.
상기 (d) 과정(S4)은 내측 수트층을 형성하는 (d-1) 과정(S5)과, 외측 수트층을 형성하는 (d-2) 과정(S6)을 포함한다.
상기 (d-1) 과정(S5)은 상기 회전하는 시작 부재의 외주면 상에 내측 수트층을 형성하는 과정이다. 시작 부재의 외주면 상에 직접 적층되는 내측 수트층은 광섬유 모재의 코어에 해당하고, 상기 내측 수트층 상에 직접 적층되는 외측 수트층은 상기 광섬유 모재의 클래드에 해당한다. 또한, 상기 광섬유 모재로부터 인출된 광섬유의 코어는 광신호의 전송 매체가 되고, 상기 광섬유의 클래드는 상기 광신호를 상기 코어 내에 가두어 두는 기능을 한다. 상기 광신호의 전반사(total reflection) 진행을 위해, 상기 코어는 상기 클래드의 것보다 높은 굴절률(refractive index)을 갖는다. 이를 위해, 상기 내측 수트층은 상기 외측 수트층보다 높은 굴절률을 갖는다. 이러한 굴절률 조절은, 상기 버너에 제공되는 원료 물질의 유량 또는 조성을 조절함으로써 구현될 수 있다.
상기 (d-1) 과정(S5)은 다수의 왕복 증착 패스(pass)로 구성되고, 각 왕복 증착 패스는 해당 순방향(forward) 증착 패스와 해당 역방향(reverse) 증착 패스로 구성될 수 있다.
상기 (d-1) 과정(S5) 동안에, 상기 증착 구간을 적어도 1회 이동하고, 상기 내측 수트층의 표면 성장 속도(surface growth rate)를 조절한다.
도 2 내지 도 4는 상기 (d-1) 과정(S5)을 설명하기 위한 도면들이며, 이하 도 2 내지 도 4를 참조하여 상기 (d-1) 과정(S5)을 기술하기로 한다.
증착 구간의 이동
도 2는 제1 순방향 증착 패스를 완료한 경우를 나타내는 도면이다. 제1 순방향 증착 패스 동안에, 상기 버너(130)는 고정되어 있고, 상기 시작 부재(110)는 회전하면서 역방향으로 이송된다. 이는, 상기 시작 부재(110)가 이송되지 않고, 상기 버너(130)가 순방향으로 이송되는 것과 동일한 결과를 가져온다. 어느 경우에도, 상기 버너(130)에 의해 생성된 수트 스트림(140)은 상기 회전하는 시작 부재(110)의 증착 구간(deposition region: DR) 내에서 순방향으로 이송된다.
도시된 바와 같이, 상기 버너(130)로부터 분사되는 수트 스트림(140)의 중심(145)이 상기 시작 부재(110)의 외주면과 나선형 경로를 따라 충돌함에 따라서, 상기 시작 부재(110)의 외주면 상에는 나선형 패턴을 갖는 내측 수트층(120)이 적층된다. 상기 나선형 패턴의 피치 P는 하기 <수학식 1>과 같이 정의된다.
Figure 112005060239155-pat00001
상기 <수학식 1>에서, VR은 상기 시작 부재(110)의 회전 속도를 나타내고, VT는 상기 시작 부재(110)의 이송 속도를 나타낸다.
상기 증착 구간(DR)의 제1 끝단(E1)에서 제2 끝단(E2)까지 일련의 순방향 증착 패스들을 반복적으로 수행하여 간다면, 상기 내측 수트층(120)의 나선형 패턴은 점점 강화된다. 이러한 내측 수트층(120)의 나선형 패턴을 제거하기 위해, 상기 증착 구간(DR)을 이동하는 단계를 적어도 1회 이상 수행한다. 바람직하게는 순방향 증착 패스마다 수행하고, 이때 증착 구간에 대한 오프셋(offset) 이동과 복귀(return)를 교호적으로 반복한다.
도 3은 상기 증착 구간(DR)을 오프셋 이동하는 경우를 설명하기 위한 도면이다. 도시된 바와 같이, 제1 순방향 증착 패스를 완료한 후, 상기 나선형 패턴의 피치의 반, 즉 P/2에 해당하는 오프셋 거리만큼 상기 증착 구간(DR)을 오프셋 이동한다. 이를 위해, 상기 시작 부재(110)의 순방향 이송 거리를 상기 증착 구간(DR)의 거리보다 P/2만큼 짧게 한다. 따라서, 오프셋 이동된 증착 구간(DR')의 제1 끝단 위치(E1')는 이동 전 증착 구간(DR)의 제1 끝단(E1) 위치로부터 P/2에 해당하는 거리만큼 순방향 이격된다. 또한, 제2 순방향 증착 패스에서의 역방향 이송 거리는 제1 순방향 증착 패스에서의 역방향 이송 거리와 동일하다. 따라서, 오프셋 이동된 증착 구간(DR')의 제2 끝단 위치(E2')는 이동 전 증착 구간(DR)의 제2 끝단(E2) 위치로부터 P/2에 해당하는 거리만큼 순방향 이격된다.
상기 오프셋 이동된 증착 구간(DR')을 복귀시키는 경우를 예로 들자면, 제2 순방향 증착 패스를 완료한 후, 상기 시작 부재(110)의 순방향 이송 거리를 제2 순 방향 증착 패스에서의 역방향 이송 거리보다 P/2만큼 길게 한다.
표면 성장 속도의 조절
또한, 상기 (d-1) 과정 동안에 상기 내측 수트층(120)의 표면 성장 속도를 조절한다. 이를 위해, 상기 (d-1) 과정 동안에 상기 시작 부재(110)의 이송 속도를 램핑(ramping) 제어한다. 상기 내측 수트층(120)은 상기 시작 부재(110)의 지름 방향으로 성장하기도 하지만, 상기 시작 부재(110)의 원주 방향을 따라 나선형으로 표면 성장하기도 한다. 이러한 표면 성장은, 상기 버너(130)로부터 분사되는 수트 스트림(140)이 상기 시작 부재(110)의 외주면과 나선형 경로를 따라 충돌함에 따른 것이다.
도 4는 상기 내측 수트층(120)의 표면 성장 속도를 설명하기 위한 도면이다. 상기 내측 수트층(120)의 표면 성장 속도 벡터
Figure 112005060239155-pat00002
는 상기 시작 부재(110)의 이송 속도 벡터
Figure 112005060239155-pat00003
의 역벡터와, 상기 시작 부재(110)가 회전함에 따른 상기 내측 수트층(120) 표면에서의 선속도 벡터
Figure 112005060239155-pat00004
의 역벡터를 벡터합함으로써 얻어진다. 상기 내측 수트층(120)의 표면 성장 속도는 하기 <수학식 2>로 정의된다.
Figure 112005060239155-pat00005
상기 <수학식 2>에서, D는 상기 내측 수트층(120)의 외경을 나타낸다.
도 5는 본 발명의 비교예를 나타내는 도면이다. 도 5에는, 통상적인 외부 기상 증착 방법에서 수트층의 외경에 따른 증착률의 변화를 나타내는 그래프가 도시되어 있다. 굵은 실선은 실험적인 데이터에 근거한 그래프를 나타내고, 가는 실선은 근사식에 근거한 그래프를 나타낸다. 이때, 시작 부재의 외경이 20㎜이다. 수트 증착의 초반에는 수트 스트림의 단위 시간당 충돌 면적에 비해 수트 양이 과도하게 많아서 증착률이 낮을 뿐만 아니라, 생성된 수트층의 밀도도 높다. 또한, 수트 증착의 후반에는 수트 스트림의 단위 시간당 충돌 면적에 비해 수트 양이 적게 되므로 증착률이 포화하는 현상이 발생한다.
상기 내측 수트층(120)의 표면 성장 속도는 상기 시작 부재(110)의 이송 속도보다 회전 속도에 큰 영향을 받는다. 또한, 상기 내측 수트층(120) 표면의 소정 영역이 상기 버너(130)의 화염 내에 체류하는 시간은 상기 시작 부재(110)의 회전 속도보다 이송 속도에 큰 영향을 받는다. 상기 시작 부재(110)의 이송 속도가 증가할수록 상기 내측 수트층(120)의 표면 온도가 감소하게 되고, 이로 인해 수트의 열영동력이 증가함으로써 증착률이 증가하게 된다. 수트 증착은 기본적으로 온도 구배에 의한 열영동 효과를 이용하는 것이다. 또한, 수트 스트림의 단위 시간당 충돌 면적을 충분히 확보하도록 상기 내측 수트층(120)의 표면 성장 속도를 조절함으로써, 증착률을 증가시킬 수 있다.
한편, 상기 내측 수트층(120)을 형성하는 상기 (d-1) 과정에서는 증착률의 증가보다 상기 내측 수트층(120)의 표면 성장 속도를 미세하게 조절하는 것이 중요하다.
상기 내측 수트층(120)의 표면 성장 속도를 미세하게 제어하기 위해, 상기 (d-1) 과정에서 상기 내측 수트층(120)의 표면 성장 속도는 하기 <수학식 3>의 범위 내로 조절된다.
Figure 112005060239155-pat00006
상기 <수학식 3>에서, VC는 수트 스트림의 유속을 나타낸다.
또한, 상기 내측 수트층(120)의 표면 성장 속도를 미세하게 제어하면서 최적의 증착률을 얻기 위해, 상기 시작 부재(110)의 회전 속도를 일정하게 유지하고, 이송 속도를 점차 감소시키는 것이 바람직하다.
예를 들어, 상기 시작 부재(110)의 회전 속도를 150rpm으로 고정하고, 이송 속도를 1800mmpm부터 점차로 감소시킬 수 있다. 상기 시작 부재(110)의 이송 속도의 시작 값은 1500mmpm 이상인 것이 바람직하고, 상기 시작 부재(110) 대신에 상기 버너(130)를 이송하는 경우에는 화염을 흔들림을 방지하기 위해 200mmpm 정도로 하는 것이 바람직하다.
상기 (d-2) 과정(S6)은 상기 시작 부재(110)를 회전시키면서 상기 내측 수트층(120) 상에 외측 수트층을 형성하는 과정이다. 상기 외측 수트층은 상기 내측 수트층(110)보다 낮은 굴절률을 갖는다. 상기 (d-2) 과정 동안에 상기 외측 수트층의 표면 성장 속도를 조절한다. 이를 위해, 상기 (d-2) 과정 동안에 상기 시작 부재(110)의 이송 속도 및 회전 속도를 램핑 제어한다.
상기 버너(130)는 상기 내측 수트층(120)의 외주면을 향해 화염을 분사함으로써, 상기 내측 수트층(120)의 외주면 상에 수트를 증착한다. 최적의 증착률을 얻을 수 있도록, 상기 외측 수트층의 표면 성장 속도가 수트 스트림의 유속 이상이 되도록 한다. 이때, 상기 시작 부재(110)의 회전 속도는 점차 감소하며, 이송 속도는 점차 감소하다가 일정하게 유지된다. 상기 시작 부재(110)의 이송 속도는 최적의 열영동 효과를 얻을 수 있도록 600mmpm 이상으로 유지하는 것이 바람직하다.
도 6은 본 발명의 바람직한 실시예에 따라서 수트층의 외경 변화에 따른 표면 성장 속도, 이송 속도 및 회전 속도의 변화들을 나타내는 도면이다. 도 6에서, 가로축은 수트층의 외경을 나타내고, 일측 세로축은 상기 수트층의 표면 성장 속도를 백분율로 나타내며, 타측 세로측은 시작 부재의 이송 속도 및 회전 속도를 나타낸다. 또한, 점선은 수트층의 외경 변화에 따른 표면 성장 속도의 변화를 나타내는 그래프이고, 굵은 실선은 수트층의 외경 변화에 따른 이송 속도의 변화를 나타내는 그래프이며, 가는 실선은 수트층의 외경 변화에 따른 회전 속도의 변화를 나타내는 그래프이다. 이때, 상기 수트층은 내측 수트층과 외측 수트층으로 구성되고, 상기 내측 수트층은 55mm의 외경을 갖는다. 도시된 바와 같이, 상기 내측 수트층을 형성할 때, 회전 속도는 일정하고, 이송 속도는 점차 감소하며, 표면 성장 속도는 점차 증가한다. 또한, 상기 외측 수트층을 형성할 때, 회전 속도는 점차 감소하고, 이송 속도는 점차 감소하다가 일정하게 유지되며, 표면 성장 속도는 점차 증가하다가 일정하게 유지된다.
한편, 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시예에 관해서 설명하였으 나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 자명하다 할 것이다.
예를 들자면, 상술한 증착 구간의 이동은 내측 수트층 뿐만 아니라, 외측 수트층을 형성할 때에도 적용될 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 외부 기상 증착 방법은, 증착 구간의 이동을 통해 수트층에 수트 패턴이 발생하는 것을 억제할 수 있다는 이점이 있다. 또한, 본 발명에 따른 외부 기상 증착 방법은, 회전 속도 및 이송 속도를 램핑 제어함으로써 증착률을 향상시킬 수 있다는 이점이 있다.

Claims (8)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 외부 기상 증착 방법에 있어서,
    (a) 실린더 형상의 시작 부재를 제공하는 과정과;
    (b) 상기 시작 부재를 회전시키는 과정과;
    (c) 적어도 하나의 버너를 이용하여 화염 가수분해에 의한 수트 스트림을 생성하는 과정과;
    (d) 생성된 수트 스트림이 상기 시작 부재의 증착 구간 내에서 반복적으로 왕복 이송되도록 함으로써 상기 시작 부재의 외주면 상에 수트를 증착하는 과정을 포함하며,
    상기 (d) 과정 동안에 상기 증착 구간을 상기 시작 부재의 길이 방향을 따라 다수 회 이동시키고, 수트 스트림의 동일한 이송 방향에 대해, 이동 전의 수트 패턴과 이동 후의 수트 패턴이 중첩되지 않도록 상기 증착 구간의 이동시 오프셋 이동과 복귀를 교호적으로 수행함을 특징으로 하는 외부 기상 증착 방법.
  4. 외부 기상 증착 방법에 있어서,
    (a) 실린더 형상의 시작 부재를 제공하는 과정과;
    (b) 상기 시작 부재를 회전시키는 과정과;
    (c) 적어도 하나의 버너를 이용하여 화염 가수분해에 의한 수트 스트림을 생성하는 과정과;
    (d) 생성된 수트 스트림이 상기 시작 부재의 증착 구간 내에서 반복적으로 왕복 이송되도록 함으로써 상기 시작 부재의 외주면 상에 수트를 증착하는 과정을 포함하며,
    상기 (d) 과정 동안에 상기 증착 구간을 상기 시작 부재의 길이 방향을 따라 적어도 1회 이동시키고, 상기 (d) 과정은,
    (d-1) 상기 시작 부재의 외주면 상에 상대적으로 높은 굴절률을 갖는 내측 수트층을 형성하는 과정과;
    (d-2) 상기 내측 수트층 상에 상대적으로 낮은 굴절률 갖는 외측 수트층을 형성하는 과정을 포함함을 특징으로 하는 외부 기상 증착 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 (d-1) 과정 동안에, 상기 시작 부재의 회전 속도는 일정하게 유지되고, 상기 시작 부재의 이송 속도는 감소함을 특징으로 하는 외부 기상 증착 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 내측 수트층의 표면 성장 속도 VS는 하기 <수학식 4>의 조건을 만족함을 특징으로 하는 외부 기상 증착 방법.
    Figure 112005060239155-pat00007
    (VC : 상기 수트 스트림의 유속)
  7. 제4항에 있어서,
    상기 (d-2) 과정 동안에, 상기 시작 부재의 회전 속도는 감소하고, 상기 시작 부재의 이송 속도는 감소하다가 일정해짐을 특징으로 하는 외부 기상 증착 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 외측 수트층의 표면 성장 속도는 수트 스트림의 유속 이상임을 특징으로 하는 외부 기상 증착 방법.
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