KR100733946B1 - Organic electroluminescence display and its manufacturing method - Google Patents

Organic electroluminescence display and its manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
KR100733946B1
KR100733946B1 KR1020057016083A KR20057016083A KR100733946B1 KR 100733946 B1 KR100733946 B1 KR 100733946B1 KR 1020057016083 A KR1020057016083 A KR 1020057016083A KR 20057016083 A KR20057016083 A KR 20057016083A KR 100733946 B1 KR100733946 B1 KR 100733946B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
organic
substrate
upper electrode
pattern
film
Prior art date
Application number
KR1020057016083A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20050111338A (en
Inventor
요시아끼 사까모또
기요시 오자와
Original Assignee
후지필름 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 후지필름 가부시키가이샤 filed Critical 후지필름 가부시키가이샤
Priority to KR1020057016083A priority Critical patent/KR100733946B1/en
Publication of KR20050111338A publication Critical patent/KR20050111338A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100733946B1 publication Critical patent/KR100733946B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources

Abstract

기판의 표면상에 복수의 화소 영역이 획정되어 있다. 기판의 표면 중, 화소 영역과 화소 영역 사이의 영역상에 격벽이 배치되어 있다. 격벽은 무기 절연 재료를 포함하는 하부와, 하부 위에 배치되며 하부와는 에칭 특성이 상이한 절연 재료를 포함하는 상부를 포함한다. 상부가 하부의 측면으로부터 화소 영역을 향해 튀어나와 있다. 화소 영역상에 하부 전극이 형성되어 있다. 하부 전극 위에 전류 주입에 의해 발광하는 유기 발광 재료를 포함하는 유기층이 형성되어 있다. 유기층 위에 상부 전극이 배치되어 있다.A plurality of pixel regions are defined on the surface of the substrate. The partition wall is arrange | positioned on the area | region between a pixel area and a pixel area among the surface of a board | substrate. The partition wall includes a bottom including an inorganic insulating material and a top including an insulating material disposed on the bottom and having different etching characteristics from the bottom. The upper part protrudes toward the pixel area from the lower side. The lower electrode is formed on the pixel region. An organic layer containing an organic light emitting material that emits light by current injection is formed on the lower electrode. The upper electrode is disposed on the organic layer.

유기 전계발광 표시 장치, 유기 화합물층, 화소 영역, 무기 절연 재료 Organic electroluminescent display, organic compound layer, pixel region, inorganic insulating material

Description

유기 전계발광 표시 장치 및 그의 제조 방법{ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DISPLAY AND ITS MANUFACTURING METHOD}Organic electroluminescent display and manufacturing method thereof {ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DISPLAY AND ITS MANUFACTURING METHOD}

본 발명은 유기 전계발광(EL) 표시 장치 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 복수의 화소가 배치되고, 화소간에 격벽이 형성되어 있는 유기 EL 표시 장치 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic electroluminescence (EL) display device and a manufacturing method thereof, and more particularly to an organic electroluminescence display device in which a plurality of pixels are arranged and a partition is formed between the pixels.

유기 EL 소자는 캐리어 수송성 및 발광성을 갖는 복수의 유기 화합물층이 적층되고, 한쌍의 전극에 끼워진 구조를 갖는다. 이와 같은 다이오드 구조에서는, 유기 화합물층의 두께를 균일하게 하는 것이 바람직하다. 막두께가 불균일하게 되면, 유기 화합물층을 두께 방향으로 흐르는 전류가 면내에서 불균일하게 된다. 이에 따라, 발열에 의한 유기 화합물층의 변질이 국부적으로 가속되어, 소자의 수명이 짧아져 버린다.The organic EL device has a structure in which a plurality of organic compound layers having carrier transporting properties and light emitting properties are stacked and sandwiched between a pair of electrodes. In such a diode structure, it is preferable to make the thickness of an organic compound layer uniform. When the film thickness becomes nonuniform, the current flowing through the organic compound layer in the thickness direction becomes nonuniform in the plane. As a result, the deterioration of the organic compound layer due to heat generation is accelerated locally, and the life of the device is shortened.

유기 화합물은 유기 용매에 가용이면서 수분에 의해 열화하기 때문에, 유기 화합물층을 형성한 후에, 포토리소그래피에 의해 패턴 가공을 행하는 것이 곤란하다. 이 때문에, 유기 화합물층을 증착에 의해 형성할 때에, 화소의 형상 및 배치에 대응한 개구를 갖는 금속제의 섀도우 마스크를 이용하여, 유기 화합물층을 화소 단위로 분할하고 있다. 컬러 표시를 행하기 위해서는, RGB에 대응하여 3회의 섀도 우 마스크의 위치 정렬이 필요하게 된다. 섀도우 마스크의 위치 정렬에 오차가 생기면, 화소 상호의 간격이 불규칙해져, 유기 화합물의 두께가 불균일하게 된다.Since an organic compound is soluble in an organic solvent and deteriorates with moisture, it is difficult to perform pattern processing by photolithography after forming an organic compound layer. For this reason, when forming an organic compound layer by vapor deposition, the organic compound layer is divided into pixel units using the metal shadow mask which has the opening corresponding to the shape and arrangement | positioning of a pixel. In order to perform color display, alignment of three shadow masks is required in correspondence with RGB. If an error occurs in the alignment of the shadow mask, the intervals between the pixels become irregular and the thickness of the organic compound becomes uneven.

일본 특허 공개 (평)8-315981호 공보에, 화소 상호의 간격의 불균일을 방지하는 발명이 개시되어 있다.Japanese Unexamined Patent Application Publication No. Hei 8-315981 discloses an invention for preventing nonuniformity in the spacing between pixels.

도 11에 상기 특허 문헌에 개시된 유기 EL 표시 장치의 단면도를 도시한다. 기판(100)의 표면상에, 도면의 횡방향으로 연장하는 하부 전극(101)이 형성되어 있다. 또한, 기판(100) 표면상에 도면의 지면에 수직인 방향으로 연장하는 복수의 절연막(102)이 형성되고, 그 위에 격벽(103)이 형성되어 있다. 하부 전극(101) 중, 2개의 격벽(103) 사이의 영역이 화소 영역을 획정한다.11 is a sectional view of an organic EL display device disclosed in the patent document. On the surface of the substrate 100, a lower electrode 101 extending in the lateral direction of the drawing is formed. In addition, a plurality of insulating films 102 are formed on the surface of the substrate 100 extending in a direction perpendicular to the surface of the drawing, and partition walls 103 are formed thereon. In the lower electrode 101, a region between two partitions 103 defines a pixel region.

격벽(103)은 감광성 수지로 형성되고, 기판(100)으로부터 멀어짐에 따라 폭이 넓어진 역테이퍼 형상의 단면을 갖는다. 하부 전극(101)의 화소 영역 각각의 위에, 유기 화합물층(104) 및 상부 전극(105)이 적층되어 있다. 또, 격벽(103) 위에도, 유기 화합물층(104) 및 상부 전극(105)의 증착시에 퇴적한 유기 화합물층(104a) 및 도전층(105a)이 형성되어 있다.The partition 103 is formed of a photosensitive resin and has an inverse tapered cross section that becomes wider as it moves away from the substrate 100. On each of the pixel regions of the lower electrode 101, an organic compound layer 104 and an upper electrode 105 are stacked. In addition, on the partition 103, the organic compound layer 104a and the conductive layer 105a deposited at the time of deposition of the organic compound layer 104 and the upper electrode 105 are formed.

도 11의 횡방향에 관한 화소의 위치는 격벽(103)에 의해 규정되고, 지면에 수직인 방향에 관한 화소의 위치는 하부 전극(101)에 의해 규정된다. 이 때문에, 유기 화합물층의 증착시에 사용하는 섀도우 마스크의 위치 어긋남이 있어도, 화소 상호의 간격은 불규칙하지 않다.The position of the pixel in the transverse direction in FIG. 11 is defined by the partition 103, and the position of the pixel in the direction perpendicular to the ground is defined by the lower electrode 101. For this reason, even if there exists a position shift of the shadow mask used at the time of vapor deposition of an organic compound layer, the space | interval of a pixel is not irregular.

유기 화합물층(104)의 가장자리 근방은 중앙부보다도 얇아진다. 막두께가 얇은 부분에까지 다이오드가 형성되면, 이 부분에 전류가 집중한다. 도 11에 도시 한 종래예에서는, 유기 화합물층(104)의 가장자리 근방의 부분과 하부 전극(101)의 사이에, 절연막(102)이 배치되어 얇은 부분으로의 전류의 집중을 방지하고 있다.The edge vicinity of the organic compound layer 104 becomes thinner than a center part. When a diode is formed even in a thin film portion, current is concentrated in this portion. In the conventional example shown in FIG. 11, the insulating film 102 is disposed between the portion near the edge of the organic compound layer 104 and the lower electrode 101 to prevent concentration of current in the thin portion.

상기 종래예에서는 격벽(103)이 감광성 수지로 형성되어 있다. 감광성 수지로 형성된 격벽(103)은 분위기의 분자를 흡착하기 쉽다. 격벽(103)에 흡착된 분자는 서서히 격벽(103)으로부터 방출되고 유기 화합물층(104)에 작용하여, 그 열화를 가속한다.In the said conventional example, the partition 103 is formed with the photosensitive resin. The partition 103 formed of the photosensitive resin easily adsorbs molecules in the atmosphere. Molecules adsorbed on the partition wall 103 are gradually released from the partition wall 103 and act on the organic compound layer 104 to accelerate its deterioration.

격벽(103)을 형성한 후에 고온으로 열처리하면, 격벽(103)에 흡착 또는 흡장되어 있는 분자를 방출시킬 수 있다. 그러나, 격벽(103)은 역테이퍼 형상의 불안정한 단면 형상을 갖기 때문에, 유리 전이 온도 이상으로 열처리하면, 형상이 크게 변화해 버린다. 이 때문에, 충분한 온도로 열처리할 수 없다.When the partition 103 is formed and heat-treated at high temperature, molecules adsorbed or occluded in the partition 103 can be released. However, since the partition 103 has an unstable cross-sectional shape of an inverse taper shape, when the heat treatment is performed at a glass transition temperature or higher, the shape changes significantly. For this reason, it cannot heat-process at sufficient temperature.

본 발명의 목적은 유기 화합물층의 열화가 생기기 어려운 유기 EL 표시 장치 및 그의 제조 방법을 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide an organic EL display device in which deterioration of the organic compound layer is unlikely to occur and a method of manufacturing the same.

본 발명의 일 관점에 따르면, 표면상에 복수의 화소 영역이 획정된 기판과, 상기 기판의 표면 중, 상기 화소 영역과 화소 영역 사이의 영역상에 배치되고 무기 절연 재료를 포함하는 하부와, 그 하부 위에 배치되며 그 하부와는 에칭 특성이 상이한 절연 재료를 포함하는 상부를 포함하고, 그 상부가, 그 하부의 측면으로부터 그 화소 영역을 향해 튀어나와 있는 격벽과, 상기 화소 영역상에 형성된 하부 전극과, 상기 하부 전극 위에 배치되어 전류 주입에 의해 발광하는 유기 발광 재료를 포함하는 유기층과, 상기 유기층 위에 배치된 상부 전극을 갖는 유기 EL 표시 장치가 제공된다.According to an aspect of the present invention, there is provided a substrate having a plurality of pixel regions defined thereon, a lower portion of the surface of the substrate disposed on an area between the pixel region and the pixel region and including an inorganic insulating material, and A top wall including an insulating material disposed above the bottom and having an etching property different from the bottom thereof, a top wall of which extends from the side of the bottom toward the pixel area, and a bottom electrode formed on the pixel area And an organic layer including an organic light emitting material disposed on the lower electrode and emitting light by current injection, and an upper electrode disposed on the organic layer.

격벽의 하부가 무기 절연 재료로 형성되어 있기 때문에, 가열에 의해 용이하게 수분이나 흡착 가스를 방출시킬 수 있고, 변형 역시 발생하기 어렵다.Since the lower part of the partition is formed of an inorganic insulating material, it is possible to easily release moisture and adsorption gas by heating, and deformation is also unlikely to occur.

본 발명의 다른 관점에 따르면, 기판상에, 행방향으로 연장하는 복수의 도전막을 포함하는 하부 전극을 형성하는 공정과, 상기 하부 전극을 덮도록 상기 기판상에 무기 절연 재료를 포함하는 제1막을 형성하는 공정과, 상기 제1막 위에 상기 제1막과는 상이한 절연 재료를 포함하는 제2막을 형성하는 공정과, 상기 제2막을 열방향으로 연장하는 복수의 상부 패턴이 남도록 패터닝하는 공정과, 상기 상부 패턴을 에칭 마스크로 하여, 상기 제1막을 에칭하여 그 제1막을 포함하는 하부 패턴을 남길 뿐만 아니라, 그 제1막을 횡방향으로도 에칭하여 상기 상부 패턴이 그 하부 패턴의 단면으로부터 튀어나온 장출부를 형성하는 공정과, 상기 기판 위에, 상기 장출부의 그늘로 되는 영역에도 퍼져 들어가는 조건으로, 유기 발광 재료를 퇴적시켜 유기층을 형성하는 공정과, 상기 유기층 위에 상기 장출부의 그늘로 되는 영역에 퍼져 들어가지 않는 조건, 또는 퍼져 들어가는 양이 상기 유기층을 형성할 때의 퍼져 들어가는 양보다 적게 되는 조건으로, 도전 재료를 퇴적시켜 상부 전극을 형성하는 공정을 갖는 유기 EL 표시 장치의 제조 방법이 제공된다.According to another aspect of the invention, a step of forming a lower electrode including a plurality of conductive films extending in the row direction on the substrate, and a first film containing an inorganic insulating material on the substrate to cover the lower electrode Forming a second film including an insulating material different from the first film on the first film, and patterning the second film to have a plurality of upper patterns extending in the column direction; Using the upper pattern as an etching mask, the first layer is etched to not only leave the lower pattern including the first layer, but also the first layer is laterally etched so that the upper pattern protrudes from the end surface of the lower pattern. Forming an organic layer by forming an emissive portion and depositing an organic light emitting material on the substrate and under conditions that spread to a region that becomes a shade of the elongated portion; The conductive material is deposited to form an upper electrode under the steps of the step and the conditions that do not spread in the shaded region of the elongated portion on the organic layer or the amount that spreads is smaller than the amount spreaded when the organic layer is formed. There is provided a method of manufacturing an organic EL display device having a step of making it.

무기 절연 재료를 포함하는 제1막에서 격벽의 하부가 구성된다. 이 때문에, 격벽의 하부로부터의 수분이나 흡착 가스의 방출을 방지할 수 있다. 상부 전극이 장출부의 그늘에 퍼져 들어가지 않기 때문에, 유기층의 가장자리 근방에 상부 전극이 형성되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 상부 전극의 형성 영역을 유기층의 막두께가 거의 균일한 영역으로 한정할 수 있다.The lower part of a partition is comprised in the 1st film | membrane containing an inorganic insulating material. For this reason, release | release of the water and adsorption gas from the lower part of a partition can be prevented. Since the upper electrode does not spread in the shade of the elongated portion, it is possible to prevent the upper electrode from being formed near the edge of the organic layer. Thereby, the formation region of the upper electrode can be limited to a region where the film thickness of the organic layer is almost uniform.

제2막이 유기물인 경우에는, 제2막을 패터닝한 후, 열처리를 행하는 것이 바람직하다.In the case where the second film is an organic substance, it is preferable to perform heat treatment after patterning the second film.

도 1은 제1 실시예에 따른 유기 EL 표시 장치의 개략 평면도이다.1 is a schematic plan view of an organic EL display device according to a first embodiment.

도 2A 및 도 2B는 제1 실시예에 따른 유기 EL 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 기판의 단면도이다.2A and 2B are cross-sectional views of the substrate for explaining the method for manufacturing the organic EL display device according to the first embodiment.

도 2C 및 도 3A는 제1 실시예에 따른 유기 EL 표시 장치의 단면도이다.2C and 3A are cross-sectional views of the organic EL display device according to the first embodiment.

도 3B는 제1 실시예의 변형예에 따른 유기 EL 표시 장치의 단면도이다.3B is a sectional view of an organic EL display device according to a modification of the first embodiment.

도 4A 내지 도 4G는 제1 실시예에 따른 유기 EL 표시 장치의 정공 수송층에서 상부 전극까지의 증착 공정을 도시하는 개략도이다.4A to 4G are schematic views showing the deposition process from the hole transport layer to the upper electrode of the organic EL display device according to the first embodiment.

도 5는 상부 전극을 증착하는 공정을 설명하기 위한 개략 사시도이다.5 is a schematic perspective view for explaining a process of depositing an upper electrode.

도 6A 및 도 6B는 제2 실시예에 따른 유기 EL 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 기판의 단면도이다.6A and 6B are cross-sectional views of the substrate for explaining the method for manufacturing the organic EL display device according to the second embodiment.

도 6C는 제2 실시예에 따른 유기 EL 표시 장치의 단면도이다.6C is a cross-sectional view of the organic EL display device according to the second embodiment.

도 7은 제3 실시예에 따른 유기 EL 표시 장치의 개략 평면도이다.7 is a schematic plan view of the organic EL display device according to the third embodiment.

도 8A 및 도 8B는 제3 실시예에 따른 유기 EL 표시 장치의 단면도이다.8A and 8B are cross-sectional views of the organic EL display device according to the third embodiment.

도 9A 및 도 9B는 제3 실시예의 변형예에 따른 유기 EL 표시 장치의 단면도이다.9A and 9B are cross-sectional views of an organic EL display device according to a modification of the third embodiment.

도 10은 제4 실시예에 따른 유기 EL 표시 장치의 단면도이다.10 is a sectional view of an organic EL display device according to a fourth embodiment.

도 11은 종래예에 따른 유기 EL 표시 장치의 단면도이다.11 is a sectional view of an organic EL display device according to a conventional example.

도 1에 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 EL 표시 장치의 개략 평면도를 도시한다. 유리 기판상에, 도 1의 횡방향(행방향)으로 연장하는 복수의 하부 전극(10)이 배치되어 있다. 하부 전극(10)은 인듐주석옥사이드(ITO)로 형성되고, 그 폭(W1)은 100㎛이고, 서로 이웃하는 2개의 하부 전극(10)의 간격(W2)은 20㎛이다.1 is a schematic plan view of an organic EL display device according to a first embodiment of the present invention. On the glass substrate, a plurality of lower electrodes 10 extending in the lateral direction (row direction) of FIG. 1 are disposed. The lower electrode 10 is formed of indium tin oxide (ITO), its width W1 is 100 μm, and the spacing W2 of two adjacent lower electrodes 10 is 20 μm.

유리 기판 및 하부 전극(10) 위에, 도 1의 종방향(열방향)에 연장하는 복수의 격벽(20)이 배치되어 있다. 격벽(20)의 폭(W3)은 40㎛이고, 서로 이웃하는 2개의 격벽(20)의 간격(W4)은 320㎛이다. 하부 전극(10)의 각각의 표면 중, 격벽(20) 사이의 영역이 1개의 화소 영역(5)으로 된다.On the glass substrate and the lower electrode 10, a plurality of partition walls 20 extending in the longitudinal direction (column direction) of FIG. 1 are disposed. The width W3 of the partition wall 20 is 40 µm, and the distance W4 between two neighboring partition walls 20 is 320 µm. Of the surfaces of the lower electrodes 10, the region between the partition walls 20 is one pixel region 5.

도 2A 내지 도 5를 참조하여, 제1 실시예에 따른 유기 EL 표시 장치의 제조 방법에 대해 설명한다. 도 2A 내지 도 2C는 도 1의 일점 쇄선 A2-A2에서의 단면에 대응하고, 도 3A는 도 1의 일점 쇄선 A3-A3에서의 단면에 대응한다.A method of manufacturing the organic EL display device according to the first embodiment will be described with reference to FIGS. 2A to 5. 2A-2C correspond to the cross section at dashed-dotted line A2-A2 in FIG. 1, and FIG. 3A corresponds to the cross section at dashed-dotted line A3-A3 in FIG. 1.

도 2A에 도시하는 바와 같이, 유리 기판(1) 위에 ITO를 포함하는 하부 전극(10)을 형성한다. 하부 전극(10)은 스퍼터링에 의해 두께 150nm의 ITO막을 퇴적시키고, 이 ITO막을 등방성 에칭에 의해 패터닝함으로써 형성된다.As shown in FIG. 2A, the lower electrode 10 including ITO is formed on the glass substrate 1. The lower electrode 10 is formed by depositing an ITO film having a thickness of 150 nm by sputtering and patterning the ITO film by isotropic etching.

하부 전극(10)을 덮도록, 유리 기판(1) 위에 플라즈마 여기 화학 기상 성장(PECVD)에 의해, 두께 400nm의 질화규소막(11A)을 퇴적시킨다. 질화규소(11A)의 표면에 포지형 레지스트를 도포하여 레지스트막을 형성하고, 노광 및 현상을 행하여, 도 1에 도시한 격벽(20)에 대응하는 패턴을 형성한다. 패터닝된 레지스트막을 유리 전이 온도 이상으로 열처리함으로써, 격벽 상부(12)를 형성한다. 레지스트 패턴의 단면 형상은 바닥면이 상면보다 넓은 순(順)테이퍼 형상이기 때문에, 역(逆)테이퍼 형상인 경우에 비해, 레지스트 패턴은 열처리에 의한 변형을 일으키키 어렵다.A silicon nitride film 11A having a thickness of 400 nm is deposited on the glass substrate 1 by plasma excited chemical vapor deposition (PECVD) so as to cover the lower electrode 10. A positive resist is applied to the surface of the silicon nitride 11A to form a resist film, and exposure and development are performed to form a pattern corresponding to the partition wall 20 shown in FIG. The partitioned upper part 12 is formed by heat-processing a patterned resist film more than glass transition temperature. Since the cross-sectional shape of the resist pattern is a forward tapered shape having a wider bottom surface than the upper surface, the resist pattern is less likely to be deformed by heat treatment as compared with the reverse tapered shape.

레지스트 패턴을 레지스트 재료의 유리 전이 온도 이상의 온도로 열처리함으로써, 레지스트 패턴으로부터 용매나 수분 등을 제거하면서, 막을 치밀화하여 분위기 가스의 흡장을 억제하고, 그 형상의 안정성을 높일 수 있다. 또한, 에칭 마스크로서의 성능을 높일 수 있다.By heat-treating a resist pattern at the temperature more than the glass transition temperature of a resist material, a film can be made densified while removing a solvent, moisture, etc. from a resist pattern, suppressing the occlusion of atmospheric gas, and improving the stability of the shape. Moreover, the performance as an etching mask can be improved.

배럴형 플라즈마 에칭제에, 에칭 가스로서 CF4와 O2의 혼합 가스(산소 농도 5％)를 도입하고, 격벽 상부(12)를 에칭 마스크로 하여 질화규소막(11A)을 등방적으로 에칭한다.A mixed gas (5% oxygen concentration) of CF 4 and O 2 is introduced into the barrel-type plasma etching agent, and the silicon nitride film 11A is isotropically etched using the partition upper part 12 as an etching mask.

도 2B에 도시하는 바와 같이, 격벽 상부(12)가 배치되어 있지 않은 영역에서는, 하부 전극(10)이 노출하고, 격벽(12) 하부에 질화규소를 포함하는 격벽 하부(11)가 남는다. 격벽 하부(11) 및 격벽 상부(12)가 격벽(20)을 구성한다. 질화규소막(11A)이 등방적으로 에칭되기 때문에, 횡방향으로도 에칭이 진행된다. 이 때문에, 격벽(20)의 단면은 격벽 상부(12)가 격벽 하부(11)의 측면으로부터 화소 영역을 향해 튀어나온 형상으로 된다.As shown in FIG. 2B, in the region where the upper partition 12 is not disposed, the lower electrode 10 is exposed, and the lower partition 11 including silicon nitride remains in the lower partition 12. The partition bottom 11 and the partition top 12 constitute the partition 20. Since the silicon nitride film 11A is isotropically etched, the etching proceeds also in the lateral direction. For this reason, the cross section of the partition 20 has a shape in which the upper part of the partition 12 protrudes from the side surface of the lower part of the partition 11 toward the pixel region.

도 2C에 도시하는 바와 같이, 기판상에 유기 화합물층을 섀도우 마스크 증착법에 의해 퇴적시킨다. 도 4A 내지 도 5를 참조하여, 유기 화합물층의 퇴적 방법 에 대해 설명한다.As shown in Fig. 2C, an organic compound layer is deposited on the substrate by the shadow mask deposition method. With reference to FIGS. 4A-5, the deposition method of an organic compound layer is demonstrated.

도 4A에 도시하는 바와 같이, 표시 영역 전체에 걸쳐 개구가 형성된 섀도우 마스크(30)를 이용하여, 유기 정공 수송 재료를 증착한다. 도 3A에 도시하는 단면에 있어서는, 하부 전극(10) 위에 정공 수송층(14)이 형성된다. 도 2C에 도시한 단면에 있어서는, 하부 전극(10)의 화소 영역(5) 위에 정공 수송층(14)이 형성된다. 정공 수송 재료는 격벽 상부(12)의 장출부의 그늘로 되는 영역에도 퍼져 들어가기 때문에, 장출부의 하방으로도 정공 수송층(14)이 퇴적된다.As shown in FIG. 4A, the organic hole transport material is deposited using the shadow mask 30 with openings formed over the entire display area. In the cross section shown in FIG. 3A, a hole transport layer 14 is formed on the lower electrode 10. In the cross section shown in FIG. 2C, the hole transport layer 14 is formed on the pixel region 5 of the lower electrode 10. Since the hole transporting material also spreads to the area which becomes the shadow of the elongated part of the upper part of the partition 12, the hole transport layer 14 is also deposited below the elongated part.

도 4B에 도시하는 바와 같이, 동일색의 화소에 대응한 개구를 갖는 섀도우 마스크(31)를 이용하여, 적색 화소 영역에 적색용의 유기 발광 재료를 증착한다. 다음으로, 도 4C에 도시하는 바와 같이, 섀도우 마스크(31)를 1화소분 이동시켜, 녹색 화소 영역에 녹색용의 유기 발광 재료를 증착한다. 또한, 도 4D에 도시하는 바와 같이, 섀도우 마스크(31)를 1화소분 이동시켜, 청색용 화소 영역에 청색용의 유기 발광 재료를 증착한다.As shown in Fig. 4B, an organic light emitting material for red is deposited on the red pixel region using the shadow mask 31 having an opening corresponding to the pixel of the same color. Next, as shown in FIG. 4C, the shadow mask 31 is moved by one pixel to deposit an organic light emitting material for green on the green pixel region. In addition, as shown in FIG. 4D, the shadow mask 31 is moved by one pixel to deposit an organic light emitting material for blue in the blue pixel region.

도 3A에 도시하는 바와 같이, 적색용의 유기 발광층(15R), 녹색용의 유기 발광층(15G) 및 청색용의 유기 발광층(15B)이 소정의 화소 영역상에 형성된다. 정공 수송층(14)과 유기 발광층(15)의 합계의 두께는 100nm이다. 도 2C에 도시한 단면내의 화소에는 동일색의 유기 발광층, 예를 들면 적색용의 유기 발광층(15R)이 형성된다. 또한, 격벽 상부(12)의 표면상에도 정공 수송 재료 및 유기 발광 재료가 퇴적하여, 유기 화합물층(14a 및 15a)이 형성된다.As shown in Fig. 3A, an organic light emitting layer 15R for red, an organic light emitting layer 15G for green, and an organic light emitting layer 15B for blue are formed on a predetermined pixel region. The total thickness of the hole transport layer 14 and the organic light emitting layer 15 is 100 nm. In the pixel in the cross section shown in Fig. 2C, an organic light emitting layer of the same color, for example, an organic light emitting layer 15R for red color is formed. In addition, a hole transporting material and an organic light emitting material are deposited on the surface of the upper part of the partition 12 to form the organic compound layers 14a and 15a.

도 4E에 도시하는 바와 같이, 표시 영역 전체에 걸쳐 개구가 형성된 섀도우 마스크(30)를 이용하여, 유기 발광층(15R, 15G, 15G) 위에 AlLi 합금을 증착하여, 상부 전극(16)을 형성한다. 상부 전극(16)의 두께는 120nm로 한다.As shown in FIG. 4E, the AlLi alloy is deposited on the organic light emitting layers 15R, 15G, and 15G by using the shadow mask 30 with openings formed over the entire display area to form the upper electrode 16. The thickness of the upper electrode 16 is 120 nm.

도 5에 상부 전극(16)을 형성하기 위한 증착 장치의 개략 사시도를 도시한다. 도가니(35)내에 상부 전극의 원료(36)가 장전되어 있다. 기판(1)과 도가니(35)의 사이에 시준기(collimator)(37)가 배치되어 있다. 시준기(37)는 어떤 두께의 판에, 두께 방향으로 평행한 중심축을 갖는 다수의 관통공(38)이 형성된 유공판 부재이다. 관통공(38)의 단면은 원형이라도 되고, 육각형이라도 되며, 그 외의 형상이라도 무방하다.5 shows a schematic perspective view of a deposition apparatus for forming the upper electrode 16. The raw material 36 of the upper electrode is loaded in the crucible 35. A collimator 37 is arranged between the substrate 1 and the crucible 35. The collimator 37 is a perforated plate member in which a plurality of through holes 38 having a central axis parallel to the thickness direction are formed in a plate of a certain thickness. The cross section of the through hole 38 may be circular, hexagonal, or any other shape.

도가니(35)로부터 증발하여 기판(1)의 법선으로부터 크게 기울어진 방향으로 비상하는 원료는 관통공(38)을 통과할 수 없어, 기판(1)까지 도달하지 않는다. 기판(1)의 법선 방향으로 거의 평행하게 비상하는 원료는 관통공(38)을 통과하여, 기판(1)까지 도달한다. 이 때문에, 도 2C에 도시한 바와 같이, 상부 전극 재료는 격벽 상부(12)의 장출부의 그늘로 거의 퍼져 들어가지 않는다. 상부 전극 재료가 퍼져 들어가는 양은, 정공 수송 재료나 유기 발광 재료의 퍼져 들어가는 양에 비해 적다. 이 때문에, 유기 발광층(15R)의 가장자리 근방에는 상부 전극(16)이 형성되지 않는다. 또, 격벽(20) 위에도 상부 전극 재료가 퇴적하여 도전층(16a)이 형성된다.Raw materials that evaporate from the crucible 35 and fly in a direction that is greatly inclined from the normal of the substrate 1 cannot pass through the through hole 38, and thus do not reach the substrate 1. The raw material which is substantially parallel to the normal direction of the substrate 1 passes through the through hole 38 and reaches the substrate 1. For this reason, as shown in FIG. 2C, the upper electrode material hardly spreads into the shade of the elongated portion of the partition 12 upper portion. The amount of spreading of the upper electrode material is smaller than the amount of spreading of the hole transporting material or the organic light emitting material. For this reason, the upper electrode 16 is not formed in the vicinity of the edge of the organic light emitting layer 15R. The upper electrode material is also deposited on the partition wall 20 to form the conductive layer 16a.

예를 들면, 시준기(37)의 두께를 60mm, 관통공(38)의 직경을 5mm로 하면, 기판의 법선으로부터 4.8°이상 기울어진 방향으로 비상하는 원료는 기판(1)에 도달하지 않는다. 유기 발광층(15R, 15G, 15B)을 형성할 때의 원료의 비상 방향과 기 판 법선 방향이 이루는 최대각이 4.8°보다 커지도록 함으로써, 상부 전극 재료가 퍼져 들어가는 양을 유기 발광 재료가 퍼져 들어가는 양보다 크게 할 수 있다. 예를 들면, 시준기(37)를 떼어 내, 증발원을 넓은 영역에 배치함으로써, 모든 화소에 대해 퍼져 들어가는 양을 크게 할 수 있다.For example, when the thickness of the collimator 37 is 60 mm and the diameter of the through hole 38 is 5 mm, the raw material which escapes in the direction inclined at least 4.8 degrees from the normal of the substrate does not reach the substrate 1. When the organic light emitting layers 15R, 15G, and 15B are formed, the maximum angle formed between the emergency direction of the raw material and the substrate normal direction becomes larger than 4.8 °, so that the amount of the organic light emitting material spreads out by the amount of the upper electrode material spreading out. It can be made larger. For example, by removing the collimator 37 and arranging the evaporation source in a wide area, it is possible to increase the amount spreading in all the pixels.

기판(1)내의 모든 화소에 대해 증착 조건을 동등하게 하기 위해서, 도 5에 도시한 도가니(35)를 기판(1)에 평행한 가상면을 따라 복수개 배치하는 것이 바람직하다. 또한, 증착중에 기판(1)을 회전시킴으로써, 막두께의 균일성을 보다 높일 수 있다.In order to make the deposition conditions the same for all the pixels in the substrate 1, it is preferable to arrange a plurality of crucibles 35 shown in FIG. 5 along an imaginary plane parallel to the substrate 1. In addition, the uniformity of the film thickness can be further improved by rotating the substrate 1 during vapor deposition.

도 4F에 도시하는 바와 같이, 기판(1)을 진공 용기내에 배치하여, 유기 발광층이 형성된 면에 밀봉 부재(40)를 씌운다. 기판(1)과 밀봉 부재(40)를 자외선 경화형 접착제로 접착한다. 자외선을 조사할 때에는, 유기 정공 수송층이나 유기 발광층에 자외선이 조사되지 않도록, 차광판(42)으로 자외선을 차광한다.As shown in FIG. 4F, the substrate 1 is disposed in a vacuum container, and the sealing member 40 is covered on the surface on which the organic light emitting layer is formed. The board | substrate 1 and the sealing member 40 are adhere | attached with an ultraviolet curable adhesive agent. When irradiating an ultraviolet-ray, an ultraviolet-ray is shielded by the light shielding plate 42 so that an ultraviolet-ray may not be irradiated to an organic hole transport layer or an organic light emitting layer.

도 4G에 도시하는 바와 같이, 유기 발광층에서 발생한 빛이 기판(1)을 투과하여 외부에 방사되는 유기 EL 표시 장치가 얻어진다.As shown in Fig. 4G, an organic EL display device in which light generated in the organic light emitting layer passes through the substrate 1 and is radiated to the outside is obtained.

상기 제1 실시예에서는, 도 2C에 도시한 바와 같이, 유기 정공 수송층(14)이나 유기 발광층(15R)의 가장자리 근방의 얇은 영역상에 상부 전극(16)이 형성되지 않는다. 이 때문에, 유기 발광층(15R)에 거의 균일하게 전류를 흘릴 수 있다.In the first embodiment, as shown in Fig. 2C, the upper electrode 16 is not formed on the thin region near the edge of the organic hole transport layer 14 or the organic light emitting layer 15R. For this reason, a current can flow through the organic light emitting layer 15R almost uniformly.

또한, 제1 실시예에서는, 도 2A에 도시한 감광성 수지를 포함하는 격벽 상부(12)를, 그 형상을 유지한 채로 고온으로 열처리할 수 있다. 이 때문에, 유기 용매나 흡착되어 있는 가스를 충분히 탈리시킬 수 있다. 이에 따라, 유기 재료로부 터 탈리한 가스에 기인하는 유기 EL 표시 장치의 열화를 방지할 수 있다.In addition, in the first embodiment, the partition 12 upper part containing the photosensitive resin shown in FIG. 2A can be heat-treated at high temperature while maintaining its shape. For this reason, the organic solvent and the adsorbed gas can be sufficiently desorbed. As a result, it is possible to prevent deterioration of the organic EL display device due to the gas detached from the organic material.

도 3B에 제1 실시예의 변형예에 따른 유기 EL 표시 장치의 단면도를 도시한다. 제1 실시예에서는, 도 3A의 단면 방향(도 1의 열방향)으로 RGB의 화소가 배열하고 있다. 도 3B에 나타낸 변형예에서는, 도 1의 행방향으로 RGB의 화소가 배열하고 있다. 이 때문에, 도 3B의 단면내에는 1색의 화소만이 나타난다. 이 때문에, 1개의 유기 발광층(15)이 도 3B의 횡방향으로 연장한다.3B is a sectional view of an organic EL display device according to a modification of the first embodiment. In the first embodiment, RGB pixels are arranged in the cross-sectional direction (column direction in FIG. 1) in FIG. 3A. In the modification shown in FIG. 3B, the RGB pixels are arranged in the row direction of FIG. 1. For this reason, only one color pixel appears in the cross section of FIG. 3B. For this reason, one organic light emitting layer 15 extends in the lateral direction of FIG. 3B.

다음으로, 도 6을 참조하여, 제2 실시예에 따른 유기 EL 표시 장치에 대해 설명한다. 제2 실시예에 따른 유기 EL 표시 장치의 평면도는, 도 1에 도시한 제1 실시예의 유기 EL 표시 장치의 평면도와 동일하며, 도 6A 내지 6C는 도 1의 일점 쇄선 A2-A2에서의 단면에 상당한다.Next, referring to FIG. 6, the organic EL display device according to the second embodiment will be described. The plan view of the organic EL display device according to the second embodiment is the same as the plan view of the organic EL display device of the first embodiment shown in Fig. 1, and Figs. 6A to 6C are cross-sectional views taken along the dashed line A2-A2 of Fig. 1. It is considerable.

도 6A에 도시하는 바와 같이, 유리 기판(1) 위에 하부 전극(10)을 형성한다. 하부 전극(10)은 도 1 및 도 2A에 도시한 제1 실시예의 하부 전극(10)과 동일한 구조를 갖는다. 하부 전극(10)을 덮도록, 기판(1) 위에 두께 400nm의 질화규소(50A)과 두께 300nm의 산화규소막(51A)을, PECVD에 의해 차례로 퇴적시킨다. 산화규소막(51A) 위에 레지스트 패턴(52)을 형성한다. 레지스트 패턴(52)은 도 1에 도시한 격벽(20)에 대응하는 위치에 배치된다. 레지스트 패턴(52)을 형성한 후, 포스트 베이킹을 행한다.As shown in FIG. 6A, the lower electrode 10 is formed on the glass substrate 1. The lower electrode 10 has the same structure as the lower electrode 10 of the first embodiment shown in FIGS. 1 and 2A. To cover the lower electrode 10, a silicon nitride film 50A having a thickness of 400 nm and a silicon oxide film 51A having a thickness of 300 nm are sequentially deposited on the substrate 1 by PECVD. The resist pattern 52 is formed on the silicon oxide film 51A. The resist pattern 52 is disposed at a position corresponding to the partition wall 20 shown in FIG. 1. After the resist pattern 52 is formed, post-baking is performed.

평행 평판형 반응성 이온 에칭제에 CHF3과 H2의 혼합 가스(CHF3의 농도 10％)를 도입하고, 레지스트 패턴(52)을 에칭 마스크로 하여 산화규소막(51A)을 이방적 으로 에칭한다.A mixed gas of CHF 3 and H 2 (concentration 10% of CHF 3 ) is introduced into the parallel plate-type reactive ion etchant, and the silicon oxide film 51A is anisotropically etched using the resist pattern 52 as an etching mask. .

도 6B에 도시하는 바와 같이, 레지스트 패턴(52) 아래에 산화규소를 포함하는 격벽 상부(51)가 남는다. 다음으로, 배럴형 플라즈마 에칭제에 CF4와 O2의 혼합 가스(O2 농도 5％)를 도입하고, 레지스트 패턴(52) 및 격벽 상부(51)를 에칭 마스크로 하여 질화규소(50A)를 등방적으로 에칭한다. 질화규소를 포함하는 격벽 하부(50)가 남는다. 질화규소막(50A)이 횡방향으로도 에칭되기 때문에, 격벽 상부(51)가 격벽 하부(50)의 측면으로부터 튀어나온 형상의 격벽(20)이 얻어진다. 제1 실시예의 도 3A에 도시한 바와 같이, 하부 전극(10)이 배치되어 있지 않은 영역에, 질화규소막(50A)의 일부(도 3A에 있어서는 질화규소막(11A))를 남긴다. 질화규소막(50A)을 에칭한 후, 레지스트 패턴(52)을 제거한다.As shown in FIG. 6B, an upper portion of the partition wall 51 containing silicon oxide remains under the resist pattern 52. Next, a mixed gas of CF 4 and O 2 (5% O 2 concentration) is introduced into the barrel-type plasma etchant, and silicon nitride 50A is isotropically made using the resist pattern 52 and the upper part of the partition wall 51 as an etching mask. Etching is performed. The bottom part of the partition 50 containing silicon nitride remains. Since the silicon nitride film 50A is also etched in the lateral direction, a partition wall 20 having a shape in which the upper part of the partition wall 51 protrudes from the side surface of the lower part of the partition wall 50 is obtained. As shown in FIG. 3A of the first embodiment, part of the silicon nitride film 50A (silicon nitride film 11A in FIG. 3A) is left in the region where the lower electrode 10 is not disposed. After etching the silicon nitride film 50A, the resist pattern 52 is removed.

레지스트 패턴(52)을 제거한 후, 열처리를 행한다. 이 열처리는 기판 표면에 흡착되어 있는 수분 등을 제거할 수 있는 온도에서 행한다.After the resist pattern 52 is removed, heat treatment is performed. This heat treatment is performed at a temperature at which moisture and the like adsorbed on the substrate surface can be removed.

도 6C에 도시하는 바와 같이, 화소 영역상에 정공 수송층(14), 유기 발광층(15) 및 상부 전극(16)을 형성한다. 이들 층은, 제1 실시예의 경우와 마찬가지의 방법으로 형성된다. 격벽(20) 위에도, 정공 수송 재료를 포함하는 층(14a), 유기 발광 재료를 포함하는 층(15a), 상부 전극 재료를 포함하는 층(16a)이 퇴적된다.As shown in FIG. 6C, the hole transport layer 14, the organic light emitting layer 15, and the upper electrode 16 are formed on the pixel region. These layers are formed in the same manner as in the case of the first embodiment. On the partition wall 20, a layer 14a including a hole transport material, a layer 15a including an organic light emitting material and a layer 16a including an upper electrode material are deposited.

제2 실시예에서는, 격벽(20)이 무기 재료로 형성된다. 이 때문에, 유기 용매나 흡착 물질이 이탈하는 것에 기인하는 유기 EL 표시 장치의 열화를 방지할 수 있다.In the second embodiment, the partition wall 20 is formed of an inorganic material. For this reason, deterioration of the organic electroluminescence display resulting from leaving an organic solvent or an adsorption substance can be prevented.

상기 제2 실시예에서는, 격벽 하부(50)를 질화규소로 형성하고, 격벽 상부(51)를 산화규소로 형성하였지만, 양자를 서로 에칭 특성이 상이한 무기 절연 재료로 형성하여도 된다. 격벽 상부(51)를 에칭 마스크로 하고 그 하층을 에칭하여, 격벽 하부(50)을 형성할 수 있다.In the second embodiment, the lower part of the partition wall 50 is formed of silicon nitride and the upper part of the partition wall 51 is formed of silicon oxide, but both may be formed of an inorganic insulating material having different etching characteristics from each other. The lower part of the partition wall 50 can be formed by making the upper part of the partition wall 51 into an etching mask, and etching the lower layer.

또한, 상기 제2 실시예에서는, 격벽 하부(50)와 격벽 상부(51)를 서로 상이한 무기 절연 재료로 형성하였지만, 구성 원소가 동일하며 그 조성비가 상이한 무기 화합물로 형성하여도 된다. 예를 들면, 격벽 하부(50)와 격벽 상부(51)를 모두 질화규소로 형성하고, 격벽 하부(50)와 격벽 상부(51)에서 규소와 질소의 조성비를 바꾸어도 된다.In addition, in the said 2nd Example, although the lower part of the partition 50 and the upper part of the partition 51 were formed with mutually different inorganic insulating material, you may form with the inorganic compound which is the same in constituent elements and differs in the composition ratio. For example, both the lower partition walls 50 and the upper partition walls 51 may be formed of silicon nitride, and the composition ratio of silicon and nitrogen may be changed in the lower partition walls 50 and the upper partition walls 51.

예를 들면, 격벽 하부(50)의 Si:N을 1:1로 하고, 격벽 상부(51)의 Si:N을 1.2:1로 한다. 농도 1％의 불산으로 에칭하는 경우, N의 조성비가 증가하면 에칭 속도가 빨라진다. 이 때문에, 격벽 상부(51)의 에칭 속도보다 격벽 하부(50)의 에칭 속도가 빠른 조건으로 에칭을 행할 수 있다.For example, Si: N of the lower part of the partition 50 is 1: 1, and Si: N of the upper part of the partition 51 is 1.2: 1. In the case of etching with hydrofluoric acid at a concentration of 1%, the etching rate is increased when the composition ratio of N is increased. For this reason, etching can be performed on the conditions which the etching rate of the partition lower part 50 is faster than the etching rate of the partition upper part 51. FIG.

또한, 조성비가 다른 2층을 적층하는 것이 아니라, 높이 방향에 관해 조성비가 서서히 변화하는 무기 화합물층을 에칭함으로써, 격벽(20)을 형성하는 것도 가능하다. 예를 들면, 격벽(20)을 질화규소로 형성하고, 기판(1)으로부터 멀어짐에 따라, 질소의 조성비를 작게 하여도 된다. 이 질화규소층을 불산으로 에칭하는 경우, 기판에 가까운 부분의 에칭 속도가 상방 부분의 에칭 속도보다 빠르기 때문에, 높아짐에 따라 서서히 넓어진 단면 형상을 갖는 격벽(20)을 형성할 수 있다. 또, 이 경우, 우선 이방성 에칭을 행하고, 그 후, 등방성 에칭을 행하는 것이 바람직하 다.In addition, the partition wall 20 can be formed by etching the inorganic compound layer whose composition ratio gradually changes with respect to the height direction, instead of laminating | stacking two layers from which a composition ratio differs. For example, the partition 20 may be formed of silicon nitride, and the composition ratio of nitrogen may be made smaller as it moves away from the substrate 1. When the silicon nitride layer is etched with hydrofluoric acid, since the etching rate of the portion close to the substrate is faster than the etching rate of the upper portion, it is possible to form the partition wall 20 having a cross-sectional shape that gradually widens as it is increased. In this case, it is preferable to first perform anisotropic etching, and then to perform isotropic etching.

질화규소막의 조성비의 제어는 원료 가스의 분압, 예를 들면 실란과 암모니아의 분압을 제어함으로써 행할 수 있다. 예를 들면, PECVD에 의해 기판 온도 320℃, 가스압 13.3Pa(0.1Torr), 플라즈마 발생을 위한 주파수 13.56MHz의 고주파 전력 0.1W/㎠의 조건으로 질화규소막을 퇴적시키는 경우, 실란과 암모니아의 분압비를 1:2로 하면 형성되는 질화규소의 조성비 Si:N이 1.2:1로 되고, 실란과 암모니아의 분압비를 1:3으로 하면 형성되는 질화규소의 조성비 Si:N이 1:1로 된다. 성막중에 분압비를 서서히 바꿈으로써, 두께 방향에 관해서 조성비가 서서히 변화하는 질화규소막을 형성할 수 있다.The composition ratio of the silicon nitride film can be controlled by controlling the partial pressure of the source gas, for example, the partial pressure of silane and ammonia. For example, when the silicon nitride film is deposited by PECVD under the conditions of a substrate temperature of 320 ° C., a gas pressure of 13.3 Pa (0.1 Torr), and a high frequency power of 0.1 W / cm 2 at a frequency of 13.56 MHz for plasma generation, the partial pressure ratio of silane and ammonia is reduced. When the ratio is 1: 2, the composition ratio Si: N of silicon nitride formed is 1.2: 1, and when the partial pressure ratio of silane and ammonia is 1: 3, the composition ratio Si: N of silicon nitride formed is 1: 1. By gradually changing the partial pressure ratio during the film formation, a silicon nitride film in which the composition ratio gradually changes in the thickness direction can be formed.

다음으로, 도 7 내지 도 9를 참조하여, 제3 실시예에 따른 유기 EL 표시 장치에 대해 설명한다.Next, the organic EL display device according to the third embodiment will be described with reference to FIGS. 7 to 9.

도 7에 제3 실시예에 따른 유기 EL 표시 장치의 개략 평면도를 도시한다. 기판의 표면상에, 행방향으로 연장하는 복수의 하부 전극(10)이 배치되어 있다. 상기 제1 실시예에서는, 도 1에 도시한 바와 같이, 격벽(20)이 열방향으로 연장하고 있었지만, 제3 실시예에서는 격벽이 격자 형성으로 배치되어 있다. 격벽의 행방향으로 연장하는 부분은, 상호 이웃하는 2개의 하부 전극(10)의 사이에 배치된다. 하부 전극(10)과 겹치는 위치에 격벽의 개구 영역(21)이 배치된다. 개구 영역(21)은 행렬 형상으로 배치되어 그 각각이 1개의 화소 영역에 대응한다.7 is a schematic plan view of the organic EL display device according to the third embodiment. On the surface of the substrate, a plurality of lower electrodes 10 extending in the row direction are disposed. In the first embodiment, as shown in FIG. 1, the partition wall 20 extends in the column direction. In the third embodiment, the partition wall is arranged in a lattice formation. The portion extending in the row direction of the partition wall is disposed between the two lower electrodes 10 adjacent to each other. The opening region 21 of the partition wall is disposed at a position overlapping the lower electrode 10. The opening regions 21 are arranged in a matrix shape, each of which corresponds to one pixel region.

개구 영역(21)의 각 열에 대응하며, 열방향으로 연장하는 상부 전극(60)이 배치되어 있다. 상부 전극(60)의 각각은, 개구 영역(21)의 행방향의 치수보다 넓 은 폭을 갖고, 개구 영역(21)을 내포한다.The upper electrode 60 corresponding to each column of the opening area 21 and extending in the column direction is disposed. Each of the upper electrodes 60 has a width wider than the dimension in the row direction of the opening region 21 and includes the opening region 21.

도 8A에, 도 7의 일점 쇄선 A8-A8에서의 단면도를 나타낸다. 유리 기판(1) 위에 하부 전극(10)이 형성되어 있다. 또한, 격벽 하부(11)와 격벽 상부(12)로 구성된 격벽(20)이 형성되어 있다. 격벽(20)의 단면 구조는, 도 2B에 도시한 제1 실시예의 격벽(20)의 단면 구조와 동일하다.8A is a cross sectional view taken along the dashed-dotted line A8-A8 in FIG. 7. The lower electrode 10 is formed on the glass substrate 1. In addition, the partition wall 20 which consists of the partition 11 lower part and the partition upper part 12 is formed. The cross-sectional structure of the partition wall 20 is the same as that of the partition wall 20 of the first embodiment shown in FIG. 2B.

개구 영역(21)의 하부 전극(10)상에, 정공 수송층(14) 및 유기 발광층(15)이 형성되어 있다. 격벽(20) 위에도 정공 수송 재료를 포함하는 층(14a) 및 유기 발광 재료를 포함하는 층(15a)이 퇴적되어 있다. 유기 발광층(15) 위에 상부 전극(60)이 형성되어 있다. 상부 전극(60)은 그 양측의 격벽(20) 위까지 걸쳐 있다.The hole transport layer 14 and the organic light emitting layer 15 are formed on the lower electrode 10 of the opening region 21. On the partition wall 20, a layer 14a containing a hole transport material and a layer 15a containing an organic light emitting material are deposited. The upper electrode 60 is formed on the organic emission layer 15. The upper electrode 60 extends over the partition walls 20 on both sides thereof.

도 8B에 도 7의 일점 쇄선 B8-B8에서의 단면도를 도시한다. 도 8B의 횡방향으로 RGB의 화소가 늘어서 있다. 상부 전극(60)이 복수의 개구 영역(21)에 걸쳐 도 8B의 횡방향으로 연장하고 있다.8B is a sectional view taken along dashed-dotted line B8-B8 in FIG. 7. Pixels of RGB are lined up in the lateral direction of FIG. 8B. The upper electrode 60 extends in the lateral direction of FIG. 8B over the plurality of opening regions 21.

도 8A 및 도 8B에 도시하는 바와 같이, 기판(1), 격벽(20) 및 상부 전극(60)에 의해, 화소마다 폐쇄된 공간이 획정된다. 정공 수송층(14) 및 유기 발광층(15)이 이 폐쇄된 공간내에 배치된다.As shown in FIGS. 8A and 8B, the closed space is defined for each pixel by the substrate 1, the partition wall 20, and the upper electrode 60. The hole transport layer 14 and the organic light emitting layer 15 are disposed in this closed space.

제3 실시예에 따른 유기 EL 표시 장치의 하부 전극(10)의 형성 공정에서 유기 발광층(15)의 형성 공정까지는, 제1 실시예에 따른 유기 EL 표시 장치의 제조 공정과 마찬가지이다. 제3 실시예에서는, 상부 전극(60)을 제1 실시예의 경우보다 두껍게 퇴적시킴으로써, 유기 발광층(15)의 표면으로부터 격벽(20) 위까지 연속시킨다. 상부 전극(60)의 증착은 화소의 열에 대응한 개구를 갖는 섀도우 마스크를 이용하여 행해진다.The process from forming the lower electrode 10 of the organic EL display device according to the third embodiment to forming the organic light emitting layer 15 is the same as the manufacturing process of the organic EL display device according to the first embodiment. In the third embodiment, the upper electrode 60 is deposited thicker than in the case of the first embodiment, thereby continuing from the surface of the organic light emitting layer 15 to the partition 20 above. Deposition of the upper electrode 60 is performed using a shadow mask having an opening corresponding to the column of pixels.

도 8A에 도시하는 바와 같이, 격벽(20)의 상방에 있어서 상부 전극(60)의 간극에, 유기 발광 재료를 포함하는 유기막(15a)이 노출하는 경우가 있다. 기판(1)에 자외선을 조사함으로써, 노출한 유기막(15a) 및 그 아래의 유기막(14a)을 변질시킨다. 또, 자외선을 조사하는 대신에 산화성의 분위기에 노출시켜도 된다.As shown in FIG. 8A, the organic film 15a containing the organic light emitting material may be exposed in the gap between the upper electrode 60 above the partition 20. By irradiating the substrate 1 with ultraviolet rays, the exposed organic film 15a and the organic film 14a below are altered. In addition, you may expose to an oxidizing atmosphere instead of irradiating an ultraviolet-ray.

도 8C에 도 7의 상부 전극(60)을 퇴적시킬 때에 적용하는 섀도우 마스크의 개구의 행방향의 폭을, 유기막(14a 및 15a)을 퇴적시킬 때에 적용하는 섀도우 마스크의 개구의 행방향의 폭보다 넓게 했을 경우의, 일점 쇄선 A8-A8에서의 단면도를 도시한다. 유기막(14a 및 15a)은 완전하게 상부 전극(60)에 덮여 노출하지 않는다. 이 때문에, 유기막(14a 및 15a)을 변질시키는 공정은 불필요하게 된다.The width in the row direction of the opening of the shadow mask applied when depositing the upper electrode 60 of FIG. 7 in FIG. 8C is the width in the row direction of the opening of the shadow mask applied when depositing the organic films 14a and 15a. The cross section in dashed-dotted line A8-A8 at the time of making it wider is shown. The organic films 14a and 15a are completely covered by the upper electrode 60 and are not exposed. For this reason, the process of changing the organic films 14a and 15a is unnecessary.

제3 실시예에서는, 정공 수송층(14) 및 유기 발광층(15)이 외기로부터 격리된 공간내에 배치된다. 이 때문에, 수분 등의 침입에 의한 유기 화합물의 열화를 방지할 수 있다.In the third embodiment, the hole transport layer 14 and the organic light emitting layer 15 are disposed in a space isolated from the outside air. For this reason, deterioration of the organic compound by the invasion of moisture etc. can be prevented.

도 9A 및 도 9B에, 제3 실시예의 변형예에 따른 유기 EL 표시 장치의 단면도를 도시한다. 도 9A 및 도 9B는 각각 도 7의 일점 쇄선 A8-A8 및 B8-B8에서의 단면에 상당한다. 이 변형예에 있어서는, 도 7의 행방향으로 RGB의 화소가 배열하고 있다. 이 때문에, 도 9A에 도시한 단면내에서는, 유기 발광 재료를 포함하는 유기막(15a)이 격벽(20)의 상방에 있어서 분리되어 있다. 도 9B에 도시하는 단면에서는, 유기막(15a)이 격벽(20)의 상방에 있어서 연속하고 있다.9A and 9B are cross sectional views of the organic EL display device according to a modification of the third embodiment. 9A and 9B correspond to the cross sections at dashed-dotted lines A8-A8 and B8-B8 in FIG. 7, respectively. In this modification, the RGB pixels are arranged in the row direction of FIG. For this reason, in the cross section shown to FIG. 9A, the organic film 15a containing an organic light emitting material is isolate | separated above the partition 20. As shown in FIG. In the cross section shown in FIG. 9B, the organic film 15a is continuous above the partition wall 20.

이 변형예에 있어서도, 제3 실시예의 경우와 마찬가지로, 화소마다 폐쇄된 공간이 획정된다. 이 때문에, 수분의 침입에 의한 유기 화합물의 열화를 방지할 수 있다.Also in this modification, the closed space is defined for each pixel similarly to the case of the third embodiment. For this reason, deterioration of the organic compound by the invasion of moisture can be prevented.

도 10에 제4 실시예에 따른 유기 EL 표시 장치의 단면도를 도시한다. 제4 실시예에 따른 유기 EL 표시 장치는, 도 7에 도시한 제3 실시예에 따른 유기 EL 표시 장치의 격벽의 평면 형상과 동일한 평면 형상을 갖는다. 도 10은 도 7의 일점 쇄선 A8-A8에서의 단면에 상당한다. 제4 실시예에 따른 유기 EL 표시 장치의 격벽(20)의 단면 구조는, 도 6C에 도시한 제2 실시예에 따른 유기 EL 표시 장치의 격벽(20)의 단면 구조와 동일하다.10 is a sectional view of an organic EL display device according to the fourth embodiment. The organic EL display device according to the fourth embodiment has the same planar shape as that of the partition wall of the organic EL display device according to the third embodiment shown in FIG. FIG. 10 corresponds to a cross section at dashed-dotted line A8-A8 in FIG. 7. The cross-sectional structure of the partition wall 20 of the organic EL display device according to the fourth embodiment is the same as the cross-sectional structure of the partition wall 20 of the organic EL display device according to the second embodiment shown in Fig. 6C.

제2 실시예의 경우와 마찬가지로, 화소 영역상에 정공 수송층(14), 유기 발광층(15)이 적층되어 있다. 격벽(20) 위에, 정공 수송 재료를 포함하는 유기막(14a) 및 유기 발광 재료를 포함하는 유기막(15a)이 퇴적되어 있다. 유기 발광층(15) 위에 상부 전극(65)이 형성되어 있다. 상부 전극(65)은 도 6C에 도시한 제2 실시예의 상부 전극(16)보다 두껍게 형성되어 있어, 격벽(20) 위까지 연속적으로 덮고 있다.As in the case of the second embodiment, the hole transport layer 14 and the organic light emitting layer 15 are stacked on the pixel region. On the partition wall 20, an organic film 14a containing a hole transport material and an organic film 15a containing an organic light emitting material are deposited. The upper electrode 65 is formed on the organic light emitting layer 15. The upper electrode 65 is formed thicker than the upper electrode 16 of the second embodiment shown in Fig. 6C, and covers the partition wall 20 continuously.

상부 전극(65)을 형성한 후, 기판에 자외선을 조사하여, 상부 전극(65)의 간극에 노출하고 있는 유기막(15a 및 14a)을 변질시킨다.After the upper electrode 65 is formed, the substrate is irradiated with ultraviolet rays to alter the organic films 15a and 14a exposed to the gap between the upper electrodes 65.

제4 실시예에 따른 유기 EL 표시 장치에 있어서는, 제3 실시예의 경우와 마찬가지로, 정공 수송층(14) 및 유기 발광층(15)이 기판(1), 격벽(20) 및 상부 전극(65)에 의해 획정된 공간내에 배치된다. 이 때문에, 외계로부터의 수분의 침입을 방지할 수 있다.In the organic EL display device according to the fourth embodiment, as in the third embodiment, the hole transport layer 14 and the organic light emitting layer 15 are formed by the substrate 1, the partition wall 20, and the upper electrode 65. It is arranged in the defined space. For this reason, invasion of moisture from an external system can be prevented.

상기 제1 내지 제4 실시예에서는, 유기 화합물층을 정공 수송층과 유기 발광층의 2층으로 구성하였지만, 다른 구성으로 하여도 된다. 예를 들면, 정공 주입층, 정공 수송층 및 유기 발광층의 3층 구조로 하여도 된다. 또한, 유기 발광층과 상부 전극 사이에 전자 수송층을 추가하여도 된다.In the first to fourth embodiments, the organic compound layer is composed of two layers, a hole transporting layer and an organic light emitting layer, but may be configured differently. For example, it may be set as a three-layer structure of a hole injection layer, a hole transport layer, and an organic light emitting layer. In addition, an electron transporting layer may be added between the organic light emitting layer and the upper electrode.

이상 실시예를 따라 본 발명을 설명하였지만, 본 발명은 이들에 제한되는 것은 아니다. 예를 들면, 여러 가지의 변경, 개량, 조합 등이 가능함은 당업자에게 자명할 것이다.Although the present invention has been described with reference to the above embodiments, the present invention is not limited thereto. For example, it will be apparent to those skilled in the art that various changes, improvements, combinations, and the like are possible.

Claims (20)

표면상에 복수의 화소 영역이 획정된 기판과,A substrate on which a plurality of pixel regions are defined on a surface; 상기 기판의 표면 중, 상기 화소 영역과 화소 영역 사이의 영역상에 배치되고, 높이 방향에 관해 조성비가 서서히 변화하는 무기 화합물로 형성되며, 상부가 하부의 측면으로부터 상기 화소 영역을 향해 튀어나와 있는 격벽과,A partition wall disposed on an area between the pixel area and the pixel area among the surfaces of the substrate and formed of an inorganic compound whose composition ratio gradually changes with respect to the height direction, the upper part of which extends from the lower side toward the pixel area and, 상기 화소 영역상에 형성된 하부 전극과,A lower electrode formed on the pixel region; 상기 하부 전극 위에 배치되고 전류 주입에 의해 발광하는 유기 발광 재료를 포함하는 유기층과,An organic layer disposed on the lower electrode and including an organic light emitting material emitting light by current injection; 상기 유기층 위에 배치된 상부 전극을 갖는 유기 EL 표시 장치.An organic EL display device having an upper electrode disposed on the organic layer. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 표면상에 복수의 화소 영역이 획정된 기판과,A substrate on which a plurality of pixel regions are defined on a surface; 상기 기판의 표면 중, 상기 화소 영역과 화소 영역 사이의 영역상에 배치되고, 상부가 하부의 측면으로부터 상기 화소 영역을 향해 튀어나와 있는 격벽과,A partition wall disposed on a region between the pixel region and the pixel region among the surfaces of the substrate, the partition wall having an upper portion protruding toward the pixel region from a lower side thereof; 상기 화소 영역상에 형성된 하부 전극과,A lower electrode formed on the pixel region; 상기 하부 전극 위에 배치되고 전류 주입에 의해 발광하는 유기 발광 재료를 포함하는 유기층과,An organic layer disposed on the lower electrode and including an organic light emitting material emitting light by current injection; 상기 유기층 위에 배치된 상부 전극을 포함하고,An upper electrode disposed on the organic layer, 상기 상부 전극의 가장자리가 상기 유기층의 가장자리보다 내측에 배치되어 있으며,The edge of the upper electrode is disposed inside the edge of the organic layer, 상기 화소 영역이 상기 기판의 표면에 행렬 형상으로 배치되고, 상기 격벽이 상기 화소 영역의 서로 이웃하는 2개의 열 사이, 및 서로 이웃하는 2개의 행 사이에 배치되어 격자 형상의 패턴을 갖고, The pixel region is arranged in a matrix shape on the surface of the substrate, and the partition wall is disposed between two adjacent columns of the pixel region and between two adjacent rows, and has a grid-shaped pattern, 상기 상부 전극의 폭이, 상기 격벽의 열방향으로 연장하는 부분의 간격보다 넓고, 상기 기판, 상기 격벽 및 상기 상부 전극에 의해 폐쇄된 공간이 획정되어 있는 유기 EL 표시 장치.An organic EL display device in which a width of the upper electrode is wider than an interval between portions extending in the column direction of the partition wall, and a space closed by the substrate, the partition wall, and the upper electrode is defined. 제5항에 있어서, 상기 하부 전극이, 상기 화소 영역의 각 행에 대응하여 배치되어 행방향으로 연장하는 제1 도전막으로 구성되어 있고, 상기 상부 전극이, 상기 화소 영역의 각 열에 대응하여 배치되어 열방향으로 연장하는 제2 도전막으로 구성되어 있는 유기 EL 표시 장치.The said lower electrode is comprised from the 1st conductive film arrange | positioned corresponding to each row of the said pixel area, and extends in a row direction, The said upper electrode is arrange | positioned corresponding to each column of the said pixel area. The organic electroluminescence display comprised by the 2nd conductive film extended in a column direction. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 기판상에, 행방향으로 연장하는 복수의 도전막을 포함하는 하부 전극을 형성하는 공정과,Forming a lower electrode on the substrate, the lower electrode including a plurality of conductive films extending in the row direction; 상기 하부 전극을 덮도록, 상기 기판상에 무기 절연 재료를 포함하는 제1막을 형성하는 공정과,Forming a first film including an inorganic insulating material on the substrate so as to cover the lower electrode; 상기 제1막 위에, 상기 제1막과는 상이한 절연 재료를 포함하는 제2막을 형성하는 공정과,Forming a second film on the first film, the second film including an insulating material different from the first film; 상기 제2막을, 열방향으로 연장하는 복수의 상부 패턴이 남도록 패터닝하는 공정과,Patterning the second film so that a plurality of upper patterns extending in the column direction remain; 상기 상부 패턴을 에칭 마스크로 하여, 상기 제1막을 에칭하여 상기 제1막을 포함하는 하부 패턴을 남길 뿐만 아니라, 상기 제1막을 횡방향으로도 에칭하여, 상기 상부 패턴이 상기 하부 패턴의 단면으로부터 튀어나온 장출부를 형성하는 공정과,Using the upper pattern as an etching mask, the first layer is etched to not only leave the lower pattern including the first layer, but also the first layer is etched in the transverse direction so that the upper pattern jumps from the end surface of the lower pattern. The process of forming the elongated protruding part 상기 기판 위에, 상기 장출부의 그늘로 되는 영역에도 퍼져 들어가는 조건으로, 유기 발광 재료를 퇴적시켜 유기층을 형성하는 공정과,Depositing an organic light emitting material on the substrate, and forming an organic layer under the condition that the organic light emitting material is spread over a region becoming a shade of the elongated portion; 상기 유기층 위에, 상기 장출부의 그늘로 되는 영역으로 퍼져 들어가지 않는 조건, 또는 퍼져 들어가는 양이, 상기 유기층을 형성할 때의 퍼져 들어가는 양보다 적어지는 조건으로, 도전 재료를 퇴적시켜 상부 전극을 형성하는 공정을 포함하며,A conductive material is deposited on the organic layer to form an upper electrode under conditions that do not spread to a region that becomes the shade of the elongated portion, or that the amount that spreads is smaller than the amount that spreads when the organic layer is formed. Process, 상기 상부 전극을 형성하는 공정이, 상부 전극 재료의 증발원과 상기 기판과의 사이에, 판면의 법선으로부터의 경사각이 어떤 각도 이하인 방향으로 비상하는 증착 원료를 통과시키고, 판면의 법선으로부터의 경사각이 어떤 각도 이상의 방향으로 비상하는 증착 원료를 통과시키지 않는 시준기(collimator)를 배치하여, 상부 전극 재료를 증착하는 공정을 포함하는 유기 EL 표시 장치의 제조 방법.The step of forming the upper electrode allows an evaporation source of the upper electrode material to pass through the evaporation raw material flying in a direction in which the inclination angle from the normal of the plate surface is below a certain angle between the evaporation source of the upper electrode material and the substrate. A method of manufacturing an organic EL display device, comprising the step of depositing a top electrode material by arranging a collimator that does not pass the evaporation raw material flying in a direction above an angle. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 기판상에, 행방향으로 연장하는 복수의 도전막을 포함하는 하부 전극을 형성하는 공정과,Forming a lower electrode on the substrate, the lower electrode including a plurality of conductive films extending in the row direction; 상기 하부 전극을 덮도록, 상기 기판상에 제1 절연 재료를 포함하는 제1막을 형성하는 공정과,Forming a first film including a first insulating material on the substrate so as to cover the lower electrode; 상기 제1막 위에, 상기 제1 절연 재료와는 상이한 제2 절연 재료를 포함하는 제2막을 형성하는 공정과,Forming a second film on the first film, the second film including a second insulating material different from the first insulating material; 행방향 및 열방향으로 연장하는 격자 형상의 패턴을 갖고, 행방향으로 연장하는 부분은, 서로 이웃하는 2개의 상기 하부 전극의 사이에 배치되는 상부 패턴이 남도록, 상기 제2막을 패터닝하는 공정과,A portion having a lattice-like pattern extending in the row direction and the column direction, wherein the portion extending in the row direction comprises the steps of: patterning the second film so that an upper pattern disposed between two adjacent lower electrodes remains; 상기 상부 패턴을 에칭 마스크로 하여, 상기 제1막을 에칭하여 상기 제1막을 포함하는 하부 패턴을 남길 뿐만 아니라, 횡방향으로도 에칭하여, 상기 상부 패턴이 상기 하부 패턴의 단면으로부터 튀어나온 장출부를 형성하는 공정과,By using the upper pattern as an etching mask, the first layer is etched to not only leave the lower pattern including the first layer, but also to be etched in the transverse direction so that the upper pattern protrudes from the end surface of the lower pattern. Process to do, 상기 기판 위에, 상기 장출부의 그늘로 되는 영역에도 퍼져 들어가는 조건으로, 유기 발광 재료를 퇴적시켜 유기층을 형성하는 공정과,Depositing an organic light emitting material on the substrate, and forming an organic layer under the condition that the organic light emitting material is spread over a region becoming a shade of the elongated portion; 상기 유기층 위에, 상기 장출부의 그늘로 되는 영역으로 퍼져 들어가지 않는 조건, 또는 퍼져 들어가는 양이 상기 유기층을 형성할 때의 퍼져 들어가는 양보다 적어지는 조건으로, 도전 재료를 퇴적시켜 상부 전극을 형성하는 공정을 포함하며,Depositing a conductive material on the organic layer to form an upper electrode under conditions that do not spread to a region that becomes the shade of the elongated portion, or under which the amount of spread is less than the amount spread when the organic layer is formed. Including; 상기 상부 전극은, 열방향으로 연장하는 복수의 도전 패턴으로 구성되고, 상기 상부 전극을 형성하는 공정이,The upper electrode is composed of a plurality of conductive patterns extending in the column direction, the step of forming the upper electrode, 상기 상부 전극의 폭이, 상기 상부 패턴의 열방향으로 연장하는 부분의 간격보다 넓고, 상기 기판, 상기 상부 패턴, 상기 하부 패턴 및 상기 상부 전극에 의해 폐쇄된 공간이 획정되도록, 섀도우 마스크를 이용하여 도전 재료를 퇴적시키는 공정을 포함하는 유기 EL 표시 장치의 제조 방법.Using a shadow mask so that the width of the upper electrode is wider than the interval of the portion extending in the column direction of the upper pattern, and the space closed by the substrate, the upper pattern, the lower pattern and the upper electrode is defined. A manufacturing method of an organic EL display device comprising the step of depositing a conductive material. 제14항에 있어서, 상기 상부 전극을 형성한 후, 상기 기판의 표면을 산화성 분위기에 노출시키거나, 또는 상기 기판에 자외선을 조사함으로써, 상기 상부 패턴 위에 퇴적하고 있는 상기 유기 발광 재료를 포함하는 층을 변질시키는 공정을 포함하는 유기 EL 표시 장치의 제조 방법.The layer of claim 14, wherein after forming the upper electrode, a layer including the organic light emitting material deposited on the upper pattern by exposing a surface of the substrate to an oxidizing atmosphere or irradiating ultraviolet rays to the substrate. The manufacturing method of the organic electroluminescence display containing the process of changing quality. 제14항에 있어서, 상기 유기층을 형성하는 공정에서, 상기 상부 패턴 위에 퇴적된 유기 재료를 포함하는 막을 완전하게 덮도록, 상기 상부 전극을 형성하는 유기 EL 표시 장치의 제조 방법.The method of manufacturing an organic EL display device according to claim 14, wherein in the step of forming the organic layer, the upper electrode is formed so as to completely cover a film including an organic material deposited on the upper pattern. 기판상에, 행방향으로 연장하는 복수의 도전막을 포함하는 하부 전극을 형성하는 공정과,Forming a lower electrode on the substrate, the lower electrode including a plurality of conductive films extending in the row direction; 상기 하부 전극을 덮도록, 상기 기판상에 무기 화합물 절연 재료로 형성되며, 두께 방향에 관하여 구성 원소의 조성비가 변화하는 제1막을 형성하는 공정과,Forming a first film formed of an inorganic compound insulating material on the substrate so as to cover the lower electrode, wherein the composition ratio of the constituent elements changes in the thickness direction; 상기 제1막 위에, 열방향으로 연장하는 줄무늬 형상 패턴 또는 행방향과 열방향으로 연장하는 격자 형상 패턴을 갖는 마스크 패턴을 형성하는 공정과,Forming a mask pattern having a stripe pattern extending in a column direction or a grid pattern extending in a row direction and a column direction on the first film; 상기 마스크 패턴을 에칭 마스크로 하여, 상기 제1막을, 하부의 에칭 속도가 상부의 에칭 속도보다 빠른 조건으로 에칭하여, 하부보다도 상부가 넓어진 단면을 갖는 격벽을 형성하는 공정과,Etching the first film on a condition that a lower etching rate is faster than an upper etching rate by using the mask pattern as an etching mask to form a partition having a cross section having an upper portion wider than a lower portion; 상기 기판 위에, 유기 발광 재료를 퇴적시켜 유기층을 형성하는 공정과,Depositing an organic light emitting material on the substrate to form an organic layer; 상기 유기층 위에, 도전 재료를 퇴적시켜 상부 전극을 형성하는 공정을 갖는 유기 EL 표시 장치의 제조 방법.A method of manufacturing an organic EL display device comprising the step of depositing a conductive material on the organic layer to form an upper electrode. 제17항에 있어서, 상기 유기층을 형성하는 공정은, 상기 상부 전극을 형성하는 공정보다도, 상기 격벽의 상부가 넓어진 부분의 그늘로 되는 영역으로의 퍼져 들어가는 양이 많아지는 조건으로, 유기 발광 재료를 퇴적시키는 유기 EL 표시 장치의 제조 방법.18. The organic light emitting material according to claim 17, wherein the forming of the organic layer is performed under conditions in which an amount of spreading into a region becoming a shade of a portion where the upper portion of the partition is wider is increased than in the forming of the upper electrode. The manufacturing method of the organic electroluminescence display which deposits. 제17항에 있어서, 상기 상부 전극을 형성하는 공정이, 상부 전극 재료의 증발원과 상기 기판과의 사이에, 판면의 법선으로부터의 경사각이 어떤 각도 이하인 방향으로 비상하는 증착 원료를 통과시키고, 판면의 법선으로부터의 경사각이 어떤 각도 이상의 방향으로 비상하는 증착 원료를 통과시키지 않는 시준기를 배치하여, 상부 전극 재료를 증착하는 공정을 포함하는 유기 EL 표시 장치의 제조 방법.The process of claim 17, wherein the step of forming the upper electrode passes a vapor deposition raw material that passes through the evaporation source of the upper electrode material and the substrate in a direction in which the inclination angle from the normal of the plate surface is below an angle. A method of manufacturing an organic EL display device comprising the step of depositing an upper electrode material by arranging a collimator which does not pass deposition material that is inclined from a normal in a direction above a certain angle. 기판상에, 행방향으로 연장하는 복수의 도전막을 포함하는 하부 전극을 형성하는 공정과,Forming a lower electrode on the substrate, the lower electrode including a plurality of conductive films extending in the row direction; 상기 하부 전극을 덮도록, 상기 기판상에 제1 절연 재료를 포함하는 제1막을 형성하는 공정과,Forming a first film including a first insulating material on the substrate so as to cover the lower electrode; 상기 제1막 위에, 상기 제1 절연 재료와는 상이한 제2 절연 재료를 포함하는 제2막을 형성하는 공정과,Forming a second film on the first film, the second film including a second insulating material different from the first insulating material; 행방향 및 열방향으로 연장하는 격자 형상의 패턴을 갖고, 행방향으로 연장하는 부분은, 서로 이웃하는 2개의 상기 하부 전극의 사이에 배치되는 상부 패턴이 남도록, 상기 제2막을 패터닝하는 공정과,A portion having a lattice-like pattern extending in the row direction and the column direction, wherein the portion extending in the row direction comprises the steps of: patterning the second film so that an upper pattern disposed between two adjacent lower electrodes remains; 상기 상부 패턴을 에칭 마스크로 하여, 상기 제1막을 에칭하여 상기 제1막을 포함하는 하부 패턴을 남길 뿐만 아니라, 횡방향으로도 에칭하여, 상기 상부 패턴이 상기 하부 패턴의 단면으로부터 튀어나온 장출부를 형성하는 공정과,By using the upper pattern as an etching mask, the first layer is etched to not only leave the lower pattern including the first layer, but also to be etched in the transverse direction so that the upper pattern protrudes from the end surface of the lower pattern. Process to do, 상기 기판 위에, 상기 장출부의 그늘로 되는 영역에도 퍼져 들어가는 조건으로, 유기 발광 재료를 퇴적시켜 유기층을 형성하는 공정과,Depositing an organic light emitting material on the substrate, and forming an organic layer under the condition that the organic light emitting material is spread over a region becoming a shade of the elongated portion; 상기 유기층 위에, 상기 장출부의 그늘로 되는 영역으로 퍼져 들어가지 않는 조건, 또는 퍼져 들어가는 양이 상기 유기층을 형성할 때의 퍼져 들어가는 양보다 적어지는 조건으로, 도전 재료를 퇴적시켜 상부 전극을 형성하는 공정을 포함하며,Depositing a conductive material on the organic layer to form an upper electrode under conditions that do not spread to a region that becomes the shade of the elongated portion, or under which the amount of spread is less than the amount spread when the organic layer is formed. Including; 상기 상부 전극을 형성하는 공정이, 상부 전극 재료의 증발원과 상기 기판과의 사이에, 판면의 법선으로부터의 경사각이 어떤 각도 이하인 방향으로 비상하는 증착 원료를 통과시키고, 판면의 법선으로부터의 경사각이 어떤 각도 이상의 방향으로 비상하는 증착 원료를 통과시키지 않는 시준기를 배치하여, 상부 전극 재료를 증착하는 공정을 포함하는 유기 EL 표시 장치의 제조 방법.The step of forming the upper electrode allows an evaporation source of the upper electrode material and the substrate to pass through the evaporation raw material flying in a direction in which the inclination angle from the normal of the plate surface is below a certain angle, and the inclination angle from the normal of the plate surface A method of manufacturing an organic EL display device comprising the step of depositing an upper electrode material by arranging a collimator that does not pass a deposition raw material flying in a direction above an angle.
KR1020057016083A 2005-08-29 2003-03-17 Organic electroluminescence display and its manufacturing method KR100733946B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020057016083A KR100733946B1 (en) 2005-08-29 2003-03-17 Organic electroluminescence display and its manufacturing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020057016083A KR100733946B1 (en) 2005-08-29 2003-03-17 Organic electroluminescence display and its manufacturing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050111338A KR20050111338A (en) 2005-11-24
KR100733946B1 true KR100733946B1 (en) 2007-06-29

Family

ID=37286606

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020057016083A KR100733946B1 (en) 2005-08-29 2003-03-17 Organic electroluminescence display and its manufacturing method

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100733946B1 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101274152B1 (en) * 2006-06-22 2013-06-13 엘지디스플레이 주식회사 Organic electroluminescence display device and method of fabricating the same
KR102241441B1 (en) * 2013-06-28 2021-04-19 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting display device and manufacturing method of the same
JP6844620B2 (en) * 2016-06-07 2021-03-17 ソニー株式会社 Display device

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10106747A (en) * 1996-09-26 1998-04-24 Mitsubishi Electric Corp Organic electroluminescent display device and its manufacture
JP2001093666A (en) * 1999-09-22 2001-04-06 Sharp Corp Organic led display device and method for manufacturing the same

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10106747A (en) * 1996-09-26 1998-04-24 Mitsubishi Electric Corp Organic electroluminescent display device and its manufacture
JP2001093666A (en) * 1999-09-22 2001-04-06 Sharp Corp Organic led display device and method for manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR20050111338A (en) 2005-11-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7095172B2 (en) Organic electro luminescence display and its manufacture method
US7821199B2 (en) Organic electroluminescent device and manufacturing method thereof
JP4925566B2 (en) Shadow mask
KR100986787B1 (en) Film formation mask, organic el panel, and method of manufacturing the organic el panel
JP4909152B2 (en) Vapor deposition apparatus and vapor deposition method
US6326726B1 (en) Organic electroluminescent display device having insulative shielding walls
US11127798B2 (en) Pixel definition layer and manufacturing method thereof, display substrate, and display panel
JP4317113B2 (en) Manufacturing method of flat panel display device
JP2000235894A (en) Organic el element and its manufacture
JP4520997B2 (en) Organic electroluminescence display panel and manufacturing method thereof
JP4313274B2 (en) Inkjet printing substrate and method for manufacturing the same
WO2019064420A1 (en) Vapor deposition mask and vapor deposition mask manufacturing method
JP4837716B2 (en) Flat panel display
JPH10106752A (en) Organic thin film electroluminescent element and manufacture thereof
KR20030048911A (en) Electro luminescence device and method of manufacturing the same
KR100733946B1 (en) Organic electroluminescence display and its manufacturing method
CN111463357B (en) Display panel, display device and preparation method
US8221177B2 (en) Organic EL panel including an element substrate dehydrated in a shorter time and method for manufacturing the same
JP2016091942A (en) Display device and manufacture method thereof
JP3531597B2 (en) Organic electroluminescent device
JP4795665B2 (en) Organic electroluminescence display panel and manufacturing method thereof
KR100499582B1 (en) Organic Electroluminescent Device and Method for Fabricating the same
JP6164982B2 (en) Light emitting device
JP3864805B2 (en) Manufacturing method of organic EL display panel
KR100667017B1 (en) Manufacturing process for organic electroluminescence display

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
N231 Notification of change of applicant
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130531

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140609

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150602

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160527

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170601

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180529

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190530

Year of fee payment: 13